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HINTERGRUND
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TECHNISCHES GEBIET
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Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine organische Leuchtdiode und insbesondere auf eine organische Leuchtdiode mit einer hohen Anzeigeleistungsfähigkeit und eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung mit der organischen Leuchtdiode.
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ERÖRTERUNG DES STANDES DER TECHNIK
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Die Anforderungen an Flachtafelanzeigevorrichtungen mit einer kleinen belegten Fläche haben zugenommen. Unter den Flachtafelanzeigevorrichtungen wird eine Technologie einer organischen Lichtemissionsanzeigevorrichtung, die eine organische Leuchtdiode (OLED) umfasst und organische Elektrolumineszenzvorrichtung genannt werden kann, schnell entwickelt.
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Die OLED emittiert Licht durch Injizieren von Elektronen von einer Kathode als Elektroneninjektionselektrode und Löchern von einer Anode als Lochinjektionselektrode in eine Emissionsmaterialschicht, Kombinieren der Elektronen mit Löchern, Erzeugen eines Exzitons und Transformieren des Exzitons von einem angeregten Zustand in einen Grundzustand.
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Ein Fluoreszenzmaterial kann als Emitter in der OLED verwendet werden. Da jedoch nur ein Singulett-Exziton des Fluoreszenzmaterials an der Emission beteiligt ist, besteht eine Begrenzung der Emissionseffizienz des Fluoreszenzmaterials.
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ZUSAMMENFASSUNG
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Folglich sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung auf eine OLED und eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung gerichtet, die im Wesentlichen eines oder mehrere der Probleme vermeiden, die mit den Beschränkungen und Nachteilen des Standes der Technik verbunden sind.
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Eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung besteht darin, eine OLED und eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung mit einer hohen Anzeigeleistungsfähigkeit zu schaffen.
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Weitere Merkmale und Aspekte werden in der folgenden Beschreibung dargelegt und sind teilweise aus der Beschreibung ersichtlich oder können durch Ausführung der Konzepte der vorliegenden Offenbarung, die hier bereitgestellt werden, erlernt werden. Andere Merkmale und Aspekte der Konzepte der vorliegenden Offenbarung können durch die Struktur verwirklicht und erreicht werden, auf die in der schriftlichen Beschreibung speziell hingewiesen wird, oder sind daraus und aus den Ansprüchen hiervon sowie den beigefügten Zeichnungen ableitbar.
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Um diese und andere Vorteile gemäß dem Zweck der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung zu erreichen, wie hier beschrieben, ist ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung eine organische Leuchtdiode mit einer ersten Elektrode; einer zweiten Elektrode, die der ersten Elektrode zugewandt ist; und einem ersten Emissionsteil mit einer ersten Emissionsmaterialschicht zwischen der ersten und der zweiten Elektrode, einer ersten Lochsperrschicht zwischen der zweiten Elektrode und der ersten Emissionsmaterialschicht und einer ersten Zwischenfunktionsschicht zwischen der ersten Emissionsmaterialschicht und der ersten Lochsperrschicht, wobei die erste Emissionsmaterialschicht eine erste Verbindung, eine zweite Verbindung und eine dritte Verbindung umfasst, und die erste Zwischenfunktionsschicht eine erste Verbindung und eine zweite Verbindung umfasst, und wobei die zweite Verbindung in der ersten Zwischenfunktionsschicht einen Kern, der derselbe wie die zweite Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht ist, und ein höheres LUMO-Energieniveau als die zweite Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht aufweist, wobei jede der zweiten Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht und der zweiten Verbindung in der ersten Zwischenfunktionsschicht durch Formel 3-1 dargestellt ist:
, wobei b1 eine ganze Zahl von 0 bis 4 ist und Y durch Formel 3-2 dargestellt ist:
, wobei, wenn b 1 2 oder mehr ist, Y gleich oder verschieden ist,
wobei jedes von R11 und R12 unabhängig aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus einer substituierten oder unsubstituierten C1- bis C10-Alkylgruppe, einer substituierten oder unsubstituierten C6- bis C30-Arylgruppe und einer substituierten oder unsubstituierten C5- bis C30-Heteroarylgruppe besteht, oder mindestens eines von zwei benachbarten R11 und zwei benachbarten R12 miteinander verbunden sind, zusammen mit den Atomen, an die sie gebunden sind, um einen aromatischen Ring oder einen heteroaromatischen Ring zu bilden, und wobei jedes von b2 und b3 unabhängig eine ganze Zahl von 0 bis 4 ist.
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Ein anderer Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung mit einem Substrat mit einem roten Pixelbereich, einem grünen Pixelbereich und einem blauen Pixelbereich; und einer organischen Leuchtdiode, die auf oder über dem Substrat und im roten Pixelbereich angeordnet ist, wobei die organische Leuchtdiode umfasst: eine erste Elektrode; eine zweite Elektrode, die der ersten Elektrode zugewandt ist; und einen ersten Emissionsteil mit einer ersten Emissionsmaterialschicht zwischen der ersten und der zweiten Elektrode, einer ersten Lochsperrschicht zwischen der zweiten Elektrode und der ersten Emissionsmaterialschicht und einer ersten Zwischenfunktionsschicht zwischen der ersten Emissionsmaterialschicht und der ersten Lochsperrschicht, wobei die erste Emissionsmaterialschicht eine erste Verbindung, eine zweite Verbindung und eine dritte Verbindung umfasst, und die erste Zwischenfunktionsschicht eine erste Verbindung und eine zweite Verbindung umfasst, und wobei die zweite Verbindung in der ersten Zwischenfunktionsschicht einen Kern, der derselbe wie die zweite Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht ist, und ein höheres LUMO-Energieniveau als die zweite Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht aufweist.
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Selbstverständlich sind sowohl die vorangehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende ausführliche Beschreibung beispielhaft und erläuternd und sollen eine weitere Erläuterung der Erfindungskonzepte, wie beansprucht, bereitstellen.
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Figurenliste
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Die begleitenden Zeichnungen, die enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der vorliegenden Offenbarung zu schaffen, und in diese Anmeldung eingegliedert sind und einen Teil von dieser bilden, stellen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dar und dienen zusammen mit der Beschreibung zum Erläutern von Prinzipien der vorliegenden Offenbarung.
- 1 ist ein schematischer Schaltplan einer organischen Lichtemissionsanzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung.
- 2 ist eine schematische Querschnittsansicht einer organischen Lichtemissionsanzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 3 ist eine schematische Querschnittsansicht einer OLED gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 4 ist ein Energiebanddiagramm eines Abschnitts einer OLED gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 5 ist eine schematische Querschnittsansicht einer OLED gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 6 ist eine schematische Querschnittsansicht einer OLED gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 7 ist eine schematische Querschnittsansicht einer OLED gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 8 ist eine schematische Querschnittsansicht einer organischen Lichtemissionsanzeigevorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 9 ist eine schematische Querschnittsansicht einer organischen Lichtemissionsanzeigevorrichtung gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
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Nun wird im Einzelnen auf einige der Beispiele und bevorzugten Ausführungsformen Bezug genommen, die in den begleitenden Zeichnungen dargestellt sind.
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1 ist ein schematischer Schaltplan einer organischen Lichtemissionsanzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung.
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Wie in 1 gezeigt, umfasst eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung eine Gate-Leitung GL, eine Datenleitung DL, eine Leistungsleitung PL, einen Schaltdünnschichttransistor TFT Ts, einen Ansteuer-TFT Td, einen Speicherkondensator Cst und eine OLED D. Die Gate-Leitung GL und die Datenleitung DL kreuzen einander, um einen Pixelbereich P zu definieren. Der Pixelbereich kann einen roten Pixelbereich, einen grünen Pixelbereich und einen blauen Pixelbereich umfassen.
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Der Schalt-TFT Ts ist mit der Gate-Leitung GL und der Datenleitung DL verbunden und der Ansteuer-TFT Td und der Speicherkondensator Cst sind mit dem Schalt-TFT Ts und der Leistungsleitung PL verbunden. Die OLED D ist mit dem Ansteuer-TFT Td verbunden.
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In der organischen Lichtemissionsanzeigevorrichtung wird, wenn der Schalt-TFT Ts durch ein Gate-Signal eingeschaltet wird, das durch die Gate-Leitung GL angelegt wird, ein Datensignal von der Datenleitung DL an die Gate-Elektrode des Ansteuer-TFT Td und eine Elektrode des Speicherkondensators Cst angelegt.
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Wenn der Ansteuer-TFT Td durch das Datensignal eingeschaltet wird, wird ein elektrischer Strom zur OLED D von der Leistungsleitung PL zugeführt. Folglich emittiert die OLED D Licht. In diesem Fall wird, wenn der Ansteuer-TFT Td eingeschaltet wird, ein Pegel eines elektrischen Stroms, der von der Leistungsleitung PL an die OLED D angelegt wird, derart bestimmt, dass die OLED D eine Graustufe erzeugen kann.
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Der Speicherkondensator Cst dient zum Aufrechterhalten der Spannung der Gate-Elektrode des Ansteuer-TFT Td, wenn der Schalt-TFT Ts ausgeschaltet wird. Selbst wenn der Schalt-TFT Ts ausgeschaltet wird, wird folglich ein Pegel eines elektrischen Stroms, der von der Leistungsleitung PL an die OLED D angelegt wird, bis zu einem nächsten Rahmen aufrechterhalten.
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Folglich zeigt die organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung ein gewünschtes Bild an.
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2 ist eine schematische Querschnittsansicht einer organischen Lichtemissionsanzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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Wie in 2 gezeigt, umfasst die organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 ein Substrat 110, einen TFT Tr auf oder über dem Substrat 110, eine Planarisierungsschicht 150, die den TFT Tr bedeckt und eine OLED D auf der Planarisierungsschicht 150, die mit dem TFT Tr verbunden ist. Ein roter Pixelbereich, ein grüner Pixelbereich und ein blauer Pixelbereich können auf dem Substrat 110 definiert sein.
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Das Substrat 110 kann ein Glassubstrat oder ein flexibles Substrat sein. Das flexible Substrat kann beispielsweise eines von einem Polyimid-Substrat (PI-Substrat), einem Polyethersulfon-Substrat (PES-Substrat), einem Polyethylennaphthalat-Substrat (PEN-Substrat), einem Polyethylenterephthalat-Substrat (PET-Substrat) und einem Polycarbonat-Substrat (PC-Substrat) sein.
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Eine Pufferschicht 122 ist auf dem Substrat ausgebildet und der TFT Tr ist auf der Pufferschicht 122 ausgebildet. Die Pufferschicht 122 kann weggelassen werden. Die Pufferschicht 122 kann beispielsweise aus einem anorganischen Isolationsmaterial, z. B. Siliziumoxid oder Siliziumnitrid, ausgebildet sein.
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Eine Halbleiterschicht 120 ist auf der Pufferschicht 122 ausgebildet. Die Halbleiterschicht 120 kann ein Oxidhalbleitermaterial oder polykristallines Silizium umfassen.
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Wenn die Halbleiterschicht 120 das Oxidhalbleitermaterial umfasst, kann ein Lichtabschirmmuster (nicht gezeigt) unter der Halbleiterschicht 120 ausgebildet sein. Das Licht zur Halbleiterschicht 120 wird durch das Lichtabschirmmuster abgeschirmt oder blockiert, so dass eine thermische Verschlechterung der Halbleiterschicht 120 verhindert werden kann. Wenn andererseits die Halbleiterschicht 120 polykristallines Silizium umfasst, können Störstellen in beide Seiten der Halbleiterschicht 120 dotiert sein.
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Eine Gate-Isolationsschicht 124 ist auf der Halbleiterschicht 120 ausgebildet. Die Gate-Isolationsschicht 124 kann aus einem anorganischen Isolationsmaterial wie z. B. Siliziumoxid oder Siliziumnitrid ausgebildet sein.
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Eine Gate-Elektrode 130, die aus einem leitfähigen Material, z. B. Metall, ausgebildet ist, ist auf der Gate-Isolationsschicht 124 so ausgebildet, dass sie einem Zentrum der Halbleiterschicht 120 entspricht. In 2 ist die Gate-Isolationsschicht 124 auf einer ganzen Oberfläche des Substrats 110 ausgebildet. Alternativ kann die Gate-Isolationsschicht 124 so strukturiert sein, dass sie dieselbe Form wie die Gate-Elektrode 130 aufweist.
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Eine Zwischenschichtisolationsschicht 132 ist auf der Gate-Elektrode 130 und über einer ganzen Oberfläche des Substrats 110 ausgebildet. Die Zwischenschichtisolationsschicht 132 kann aus einem anorganischen Isolationsmaterial, z. B. Siliziumoxid oder Siliziumnitrid, oder einem organischen Isolationsmaterial, z. B. Benzocyclobuten oder Photoacryl, ausgebildet sein.
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Die Zwischenschichtisolationsschicht 132 umfasst ein erstes und ein zweites Kontaktloch 134 und 136, die beide Seiten der Halbleiterschicht 120 freilegen. Das erste und das zweite Kontaktloch 134 und 136 sind an beiden Seiten der Gate-Elektrode 130 so positioniert, dass sie von der Gate-Elektrode 130 beabstandet sind.
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Das erste und das zweite Kontaktloch 134 und 136 sind durch die Gate-Isolationsschicht 124 hindurch ausgebildet. Wenn die Gate-Isolationsschicht 124 so strukturiert ist, dass sie dieselbe Form wie die Gate-Elektrode 130 aufweist, sind alternativ das erste und das zweite Kontaktloch 134 und 136 nur durch die Zwischenschichtisolationsschicht 132 hindurch ausgebildet.
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Eine Source-Elektrode 144 und eine Drain-Elektrode 146, die aus einem leitfähigen Material, z. B. Metall, ausgebildet sind, sind auf der Zwischenschichtisolationsschicht 132 ausgebildet.
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Die Source-Elektrode 144 und die Drain-Elektrode 146 sind mit Bezug auf die Gate-Elektrode 130 voneinander beabstandet und kontaktieren jeweils beide Seiten der Halbleiterschicht 120 durch das erste und das zweite Kontaktloch 134 und 136 hindurch.
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Die Halbleiterschicht 120, die Gate-Elektrode 130, die Source-Elektrode 144 und die Drain-Elektrode 146 bilden den TFT Tr. Der TFT Tr dient als Ansteuerelement. Der TFT Tr ist nämlich der Ansteuer-TFT Td (von 1).
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Im TFT Tr sind die Gate-Elektrode 130, die Source-Elektrode 144 und die Drain-Elektrode 146 über der Halbleiterschicht 120 positioniert. Der TFT Tr weist nämlich eine koplanare Struktur auf.
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Alternativ kann im TFT Tr die Gate-Elektrode unter der Halbleiterschicht positioniert sein und die Source- und die Drain-Elektrode können über der Halbleiterschicht positioniert sein, so dass der TFT Tr eine invertierte gestaffelte Struktur aufweisen kann. In diesem Fall kann die Halbleiterschicht amorphes Silizium umfassen.
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Obwohl nicht gezeigt, kreuzen die Gate-Leitung und die Datenleitung einander, um den Pixelbereich zu definieren, und der Schalt-TFT ist so ausgebildet, dass er mit der Gate- und der Datenleitung verbunden ist. Der Schalt-TFT ist mit dem TFT Tr als Ansteuerelement verbunden. Außerdem können die Leistungsleitung, die so ausgebildet sein kann, dass sie zu einer der Gate- und der Datenleitung parallel und davon beabstandet ist, und der Speicherkondensator zum Aufrechterhalten der Spannung der Gate-Elektrode des TFT Tr in einem Rahmen ferner ausgebildet sein.
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Eine Planarisierungsschicht 150 ist auf einer ganzen Oberfläche des Substrats 110 ausgebildet, um die Source- und die Drain-Elektrode 144 und 146 zu bedecken. Die Planarisierungsschicht 150 schafft eine flache obere Oberfläche und weist ein Drain-Kontaktloch 152 auf, das die Drain-Elektrode 146 des TFT Tr freilegt.
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Die OLED D ist auf der Planarisierungsschicht 150 angeordnet und umfasst eine erste Elektrode 210, die mit der Drain-Elektrode 146 des TFT Tr verbunden ist, eine organische Lichtemissionsschicht 220 und eine zweite Elektrode 230. Die organische Lichtemissionsschicht 220 und die zweite Elektrode 230 sind sequentiell auf die erste Elektrode 210 gestapelt. Die OLED D ist in jedem des roten, des grünen und des blauen Pixelbereichs positioniert und emittiert jeweils das rote, das grüne und das blaue Licht.
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Die erste Elektrode 210 ist in jedem Pixelbereich separat ausgebildet. Die erste Elektrode 210 kann eine Anode sein und kann eine transparente leitfähige Oxidmaterialschicht, die aus einem leitfähigen Material, z. B. einem transparenten leitfähigen Oxid (TCO), mit einer relativ hohen Arbeitsfunktion ausgebildet sein kann, und eine Reflexionsschicht umfassen. Die erste Elektrode 210 kann nämlich eine Reflexionselektrode sein.
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Alternativ kann die erste Elektrode 210 eine einschichtige Struktur der transparenten leitfähigen Oxidmaterialschicht aufweisen. Die erste Elektrode 210 kann nämlich eine transparente Elektrode sein.
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Die transparente leitfähige Oxidmaterialschicht kann beispielsweise aus einem von Indium-Zinn-Oxid (ITO), Indium-Zink-Oxid (IZO), Indium-Zinn-Zink-Oxid (ITZO), Zinnoxid (SnO), Zinkoxid (ZnO), Indium-Kupfer-Oxid (ICO) und Aluminium-Zink-Oxid (Al:ZnO, AZO) ausgebildet sein und die Reflexionsschicht kann aus einem von Silber (Ag), einer Legierung von Ag und einem von Palladium (Pd), Kupfer (Cu), Indium (In) und Neodym (Nd) und einer Aluminium-Palladium-Kupfer-Legierung (APC-Legierung) ausgebildet sein. Die erste Elektrode 210 kann beispielsweise eine Struktur von ITO/Ag/ITO oder ITO/APC/ITO aufweisen.
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Außerdem ist eine Bankschicht 160 auf der Planarisierungsschicht 150 ausgebildet, um eine Kante der ersten Elektrode 210 zu bedecken. Die Bankschicht 160 ist nämlich an einer Grenze des Pixelbereichs positioniert und legt ein Zentrum der ersten Elektrode 210 im Pixelbereich frei.
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Die organische Lichtemissionsschicht 220 als Emissionseinheit ist auf der ersten Elektrode 210 ausgebildet. In der OLED D im roten Pixelbereich umfasst die organische Lichtemissionsschicht 220 einen ersten Emissionsteil mit einer ersten roten Emissionsmaterialschicht (EML), einer Elektronensperrschicht (EBL), einer Lochsperrschicht (HBL) und einer Zwischenfunktionsschicht. Außerdem kann die organische Lichtemissionsschicht der OLED D im roten Pixelbereich ferner einen zweiten Emissionsteil mit einer zweiten roten EML umfassen.
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Jeder des ersten und des zweiten Emissionsteils kann ferner eine Lochinjektionsschicht (HIL), eine Lochtransportschicht (HTL), eine Elektronentransportschicht (ETL) und/oder eine Elektroneninjektionsschicht (EIL) umfassen, so dass eine mehrschichtige Struktur vorliegt. Außerdem kann die organische Lichtemissionsschicht ferner eine Ladungserzeugungsschicht (CGL) zwischen dem ersten und dem zweiten Emissionsteil umfassen.
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Wie nachstehend erläutert, ist in der OLED D im roten Pixelbereich eine erste rote EML eine Fluoreszenzemissionsschicht mit einer ersten Verbindung mit verzögerter Fluoreszenz und einer Fluoreszenzverbindung. Die Zwischenfunktionsschicht umfasst eine zweite Verbindung mit verzögerter Fluoreszenz und ist zwischen der ersten roten EML und der HBL positioniert. Die zweite Verbindung mit verzögerter Fluoreszenz weist dieselbe chemische Struktur wie die erste Verbindung mit verzögerter Fluoreszenz und ein höheres Energieniveau des niedrigsten unbesetzten Molekülorbitals (LUMO) als die erste Verbindung mit verzögerter Fluoreszenz auf. Folglich ist die Emissionsleistungsfähigkeit der OLED D verbessert.
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Die zweite Elektrode 230 ist über dem Substrat 110 ausgebildet, wo die organische Lichtemissionsschicht 220 ausgebildet ist. Die zweite Elektrode 230 bedeckt eine ganze Oberfläche der Anzeigefläche und kann aus einem leitfähigen Material mit einer relativ niedrigen Arbeitsfunktion ausgebildet sein, um als Kathode zu dienen. Die zweite Elektrode 230 kann beispielsweise aus Aluminium (Al), Magnesium (Mg), Kalzium (Ca), Silber (Ag) oder ihrer Legierung, z. B. einer Mg-Ag-Legierung (MgAg) ausgebildet sein. Die zweite Elektrode 230 kann ein dünnes Profil aufweisen, z. B. 10 bis 30 nm, so dass sie transparent (oder halbtransparent) ist.
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Alternativ kann die erste Elektrode 210 eine transparente Elektrode sein und die zweite Elektrode 230 kann eine Reflexionselektrode sein.
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Obwohl nicht gezeigt, kann die OLED D ferner eine Abdeckschicht auf der zweiten Elektrode 230 umfassen. Die Emissionseffizienz der OLED D und/oder der organischen Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 kann durch die Abdeckschicht weiter verbessert sein.
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Ein Einkapselungsfilm (oder eine Einkapselungsschicht) 170 ist auf der zweiten Elektrode 230 ausgebildet, um das Eindringen von Feuchtigkeit in die OLED D zu verhindern. Der Einkapselungsfilm 170 umfasst eine erste anorganische Isolationsschicht 172, eine organische Isolationsschicht 174 und eine zweite anorganische Isolationsschicht 176, die sequentiell gestapelt sind, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
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Obwohl nicht gezeigt, kann die organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 ein Farbfilter umfassen, das dem roten, dem grünen und dem blauen Pixelbereich entspricht. Das Farbfilter kann beispielsweise auf oder über der OLED D oder dem Einkapselungsfilm 170 positioniert sein.
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Außerdem kann die organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 ferner ein Abdeckfenster (nicht gezeigt) auf oder über dem Einkapselungsfilm 170 oder dem Farbfilter umfassen. In diesem Fall weisen das Substrat 110 und das Abdeckfenster eine flexible Eigenschaft auf, so dass eine flexible organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung geschaffen werden kann.
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3 ist eine schematische Querschnittsansicht einer OLED gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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Wie in 3 gezeigt, umfasst die OLED D1 die erste Elektrode 210, die zweite Elektrode 230, die der ersten Elektrode 210 zugewandt ist, und die organische Lichtemissionsschicht 220 dazwischen. Die organische Lichtemissionsschicht 220 umfasst eine EML 260, eine EBL 246, eine HBL 252 und eine Zwischenfunktionsschicht 270. Außerdem kann die OLED D1 ferner eine Abdeckschicht 290 zum Verstärken (Verbessern) einer Emissionseffizienz umfassen.
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Die organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung kann einen roten Pixelbereich, einen grünen Pixelbereich und einen blauen Pixelbereich umfassen und die OLED D1 ist im roten Pixelbereich positioniert.
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Die erste Elektrode 210 kann eine Anode sein und die zweite Elektrode 230 kann eine Kathode sein. Die erste Elektrode 210 ist eine Reflexionselektrode und die zweite Elektrode 230 ist eine transparente Elektrode (oder eine halbtransparente Elektrode). Die erste Elektrode 210 kann beispielsweise eine Struktur von ITO/Ag/ITO aufweisen und die zweite Elektrode 230 kann aus MgAg oder Al ausgebildet sein. Die erste Elektrode 210 kann nämlich einen ersten Durchlassgrad aufweisen und die zweite Elektrode 230 kann einen zweiten Durchlassgrad aufweisen, der größer ist als der erste Durchlassgrad.
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Alternativ kann die erste Elektrode 210 eine transparente Elektrode sein und die zweite Elektrode 230 kann eine Reflexionselektrode sein.
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Die EBL 246 ist zwischen der ersten Elektrode 210 und der EML 260 positioniert und die HBL 252 ist zwischen der zweiten Elektrode 230 und der EML 260 positioniert. Die Zwischenfunktionsschicht 270 ist zwischen der HBL 252 und der EML 260 positioniert. Eine Oberfläche (Seite) der EML 260 kontaktiert nämlich die EBL 246 und die andere Oberfläche der EML 260 kontaktiert die Zwischenfunktionsschicht 270, wobei sie von der HBL 252 beabstandet ist. Eine Oberfläche und die andere Oberfläche der Zwischenfunktionsschicht 270 kontaktieren jeweils die EML 260 und die HBL 252.
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Die EML 260 umfasst eine erste Verbindung 262, eine zweite Verbindung 264 und eine dritte Verbindung 266. Die erste Verbindung wirkt als Wirt, die zweite Verbindung 264 wirkt als Hilfswirt (Hilfsdotierungsmaterial) und die dritte Verbindung 266 wirkt als Dotierungsmaterial (Emitter). Die zweite Verbindung 264 ist eine Verbindung mit verzögerter Fluoreszenz und die dritte Verbindung 266 ist eine Fluoreszenzverbindung.
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Die Zwischenfunktionsschicht 270 umfasst eine erste Verbindung 272 und eine zweite Verbindung 274.
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Jede der ersten Verbindung 262 in der EML 260 und der ersten Verbindung 272 in der Zwischenfunktionsschicht 270 ist durch Formel 1 dargestellt.
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In Formel 1 ist jedes von R1, R2, R3, R4 und R5 unabhängig aus der Gruppe ausgewählt, die aus einer substituierten oder unsubstituierten C1- bis C10-Alkylgruppe, einer substituierten oder unsubstituierten C6- bis C30-Arylgruppe und einer substituierten oder unsubstituierten C5-bis C30-Heteroarylgruppe besteht, und jedes von a1, a2, a3, a4 und a5 ist unabhängig eine ganze Zahl von 0 bis 4. In einer Ausführungsform ist jedes von R1, R2, R3, R4 und R5 unabhängig aus der Gruppe ausgewählt, die aus einer unsubstituierten C1- bis C10-Alkylgruppe, einer unsubstituierten C6- bis C30-Arylgruppe und einer unsubstituierten C5- bis C30-Heteroarylgruppe besteht. In einer Ausführungsform ist jedes von a1, a2, a3, a4 und a5 unabhängig 0 oder 1. In einer weiteren Ausführungsform ist jedes von a1, a2, a3, a4 und a5 0. X ist NR6, O oder S, und R6 ist aus der Gruppe ausgewählt, die aus Wasserstoff, einer substituierten oder unsubstituierten C1- bis C10-Alkylgruppe, einer substituierten oder unsubstituierten C6- bis C30-Arylgruppe und einer substituierten oder unsubstituierten C5- bis C30-Heteroarylgruppe besteht. In einer Ausführungsform ist X NR6 oder O, und R6 ist eine unsubstituierte C6-C30-Arylgruppe.
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Die erste Verbindung 262 in der EML 260 und die erste Verbindung 272 in der Zwischenfunktionsschicht 270 weisen nämlich dieselbe chemische Struktur auf und können gleich oder verschieden sein.
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In der vorliegenden Offenbarung kann die C6- bis C30-Arylgruppe aus der Gruppe ausgewählt sein, die aus Phenyl, Biphenyl, Terphenyl, Naphthyl, Anthracenyl, Pentalenyl, Indenyl, Indenoindenyl, Heptalenyl, Biphenylenyl, Indacenyl, Phenanthrenyl, Benzophenanthrenyl, Dibenzophenanthrenyl, Azulenyl, Pyrenyl, Fluoranthenyl, Triphenylenyl, Chrysenyl, Tetraphenyl, Tetrasenyl, Picenyl, Pentaphenyl, Pentacenyl, Fluorenyl, Indenofluorenyl und Spiro-fluorenyl besteht.
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In der vorliegenden Offenbarung kann die C5- bis C30-Heteroarylgruppe aus der Gruppe ausgewählt sein, die aus Pyrrolyl, Pyridinyl, Pyrimidinyl, Pyrazinyl, Pyridazinyl, Triazinyl, Tetrazinyl, Imidazolyl, Pyrazolyl, Indolyl, Isoindolyl, Indazolyl, Indolizinyl, Pyrrolizinyl, Carbazolyl, Benzocarbazolyl, Dibenzocarbazolyl, Indolocarbazolyl, Indenocarbazolyl, Benzofurocarbazolyl, Benzothienocarbazolyl, Chinolinyl, Isochinolinyl, Phthalazinyl, Chinoxalinyl, Cinnolinyl, Chinazolinyl, Chinozolinyl, Chinolinyl, Purinyl, Phthalazinyl, Chinoxalinyl, Benzochinolinyl, Benzoisochinolinyl, Benzochinazolinyl, Benzochinoxalinyl, Acridinyl, Phenanthrolinyl, Perimidinyl, Phenanthridinyl, Pteridinyl, Cinnolinyl, Naphtharidinyl, Furanyl, Oxazinyl, Oxazolyl, Oxadiazolyl, Triazolyl, Dioxynyl, Benzofuranyl, Dibenzofuranyl, Thiopyranyl, Xanthenyl, Chromanyl, Isochromanyl, Thioazinyl, Thiophenyl, Benzothiophenyl, Dibenzothiophenyl, Difuropyrazinyl, Benzofurodibenzofuranyl, Benzothienobenzothiophenyl, Benzothienodibenzothiophenyl, Benzothienobenzofuranyl und Benzothienodibenzofuranyl besteht.
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In Formel 1 kann in jedem von R1, R2, R3, R4 und R5 die C6- bis C30-Arylgruppe vorzugsweise aus der Gruppe ausgewählt sein, die aus Phenyl, Biphenyl, Terphenyl, Naphthyl, Anthracenyl, Indenyl besteht, die C5- bis C30-Heteroarylgruppe kann vorzugsweise aus der Gruppe ausgewählt sein, die aus Pyrrolyl, Pyridinyl, Pyrimidinyl, Pyrazinyl, Pyridazinyl, Triazinyl, Tetrazinyl, Imidazolyl, Pyrazolyl, Indolyl, Isoindolyl, Indazolyl, Indolizinyl, Pyrrolizinyl, Carbazolyl, Benzocarbazolyl, Dibenzocarbazolyl besteht, bevorzugter aus der Gruppe, die aus Pyrrolyl, Pyridinyl, Pyrimidinyl, Carbazolyl, Benzocarbazolyl, Dibenzocarbazolyl besteht.
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In der vorliegenden Offenbarung kann ohne spezielle Definition ein Substituent einer Alkylgruppe, einer Arylgruppe und/oder einer Heteroarylgruppe Deuterium, Tritium, eine Cyanogruppe, Halogen, eine C1- bis C10-Alkylgruppe, eine C1- bis C10-Alkoxygruppe und/oder eine C6- bis C30-Arylgruppe sein, wobei eine C6- bis C30-Arylgruppe wahlweise ferner mit einer C1- bis C10-Alkylgruppe substituiert sein kann.
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Eine Gruppe, die als „substituiert oder unsubstituiert“ beschrieben ist, kann mit einer oder mehreren hier definierten Gruppen substituiert sein (wie die Valenz erlaubt).
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Jede der ersten Verbindung 262 in der EML 260 und der ersten Verbindung 272 in der Zwischenfunktionsschicht 270 kann eine der Verbindungen in Formel 2 sein.
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Jede der zweiten Verbindung 264 in der EML 260 und der zweiten Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270 ist durch Formel 3-1 dargestellt, und die zweite Verbindung 264 in der EML 260 und die zweite Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270 sind unterschiedlich.
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In Formel 3-1 ist Y durch Formel 3-2 dargestellt und b1 ist eine ganze Zahl von 1 bis 4. Wenn b1 2 oder mehr ist, ist Y gleich oder verschieden. Vorzugsweise ist b1 4 und Y ist gleich oder verschieden, insbesondere zwei Paare von identischem Y.
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In Formel 3-2 ist jedes von R11 und R12 unabhängig aus der Gruppe ausgewählt, die aus einer substituierten oder unsubstituierten C1- bis C10-Alkylgruppe, einer substituierten oder unsubstituierten C6- bis C30-Arylgruppe und einer substituierten oder unsubstituierten C5- bis C30-Heteroarylgruppe besteht, oder mindestens eines von zwei benachbarten R11 und zwei benachbarten R12 sind miteinander verbunden, um einen aromatischen Ring oder einen heteroaromatischen Ring zu bilden. In einer Ausführungsform ist jedes von R11 und R12 unabhängig aus der Gruppe ausgewählt, die aus einer unsubstituierten C1- bis C10-Alkylgruppe, einer unsubstituierten C6- bis C30-Arylgruppe und einer unsubstituierten C5- bis C30-Heteroarylgruppe besteht. Außerdem ist jedes von b2 und b3 unabhängig eine ganze Zahl von 0 bis 4. In einer Ausführungsform sind b2 und b3 unabhängig 0, 1 oder 2.
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In der vorliegenden Offenbarung kann die C6- bis C30-Arylgruppe aus der Gruppe ausgewählt sein, die aus Phenyl, Biphenyl, Terphenyl, Naphthyl, Anthracenyl, Pentanenyl, Indenyl, Indenoindenyl, Heptalenyl, Biphenylenyl, Indacenyl, Phenanthrenyl, Benzophenanthrenyl, Dibenzophenanthrenyl, Azulenyl, Pyrenyl, Fluoranthenyl, Triphenylenyl, Chrysenyl, Tetraphenyl, Tetrasenyl, Picenyl, Pentaphenyl, Pentacenyl, Fluorenyl, Indenofluorenyl und Spiro-fluorenyl besteht. In einer Ausführungsform kann die C6- bis C30-Arylgruppe aus der Gruppe ausgewählt sein, die aus Phenyl, Biphenyl, Terphenyl, Naphthyl besteht.
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In der vorliegenden Offenbarung kann die C5- bis C30-Heteroarylgruppe aus der Gruppe ausgewählt sein, die aus Pyrrolyl, Pyridinyl, Pyrimidinyl, Pyrazinyl, Pyridazinyl, Triazinyl, Tetrazinyl, Imidazolyl, Pyrazolyl, Indolyl, Isoindolyl, Indazolyl, Indolizinyl, Pyrrolizinyl, Carbazolyl, Benzocarbazolyl, Dibenzocarbazolyl, Indolocarbazolyl, Indenocarbazolyl, Benzofurocarbazolyl, Benzothienocarbazolyl, Chinolinyl, Isochinolinyl, Phthalazinyl, Chinoxalinyl, Cinnolinyl, Chinazolinyl, Chinozolinyl, Chinolinyl, Purinyl, Phthalazinyl, Chinoxalinyl, Benzochinolinyl, Benzoisochinolinyl, Benzochinazolinyl, Benzochinoxalinyl, Acridinyl, Phenanthrolinyl, Perimidinyl, Phenanthridinyl, Pteridinyl, Cinnolinyl, Naphtharidinyl, Furanyl, Oxazinyl, Oxazolyl, Oxadiazolyl, Triazolyl, Dioxynyl, Benzofuranyl, Dibenzofuranyl, Thiopyranyl, Xanthenyl, Chromanyl, Isochromanyl, Thioazinyl, Thiophenyl, Benzothiophenyl, Dibenzothiophenyl, Difuropyrazinyl, Benzofurodibenzofuranyl, Benzothienobenzothiophenyl, Benzothienodibenzothiophenyl, Benzothienobenzofuranyl und Benzothienodibenzofuranyl besteht. In einer Ausführungsform kann die C5- bis C30-Heteroarylgruppe aus der Gruppe ausgewählt sein, die aus Pyrrolyl, Pyridinyl, Pyrimidinyl, Pyrazinyl, Pyridazinyl, Triazinyl, Tetrazinyl, Imidazolyl, Pyrazolyl, Indolyl, Isoindolyl, Indazolyl, Indolizinyl, Pyrrolizinyl, Carbazolyl besteht.
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In der vorliegenden Offenbarung kann ohne spezielle Definition ein Substituent einer Alkylgruppe, einer Arylgruppe und/oder einer Heteroarylgruppe Deuterium, Tritium, eine Cyanogruppe, Halogen, eine C1- bis C10-Alkylgruppe, eine C1- bis C10-Alkoxygruppe und/oder eine C6- bis C30-Arylgruppe sein, wobei eine C6- bis C30-Arylgruppe wahlweise ferner mit einer C1- bis C10-Alkylgruppe substituiert sein kann.
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Beispielsweise kann b1 4 sein und jedes von R11 und R12 kann unabhängig aus der Gruppe ausgewählt sein, die aus einer C1- bis C10-Alkylgruppe, z. B. Methyl, einer C6- bis C30-Arylgruppe, z. B. Phenyl, einer C5- bis C30-Heteroarylgruppe, z. B. Carbazolyl, besteht, oder mindestens eines von zwei benachbarten R11 und zwei benachbarten R12 sind miteinander verbunden, um einen heteroaromatische Ring zu bilden, wobei das Heteroatom O ist.
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Die zweite Verbindung 264 in der EML 260 und die zweite Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270 weisen nämlich denselben Kern auf und sind verschieden.
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Die zweite Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270 weist ein höheres LUMO-Energieniveau als die zweite Verbindung 264 in der EML 260 auf. Eine Differenz zwischen einem LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270 und einem LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 264 in der EML 260 kann beispielsweise 0,5 eV oder weniger sein.
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Das LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 264 in der EML 260 kann niedriger sein als 3,0 eV.
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Das LUMO-Energieniveau kann durch Messung des HOMO-Energieniveaus und der Bandlücke bestimmt werden. Das LUMO-Energieniveau ist gleich dem HOMO-Energieniveau - die Bandlücke (d. h. LUMO=HOMO-Bandlücke). Das HOMO-Energieniveau kann durch Vorbereitung eines einzelnen Films (reinen Films) mit einer Dicke von 50 nm und Messung mit einem Photoelektronenspektrometer in Luft (beispielsweise AC3) bestimmt werden. Die Bandlücke kann aus einer tangentialen Wellenlänge in einer Kante durch Messen von UV-vis in einem einzelnen Film mit einer Dicke von 50 nm (beispielsweise SCINCO / S-3100) berechnet werden. Die Bandlücke ist gleich 1239,85 dividiert durch die tangentiale Wellenlänge (d. h. Bandlücke =1239,85/(tangentiale Wellenlänge)).
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Mit Bezug auf 4, die ein Energiebanddiagramm eines Abschnitts einer OLED gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist, ist ein LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270 höher als ein LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 264 in der EML 260. Ein höchstes besetztes Molekülorbital (HOMO) der zweiten Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270 ist gleich oder verschieden von einem HOMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 264 in der EML 260. Außerdem ist in der EML 260 ein LUMO-Energieniveau der dritten Verbindung 266, die ein Fluoreszenzdotierungsmaterial ist, gleich oder höher als jenes der zweiten Verbindung 264, und ein HOMO-Energieniveau der dritten Verbindung 266 ist höher als jenes der zweiten Verbindung 264. Überdies ist ein HOMO-Energieniveau der dritten Verbindung 266 höher als ein HOMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270.
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Die zweite Verbindung 264 in der EML 260 ist eine der Verbindungen in Formel 4, und die zweite Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270 ist eine andere der Verbindungen in Formel 4.
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Die zweite Verbindung 264 in der EMI, 260 kann beispielsweise durch Formel 3a dargestellt sein und die zweite Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270 kann durch Formel 3b dargestellt sein
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In Formel 3a ist Y durch Formel 3-2 dargestellt und die Definition von b1 ist dieselbe wie jene in Formel 3-1.
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In Formel 3b ist Y durch Formel 3-2 dargestellt und die Definition von b1 ist dieselbe wie jene in Formel 3-1.
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Die zweite Verbindung 264 in der EML 260 weist nämlich eine Struktur mit zwei Cyanogruppen und mindestens einer substituierten oder unsubstituierten Carbazolgruppe auf, die mit einem Benzolanteil verbunden sind, und zwei Cyanogruppen sind in einer para-Position dargestellt.
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Andererseits weist die zweite Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270 eine Struktur mit zwei Cyanogruppen und mindestens einer substituierten oder unsubstituierten Carbazolgruppe auf, die mit einem Benzolanteil verbunden sind, und zwei Cyanogruppen sind in einer meta-Position dargestellt.
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In einer Ausführungsform ist jede der zweiten Verbindung 264 in der EML 260 und der zweiten Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270 durch Formel 3-3 dargestellt.
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In Formel 3-3 ist eines von R13 und R14 CN, und das andere von R13 und R14 ist durch Formel 3-2 dargestellt. R11 und R12 sowie b2 und 3 sind wie vorstehend für Formel 3-2 definiert.
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In der zweiten Verbindung 264 in der EML 260 ist beispielsweise R14 CN, und R13 ist durch Formel 3-2 dargestellt. In der zweiten Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270 ist R13 die zweite Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270 und R14 ist CN.
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Die zweite Verbindung 264 in der EML 260 kann beispielsweise eine der Verbindungen in Formel 4a sein und die zweite Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270 kann eine der Verbindungen in Formel 4b sein.
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Die dritte Verbindung 266 in der EMI, 260 weist eine Energiebandlücke „Eg“ von 1,8 bis 2,2 eV und ein LUMO-Energieniveau, das niedriger ist als -3,0 eV, auf. Außerdem weist die dritte Verbindung 266 in der EML 260 einen Emissionswellenlängenbereich von 580 bis 650 nm, z. B. 610 bis 630 nm, auf.
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Die dritte Verbindung 266 in der EML 260 ist durch Formel 5 dargestellt.
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In Formel 5 ist jedes von R21, R22, R23 und R24 unabhängig aus einer substituierten oder unsubstituierten C6- bis C30-Arylgruppe ausgewählt und jedes von R25, R26 und R27 ist unabhängig aus der Gruppe ausgewählt, die aus Wasserstoff, Deuterium, einer substituierten oder unsubstituierten C1- bis C10-Alkylgruppe, einer substituierten oder unsubstituierten C6- bis C30-Arylgruppe und einer substituierten oder unsubstituierten C5- bis C30-Heteroarylgruppe besteht.
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Jedes von R21, R22, R23 und R24 kann beispielsweise Phenyl, das unsubstituiert oder mit einer C1- bis C10-Alkylgruppe, z. B. Methyl oder tert-Butyl, substituiert ist, sein. Außerdem kann jedes von R25 und R26 Wasserstoff sein und R27 kann aus einer C6- bis C30-Arylgruppe, z. B. Phenyl, die unsubstituiert oder mit einer C1- bis C10-Alkoxygruppe, z. B., Methoxy, und/oder einer C6- bis C30-Arylgruppe, z. B. tert-Butylphenyl, substituiert ist, und einer substituierten oder unsubstituierten C5- bis C30-Heteroarylgruppe, z. B. Dibenzofuranyl oder Thiophenyl, ausgewählt sein.
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Die dritte Verbindung 266 in der EML 260 kann eine der Verbindungen in Formel 6 sein.
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In der EML 260 ist jedes von ersten Gew.-% der ersten Verbindung 262 und von zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 264 größer als dritte Gew.-% der dritten Verbindung 266. Die zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 264 können gleich wie oder verschieden von den ersten Gew.-% der ersten Verbindung 262 sein. Die EML 260 besteht aus den ersten bis dritten Verbindungen 262, 264 und 266, und eine Summe der ersten Gew.-% der ersten Verbindung 262, der zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 264 und der dritten Gew.-% der dritten Verbindung in der EML 260 ist 100 Gew.-%.
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Außerdem ist in der EML 260 ein Triplett-Energieniveau der zweiten Verbindung 264 niedriger als jenes der ersten Verbindung 262 und höher als jenes der dritten Verbindung 266.
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In der Zwischenfunktionsschicht 270 sind vierte Gew.-% der ersten Verbindung 272 größer als fünfte Gew.-% der zweiten Verbindung 274. Die Zwischenfunktionsschicht 270 besteht aus der ersten und der zweiten Verbindung 272 und 274, und eine Summe der vierten Gew.-% der ersten Verbindung 272 und der fünften Gew.-% der zweiten Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270 ist 100 Gew.-%.
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Die zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 264 in der EML 260 sind größer als die fünften Gew.-% der zweiten Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270. Die zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 264 in der EML 260 können beispielsweise 40 Gew.-% oder mehr und 60 Gew.-% oder weniger sein und die fünften Gew.-% der zweiten Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270 können 1 Gew.-% oder mehr und 10 Gew.-% oder weniger sein.
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Die EML 260 weist eine erste Dicke t1 auf und die Zwischenfunktionsschicht 270 weist eine zweite Dicke t2 auf, die kleiner ist als die erste Dicke 11. Die zweite Dicke t2 kann 40 % oder weniger der ersten Dicke t1 sein. Die zweite Dicke t2 kann beispielsweise 10 Ä oder mehr und 100 Å oder weniger sein.
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Die EML 260 ist eine Schicht zum Emittieren von Licht, während die Zwischenfunktionsschicht 270 eine Schicht zum Transportieren eines Elektrons in die EML 260 und Verhindern einer Exzitonübertragung von der EML 260 und der HBL 252 ist.
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Die EBL 246 kann die Verbindung in Formel 7 umfassen.
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Alternativ kann die EBL 246 mindestens eine von Verbindungen umfassen, die aus der Gruppe ausgewählt sind, die aus TCTA, Tris[4-(diethylamino)phenyl]amin, N-(Biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluoren-2-amin, TAPC, MTDATA, 1,3-Bis(carbazol-9-yl)benzol(mCP), 3,3'-Bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl (mCBP), CuPc, N,N'-Bis[4-[bis(3-methylphenyl)amino]phenyl]-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamin (DNTPD), TDAPB, DCDPA und 2,8-Bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)dibenzo[b,d]thiophen) besteht. Die EBL 246 kann eine Dicke von 5 bis 20 nm aufweisen. Die Dicke der EBL 246 kann beispielsweise gleich oder kleiner als die zweite Dicke t2 der Zwischenfunktionsschicht 270 sein.
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Die HBL 252 umfasst ein Material mit einem niedrigeren HOMO-Energieniveau als die EML 260 und die Zwischenfunktionsschicht 270.
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Die HBL 252 kann die Verbindung in Formel 8 umfassen.
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Alternativ kann die HBL 252 mindestens eine von Verbindungen umfassen, die aus der Gruppe ausgewählt sind, die aus BCP, BAlq, Alq3, PBD, Spiro-PBD, Liq, Bis-4,6-(3,5-di-3-pyridylphenyl)-2-methylpyrimidin (B3PYMPM), Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl]etheroxid (DPEPO), 9-(6-9H-Carbazol-9-yl)pyridin-3-yl)-9H-3,9'-bicarbazol und TSPO1 besteht.
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Die HBL 252 kann eine Dicke von 5 bis 20 nm aufweisen. Die Dicke der HBL 252 kann beispielsweise gleich oder kleiner als die zweite Dicke t2 der Zwischenfunktionsschicht 270 sein.
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Wie vorstehend dargestellt, kontaktiert die EBL 246 eine erste Oberfläche der EML 260, d. h. eine Oberfläche an einer Seite der ersten Elektrode 210, und die HBL 260 ist von einer zweiten Oberfläche der EML 260, d. h. einer Oberfläche an einer Seite der zweiten Elektrode 230, beabstandet und kontaktiert die Zwischenfunktionsschicht 270.
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Die OLED D1 kann ferner eine HTL 244 zwischen der ersten Elektrode 210 und der EBL 246 und/oder eine ETL 254 zwischen der zweiten Elektrode 230 und der HBL 252 umfassen.
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Außerdem kann die OLED D1 ferner eine HIL 242 zwischen der ersten Elektrode 210 und der HTL 244 und/oder eine EIL 256 zwischen der zweiten Elektrode 230 und der ETL 254 umfassen.
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Die HTL 244 kann beispielsweise eine der Verbindungen in Formel 9 umfassen.
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Alternativ kann die HTL 244 eine der Verbindungen umfassen, die aus der Gruppe ausgewählt sind, die aus N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamin; TPD), N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)-1,1'-biphenyl-4,4"-diamin (NPB; NPD), 4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl (CBP), Poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin] (Poly-TPD), (Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(4-sec-butylphenyl)diphenylamin))] (TFB), Di-[4-(N,N-di-p-tolyl-amino)-phenyl]cyclohexan (TAPC), 3,5-Di(9H-carbazol-9-yl)-N,N-diphenylanilin (DCDPA), N-(Biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluoren-2-amin und N-(Biphenyl-4-yl)-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3 -yl)phenyl)biphenyl-4-amin besteht.
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Die HIL 242 kann eine der Verbindung in Formel 9 und die Verbindung in Formel 10 als Dotierungsmaterial umfassen. In der HIL 242 kann die Verbindung in Formel 10 Gew.-% von etwa 1 bis 10 aufweisen.
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Alternativ kann die HIL 242 mindestens eine der Verbindungen umfassen, die aus der Gruppe ausgewählt sind, die aus 4,4',4"-Tris(3-methylphenylamino)triphenylamin (MTDATA), 4,4',4"-Tris(N,N-diphenyl-amino)triphenylamin (NATA), 4,4',4"-Tris(N-(naphthalin-1-yl)-N-phenyl-amino)triphenylamin (1T-NATA), 4,4',4"-Tris(N-(naphthalin-2-yl)-N-phenyl-amino)triphenylamin (2T-NATA), Kupferphthalocyanin (CuPc), Tris(4-carbazoyl-9-yl-phenyl)amin (TCTA), NPB (oder NPD), 1,4,5,8,9,11-Hexaazatriphenylenehexacarbonitril(dipyrazino[2,3-f:2'3'-h]chinoxalin-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitril; HAT-CN), 1,3,5-Tris[4-(diphenylamino)phenyl]benzol (TDAPB), Poly(3,4-ethylendioxythiphen)polystyrolsulfonat (PEDOT/PSS) und N-(Biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluoren-2-amin besteht.
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Die HTL 254 kann mindestens eine der Verbindungen in Formel 11 umfassen.
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Alternativ kann die ETL 254 eine von einer Verbindung auf Oxadiazolbasis, einer Verbindung auf Triazolbasis, einer Verbindung auf Phenanthrolinbasis, einer Verbindung auf Benzoxazolbasis, einer Verbindung auf Benzothiazolbasis, einer Verbindung auf Benzimidazolbasis und einer Verbindung auf Triazinbasis umfassen. Die ETL 254 kann beispielsweise die Verbindung umfassen, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Tris-(8-hydroxychinolinaluminium (Alq3), 2-Biphenyl-4-yl-5-(4-t-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol (PBD), Spiro-PBD, Lithiumchinolat (Liq), 1,3,5-Tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl)benzol (TPBi), Bis(2-methyl-8-chinolinolato-N1,O8)-(1,1'-biphenyl-4-olato)aluminium (BAlq), 4,7-Diphenyl-1,10-phenanthrolin (Bphen), 2,9-Bis(naphthalin-2-yl)4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolin (NBphen), 2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenathrolin (BCP), 3-(4-Biphenyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazol (TAZ), 4-(Naphthalin-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazol (NTAZ), 1,3,5-tri(p-pyrid-3-yl-phenyl)benzol (TpPyPB), 2,4,6-Tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)1,3,5-triazin(TmPPPyTz), Poly[9,9-bis(3'-((N,N-dimethyl)-N-ethylammonium)-propyl)-2,7-fluoren]-alt-2,7-(9,9-dioctylfluoren)] (PFNBr), Tris(phenylchinoxalin (TPQ) und Diphenyl-4-triphenylsilyl-phenylphosphinoxid (TSPO1) besteht.
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Die EIL 256 umfasst eine Alkalihalogenidverbindung, wie z. B. LiF, CsF, NaF oder BaF2, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
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Die Abdeckschicht 290 ist auf oder über der zweiten Elektrode 230 positioniert und kann eine der Verbindungen in Formel 9 umfassen.
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In der OLED D1 der vorliegenden Offenbarung umfasst die EML 260 die zweite Verbindung 264 mit einer hohen Quanteneffizienz und die dritte Verbindung 266 mit einer schmalen FWHM, so dass die OLED D1 Hyperfluoreszenz bereitstellt.
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Da die Zwischenfunktionsschicht 270, die die zweite Verbindung 274 mit demselben Kern wie die zweite Verbindung 264 in der EML 260 und einem höheren LUMO-Energieniveau als die zweite Verbindung 264 in der EML 260 umfasst, zwischen der EML 260 und der HBL 252 angeordnet ist, sind außerdem die Ansteuerspannung und die FWHM der OLED D1 verringert und die Emissionseffizienz (Luminanz) der OLED D1 ist verbessert.
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Das Ladungsgleichgewicht in der EML 260 ist nämlich durch die Zwischenfunktionsschicht 270 verbessert und das Exzitonlöschproblem, das sich aus der Exzitonübertragung von der EML 260 in die HBL 252 ergibt, ist verhindert. Folglich ist die Emissionseigenschaft der OLED D1 verbessert.
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Da eine Exzitonerzeugungszone, d. h. eine Rekombinationszone des Lochs und des Elektrons, die an einer Grenzfläche zwischen der EML 260 und der HBL 252 in der OLED des Standes der Technik dargestellt ist, in Richtung der EBL 246 verschoben ist, ist überdies die Emissionseigenschaft der OLED D1 weiter verbessert.
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Da die zweite Verbindung 264 als erste Verbindung mit verzögerter Fluoreszenz in der EML 260 und die zweite Verbindung 274 als zweite Verbindung mit verzögerter Fluoreszenz in der Zwischenfunktionsschicht 270 denselben Kern und eine ähnliche Eigenschaft aufweisen, ist ferner eine Grenzflächeneigenschaft zwischen der EML 260 und der Zwischenfunktionsschicht 270 verbessert, so dass die Emissionseigenschaft der OLED D1 weiter verbessert ist.
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5 ist eine schematische Querschnittsansicht einer OLED gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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Wie in 5 gezeigt, umfasst die OLED D2 die erste Elektrode 210, die zweite Elektrode 230, die der ersten Elektrode 210 zugewandt ist, und die organische Lichtemissionsschicht 220 dazwischen. Die organische Lichtemissionsschicht 220 umfasst einen ersten Emissionsteil 310 mit einer ersten EML 320, einer ersten Zwischenfunktionsschicht 330, einer ersten EBL 315 und einer ersten HBL 317 und einen zweiten Emissionsteil 340 mit einer zweiten EML 350, einer zweiten Zwischenfunktionsschicht 360, einer zweiten EBL 343 und einer zweiten HBL 345. Der zweite Emissionsteil 340 ist zwischen dem ersten Emissionsteil 310 und der zweiten Elektrode 230 positioniert. Außerdem kann die organische Lichtemissionsschicht 220 ferner eine CGL 370 zwischen dem ersten und dem zweiten Emissionsteil 310 und 340 umfassen. Überdies kann die OLED D2 ferner eine Abdeckschicht 290 zum Verstärken (Verbessern) einer Emissionseffizienz umfassen.
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Die organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung kann einen roten Pixelbereich, einen grünen Pixelbereich und einen blauen Pixelbereich umfassen und die OLED D2 ist im roten Pixelbereich positioniert.
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Die erste Elektrode 210 kann eine Anode sein und die zweite Elektrode 230 kann eine Kathode sein. Die erste Elektrode 210 ist eine Reflexionselektrode und die zweite Elektrode 230 ist eine transparente Elektrode (oder eine halbtransparente Elektrode). Die erste Elektrode 210 kann eine Struktur von ITO/Ag/ITO aufweisen und die zweite Elektrode 230 kann aus MgAg oder Al ausgebildet sein. Die erste Elektrode 210 kann nämlich einen ersten Durchlassgrad aufweisen und die zweite Elektrode 230 kann einen zweiten Durchlassgrad aufweisen, der größer ist als der erste Durchlassgrad.
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Alternativ kann die erste Elektrode 210 eine transparente Elektrode sein und die zweite Elektrode 230 kann eine Reflexionselektrode sein.
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Im ersten Emissionsteil 310 ist die erste EBL 315 unter der ersten EML 320 positioniert und die erste HBL 317 ist über der ersten EML 320 positioniert. Die erste EBL 315 ist nämlich zwischen der ersten Elektrode 210 und der ersten EML 320 positioniert und die erste HBL 317 ist zwischen der ersten EML 320 und dem zweiten Emissionsteil 340 positioniert. Die erste Zwischenfunktionsschicht 330 ist zwischen der ersten EML 320 und der ersten HBL 317 positioniert.
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Im ersten Emissionsteil 310 kontaktiert eine Oberfläche (Seite) der ersten EML 320 die erste EBL 315 und die andere Oberfläche der ersten EML 320 kontaktiert die erste Zwischenfunktionsschicht 330, wobei sie von der ersten HBL 317 beabstandet ist. Eine Oberfläche und die andere Oberfläche der ersten Zwischenfunktionsschicht 330 kontaktieren jeweils die erste EML 320 und die erste HBL 317. Die erste EML 320, die erste Zwischenfunktionsschicht 330, die erste HBL 317 sind nämlich sequentiell auf die erste EBL 315 gestapelt.
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Die erste EML 320 umfasst eine erste Verbindung 322, eine zweite Verbindung 324 und eine dritte Verbindung 326. Die erste Verbindung 322 wirkt als Wirt, die zweite Verbindung 324 wirkt als Hilfswirt (Hilfsdotierungsmaterial) und die dritte Verbindung 326 wirkt als Dotierungsmaterial (Emitter). Die zweite Verbindung 324 ist eine Verbindung mit verzögerter Fluoreszenz und die dritte Verbindung 326 ist eine Fluoreszenzverbindung.
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Die erste Zwischenfunktionsschicht 330 umfasst eine erste Verbindung 332 und eine zweite Verbindung 334.
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Jede der ersten Verbindung 322 in der ersten EML 320 und der ersten Verbindung 332 in der ersten Zwischenfunktionsschicht 330 ist durch Formel 1 dargestellt.
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Die erste Verbindung 322 in der ersten EML 320 und die erste Verbindung 332 in der ersten Zwischenfunktionsschicht 330 weisen dieselbe chemische Struktur auf und können gleich oder verschieden sein. Jede der ersten Verbindung 322 in der ersten EML 320 und der ersten Verbindung 332 in der ersten Zwischenfunktionsschicht 330 kann beispielsweise eine der Verbindungen in Formel 2 sein.
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Jede der zweiten Verbindung 324 in der ersten EML 320 und der zweiten Verbindung 334 in der ersten Zwischenfunktionsschicht 330 ist durch Formel 3-1 dargestellt und die zweite Verbindung 324 in der ersten EML 320 und die zweite Verbindung 334 in der ersten Zwischenfunktionsschicht 330 sind unterschiedlich. Die zweite Verbindung 324 in der ersten EML 320 kann durch Formel 3a dargestellt sein und die zweite Verbindung 334 in der ersten Zwischenfunktionsschicht 330 kann durch Formel 3b dargestellt sein.
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Die zweite Verbindung 334 in der ersten Zwischenfunktionsschicht 330 weist ein höheres LUMO-Energieniveau als die zweite Verbindung 324 in der ersten EML 320 auf.
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Die zweite Verbindung 324 in der ersten EML 320 ist beispielsweise eine der Verbindungen in Formel 4 und die zweite Verbindung 334 in der ersten Zwischenfunktionsschicht 330 ist eine andere der Verbindungen in Formel 4.
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Die dritte Verbindung 326 in der ersten EML 320 ist durch Formel 5 dargestellt und kann eine der Verbindungen in Formel 6 sein.
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In der ersten EML 320 ist jedes von ersten Gew.-% der ersten Verbindung 322 und von zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 324 größer als dritte Gew.-% der dritten Verbindung 326. Die zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 324 können gleich wie oder verschieden von den ersten Gew.-% der ersten Verbindung 322 sein. Die erste EML 320 besteht aus den ersten bis dritten Verbindungen 322, 324 und 326 und eine Summe der ersten Gew.-% der ersten Verbindung 322, der zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 324 und der dritten Gew.-% der dritten Verbindung 326 in der ersten EML 320 ist 100 Gew.-%.
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In der ersten Zwischenfunktionsschicht 330 sind vierte Gew.-% der ersten Verbindung 332 größer als fünfte Gew.-% der zweiten Verbindung 334. Die erste Zwischenfunktionsschicht 330 besteht aus der ersten und der zweiten Verbindung 332 und 334 und eine Summe der vierten Gew.-% der ersten Verbindung 332 und der fünften Gew.-% der zweiten Verbindung 334 in der ersten Zwischenfunktionsschicht 330 ist 100 Gew.-%.
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Die zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 324 in der ersten EML 320 sind größer als die fünften Gew.-% der zweiten Verbindung 334 in der ersten Zwischenfunktionsschicht 330. Beispielsweise können die zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 324 in der ersten EML 320 40 Gew.-% oder mehr und 60 Gew.-% oder weniger sein und die fünften Gew.-% der zweiten Verbindung 334 in der ersten Zwischenfunktionsschicht 330 können 1 Gew.-% oder mehr und 10 Gew.-% oder weniger sein.
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Die erste EML 320 weist eine erste Dicke t1 auf und die erste Zwischenfunktionsschicht 330 weist eine zweite Dicke t2 auf, die kleiner ist als die erste Dicke 11. Die zweite Dicke t2 kann 40 % oder weniger der ersten Dicke t1 sein. Die zweite Dicke t2 kann beispielsweise 10 Ä oder mehr und 100 Ä oder weniger sein.
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Die erste EML 320 ist eine Schicht zum Emittieren von Licht, während die erste Zwischenfunktionsschicht 330 eine Schicht zum Transportieren eines Elektrons in die erste EML 320 und Verhindern einer Exzitonübertragung von der ersten EML 320 und der ersten HBL 317 ist.
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Die erste EBL 315 kann beispielsweise die Verbindung in Formel 7 umfassen und die Dicke der ersten EBL 315 kann gleich oder kleiner als die zweite Dicke t2 der ersten Zwischenfunktionsschicht 330 sein.
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Die erste HBL 317 kann beispielsweise die Verbindung in Formel 8 umfassen und die Dicke der ersten HBL 317 kann gleich oder kleiner als die zweite Dicke t2 der ersten Zwischenfunktionsschicht 330 sein.
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Außerdem kann der erste Emissionsteil 310 ferner eine HIL 311 unter der ersten EBL 315, eine erste HTL 313 zwischen der ersten EBL 315 und der HIL 311 und/oder eine erste ETL 319 auf der ersten HBL 317 umfassen.
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Im zweiten Emissionsteil 340 ist die zweite EBL 343 unter der zweiten EML 350 positioniert und die zweite HBL 345 ist über der zweiten EML 350 positioniert. Die zweite EBL 343 ist nämlich zwischen dem ersten Emissionsteil 310 und der zweiten EML 350 positioniert und die zweite HBL 345 ist zwischen der zweiten EML 350 und der zweiten Elektrode 230 positioniert. Die zweite Zwischenfunktionsschicht 360 ist zwischen der zweiten EML 350 und der zweiten HBL 345 positioniert.
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Im zweiten Emissionsteil 340 kontaktiert eine Oberfläche (Seite) der zweiten EML 350 die zweite EBL 343 und die andere Oberfläche der zweiten EML 350 kontaktiert die zweite Zwischenfunktionsschicht 360, wobei sie von der zweiten HBL 345 beabstandet ist. Eine Oberfläche und die andere Oberfläche der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360 kontaktieren jeweils die zweite EML 350 und die zweite HBL 345. Die zweite EML 350, die zweite Zwischenfunktionsschicht 360, die zweite HBL 345 sind nämlich sequentiell auf die zweite EBL 343 gestapelt.
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Die zweite EML 350 umfasst eine erste Verbindung 352, eine zweite Verbindung 354 und eine dritte Verbindung 356. Die erste Verbindung 352 wirkt als Wirt, die zweite Verbindung 354 wirkt als Hilfswirt (Hilfsdotierungsmaterial) und die dritte Verbindung 356 wirkt als Dotierungsmaterial (Emitter). Die zweite Verbindung 354 ist eine Verbindung mit verzögerter Fluoreszenz und die dritte Verbindung 356 ist eine Fluoreszenzverbindung.
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Die zweite Zwischenfunktionsschicht 360 umfasst eine erste Verbindung 362 und eine zweite Verbindung 364.
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Jede der ersten Verbindung 352 in der zweiten EML 350 und der ersten Verbindung 362 in der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360 ist durch Formel 1 dargestellt.
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Die erste Verbindung 352 in der zweiten EML 350 und die erste Verbindung 362 in der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360 weisen dieselbe chemische Struktur auf und können gleich oder verschieden sein. Jede der ersten Verbindung 352 in der zweiten EML 350 und der ersten Verbindung 362 in der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360 kann beispielsweise eine der Verbindungen in Formel 2 sein.
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Die erste Verbindung 322 in der ersten EML 320, die erste Verbindung 332 in der ersten Zwischenfunktionsschicht 330, die erste Verbindung 352 in der zweiten EML 350 und die erste Verbindung 362 in der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360 können gleich oder verschieden sein.
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Jede der zweiten Verbindung 354 in der zweiten EML 350 und der zweiten Verbindung 364 in der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360 ist durch Formel 3-1 dargestellt und die zweite Verbindung 354 in der zweiten EML 350 und die zweite Verbindung 364 in der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360 sind unterschiedlich. Die zweite Verbindung 354 in der zweiten EML 350 kann durch Formel 3a dargestellt sein und die zweite Verbindung 364 in der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360 kann durch Formel 3b dargestellt sein.
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Die zweite Verbindung 364 in der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360 weist ein höheres LUMO-Energieniveau als die zweite Verbindung 354 in der zweiten EML 350 auf.
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Die zweite Verbindung 354 in der zweiten EML 350 ist beispielsweise eine der Verbindungen in Formel 4, und die zweite Verbindung 364 in der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360 ist eine andere der Verbindungen in Formel 4.
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Die zweite Verbindung 324 in der ersten EML 320 und die zweite Verbindung 354 in der zweiten EML 350 können gleich oder verschieden sein und die zweite Verbindung 334 in der ersten Zwischenfunktionsschicht 330 und die zweite Verbindung 364 in der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360 können gleich oder verschieden sein.
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Die dritte Verbindung 356 in der zweiten EML 350 ist durch Formel 5 dargestellt und kann eine der Verbindungen in Formel 6 sein.
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In der zweiten EML 350 ist jedes von ersten Gew.-% der ersten Verbindung 352 und zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 354 größer als dritte Gew.-% der dritten Verbindung 356. Die zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 354 können gleich oder verschieden von den ersten Gew.-% der ersten Verbindung 352 sein. Die zweite EML 350 besteht aus den ersten bis dritten Verbindungen 352, 354 und 356 und eine Summe der ersten Gew.-% der ersten Verbindung 352, der zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 354 und der dritten Gew.-% der dritten Verbindung 356 in der zweiten EML 350 ist 100 Gew.-%.
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In der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360 sind vierte Gew.-% der ersten Verbindung 362 größer als fünfte Gew.-% der zweiten Verbindung 364. Die zweite Zwischenfunktionsschicht 360 besteht aus der ersten und der zweiten Verbindung 362 und 364 und eine Summe der vierten Gew.-% der ersten Verbindung 362 und der fünften Gew.-% der zweiten Verbindung 364 in der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360 ist 100 Gew.-%.
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Die zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 354 in der zweiten EML 350 sind größer als die fünften Gew.-% der zweiten Verbindung 364 in der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360. Die zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 354 in der zweiten EML 350 können beispielsweise 40 Gew.-% oder mehr und 60 Gew.-% oder weniger sein und die fünften Gew.-% der zweiten Verbindung 364 in der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360 können 1 Gew.-% oder mehr und 10 Gew.-% oder weniger sein.
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Die zweite EML 350 weist eine erste Dicke t1 auf und die zweite Zwischenfunktionsschicht 360 weist eine zweite Dicke t2 auf, die kleiner ist als die erste Dicke 11. Die zweite Dicke t2 kann 40 % oder weniger der ersten Dicke t1 sein. Die zweite Dicke t2 kann beispielsweise 10 Ä oder mehr und 100 Ä oder weniger sein.
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Die zweite EML 350 ist eine Schicht zum Emittieren von Licht, während die zweite Zwischenfunktionsschicht 360 eine Schicht zum Transportieren eines Elektrons in die zweite EML 350 und Verhindern einer Exzitonübertragung von der zweiten EML 350 und der zweiten HBL 345 ist.
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Die zweite EBL 343 kann beispielsweise die Verbindung in Formel 7 umfassen und die Dicke der zweiten EBL 343 kann gleich oder kleiner als die zweite Dicke t2 der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360 sein.
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Die zweite HBL 345 kann beispielsweise die Verbindung in Formel 8 umfassen und die Dicke der zweiten HBL 345 kann gleich oder kleiner als die zweite Dicke t2 der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360 sein.
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Außerdem kann der zweite Emissionsteil 340 ferner eine zweite HTL 341 unter der zweiten EBL 343, eine EIL 349 über der zweiten HBL 345 und/oder eine zweite ETL 347 zwischen der zweiten HBL 345 und der EIL 349 umfassen.
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Die CGL 370 ist zwischen dem ersten und dem zweiten Emissionsteil 310 und 340 positioniert und der erste und der zweite Emissionsteil 310 und 340 sind durch die CGL 370 verbunden. Der erste Emissionsteil 310, die CGL 370 und der zweite Emissionsteil 340 sind sequentiell auf die erste Elektrode 210 gestapelt. Der erste Emissionsteil 310 ist nämlich zwischen der ersten Elektrode 210 und der CGL 370 positioniert und der zweite Emissionsteil 340 ist zwischen der zweiten Elektrode 230 und der CGL 370 positioniert.
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Die CGL 370 kann eine CGL vom P-N-Übergangstyp einer CGL 372 vom N-Typ und einer CGL 374 vom P-Typ sein. Die CGL 372 vom N-Typ ist zwischen der ersten ETL 319 und der zweiten HTL 341 positioniert und die CGL 374 vom P-Typ ist zwischen der CGL 372 vom N-Typ und der zweiten HTL 341 positioniert. Die CGL 372 vom N-Typ liefert ein Elektron in die erste EML 320 des ersten Emissionsteils 310 und die CGL 374 vom P-Typ liefert ein Loch in die zweite EML 350 des zweiten Emissionsteils 340.
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Die CGL 372 vom N-Typ kann einen Wirt, der das Material der ETLs 319 und 347 sein kann, und ein Dotierungsmaterial, das Li ist, umfassen. Das Dotierungsmaterial, d. h. Li, kann beispielsweise Gew.-% von 0,5 in der CGL 372 vom N-Typ aufweisen. Die CGL 374 vom P-Typ kann das Material der HIL 311 umfassen.
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Jede der CGL 372 vom N-Typ und der CGL 374 vom P-Typ kann eine Dicke von 5 bis 20 nm aufweisen. Außerdem kann die Dicke der CGL 372 vom N-Typ größer sein als die Dicke der CGL 374 vom P-Typ.
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Die Abdeckschicht 290 ist auf der zweiten Elektrode 230 positioniert. Die Abdeckschicht 290 kann beispielsweise eine der Verbindungen in Formel 9 umfassen und kann eine Dicke von 50 bis 200 nm aufweisen.
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In der OLED D2 der vorliegenden Offenbarung umfasst die erste EML 320 die zweite Verbindung 324 mit einer hohen Quanteneffizienz und die dritte Verbindung 326 mit einer schmalen FWHM und die zweite EML 350 umfasst die zweite Verbindung 354 mit einer hohen Quanteneffizienz und die dritte Verbindung 356 mit einer schmalen FWHM. Folglich stellt die OLED D2 eine Hyperfluoreszenz bereit.
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Außerdem ist die erste Zwischenfunktionsschicht 330, die die zweite Verbindung 334 mit demselben Kern wie die zweite Verbindung 324 in der ersten EML 320 und einem höheren LUMO-Energieniveau als die zweite Verbindung 324 in der ersten EML 320 umfasst, zwischen der ersten EML 320 und der ersten HBL 317 angeordnet und die zweite Zwischenfunktionsschicht 360, die die zweite Verbindung 364 mit demselben Kern wie die zweite Verbindung 354 in der zweiten EML 350 und einem höheren LUMO-Energieniveau als die zweite Verbindung 354 in der zweiten EML 350 umfasst, ist zwischen der zweiten EML 350 und der zweiten HBL 345 angeordnet. Folglich sind die Ansteuerspannung und die FWHM der OLED D2 verringert und die Emissionseffizienz (Luminanz) der OLED D2 ist verbessert.
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Das Ladungsgleichgewicht in der ersten und der zweiten EML 320 und 350 ist nämlich durch die erste und die zweite Zwischenfunktionsschicht 330 und 360 verbessert und das Exzitonlöschproblem, das sich aus der Exzitonübertragung von der ersten EML 320 in die erste HBL 317 und von der zweiten EML 350 in die zweite HBL 345 ergibt, ist verhindert. Folglich ist die Emissionseigenschaft der OLED D2 verbessert.
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Da eine Exzitonerzeugungszone, d. h. eine Rekombinationszone des Lochs und des Elektrons, die an einer Grenzfläche zwischen der ersten EML 320 und der ersten HBL 317 und zwischen der zweiten EML 350 und der zweiten HBL 345 in der OLED des Standes der Technik dargestellt ist, in Richtung der ersten und der zweiten EBL 315 und 343 verschoben ist, ist überdies die Emissionseigenschaft der OLED D2 weiter verbessert.
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Ferner weisen die zweite Verbindung 324 als Verbindung mit verzögerter Fluoreszenz in der ersten EML 320 und die zweite Verbindung 334 als Verbindung mit verzögerter Fluoreszenz in der ersten Zwischenfunktionsschicht 330 denselben Kern und eine ähnliche Eigenschaft auf und die zweite Verbindung 354 als Verbindung mit verzögerter Fluoreszenz in der zweiten EML 350 und die zweite Verbindung 364 als Verbindung mit verzögerter Fluoreszenz in der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360 weisen denselben Kern und eine ähnliche Eigenschaft auf. Folglich ist eine Grenzflächeneigenschaft zwischen der ersten EML 320 und der ersten Zwischenfunktionsschicht 330 und zwischen der zweiten EML 350 und der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360 verbessert, so dass die Emissionseigenschaft der OLED D2 weiter verbessert ist.
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6 ist eine schematische Querschnittsansicht einer OLED gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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Wie in 6 gezeigt, umfasst die OLED D3 die erste Elektrode 210, die zweite Elektrode 230, die der ersten Elektrode 210 zugewandt ist, und die organische Lichtemissionsschicht 220 dazwischen. Die organische Lichtemissionsschicht 220 umfasst einen ersten Emissionsteil 410 mit einer ersten EML 420 und einen zweiten Emissionsteil 440 mit einer zweiten EML 450, einer Zwischenfunktionsschicht 460, einer EBL 443 und einer HBL 445. Der zweite Emissionsteil 440 ist zwischen dem ersten Emissionsteil 410 und der zweiten Elektrode 230 positioniert. Außerdem kann die organische Lichtemissionsschicht 220 ferner eine CGL 470 zwischen dem ersten und dem zweiten Emissionsteil 410 und 440 umfassen. Überdies kann die OLED D3 ferner eine Abdeckschicht 290 zum Verstärken (Verbessern) einer Emissionseffizienz umfassen.
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Die organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung kann einen roten Pixelbereich, einen grünen Pixelbereich und einen blauen Pixelbereich umfassen und die OLED D3 ist im roten Pixelbereich positioniert.
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Die erste Elektrode 210 kann eine Anode sein und die zweite Elektrode 230 kann eine Kathode sein. Die erste Elektrode 210 ist eine Reflexionselektrode und die zweite Elektrode 230 ist eine transparente Elektrode (oder eine halbtransparente Elektrode). Die erste Elektrode 210 kann beispielsweise eine Struktur von ITO/Ag/ITO aufweisen und die zweite Elektrode 230 kann aus MgAg oder Al ausgebildet sein. Die erste Elektrode 210 kann nämlich einen ersten Durchlassgrad aufweisen und die zweite Elektrode 230 kann einen zweiten Durchlassgrad aufweisen, der größer ist als der erste Durchlassgrad.
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Alternativ kann die erste Elektrode 210 eine transparente Elektrode sein und die zweite Elektrode 230 kann eine Reflexionselektrode sein.
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Die erste EML 410 umfasst eine vierte Verbindung 422 und eine fünfte Verbindung 424. Die vierte Verbindung 422 ist ein Wirt und die fünfte Verbindung 424 ist ein Phosphoreszenzdotierungsmaterial (Emitter).
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Die vierte Verbindung 422 kann die Verbindung in Formel 12 sein.
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Die fünfte Verbindung 424 kann die Verbindung in Formel 13 sein.
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In der ersten EML 420 sind Gew.-% der vierten Verbindung 422 größer als jene der fünften Verbindung 424. In der ersten EML 420 kann beispielsweise die fünfte Verbindung 424 Gew.-% von 0,1 bis 10 aufweisen.
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Der erste Emissionsteil 410 umfasst ferner eine erste HTL 413 unter der ersten EML 420 und eine erste ETL 419 auf der ersten EML 420. Die erste HTL 413 ist nämlich zwischen der ersten EML 420 und der ersten Elektrode 210 positioniert und die erste ETL 419 ist zwischen der ersten EML 420 und dem zweiten Emissionsteil 440 positioniert.
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Eine Oberfläche und die andere Oberfläche der ersten EML 420 kontaktieren jeweils die erste HTL 413 und die erste ETL 419. Eine EBL, eine HBL und eine Zwischenfunktionsschicht sind nämlich nicht im ersten Emissionsteil 410 mit der ersten EML 420 dargestellt, die eine Phosphoreszenzemissionsschicht ist.
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Die erste HTL 413 kann beispielsweise eine der Verbindungen in Formel 9 umfassen und die erste ETL 519 kann eine der Verbindungen in Formel 11 umfassen.
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Außerdem kann der erste Emissionsteil 410 ferner eine HIL 411 unter der ersten HTL 413 umfassen. Die HIL 411 ist nämlich zwischen der ersten Elektrode 210 und der ersten HTL 413 positioniert.
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Im zweiten Emissionsteil 440 ist die EBL 443 unter der zweiten EML 450 positioniert und die HBL 445 ist über der zweiten EML 450 positioniert. Die EBL 443 ist nämlich zwischen dem ersten Emissionsteil 410 und der zweiten EML 450 positioniert und die HBL 445 ist zwischen der zweiten EML 450 und der zweiten Elektrode 230 positioniert. Die Zwischenfunktionsschicht 460 ist zwischen der zweiten EML 450 und der HBL 445 positioniert.
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Im zweiten Emissionsteil 440 kontaktiert eine Oberfläche (Seite) der zweiten EML 450 die EBL 443 und die andere Oberfläche der zweiten EML 450 kontaktiert die Zwischenfunktionsschicht 460, wobei sie von der HBL 445 beabstandet ist. Eine Oberfläche und die andere Oberfläche der Zwischenfunktionsschicht 460 kontaktieren jeweils die zweite EML 450 und die HBL 445. Die zweite EML 450, die Zwischenfunktionsschicht 460, die HBL 445 sind nämlich sequentiell auf die EBL 443 gestapelt.
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Im ersten Emissionsteil 410 mit der ersten EML 420 als Phosphoreszenzemissionsschicht sind eine EBL, eine Zwischenfunktionsschicht und eine HBL nicht dargestellt, so dass die erste EML 420 die erste HTL 413 und die erste ETL 419 kontaktiert. Andererseits kontaktiert im zweiten Emissionsteil 440 mit der zweiten EML 450 als Fluoreszenzemissionsschicht die zweite EML 450 die EBL 443 und die Zwischenfunktionsschicht 460.
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Die zweite EML 450 umfasst eine erste Verbindung 452, eine zweite Verbindung 454 und eine dritte Verbindung 456. Die erste Verbindung 452 wirkt als Wirt, die zweite Verbindung 454 wirkt als Hilfswirt (Hilfsdotierungsmaterial) und die dritte Verbindung 456 wirkt als Dotierungsmaterial (Emitter). Die zweite Verbindung 454 ist eine Verbindung mit verzögerter Fluoreszenz und die dritte Verbindung 456 ist eine Fluoreszenzverbindung.
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Eine Differenz zwischen einer maximalen Emissionswellenlänge der ersten EML 420 und einer maximalen Emissionswellenlänge der zweiten EML 450 kann 5 nm oder weniger sein. Eine Differenz zwischen einer maximalen Emissionswellenlänge der fünften Verbindung 424 in der ersten EML 420 und einer maximalen Emissionswellenlänge der dritten Verbindung 456 in der zweiten EML 450 kann 5 nm oder weniger sein.
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Die Zwischenfunktionsschicht 460 umfasst eine erste Verbindung 462 und eine zweite Verbindung 464.
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Jede der ersten Verbindung 452 in der zweiten EML 450 und der ersten Verbindung 462 in der Zwischenfunktionsschicht 460 ist durch Formel 1 dargestellt.
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Die erste Verbindung 452 in der zweiten EML 450 und die erste Verbindung 462 in der Zwischenfunktionsschicht 460 weisen dieselbe chemische Struktur auf und können gleich oder verschieden sein. Jede der ersten Verbindung 452 in der zweiten EML 450 und der ersten Verbindung 462 in der Zwischenfunktionsschicht 460 kann beispielsweise eine der Verbindungen in Formel 2 sein.
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Jede der zweiten Verbindung 454 in der zweiten EML 450 und der zweiten Verbindung 464 in der Zwischenfunktionsschicht 460 ist durch Formel 3-1 dargestellt und die zweite Verbindung 454 in der zweiten EML 450 und die zweite Verbindung 464 in der Zwischenfunktionsschicht 460 sind unterschiedlich. Die zweite Verbindung 454 in der zweiten EML 450 kann durch Formel 3a dargestellt sein und die zweite Verbindung 464 in der Zwischenfunktionsschicht 460 kann durch Formel 3b dargestellt sein.
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Die zweite Verbindung 464 in der Zwischenfunktionsschicht 460 weist ein höheres LUMO-Energieniveau als die zweite Verbindung 454 in der zweiten EML 450 auf.
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Die zweite Verbindung 454 in der zweiten EML 450 ist beispielsweise eine der Verbindungen in Formel 4 und die zweite Verbindung 464 in der Zwischenfunktionsschicht 460 ist eine andere der Verbindungen in Formel 4.
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Die dritte Verbindung 456 in der zweiten EML 450 ist durch Formel 5 dargestellt und kann eine der Verbindungen in Formel 6 sein.
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In der zweiten EML 450 ist jedes von ersten Gew.-% der ersten Verbindung 452 und zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 454 größer als dritte Gew.-% der dritten Verbindung 456. Die zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 454 können gleich wie oder verschieden von den ersten Gew.-% der ersten Verbindung 452 sein. Die zweite EML 450 besteht aus den ersten bis dritten Verbindungen 452, 454 und 456 und eine Summe der ersten Gew.-% der ersten Verbindung 452, der zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 454 und der dritten Gew.-% der dritten Verbindung 456 in der zweiten EML 450 ist 100 Gew.-%.
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In der Zwischenfunktionsschicht 460 sind vierte Gew.-% der ersten Verbindung 462 größer als fünfte Gew.-% der zweiten Verbindung 464. Die Zwischenfunktionsschicht 460 besteht aus der ersten und der zweiten Verbindung 462 und 464 und eine Summe der vierten Gew.-% der ersten Verbindung 462 und der fünften Gew.-% der zweiten Verbindung 464 in der Zwischenfunktionsschicht 460 ist 100 Gew.-%.
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Die zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 454 in der zweiten EML 450 sind größer als die fünften Gew.-% der zweiten Verbindung 464 in der Zwischenfunktionsschicht 460. Die zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 454 in der zweiten EML 450 können beispielsweise 40 Gew.-% oder mehr und 60 Gew.-% oder weniger sein und die fünften Gew.-% der zweiten Verbindung 464 in der Zwischenfunktionsschicht 460 können 1 Gew.-% oder mehr und 10 Gew.-% oder weniger sein.
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Die zweite EML 450 weist eine erste Dicke t1 auf und die Zwischenfunktionsschicht 460 weist eine zweite Dicke t2 auf, die kleiner ist als die erste Dicke 11. Die zweite Dicke t2 kann 40 % oder weniger der ersten Dicke t1 sein. Die zweite Dicke t2 kann beispielsweise 10 Ä oder mehr und 100 Ä oder weniger sein.
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Die zweite EML 450 ist eine Schicht zum Emittieren von Licht, während die Zwischenfunktionsschicht 460 eine Schicht zum Transportieren eines Elektrons in die zweite EML 450 und Verhindern einer Exzitonübertragung von der zweiten EML 450 und der HBL 445 ist.
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Die EBL 443 kann beispielsweise die Verbindung in Formel 7 umfassen und die Dicke der EBL 443 kann gleich oder kleiner als die zweite Dicke t2 der Zwischenfunktionsschicht 460 sein.
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Die HBL 445 kann beispielsweise die Verbindung in Formel 8 umfassen und die Dicke der HBL 445 kann gleich oder kleiner als die zweite Dicke t2 der Zwischenfunktionsschicht 460 sein.
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Außerdem kann der zweite Emissionsteil 440 ferner eine zweite HTL 441 unter der zweiten EBL 443, eine EIL 449 über der zweiten HBL 345 und/oder eine zweite ETL 447 zwischen der zweiten HBL 445 und der EIL 449 umfassen.
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Die CGL 470 ist zwischen dem ersten und dem zweiten Emissionsteil 410 und 440 positioniert und der erste und der zweite Emissionsteil 410 und 440 sind durch die CGL 470 verbunden. Der erste Emissionsteil 410, die CGL 470 und der zweite Emissionsteil 440 sind sequentiell auf die erste Elektrode 210 gestapelt. Der erste Emissionsteil 410 ist nämlich zwischen der ersten Elektrode 410 und der CGL 470 positioniert und der zweite Emissionsteil 440 ist zwischen der zweiten Elektrode 430 und der CGL 470 positioniert.
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Die CGL 470 kann eine CGL vom P-N-Übergangstyp einer CGL 472 vom N-Typ und einer CGL 474 vom P-Typ sein. Die CGL 472 vom N-Typ ist zwischen der ersten ETL 419 und der zweiten HTL 441 positioniert und die CGL 474 vom P-Typ ist zwischen der CGL 472 vom N-Typ und der zweiten HTL 441 positioniert. Die CGL 472 vom N-Typ liefert ein Elektron in die erste EML 420 des ersten Emissionsteils 410 und die CGL 474 vom P-Typ liefert ein Loch in die zweite EML 450 des zweiten Emissionsteils 440.
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Die CGL 472 vom N-Typ kann einen Wirt, der ein Material der ETLs 419 und 447 sein kann, und ein Dotierungsmaterial, das Li ist, umfassen. Das Dotierungsmaterial, d. h. Li, kann beispielsweise Gew.-% von 0,5 in der CGL 472 vom N-Typ aufweisen. Die CGL 474 vom P-Typ kann das Material der HIL 411 umfassen.
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Jede der CGL 472 vom N-Typ und der CGL 474 vom P-Typ kann eine Dicke von 5 bis 20 nm aufweisen. Außerdem kann die Dicke der CGL 472 vom N-Typ größer sein als die Dicke der CGL 474 vom P-Typ.
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Die Abdeckschicht 290 ist auf der zweiten Elektrode 230 positioniert. Die Abdeckschicht 290 kann beispielsweise eine der Verbindungen in Formel 9 umfassen und kann eine Dicke von 50 bis 200 nm aufweisen.
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In der OLED D3 der vorliegenden Offenbarung umfasst die erste EML 420 die fünfte Verbindung 242, die ein Phosphoreszenzdotierungsmaterial ist, und die zweite EML 450 umfasst die zweite Verbindung 454 mit einer hohen Quanteneffizienz und die dritte Verbindung 456 mit einer schmalen FWHM. Folglich stellt die OLED D3 eine hohe Emissionseffizienz, hohe Farbreinheit und lange Lebensdauer bereit.
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Außerdem ist die Zwischenfunktionsschicht 460, die die zweite Verbindung 464 mit demselben Kern wie die zweite Verbindung 454 in der zweiten EML 450 und einem höheren LUMO-Energieniveau als die zweite Verbindung 454 in der zweiten EML 450 umfasst, zwischen der zweiten EML 450 und der HBL 445 angeordnet. Folglich sind die Ansteuerspannung und die FWHM der OLED D3 verringert und die Emissionseffizienz (Luminanz) der OLED D3 ist verbessert.
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Das Ladungsgleichgewicht in der zweiten EML 450 ist nämlich durch die Zwischenfunktionsschicht 460 verbessert und das Exzitonlöschproblem, das sich aus der zweiten EML 450 in die HBL 445 ergibt, ist verhindert. Folglich ist die Emissionseigenschaft der OLED D3 verbessert.
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Da eine Exzitonerzeugungszone, d. h. eine Rekombinationszone des Lochs und des Elektrons, die an einer Grenzfläche zwischen der zweiten EML 450 und der HBL 445 in der OLED des Standes der Technik dargestellt ist, in Richtung der EBL 443 verschoben ist, ist überdies die Emissionseigenschaft der OLED D3 weiter verbessert.
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Ferner weisen die zweite Verbindung 454 als Verbindung mit verzögerter Fluoreszenz in der zweiten EML 450 und die zweite Verbindung 464 als Verbindung mit verzögerter Fluoreszenz in der Zwischenfunktionsschicht 460 denselben Kern und eine ähnliche Eigenschaft auf. Folglich ist eine Grenzflächeneigenschaft zwischen der zweiten EML 450 und der Zwischenfunktionsschicht 460 verbessert, so dass die Emissionseigenschaft der OLED D3 weiter verbessert ist.
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7 ist eine schematische Querschnittsansicht einer OLED gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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Wie in 7 gezeigt, umfasst die OLED D4 die erste Elektrode 210, die zweite Elektrode 230, die der ersten Elektrode 210 zugewandt ist, und die organische Lichtemissionsschicht 220 dazwischen. Die organische Lichtemissionsschicht 220 umfasst einen ersten Emissionsteil 510 mit einer ersten EML 520, einer Zwischenfunktionsschicht 530, einer EBL 515 und einer HBL 517 und einen zweiten Emissionsteil 540 mit einer zweiten EML 550. Der zweite Emissionsteil 540 ist zwischen dem ersten Emissionsteil 510 und der zweiten Elektrode 230 positioniert. Außerdem kann die organische Lichtemissionsschicht 220 ferner eine CGL 570 zwischen dem ersten und dem zweiten Emissionsteil 510 und 540 umfassen. Überdies kann die OLED D4 ferner eine Abdeckschicht 290 zum Verstärken (Verbessern) einer Emissionseffizienz umfassen.
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Die organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung kann einen roten Pixelbereich, einen grünen Pixelbereich und einen blauen Pixelbereich umfassen und die OLED D4 ist im roten Pixelbereich positioniert.
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Die erste Elektrode 210 kann eine Anode sein und die zweite Elektrode 230 kann eine Kathode sein. Die erste Elektrode 210 ist eine Reflexionselektrode und die zweite Elektrode 230 ist eine transparente Elektrode (oder eine halbtransparente Elektrode). Die erste Elektrode 210 kann beispielsweise eine Struktur von ITO/Ag/ITO aufweisen und die zweite Elektrode 230 kann aus MgAg oder Al ausgebildet sein. Die erste Elektrode 210 kann nämlich einen ersten Durchlassgrad aufweisen und die zweite Elektrode 230 kann einen zweiten Durchlassgrad aufweisen, der größer ist als der erste Durchlassgrad.
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Im ersten Emissionsteil 510 ist die EBL 515 unter der ersten EML 520 positioniert und die HBL 517 ist über der ersten EML 520 positioniert. Die EBL 515 ist nämlich zwischen der ersten Elektrode 210 und der ersten EML 520 positioniert und die HBL 517 ist zwischen der ersten EML 520 und dem zweiten Emissionsteil 540 positioniert. Die Zwischenfunktionsschicht 530 ist zwischen der ersten EML 520 und der HBL 517 positioniert.
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Im ersten Emissionsteil 510 kontaktiert eine Oberfläche (Seite) der ersten EML 520 die EBL 515 und die andere Oberfläche der ersten EML 520 kontaktiert die Zwischenfunktionsschicht 530, während sie von der HBL 517 beabstandet ist. Eine Oberfläche und die andere Oberfläche der Zwischenfunktionsschicht 530 kontaktieren jeweils die erste EML 520 und die HBL 517. Die erste EML 520, die Zwischenfunktionsschicht 530, die HBL 517 sind nämlich sequentiell auf die EBL 515 gestapelt.
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Die erste EML 520 umfasst eine erste Verbindung 522, eine zweite Verbindung 524 und eine dritte Verbindung 526. Die erste Verbindung 522 wirkt als Wirt, die zweite Verbindung 524 wirkt als Hilfswirt (Hilfsdotierungsmaterial) und die dritte Verbindung 526 wirkt als Dotierungsmaterial (Emitter). Die zweite Verbindung 524 ist eine Verbindung mit verzögerter Fluoreszenz und die dritte Verbindung 526 ist eine Fluoreszenzverbindung.
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Die Zwischenfunktionsschicht 530 umfasst eine erste Verbindung 532 und eine zweite Verbindung 534.
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Jede der ersten Verbindung 522 in der ersten EML 520 und der ersten Verbindung 532 in der Zwischenfunktionsschicht 530 ist durch Formel 1 dargestellt.
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Die erste Verbindung 522 in der ersten EML 520 und die erste Verbindung 532 in der Zwischenfunktionsschicht 530 weisen dieselbe chemische Struktur auf und können gleich oder verschieden sein. Jede der ersten Verbindung 522 in der ersten EML 520 und der ersten Verbindung 532 in der Zwischenfunktionsschicht 530 kann beispielsweise eine der Verbindungen in Formel 2 sein.
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Jede der zweiten Verbindung 524 in der ersten EML 520 und der zweiten Verbindung 534 in der Zwischenfunktionsschicht 530 ist durch Formel 3-1 dargestellt und die zweite Verbindung 524 in der ersten EML 520 und die zweite Verbindung 534 in der Zwischenfunktionsschicht 530 sind unterschiedlich. Die zweite Verbindung 524 in der ersten EML 520 kann durch Formel 3a dargestellt sein und die zweite Verbindung 534 in der Zwischenfunktionsschicht 530 kann durch Formel 3b dargestellt sein.
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Die zweite Verbindung 534 in der Zwischenfunktionsschicht 530 weist ein höheres LUMO-Energieniveau auf als die zweite Verbindung 524 in der ersten EML 520.
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Die zweite Verbindung 524 in der ersten EML 520 ist beispielsweise eine der Verbindungen in Formel 4 und die zweite Verbindung 534 in der Zwischenfunktionsschicht 530 ist eine andere der Verbindungen in Formel 4.
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Die dritte Verbindung 526 in der ersten EML 520 ist durch Formel 5 dargestellt und kann eine der Verbindungen in Formel 6 sein.
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In der ersten EML 520 ist jedes von ersten Gew.-% der ersten Verbindung 522 und zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 524 größer als dritte Gew.-% der dritten Verbindung 526. Die zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 524 können gleich oder verschieden von den ersten Gew.-% der ersten Verbindung 522 sein. Die erste EML 520 besteht aus den ersten bis dritten Verbindungen 522, 524 und 526 und eine Summe der ersten Gew.-% der ersten Verbindung 522, der zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 524 und der dritten Gew.-% der dritten Verbindung 526 in der ersten EML 320 ist 100 Gew.-%.
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In der Zwischenfunktionsschicht 530 sind vierte Gew.-% der ersten Verbindung 532 größer als fünfte Gew.-% der zweiten Verbindung 534. Die Zwischenfunktionsschicht 530 besteht aus der ersten und der zweiten Verbindung 532 und 534 und eine Summe der vierten Gew.-% der ersten Verbindung 532 und der fünften Gew.-% der zweiten Verbindung 534 in der Zwischenfunktionsschicht 530 ist 100 Gew.-%.
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Die zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 524 in der ersten EML 520 sind größer als die fünften Gew.-% der zweiten Verbindung 534 in der Zwischenfunktionsschicht 530. Die zweiten Gew.-% der zweiten Verbindung 524 in der ersten EML 520 können beispielsweise 40 Gew.-% oder mehr und 60 Gew.-% oder weniger sein und die fünften Gew.-% der zweiten Verbindung 534 in der Zwischenfunktionsschicht 530 können 1 Gew.-% oder mehr und 10 Gew.-% oder weniger sein.
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Die erste EML 520 weist eine erste Dicke t1 auf und die Zwischenfunktionsschicht 530 weist eine zweite Dicke t2 auf, die kleiner ist als die erste Dicke 11. Die zweite Dicke t2 kann 40 % oder weniger der ersten Dicke t1 sein. Die zweite Dicke t2 kann beispielsweise 10 Ä oder mehr und 100 Ä oder weniger sein.
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Die erste EML 520 ist eine Schicht zum Emittieren von Licht, während die Zwischenfunktionsschicht 530 eine Schicht zum Transportieren eines Elektrons in die erste EML 520 und Verhindern einer Exzitonübertragung von der ersten EML 520 und der HBL 317 ist.
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Die EBL 515 kann beispielsweise die Verbindung in Formel 7 umfassen und die Dicke der EBL 515 kann gleich oder kleiner als die zweite Dicke t2 der Zwischenfunktionsschicht 530 sein.
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Die HBL 517 kann beispielsweise die Verbindung in Formel 8 umfassen und die Dicke der HBL 517 kann gleich oder kleiner als die zweite Dicke t2 der Zwischenfunktionsschicht 530 sein.
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Außerdem kann der erste Emissionsteil 510 ferner eine HIL 511 unter der EBL 515, eine erste HTL 513 zwischen der EBL 515 und der HIL 511 und/oder eine erste ETL 519 auf der HBL 517 umfassen.
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Die zweite EML 550 umfasst eine vierte Verbindung 552 und eine fünfte Verbindung 554. Die vierte Verbindung 552 ist ein Wirt und die fünfte Verbindung 554 ist ein Phosphoreszenzdotierungsmaterial (Emitter).
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Die vierte Verbindung 552 kann die Verbindung in Formel 12 sein und die fünfte Verbindung 554 kann die Verbindung in Formel 13 sein.
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Der zweite Emissionsteil 540 umfasst ferner eine zweite HTL 541 unter der zweiten EML 550 und eine zweite ETL 547 auf der zweiten EML 550. Die zweite HTL 541 ist nämlich zwischen der zweiten EML 550 und dem ersten Emissionsteil 510 positioniert und die erste ETL 547 ist zwischen der zweiten EML 550 und der zweiten Elektrode 230 positioniert.
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Eine Oberfläche und die andere Oberfläche der zweiten EML 550 kontaktieren jeweils die zweite HTL 413 und die zweite ETL 419. Eine EBL, eine HBL und eine Zwischenfunktionsschicht sind nämlich nicht im zweiten Emissionsteil 540 mit der zweiten EML 550 dargestellt, die eine Phosphoreszenzemissionsschicht ist.
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Die zweite HTL 541 kann beispielsweise eine der Verbindungen in Formel 9 umfassen und die zweite ETL 547 kann eine der Verbindungen in Formel 11 umfassen.
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Außerdem kann der zweite Emissionsteil 540 ferner eine EIL 549 auf der zweiten ETL 547 umfassen. Die EIL 549 ist nämlich zwischen der zweiten Elektrode 230 und der zweiten ETL 547 positioniert.
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Im ersten Emissionsteil 510 mit der ersten EML 520 als Fluoreszenzemissionsschicht kontaktiert die erste EML 520 die EBL 515 und die Zwischenfunktionsschicht 530. Andererseits kontaktiert im zweiten Emissionsteil 540 mit der zweiten EML 550 als Phosphoreszenzemissionsschicht, da eine EBL, eine Zwischenfunktionsschicht und eine HBL auch nicht dargestellt sind, die zweite EML 550 die zweite HTL 541 und die zweite ETL 547.
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Die CGL 570 ist zwischen dem ersten und dem zweiten Emissionsteil 510 und 540 positioniert und der erste und der zweite Emissionsteil 510 und 540 sind durch die CGL 570 verbunden. Der erste Emissionsteil 510, die CGL 570 und der zweite Emissionsteil 540 sind sequentiell auf die erste Elektrode 210 gestapelt. Der erste Emissionsteil 510 ist nämlich zwischen der ersten Elektrode 510 und der CGL 570 positioniert und der zweite Emissionsteil 540 ist zwischen der zweiten Elektrode 530 und der CGL 570 positioniert.
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Die CGL 570 kann eine CGL vom P-N-Übergangstyp einer CGL 572 vom N-Typ und einer CGL 574 vom P-Typ sein. Die CGL 572 vom N-Typ ist zwischen der ersten ETL 519 und der zweiten HTL 541 positioniert und die CGL 574 vom P-Typ ist zwischen der CGL 572 vom N-Typ und der zweiten HTL 541 positioniert. Die CGL 572 vom N-Typ liefert ein Elektron in die erste EML 520 des ersten Emissionsteils 510 und die CGL 574 vom P-Typ liefert ein Loch in die zweite EML 550 des zweiten Emissionsteils 540.
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Die CGL 572 vom N-Typ kann einen Wirt, der das Material der ETLs 519 und 547 sein kann, und ein Dotierungsmaterial, das Li ist, umfassen. Das Dotierungsmaterial, d. h. Li, kann Gew.-% von 0,5 in der CGL 572 vom N-Typ aufweisen. Die CGL 574 vom P-Typ kann das Material der HIL 511 umfassen.
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Jede der CGL 572 vom N-Typ und der CGL 574 vom P-Typ kann eine Dicke von 5 bis 20 nm aufweisen. Außerdem kann die Dicke der CGL 572 vom N-Typ größer sein als die Dicke der CGL 574 vom P-Typ.
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Die Abdeckschicht 290 ist auf der zweiten Elektrode 230 positioniert. Die Abdeckschicht 290 kann beispielsweise eine der Verbindungen in Formel 9 umfassen und kann eine Dicke von 50 bis 200 nm aufweisen.
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In der OLED D4 der vorliegenden Offenbarung ist eine volle Breite bei halbem Maximum (FWHM) der zweiten EML 550, die näher an der zweiten Elektrode 230 liegt, die eine transparente Elektrode ist, kleiner (schmäler) als eine FWHM der ersten EML 520, die näher an der ersten Elektrode 210 liegt, die eine Reflexionselektrode ist. Außerdem ist eine Emissionseffizienz (Quanteneffizienz) der zweiten EML 550, die näher an der zweiten Elektrode 230 liegt, die eine transparente Elektrode ist, größer als eine Emissionseffizienz der ersten EML 520, die näher an der ersten Elektrode 210 liegt, die eine Reflexionselektrode ist.
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In der OLED D4 ist nämlich die FWHM der zweiten EML 550, die die vierte Verbindung 552 in Formel 12 und die fünfte Verbindung 554 in Formel 13 umfasst, kleiner als jene der ersten EML 520, die die erste Verbindung 522 in Formel 1, die zweite Verbindung 524 in Formel 3-1 und die dritte Verbindung 526 in Formel 5 umfasst, und die Emissionseffizienz der zweiten EML 550, die die vierte Verbindung 552 in Formel 12 und die fünfte Verbindung 554 in Formel 13 umfasst, ist größer als jene der ersten EML 520, die die erste Verbindung 522 in Formel 1, die zweite Verbindung 524 in Formel 3-1 und die dritte Verbindung 526 in Formel 5 umfasst.
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Da die zweite EML 550 und die erste EML 520 jeweils so angeordnet sind, dass sie näher an der zweiten Elektrode 230, die die transparente Elektrode ist, und der ersten Elektrode 210, die die Reflexionselektrode ist, liegen, ist der Hohlraumeffekt in der OLED D4 verstärkt, so dass die Emissionseffizienz und die Lebensdauer der OLED D4 verbessert sind.
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Außerdem ist die Zwischenfunktionsschicht 530, die die zweite Verbindung 534 mit demselben Kern wie die zweite Verbindung 524 in der ersten EML 520 und einem höheren LUMO-Energieniveau als die zweite Verbindung 524 in der ersten EML 520 umfasst, zwischen der ersten EML 520 und der HBL 517 angeordnet. Folglich sind die Ansteuerspannung und die FWHM der OLED D4 verringert und die Emissionseffizienz (Luminanz) der OLED D4 ist verbessert.
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Das Ladungsgleichgewicht in der ersten EML 520 ist nämlich durch die Zwischenfunktionsschicht 530 verbessert und das Exzitonlöschproblem, das sich aus der ersten EML 530 in die HBL 517 ergibt, ist verhindert. Folglich ist die Emissionseigenschaft der OLED D4 verbessert.
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Da eine Exzitonerzeugungszone, d. h. eine Rekombinationszone des Lochs und des Elektrons, die an einer Grenzfläche zwischen der ersten EML 520 und der HBL 517 in der OLED des Standes der Technik dargestellt ist, in Richtung der EBL 515 verschoben ist, ist überdies die Emissionseigenschaft der OLED D4 weiter verbessert.
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Ferner weisen die zweite Verbindung 524 als Verbindung mit verzögerter Fluoreszenz in der ersten EML 520 und die zweite Verbindung 534 als Verbindung mit verzögerter Fluoreszenz in der Zwischenfunktionsschicht 530 denselben Kern und eine ähnliche Eigenschaft auf. Folglich ist eine Grenzflächeneigenschaft zwischen der ersten EML 520 und der Zwischenfunktionsschicht 530 verbessert, so dass die Emissionseigenschaft der OLED D4 weiter verbessert ist.
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8 ist eine schematische Querschnittsansicht einer organischen Lichtemissionsanzeigevorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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Wie in 8 gezeigt, umfasst die organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung 600 ein Substrat 610, in dem erste bis dritte Pixelbereiche P1, P2 und P3 definiert sind, einen TFT Tr über dem Substrat 610 und eine OLED D. Die OLED D ist über dem TFT Tr angeordnet und ist mit dem TFT Tr verbunden.
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Die ersten bis dritten Pixelbereiche P1, P2 und P3 können beispielsweise ein grüner Pixelbereich, ein roter Pixelbereich bzw. ein blauer Pixelbereich sein. Die ersten bis dritten Pixelbereiche P1, P2 und P3 bilden eine Pixeleinheit. Alternativ kann die Pixeleinheit ferner einen weißen Pixelbereich umfassen.
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Das Substrat 610 kann ein Glassubstrat oder ein flexibles Substrat sein.
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Eine Pufferschicht 612 ist auf dem Substrat 610 ausgebildet und der TFT Tr ist auf der Pufferschicht 612 ausgebildet. Die Pufferschicht 612 kann weggelassen werden.
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Der TFT Tr ist auf der Pufferschicht 612 positioniert. Der TFT Tr umfasst eine Halbleiterschicht, eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode und wirkt als Ansteuerelement. Der TFT Tr kann nämlich der Ansteuer-TFT Td (von 1) sein.
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Eine Planarisierungsschicht (oder Passivierungsschicht) 650 ist auf dem TFT Tr ausgebildet. Die Planarisierungsschicht 650 weist eine flache obere Oberfläche auf und umfasst ein Drain-Kontaktloch 652, das die Drain-Elektrode des TFT Tr freilegt.
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Die OLED D ist auf der Planarisierungsschicht 650 angeordnet und umfasst eine erste Elektrode 210, eine organische Lichtemissionsschicht 220 und eine zweite Elektrode 230. Die erste Elektrode 210 ist mit der Drain-Elektrode des TFT Tr verbunden und die organische Lichtemissionsschicht 220 und die zweite Elektrode 230 sind sequentiell auf die erste Elektrode 210 gestapelt. Die OLED D ist in jedem der ersten bis dritten Pixelbereiche P1 bis P3 angeordnet und emittiert Licht mit einer unterschiedlichen Farbe in den ersten bis dritten Pixelbereichen P1 bis P3. Die OLED D im ersten Pixelbereich P1 kann beispielsweise das rote Licht emittieren, die OLED D im zweiten Pixelbereich P2 kann das grüne Licht emittieren und die OLED D im dritten Pixelbereich P3 kann das blaue Licht emittieren.
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Die erste Elektrode 210 ist so ausgebildet, dass sie in den ersten bis dritten Pixelbereichen P1 bis P3 getrennt ist, und die zweite Elektrode 230 ist als ein Körper ausgebildet, um die ersten bis dritten Pixelbereiche P1 bis P3 zu bedecken.
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Die erste Elektrode 210 ist eine von einer Anode und einer Kathode und die zweite Elektrode 230 ist die andere der Anode und der Kathode. Außerdem ist die erste Elektrode 210 eine Reflexionselektrode und die zweite Elektrode 230 ist eine transparente Elektrode (oder eine halbtransparente Elektrode). Das Licht von der OLED D tritt nämlich durch die zweite Elektrode 230 hindurch, um ein Bild anzuzeigen (d. h. eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung vom Oberseitenemissionstyp).
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Die erste Elektrode 210 kann beispielsweise eine Anode sein und kann eine transparente leitfähige Oxidmaterialschicht, die aus einem leitfähigen Material, z. B. einem transparenten leitfähigen Oxid (TCO), mit einer relativ hohen Arbeitsfunktion ausgebildet sein kann, und eine Reflexionsschicht umfassen. Die erste Elektrode 210 kann nämlich eine Reflexionselektrode sein.
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Die zweite Elektrode 230 kann eine Kathode sein und kann aus einem leitfähigen Material mit einer relativ niedrigen Arbeitsfunktion ausgebildet sein. Die zweite Elektrode 230 kann ein dünnes Profil aufweisen, so dass sie transparent (oder halbtransparent) ist.
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Die organische Lichtemissionsschicht 220 kann eine Struktur aufweisen, die mit Bezug auf 3 und 5 bis 7 erläutert wird.
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Mit Bezug auf 3 umfasst die organische Lichtemissionsschicht 220 eine EML 260, die eine erste Verbindung 262, die durch Formel 1 dargestellt ist, eine zweite Verbindung 264, die durch Formel 3 dargestellt ist, und eine dritte Verbindung 266, die durch Formel 5 dargestellt ist, umfasst, eine HBL 252 an einer Seite der EML 260 und eine Zwischenfunktionsschicht 270, die eine zweite Verbindung 274 umfasst, die durch Formel 3 dargestellt ist und ein höheres LUMO-Energieniveau aufweist als die zweite Verbindung 264 in der EML 260, die zwischen der EML 260 und der HBL 252 positioniert ist.
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Eine Differenz zwischen einem LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270 und einem LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 264 in der EML 260 kann 0,5 eV oder geringer sein und das LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 264 in der EML 260 kann niedriger sein als 3,0 eV.
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Die Gew.-% der zweiten Verbindung 264 in der EML 260 sind größer als die Gew.-% der zweiten Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270. Die Gew.-% der zweiten Verbindung 264 in der EML 260 können beispielsweise 40 Gew.-% oder mehr und 60 Gew.-% oder weniger sein und die Gew.-% der zweiten Verbindung 274 in der Zwischenfunktionsschicht 270 können 1 Gew.-% oder mehr und 10 Gew.-% oder weniger sein.
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Die EML 260 weist eine erste Dicke t1 auf und die Zwischenfunktionsschicht 270 weist eine zweite Dicke t2 auf, die kleiner ist als die erste Dicke 11. Die zweite Dicke t2 kann 40 % oder weniger der ersten Dicke t1 sein. Die zweite Dicke t2 kann beispielsweise 10 Ä oder mehr und 100 Å oder weniger sein.
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Eine erste Oberfläche der EML 260 kontaktiert die Zwischenfunktionsschicht 270 und ist von der HBL 252 beabstandet ist, und eine zweite Oberfläche der EML 260 kontaktiert die EBL 246.
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Mit Bezug auf 5 umfasst die organische Lichtemissionsschicht 220 einen ersten Emissionsteil 310 mit einer ersten EML 320, die eine erste Verbindung 322, die durch Formel 1 dargestellt ist, eine zweite Verbindung 324, die durch Formel 3 dargestellt ist, und eine dritte Verbindung 326, die durch Formel 5 dargestellt ist, umfasst, einer ersten HBL 317 an einer Seite der ersten EML 320 und einer ersten Zwischenfunktionsschicht 330, die eine zweite Verbindung 334, die durch Formel 3 dargestellt ist, umfasst und ein höheres LUMO-Energieniveau aufweist als die zweite Verbindung 324 in der EML 320, die zwischen der EML 320 und der HBL 317 positioniert ist, und einen zweiten Emissionsteil 340 mit einer zweiten EML 350 , die eine zweite Verbindung 352, die durch Formel 1 dargestellt ist, eine zweite Verbindung 354, die durch Formel 3 dargestellt ist, und eine dritte Verbindung 356, die durch Formel 5 dargestellt ist, umfasst, einer zweiten HBL 345 an einer Seite der zweiten EML 350 und einer zweiten Zwischenfunktionsschicht 360, die eine zweite Verbindung 364, die durch Formel 3 dargestellt ist und ein höheres LUMO-Energieniveau aufweist als die zweite Verbindung 354 in der EML 350, umfasst, die zwischen der zweiten EML 350 und der zweiten HBL 354 positioniert ist.
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Eine Differenz zwischen einem LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 334 in der ersten Zwischenfunktionsschicht 330 und einem LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 324 in der ersten EML 320 kann 0,5 eV oder weniger sein und das LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 324 in der ersten EML 320 kann niedriger sein als 3,0 eV.
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Die Gew.-% der zweiten Verbindung 324 in der ersten EML 320 sind größer als die Gew.-% der zweiten Verbindung 334 in der ersten Zwischenfunktionsschicht 330. Die Gew.-% der zweiten Verbindung 324 in der ersten EML 320 können beispielsweise 40 Gew.-% oder mehr und 60 Gew.-% oder weniger sein und die Gew.-% der zweiten Verbindung 334 in der ersten Zwischenfunktionsschicht 330 können 1 Gew.-% oder mehr und 10 Gew.-% oder weniger sein.
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Die erste EML 320 weist eine erste Dicke t1 auf und die erste Zwischenfunktionsschicht 330 weist eine zweite Dicke t2 auf, die kleiner ist als die erste Dicke 11. Die zweite Dicke t2 kann 40 % oder weniger der ersten Dicke t1 sein. Die zweite Dicke t2 kann beispielsweise 10 Ä oder mehr und 100 Ä oder weniger sein.
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Eine erste Oberfläche der ersten EML 320 kontaktiert die erste Zwischenfunktionsschicht 330 und ist von der ersten HBL 317 beabstandet und eine zweite Oberfläche der ersten EML 320 kontaktiert die erste EBL 315.
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Eine Differenz zwischen einem LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 364 in der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360 und einem LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 354 in der zweiten EML 350 kann 0,5 eV oder geringer sein und das LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 354 in der zweiten EML 350 kann niedriger sein als 3,0 eV.
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Die Gew.-% der zweiten Verbindung 354 in der zweiten EML 350 sind größer als die Gew.-% der zweiten Verbindung 364 in der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360. Die Gew.-% der zweiten Verbindung 354 in der zweiten EML 350 können beispielsweise 40 Gew.-% oder mehr und 60 Gew.-% oder weniger sein und die Gew.-% der zweiten Verbindung 364 in der zweiten Zwischenfunktionsschicht 360 können 1 Gew.-% oder mehr und 10 Gew.-% oder weniger sein.
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Die zweite EML 350 weist eine erste Dicke t1 auf und die zweite Zwischenfunktionsschicht 360 weist eine zweite Dicke t2 auf, die kleiner ist als die erste Dicke 11. Die zweite Dicke t2 kann 40 % oder weniger der ersten Dicke t1 sein. Die zweite Dicke t2 kann beispielsweise 10 Ä oder mehr und 100 Ä oder weniger sein.
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Eine erste Oberfläche der zweiten EML 350 kontaktiert die zweite Zwischenfunktionsschicht 360 und ist von der zweiten HBL 345 beabstandet und eine zweite Oberfläche der zweiten EML 350 kontaktiert die zweite EBL 343.
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Mit Bezug auf 6 umfasst die organische Lichtemissionsschicht 220 einen ersten Emissionsteil 410 mit einer ersten EML 420, die eine vierte Verbindung 422 in Formel 12 und eine fünfte Verbindung 424 in Formel 13 umfasst, und einer zweiten EML 440, die eine zweite EML 450 umfasst, die eine erste Verbindung 452, die durch Formel 1 dargestellt ist, eine zweite Verbindung 454, die durch Formel 3 dargestellt ist, und eine dritte Verbindung 456, die durch Formel 5 dargestellt ist, umfasst, einer HBL 445 an einer Seite der zweiten EML 450 und einer Zwischenfunktionsschicht 460, die eine zweite Verbindung 464 umfasst, die durch Formel 3 dargestellt ist und ein höheres LUMO-Energieniveau aufweist als die zweite Verbindung 454 in der zweiten EML 450, die zwischen der zweiten EML 450 und der HBL 445 positioniert ist.
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Der erste Emissionsteil 410 umfasst ferner eine erste HTL 413, die an einer ersten Seite der ersten EML 420 positioniert ist und die erste EML 420 kontaktiert, und eine erste ETL 419, die an einer zweiten Seite der ersten EML 420 positioniert ist und die erste EML 420 kontaktiert.
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Eine Differenz zwischen einem LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 464 in der zweiten Zwischenfunktionsschicht 460 und einen LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 454 in der zweiten EML 450 kann 0,5 eV oder geringer sein und das LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 454 in der zweiten EML 450 kann niedriger sein als 3,0 eV.
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Die Gew.-% der zweiten Verbindung 454 in der zweiten EML 450 sind größer als die Gew.-% der zweiten Verbindung 464 in der zweiten Zwischenfunktionsschicht 460. Die Gew.-% der zweiten Verbindung 454 in der zweiten EML 450 können beispielsweise 40 Gew.-% oder mehr und 60 Gew.-% oder weniger sein und die Gew.-% der zweiten Verbindung 464 in der zweiten Zwischenfunktionsschicht 460 können 1 Gew.-% oder mehr und 10 Gew.-% oder weniger sein.
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Die zweite EML 450 weist eine erste Dicke t1 auf und die zweite Zwischenfunktionsschicht 460 weist eine zweite Dicke t2 auf, die kleiner ist als die erste Dicke 11. Die zweite Dicke t2 kann 40 % oder weniger der ersten Dicke t1 sein. Die zweite Dicke t2 kann beispielsweise 10 Ä oder mehr und 100 Ä oder weniger sein.
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Eine erste Oberfläche der zweiten EML 450 kontaktiert die zweite Zwischenfunktionsschicht 460 und ist von der HBL 445 beabstandet, und eine zweite Oberfläche der zweiten EML 450 kontaktiert die EBL 443.
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Mit Bezug auf 7 umfasst die organische Lichtemissionsschicht 220 einen ersten Emissionsteil 310 mit einer ersten EML 520, die eine erste Verbindung 522, die durch Formel 1 dargestellt ist, eine zweite Verbindung 524, die durch Formel 3 dargestellt ist, und eine dritte Verbindung 526, die durch Formel 5 dargestellt ist, umfasst, einer HBL 517 an einer Seite der ersten EML 520 und einer Zwischenfunktionsschicht 530, die eine zweite Verbindung 534, die durch Formel 3 dargestellt ist, umfasst und ein höheres LUMO-Energieniveau aufweist als die zweite Verbindung 524 in der EML 520, die zwischen der EML 520 und der HBL 517 positioniert ist, und einen zweiten Emissionsteil 540 mit einer zweiten EML 550, die eine vierte Verbindung 552 in Formel 12 und eine fünfte Verbindung 524 in Formel 13 umfasst.
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Eine Differenz zwischen einem LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 534 in der ersten Zwischenfunktionsschicht 530 und einem LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 524 in der ersten EML 520 kann 0,5 eV oder weniger sein und das LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung 524 in der ersten EML 520 kann niedriger sein als 3,0 eV.
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Die Gew.-% der zweiten Verbindung 524 in der ersten EML 520 sind größer als die Gew.-% der zweiten Verbindung 534 in der ersten Zwischenfunktionsschicht 530. Die Gew.-% der zweiten Verbindung 524 in der ersten EML 520 können beispielsweise 40 Gew.-% oder mehr und 60 Gew.-% oder weniger sein und die Gew.-% der zweiten Verbindung 534 in der ersten Zwischenfunktionsschicht 530 können 1 Gew.-% oder mehr und 10 Gew.-% oder weniger sein.
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Die erste EML 520 weist eine erste Dicke t1 auf und die erste Zwischenfunktionsschicht 530 weist eine zweite Dicke t2 auf, die kleiner ist als die erste Dicke 11. Die zweite Dicke t2 kann 40 % oder weniger der ersten Dicke t1 sein. Die zweite Dicke t2 kann beispielsweise 10 Ä oder mehr und 100 Ä oder weniger sein.
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Eine erste Oberfläche der ersten EML 520 kontaktiert die erste Zwischenfunktionsschicht 530 und ist von der HBL 517 beabstandet, und eine zweite Oberfläche der ersten EML 520 kontaktiert die EBL 515.
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Der zweite Emissionsteil 540 umfasst ferner eine zweite HTL 541, die an einer ersten Seite der zweiten EML 550 positioniert ist und die zweite EML 550 kontaktiert, und eine zweite ETL 547, die an einer zweiten Seite der zweiten EML 550 positioniert ist und die zweite EML 550 kontaktiert.
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Obwohl nicht gezeigt, kann die OLED D ferner die Abdeckschicht (nicht gezeigt) auf der zweiten Elektrode 230 umfassen. Die Emissionseffizienz der OLED D kann durch die Abdeckschicht weiter verbessert werden.
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Ein Einkapselungsfilm (oder eine Einkapselungsschicht) 670 ist auf der zweiten Elektrode 230 ausgebildet, um das Eindringen von Feuchtigkeit in die OLED D zu verhindern. Der Einkapselungsfilm 670 kann eine Struktur mit einer anorganischen Isolationsschicht und einer organischen Isolationsschicht aufweisen.
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Obwohl nicht gezeigt, kann die organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung 600 ein Farbfilter umfassen, das dem roten, dem grünen und dem blauen Pixelbereich entspricht. Das Farbfilter kann beispielsweise auf oder über der OLED D oder dem Einkapselungsfilm 670 positioniert sein.
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Außerdem kann die organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung 600 ferner ein Abdeckfenster (nicht gezeigt) auf oder über dem Einkapselungsfilm 670 oder dem Farbfilter umfassen. In diesem Fall weisen das Substrat 610 und das Abdeckfenster eine flexible Eigenschaft auf, so dass eine flexible organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung geschaffen werden kann.
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9 ist eine schematische Querschnittsansicht einer organischen Lichtemissionsanzeigevorrichtung gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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Wie in 9 gezeigt, umfasst die organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung 700 ein Substrat 710, in dem erste bis dritte Pixelbereiche P1, P2 und P3 definiert sind, einen TFT Tr über dem Substrat 710 und eine OLED D. Die OLED D ist über dem TFT Tr angeordnet und ist mit dem TFT Tr verbunden.
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Die ersten bis dritten Pixelbereiche P1, P2 und P3 können beispielsweise ein roter Pixelbereich, ein grüner Pixelbereich bzw. ein blauer Pixelbereich sein. Die ersten bis dritten Pixelbereiche P1, P2 und P3 bilden eine Pixeleinheit. Alternativ kann die Pixeleinheit ferner einen vierten Pixelbereich umfassen, der ein weißer Pixelbereich ist.
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Das Substrat 710 kann ein Glassubstrat oder ein flexibles Substrat sein.
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Eine Pufferschicht 712 ist auf dem Substrat 710 ausgebildet und der TFT Tr ist auf der Pufferschicht 712 ausgebildet. Die Pufferschicht 712 kann weggelassen werden.
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Der TFT Tr ist auf der Pufferschicht 712 positioniert. Der TFT Tr umfasst eine Halbleiterschicht, eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode und wirkt als Ansteuerelement. Der TFT Tr kann nämlich der Ansteuer-TFT Td (von 1) sein.
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Eine Planarisierungsschicht (oder Passivierungsschicht) 750 ist auf dem TFT Tr ausgebildet. Die Planarisierungsschicht 750 weist eine flache obere Oberfläche auf und umfasst ein Drain-Kontaktloch 752, das die Drain-Elektrode des TFT Tr freilegt.
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Die OLED D auf der Planarisierungsschicht 750 angeordnet und umfasst eine erste Elektrode 210, eine organische Lichtemissionsschicht 220 und eine zweite Elektrode 230. Die erste Elektrode 210 ist mit der Drain-Elektrode des TFT Tr verbunden und die organische Lichtemissionsschicht 220 und die zweite Elektrode 230 sind sequentiell auf die erste Elektrode 210 gestapelt. Die OLED D ist in jedem der ersten bis dritten Pixelbereiche P1 bis P3 angeordnet und emittiert Licht mit unterschiedlicher Farbe in den ersten bis dritten Pixelbereichen P1 bis P3. Die OLED D im ersten Pixelbereich P1 kann beispielsweise das rote Licht emittieren, die OLED D im zweiten Pixelbereich P2 kann das grüne Licht emittieren und die OLED D im dritten Pixelbereich P3 kann das blaue Licht emittieren.
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Die erste Elektrode 210 ist so ausgebildet, dass sie in den ersten bis dritten Pixelbereichen P1 bis P3 getrennt ist, und die zweite Elektrode 230 ist als ein Körper ausgebildet, um die ersten bis dritten Pixelbereiche P1 bis P3 zu bedecken.
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Die erste Elektrode 210 ist eine von einer Anode und einer Kathode und die zweite Elektrode 230 ist die andere der Anode und der Kathode. Außerdem ist die erste Elektrode 210 eine transparente Elektrode (oder eine halbtransparente Elektrode) und die zweite Elektrode 230 ist eine Reflexionselektrode. Das Licht von der OLED D tritt nämlich durch die erste Elektrode 210 hindurch, um ein Bild auf dem Substrat 710 anzuzeigen (d. h. eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung vom Unterseitenemissionstyp).
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Die erste Elektrode 210 kann beispielsweise eine Anode sein und kann ein leitfähiges Material, z. B. ein transparentes leitfähiges Oxid (TCO), mit einer relativ hohen Arbeitsfunktion und eine Reflexionsschicht umfassen.
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Die zweite Elektrode 230 kann eine Kathode sein und kann aus einem leitfähigen Material mit einer relativ niedrigen Arbeitsfunktion ausgebildet sein.
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Die organische Lichtemissionsschicht 220 kann eine Struktur aufweisen, die mit 3 und 5 bis 7 erläutert wird.
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Ein Einkapselungsfilm (oder eine Einkapselungsschicht) kann auf der zweiten Elektrode 230 ausgebildet sein, um das Eindringen von Feuchtigkeit in die OLED D zu verhindern. Der Einkapselungsfilm kann eine Struktur mit einer anorganischen Isolationsschicht und einer organischen Isolationsschicht aufweisen.
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Obwohl nicht gezeigt, kann die organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung 700 ein Farbfilter umfassen, das den roten, grünen und blauen Pixelbereichen entspricht. Das Farbfilter kann beispielsweise zwischen der OLED D und dem Substrat 710 positioniert sein.
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[OLED 1]
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Eine Anode (ITO/APC/ITO), eine HIL (die Verbindung in Formel 14-1 (8 Gew.-% Dotierung) und die Verbindung in Formel 14-2, 70 nm), eine HTL (die Verbindung in Formel 14-2, 30 nm), eine EBL (die Verbindung in Formel 14-3, 10 nm), eine EML, eine HBL (die Verbindung in Formel 14-4, 10 nm), eine ETL (die Verbindung in Formel 14-5, 30 nm), eine EIL (LiF, 5 nm), eine Kathode (AgMg, 15 nm) und eine Abdeckschicht (die Verbindung in Formel 14-6, 100 nm) werden sequentiell abgeschieden, um eine OLED im roten Pixelbereich auszubilden.
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1. Vergleichsbeispiele
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(1) Vergleichsbeispiel 1 (Ref. 1)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (49,5 Gew.-%), die Verbindung TD-2 in Formel 4 (50 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Å) auszubilden.
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(2) Vergleichsbeispiel 2 (Ref. 2)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (49,5 Gew.-%), die Verbindung TD-2 in Formel 4 (50 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Ä) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (90 Gew.-%) und die Verbindung TD-2 in Formel 4 (10 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(3) Vergleichsbeispiel 3 (Ref. 3)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (49,5 Gew.-%), die Verbindung TD-3 in Formel 4 (50 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Ä) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (90 Gew.-%) und die Verbindung TD-2 in Formel 4 (10 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(4) Vergleichsbeispiel 4 (Ref. 4)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (49,5 Gew.-%), die Verbindung TD-2 in Formel 4 (50 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Å) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (90 Gew.-%) und die Verbindung TD-3 in Formel 4 (10 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (150 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(5) Vergleichsbeispiel 5 (Ref. 5)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (64,5 Gew.-%), die Verbindung TD-2 in Formel 4 (35 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Ä) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (90 Gew.-%) und die Verbindung TD-3 in Formel 4 (10 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(6) Vergleichsbeispiel 6 (Ref. 6)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (74,5 Gew.-%), die Verbindung TD-2 in Formel 4 (25 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Ä) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (90 Gew.-%) und die Verbindung TD-3 in Formel 4 (10 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(7) Vergleichsbeispiel 7 (Ref. 7)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (89,5 Gew.-%), die Verbindung TD-2 in Formel 4 (10 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Ä) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (50 Gew.-%) und die Verbindung TD-3 in Formel 4 (50 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(8) Vergleichsbeispiel 8 (Ref. 8)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (49,5 Gew.-%), die Verbindung TD-2 in Formel 4 (50 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Ä) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (50 Gew.-%) und die Verbindung TD-3 in Formel 4 (50 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(9) Vergleichsbeispiel 9 (Ref. 9)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (49,5 Gew.-%), die Verbindung TD-2 in Formel 4 (50 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Ä) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (70 Gew.-%) und die Verbindung TD-3 in Formel 4 (30 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(10) Vergleichsbeispiel 10 (Ref. 10)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (49,5 Gew.-%), die Verbindung TD-2 in Formel 4 (50 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Å) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (90 Gew.-%) und eine Verbindung in Formel 15 (10 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(11) Vergleichsbeispiel 11 (Ref. 11)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (49,5 Gew.-%), die Verbindung TD-2 in Formel 4 (50 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (100 Ä) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (95 Gew.-%) und die Verbindung TD-3 in Formel 4 (5 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (360 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(12) Vergleichsbeispiel 12 (Ref. 12)
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Die Verbindung in Formel 12 (98 Gew.-%) und die Verbindung in Formel 13 (2 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Å) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (90 Gew.-%) und die Verbindung TD-3 in Formel 4 (10 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(13) Vergleichsbeispiel 13 (Ref. 13)
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Die Verbindung in Formel 12 (98 Gew.-%) und die Verbindung in Formel 13 (2 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Å) auszubilden.
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2. Beispiele
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(1) Beispiel 1 (Bsp. 1)
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The Verbindung H-3 in Formel 2 (59,5 Gew.-%), die Verbindung TD-2 in Formel 4 (40 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Ä) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (95 Gew.-%) und die Verbindung TD-3 in Formel 4 (5 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(2) Beispiel 2 (Bsp. 2)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (49,5 Gew.-%), die Verbindung TD-2 in Formel 4 (50 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Ä) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (95 Gew.-%) und die Verbindung TD-3 in Formel 4 (5 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(3) Beispiel 3 (Bsp. 3)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (49,5 Gew.-%), die Verbindung TD-2 in Formel 4 (50 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Ä) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (90 Gew.-%) und die Verbindung TD-3 in Formel 4 (10 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(4) Beispiel 4 (Bsp. 4)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (49,5 Gew.-%), die Verbindung TD-2 in Formel 4 (50 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Ä) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (95 Gew.-%) und die Verbindung TD-3 in Formel 4 (5 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (70 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(5) Beispiel 5 (Bsp. 5)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (59,5 Gew.-%), die Verbindung TD-4 in Formel 4 (40 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Ä) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (90 Gew.-%) und die Verbindung TD-3 in Formel 4 (10 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und de HBL auszubilden.
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(6) Beispiel 6 (Bsp. 6)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (49,5 Gew.-%), die Verbindung TD-4 in Formel 4 (50 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Ä) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (90 Gew.-%) und die Verbindung TD-3 in Formel 4 (10 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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[OLED 2]
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Eine Anode (ITO/APC/ITO), eine HIL (die Verbindung in Formel 14-1 (8 Gew.-% Dotierung) und die Verbindung in Formel 14-2, 70 nm), eine erste HTL (die Verbindung in Formel 14-2, 30 nm), eine EBL (die Verbindung in Formel 14-3, 10 nm), eine erste EML, eine Zwischenfunktionsschicht, eine HBL (die Verbindung in Formel 14-4, 10 nm), eine erste ETL (die Verbindung in Formel 14-5, 30 nm), eine N-CGL (die Verbindung in Formel 14-5 (98 Gew.-%) und Li (2 Gew.-%), 10 nm), eine P-CGL (die Verbindung in Formel 14-1 (8 Gew.-% Dotierung) und die Verbindung 14-2, 8 nm), eine zweite HTL (die Verbindung in Formel 14-2, 30 nm), eine zweite EML (die Verbindung in Formel 12 (98 Gew.-%) und die Verbindung in Formel 13 (2 Gew.-%), 36 nm), eine zweite ETL (die Verbindung in Formel 14-5, 30 nm), eine EIL (LiF, 5 nm), eine Kathode (AgMg, 15 nm) und eine Abdeckschicht (die Verbindung in Formel 14-6, 100 nm) werden sequentiell abgeschieden, um eine OLED im roten Pixelbereich auszubilden.
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3. Beispiele
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(1) Beispiel 7 (Bsp. 7)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (49,5 Gew.-%), die Verbindung TD-2 in Formel 4 (50 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Å) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (95 Gew.-%) und die Verbindung TD-3 in Formel 4 (5 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(2) Beispiel 8 (Bsp. 8)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (49,5 Gew.-%), die Verbindung TD-2 in Formel 4 (50 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Å) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (90 Gew.-%) und die Verbindung TD-3 in Formel 4 (10 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(3) Beispiel 9 (Bsp. 9)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (59,5 Gew.-%), die Verbindung TD-4 in Formel 4 (40 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Å) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (90 Gew.-%) und die Verbindung TD-3 in Formel 4 (10 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(4) Beispiel 10 (Bsp. 10)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (49,5 Gew.-%), die Verbindung TD-4 in Formel 4 (50 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Å) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (90 Gew.-%) und die Verbindung TD-3 in Formel 4 (10 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(5) Beispiel 11 (Bsp. 11)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (59,5 Gew.-%), die Verbindung TD-1 in Formel 4 (40 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Ä) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (90 Gew.-%) und die Verbindung TD-4 in Formel 4 (10 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(6) Beispiel 12 (Bsp. 12)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (49,5 Gew.-%), die Verbindung TD-1 in Formel 4 (50 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Ä) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (90 Gew.-%) und die Verbindung TD-4 in Formel 4 (10 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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(7) Beispiel 13 (Bsp. 13)
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Die Verbindung H-3 in Formel 2 (49,5 Gew.-%), die Verbindung TD-2 in Formel 4 (50 Gew.-%) und die Verbindung FD-1 in Formel 6 (0,5 Gew.-%) werden verwendet, um die EML (360 Ä) auszubilden, und die Verbindung H-3 in Formel 2 (90 Gew.-%) und die Verbindung TD-4 in Formel 4 (10 Gew.-%) werden verwendet, um eine Zwischenfunktionsschicht (50 Å) zwischen der EML und der HBL auszubilden.
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Die Emissionseigenschaften, d. h. die Ansteuerspannung (V), der Farbkoordinatenindex (CIE), die Luminanz (cd/A), die maximale Emissionswellenlänge (ELmax) und die FWHM, der OLED in den Vergleichsbeispielen 1 bis 13 und Beispielen 1 bis 13 werden gemessen und sind in Tabellen 1 und 2 aufgelistet.
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Ein HOMO-Energieniveau und ein LUMO-Energieniveau der Verbindung TD-1, der Verbindung TD-2, der Verbindung TD-3, der Verbindung TD-4, der Verbindung FD-1, der Verbindung in Formel 15 „TD_Ref“ werden gemessen und sind in Tabelle 3 aufgelistet. (Das HOMO-Energieniveau und das LUMO-Energieniveau sind Simulationsdaten durch B3LYP/6-31G(d)). Tabelle 1
| V | CIEx | CIEy | cd/A | ELmax (nm) | FWHM (nm) |
Ref. 1 | 4,37 | 0,679 | 0,320 | 39,3 | 622 | 32 |
Ref. 2 | 5,01 | 0,680 | 0,319 | 21,4 | 624 | 32 |
Ref. 3 | 5,41 | 0,685 | 0,313 | 14,2 | 628 | 37 |
Ref. 4 | 4,44 | 0,681 | 0,317 | 31,6 | 622 | 32 |
Ref. 5 | 4,91 | 0,678 | 0,320 | 36,3 | 624 | 32 |
Ref. 6 | 5,17 | 0,677 | 0,322 | 30,6 | 622 | 32 |
Ref. 7 | 4,89 | 0,677 | 0,321 | 20,5 | 622 | 32 |
Ref. 8 | 5,66 | 0,685 | 0,314 | 21,5 | 622 | 35 |
Ref. 9 | 5,46 | 0,685 | 0,314 | 24,1 | 624 | 34 |
Ref. 10 | 5,89 | 0,676 | 0,323 | 13,1 | 620 | 32 |
Ref. 11 | 4,80 | 0,613 | 0,385 | 18,8 | 612 | 41 |
Ref. 12 | 4,58 | 0,673 | 0,325 | 50,3 | 618 | 30 |
Ref. 13 | 3,74 | 0,680 | 0,317 | 52,4 | 620 | 31 |
Tabelle 2
| V | CIEx | CIEy | cd/A | ELmax (nm) | FWHM (nm) |
Bsp. 1 | 3,66 | 0,676 | 0,323 | 56,7 | 618 | 30 |
Bsp. 2 | 3,84 | 0,680 | 0,318 | 46,2 | 620 | 31 |
Bsp. 3 | 3,74 | 0,684 | 0,310 | 53,6 | 624 | 31 |
Bsp. 4 | 4,08 | 0,680 | 0,318 | 51,7 | 622 | 30 |
Bsp. 5 | 4,12 | 0,676 | 0,322 | 51,4 | 621 | 29 |
Bsp. 6 | 4,00 | 0,676 | 0,322 | 49,4 | 618 | 29 |
Bsp. 7 | 7,42 | 0,673 | 0,324 | 85,7 | 618 | 29 |
Bsp. 8 | 7,01 | 0,679 | 0,319 | 95,3 | 620 | 30 |
Bsp. 9 | 7,29 | 0,675 | 0,326 | 93,2 | 622 | 30 |
Bsp. 10 | 7,46 | 0,682 | 0,317 | 88,1 | 622 | 28 |
Bsp. 11 | 7,73 | 0,680 | 0,318 | 88,4 | 622 | 30 |
Bsp. 12 | 7,75 | 0,675 | 0,323 | 87,7 | 620 | 30 |
Bsp. 13 | 7,76 | 0,677 | 0,321 | 85,9 | 620 | 30 |
Tabelle 3
| HOMO (eV) | LUMO (eV) |
TD-1 | 5,98 | 3,79 |
TD-2 | 5,84 | 3,69 |
TD-3 | 5,90 | 3,50 |
TD-4 | 5,80 | 3,60 |
TD_Ref | 5,35 | 2,80 |
FD-1 | 5,5 | 3,5 |
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Wie in Tabellen 1 und 2 gezeigt, weist im Vergleich zur OLED von Ref. 1 bis Ref. 13 die OLED von Bsp. 1 bis Bsp. 6, die die EML (eine Fluoreszenzemissionsschicht) mit einer ersten Verbindung, die durch Formel 1 dargestellt ist, einer zweiten Verbindung, die durch Formel 3 dargestellt ist, und einer dritten Verbindung, die durch Formel 5 dargestellt ist, und die Zwischenfunktionsschicht mit einer Verbindung, die ein höheres LUMO-Energieniveau als die zweite Verbindung in der Fluoreszenzemissionsschicht aufweist, und zwischen der Fluoreszenzemissionsschicht und der HBL positioniert ist, umfasst, Vorteile in der Ansteuerspannung, der Emissionseffizienz und der FWHM auf. Außerdem ist in der OLED von Bsp. 7 bis Bsp. 13, obwohl die Ansteuerspannung erhöht ist, die Emissionseffizienz signifikant erhöht.
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In der OLED von Ref. 2 umfasst die Zwischenfunktionsschicht die zweite Verbindung, die dieselbe wie die zweite Verbindung in der EML ist. In diesem Fall ist das LUMO-Niveau der zweiten Verbindung in der Zwischenfunktionsschicht nicht höher als jenes der zweiten Verbindung in der EML. Folglich weist die OLED von Ref. 2 eine höhere Ansteuerspannung und eine niedrigere Emissionseffizienz als die OLED von Ref. 1 auf.
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In der OLED von Ref. 3 ist das LUMO-Niveau der zweiten Verbindung in der Zwischenfunktionsschicht niedriger als jenes der zweiten Verbindung in der EML. Folglich weist die OLED von Ref. 3 eine höhere Ansteuerspannung, eine niedrigere Emissionseffizienz und eine breitere FWHM als die OLED von Ref. 1 auf.
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In der OLED von Ref. 4 ist die Dicke, d. h. 150 Å, der Zwischenfunktionsschicht über 40 % der Dicke, d. h. 360 Å, der EML. Folglich weist die OLED von Ref. 4 eine höhere Ansteuerspannung und eine niedrigere Emissionseffizienz als die OLED von Ref. 1 auf.
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In der OLED von Ref. 5 und Ref. 6 sind die Gew.-% der zweiten Verbindung in der EML zu niedrig. Folglich weist die OLED von Ref. 5 und Ref. 6 eine höhere Ansteuerspannung und eine niedrigere Emissionseffizienz als die OLED von Ref. 1 auf.
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In der OLED von Ref. 7 sind die Gew.-% der zweiten Verbindung in der Zwischenfunktionsschicht größer als die Gew.-% der zweiten Verbindung in der EML. Folglich weist die OLED von Ref. 7 eine höhere Ansteuerspannung und eine niedrigere Emissionseffizienz als die OLED von Ref. 1 auf.
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In der OLED von Ref. 8 und Ref. 9 sind die Gew.-% der zweiten Verbindung in der Zwischenfunktionsschicht zu niedrig. Folglich weist die OLED von Ref. 8 und Ref. 9 eine höhere Ansteuerspannung, eine niedrigere Emissionseffizienz und eine breitere FWHM als die OLED von Ref. 1 auf.
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In der OLED von Ref. 10 ist das HOMO-Energieniveau der zweiten Verbindung, d. h. der Verbindung in Formel 15, in der Zwischenfunktionsschicht höher als jenes in der dritten Verbindung in der EML, und eine Differenz zwischen dem LUMO-Energieniveau der zweiten Verbindung, d. h. der Verbindung in Formel 15, in der Zwischenfunktionsschicht und der zweiten Verbindung in der EML ist zu groß. Folglich weist die OLED von Ref. 10 eine höhere Ansteuerspannung und eine niedrigere Emissionseffizienz als die OLED von Ref. 1 auf.
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In der OLED von Ref. 11 ist die Dicke der Zwischenfunktionsschicht größer als jene der EML. Folglich weist die OLED von Ref. 11 eine höhere Ansteuerspannung, eine niedrigere Emissionseffizienz und eine breitere FWHM als die OLED von Ref. 1 auf.
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In der OLED von Ref. 12 ist die Zwischenfunktionsschicht mit der Verbindung TD-3 unter Kontaktieren der Phosphoreszenzemissionsschicht ausgebildet. Folglich weist die OLED von Ref. 12 eine höhere Ansteuerspannung und eine niedrigere Emissionseffizienz als die OLED von Ref. 13 auf, die keine Zwischenfunktionsschicht umfasst.
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In der OLED der vorliegenden Offenbarung umfasst die EML (eine Fluoreszenzemissionsschicht) eine erste Verbindung, die durch Formel 1 dargestellt ist, eine zweite Verbindung, die durch Formel 3 dargestellt ist, und eine dritte Verbindung, die durch Formel 5 dargestellt ist, und die Zwischenfunktionsschicht, die eine Verbindung mit einem höheren LUMO-Energieniveau als die zweite Verbindung der EML aufweist, ist zwischen der EML und der HBL positioniert. Folglich ist die Emissionsleistung der OLED und der organischen Lichtemissionsanzeigevorrichtung mit der OLED verbessert.
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Für den Fachmann auf dem Gebiet ist ersichtlich, dass verschiedene Modifikationen und Variationen in der vorliegenden Offenbarung durchgeführt werden können, ohne vom Gedanken oder Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Folglich ist beabsichtigt, dass die vorliegende Offenbarung die Modifikationen und Variationen dieser Offenbarung abdeckt, vorausgesetzt, dass sie in den Schutzbereich der beigefügten Ansprüche und ihrer Äquivalente fallen.
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Hier sind auch die folgenden nummerierten Abschnitte offenbart:
- 1. Eine organische Leuchtdiode, die umfasst:
- eine erste Elektrode;
- eine zweite Elektrode, die der ersten Elektrode zugewandt ist; und
- einen ersten Emissionsteil mit einer ersten Emissionsmaterialschicht zwischen der ersten und der zweiten Elektrode, einer ersten Lochsperrschicht zwischen der zweiten Elektrode und der ersten Emissionsmaterialschicht und einer ersten Zwischenfunktionsschicht zwischen der ersten Emissionsmaterialschicht und der ersten Lochsperrschicht,
- wobei die erste Emissionsmaterialschicht eine erste Verbindung, eine zweite Verbindung und eine dritte Verbindung umfasst und die erste Zwischenfunktionsschicht eine erste Verbindung und eine zweite Verbindung umfasst, und
- wobei die zweite Verbindung in der ersten Zwischenfunktionsschicht einen Kern, der derselbe wie die zweite Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht ist, und ein höheres LUMO-Energieniveau als die zweite Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht aufweist.
- 2. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 1, wobei jede der zweiten Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht und der zweiten Verbindung in der ersten Zwischenfunktionsschicht durch Formel 3-1 dargestellt ist: wobei b1 eine ganze Zahl von 0 bis 4 ist und Y durch Formel 3-2 dargestellt ist: wobei jedes von R11 und R12 unabhängig aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus einer substituierten oder unsubstituierten C1- bis C10-Alkylgruppe, einer substituierten oder unsubstituierten C6- bis C30-Arylgruppe und einer substituierten oder unsubstituierten C5- bis C30-Heteroarylgruppe besteht, oder mindestens eines von zwei benachbarten R11 und zwei benachbarten R12 miteinander verbunden sind, um einen aromatischen Ring oder einen heteroaromatischen Ring zu bilden. Außerdem und
wobei jedes von b2 und b3 unabhängig eine ganze Zahl von 0 bis 4 ist.
- 3. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 2, wobei die zweite Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht durch Formel 3a dargestellt ist und die zweite Verbindung in der ersten Zwischenfunktionsschicht durch Formel 3b dargestellt ist: , und wobei Y und b1 gleich wie in Formel 3-1 definiert sind.
- 4. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 2, wobei die zweite Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht eine von Verbindungen in Formel 4 ist und die zweite Verbindung in der ersten Zwischenfunktionsschicht eine andere der Verbindungen in Formel 4 ist:
- 5. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 1, wobei die erste Emissionsmaterialschicht die erste Zwischenfunktionsschicht kontaktiert.
- 6. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 5, wobei der erste Emissionsteil ferner eine erste Elektronensperrschicht zwischen der ersten Elektrode und der ersten Emissionsmaterialschicht umfasst, und
wobei die erste Emissionsmaterialschicht die erste Elektronensperrschicht kontaktiert.
- 7. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 6, wobei der erste Emissionsteil ferner eine erste Lochtransportschicht zwischen der ersten Elektronensperrschicht und der ersten Elektrode und eine erste Elektronentransportschicht zwischen der ersten Lochsperrschicht und der zweiten Elektrode umfasst.
- 8. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 1, wobei erste Gew.-% der zweiten Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht größer sind als zweite Gew.-% der zweiten Verbindung in der ersten Zwischenfunktionsschicht.
- 9. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 8, wobei die ersten Gew.-% 40 oder mehr sind und die zweiten Gew.-% 10 oder weniger sind.
- 10. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 1, wobei die erste Emissionsmaterialschicht eine erste Dicke aufweist und die erste Zwischenfunktionsschicht eine zweite Dicke aufweist, die kleiner ist als die erste Dicke.
- 11. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 10, wobei die zweite Dicke 40 % oder weniger der ersten Dicke ist.
- 12. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 10, wobei die zweite Dicke 100 Å oder weniger ist.
- 13. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 1, wobei jede der ersten Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht und der ersten Verbindung in der ersten Zwischenfunktionsschicht durch Formel 1 dargestellt ist: wobei jedes von R1, R2, R3, R4 und R5 unabhängig aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus einer substituierten oder unsubstituierten C1- bis C10-Alkylgruppe, einer substituierten oder unsubstituierten C6- bis C30-Arylengruppe und einer substituierten oder unsubstituierten C5- bis C30-Heteroarylengruppe besteht,
wobei jedes von a1, a2, a3, a4 und a5 unabhängig eine ganze Zahl von 0 bis 4 ist,
wobei X NR6, O oder S ist und R6 aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Wasserstoff, einer substituierten oder unsubstituierten C1- bis C10-Alkylgruppe, einer substituierten oder unsubstituierten C6- bis C30-Arylengruppe und einer substituierten oder unsubstituierten C5- bis C30-Heteroarylengruppe besteht.
- 14. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 13, wobei jede der ersten Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht und der ersten Verbindung in der ersten Zwischenfunktionsschicht unabhängig aus Verbindungen in Formel 2 ausgewählt ist:
- 15. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 1, wobei die dritte Verbindung durch Formel 5 dargestellt ist: wobei jedes von R21, R22, R23 und R24 unabhängig aus einer substituierten oder unsubstituierten C6- bis C30-Arylgruppe ausgewählt ist und jedes von R25, R26 und R27 unabhängig aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Wasserstoff, Deuterium, einer substituierten oder unsubstituierten C1- bis C10-Alkylgruppe, einer substituierten oder unsubstituierten C6- bis C30-Arylgruppe und einer substituierten oder unsubstituierten C5- bis C30-Heteroarylgruppe besteht.
- 16. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 15, wobei die dritte Verbindung eine der Verbindungen in Formel 6 ist:
- 17. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 1, die ferner umfasst:
- einen zweiten Emissionsteil mit einer zweiten Emissionsmaterialschicht, die zwischen dem ersten Emissionsteil und der ersten Elektrode oder zwischen dem ersten Emissionsteil und der zweiten Elektrode positioniert ist,
- wobei die zweite Emissionsmaterialschicht eine vierte Verbindung und eine fünfte Verbindung umfasst.
- 18. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 17, wobei die vierte Verbindung eine Verbindung in Formel 12 ist und die fünfte Verbindung eine Verbindung in Formel 13 ist: , und
- 19. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 17, wobei der zweite Emissionsteil ferner umfasst:
- eine zweite Lochtransportschicht, die an einer ersten Seite der zweiten Emissionsmaterialschicht positioniert ist und die zweite Emissionsmaterialschicht kontaktiert; und
- eine zweite Elektronentransportschicht, die an einer zweiten Seite der zweiten Emissionsmaterialschicht positioniert ist und die zweite Emissionsmaterialschicht kontaktiert.
- 20. Eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung, die umfasst:
- ein Substrat mit einem roten Pixelbereich, einem grünen Pixelbereich und einem blauen Pixelbereich; und
- eine organische Leuchtdiode, die auf oder über dem Substrat und im roten Pixelbereich angeordnet ist, wobei die organische Leuchtdiode umfasst:
- eine erste Elektrode;
- eine zweite Elektrode, die der ersten Elektrode zugewandt ist; und
- einen ersten Emissionsteil mit einer ersten Emissionsmaterialschicht zwischen der ersten und der zweiten Elektrode, einer ersten Lochsperrschicht zwischen der zweiten Elektrode und der ersten Emissionsmaterialschicht und einer ersten Zwischenfunktionsschicht zwischen der ersten Emissionsmaterialschicht und der ersten Lochsperrschicht,
- wobei die erste Emissionsmaterialschicht eine erste Verbindung, eine zweite Verbindung und eine dritte Verbindung umfasst und die erste Zwischenfunktionsschicht eine erste Verbindung und eine zweite Verbindung umfasst, und
- wobei die zweite Verbindung in der ersten Zwischenfunktionsschicht einen Kern, der derselbe wie die zweite Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht ist, und ein höheres LUMO-Energieniveau als die zweite Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht aufweist.
-
Hier sind auch die folgenden nummerierten Abschnitte offenbart:
- 1. Eine organische Leuchtdiode, die umfasst:
- eine erste Elektrode;
- eine zweite Elektrode, die der ersten Elektrode zugewandt ist; und
- einen ersten Emissionsteil mit einer ersten Emissionsmaterialschicht zwischen der ersten und der zweiten Elektrode, einer ersten Lochsperrschicht zwischen der zweiten Elektrode und der ersten Emissionsmaterialschicht und einer ersten Zwischenfunktionsschicht zwischen der ersten Emissionsmaterialschicht und der ersten Lochsperrschicht,
- wobei die erste Emissionsmaterialschicht eine erste Verbindung, eine zweite Verbindung und eine dritte Verbindung umfasst und die erste Zwischenfunktionsschicht eine erste Verbindung und eine zweite Verbindung umfasst, und
- wobei die zweite Verbindung in der ersten Zwischenfunktionsschicht einen Kern, der derselbe wie die zweite Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht ist, und ein höheres LUMO-Energieniveau als die zweite Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht aufweist;
- wobei jede der zweiten Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht und der zweiten Verbindung in der ersten Zwischenfunktionsschicht durch Formel 3-1 dargestellt ist: wobei b1 eine ganze Zahl von 0 bis 4 ist und Y durch Formel 3-2 dargestellt ist: wobei jedes von R11 und R12 unabhängig aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus einer substituierten oder unsubstituierten C1- bis C10-Alkylgruppe, einer substituierten oder unsubstituierten C6- bis C30-Arylgruppe und einer substituierten oder unsubstituierten C5- bis C30-Heteroarylgruppe besteht, oder mindestens eines von zwei benachbarten R11 und zwei benachbarten R12 miteinander verbunden sind, zusammen mit den Atomen, an die sie gebunden sind, um einen aromatischen Ring oder einen heteroaromatischen Ring zu bilden, und
- wobei jedes von b2 und b3 unabhängig eine ganze Zahl von 0 bis 4 ist.
- 2. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 1, wobei die erste Emissionsmaterialschicht die erste Zwischenfunktionsschicht kontaktiert.
- 3. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 1 oder 2, wobei die Lochsperrschicht die erste Zwischenfunktionsschicht kontaktiert.
- 4. Die organische Leuchtdiode gemäß irgendeinem vorangehenden Abschnitt, wobei die zweite Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht und die zweite Verbindung in der ersten Zwischenfunktionsschicht verschiedene Verbindungen sind.
- 5. Die organische Leuchtdiode gemäß irgendeinem vorangehenden Abschnitt, wobei die zweite Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht durch Formel 3a dargestellt ist und die zweite Verbindung in der ersten Zwischenfunktionsschicht durch Formel 3b dargestellt ist: , und wobei Y und b1 gleich wie in Formel 3-1 definiert sind.
- 6. Die organische Leuchtdiode gemäß irgendeinem vorangehenden Abschnitt, wobei die zweite Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht eine von Verbindungen in Formel 4 ist und die zweite Verbindung in der ersten Zwischenfunktionsschicht eine von Verbindungen in Formel 4 ist:
- 7. Die organische Leuchtdiode gemäß irgendeinem vorangehenden Abschnitt, wobei der erste Emissionsteil ferner eine erste Elektronensperrschicht zwischen der ersten Elektrode und der ersten Emissionsmaterialschicht umfasst, und
wobei die erste Emissionsmaterialschicht die erste Elektronensperrschicht kontaktiert.
- 8. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 7, wobei der erste Emissionsteil ferner eine erste Lochtransportschicht zwischen der ersten Elektronensperrschicht und der ersten Elektrode und eine erste Elektronentransportschicht zwischen der ersten Lochsperrschicht und der zweiten Elektrode umfasst.
- 9. Die organische Leuchtdiode gemäß irgendeinem vorangehenden Abschnitt, wobei erste Gew.-% der zweiten Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht größer sind als zweite Gew.-% der zweiten Verbindung in der ersten Zwischenfunktionsschicht.
- 10. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 9, wobei die ersten Gew.-% 40 oder mehr sind und die zweiten Gew.-% 10 oder weniger sind.
- 11. Die organische Leuchtdiode gemäß irgendeinem vorangehenden Abschnitt, wobei die erste Emissionsmaterialschicht eine erste Dicke aufweist und die erste Zwischenfunktionsschicht eine zweite Dicke aufweist, die kleiner ist als erste Dicke.
- 12. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 11, wobei die zweite Dicke 40 % oder weniger der ersten Dicke ist.
- 13. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 11, wobei die zweite Dicke 100 Å oder weniger ist.
- 14. Die organische Leuchtdiode gemäß irgendeinem vorangehenden Abschnitt, wobei jede der ersten Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht und der ersten Verbindung in der ersten Zwischenfunktionsschicht durch Formel 1 dargestellt ist: wobei jedes von R1, R2, R3, R4 und R5 unabhängig aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus einer substituierten oder unsubstituierten C1- bis C10-Alkylgruppe, einer substituierten oder unsubstituierten C6- bis C30-Arylengruppe und einer substituierten oder unsubstituierten C5- bis C30-Heteroarylengruppe besteht,
wobei jedes von a1, a2, a3, a4 und a5 unabhängig eine ganze Zahl von 0 bis 4 ist,
wobei X NR6, O oder S ist und R6 aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Wasserstoff, einer substituierten oder unsubstituierten C1- bis C10-Alkylgruppe, einer substituierten oder unsubstituierten C6- bis C30-Arylengruppe und einer substituierten oder unsubstituierten C5- bis C30-Heteroarylengruppe besteht.
- 15. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 14, wobei jede der ersten Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht und der ersten Verbindung in der ersten Zwischenfunktionsschicht unabhängig aus Verbindungen in Formel 2 ausgewählt ist:
- 16. Die organische Leuchtdiode gemäß irgendeinem vorangehenden Abschnitt, wobei die dritte Verbindung durch Formel 5 dargestellt ist: wobei jedes von R21, R22, R23 und R24 unabhängig aus einer substituierten oder unsubstituierten C6- bis C30-Arylgruppe ausgewählt ist und jedes von R25, R26 und R27 unabhängig aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Wasserstoff, Deuterium, einer substituierten oder unsubstituierten C1- bis C10-Alkylgruppe, einer substituierten oder unsubstituierten C6- bis C30-Arylgruppe und einer substituierten oder unsubstituierten C5- bis C30-Heteroarylgruppe besteht.
- 17. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 16, wobei die dritte Verbindung eine von Verbindungen in Formel 6 ist:
- 18. Die organische Leuchtdiode gemäß irgendeinem vorangehenden Abschnitt, die ferner umfasst:
- einen zweiten Emissionsteil mit einer zweiten Emissionsmaterialschicht, der zwischen dem ersten Emissionsteil und der ersten Elektrode oder zwischen dem ersten Emissionsteil und der zweiten Elektrode positioniert ist,
- eine Ladungserzeugungsschicht zwischen dem ersten Emissionsteil und dem zweiten Emissionsteil;
- wobei die zweite Emissionsmaterialschicht eine vierte Verbindung und eine fünfte Verbindung umfasst.
- 19. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 18, wobei die vierte Verbindung eine Verbindung in Formel 12 ist und die fünfte Verbindung eine Verbindung in Formel 13 ist: , und
- 20. Die organische Leuchtdiode gemäß Abschnitt 18 oder 19, wobei der zweite Emissionsteil ferner umfasst:
- eine zweite Lochtransportschicht, die an einer ersten Seite der zweiten Emissionsmaterialschicht positioniert ist und die zweite Emissionsmaterialschicht kontaktiert; und
- eine zweite Elektronentransportschicht, die an einer zweiten Seite der zweiten Emissionsmaterialschicht positioniert ist und die zweite Emissionsmaterialschicht kontaktiert.
- 21. Eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung, die umfasst:
- ein Substrat mit einem roten Pixelbereich, einem grünen Pixelbereich und einem blauen Pixelbereich; und
- eine organische Leuchtdiode, die auf oder über dem Substrat und im roten Pixelbereich angeordnet ist, wobei die organische Leuchtdiode umfasst:
- eine erste Elektrode;
- eine zweite Elektrode, die der ersten Elektrode zugewandt ist; und
- einen ersten Emissionsteil mit einer ersten Emissionsmaterialschicht zwischen der ersten und der zweiten Elektrode, einer ersten Lochsperrschicht zwischen der zweiten Elektrode und der ersten Emissionsmaterialschicht und einer ersten Zwischenfunktionsschicht zwischen der ersten Emissionsmaterialschicht und der ersten Lochsperrschicht,
- wobei die erste Emissionsmaterialschicht eine erste Verbindung, eine zweite Verbindung und eine dritte Verbindung umfasst und die erste Zwischenfunktionsschicht eine erste Verbindung und eine zweite Verbindung umfasst, und
- wobei die zweite Verbindung in der ersten Zwischenfunktionsschicht einen Kern, der derselbe wie die zweite Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht ist, und ein höheres LUMO-Energieniveau als die zweite Verbindung in der ersten Emissionsmaterialschicht aufweist.
- 22. Die organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung von Abschnitt 21, wobei die organische Leuchtdiode eine organische Leuchtdiode, wie in irgendeinem der Abschnitte 1 bis 20 definiert, ist.