CN116114070A - 显示装置和用于显示装置的制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 40
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 29
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004720 dielectrophoresis Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76895—Local interconnects; Local pads, as exemplified by patent document EP0896365
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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Abstract
提供了一种显示装置和用于显示装置的制造方法。显示装置包括:基底;第一电极,布置在基底上;第二电极,设置在基底上以与第一电极分离;发光元件,布置在第一电极和第二电极上,使得发光元件的两端分别设置在第一电极和第二电极上;第一绝缘图案,布置在发光元件上,并且暴露发光元件的两端;以及第二绝缘图案,布置在第一电极上,并且布置为与第一绝缘图案分离,其中,第一绝缘图案和第二绝缘图案包括相同的材料。
Description
技术领域
本公开涉及一种显示装置和用于显示装置的制造方法。
背景技术
随着多媒体技术的发展,显示装置的重要性已经稳步增加。响应于此,已经使用了诸如有机发光显示器(OLED)、液晶显示器(LCD)等的各种类型的显示装置。
显示装置是用于显示图像的装置,并且包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板。发光显示面板可以包括发光元件(例如,发光二极管(LED)),并且发光二极管的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。
发明内容
技术问题
本公开的方面提供了一种通过去除分离的发光元件而具有改善的可靠性的显示装置。
应当注意的是,公开的方面不限于此,在这里未提及的其他方面根据以下描述对于本领域普通技术人员而言将是明显的。
技术方案
根据公开的实施例,显示装置包括:基底;第一电极,设置在基底上;第二电极,设置为在基底上与第一电极间隔开;发光元件,设置在第一电极和第二电极上,使得发光元件的两端分别设置在第一电极和第二电极上;第一绝缘图案,设置在发光元件上,并且暴露发光元件的两端;以及第二绝缘图案,设置在第一电极上,并且设置为与第一绝缘图案间隔开,其中,第一绝缘图案和第二绝缘图案包括相同的材料。
显示装置还可以包括:第一接触电极,与发光元件的一端和第一电极接触,其中,第一接触电极可以设置在第一电极上以覆盖第一绝缘图案。
显示装置还可以包括:第一绝缘层,设置在第一电极和第二电极上,其中,发光元件和第二绝缘图案可以设置在第一绝缘层上,并且第一接触电极可以通过穿过第一绝缘层的第一开口与第一电极接触。
第一开口可以在基底的厚度方向上不与第一绝缘图案和第二绝缘图案叠置。
显示装置还可以包括:第三绝缘图案,设置在第二电极上,并且设置为与第一绝缘图案和第二绝缘图案间隔开,其中,第三绝缘图案可以包括与第一绝缘图案和第二绝缘图案相同的材料。
显示装置还可以包括:第一接触电极,设置在第一电极上,并且与发光元件的一端和第一电极接触;以及第二接触电极,设置在第二电极上,并且与发光元件的另一端和第二电极接触,其中,第一接触电极和第二接触电极可以设置为在第一绝缘图案上彼此间隔开。
第一接触电极可以设置为覆盖第一绝缘图案,并且第二接触电极可以设置为覆盖第二绝缘图案。
第一绝缘图案的厚度可以大于第二绝缘图案的厚度。
第二绝缘图案可以在基底的厚度方向上不与第一电极的两端叠置。
第一绝缘图案和第二绝缘图案中的每个在平面图中可以具有岛形状。
第二绝缘图案的剖面形状可以是其中第二绝缘图案的面对第一绝缘图案的一个侧表面平行于第一绝缘图案并且第二绝缘图案的另一侧表面突出的形状。
根据公开的另一实施例,显示装置包括:基底;第一电极,设置在基底的一个表面上,并且在第一方向上延伸;第二电极,设置在基底的一个表面上与第一电极间隔开,并且在第一方向上延伸;发光元件,设置在第一电极和第二电极上,使得发光元件的两端分别设置在第一电极和第二电极上;第一绝缘图案,在第一电极与第二电极之间的区域中设置在基底上,并且在第一方向上延伸;以及第二绝缘图案,与第一绝缘图案间隔开,设置在第一电极上,并且在第一方向上延伸,其中,第一绝缘图案的至少一部分设置在发光元件上,并且在基底的厚度方向上不与发光元件的两端叠置,并且第二绝缘图案在基底的厚度方向上不与第一电极的两端叠置。
显示装置还可以包括:第一接触电极,与发光元件的一端和第一电极接触,在第一方向上延伸,并且覆盖第二绝缘图案。
第一绝缘图案和第二绝缘图案可以包括相同的材料。
根据公开的另一实施例,一种用于显示装置的制造方法,所述用于显示装置的制造方法包括:制备基底,基底包括彼此间隔开并且彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在第一电极或第二电极上的多个发光元件,以及在基底上设置阴影掩模,并且然后使用阴影掩模在第一电极和第二电极上以及第一电极与第二电极之间的间隔区域中形成绝缘图案材料层;其中,绝缘图案材料层在基底的厚度方向上与第一电极的面对第二电极的一端和第二电极的面对第一电极的一端叠置,并且在基底的厚度方向上不与第一电极的另一端和第二电极的另一端叠置。
发光元件可以包括第一发光元件和第二发光元件,第一发光元件的两端分别设置在第一电极和第二电极上,第二发光元件的两端中的至少一个不设置在第一电极或第二电极上,并且绝缘图案材料层可以设置为覆盖第一发光元件。
绝缘图案材料层可以在基底的厚度方向上不与第二发光元件叠置,用于显示装置的制造方法还可以包括:在形成绝缘图案材料层的步骤之后,去除第二发光元件。
在去除第二发光元件的步骤中,第一发光元件可以被绝缘图案材料层覆盖并且不被去除。
用于显示装置的制造方法还可以包括:通过蚀刻绝缘图案材料层来形成第一绝缘图案、第二绝缘图案和第三绝缘图案,其中,第一绝缘图案可以设置在发光元件上,并且暴露发光元件的两端,第二绝缘图案可以设置在第一电极上,第三绝缘图案可以设置在第二电极上,并且第一绝缘图案、第二绝缘图案和第三绝缘图案可以彼此间隔开。
用于显示装置的制造方法还可以包括:形成与发光元件的一端和第一电极接触的第一接触电极以及与发光元件的另一端和第二电极接触的第二接触电极,其中,第一接触电极和第二接触电极可以设置为彼此间隔开,第一接触电极可以设置在第一电极上以覆盖第二绝缘图案,并且第二接触电极可以设置在第二电极上以覆盖第三绝缘图案。
其他实施例的细节包括在详细描述和附图中。
有益效果
利用根据实施例的显示装置和用于显示装置的制造方法,通过使用阴影掩模部分地形成绝缘图案材料层,可以固定其两端设置在第一电极和第二电极上的发光元件(下文中被称为第一发光元件),并且去除其两端中的至少一端未设置在第一电极或第二电极上的发光元件(下文中被称为第二发光元件或分离的发光元件)。因此,可以减少会由分离的发光元件引起的显示装置的缺陷,并且可以回收和再利用分离的发光元件,因此,可以降低显示装置的材料成本。
根据实施例的效果不受上面例示的内容的限制,并且更多各种效果包括在本公开中。
附图说明
图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图;
图2是示出根据实施例的显示装置的一个像素的平面图;
图3是根据实施例的显示装置的显示区域和垫区域的示意性剖视图;
图4是示出沿着图3的线V-V'截取的示例的剖视图;
图5是根据实施例的发光元件的示意图;
图6至图28是根据实施例的显示装置的制造工艺步骤的剖视图和平面图;
图29是根据另一实施例的显示装置的显示区域和垫区域的示意性剖视图;以及
图30至图32是示出图29的显示装置的制造方法的一些工艺步骤的剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照其中示出了发明的优选实施例的附图更充分地描述发明。然而,发明可以以不同的形式实施,并且不应被解释为限于在这里阐述的实施例。相反,提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的,并且将向本领域技术人员充分传达发明的范围。
还将理解的是,当层被称为“在”另一层或基底“上”时,该层可以直接在另一层或基底上,或者也可以存在中间层。贯穿说明书,相同的附图标记表示相同的组件。
将理解的是,尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如,在不脱离发明的教导的情况下,下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地,第二元件也可以被称为第一元件。
在下文中,将参照附图描述实施例。
图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图。
参照图1,显示装置10显示运动图像或静止图像。显示装置10可以是指提供显示屏的所有电子装置。例如,提供显示屏幕的电视、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏机、数码相机、摄像机等可以包括在显示装置10中。
显示装置10包括提供显示屏幕的显示面板。显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。在下文中,将通过示例的方式描述无机发光二极管显示面板被应用为显示面板的示例的情况,但是本公开不限于此,如果应用,则相同的技术精神可以应用于其他显示面板。
在下文中,在用于描述显示装置10的实施例的附图中限定了第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3。第一方向DR1和第二方向DR2可以是在一个平面中彼此垂直的方向。第三方向DR3可以是与其中定位有第一方向DR1和第二方向DR2的平面垂直的方向。第三方向DR3与第一方向DR1和第二方向DR2中的每个垂直。在用于描述显示装置10的实施例中,第三方向DR3是指显示装置10的厚度方向(或显示方向)。
在平面图中,显示装置10可以具有包括第一方向DR1上的长边和第二方向DR2上的短边的矩形形状。在平面图中,显示装置10的长边和短边相遇的拐角部分可以是直角的,但不限于此,也可以具有倒圆的弯曲形状。显示装置10的形状不限于上述形状,并且可以进行各种修改。例如,在平面图中,显示装置10的形状也可以是诸如正方形形状、具有倒圆的拐角(顶点)的四边形形状、其他多边形形状、圆形形状等其他形状。
显示装置10的显示表面可以设置在显示装置10的在作为厚度方向的第三方向DR3上的一侧上。在用于描述显示装置10的实施例中,除非另外说明,否则“上部”是第三方向DR3上的一侧并且是指显示方向,“上表面”是指面对在第三方向DR3上的一侧的表面。另外,“下部”是第三方向DR3上的另一侧并且是指与显示方向相反的方向,“下表面”是指面对第三方向DR3上的另一侧的表面。另外,在平面图中,“左”、“右”、“上”和“下”是指观看显示装置10时的方向。例如,“右侧”是指第一方向DR1上的一侧,“左侧”是指第一方向DR1上的另一侧,“上侧”是指第二方向DR2上的一侧,“下侧”是指第二方向DR2上的另一侧。
显示装置10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA是其中可以显示图像的区域,非显示区域NDA是其中不显示图像的区域。
显示区域DPA的形状可以遵循显示装置10的形状。例如,在平面图中,显示区域DPA的形状可以具有类似于显示装置10的整体形状的矩形形状。显示区域DPA可以基本上占据显示装置10的中心。
显示区域DPA可以包括多个像素PX。多个像素PX可以在矩阵方向上布置。在平面图中,每个像素PX的形状可以是矩形形状或正方形形状。每个像素PX可以包括由无机颗粒制成的发光元件。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DPA周围。非显示区域NDA可以完全地或部分地围绕显示区域DPA。非显示区域NDA可以构成显示装置10的边框。
用于驱动显示区域DPA的驱动电路或驱动元件可以设置在非显示区域NDA中。例如,垫(pad,也被称为“焊盘”或“焊垫”)部分可以设置在显示装置10的与显示装置10的第一长边(图1中的下侧)相邻设置的非显示区域NDA中和/或与显示装置10的第二长边(图1中的上侧)相邻设置的非显示区域NDA中的基底上,并且外部装置EXD可以安装在垫部分的垫电极上。外部装置EXD的示例可以包括连接膜、印刷电路板、驱动芯片DIC、连接器、布线连接膜等。形成在显示装置10的基底上的扫描驱动器SDR等可以设置在与显示装置10的第一短边(图1中的左侧)相邻设置的非显示区域NDA中。
图2是示出根据实施例的显示装置的一个像素的平面图。
参照图2,显示装置10的每个像素PX可以包括发射区域EMA和非发射区域(未示出)。发射区域EMA可以被限定为其中从发光元件ED发射的光被发射的区域,非发射区域可以被限定为其中从发光元件ED发射的光没有到达而因此不发射光的区域。
发射区域EMA可以包括其中设置有发光元件ED的区域和与其中设置有发光元件ED的区域相邻的区域。另外,发射区域EMA还可以包括其中从发光元件ED发射的光被其他构件反射或折射并随后发射的区域。
每个像素PX还可以包括设置在非发射区域中的切口区域CBA。切口区域CBA可以在一个像素PX内设置在发射区域EMA的上侧(或发射区域EMA在第二方向DR2上的一侧)上。切口区域CBA可以设置在沿第二方向DR2彼此邻近设置的像素PX的发射区域EMA之间。
切口区域CBA可以是其中包括在沿着第二方向DR2彼此邻近的各个像素PX中的电极210和220彼此分离的区域。设置在每个像素PX中的电极210和220可以在切口区域CBA中彼此分离,并且设置在每个像素PX中的电极210和220的部分可以设置在切口区域CBA中。发光元件ED可以不设置在切口区域CBA中。
图3是根据实施例的显示装置的显示区域和垫区域的示意性剖视图。图4是示出沿着图3的线V-V'截取的示例的剖视图。
在图3中,一起示出了显示区域DPA的一部分和非显示区域NDA的一部分的剖面。示出了包括在一个像素PX中的发射区域EMA及其相邻的区域的剖面作为显示区域DPA的剖面,示出了垫区域PDA的剖面作为非显示区域NDA的剖面。在图4中,示出了其中包括在显示区域DPA的一个像素PX中的发射区域EMA中的第一接触电极710和第二接触电极720以及第一电极210和第二电极220彼此接触的区域的剖面。
参照图2至图4,显示装置10可以包括基底SUB、设置在基底SUB上的电路元件层PAL、在显示区域DPA中设置在电路元件层PAL上并且包括多个发光元件ED的发光元件层和在垫区域PDA中设置在电路元件层PAL上并且包括垫电极730的垫部分。
基底SUB可以是绝缘基底。基底SUB可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料制成。基底SUB可以是刚性基底,但也可以是能够弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。
电路元件层PAL可以设置在基底SUB上。尽管未在附图中示出,但是电路元件层PAL可以包括设置在显示区域DPA中以驱动发光元件层的至少一个晶体管等。另外,电路元件层PAL可以包括设置在垫区域PDA中的布线垫,以通过稍后将描述的连接电极230和垫电极730连接到安装在电路元件层PAL上的外部装置EXD(见图1)。
第一堤400可以设置在电路元件层PAL上。第一堤400可以设置在显示区域DPA中。在平面图中,第一堤400可以具有其中第一堤400在每个像素PX的发射区域EMA内在第二方向DR2上延伸的形状。
第一堤400可以包括设置为彼此间隔开的第一子堤410和第二子堤420。在实施例中,第一子堤410和第二子堤420可以设置为在第一方向DR1上彼此间隔开并且彼此面对。
第一子堤410和第二子堤420可以具有其中第一子堤410和第二子堤420的至少一部分从基底SUB的上表面突出的结构。第一子堤410和第二子堤420的突出部分可以具有倾斜的侧表面。第一子堤410和第二子堤420可以具有倾斜表面,以用于将从发光元件ED发射并朝向第一子堤410和第二子堤420的侧表面行进的光的行进方向改变为向上的方向(例如,显示方向)。
第一电极210和第二电极220可以设置在第一堤400上。第一电极210可以设置在第一子堤410上,第二电极220可以设置在第二子堤420上。
在平面图中,第一电极210和第二电极220中的每个可以具有其在第二方向DR2上延伸的形状。第一电极210和第二电极220可以设置为在第一方向DR1上彼此间隔开并且彼此面对。
在平面图中,第一电极210可以在第二方向DR2上延伸,以与第二堤600的在第一方向DR1上延伸的部分区域叠置。第一电极210可以通过第一接触孔CT1电连接到电路元件层PAL。
在平面图中,第二电极220可以在第二方向DR2上延伸,以与第二堤600的在第一方向DR1上延伸的部分区域叠置。第二电极220可以通过第二接触孔CT2电连接到电路元件层PAL。
第一电极210和第二电极220可以分别电连接到发光元件ED,并且可以向第一电极21和第二电极22施加预定电压,使得发光元件ED发光。例如,多个电极210和220可以通过稍后将描述的接触电极710和720在第一电极210与第二电极220之间的间隔区域中电连接到设置在第一电极210和第二电极220上的发光元件ED,并且施加到电极210和220的电信号可以通过接触电极710和720传输到发光元件ED。
另外,用于形成在显示装置10的制造工艺中用于对准发光元件ED的电场的对准信号可以被施加到第一电极210和第二电极220。具体地,当通过显示装置10的制造工艺之中的喷墨印刷工艺将包括多个发光元件ED的墨喷射到第一电极210和第二电极220上时,可以将对准信号施加到第一电极210和第二电极220以产生电场。包括在墨中的多个发光元件ED可以通过接收由在第一电极210和第二电极220上产生的电场产生的介电泳力来对准,使得多个发光元件ED的两端在第一电极210与第二电极220之间定位在第一电极210和第二电极220上。
第一电极210和第二电极220可以在像素PX中的切口区域CBA中分别与在第二方向DR2上邻近的像素PX的第一电极210和第二电极220分离。在显示装置10的制造工艺之中,可以在设置发光元件ED的工艺之后通过断开切口区域CBA中的第一电极210和第二电极220的工艺来形成在切口区域CBA中分离的第一电极210和第二电极220的平面形状。然而,本公开不限于此,第一电极210和第二电极220中的一些可以延伸到在第二方向DR2上邻近的像素PX,以与在第二方向DR2上相邻的像素PX的第一电极210和第二电极220成一体,或者可以仅分离第一电极210或第二电极220中的任何一个。
连接电极230可以设置在电路元件层PAL上。连接电极230可以设置在垫区域PDA中。尽管未在附图中示出,但是如上所述,电路元件层PAL可以包括设置在垫区域PDA中的布线垫,并且连接电极230可以电连接到布线垫。
在实施例中,第一电极210、第二电极220和连接电极230可以包括相同的材料。第一电极210、第二电极220和连接电极230可以通过同一掩模工艺来图案化和形成,但不限于此。
第一绝缘层510可以设置在显示区域DPA和垫区域PDA中。第一绝缘层510可以设置在多个电极210和220以及连接电极230上。
第一绝缘层510可以在显示区域DPA中设置在第一电极210和第二电极220上。第一绝缘层510可以设置为覆盖第一电极210和第二电极220,并且可以包括暴露第一电极210的一部分的第一开口OP1和暴露第二电极220的一部分的第二开口OP2。第一电极210可以通过穿过第一绝缘层510的第一开口OP1与稍后将描述的第一接触电极710接触,第二电极220可以通过穿过第一绝缘层510的第二开口OP2与稍后将描述的第二接触电极720接触。
第一绝缘层510可以用于在保护第一电极210和第二电极220的同时使第一电极210和第二电极220彼此绝缘。另外,第一绝缘层510可以防止设置在第一绝缘层510上的发光元件ED与其他构件直接接触并且被其他构件损坏。
第一绝缘层510可以设置在连接电极230的外周区域中,以暴露垫区域PDA中的连接电极230的上表面的一部分。第一绝缘层510可以构成暴露连接电极230的垫开口OPP。垫开口OPP的内侧壁可以设置为与连接电极230叠置。
第一绝缘层510可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。例如,第一绝缘层510可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)的无机绝缘材料。可选地,第一绝缘层510可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯撑树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、cardo树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂的有机绝缘材料。在实施例中,第一绝缘层510可以包括氧化硅(SiOx),但不限于此。
第二堤600可以设置在第一绝缘层510上。第二堤600可以设置在显示区域DPA中。在平面图中,第二堤600可以通过包括在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分而在整个显示区域DPA中设置为格子状图案。第二堤600可以横跨各个像素PX之间的边界设置,以划分邻近的像素PX。第二堤600可以设置为围绕显示区域DPA的外部,但是可以不设置在垫区域PDA中。
第二堤600可以形成为具有比第一堤400大的高度。第二堤600可以用于在显示装置10的制造工艺之中的用于对准发光元件ED的喷墨印刷工艺中防止墨溢出到相邻的像素PX中。另外,第二堤600可以设置为围绕针对每个像素PX设置的发射区域EMA和切口区域CBA,以划分发射区域EMA和切口区域CBA。第二堤600可以设置为划分发射区域EMA和切口区域CBA,因此,发光元件ED可以不设置在切口区域CBA中。
在实施例中,第二堤600可以包括诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料,但不限于此。
发光元件ED可以设置在第一绝缘层510上。发光元件ED可以设置在显示区域DPA中。
发光元件ED可以具有其中发光元件ED在一个方向上延伸的形状。第一电极210和第二电极220的延伸方向和发光元件ED的延伸方向可以基本上彼此垂直。然而,本公开不限于此,多个发光元件ED中的一些发光元件ED可以设置为使得其延伸方向基本上垂直于第一电极210和第二电极220的延伸方向,并且多个发光元件ED中的其他发光元件ED可以设置为使得其延伸方向倾斜于第一电极210和第二电极220的延伸方向。
发光元件ED可以具有在第一子堤410与第二子堤420之间分别设置在第一电极210和第二电极220上的两端。具体地,发光元件ED可以设置在彼此间隔开并且彼此面对的第一电极210和第二电极220的相应一端上。在下文中,在本公开中,为了便于说明,第一电极210和第二电极220的彼此面对的相应端部(也就是说,相应电极的在发射区域EMA中向内面对的端部)将被称为第一电极210和第二电极220的一端,并且第一电极210和第二电极220的与该一端相对的端部(即,相应电极的在发射区域EMA中向外面对的端部)将被称为第一电极210和第二电极220的另一端。
发光元件ED的延伸长度可以大于第一电极210与第二电极220之间的间隔。因此,发光元件ED可以设置在第一电极210和第二电极220上,使得发光元件ED的一端放置在第一电极210(具体地,第一电极210的一端)上,并且发光元件ED的另一端放置在第二电极220(具体地,第二电极220的一端)上。
第一绝缘图案521可以在发射区域EMA中设置在第一电极210与第二电极220之间。在平面图中,第一绝缘图案521可以具有其中第一绝缘图案521在第二方向DR2上延伸的形状。第一绝缘图案521可以在每个像素PX的发射区域EMA中形成线性图案或岛状图案。
第一绝缘图案521的至少部分可以设置在发光元件ED上。第一绝缘图案521可以部分地设置在第一电极210与第二电极220之间的发光元件ED上。第一绝缘图案521可以设置为部分地围绕发光元件ED的外表面。第一绝缘图案521可以设置在发光元件ED上,但是可以暴露发光元件ED的两端。
第一绝缘图案521可以用于在显示装置10的制造工艺中在保护发光元件ED的同时固定发光元件ED。同时,为了稳定地固定发光元件ED,第一绝缘图案521的厚度可以大于发光元件ED的直径。
第二绝缘图案522可以设置为在第一方向DR1上与第一绝缘图案521间隔开。在平面图中,第二绝缘图案522可以具有其中第二绝缘图案522在第二方向DR2上延伸的形状。第二绝缘图案522可以在每个像素PX的发射区域EMA中形成线性图案或岛状图案。
第二绝缘图案522可以在发射区域EMA中设置在第一绝缘层510上。第二绝缘图案522可以设置为在第三方向DR3上与第一电极210叠置。第二绝缘图案522在第一方向DR1上的宽度可以小于第一电极210在第一方向DR1上的宽度。因此,第二绝缘图案522可以在第三方向DR3上不与第一电极210的两端叠置。第二绝缘图案522可以在第三方向DR3上不与第一子堤410的倾斜侧表面叠置。然而,本公开不限于此,第二绝缘图案522可以在第三方向DR3上与第一子堤410的倾斜侧表面至少部分地叠置。
第二绝缘图案522的面对第一绝缘图案521的一个侧表面和第二绝缘图案522的另一侧表面的剖面形状可以彼此不同。例如,第二绝缘图案522的一个侧表面可以形成为基本上平行于第一绝缘图案521,以形成为单个平坦表面或弯曲表面,但是第二绝缘图案522的另一侧表面可以具有其从发射区域EMA向外突出的形状。第二绝缘图案522的这种剖面形状可以是通过使用阴影掩模的沉积工艺形成的形状。
第三绝缘图案523可以设置为在第一方向DR1上与第一绝缘图案521和第二绝缘图案522间隔开。在平面图中,第一绝缘图案521可以设置在第二绝缘图案522与第三绝缘图案523之间。在平面图中,第三绝缘图案523可以具有其中第三绝缘图案523在第二方向DR2上延伸的形状。第三绝缘图案523可以在每个像素PX的发射区域EMA中形成线性图案或岛状图案。
第三绝缘图案523可以在发射区域EMA中设置在第一绝缘层510上。第三绝缘图案523可以设置为在第三方向DR3上与第二电极220叠置。第三绝缘图案523在第一方向DR1上的宽度可以小于第二电极220在第一方向DR1上的宽度。因此,第三绝缘图案523可以在第三方向DR3上不与第二电极220的两端叠置。第三绝缘图案523可以在第三方向DR3上不与第二子堤420的倾斜侧表面叠置。然而,本公开不限于此,第三绝缘图案523可以在第三方向DR3上与第二子堤420的倾斜侧表面至少部分地叠置。
类似于第二绝缘图案522,第三绝缘图案523的面对第一绝缘图案521的一个侧表面和第三绝缘图案523的另一侧表面的剖面形状可以彼此不同。例如,第三绝缘图案523的一个侧表面可以形成为基本上平行于第一绝缘图案521,以形成为单个平坦表面或弯曲表面,但是第三绝缘图案523的另一侧表面可以具有其从发射区域EMA向外突出的形状。第三绝缘图案523的这种剖面形状可以是通过使用阴影掩模的沉积工艺形成的形状。
第一绝缘图案521、第二绝缘图案522和第三绝缘图案523可以在第三方向DR3上不与第一开口OP1和第二开口OP2叠置。
第一绝缘图案521、第二绝缘图案522和第三绝缘图案523可以包括相同的材料。在实施例中,第一绝缘图案521、第二绝缘图案522和第三绝缘图案523可以通过同一工艺图案化并且沉积为一个绝缘图案材料层530'(见图11),并且可以通过后续工艺(例如,蚀刻工艺)形成为彼此间隔开。第二绝缘图案522和第三绝缘图案523可以是在用于形成用于使稍后将描述的接触电极710和720与发光元件ED彼此接触的区域的绝缘图案材料层530'的蚀刻工艺中由于设置在其上的掩模图案而留下的未被蚀刻的残留图案。稍后将提供其详细描述。
第一绝缘图案521的厚度可以大于第二绝缘图案522和第三绝缘图案523的厚度。第一绝缘图案521在第一方向DR1上的宽度可以大于第二绝缘图案522和第三绝缘图案523在第一方向DR1上的宽度。然而,本公开不限于此,第一绝缘图案521的厚度也可以与第二绝缘图案522和第三绝缘图案523的厚度相同。
第一接触电极710可以设置在第一绝缘层510上。第一接触电极710可以设置在显示区域DPA中。第一接触电极710可以设置在第一子堤410和第一电极210上。
在平面图中,第一接触电极710可以具有其中第一接触电极710在第二方向DR2上延伸的形状。第一接触电极710可以在每个像素PX的发射区域EMA中形成线性图案或岛状图案。
第一接触电极710可以与发光元件ED的一端和第一电极210接触。具体地,第一接触电极710的部分区域可以与由第一绝缘图案521暴露的发光元件ED的一端接触。另外,第一接触电极710的另一部分区域可以与通过形成在第一绝缘层510中的第一开口OP1暴露的第一电极210的上表面接触。也就是说,第一接触电极710可以与发光元件ED的一端和第一电极210接触,使得发光元件ED和第一电极210可以彼此电连接。
第一接触电极710可以设置为至少部分地覆盖设置在第一电极210上的第二绝缘图案522。在附图中已经示出了第一接触电极710设置为完全覆盖设置在第一电极210上的第二绝缘图案522,但是本公开不限于此。第一接触电极710可以在第三方向DR3上与第二绝缘图案522叠置。第一接触电极710可以设置为从发光元件ED的一端朝向第一绝缘图案521延伸,以覆盖第一绝缘图案521的一部分。
第二绝缘层530可以设置在显示区域DPA和垫区域PDA中。第二绝缘层530可以完全地设置在除了在显示区域DPA中的其中第一绝缘图案521和第三绝缘图案523彼此面对的隔开的空间之外的区域中。第二绝缘层530可以设置在连接电极230的外周区域中以暴露连接电极230。
第二绝缘层530可以不设置在其中第一绝缘图案521和第三绝缘图案523彼此面对的隔开的空间中。
第二绝缘层530可以在显示区域DPA中设置在第一接触电极710和第三绝缘图案523上。第二绝缘层530可以在第一接触电极710和第三绝缘图案523上向外延伸,以也设置在第一子堤410和第二堤600上。第二绝缘层530的侧表面可以分别与第一绝缘图案521和第三绝缘图案523的彼此面对的侧表面对准。
第二绝缘层530可以使第一接触电极710和第二接触电极720彼此电绝缘。第二绝缘层530可以设置为覆盖第一接触电极710,但是可以不设置在发光元件ED的另一端上,使得发光元件ED可以与第二接触电极720接触。
第二绝缘层530可以设置在连接电极230的外周区域中,以暴露垫区域PDA中的连接电极230的上表面的一部分。第二绝缘层530可以构成暴露连接电极230的垫开口OPP。垫开口OPP的内侧壁可以设置为与连接电极230叠置。在垫区域PDA中,第二绝缘层530和第一绝缘层510可以构成垫开口OPP。构成垫开口OPP的第二绝缘层530和第一绝缘层510的内侧壁可以彼此对准。
第二接触电极720可以设置在第二绝缘层530上。第二接触电极720可以设置在显示区域DPA中。第二接触电极720可以设置在第二子堤420和第二电极220上。
在平面图中,第二接触电极720可以具有其中第二接触电极720在第二方向DR2上延伸的形状。第二接触电极720可以在每个像素PX的发射区域EMA中形成线性图案或岛状图案。在平面图中,第二接触电极720可以设置为在第一方向DR1上与第一接触电极710间隔开。
第二接触电极720可以与发光元件ED的另一端和第二电极220接触。具体地,第二接触电极720的部分区域可以与由第一绝缘图案521暴露的发光元件ED的另一端接触。另外,第二接触电极720的另一部分区域可以与通过形成在第一绝缘层510中的第二开口OP2暴露的第二电极220的上表面接触。也就是说,第二接触电极720可以与发光元件ED的另一端和第二电极220接触,以将发光元件ED的另一端与第二电极220彼此电连接。
第二接触电极720可以设置为至少部分地覆盖设置在第二电极220上的第三绝缘图案523。在附图中已经示出了第二接触电极720设置为完全覆盖设置在第二电极220上的第三绝缘图案523,但是本公开不限于此。第二接触电极720可以在第三方向DR3上与第三绝缘图案523叠置。第二接触电极720可以设置为从发光元件ED的另一端朝向第一绝缘图案521延伸,以覆盖第一绝缘图案521和第二绝缘层530的部分。第一接触电极710和第二接触电极720可以通过第二绝缘层530彼此绝缘。
垫电极730可以设置在垫区域PDA中。垫电极730可以设置在第二绝缘层530上。垫电极730可以通过垫开口OPP与连接电极230的上表面直接接触。垫电极730可以包括与第二接触电极720相同的材料。在实施例中,垫电极730可以通过与第二接触电极720相同的工艺形成。
第三绝缘层540可以完全地设置在基底SUB上。第三绝缘层540可以用于保护设置在基底SUB上的构件免受外部环境的影响。
图5是根据实施例的发光元件的示意图。
参照图5,发光元件ED是颗粒型元件,并且可以具有杆形状或具有预定长宽比的圆柱形状。发光元件ED的长度可以大于发光元件ED的直径,并且发光元件ED的长宽比可以是1.2:1至100:1,但是本公开不限于此。
发光元件ED可以具有纳米级(1nm或更大并且小于1μm)至微米级(1μm或更大并且小于1mm)的尺寸。在实施例中,发光元件ED的长度和直径都可以具有纳米级的尺寸或具有微米级的尺寸。在一些其他实施例中,发光元件ED的直径可以具有纳米级的尺寸,而发光元件ED的长度可以具有微米级的尺寸。在一些实施例中,发光元件ED中的一些的直径和/或长度可以具有纳米级的尺寸,而其他发光元件ED的直径和/或长度可以具有微米级的尺寸。
发光元件ED可以包括无机发光二极管。无机发光二极管可以包括多个半导体层。例如,无机发光二极管可以包括第一导电类型(例如,n型)半导体层、第二导电类型(例如,p型)半导体层和置于第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的活性半导体层。活性半导体层可以接收分别从第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层提供的空穴和电子,并且到达活性半导体层的空穴和电子可彼此结合以发光。
在实施例中,上述半导体层可以沿着发光元件ED的长度方向顺序堆叠。如图5中所示,发光元件ED可以包括在长度方向上顺序堆叠的第一半导体层31、活性层33和第二半导体层32。第一半导体层31、活性层33和第二半导体层32可以分别为上述第一导电类型半导体层、有源半导体层和第二导电类型半导体层。
第一半导体层31可以掺杂有第一导电类型的掺杂剂。第一导电类型的掺杂剂可以是Si、Ge、Se、Sn等。在实施例中,第一半导体层31可以由掺杂有n型Si的n-GaN制成。
第二半导体层32可以设置为与第一半导体层31间隔开,且活性层33置于第二半导体层32与第一半导体层31之间。第二半导体层32可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca或Ba的第二导电类型的掺杂剂。在实施例中,第二半导体层32可以由掺杂有p型Mg的p-GaN制成。
活性层33可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。如上所述,活性层33可以根据通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号通过电子-空穴对的结合来发光。
在一些实施例中,活性层33可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料交替堆叠的结构,并且可以根据发射光的波段包括其他III族至V族半导体材料。
从活性层33发射的光不仅可以发射到发光元件ED在长度方向上的外表面,而且可以发射到发光元件ED的两侧。也就是说,来自活性层33的光的发射方向不限于一个方向。
发光元件ED还可以包括设置在第二半导体层32上的电极层37。电极层37可以与第二半导体层32接触。电极层37可以是欧姆接触电极,但不限于此,还可以是肖特基接触电极。
当发光元件ED的两端和电极(显示装置的接触电极或光学检查装置的第一探针和第二探针)分别彼此电连接时,为了向第一半导体层31和第二半导体层32施加电信号,电极层37可以设置在第二半导体层32和电极之间以用于减小电阻。电极层37可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。电极层37还可以包括n型或p型掺杂的半导体材料。
发光元件ED还可以包括围绕第一半导体层31、第二半导体层32、活性层33和/或电极层37的外周表面的绝缘膜38。绝缘膜38可以设置为至少围绕活性层33的外表面,并且可以在发光元件ED延伸的一个方向上延伸。绝缘膜38可以用于保护这些构件。绝缘膜38可以由具有绝缘性质的材料制成,以防止当活性层33与电信号通过其传输到发光元件ED的电极直接接触时可能发生的电短路。另外,绝缘膜38保护第一半导体层31和第二半导体层32以及活性层33的外周表面,并且因此可以防止发光效率的降低。
在下文中,将参照其他附图描述显示装置10的制造工艺。
图6至图28是根据实施例的显示装置的制造工艺步骤的剖视图和平面布局图。
参照图6和图7,首先,在基底SUB上形成电路元件层PAL,并且在电路元件层PAL上形成包括第一子堤410和第二子堤420的第一堤400。接下来,在显示区域DPA中的第一子堤410和第二子堤420上分别形成第一电极210和第二电极220,并且在垫区域PDA中的电路元件层PAL上形成连接电极230。第一电极210、第二电极220和连接电极230可以包括相同的材料,因此可以在同一工艺中同时形成。
接下来,在基底SUB上形成第一绝缘层510,第一绝缘层510包括在发射区域EMA中分别暴露第一电极210和第二电极220的第一开口OP1和第二开口OP2以及在垫区域PDA中暴露连接电极230的一部分的第三开口OP3。
接下来,在第一绝缘层510上形成第二堤600,然后在由第二堤600分隔的发射区域EMA中设置多个发光元件ED。多个发光元件ED可以包括两端分别设置在第一电极210和第二电极220上的第一发光元件ED1以及两端中的至少一端未设置在第一电极210或第二电极220上的第二发光元件ED2。
同时,多个发光元件ED可以在它们分散在墨中的状态下喷射到目标基底SUB上。在实施例中,发光元件ED可以在它们分散在墨中的状态下制备,并且可以通过使用喷墨印刷装置的印刷工艺喷射到目标基底SUB上。通过喷墨打印装置喷射的墨可以位于由第二堤600围绕的区域中。第二堤600可以防止墨溢出到其他相邻像素PX中。
当喷射包括发光元件ED的墨时,可以将电信号施加到第一电极210和第二电极220中的每个,以使多个发光元件ED在第一绝缘层510上对准。具体地,可以对准多个发光元件ED,使得其两端分别设置在第一电极210和第二电极220上。同时,包括在喷射的墨中的发光元件ED中的一些可以设置在第一电极210与第二电极220之间,但是包括在喷射的墨中的发光元件ED中的其他发光元件ED可以不设置在第一电极210与第二电极220之间。
根据发光元件ED的两端与第一电极210和第二电极220之间的相对布置关系,喷射到基底SUB上的多个发光元件ED可以包括第一发光元件ED1和第二发光元件ED2。
分散在墨中并且喷射到由第二堤600分隔的区域中的发光元件ED的第一发光元件ED1可以是其两端分别设置在第一电极210和第二电极220上的发光元件,同时它们的取向方向和位置通过接收根据在第一电极210与第二电极220之间产生的电场的介电泳力而改变。
另一方面,分散在墨中并且喷射到由第二堤600分隔的区域中的发光元件ED的第二发光元件ED2可以是其两端不分别设置在第一电极210和第二电极220上的发光元件,或者两端中的至少一个不设置在第一电极210或第二电极220上的发光元件。在这种情况下,这种第二发光元件ED2可以被称为分离的发光元件ED。同时,第二发光元件ED2的两端中的至少一个不设置在第一电极210或第二电极220上,使得电信号不会传递到第二发光元件ED2的两端。也就是说,第二发光元件ED2可以是设置在发射区域EMA中但不发光的发光元件ED。另外,通过在形成设置在第二发光元件ED2上的多个层的工艺中产生与发光元件ED的直径对应的厚度的台阶,这种第二发光元件ED2会导致显示装置10的缺陷。因此,可以通过去除这种第二发光元件ED2(也就是说,分离的发光元件ED2)的工艺来改善显示装置10的可靠性。
接下来,参照图8和图9,可以在基底SUB上设置阴影掩模SM,并且可以使用阴影掩模SM形成第一绝缘图案材料层520。可以通过沉积工艺形成第一绝缘图案材料层520。例如,阴影掩模SM的开口OSM可以设置为包括发射区域EMA中的第一电极210和第二电极220的一个端部区域以及第一电极210与第二电极220之间的间隔区域。也就是说,阴影掩模SM的开口OSM可以与其中在每个发射区域EMA中设置有第一发光元件ED1的区域叠置。
使用阴影掩模SM形成的第一绝缘图案材料层520可以形成在第一绝缘层510上,以完全覆盖第一发光元件ED1。通过使用阴影掩模SM的沉积工艺,甚至可以在阴影掩模SM的开口OSM的外部部分地沉积第一绝缘图案材料层520。在这种情况下,第一绝缘图案材料层520的外部形状可以包括朝向第二堤600突出的尾部形状。第一绝缘图案材料层520可以不覆盖第二发光元件ED2。也就是说,第一绝缘图案材料层520可以在第三方向DR3上不与第二发光元件ED2叠置。
接下来,参照图10,在第一绝缘图案材料层520形成在第一发光元件ED1上的状态下,可以执行去除第二发光元件ED2的工艺。可以通过液体处理工艺来执行去除第二发光元件ED2的工艺。可以在使用阴影掩模SM执行沉积工艺后将液体处理工艺替换为清洗基底SUB的液体处理工艺,无需增加单独工艺。第一发光元件ED1可以通过设置在第一发光元件ED1上的第一绝缘图案材料层520固定,因此可以不通过液体处理工艺去除。另一方面,因为在第二发光元件ED2上不存在固定第二发光元件ED2的层,所以可以通过液体处理从基底SUB去除第二发光元件ED2。同时,可以回收和再利用从基底SUB去除的第二发光元件ED2。因此,第二发光元件ED2被再利用,因此,可以降低材料成本。
如图11至图13中所示,当执行上述液体处理工艺时,可以从基底SUB去除第二发光元件ED2。同时,在本实施例中,第一绝缘图案材料层520可以集成在第一电极210的一端和第二电极220的一端上,并且集成在第一电极210与第二电极220之间的隔开的空间上以形成为单个图案层。在平面图中,第一绝缘图案材料层520可以具有其中第一绝缘图案材料层520在发射区域EMA内在第二方向DR2上延伸的形状。第一绝缘图案材料层520可以形成岛状图案。第一绝缘图案材料层520可以设置为覆盖第一开口OP1和第二开口OP2。
接下来,参照图14和图15,在第一绝缘图案材料层520上形成第一光致抗蚀剂图案PR1。可以通过遍及整个基底SUB形成光致抗蚀剂层然后执行曝光和显影来形成第一光致抗蚀剂图案PR1。
具体地,第一光致抗蚀剂图案PR1可以遍及整个显示区域DPA和垫区域PDA设置。可以形成第一光致抗蚀剂图案PR1以暴露其中发光元件ED和第一子堤410彼此间隔开并且彼此面对的空间。可以形成第一光致抗蚀剂图案PR1以暴露发光元件ED的一端和第一子堤410的与发光元件ED的一端相邻的一个侧表面。第一光致抗蚀剂图案PR1可以形成为覆盖设置在第一子堤410上的第一绝缘图案材料层520的一端的至少一部分。
接下来,参照图16至图18,使用第一光致抗蚀剂图案PR1作为蚀刻掩模来蚀刻第一绝缘图案材料层520。通过本工艺,蚀刻由第一光致抗蚀剂图案PR1暴露的第一绝缘图案材料层520,使得可以形成在第一方向DR1上彼此间隔开的第二绝缘图案材料层520_1和第二绝缘图案522。第二绝缘图案材料层520_1和第二绝缘图案522可以在第三方向DR3上不与第一开口OP1叠置。也就是说,通过蚀刻工艺蚀刻第一绝缘图案材料层520的一部分,使得可以在第三方向DR3上暴露第一开口OP1。
如上所述,第一光致抗蚀剂图案PR1可以形成为覆盖设置在第一子堤410上的第一绝缘图案材料层520的一端的至少一部分。第一光致抗蚀剂图案PR1形成为覆盖第一绝缘图案材料层520的一端的至少一部分,因此,设置在与第二绝缘图案522叠置的区域和与该区域相邻的区域中的第一绝缘层510可以被第一光致抗蚀剂图案PR1保护。因此,可以防止设置在相应区域中的第一绝缘层510被蚀刻剂损坏。
接下来,参照图19至图21,可以在第一电极210上形成图案化的第一接触电极710。可以通过掩模工艺形成图案化的第一接触电极710。例如,可以通过在显示区域DPA中完全地沉积用于第一接触电极710的材料层然后图案化用于第一接触电极710的材料层来形成第一接触电极710。用于第一接触电极710的材料层可以形成为与第一开口OP1叠置,并且通过第一开口OP1暴露的第一电极210和第一接触电极710可以彼此接触。第一接触电极710可以从发光元件ED的一端延伸,以部分地设置在第二绝缘图案材料层520_1上。
接下来,参照图22和图23,用于第二绝缘层530的材料层530'完全地沉积在基底SUB上。接下来,通过在用于第二绝缘层530的材料层530'上形成光致抗蚀剂层,然后执行曝光和显影来形成第二光致抗蚀剂图案PR2。
具体地,可以形成第二光致抗蚀剂图案PR2以暴露第二绝缘图案材料层520_1的一部分。可以形成第二光致抗蚀剂图案PR2以暴露其中发光元件ED和第二子堤420彼此间隔开并且彼此面对的空间。可以形成第二光致抗蚀剂图案PR2以暴露发光元件ED的另一端和第二子堤420的与发光元件ED的另一端相邻的一个侧表面。第二光致抗蚀剂图案PR2可以形成为覆盖设置在第二子堤420上的第二绝缘图案材料层520_1的一端的至少一部分。
接下来,参照图24至图26,使用第二光致抗蚀剂图案PR2作为蚀刻掩模来蚀刻第二绝缘图案材料层520_1和用于第二绝缘层530的材料层530'。通过本工艺,对由第二光致抗蚀剂图案PR2暴露的第二绝缘图案材料层520_1和用于第二绝缘层530的材料层530'进行蚀刻,使得可以形成在第一方向DR1上彼此间隔开的第一绝缘图案521和第三绝缘图案523。如上所述,形成第二光致抗蚀剂图案PR2以覆盖设置在第二子堤420上的第二绝缘图案材料层520_1的另一端的至少一部分,使得设置在被第二绝缘图案材料层520_1覆盖的区域中的第一绝缘层510可以被保护并且不被蚀刻工艺蚀刻。通过本蚀刻工艺,可以在第三方向DR3上蚀刻并暴露设置在第二开口OP2上的第二绝缘图案材料层520_1。
同时,在本蚀刻工艺中,第二绝缘图案材料层520_1和用于第二绝缘层530的材料层530'被一起蚀刻,使得第一绝缘图案521和第三绝缘图案523的彼此面对的一个侧表面中的每个可以与第二绝缘层530对准。
接下来,参照图27和图28,可以形成在显示区域DPA中设置在第二电极220上的图案化的第二接触电极720和在垫区域PDA中与连接电极230叠置的垫电极730。图案化的第二接触电极720和垫电极730可以通过同一掩模工艺形成。例如,可以通过在显示区域DPA中完全地沉积用于第二接触电极720的材料层然后图案化用于第二接触电极720的材料层来形成第二接触电极720和垫电极730。用于第二接触电极720的材料层可以形成为与第二开口OP2和第三开口OP3叠置,通过第二开口OP2暴露的第二电极220和第二接触电极720可以彼此接触,并且通过第三开口OP3暴露的连接电极230和垫电极730可以彼此接触。第二接触电极720可以从发光元件ED的一端延伸以部分地设置在第一绝缘图案521上。
接下来,如图3和图4中所示,可以在基底SUB上形成第三绝缘层540。第三绝缘层540可以完全地设置在显示区域DPA中,并且可以设置为在垫区域PDA中暴露垫电极730的一部分。
在下文中,将描述其他实施例。在以下的实施例中,将省略或简化与上述组件相同的组件的重复描述,并且将主要描述与上述组件不同的组件。
图29是根据另一实施例的显示装置的显示区域和垫区域的示意性剖视图。
根据本实施例的显示装置与根据图3的实施例的显示装置的不同之处在于,第一接触电极710_1、第二接触电极720_1和垫电极730_1形成为同一层,并且省略了第二绝缘层530。
具体地,第一接触电极710_1和第二接触电极720_1可以分别设置在发光元件ED的一端和另一端处,并且可以朝向第一绝缘图案521延伸。第一接触电极710_1和第二接触电极720_1可以设置为分别覆盖第一绝缘图案521的侧表面,并且可以部分地设置在第一绝缘图案521的上表面上。第一接触电极710_1和第二接触电极720_1可以在第一绝缘图案521的上表面上彼此间隔开。
第一接触电极710_1可以设置为覆盖第二绝缘图案522。第二接触电极720_1可以设置为覆盖第三绝缘图案523。第一接触电极710_1可以直接设置在第二绝缘图案522的外表面上,并且第二接触电极720_1可以直接设置在第三绝缘图案523的外表面上,但是本公开不限于此。
第一接触电极710_1和第二接触电极720_1形成为同一层,因此,可以省略使第一接触电极710_1和第二接触电极720_1彼此绝缘的第二绝缘层530。因此,形成在垫区域PDA中的第一绝缘层510中的第三开口OP3可以是垫电极730_1和连接电极230的垫开口。设置在垫电极730_1与连接电极230之间的绝缘层是第一绝缘层510,因此,可以减小台阶。因此,可以改善垫电极730_1与连接电极230之间的接触可靠性。
图30至图32是示出用于图29的显示装置的制造方法的一些工艺步骤的剖视图。
在基底SUB上形成电路元件层PAL、第一堤400、第一电极210和第二电极220、第一绝缘层510、发光元件ED、第二堤600以及第一绝缘图案材料层520的工艺与图6至图13的实施例的工艺相同。
接下来,参照图30,在第一绝缘图案材料层520上形成第三光致抗蚀剂图案PR3。
具体地,通过将光致抗蚀剂层施加到第一绝缘图案材料层520和第一绝缘层510上并执行曝光和显影来形成具有将要保留的第一绝缘图案521、第二绝缘图案522和第三绝缘图案523的图案形状的第三光致抗蚀剂图案PR3。在这种情况下,第三光致抗蚀剂图案PR3可以设置为与第一绝缘图案材料层520的两端的至少一部分叠置。第三光致抗蚀剂图案PR3设置为与第一绝缘图案材料层520的两端的至少部分叠置,使得第一绝缘层510可以被第三光致抗蚀剂图案PR3保护。因此,可以防止第一绝缘层510被用于蚀刻第一绝缘图案材料层520的蚀刻剂损坏。
接下来,参照图30和图31,使用第三光致抗蚀剂图案PR3作为蚀刻掩模来蚀刻第一绝缘图案材料层520。可以通过使用第三光致抗蚀剂图案PR3蚀刻第一绝缘图案材料层520来形成在第一方向DR1上彼此间隔开的第一绝缘图案521、第二绝缘图案522和第三绝缘图案523。
接下来,参照图32,第一接触电极710_1和第二接触电极720_1可以在显示区域DPA中形成在第一绝缘层510、第一绝缘图案521、第二绝缘图案522和第三绝缘图案523上,垫电极730_1可以在垫区域PDA中形成在第一绝缘层510上。可以通过在基底SUB上完全地沉积用于接触电极的材料层然后图案化用于接触电极的材料层来形成第一接触电极710_1和第二接触电极720_1以及垫电极730_1。
在根据本实施例的用于显示装置的制造方法中,通过同一掩模工艺图案化和形成第一绝缘图案521、第二绝缘图案522和第三绝缘图案523,并且通过同一掩模工艺图案化和形成第一接触电极710_1和第二接触电极720_1以及垫电极730_1,因此,可以省略掩模工艺。因此,不需要分别用于形成第一接触电极和第二接触电极的单独的附加掩模工艺,因此可以改善工艺效率。
在结束详细描述时,本领域技术人员将理解的是,在基本上不脱离发明的原理的情况下,可以对优选实施例进行许多变化和修改。因此,发明的公开的优选实施例仅以一般的和描述性的含义来使用,而不是为了限制的目的。
Claims (20)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底;
第一电极,设置在所述基底上;
第二电极,设置为在所述基底上与所述第一电极间隔开;
发光元件,设置在所述第一电极和所述第二电极上,使得所述发光元件的两端分别设置在所述第一电极和所述第二电极上;
第一绝缘图案,设置在所述发光元件上,并且暴露所述发光元件的所述两端;以及
第二绝缘图案,设置在所述第一电极上,并且设置为与所述第一绝缘图案间隔开,
其中,所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案包括相同的材料。
2.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:第一接触电极,与所述发光元件的一端和所述第一电极接触,
其中,所述第一接触电极设置在所述第一电极上以覆盖所述第一绝缘图案。
3.根据权利要求2所述的显示装置,所述显示装置还包括:第一绝缘层,设置在所述第一电极和所述第二电极上,
其中,所述发光元件和所述第二绝缘图案设置在所述第一绝缘层上,并且
所述第一接触电极通过穿过所述第一绝缘层的第一开口与所述第一电极接触。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第一开口在所述基底的厚度方向上不与所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案叠置。
5.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:第三绝缘图案,设置在所述第二电极上,并且设置为与所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案间隔开,
其中,所述第三绝缘图案包括与所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案相同的材料。
6.根据权利要求5所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第一接触电极,设置在所述第一电极上,并且与所述发光元件的一端和所述第一电极接触;以及
第二接触电极,设置在所述第二电极上,并且与所述发光元件的另一端和所述第二电极接触,
其中,所述第一接触电极和所述第二接触电极设置为在所述第一绝缘图案上彼此间隔开。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第一接触电极设置为覆盖所述第一绝缘图案,并且
所述第二接触电极设置为覆盖所述第二绝缘图案。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一绝缘图案的厚度大于所述第二绝缘图案的厚度。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二绝缘图案在所述基底的厚度方向上不与所述第一电极的两端叠置。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案中的每个在平面图中具有岛形状。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二绝缘图案的剖面形状是其中所述第二绝缘图案的面对所述第一绝缘图案的一个侧表面平行于所述第一绝缘图案并且所述第二绝缘图案的另一侧表面突出的形状。
12.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底;
第一电极,设置在所述基底的一个表面上,并且在第一方向上延伸;
第二电极,设置在所述基底的所述一个表面上与所述第一电极间隔开,并且在所述第一方向上延伸;
发光元件,设置在所述第一电极和所述第二电极上,使得所述发光元件的两端分别设置在所述第一电极和所述第二电极上;
第一绝缘图案,在所述第一电极与所述第二电极之间的区域中设置在所述基底上,并且在所述第一方向上延伸;以及
第二绝缘图案,与所述第一绝缘图案间隔开,设置在所述第一电极上,并且在所述第一方向上延伸,
其中,所述第一绝缘图案的至少一部分设置在所述发光元件上,并且在所述基底的厚度方向上不与所述发光元件的所述两端叠置,并且
所述第二绝缘图案在所述基底的所述厚度方向上不与所述第一电极的两端叠置。
13.根据权利要求12所述的显示装置,所述显示装置还包括:第一接触电极,与所述发光元件的一端和所述第一电极接触,在所述第一方向上延伸,并且覆盖所述第二绝缘图案。
14.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案包括相同的材料。
15.一种用于显示装置的制造方法,所述方法包括:
制备基底,所述基底包括彼此间隔开并且彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在所述第一电极或所述第二电极上的多个发光元件;以及
在所述基底上设置阴影掩模,并且然后使用所述阴影掩模在所述第一电极和所述第二电极上以及在所述第一电极与所述第二电极之间的间隔区域中形成绝缘图案材料层,
其中,所述绝缘图案材料层在所述基底的厚度方向上与所述第一电极的面对所述第二电极的一端和所述第二电极的面对所述第一电极的一端叠置,并且
在所述基底的所述厚度方向上不与所述第一电极的另一端和所述第二电极的另一端叠置。
16.根据权利要求15所述的用于显示装置的制造方法,其中,所述发光元件包括第一发光元件和第二发光元件,所述第一发光元件的两端分别设置在所述第一电极和所述第二电极上,所述第二发光元件的两端中的至少一个不设置在所述第一电极或所述第二电极上,并且
所述绝缘图案材料层设置为覆盖所述第一发光元件。
17.根据权利要求16所述的用于显示装置的制造方法,其中,所述绝缘图案材料层在所述基底的所述厚度方向上不与所述第二发光元件叠置,
所述用于显示装置的制造方法还包括:在形成所述绝缘图案材料层的步骤之后,去除所述第二发光元件。
18.根据权利要求17所述的用于显示装置的制造方法,其中,在去除所述第二发光元件的步骤中,所述第一发光元件被所述绝缘图案材料层覆盖并且不被去除。
19.根据权利要求15所述的用于显示装置的制造方法,所述用于显示装置的制造方法还包括:通过蚀刻所述绝缘图案材料层来形成第一绝缘图案、第二绝缘图案和第三绝缘图案,
其中,所述第一绝缘图案设置在所述发光元件上,并且暴露所述发光元件的两端,
所述第二绝缘图案设置在所述第一电极上,
所述第三绝缘图案设置在所述第二电极上,并且
所述第一绝缘图案、所述第二绝缘图案和所述第三绝缘图案彼此间隔开。
20.根据权利要求19所述的用于显示装置的制造方法,所述用于显示装置的制造方法还包括:形成与所述发光元件的一端和所述第一电极接触的第一接触电极以及与所述发光元件的另一端和所述第二电极接触的第二接触电极,
其中,所述第一接触电极和所述第二接触电极设置为彼此间隔开,
所述第一接触电极设置在所述第一电极上以覆盖所述第二绝缘图案,并且
所述第二接触电极设置在所述第二电极上以覆盖所述第三绝缘图案。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200098628A KR20220019141A (ko) | 2020-08-06 | 2020-08-06 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR10-2020-0098628 | 2020-08-06 | ||
PCT/KR2020/013044 WO2022030679A1 (ko) | 2020-08-06 | 2020-09-25 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116114070A true CN116114070A (zh) | 2023-05-12 |
Family
ID=80118242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202080104212.8A Pending CN116114070A (zh) | 2020-08-06 | 2020-09-25 | 显示装置和用于显示装置的制造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230343899A1 (zh) |
KR (1) | KR20220019141A (zh) |
CN (1) | CN116114070A (zh) |
WO (1) | WO2022030679A1 (zh) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107705713B (zh) * | 2017-10-13 | 2019-12-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
KR102600602B1 (ko) * | 2018-07-09 | 2023-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 포함한 표시 장치 |
KR102559097B1 (ko) * | 2018-07-27 | 2023-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 구비한 표시 장치 |
KR102557981B1 (ko) * | 2018-08-20 | 2023-07-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 구비한 표시 장치 |
KR102666614B1 (ko) * | 2018-11-27 | 2024-05-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2020
- 2020-08-06 KR KR1020200098628A patent/KR20220019141A/ko active Search and Examination
- 2020-09-25 CN CN202080104212.8A patent/CN116114070A/zh active Pending
- 2020-09-25 WO PCT/KR2020/013044 patent/WO2022030679A1/ko active Application Filing
- 2020-09-25 US US18/019,773 patent/US20230343899A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022030679A1 (ko) | 2022-02-10 |
KR20220019141A (ko) | 2022-02-16 |
US20230343899A1 (en) | 2023-10-26 |
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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