CN116347912A

CN116347912A - 有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光显示装置

Info

Publication number: CN116347912A
Application number: CN202211609180.4A
Authority: CN
Inventors: J·A·李; 柳映朱; 林起焕; 金捘演
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2021-12-22
Filing date: 2022-12-12
Publication date: 2023-06-27
Also published as: GB202215750D0; GB2614383A; KR20230095600A; US20230200231A1; DE102022128812A1

Abstract

一种有机发光二极管，包括：反射电极；面向所述反射电极的透明电极；以及包括第一发光部和第二发光部并且位于所述反射电极和所述透明电极之间的有机发光层，其中所述第一发光部和所述第二发光部的每一者包括磷光发光层和荧光发光层，并且其中在所述第一发光部和所述第二发光部的至少一者中，所述荧光发光层被定位成比所述磷光发光层更靠近所述透明电极。

Description

有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年12月22日在韩国提交的韩国专利申请第10-2021-0185242号的权益，通过引用将其作为整体结合在此。

技术领域

本公开内容涉及一种有机发光二极管，更具体地，涉及一种具有高显示性能的有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光显示装置。

背景技术

对具有小占用面积的平板显示装置的需求增加。在平板显示装置中，包括有机发光二极管(OLED)并且可以被称为有机电致发光装置的有机发光显示装置的技术得到迅速发展。

所述OLED通过将电子从作为电子注入电极的阴极以及将空穴从作为空穴注入电极的阳极注入发光材料层中，将所述电子与空穴结合，产生激子，并将激子从激发态转变为基态而发光。

荧光材料可以用作OLED中的发光体。然而，由于仅所述荧光材料的单重态激子参与发光，因此荧光材料的发光效率受到限制。

发明内容

因此，本公开内容的实施方式涉及一种OLED和一种有机发光显示装置，其基本上消除了与现有技术的限制和缺点相关的一个或多个问题。

本公开内容的一个目的是提供一种具有高显示性能的OLED和有机发光显示装置。

随后的说明书中将阐述附加特征和方面，并且部分地从描述中显而易见，或者可以通过实践本文提供的发明构思而获知。本公开内容构思的其他特征和方面可以通过在书面描述中特别强调的或从其得出的结构以及本公开内容的权利要求以及附图来实现和获得。

为了实现根据本公开内容的实施方式的目的的这些和其他优点，如本文所述，本公开内容的一个方面是一种有机发光二极管，包括：反射电极；面向所述反射电极的透明电极；以及包括第一发光部和第二发光部并且位于所述反射电极和所述透明电极之间的有机发光层，其中所述第一发光部和所述第二发光部的每一者包括磷光发光层和荧光发光层，并且其中在所述第一发光部和所述第二发光部的至少一者中，所述荧光发光层被定位成比所述磷光发光层更靠近所述透明电极。

本公开内容的另一方面是一种有机发光显示装置，包括：基板，所述基板包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域；和有机发光二极管，所述有机发光二极管设置在基板上或上方且位于所述绿色像素区域中，所述有机发光二极管包括：反射电极；面向所述反射电极的透明电极；以及包括第一发光部和第二发光部并且位于所述反射电极和所述透明电极之间的有机发光层，其中所述第一发光部和所述第二发光部的每一者包括磷光发光层和荧光发光层，并且其中在所述第一发光部和所述第二发光部的至少一者中，所述荧光发光层被定位成比所述磷光发光层更靠近所述透明电极。

需要理解的是，上述的一般描述和以下的详细描述都是示范性和解释性的，旨在对所要求保护的发明概念提供进一步的解释。

附图说明

附图是为了提供对本公开内容的进一步理解而包括在本申请中并构成本申请的一部分，这些附图说明了本公开内容的实施方式并且与说明书一起用于解释本公开内容的原理。

图1是本公开内容的有机发光显示装置的电路示意图。

图2是根据本公开内容第一实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。

图3是根据本公开内容第二实施方式的OLED的示意性截面图。

图4是根据本公开内容第三实施方式的OLED的示意性截面图。

图5是根据本公开内容第四实施方式的OLED的示意性截面图。

图6A至6E是用于本公开内容的OLED的发光体(掺杂剂)的PL光谱。

图7是根据本公开内容第五实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。

图8是根据本公开内容第六实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。

具体实施方式

现在将详细参考附图中示出的一些实施例和优选实施方式。

图1是本公开内容的有机发光显示装置的电路示意图。

如图1所示，有机发光显示装置包括栅极线GL、数据线DL、电源线PL、开关薄膜晶体管TFT Ts、驱动TFT Td、存储电容器Cst和OLED D。所述栅极线GL和所述数据线DL相互交叉以限定像素区域P。所述像素区域可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。

所述开关TFT Ts连接到所述栅极线GL和所述数据线DL，并且所述驱动TFT Td和所述存储电容器Cst连接到所述开关TFT Ts和所述电源线PL。所述OLED D连接到所述驱动TFTTd。

在所述有机发光显示装置中，当所述开关TFT Ts通过施加于所述栅极线GL的门信号打开时，来自所述数据线DL的数据信号被施加到所述驱动TFTTd的栅极以及所述存储电容器Cst的电极。

当所述驱动TFT Td被数据信号打开时，电流从所述电源线PL提供给所述OLED D。结果，所述OLED D发光。在这种情况下，当所述驱动TFT Td打开时，确定从所述电源线PL施加到所述OLED D的电流电平，从而使所述OLED D可以产生灰度。

所述存储电容器Cst用于在所述开关TFT Ts被关闭时维持所述驱动TFT Td的栅极的电压。因此，即使关闭所述开关TFT Ts，从所述电源线PL施加到所述OLED D的电流电平仍然保持到下一帧。

因此，所述有机发光显示装置显示期望的图像。

图2是根据本公开内容的第一实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。

如图2所示，所述有机发光显示装置100包括基板110、所述基板110上或上方的TFTTr、覆盖所述TFT Tr的平面化层150和位于所述平面化层150上并与所述TFT Tr连接的OLEDD。可在所述基板110上定义红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。

所述基板110可以是玻璃基板或柔性基板。例如，所述柔性基板可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板和聚碳酸酯(PC)基板中的一种。

在所述基板上形成缓冲层122，在所述缓冲层122上形成所述TFT Tr。可以省略所述缓冲层122。例如，所述缓冲层122可以由无机绝缘材料形成，例如氧化硅或氮化硅。

半导体层120形成在所述缓冲层122上。所述半导体层120可以包括氧化物半导体材料或多晶硅。

当所述半导体层120包括氧化物半导体材料时，可以在所述半导体层120下方形成遮光图案(未示出)。到达所述半导体层120的光被遮光图案屏蔽或阻挡，从而可以防止所述半导体层120的热劣化。另一方面，当所述半导体层120包括多晶硅时，杂质可以掺杂到所述半导体层120的两侧。

栅极绝缘层124形成在所述半导体层120上。所述栅极绝缘层124可以由诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料形成。

由例如金属的导电材料形成的栅极130形成在所述栅极绝缘层124上以对应于所述半导体层120的中心。在图2中，所述栅极绝缘层124形成在所述基板110的整个表面上。或者，所述栅极绝缘层124可以被图案化以具有与所述栅极130相同的形状。

层间绝缘层132形成在所述栅极130上和所述基板110的整个表面之上。所述层间绝缘层132可以由无机绝缘材料(例如氧化硅或氮化硅)或有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光丙烯)形成。

所述层间绝缘层132包括暴露所述半导体层120两侧的第一和第二接触孔134和136。所述第一和第二接触孔134和136位于所述栅极130的两侧以与所述栅极130间隔开。

所述第一和第二接触孔134和136穿过所述栅极绝缘层124形成。或者，当所述栅极绝缘层124被图案化为具有与所述栅极130相同的形状时，所述第一和第二接触孔134和136仅通过所述层间绝缘层132形成。

由例如金属的导电材料形成的源极144和漏极146形成在所述层间绝缘层132上。

所述源极144和所述漏极146相对于所述栅极130彼此间隔开，并通过所述第一和第二接触孔134和136分别接触所述半导体层120的两侧。

所述半导体层120、栅极130、源极144和漏极146构成TFT Tr。所述TFTTr用作驱动元件。即，所述TFT Tr驱动TFT Td(图1)。

在所述TFT Tr中，所述栅极130、源极144和漏极146位于所述半导体层120上方。即，所述TFT Tr具有共面结构。

或者，在所述TFT Tr中，所述栅极可以位于所述半导体层下方，所述源极和漏极可以位于所述半导体层上方，使得TFT Tr可以具有倒交错结构。在这种情况下，所述半导体层可以包括非晶硅。

尽管未示出，但所述栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区域，并且所述开关TFT形成为连接到所述栅极线和数据线。所述开关TFT连接到作为驱动元件的所述TFT Tr。此外，可以进一步形成与所述栅极线和数据线之一平行并间隔开的所述电源线以及用于在一帧内维持所述TFT Tr的栅极电压的所述存储电容器。

平坦化层150形成在所述基板110的整个表面上以覆盖所述源极和漏极144和146。所述平坦化层150提供平坦的顶表面并具有暴露所述TFT Tr的漏极146的漏极接触孔152。

所述OLED D设置在所述平坦化层150上并且包括连接到所述TFT Tr的漏极146的第一电极210、有机发光层220和第二电极230。所述有机发光层220和第二电极230依次堆叠在所述第一电极210上。所述OLED D位于红色、绿色和蓝色像素区域中的每一个，并分别发出红色、绿色和蓝色光。

所述第一电极210分别形成在每个像素区域中。所述第一电极210可以是阳极并且可以包括透明导电氧化物材料层和反射层，所述透明导电氧化物材料层可以由例如透明导电氧化物(TCO)的导电材料形成，并具有相对高的功函数。即，所述第一电极210可以是反射电极。

或者，所述第一电极210可以具有透明导电氧化物材料层的单层结构。即，所述第一电极210可以是透明电极。

例如，所述透明导电氧化物材料层可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO))、铈掺杂的氧化铟(ICO)、铝掺杂的氧化锌(Al:ZnO、AZO)中的一种形成，并且所述反射层可以由银(Ag)、Ag与钯(Pd)、铜(Cu)、铟(In)和钕(Nd)中的一种的合金以及铝-钯-铜(APC)合金。例如，所述第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的结构。

此外，堤层160形成在所述平坦化层150上以覆盖所述第一电极210的边缘。即，所述堤层160位于像素区域的边界处并且暴露所述像素区域中所述第一电极210的中心。

作为发光单元的所述有机发光层220形成在所述第一电极210上。所述有机发光层220包括包含第一绿色发光材料层(EML)的第一发光部和包含第二绿色EML的第二发光部。即，所述有机发光层220具有多层结构，使得所述OLED D具有串联结构。

所述第一发光部和第二发光部的每一者还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个以具有多层结构。此外，所述有机发光层还可以包括位于所述第一和第二发光部之间的电荷产生层(CGL)。

如下所述，在所述绿色像素区域中所述OLED D中，所述第一和第二绿色EML中的每一个都包括包含延迟荧光化合物和荧光化合物的荧光发光层以及包含磷光化合物的磷光发光层。因此，所述OLED D在发光效率、半峰全宽(FWHM)和寿命方面具有优势。

所述第二电极230在具有所述有机发光层220的基板110的上方形成。所述第二电极230覆盖显示区域的整个表面并且可以由具有相对低功函数的导电材料形成以用作阴极。例如，所述第二电极230可以由铝(A1)、镁(Mg)、钙(Ca)、银(Ag)或其合金形成，例如Mg-Ag合金(MgAg)。所述第二电极230可以具有例如10到30nm的薄的轮廓以是透明的(或半透明的)。

尽管未示出，所述OLED D还可以包括在所述第二电极230上的覆盖层。所述OLED D的发光效率可以通过所述覆盖层进一步提高。

封装膜(或封装层)170形成在所述第二电极230上以防止湿气渗入到所述OLED D中。所述封装膜170包括依次堆叠的第一无机绝缘层172、有机绝缘层174和第二无机绝缘层176，但不限于此。

尽管未示出，但是所述有机发光显示装置100可以包括对应于所述红色、绿色和蓝色像素区域的滤色器。例如，所述滤色器可以位于所述OLED D或封装膜170上或上方。

此外，所述有机发光显示装置100还可以包括在所述封装膜170或滤色器上或上方的覆盖窗口(未示出)。在这种情况下，所述基板110和所述覆盖窗具有柔性特性，从而可以提供柔性有机发光显示装置。

图3是根据本公开内容第二实施方式的有机发光二极管的示意性截面图。

如图3所示，所述OLED D1包括作为反射电极的所述第一电极210、作为面向所述第一电极210的透明电极(或半透明电极)的所述第二电极230、以及二者之间的所述有机发光层220。所述有机发光层220包括第一发光部310和第二发光部350，其中所述第一发光部310包括包含第一发光层320和第二发光层330的第一EML 340，所述第二发光部350包括包含第三发光层360和第四发光层370的第二EML 380。此外，所述有机发光层220还可以包括位于第一和第二发光部310和350之间的CGL 390。此外，所述OLED D1还可以包括用于增强(改进)发光效率的覆盖层290。

所述有机发光显示装置可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且所述OLED D1位于绿色像素区域中。

所述第一电极210可以是阳极，所述第二电极230可以是阴极。所述第一电极210为反射电极，所述第二电极230为透明电极(或半透明电极)。例如，所述第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO的结构，所述第二电极230可以由MgAg或A1形成。即，所述第一电极210可以具有第一透射率，并且所述第二电极230可以具有大于所述第一透射率的第二透射率。

在所述第一发光部310中，所述第一发光层320位于所述第一电极210和第二发光层330之间。即，所述第一发光层310被设置为更靠近所述第一电极210，并且所述第二发光层310被设置为更靠近所述第二电极230。所述第一发光层320为磷光发光层，所述第二发光层330为荧光发光层。

在所述第二发光部350中，所述第四发光层370位于所述第二电极230和所述第三发光层360之间。即，所述第三发光层360被设置为更靠近所述第一电极210，并且所述第四发光层370被设置为更靠近所述第二电极230。所述第三发光层360为荧光发光层，所述第四发光层370为磷光发光层。即，在所述第一发光部310中，作为荧光发光层的所述第二发光层330被定位成更靠近作为透明电极(或半透明电极)的所述第二电极230，而在所述第二发光部350中，作为磷光发光层的所述第四发光层被定位成更靠近作为透明电极的所述第二电极230。

所述第一发光层320包括作为第一主体的第一化合物322和作为第一磷光掺杂剂(或第一磷光发光体)的第二化合物324。所述第二发光层330包括作为第二主体的第三化合物332、作为辅助主体(或辅助掺杂剂)的第四化合物334和作为第一荧光掺杂剂(或第一荧光发光体)的第五化合物336。所述第四化合物334是延迟荧光化合物。

所述第三发光层360包括作为第三主体的第六化合物362、作为辅助主体的第七化合物364和作为第二荧光掺杂剂的第八化合物366。所述第七化合物364是延迟荧光化合物。所述第四发光层370包括作为第四主体的第九化合物372和作为第二磷光掺杂剂的第十化合物374。

作为所述第一发光层320的主体的第一化合物322、作为所述第二发光层330的主体的第三化合物332、作为所述第三发光层360的主体的第六化合物362和作为所述第四发光层370的主体的第九化合物372中的每一个由式1-1表示。

[式1-1]

在式1-1中，Ar选自由取代或未取代的C6-C30芳撑基和取代或未取代的C5-C30杂芳撑基构成的群组。R1、R2、R3和R4各自独立地选自由取代或未取代的C1-C10烷基和取代或未取代的C6-C30芳基构成的群组，并且a1、a2、a3和a4各自独立地为从0至4的整数。

在本公开内容中，在没有具体定义的情况下，取代基可以是氘(D)、卤素、、C1-C10烷基和C6-C30芳基中的至少一种。

在本公开内容中，C6至C30芳基(或C6至C30芳撑基)可以选自由以下各者构成的群组：苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、戊烷基(pentanenyl)、茚基、茚并茚基(indenoindenyl)、庚搭烯基(heptalenyl)、次联苯基、并茚苯基(indacenyl)、菲基、苯并菲基、二苯并菲基、薁基、芘基、荧蒽基、次三苯基、屈基(chrysenyl)、四苯基、并四苯基(tetrasenyl)、二萘品苯基(picenyl)、五苯基、并五苯基、芴基、茚并芴基和螺芴基。

在本公开内容中，C5至C30杂芳基可以选自由以下各者构成的群组：吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、咪唑基、吡唑基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、吲嗪基、吡咯嗪基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚并咔唑基、茚并咔唑基、苯并呋喃咔唑基、苯并噻吩咔唑基、喹啉基、异喹啉基、酞嗪基、喹喔啉基、噌啉基、喹唑啉基、奎诺唑啉基、嘌呤基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、吖啶基、菲咯啉基、嘧啶基(perimidinyl)、菲啶基、蝶啶基、萘胺基、呋喃基、恶嗪基、恶唑基、恶二唑基、三唑基、二恶英基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、硫代吡喃基、呫吨基(xanthenyl)、苯并吡喃基、异苯并吡喃基、噻嗪基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、二呋喃吡嗪基、苯并呋喃二苯并呋喃基、苯并噻吩并苯并噻吩基(benzothienobenzothiophenyl)、苯并噻吩并二苯并噻吩基(benzothienodibenzothiophenyl)、苯并噻吩并苯并呋喃基(benzothienobenzofuranyl)和苯并噻吩并二苯并呋喃基(benzothienodibenzofuranyl)。

例如，在式1-1中，Ar可以是亚联苯基和亚苯基中的一种。

即，作为第一发光层320的主体的所述第一化合物322，作为第二发光层330的主体的所述第三化合物332，作为第三发光层360的主体的所述第六化合物362以及作为第四发光层370的主体的所述第九化合物372具有相同的化学结构并且可以相同或不同。

式1-1可以由式1-2表示。

[式1-2]

在式1-2中，R5和R6各自独立地选自由取代或未取代的C1-C10烷基和取代或未取代的C6-C30芳基构成的群组，并且a5和a6各自独立地为0-4的整数。R1、R2、R3、R4、a1、a2、a3、a4的定义与式1-1中相同。

或者，式1-1可以由式1-3表示。

[式1-3]

在式1-3中，R5和R6各自独立地选自由取代或未取代的C1-C10烷基和取代或未取代的C6-C30芳基构成的群组，并且a5和a6各自独立地为0-4的整数。R1、R2、R3、R4、a1、a2、a3和a4的定义与式1-1中相同。

或者，式1-1可以由式1-4表示。

[式1-4]

在式1-4中，R7独立地选自由取代或未取代的C1-C10烷基和取代或未取代的C6-C30芳基构成的群组，并且a7独立地为0-4的整数。R1、R2、R3、R4、a1、a2、a3和a4的定义与式1-1中相同。

即，在所述OLED D1的绿色像素区域中，作为第一发光层320的主体的所述第一化合物322，作为第二发光层330的主体的所述第三化合物332，作为第三发光层360的主体的所述第六化合物362以及作为第四发光层370的主体的所述第九化合物372中的每一个都具有两个咔唑基团连接(结合、连接或接合)至连接基团的结构，例如联苯或亚苯基。在这种情况下，如式1-2所示，当两个咔唑基团与衬里(1iner)连接成对位时，所述OLED D1的性能可以进一步提高。

例如，作为第一发光层320的主体的所述第一化合物322、作为第二发光层330的主体的所述第三化合物332、作为第三发光层360的主体的所述第六化合物362以及作为第四发光层370的主体的所述第九化合物372中的每一个可以是式2中的化合物之一。

[式2]

作为第一发光层320的第一磷光掺杂剂的所述第二化合物324和作为第四发光层370的第二磷光掺杂剂的所述第十化合物374中的每一个是由式3表示的铱化合物。

[式3]

在式3中，R11和R12各自独立地选自由卤素、取代或未取代的C1-C10烷基、取代或未取代的C6-C30芳基和取代或未取代的C5-C30杂芳基构成的群组，并且b1和b2各自独立地为0-4的整数。R13和R14各自独立地选自由氢(H)、卤素、取代或未取代的C1-C10烷基、取代或未取代的C6-C30芳基和取代或未取代的C5-C30杂芳基构成的群组。

例如，R11、R12、R13和R14各自独立地为C1-C10烷基，例如甲基或叔丁基。

即，作为第一发光层320的第一磷光掺杂剂的所述第二化合物324和作为第四发光层370的第二磷光掺杂剂的所述第十化合物374具有相同的化学结构并且可以相同或不同。

例如，作为第一发光层320的第一磷光掺杂剂的所述第二化合物324和作为第四发光层370的第二磷光掺杂剂的所述第十化合物374中的每一个可以是式4中的化合物之一。

[式4]

作为第二发光层330的辅助主体的所述第四化合物334和作为第三发光层360的辅助主体的所述第七化合物364中的每一个由式5-1表示。

[式5-1]

在式5-1中，Y由式5-2表示，c1为1-4的整数。当c1为2或更大的整数时，Y相同或不同。

[式5-2]

在式5-2中，R21和R22各自独立地选自由取代或未取代的C1-C10烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、和取代或未取代的C5-C30杂芳基构成的群组，或两个相邻的R21和两个相邻的R22的至少一者相互连接以形成芳环或杂芳环。此外，c2和c3各自独立地为0-4的整数。

例如，c1可以是3或4，优选为4，c2和c3可以是0。

即，作为第二发光层330的辅助主体的第四化合物334和作为第三发光层360的辅助主体的第七化合物364具有相同的化学结构并且可以相同或不同。

例如，式5-1可以由式5-3表示。

[式5-3]

在式5-3中，Y由式5-2表示，c1的定义与式5-1中相同。

或者，式5-1可以由式5-4表示。

[式5-4]

在式5-4中，Y由式5-2表示，并且c4是0至3的整数。例如，c4可以是3，并且两个氰基(CN)可以在邻位或间位连接。

如式5-4中所示，作为第二发光层330的辅助主体的第四化合物334和作为第三发光层360的辅助主体的第七化合物364中的两个氰基在邻位或间位连接至亚苯基核，当两个氰基位于间位而不是邻位时，可以进一步改善OLED D1的特性(性能)。

例如，作为第二发光层330的辅助主体的所述第四化合物334和作为第三发光层360的辅助主体的所述第七化合物364中的每一个可以是式6中的化合物之一。

[式6]

/>

作为第二发光层330的第一荧光掺杂剂的所述第五化合物336和作为第三发光层360的第二荧光掺杂剂的所述第八化合物366中的每一个由式7表示。

[式7]

在式7中，R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37各自独立地选自由氢、取代或未取代的C1-C10烷基和取代或未取代的C6-C30芳基构成的群组，并且R31、R32、R33和R34中的至少一个为取代或未取代的C1-C10烷基。

例如，R31、R32、R33和R34中的两个或四个可以是C1-C10烷基，例如甲基。此外，R35和R36各自可以独立地选自由氢和C1-C10烷基(例如乙基)构成的群组，并且R37可以选自由未取代的C6-C30芳基(例如苯基)、被C1-C10烷基(例如甲基)取代的C6-C30芳基(例如叔丁基苯基)、和取代或未取代的C5-C30杂芳基(例如二苯并呋喃基)构成的群组。

即，作为第二发光层330的第一荧光掺杂剂的所述第五化合物336和作为第三发光层360的第二荧光掺杂剂的所述第八化合物366具有相同的化学结构并且可以相同或不同。

作为第二发光层330的第一荧光掺杂剂的所述第五化合物336和作为第三发光层360的第二荧光掺杂剂的所述第八化合物366中的每一个可以是式8中的化合物之一。

[式8]

在所述第一发光层320中，所述第一化合物322的重量％大于所述第二化合物324的重量％。例如，在所述第一发光层320中，所述第二化合物324相对于所述第一化合物322可以具有1-20的重量％。

在所述第二发光层330中，所述第三和第四化合物332和334中的每一个的重量％都大于所述第五化合物336的重量％，并且所述第三化合物332的重量％可以等于或大于所述第四化合物334的重量％。例如，在所述第二发光层330中，所述第四化合物334相对于所述第三化合物332可以具有60-80的重量％，所述第五化合物336相对于所述第三化合物332可以具有0.1-10的重量％。

在所述第三发光层360中，所述第六和第七化合物362和364中的每一个的重量％都大于所述第八化合物366的重量％，并且所述第六化合物362的重量％可以等于或大于所述第七化合物364的重量％。例如，在所述第三发光层360中，所述第七化合物364相对于所述第六化合物362可以具有60-80的重量％，所述第八化合物366相对于所述第六化合物362可以具有为0.1-10的重量％。

在所述第四发光层370中，所述第九化合物372的重量％大于所述第十化合物374的重量％。例如，在所述第四发光层370中，所述第十化合物374相对于所述第九化合物372可以具有1-20的重量％。

所述第一至第四发光层320、330、360和370中的每一个可以具有约10-25nm的厚度。所述第一至第四发光层320、330、360和370可以具有相同的厚度或不同的厚度。

在所述第二发光层330中，作为第一荧光掺杂剂的所述第五化合物336“FD”的最低未占分子轨道(LUMO)能级与作为辅助主体的所述第四化合物334“TD”的LUMO能级之间的差值可以是-0.6eV或更大。此外，作为第一荧光掺杂剂的所述第五化合物336“FD”的LUMO能级与作为辅助主体的所述第四化合物334“TD”的LUMO能级之间的差值可以是0.1eV或更小。例如，作为第一荧光掺杂剂的所述第五化合物336“FD”的最低未占分子轨道(LUMO)能级与作为辅助主体的所述第四化合物334“TD”的LUMO能级之间的差值可以是-0.6eV或更大且0.1eV或更小(即，0.1eV≥LUMO(FD)-LUMO(TD)≥-0.6eV)。

在所述第三发光层360中，作为第二荧光掺杂剂的所述第八化合物366“FD”的LUMO能级与作为辅助主体的所述第七化合物364“TD”的LUMO能级之间的差值可以是-0.6eV或更大。此外，作为第二荧光掺杂剂的所述第八化合物366“FD”的LUMO能级与作为辅助主体的所述第七化合物364“TD”的LUMO能级之间的差值可以是0.1eV或更小。例如，作为第二荧光掺杂剂的所述第八化合物366“FD”的LUMO能级与作为辅助主体的所述第七化合物364“TD”的LUMO能级之间的差值可以是-0.6eV或更大且0.1eV或更小(即，0.1eV≥LUMO(FD)-LUMO(TD)≥-0.6eV)。确定HOMO能级的各种方法对技术人员来说是已知的。例如，HOMO能级可以用传统的表面分析仪，如RKI仪器制造的AC3表面分析仪来确定。该表面分析仪可用于确定厚度为50纳米的化合物的单层薄膜(整齐的薄膜)。LUMO能级可按以下方式计算：LUMO＝HOMO-带隙。带隙可以用技术人员已知的任何常规方法计算，例如从厚度为50纳米的单层薄膜的紫外-可见测量中计算。例如，可以用SCINCO S-3100分光光度计完成。本文所公开的实施例和实施方式的化合物的HOMO和LUMO值可以通过这种方式确定。即，HOMO和LUMO值可以是薄膜(例如50纳米的膜)的实验或经验确定的值。

因此，可以防止所述第二和第三发光层330和360中的每一个产生激基复合物，并且可以提高所述第二和第三发光层330和360中的每一个的发光效率。

所述第一发光层320的最大发射波长与所述第二发光层330的最大发射波长之差为20nm或更小，并且所述第三发光层360的最大发射波长与所述第四发光层370的最大发射波长之差为20nm或更小。即，所述第一发光层320中的第二化合物324的最大发射波长与所述第二发光层330中的第五化合物336的最大发射波长之差为20nm或更小，并且所述第三发光层360中的第八化合物366与所述第四发光层370中的第十化合物374的最大发射波长之差为20nm或更小。例如，所述第一到第四发光层320、330、360和370中的每一个可以具有510-540nm的发射波长范围。

此外，包括所述第一和第二发光层320和330的第一发光部310的平均发射波长与包括所述第三和第四发光层360和370的第二发光部350的平均发射波长之差可以是20nm或更小。

所述第一发光部310还可以包括位于所述第一EML 340下方的第一HTL 313以及位于所述第一EML 340上的第一ETL 319中的至少一个。

此外，所述第一发光部310还可以包括位于所述第一HTL 313下方的HIL。

此外，所述第一发光部310还可以包括位于所述第一EML 340和第一HTL 313之间的第一EBL 315以及位于所述第一EML 340和第一ETL 319之间的第一HBL 317中的至少一个。

所述第二发光部350还可以包括位于所述第二EML 380下方的第二HTL351以及位于所述第二EML 380上的第二ETL 357中的至少一个。

此外，所述第二发光部350还可以包括位于所述第二ETL 357上的EIL。

此外，所述第二发光部350还可以包括位于所述第二EML 380和第二HTL351之间的第二EBL 353以及位于所述第二EML 380和第二ETL 357之间的第二HBL 355中的至少一个。

所述CGL 390位于所述第一和第二发光部310和350之间，并且所述第一和第二发光部310和350通过所述CGL 390连接。所述第一发光部310、CGL 390和第二发光部350依次堆叠在所述第一电极210上。即，所述第一发光部310位于所述第一电极210和CGL 390之间，并且所述第二发光部350位于所述第二电极230和CGL 390之间。

所述CGL 390可以是N型CGL 392和P型CGL 394的P-N连接型CGL。

所述N型CGL 392位于所述第一ETL 319和第二HTL 351之间，并且所述P型CGL 394位于所述N型CGL 392和第二HTL 351之间。所述N型CGL 392向所述第一发光部310的第一EML 340提供电子，并且所述P型CGL 394向所述第二发光部350的第二EML 380提供空穴。

例如，所述HIL 311可以包括选自由4，4′4″-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、4，4′，4″-三(N，N-二苯基-氨基)三苯胺(NATA)、4，4′，4″-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(1T-NATA)、4，4′，4″-三(N-(萘-2-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(2T-NATA)、铜酞菁(CuPc)、三(4-咔唑-9-基-苯基)胺(TCTA)、N，N′-二苯基-N，N′-双(1-萘基)-1，1′-联苯-4，4”-二胺(NPB或NPD)、1，4，5，8，9，11-六氮杂三亚苯六甲腈(二吡嗪[2，3-f：2′3′-h]喹喔啉-2，3，6，7，10，11-六甲腈；HAT-CN)、1，3，5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(TDAPB)、聚(3，4-乙烯二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)和N-(联苯-4-基)-9，9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺构成的群组中的至少一种化合物。所述HIL 311可以具有1-10nm的厚度。

所述第一和第二HTL 313和351中的每一个可以包括选自由N，N′-二苯基-N，N′-双(3-甲基苯基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺(TPD)、NPB(NPD)、4，4′-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)、聚[N，N′-双(4-丁基苯基)-N，N′-双(苯基)-联苯胺](聚-TPD)、聚[(9，9-二辛基芴-2，7-二基)-co-(4，4′-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺)](TFB)、二-[4-(N，N-二-对甲苯基-氨基)-苯基]环己烷(TAPC)、5-二(9H-咔唑-9-基)-N，N-二苯基苯胺(DCDPA)、N-(联苯-4-基)-9，9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺和N-(联苯-4-基)-N-(4-(9一苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)联苯-4-胺构成的群组中的至少一种化合物。所述第一和第二HTL 311和351中的每一个可以具有20-30nm的厚度。所述第一和第二HTL 311和351可以具有相同的厚度或不同的厚度。

所述第一和第二ETL 319和357中的每一个可以包括选自由三-(8-羟基喹啉铝(Alq₃)、2-联苯-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-恶二唑(PBD)、螺-PBD、喹啉锂(Liq)、1，3，5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1，O8)-(1，1′-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(Bphen)，2，9-二(萘-2-基)4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(NBphen)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1，2，4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3，5-二苯基-4H-1，2，4-三唑(NTAZ)、1，3，5-三(p-吡啶-3-基-苯基)苯(TpPyPB)、2，4，6-三(3′-(吡啶-3-基)联苯-3-基)1，3，5-三嗪(TmPPPyTz)、聚[9，9-双(3′-(N，N-二甲基)-N-乙基铵)-丙基)-2，7-芴]-alt-2，7-(9，9-二辛基芴)](PFNBr)、三(苯基喹喔啉)(TPQ)和二苯基[4-(三苯基甲硅烷基)苯基]氧化膦(TSPO1)构成的群组中的至少一种化合物。所述第一和第二ETL 319和357中的每一个可以具有10-40nm的厚度。例如，所述第一ETL 319的厚度可以小于所述第二ETL 357的厚度。

所述EIL 359可以包括碱金属卤化物化合物(例如LiF、CsF、NaF或BaF₂)和有机金属化合物(例如Liq、苯甲酸锂或硬脂酸钠)中的至少一种。所述EIL359可以具有1-10nm的厚度。

所述第一和第二EBL 315和353中的每一个可以包括选自由TCTA、三[4-(二乙基氨基)苯基]胺、N-(联苯基-4-基)-9，9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、TAPC、MTDATA、1，3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、3，3′-双(N-咔唑基)-1，1′-联苯(mCBP)、CuPc、N，N′-二[4-(二(3-甲基苯基))氨基)苯基]-N，N′-二苯基-[1，1′-联苯]-4，4′-二胺(DNTPD)、TDAPB、DCDPA和2，8-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯并[b，d]噻吩)构成的群组中的至少一种化合物。所述第一和第二EBL 315和353中的每一个可以具有5-15nm的厚度。

所述第一和第二HBL 317和355中的每一个可以包括选自由BCP、BAlq、Alq₃、PBD、螺-PBD、Liq、二-4，6-(3，5-二-3-吡啶基苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM)、双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO)、9-(6-(9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3，9′-联咔唑和TSPO1构成的群组中的至少一种化合物。所述第一和第二HBL 317和355中的每一个可以具有5-15nm的厚度。

所述N型CGL 392可以包括主体，其可以是蒽衍生物或所述ETL 319和357的材料，以及Li掺杂剂。例如，所述掺杂剂，即Li，在所述N型CGL 392中可以具有0.5的重量％。所述P型CGL 394可以包括所述HIL 311的材料。

所述N型CGL 392和P型CGL 394中的每一个可以具有5-20nm的厚度。此外，所述N型CGL 392的厚度可以大于所述P型CGL 394的厚度。

所述覆盖层290位于所述第二电极230上。例如，所述覆盖层290可以包括所述HTL313和351的材料并且可以具有50-200nm的厚度。

所述OLED D1包括所述第一发光部310和第二发光部350，并且所述第一和第二发光部310和350中的每一个包括磷光发光层和荧光发光层。因此，所述OLED D1在发光效率、FWHM(即色纯度)和寿命方面具有优势。

图4是根据本公开内容第三实施方式的OLED的示意性截面图。

如图4所示，所述OLED D2包括作为反射电极的所述第一电极210、作为面向所述第一电极210的透明电极(或半透明电极)的所述第二电极230、以及二者之间的所述有机发光层220。所述有机发光层220包括第一发光部410和第二发光部450，其中所述第一发光部包括包含第一发光层420和第二发光层430的第一EML 440，所述第二发光部450包括包含第三发光层460和第四发光层470的第二EML 480。此外，所述有机发光层220还可以包括位于所述第一和第二发光部410和450之间的CGL 490。此外，所述OLED D1还可以包括用于增强(改进)发光效率的覆盖层290。

所述第一电极210可以是阳极，所述第二电极230可以是阴极。所述第一电极210为反射电极，所述第二电极230为透明电极(或半透明电极)。例如，所述第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO的结构，所述第二电极230可以由MgAg形成。

在所述第一发光部410中，所述第一发光层420位于所述第一电极210和所述第二发光层430之间。即，所述第一发光层410位于更靠近所述第一电极210的位置，并且所述第二发光层420位于更靠近所述第二电极230的位置。所述第一发光层420为荧光发光层，所述第二发光层430为磷光发光层。

在所述第二发光部450中，所述第四发光层470位于所述第二电极230和所述第三发光层460之间。即，所述第三发光层460位于更靠近所述第一电极210的位置，并且所述第四发光层470位于更靠近所述第二电极230的位置。所述第三发光层460为磷光发光层，所述第四发光层470为荧光发光层。即，在所述第一发光部410中，作为磷光发光层的所述第二发光层430位于更靠近作为透明电极(或半透明电极)的所述第二电极230的位置，而在所述第二发光部450中，作为荧光层的所述第四发光层位于更靠近作为透明电极的所述第二电极230的位置。

所述第一发光层420包括作为第二主体的第三化合物422、作为辅助主体(或辅助掺杂剂)的第四化合物424和作为第一荧光掺杂剂(或第一荧光发光体)的第五化合物426。所述第二发光层430包括作为第一主体的第一化合物432和作为第一磷光掺杂剂(或第一磷光发光体)的第二化合物434。所述第四化合物424是延迟荧光化合物。

所述第三发光层460包括作为第四主体的第九化合物462和作为第二磷光掺杂剂的第十化合物464。所述第四发光层470包括作为第三主体的第六化合物472、作为辅助主体的第七化合物474和作为第二荧光掺杂剂的第八化合物476。所述第七化合物474是延迟荧光化合物。

作为所述第二发光层430的主体的第一化合物432、作为所述第一发光层420的主体的第三化合物422、作为所述第四发光层470的主体的第六化合物472和作为所述第三发光层460的主体的第九化合物462中的每一个由式1-1表示。

即，作为所述第二发光层430的主体的第一化合物432、作为所述第一发光层420的主体的第三化合物422、作为所述第四发光层470的主体的第六化合物472和作为所述第三发光层460的主体的第九化合物462具有相同的化学结构并且可以相同或不同。

例如，作为所述第二发光层430的主体的第一化合物432、作为所述第一发光层420的主体的第三化合物422、作为所述第四发光层470的主体的第六化合物472和作为所述第三发光层460的主体的第九化合物462中的每一个可由式1-2、1-3和1-4之一表示。作为所述第二发光层430的主体的第一化合物432、作为所述第一发光层420的主体的第三化合物422、作为所述第四发光层470的主体的第六化合物472和作为所述第三发光层460的主体的第九化合物462中的每一个可以选自式2中的化合物。

作为所述第二发光层430的第一磷光掺杂剂的第二化合物343和作为所述第三发光层460的第二磷光掺杂剂的第十化合物436中的每一个可以是由式3表示的铱化合物。

即，作为所述第二发光层430的第一磷光掺杂剂的第二化合物343和作为所述第三发光层460的第二磷光掺杂剂的第十化合物436具有相同的化学结构并且可以相同或不同。

例如，作为所述第二发光层430的第一磷光掺杂剂的第二化合物434和作为所述第三发光层460的第二磷光掺杂剂的第十化合物464中的每一个可以选自式4中的化合物。

作为所述第一发光层420的辅助主体的第四化合物424和作为所述第四发光层470的辅助主体的第七化合物474中的每一个可以由式5-1表示。

即，作为所述第一发光层420的辅助主体的第四化合物424和作为所述第四发光层470的辅助主体的第七化合物474具有相同的化学结构并且可以相同或不同。

例如，作为所述第一发光层420的辅助主体的第四化合物424和作为所述第四发光层470的辅助主体的第七化合物474中的每一个可以由式5-3和式5-4之一表示。作为所述第一发光层420的辅助主体的第四化合物424和作为所述第四发光层470的辅助主体的第七化合物474中的每一个可以选自式6中的化合物。

作为所述第一发光层420的第一荧光掺杂剂的第五化合物426和作为所述第四发光层470的第二荧光掺杂剂的第八化合物476中的每一个可以由式7表示。

即，作为所述第一发光层420的第一荧光掺杂剂的第五化合物426和作为所述第四发光层470的第二荧光掺杂剂的第八化合物476具有相同的化学结构并且可以相同或不同。

例如，作为所述第一发光层420的第一荧光掺杂剂的第五化合物426和作为所述第四发光层470的第二荧光掺杂剂的第八化合物476中的每一个可以选自式8中的化合物。

在所述第一发光层420中，所述第三和第四化合物422和424中的每一个的重量％大于所述第五化合物426的重量％，并且所述第三化合物422的重量％可以等于或大于所述第四化合物424的重量％。例如，在所述第一发光层420中，所述第四化合物424相对于所述第三化合物422可以具有60-80的重量％，并且所述第五化合物426相对于所述第三化合物422可以具有0.1-10的重量％。

在所述第二发光层430中，所述第一化合物432的重量％大于所述第二化合物434的重量％。例如，在所述第二发光层430中，所述第二化合物434相对于所述第一化合物432可以具有1-20的重量％。

在所述第三发光层460中，所述第九化合物462的重量％大于所述第十化合物464的重量％。例如，在所述第三发光层460中，所述第十化合物464相对于所述第九化合物462可以具有1-20的重量％。

在所述第四发光层470中，所述第六化合物472和所述第七化合物474中的每一个的重量％大于所述第八化合物476的重量％，并且所述第六化合物472的重量％可以等于或大于所述第七化合物474的重量％。例如，在所述第四发光层470中，所述第七化合物474相对于所述第六化合物472可以具有60-80的重量％，并且所述第八化合物476相对于所述第六化合物472可以具有0.1-10的重量％。

所述第一到第四发光层420、430、460和470中的每一个可以具有大约10-25nm的厚度。所述第一至第四发光层420、430、460和470可以具有相同的厚度或不同的厚度。

在所述第一发光层420中，作为第一荧光掺杂剂的所述第五化合物426“FD”的LUMO能级与作为辅助主体的所述第四化合物424“TD”的LUMO能级之间的差值可以是-0.6eV或更大且0.1eV或更小(即，0.1eV≥LUMO(FD)-LUMO(TD)≥-0.6eV)。

在所述第四发光层470中，作为第二荧光掺杂剂的所述第八化合物476“FD”的LUMO能级与作为辅助主体的所述第七化合物474“TD”的LUMO能级之间的差值可以是-0.6eV或更大且0.1eV或更小(即，0.1eV≥LUMO(FD)-LUMO(TD)≥-0.6eV)。

因此，可以防止在所述第一和第四发光层420和470的每一个中产生激基复合物，并且可以提高所述第一和第四发光层420和470中的每一个的发光效率。

所述第一发光层420的最大发射波长与所述第二发光层430的最大发射波长之差为20nm或更小，并且所述第三发光层460的最大发射波长与所述第四发光层470的最大发射波长之差为20nm或更小。即，所述第二发光层430中的第二化合物434的最大发射波长与所述第一发光层420中的第五化合物426的最大发射波长之差为20nm或更小，并且所述第四发光层470中的第八化合物476的最大发射波长与所述第三发光层460中的第十化合物464的最大发射波长之差为20nm或更小。例如，所述第一到第四发光层420、430、460和470中的每一个可以具有510-540nm的发射波长范围。

此外，包括所述第一和第二发光层420和430的第一发光部410的平均发射波长与包括所述第三和第四发光层460和470的第二发光部450的平均发射波长之差可以是20nm或更小。

所述第一发光部410还可以包括位于所述第一EML 440下方的第一HTL 413以及位于所述第一EML 440上的第一ETL 419中的至少一个。

此外，所述第一发光部410还可以包括位于所述第一HTL 413下方的HIL。

此外，所述第一发光部410还可以包括位于所述第一EML 440和第一HTL 413之间的第一EBL 415以及位于所述第一EML 440和第一ETL 419之间的第一HBL 417中的至少一个。

所述第二发光部450还可以包括位于所述第二EML 480下方的第二HTL 451以及位于所述第二EML 480上的第二ETL 457中的至少一个。

此外，所述第二发光部450还可以包括位于所述第二ETL 457上的EIL。

此外，所述第二发光部450还可以包括位于所述第二EML 480和第二HTL 451之间的第二EBL 453以及位于所述第二EML 480和第二ETL 457之间的第二HBL 455中的至少一个。

所述CGL 490位于所述第一和第二发光部410和450之间，并且所述第一和第二发光部410和450通过所述CGL 490连接。所述第一发光部410、CGL 490和第二发光部450依次堆叠在所述第一电极210上。即，所述第一发光部410位于所述第一电极210和CGL 490之间，所述第二发光部450位于所述第二电极230和CGL 490之间。

所述CGL 490可以是N型CGL 492和P型CGL 494的P-N连接型CGL。

所述N型CGL 492位于所述第一ETL 419和第二HTL 451之间，并且所述P型CGL 494位于所述N型CGL 492和第二HTL 451之间。所述N型CGL 492向所述第一发光部410的第一EML 440提供电子，并且所述P型CGL 494向所述第二发光部450的第二EML 480提供空穴。

所述覆盖层290位于所述第二电极230上。例如，所述覆盖层290可以包括所述HTL413和451的材料并且可以具有50-200nm的厚度。

所述OLED D2包括所述第一发光部410和第二发光部450，并且所述第一和第二发光部410和450中的每一个包括磷光发光层和荧光发光层。因此，所述OLED D2在发光效率、FWHM(即色纯度)和寿命方面具有优势。

图5是根据本公开内容第四实施方式的OLED的示意性截面图。

如图5所示，所述OLED D3包括作为反射电极的第一电极210、作为面向所述第一电极210的透明电极(或半透明电极)的所述第二电极230、以及二者之间的所述有机发光层220。所述有机发光层220包括第一发光部510和第二发光部550，其中所述第一发光部510包括包含第一发光层520和第二发光层530的第一EML 540，所述第二发光部550包括包含第三发光层560和第四发光层570的第二EML 580。此外，所述有机发光层220还可以包括位于所述第一和第二发光部510和550之间的CGL 590。此外，所述OLED D1还可以包括用于增强(改进)发光效率的覆盖层290。

在所述第一发光部510中，所述第一发光层520位于所述第一电极210和所述第二发光层530之间。即，所述第一发光层510位于更靠近所述第一电极210的位置，而所述第二发光层520位于更靠近所述第二电极230的位置。所述第一发光层520为磷光发光层，所述第二发光层530为荧光发光层。

在所述第二发光部550中，所述第四发光层570位于所述第二电极230和所述第三发光层560之间。即，所述第三发光层560位于更靠近所述第一电极210的位置，而所述第四发光层570位于更靠近所述第二电极230的位置。所述第三发光层560为磷光发光层，所述第四发光层570为荧光发光层。即，在所述第一发光部510中，作为荧光发光层的所述第二发光层530位于更靠近作为透明电极(或半透明电极)的第二电极230的位置，而在所述第二发光部550中，作为荧光层的所述第四发光层位于更靠近作为透明电极的所述第二电极230的位置。

所述第一发光层520包括作为第一主体的第一化合物522和作为第一磷光掺杂剂(或第一磷光发光体)的第二化合物524。所述第二发光层530包括作为第二主体的第三化合物532、作为辅助主体(或辅助掺杂剂)的第四化合物534和作为第一荧光掺杂剂(或第一荧光发光体)的第五化合物536。所述第四化合物534是延迟荧光化合物。

所述第三发光层560包括作为第四主体的第九化合物562和作为第二磷光掺杂剂的第十化合物564。所述第四发光层570包括作为第三主体的第六化合物572、作为辅助主体的第七化合物574和作为第二荧光掺杂剂的第八化合物576。所述第七化合物574是延迟荧光化合物。

作为所述第一发光层520的主体的第一化合物522、作为所述第二发光层530的主体的第三化合物532、作为所述第四发光层570的主体的第六化合物572和作为所述第三发光层560的主体的第九化合物562中的每一个由式1-1表示。

即，作为所述第一发光层520的主体的第一化合物522、作为所述第二发光层530的主体的第三化合物532、作为所述第四发光层570的主体的第六化合物572和作为所述第三发光层560的主体的第九化合物562具有相同的化学结构并且可以相同或不同。

例如，作为所述第一发光层520的主体的第一化合物522、作为所述第二发光层530的主体的第三化合物532、作为所述第四发光层570的主体的第六化合物572和作为所述第三发光层560的主体的第九化合物562可由式1-2、1-3和1-4之一表示。作为所述第一发光层520的主体的第一化合物522、作为所述第二发光层530的主体的第三化合物532、作为所述第四发光层570的主体的第六化合物572和作为所述第三发光层560的主体的第九化合物562中的每一个可以选自式2中的化合物。

作为所述第一发光层520的第一磷光掺杂剂的第二化合物524和作为所述第三发光层560的第二磷光掺杂剂的第十化合物564中的每一个可以是由式3表示的铱化合物。

即，作为所述第一发光层520的第一磷光掺杂剂的第二化合物524和作为所述第三发光层560的第二磷光掺杂剂的第十化合物564具有相同的化学结构并且可以相同或不同。

例如，作为所述第一发光层520的第一磷光掺杂剂的第二化合物524和作为所述第三发光层560的第二磷光掺杂剂的第十化合物564中的每一个可以选自式4中的化合物。

作为所述第二发光层530的辅助主体的第四化合物534和作为所述第四发光层570的辅助主体的第七化合物574中的每一个可以由式5-1表示。

即，作为所述第二发光层530的辅助主体的第四化合物534和作为所述第四发光层570的辅助主体的第七化合物574具有相同的化学结构并且可以相同或不同。

例如，作为所述第二发光层530的辅助主体的第四化合物534和作为所述第四发光层570的辅助主体的第七化合物574中的每一个可由式5-3和式5-4表示。作为所述第二发光层530的辅助主体的第四化合物534和作为所述第四发光层570的辅助主体的第七化合物574中的每一个可以选自式6中的化合物。

作为所述第二发光层530的第一荧光掺杂剂的第五化合物536和作为所述第四发光层570的第二荧光掺杂剂的第八化合物576中的每一个可以由式7表示。

即，作为所述第二发光层530的第一荧光掺杂剂的第五化合物536和作为所述第四发光层570的第二荧光掺杂剂的第八化合物576具有相同的化学结构并且可以相同或不同。

例如，作为所述第二发光层530的第一荧光掺杂剂的第五化合物536和作为所述第四发光层570的第二荧光掺杂剂的第八化合物576中的每一个可以选自式8中的化合物。

在所述第一发光层520中，所述第一化合物522的重量％大于所述第二化合物524的重量％。例如，在所述第一发光层520中，所述第二化合物524相对于所述第一化合物522可以具有1-20的重量％。

在所述第二发光层530中，所述第三和第四化合物532和534中的每一个的重量％大于所述第五化合物536的重量％，并且所述第三化合物532的重量％可以等于或大于所述第四化合物534的重量％。例如，在所述第二发光层530中，所述第四化合物534相对于所述第三化合物532可以具有60-80的重量％，并且所述第五化合物536相对于所述第三化合物532可以具有0.1-10的重量％。

在所述第三发光层560中，所述第九化合物562的重量％大于所述第十化合物564的重量％。例如，在所述第三发光层560中，所述第十化合物564相对于所述第九化合物562可以具有1-20的重量％。

在所述第四发光层570中，所述第六化合物572和所述第七化合物574中的每一个的重量％大于所述第八化合物576的重量％，并且所述第六化合物572的重量％可以等于或大于所述第七化合物574的重量％。例如，在所述第四发光层570中，所述第七化合物574相对于所述第六化合物572可以具有60-80的重量％，并且所述第八化合物576相对于所述第六化合物572可以具有0.1-10的重量％。

所述第一到第四发光层520、530、560和570中的每一个可以具有大约10-25nm的厚度。所述第一至第四发光层520、530、560和570可以具有相同的厚度或不同的厚度。

在所述第二发光层530中，作为第一荧光掺杂剂的所述第五化合物536“FD”的LUMO能级与作为辅助主体的所述第四化合物534“TD”的LUMO能级之间的差值可以是-0.6eV或更大且0.1eV或更小(即，0.1eV≥LUMO(FD)-LUMO(TD)≥-0.6eV)。在所述第四发光层570中，作为第二荧光掺杂剂的所述第八化合物576“FD”的LUMO能级与作为辅助主体的所述第七化合物574“TD”的LUMO能级之间的差值可以为-0.6eV或更大且0.1eV或更小(即，0.1eV≥LUMO(FD)-LUMO(TD)≥-0.6eV)。因此，可以防止在所述第二和第四发光层530和570的每一个中产生激基复合物，并且可以提高所述第二和第四发光层530和570中的每一个的发光效率。

所述第一发光层520的最大发射波长与所述第二发光层530的最大发射波长之差为20nm或更小，并且所述第三发光层560的最大发射波长与所述第四发光层570的最大发射波长之差为20nm或更小。即，所述第二发光层530中的第五化合物536的最大发射波长与所述第一发光层520中的第二化合物524的最大发射波长之差为20nm或更小，并且所述第四发光层570中的第八化合物576的最大发射波长与所述第三发光层560中的第十化合物564的最大发射波长为20nm或更小。例如，所述第一到第四发光层520、530、560和570中的每一个可以具有510-540nm的发射波长范围。

此外，包括所述第一和第二发光层520和530的第一发光部510的平均发射波长与包括所述第三和第四发光层560和570的第二发光部550的平均发射波长之差可以是20nm或更小。

在所述第一EML 540中，比所述第一发光层520更靠近作为透明电极的第二电极230的所述第二发光层530的第二发射峰的强度等于或小于所述第一发光层520的第二发射峰的强度。即，在所述第一EML 540中，作为所述第二发光层530中发光体的所述第五化合物536的第二发射峰的强度等于或小于在所述第一发光层520中作为发光体的所述第二化合物524的第二发射峰的强度。在所述第一EML 540中，优选地，所述第二发光层530的第二发射峰的强度小于所述第一发光层520的第二发射峰的强度。可以理解的是，本文的实施方式和实施例中描述的层和其各自层中的化合物的发射峰可以是光致发光光谱的发射峰。附加地或替代地，它们可以是在二极管中使用时化合物的发射峰。每个第二发射峰的波长都比对应的第一发射峰的波长长。

在所述第二EML 580中，比所述第三发光层560更靠近作为透明电极的第二电极230的所述第四发光层570的第二发射峰的强度等于或小于所述第三发光层560的第二发射峰的强度。即，在所述第二EML 580中，作为所述第四发光层570中发光体的所述第八化合物576的第二发射峰的强度等于或小于在所述第三发光层560中作为发光体的所述第十化合物564的第二发射峰的强度。在所述第二EML 580中，优选地，所述第四发光层570的第二发射峰的强度小于所述第三发光层560的第二发射峰的强度。

参考图6A至6E，其是磷光掺杂剂(即式4中的化合物PD1和PD2)，以及荧光掺杂剂(即式8中的化合物FD1、FD2和FD3)的PL光谱，所述化合物PD1和PD2(其可以是所述第一发光层520的第二化合物524和所述第三发光层560的第十化合物564)各自的第二发射峰的强度大于所述化合物FD1、FD2和FD3(其可以是所述第二发光层530的第五化合物536和所述第四发光层570的第八化合物576)各自的第二发射峰的强度。

因此，所述OLED D3中的空腔效应被增强或强化，从而显著提高了发光效率和色纯度。

在所述第一发光层520的第二化合物524中，第二发射峰强度“I_2nd”与第一发射峰强度“I_1st”之比为0.55或更大且小于1(即，0.55≤(I_2nd/I_1st)＜1.0)。此外，在所述第三发光层560的第十化合物564中，所述第二发射峰强度“I_2nd”与第一发射峰强度“I_1st”之比为0.55或更大且小于1(即，0.55≤(I_2nd/I_1st)＜1.0)。因此，所述OLED D3的发光效率(亮度)显著提高。在这种情况下，第一发射峰“1st峰”是具有最大发射强度的峰，第二发射峰“2nd峰”是具有第二大发射强度的峰。可以使用本领域技术人员已知的任何常规方法测量发射峰强度，例如使用荧光光谱仪，诸如Edinburgh Instruments/FS-5荧光光谱仪。本文实施方式和实施例中描述的化合物发射峰的测量条件为：室温下在甲苯溶液(1.0x10^-5M浓度)中的光致发光。

参照图6A和6B，在可以是所述第一发光层520的第二化合物524以及所述第三发光层560的第十化合物564的化合物PD1和PD2中，所述第二发射峰强度“I_2nd”与所述第一发射峰强度“I_1st”的比率分别为约0.57和约0.6。

所述第一发光部510还可以包括位于所述第一EML 540下方的第一HTL 513和位于所述第一EML 540上的第一ETL 519中的至少一个。

此外，所述第一发光部510还可以包括位于所述第一HTL 513下方的HIL 511。

此外，所述第一发光部510还可以包括位于所述第一EML 540和第一HTL 513之间的第一EBL 515以及位于所述第一EML 540和第一ETL 519之间的第一HBL 517中的至少一个。

所述第二发光部550还可以包括位于所述第二EML 580下方的第二HTL 551和位于所述第二EML 580上的第二ETL 557中的至少一个。

此外，所述第二发光部550还可以包括位于所述第二ETL 557上的EIL 559。

此外，所述第二发光部550还可以包括位于所述第二EML 580和第二HTL551之间的第二EBL 553以及位于所述第二EML 580和第二ETL 557之间的第二HBL 555中的至少一个。

所述CGL 590位于所述第一和第二发光部510和550之间，并且所述第一和第二发光部510和550通过所述CGL 590连接。所述第一发光部510、CGL 590和第二发光部550依次堆叠在所述第一电极210上。即，所述第一发光部510位于所述第一电极210和CGL 590之间，所述第二发光部550位于所述第二电极230和CGL 590之间。

所述CGL 590可以是N型CGL 592和P型CGL 594的P-N连接型CGL。

所述N型CGL 592位于所述第一ETL 519和第二HTL 551之间，并且所述P型CGL 594位于所述N型CGL 592和第二HTL 551之间。所述N型CGL592向所述第一发光部510的第一EML540提供电子，并且所述P型CGL 594向所述第二发光部550的第二EML 580提供空穴。

所述覆盖层290位于所述第二电极230上。例如，所述覆盖层290可以包括所述HTL513和551的材料并且可以具有50-200nm的厚度。

所述OLED D3包括所述第一发光部510和第二发光部550，并且所述第一和第二发光部510和550中的每一个包括磷光发光层和荧光发光层。因此，所述OLED D3在发光效率、FWHM(即色纯度)和寿命方面具有优势。

如图7所示，所述有机发光显示装置600包括基板610，其中限定了第一至第三像素区域P1、P2和P3，在所述基板610上方的TFT Tr和OLED D。所述OLED D设置在所述TFT Tr上方并连接到所述TFT Tr。

例如，所述第一至第三像素区域P1、P2和P3可以分别是绿色像素区域、红色像素区域和蓝色像素区域。所述第一至第三像素区域P1、P2和P3构成像素单元。或者，所述像素单元还可以包括白色像素区域。

所述基板610可以是玻璃基板或柔性基板。

缓冲层612形成在所述基板610上，并且所述TFT Tr形成在所述缓冲层612上。可以省略所述缓冲层612。

所述TFT Tr位于所述缓冲层612上。所述TFT Tr包括半导体层、栅极、源极和漏极并且用作驱动元件。即，所述TFT Tr可以驱动TFT Td(图1)。

平坦化层(或钝化层)650形成在所述TFT Tr上。所述平坦化层650具有平坦的顶表面并且包括暴露所述TFT Tr的漏极的漏接触孔652。

所述OLED D设置在所述平坦化层650上并且包括第一电极210、有机发光层220和第二电极230。所述第一电极210连接到所述TFT Tr的漏极，并且所述有机发光层220和所述第二电极230依次堆叠在所述第一电极240上。所述OLED D设置在所述第一至第三像素区域P1至P3中的每一个，并在所述第一至第三像素区域P1至P3中发出不同颜色的光。例如，所述第一像素区域P1中的OLED D可以发出绿光，所述第二像素区域P2中的OLED D可以发出红光，所述第三像素区域P3中的OLED D可以发出蓝光。

所述第一电极210形成为在所述第一至第三像素区域P1至P3中分离，并且所述第二电极230形成为一体以覆盖所述第一至第三像素区域P1至P3。

所述第一电极210是阳极和阴极中的一个，所述第二电极230是阳极和阴极中的另一个。此外，所述第一电极210为反射电极，并且所述第二电极230为透明电极(或半透明电极)。即，来自所述OLED D的光穿过所述第二电极230以显示图像(即，顶部发射型有机发光显示装置)。

例如，所述第一电极210可以是阳极并且可以包括透明导电氧化物材料层和反射层，所述透明导电氧化物材料层可以由例如透明导电氧化物(TCO)的导电材料形成，并具有相对高的功函数。即，所述第一电极210可以是反射电极。

所述第二电极230可以是阴极并且可以由具有相对低功函数的导电材料形成。所述第二电极230可以具有薄的轮廓以是透明的(或半透明的)。

所述有机发光层220可以具有结合图3至图5解释的结构。

参考图3，所述有机发光层220包括第一发光部310和第二发光部350，其中所述第一发光部310包括包含第一和第二发光层320和330的第一EML340，所述第二发光部350包括包含第三和第四发光层360和370的第二EML380。

在所述第一发光部310中，所述第一发光层320位于所述第一电极210和第二发光层330之间。所述第一发光层320是磷光发光层，并且所述第二发光层330是荧光发光层。在所述第二发光部350中，所述第四发光层370位于所述第二电极230与第三发光层360之间。所述第三发光层360为荧光发光层，并且所述第四发光层370为磷光发光层。即，在所述第一发光部310中，作为荧光发光层的所述第二发光层330位于更靠近作为透明电极(或半透明电极)的所述第二电极230的位置，而在所述第二发光部350中，作为磷光发光层的所述第四发光层位于更靠近作为透明电极的所述第二电极230的位置。

作为所述第一发光层320的主体的第一化合物322、作为所述第二发光层330的主体的第三化合物332、作为所述第三发光层360的主体的第六化合物362和作为所述第四发光层370的主体的第九化合物372中的每一个由式1-1表示。作为所述第一发光层320的第一磷光掺杂剂的第二化合物324和作为所述第四发光层370的第二磷光掺杂剂的第十化合物374中的每一个是由式3表示的铱化合物。作为所述第二发光层330的辅助主体的第四化合物334和作为所述第三发光层360的辅助主体的第七化合物364的每一个由式5-1表示。作为所述第二发光层330的第一荧光掺杂剂的第五化合物336和作为所述第三发光层360的第二荧光掺杂剂的第八化合物366中的每一个由式7表示。

参考图4，所述有机发光层220包括第一发光部410和第二发光部450，其中所述第一发光部410包括包含第一发光层420和第二发光层430的第一EML 440，所述第二发光部450包括包含第三发光层460和第四发光层470的第二EML 480。

在所述第一发光部410中，所述第一发光层420位于所述第一电极210和第二发光层430之间。所述第一发光层420是荧光发光层，并且所述第二发光层430是磷光发光层。在所述第二发光部450中，所述第四发光层470位于所述第二电极230与第三发光层460之间。所述第三发光层460为磷光发光层，所述第四发光层470为荧光发光层。即，在所述第一发光部410中，作为磷光发光层的所述第二发光层430位于更靠近作为透明电极(或半透明电极)的所述第二电极230的位置，而在所述第二发光部450中，作为荧光层的所述第四发光层位于更靠近作为透明电极的所述第二电极230的位置。

所述第一发光层420包括作为第二主体的第三化合物422、作为辅助主体(或辅助掺杂剂)的第四化合物424和作为第一荧光掺杂剂(或第一荧光发光体)的第五化合物426。所述第二发光层430包括作为第一主体的第一化合物432以及作为第一磷光掺杂剂(或第一磷光发光体)的第二化合物434。所述第四化合物424是延迟荧光化合物。

作为所述第二发光层430的主体的第一化合物432、作为所述第一发光层420的主体的第三化合物422、作为所述第四发光层470的主体的第六化合物472和作为所述第三发光层460的主体的第九化合物462中的每一个由式1-1表示。作为所述第二发光层430的第一磷光掺杂剂的第二化合物343和作为所述第三发光层460的第二磷光掺杂剂的第十化合物436中的每一个可以是由式3表示的铱化合物。作为所述第一发光层420的辅助主体的第四化合物424和作为所述第四发光层470的辅助主体的第七化合物474中的每一个可由式5-1表示。作为所述第一发光层420的第一荧光掺杂剂的第五化合物426和作为所述第四发光层470的第二荧光掺杂剂的第八化合物476可由式7表示。

参考图5，所述有机发光层220包括第一发光部510和第二发光部550，其中所述第一发光部510包括包含第一发光层520和第二发光层530的第一EML 540，所述第二发光部550包括包含第三发光层580和第四发光层570的第二EML 580。

在所述第一发光部510中，所述第一发光层520位于所述第一电极210和第二发光层530之间。所述第一发光层520是磷光发光层，并且所述第二发光层530是荧光发光层。在所述第二发光部550中，所述第四发光层570位于所述第二电极230与第三发光层560之间。所述第三发光层560为磷光发光层，所述第四发光层570为荧光发光层。即，在所述第一发光部510中，作为荧光发光层的所述第二发光层530位于更靠近作为透明电极(或半透明电极)的所述第二电极230的位置，并且在所述第二发光部550中，作为荧光层的所述第四发光层位于更靠近作为透明电极的所述第二电极230的位置。

所述第一发光层520包括作为第一主体的第一化合物522和作为第一磷光掺杂剂(或第一磷光发光体)的第二化合物524。所述第二发光层530包括作为第二主体的第三化合物532、作为辅助主体(或辅助掺杂剂)的第四化合物534和作为第一荧光掺杂剂(或第一荧光发射体)的第五化合物536。所述第四化合物534是延迟荧光化合物。

作为所述第一发光层520的主体的第一化合物522、作为所述第二发光层530的主体的第三化合物532、作为所述第四发光层570的主体的第六化合物572和作为所述第三发光层560的主体的第九化合物562中的每一个由式1-1表示。作为所述第一发光层520的第一磷光掺杂剂的第二化合物524和作为所述第三发光层560的第二磷光掺杂剂的第十化合物564中的每一个可以是由式3表示的铱化合物。作为所述第二发光层530的辅助主体的第四化合物534和作为所述第四发光层570的辅助主体的第七化合物574中的每一个可以由式5-1表示。作为所述第二发光层530的第一荧光掺杂剂的第五化合物536和作为所述第四发光层570的第二荧光掺杂剂的第八化合物576可由式7表示。

尽管未示出，所述OLED D还可以包括在所述第二电极230上的覆盖层(未示出)。所述OLED D的发光效率可以通过所述覆盖层进一步提高。

封装膜(或封装层)670形成在所述第二电极230上以防止湿气渗入到所述OLED D中。所述封装膜670可以具有包括无机绝缘层和有机绝缘层的结构。

尽管未示出，但是所述有机发光显示装置600可以包括对应于所述红色、绿色和蓝色像素区域的滤色器。例如，所述滤色器可以位于所述OLED D或封装膜670上或上方。

此外，所述有机发光显示装置600还可以包括在所述封装膜670或滤色器上或上方的覆盖窗口(未示出)。在这种情况下，所述基板610和所述覆盖窗具有柔性特性，从而可以提供柔性有机发光显示装置。

如图8所示，所述有机发光显示装置700包括基板710，其中限定了第一至第三像素区域P1、P2和P3，在所述基板710上方的TFT Tr和OLED D。所述OLED D设置在所述TFT Tr上方并且连接到所述TFT Tr。

所述基板710可以是玻璃基板或柔性基板。

缓冲层712形成在所述基板710上，并且所述TFT Tr形成在所述缓冲层712上。可以省略所述缓冲层712。

所述TFT Tr位于所述缓冲层712上。所述TFT Tr包括半导体层、栅极、源极和漏极并且用作驱动元件。即，所述TFT Tr可以驱动TFT Td(图1)。

平坦化层(或钝化层)750形成在所述TFT Tr上。所述平坦化层750具有平坦的顶表面并且包括暴露所述TFT Tr的漏极的漏极接触孔752。

所述OLED D设置在所述平坦化层750上并且包括第一电极210、有机发光层220和第二电极230。所述第一电极210连接到所述TFT Tr的漏极，并且所述有机发光层210连接到所述TFT Tr的漏极，并且所述发光层220和所述第二电极230依次堆叠在所述第一电极240上。所述OLED D设置在所述第一至第三像素区域P1至P3中的每一个中，并在所述第一至第三像素区域P1至P3中发出不同颜色的光。例如，所述第一像素区域P1中的OLED D可以发出绿光，所述第二像素区域P2中的OLED D可以发出红光，所述第三像素区域P3中的OLED D可以发出蓝光。

所述第一电极210是阳极和阴极中的一个，所述第二电极230是阳极和阴极中的另一个。此外，所述第一电极210为透明电极(或半透明电极)，并且所述第二电极230为反射电极。即，来自所述OLED D的光穿过所述第一电极210以在所述基板710上显示图像。(即，底部发射型有机发光显示装置)

例如，所述第一电极210可以是阳极并且可以包括具有相对高功函数的导电材料(例如透明导电氧化物(TCO))和反射层。

所述第二电极230可以是阴极并且可以由具有相对低功函数的导电材料形成。

所述有机发光层220可以具有结合图3至图5解释的结构，但是所述第一发光层320、420和520与所述第二发光层330、430和530的堆叠顺序以及所述第三发光层360、460和560与所述第四发光层370、470和570的堆叠顺序发生改变。

例如，在图5的OLED D3中，在所述第一EML 540中，作为荧光发光层的所述第二发光层530被定位为比所述第一发光层520更靠近作为透明电极的所述第一电极210。在所述第二EML 580中，作为荧光发光层的所述第四发光层570被定位为比所述第三发光层560更靠近作为透明电极的所述第一电极210。

封装膜(或封装层)770形成在所述第二电极230上以防止湿气渗入到所述OLED D中。所述封装膜770可以具有包括无机绝缘层和有机绝缘层的结构。

尽管未示出，但是所述有机发光显示装置700可以包括对应于所述红色、绿色和蓝色像素区域的滤色器。例如，所述滤色器可以位于所述OLED D和所述基板710之间。

[OLED1]

阳极(ITO/APC/ITO)、HIL(式9-1，5nm)、HTL(式9-2，25nm)、EBL(式9-3，10nm)、EML(30nm)、HBL(式9-4，10nm)、ETL(式9-5，30nm)、EIL(LiF，3nm)、阴极(Al，20nm)和覆盖层(式9-6，100nm))依次沉积以在绿色像素区域中形成OLED。

[式9-1]

[式9-2]

[式9-3]

[式9-4]

[式9-5]

[式9-6]

1.比较例

(1)比较例1(Ref1)

式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD1(8重量％)用于形成EML。

(2)比较例2(Ref2)

式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD2(8重量％)用于形成EML。

(3)比较例3(Ref3)

式2中的化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD1(0.2重量％)用于形成EML。

(4)比较例4(Ref4)

式2中的化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD2(0.2重量％)用于形成EML。

(5)比较例5(Ref5)

式2中的化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD3(0.2重量％)用于形成EML。

[OLED2]

阳极(ITO/APC/ITO)、HIL(式9-1，5nm)、HTL(式9-2，25nm)、EBL(式9-3，10nm)、第一EML(30nm)，HBL(式9-4，10nm)，ETL(式9-5，15nm)，N型CGL(式9-7(99.5重量％)+Li(0.5重量％)，10nm)，P型CGL(式9-1，8nm)，HTL(式9-2，25nm)，EBL(式9-3，10nm)，第二EML(30nm)，HBL(式9-4、10nm)、ETL(式9-5，30nm)、EIL(LiF，3nm)、阴极(Al，20nm)和覆盖层(式9-6，100nm)依次沉积以在绿色像素区域中形成OLED。

[式9-7]

2.比较例

(1)比较例6(Ref6)

式2中的化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD1(0.2重量％)用于形成第一EML，并且式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD1(8重量％)用于形成第二EML。

(2)比较例7(Ref7)

式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD1(8重量％)用于形成第一EML，并且式2中的化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD1(0.2重量％)用于形成第二EML。

[OLED3]

阳极(ITO/APC/ITO)、HIL(式9-1，5nm)、HTL(式9-2，25nm)、EBL(式9-3，10nm)、第一发光层(15nm)，第二发光层(15nm)，HBL(式9-4，10nm)，ETL(式9-5，15nm)，N型CGL(式9-7(99.5重量％)+Li(0.5重量％)，10nm)，P型CGL(式9-1，8nm)，HTL(式9-2，25nm)，EBL(式9-3，10nm)，第三发光层(15nm)、第四发光层(15nm)、HBL(式9-4，10nm)、ETL(式9-5，30nm)、EIL(LiF，3nm)、阴极(A1，20nm)和覆盖层(式9-6，100nm)依次沉积以在绿色像素区域中形成OLED。

3.实施例

(1)实施例1(Ex1)

式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD1(8重量％，I_2nd/I_1st＝0.4)用于形成第一发光层，并且式2中的化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD1(0.2重量％)用于形成第二发光层。式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD1(8重量％，I_2nd/I_1st＝0.4)用于形成第三发光层，并且式2中的化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD1(0.2重量％)用于形成第四发光层。

(2)实施例2(Ex2)

式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD1(8重量％，I_2nd/I_1st＝0.5)用于形成第一发光层，并且式2中的化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD1(0.2重量％)用于形成第二发光层。式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD1(8重量％，I_2nd/I_1st＝0.5)用于形成第三发光层，并且式2中的化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD1(0.2重量％)用于形成第四发光层。

(3)实施例3(Ex3)

式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD1(8重量％，I_2nd/I_1st＝0.7)用于形成第一发光层，并且式2中的化合物H1(60重量％)、式6的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD1(0.2重量％)用于形成第二发光层。式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD1(8重量％，I_2nd/I_1st＝0.7)用于形成第三发光层，并且式2化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD1(0.2重量％)用于形成第四发光层。

(4)实施例4(Ex4)

式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD1(8重量％，I_2nd/I_1st＝0.57)用于形成第一发光层，并且式2中的化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD1(0.2重量％)用于形成第二发光层。式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD1(8重量％，I_2nd/I_1st＝0.57)用于形成第三发光层，并且式2中的化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD1(0.2重量％)用于形成第四发光层。

(5)实施例5(Ex5)

式2中的化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD1(0.2重量％)用于形成第一发光层，并且式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD1(8重量％，I_2nd/I_1st＝0.57)用于形成第二发光层。式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD1(8重量％，I_2nd/I_1st＝0.57)用于形成第三发光层，并且式2中的化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD1(0.2重量％)用于形成第四发光层。

(6)实施例6(Ex6)

式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD1(8重量％，I_2nd/I_1st＝0.57)用于形成第一发光层，并且式2中的化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD1(0.2重量％)用于形成第二发光层。式2中的化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD1(0.2重量％)用于形成第三发光层，并且式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD1(8重量％，I_2nd/I_1st＝0.57)用于形成第四发光层。

(7)实施例7(Ex7)

式2中的化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD1(0.2重量％)用于形成第一发光层，并且式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD1(8重量％，I_2nd/I_1st＝0.57)用于形成第二发光层。式2中的化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD1(0.2重量％)用于形成第三发光层，并且式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD1(8重量％，I_2nd/I_1st＝0.57)用于形成第四发光层。

(8)实施例8(Ex8)

式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD1(8重量％，I_2nd/I_1st＝0.57)用于形成第一发光层，并且式2中的化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD2(0.2重量％)用于形成第二发光层。式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD1(8重量％，I_2nd/I_1st＝0.57)用于形成第三发光层，并且式2中的化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD2(0.2重量％)用于形成第四发光层。

(9)实施例9(Ex9)

式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD2(8重量％，I_2nd/I_1st＝0.6)用于形成第一发光层，并且式2中的化合物H1(60重量％)、式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD3(0.2重量％)用于形成第二发光层。式2中的化合物H1(92重量％)和式4中的化合物PD2(8重量％，1_2na/I_1st＝0.6)用于形成第三发光层，并且式2中的化合物H1(60重量％)，式6中的化合物TD1(39.8重量％)和式8中的化合物FD3(0.2重量％)用于形成第四发光层。

对比较例1-7和实施例1-9中的OLED的发光特性，即驱动电压(V)、亮度(cd/A)、色坐标指数(CIE)、最大发射波长(ELmax)、FWHM和寿命(T95)进行测量并列于表1和表2中。在表1和表2中，标有“*”的比较例2、实施例1-3、实施例8和实施例9的测量值是模拟数据。

表1

表2

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如表1和表2所示，在实施例1-9的OLED中，其中所述第一发光部包括荧光和磷光发光层(即所述第一和第二发光层)，以及所述第二发光部包括荧光和磷光发光层(即所述第三和第四发光层)，发光效率(亮度)和寿命提高，并且FWHM降低。

此外，与实施例1和2的OLED(其中所述磷光掺杂剂的第二发射峰强度“I_2nd”与第一发射峰强度“I_1st”的比率“I_2nd/I_1st”为0.5或更小)相比，实施例3-9的OLED(其中所述磷光掺杂剂的第二发射峰强度“I_2nd”与第一发射峰强度“I_1st”的比率“I_2nd/I_1st”为0.55或更大)的发光效率显著提高。

此外，与实施例7的OLED(其中磷光发光层比荧光发光层更靠近作为透明电极的第二电极)相比，实施例3-6的OLED(其中第一和第二发光部中的至少一个的荧光发光层比磷光发光层更靠近作为透明电极的第二电极)的发光效率和寿命显著提高。

此外，与实施例6的OLED(其中更靠近作为反射电极的第一电极的第一发光部中的荧光发光层比磷光发光层更靠近作为透明电极的第二电极)相比，实施例5的OLED(其中更靠近作为透明电极的第二电极的第二发光部中的荧光发光层比磷光发光层更靠近作为透明电极的第二电极)在发光效率和FWHM方面具有优势。

此外，实施例4的OLED的发光效率和寿命进一步提高，其中第一和第二发光部中的荧光发光层比磷光发光层更靠近作为透明电极的第二电极。

如上所述，本公开内容的OLED包括第一和第二发光部，每个发光部包括荧光发光层和磷光发光层，以及在第一和第二发光层中的至少一个的荧光发光层被设置为更靠近作为透明电极的第二电极。因此，增强了空腔效应，提高了OLED的特性(性能)。即，将具有相对小的第二发射峰值强度的荧光发光层设置为更靠近透明电极，从而提高OLED的特性(性能)。

在本公开内容的OLED中，靠近所述反射电极的第一发光部中的磷光发光层可以设置为更靠近透明电极，并且靠近所述透明电极的第二发光部中的荧光发光层可以设置为更靠近透明电极。

此外，在靠近所述反射电极的第一发光部和靠近所述透明电极的第二发光部中，所述荧光发光层可以设置为更靠近透明电极。

此外，所述磷光发光层中的磷光掺杂剂具有第二发射峰强度“I_2nd”与第一发射峰强度“I_1st”的比率“I_2nd/I_1st”为0.55或更大且1或更小，从而使OLED的发光效率(亮度)显著提高。

对于本领域技术人员显而易见的是，在不背离本公开内容的精神或范围的情况下，可以对本公开内容进行各种修改和变化。因此，本发明旨在覆盖本公开内容的修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等价物的范围内。

Claims

1.一种有机发光二极管，包括：

反射电极；

面向所述反射电极的透明电极；和

包括第一发光部和第二发光部并且位于所述反射电极和所述透明电极之间的有机发光层，

其中所述第一发光部和所述第二发光部的每一者包括磷光发光层和荧光发光层，并且

其中在所述第一发光部和所述第二发光部的至少一者中，所述荧光发光层被定位成比所述磷光发光层更靠近所述透明电极。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一发光部中的所述荧光发光层的光致发光光谱包括第一发射峰和第二发射峰，并且所述第二发射峰的波长长于所述第一发射峰的波长，

所述第一发光部中的所述磷光发光层的光致发光光谱包括第一发射峰和第二发射峰，并且所述第二发射峰的波长长于所述第一发射峰的波长，并且

所述第一发光部中的所述荧光发光层的所述第二发射峰的强度小于所述第一发光部中的所述磷光发光层的所述第二发射峰的强度。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其中所述第二发光部中的所述荧光发光层的光致发光光谱包括第一发射峰和第二发射峰，并且所述第二发射峰的波长长于所述第一发射峰的波长，

所述第二发光部中的所述磷光发光层的光致发光光谱包括第一发射峰和第二发射峰，并且所述第二发射峰的波长长于所述第一发射峰的波长，并且

所述第二发光部中的所述荧光发光层的所述第二发射峰的强度小于所述第二发光部中的所述磷光发光层的所述第二发射峰的强度。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管，其中所述第一发光部和所述第二发光部的每一者中的所述磷光发光层包括作为主体的第一化合物和作为发光体的第二化合物，并且

其中在所述第二化合物中，所述第二发射峰的强度与所述第一发射峰的强度之比为0.55以上且1以下。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第二发光部位于所述第一发光部和所述透明电极之间，并且

其中在所述第二发光部中，所述荧光发光层被定位成比所述磷光发光层更靠近所述透明电极。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管，其中在所述第一发光部中，所述荧光发光层被定位成比所述磷光发光层更靠近所述透明电极。

7.根据权利要求5所述的有机发光二极管，其中在所述第一发光部中，所述磷光发光层被定位成比所述荧光发光层更靠近所述透明电极。

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一发光部和所述第二发光部的每一者中的所述磷光发光层包括由式1-1表示的第一化合物和由式3表示的第二化合物：

[式1-1]

以及

[式3]

其中在式1-1中，Ar选自由取代或未取代的C6-C30芳撑基和取代或未取代的C5-C30杂芳撑基构成的群组，并且R1、R2、R3和R4各自独立地选自由取代或未取代的C1-C10烷基和取代或未取代的C6-C30芳基构成的群组，

其中a1、a2、a3和a4各自独立地为从0至4的整数，

其中在式3中，R11和R12各自独立地选自由卤素、取代或未取代的C1-C10烷基、取代或未取代的C6-C30芳基和取代或未取代的C5-C30杂芳基构成的群组，并且b1和b2各自独立地为0-4的整数，并且

其中R13和R14各自独立地选自由氢、卤素、取代或未取代的C1-C10烷基、取代或未取代的C6-C30芳基和取代或未取代的C5-C30杂芳基构成的群组。

9.根据权利要求8所述的有机发光二极管，其中所述式1-1由式1-2表示：

[式1-2]

其中在式1-2中，R5和R6各自独立地选自由取代或未取代的C1-C10烷基和取代或未取代的C6-C30芳基构成的群组，并且a5和a6各自独立地为0-4的整数，R1、R2、R3、R4、a1、a2、a3、a4的定义与式1-1中相同。

10.根据权利要求8所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物是式2中的化合物之一：

[式2]

11.根据权利要求8所述的有机发光二极管，其中所述第二化合物是式4中的化合物之一：

[式4]

12.根据权利要求8所述的有机发光二极管，其中所述第一发光部和所述第二发光部的每一者中的所述荧光发光层包括由式1-1表示的第三化合物、由式5-1表示的第四化合物和由式7表示的第五化合物：

[式5-1]

其中在式5-1中，c1为1至4的整数，Y由式5-2表示：

[式5-2]

其中在式5-2中，R21和R22各自独立地选自由取代或未取代的C1-C10烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、和取代或未取代的C5-C30杂芳基构成的群组，或两个相邻的R21和两个相邻的R22的至少一者相互连接以形成芳环或杂芳环，

其中c2和c3各自独立地为0-4的整数，

[式7]

其中在式7中，R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37各自独立地选自由氢、取代或未取代的C1-C10烷基和取代或未取代的C6-C30芳基构成的群组，并且R31、R32、R33和R34中的至少一个为取代或未取代的C1-C10烷基。

13.根据权利要求12所述的有机发光二极管，其中所述第四化合物是式6中的化合物之一：

[式6]

14.根据权利要求12所述的有机发光二极管，其中所述第五化合物是式8中的化合物之一：

[式8]

15.一种有机发光显示装置，包括：

基板，所述基板包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域；和

有机发光二极管所述有机发光二极管设置在所述基板上或上方且位于所述绿色像素区域中，所述有机发光二极管包括：

反射电极；

面向所述反射电极的透明电极；以及

16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中所述第一发光部中的所述荧光发光层的光致发光光谱包括第一发射峰和第二发射峰，并且所述第二发射峰的波长长于所述第一发射峰的波长，

17.根据权利要求16所述的有机发光显示装置，其中所述第二发光部中的所述荧光发光层的光致发光光谱包括第一发射峰和第二发射峰，并且所述第二发射峰的波长长于所述第一发射峰的波长，

18.根据权利要求17所述的有机发光显示装置，其中所述第一发光部和所述第二发光部的每一者中的所述磷光发光层包括作为主体的第一化合物和作为发光体的第二化合物，并且

19.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中所述第二发光部位于所述第一发光部和所述透明电极之间，

其中在所述第二发光部中，所述荧光发光层被定位成比所述磷光发光层更靠近所述透明电极，并且

其中在所述第一发光部中，所述荧光发光层被定位成比所述磷光发光层更靠近所述透明电极。

20.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中所述第二发光部位于所述第一发光部和所述透明电极之间，

其中在所述第一发光部中，所述磷光发光层被定位成比所述荧光发光层更靠近所述透明电极。