CN116598222A - 双极性元件去除装置 - Google Patents

双极性元件去除装置 Download PDF

Info

Publication number
CN116598222A
CN116598222A CN202310034524.1A CN202310034524A CN116598222A CN 116598222 A CN116598222 A CN 116598222A CN 202310034524 A CN202310034524 A CN 202310034524A CN 116598222 A CN116598222 A CN 116598222A
Authority
CN
China
Prior art keywords
solvent
bipolar element
partition wall
light emitting
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310034524.1A
Other languages
English (en)
Inventor
金珍栗
金东焕
池善范
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN116598222A publication Critical patent/CN116598222A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0095Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004Devices characterised by their operation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

提供一种双极性元件去除装置。根据一实施例的双极性元件去除装置作为去除显示模块所包括的双极性元件的双极性元件去除装置,包括:去除部,去除所述双极性元件;以及溶剂存储部,向所述去除部供应溶剂,其中,所述去除部包括:分隔壁,定义供所述溶剂出入的溶剂通道;以及振动装置,布置于所述溶剂通道内部。

Description

双极性元件去除装置
技术领域
本发明涉及一种双极性元件去除装置。
背景技术
随着多媒体的发展,显示装置的重要性正在增加。为此,诸如有机发光显示装置(Organic Light Emitting Display)、液晶显示装置(LCD:Liquid Crystal Display)等的多种显示装置正在被使用。
作为显示显示装置的图像的装置包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板之类的显示面板。其中,作为发光显示面板可以包括发光元件,例如,在发光二极管(LED:Light Emitting Diode)的情况下,具有将有机物用作荧光物质的有机发光二极管(OLED)、将无机物用作荧光物质的无机发光二极管等。
利用无机半导体作为荧光物质的无机发光二极管即使在高温环境下也具有耐久性,并且与有机发光二极管相比具有蓝色光的效率高的优点。并且,在被指出为现有的无机发光二极管元件的局限性的制造工序中,也开发了利用介电电泳(DEP:Dielectrophoresis)法的转印方法。因此,正在持续进行对与有机发光二极管相比耐久性及效率优异的无机发光二极管的研究。
另外,为了利用介电电泳法转印无机发光二极管元件或形成包括在显示装置中的有机物层,可以利用喷墨印刷装置。也可以通过喷墨来印刷任意的墨或溶液后,进行后处理工序来转印所述无机发光二极管元件或形成有机物层。在喷墨印刷装置中,预定的墨或溶液供应至喷墨头,并且喷墨头可以执行将所述墨或所述溶液喷射到预定的基板上的工序。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种能够选择性地去除聚集有无机发光二极管元件的像素上的所述无机发光二极管元件的双极性元件去除装置。
本发明的技术问题不限于上述技术问题,本领域技术人员可以通过以下记载清楚地理解未提及的其他技术问题。
用于解决所述技术问题的根据一实施例的双极性元件去除装置作为去除显示模块所包括的双极性元件的双极性元件去除装置,包括:去除部,去除所述双极性元件;以及溶剂存储部,向所述去除部供应溶剂,其中,所述去除部包括:分隔壁,定义供所述溶剂出入的溶剂通道;以及振动装置,布置于所述溶剂通道内部。
用于解决所述技术问题的根据另一实施例的双极性元件去除装置作为去除显示模块所包括的双极性元件的双极性元件去除装置,包括:振动装置,安置所述显示模块,并使所述显示模块振动;去除部,将所述显示模块置于所述去除部与所述振动装置之间而与所述振动装置隔开布置;以及溶剂存储部,向所述去除部供应溶剂,其中,所述去除部包括定义供所述溶剂出入的溶剂通道的分隔壁。
根据一实施例的双极性元件去除装置可以选择性地去除聚集有无机发光二极管元件的像素上的所述无机发光二极管元件。
根据实施例的效果并不局限于以上例示的内容,更加多样的效果包括在本说明书内。
附图说明
图1是示意性地示出根据一实施例的显示模块的平面图。
图2是放大图1的Q1区域的放大图。
图3是示意性地示出发光元件的结构的结构图。
图4是示出沿图2的X1-X1′线剖切的示意性的剖面的剖面图。
图5是示出根据一实施例的显示装置的示意性的剖面的剖面图。
图6是放大图1的Q2区域的放大图。
图7是放大图6的Q3区域的放大图。
图8是示出沿图7的X4-X4′线剖切的示意性的剖面的剖面图。
图9是示意性地示出根据一实施例的双极性元件去除装置的立体图。
图10是示意性地示出根据图9的实施例的双极性元件去除装置的去除部的内部的结构图。
图11是示出沿图10的X5-X5′线剖切的示意性的剖面的剖面图。
图12至图17是用于说明利用根据一实施例的双极性元件去除装置的双极性元件去除工序的按工序的剖面图。
图18至图20是用于说明在双极性元件去除工序之后执行的二次涂覆工序的按工序的剖面图。
图21是示意性地示出根据另一实施例的双极性元件去除装置的立体图。
图22是示意性地示出根据图21的实施例的双极性元件去除装置的去除部的内部的结构图。
图23至图27是用于说明利用根据图21的实施例的双极性元件去除装置的双极性元件去除工序的按工序的剖面图。
附图标记说明:
100:去除部
110:第一分隔壁
130:第二分隔壁
150:振动装置
200:溶剂存储部
300:台架
SV:溶剂
PAS:溶剂通道
具体实施方式
参照附图和详细后述的实施例,则可以明确本发明的优点和特征、以及达成这些的方法。然而,本发明可以呈现为互不相同的多种形态,且并不限于以下公开的实施例,本实施例仅用于使本发明完全公开并为了向本发明所属技术领域中具有普通知识的人完整地告知发明范围而提供,本发明仅由权利要求的范围而定义。
提及元件或者层在其他元件或者层“上”时,将在其他元件的紧邻的上方的情形或者在其中间夹设有其他层或者其他元件的情形全部包括。与此相同地,被称为“下”、“左”及“右”时,将与其他元件紧邻地设置的情形或者在其中间夹设有其他层或者其他元件的情形全部包括。在整个说明书中,相同的附图标记指代相同的构成要素。
虽然第一、第二等术语用于叙述多种构成要素,但这些构成要素不局限于这些术语,这是显而易见的。这些术语仅用于将一个构成要素与另一构成要素进行区分。因此,以下提及的第一构成要素在本发明的技术思想内,显然也可以是第二构成要素。
本发明的多种实施例的各个特征能够局部地或者整体地彼此结合或者组合,并且在技术上能够实现多种联动以及驱动,而且各个实施例针对彼此也能够独立地实施,也可以以相关关系一同实施。
以下,参照附图对具体的实施例进行说明。
图1是示意性地示出根据一实施例的显示模块的平面图。图2是放大图1的Q1区域的放大图。图3是示意性地示出发光元件的结构的结构图。图4是示出沿图2的X1-X1′线剖切的示意性的剖面的剖面图。
在图1中,定义有第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3。第一方向DR1与第二方向DR2可以彼此垂直,第一方向DR1与第三方向DR3可以彼此垂直,并且第二方向DR2与第三方向DR3可以彼此垂直。第一方向DR1可以被理解为在图中表示横向方向,第二方向DR2可以被理解为在图中表示纵向方向,第三方向DR3可以被理解为在图中表示上部方向及下部方向。在以下说明书中,除非另有特殊的说明,否则“方向”可以指沿该方向延伸的朝向两侧的所有方向。另外,在需要区分向两侧延伸的两“方向”的情况下,分别将一侧区分为“方向一侧”,将另一侧区分为“方向另一侧”来指称。以图1为基准,箭头所朝向的方向称为一侧,其相反方向称为另一侧。
参照图1,根据一实施例的显示模块DM可以是用于提供显示视频或静止图像的显示装置DD(参照图5)的部件。显示装置DD可以指提供显示画面的所有的电子装置。例如,显示装置DD可以包括提供显示画面的电视、笔记本电脑、监视器、广告牌、物联网装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC:Personal Computer)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP:PortableMultimedia Player)、导航仪、游戏机、数码相机、摄像机等。
在本说明书中,显示模块DM是执行制造显示装置DD的工序中的一部分而制造的部件,若对显示模块DM进行附加的工序,则可以成为显示装置DD。具体而言,显示模块DM可以是指执行了布置发光元件30(参照图3)的工序的部件,在布置发光元件30之后可以对显示模块DM进一步执行后工序而制造为显示装置DD。以下,为了便于说明,以显示模块DM的结构为中心进行说明。
显示模块DM的形状可以多样地变形。例如,显示模块DM可以具有横向长的矩形、纵向长的矩形、正方形、拐角部为圆滑的四边形、其他多边形、圆形等的形状。显示模块DM的显示区域DA的形状也可以与显示模块DM的整体形状相似。在图1中,示例了横向长的矩形形状的显示模块DM及显示区域DA。
显示模块DM可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA是能够显示图像的区域,非显示区域NDA是不显示图像的区域。也可以将显示区域DA称为有效区域,将非显示区域NDA称为非有效区域。
显示区域DA大致可以占据显示模块DM的中央。显示区域DA可以包括多个像素PX。多个像素PX可以沿行列方向排列。各个像素PX的形状在平面上可以是矩形或正方形,但并不限定于此,也可以是各个边相对于一方向倾斜的菱形形状。像素PX中的每一个可以包括发出特定波长带的光的一个以上的发光元件30(参照图3)以显示特定颜色。
布置于显示模块DM的像素PX的发光元件30可以通过喷墨印刷方式布置。根据喷墨印刷方式的特性,显示模块DM可以形成有发光元件30以预定间隔并排布置的正常区域Q1以及发光元件30聚集而布置的不良区域Q2。在发光元件30聚集而布置的不良区域Q2的情况下,可能导致断线或接触不良而引发画质降低,因此,需要在将聚集地布置在不良区域Q2中的发光元件30去除之后再次涂覆发光元件30。以下,为了说明显示模块DM的结构,以正常区域Q1为中心进行说明,关于不良区域Q2将进行后述。
参照图2,多个像素PX中的每一个可以包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2及第三子像素SPX3。第一子像素SPX1可以发出第一颜色的光,第二子像素SPX2可以发出第二颜色的光,第三子像素SPX3可以发出第三颜色的光。第一颜色可以是蓝色,第二颜色可以是绿色,第三颜色可以是红色,但不限于此,各个子像素SPXn也可以发出相同颜色的光。并且,在图2中,示例了像素PX包括三个子像素SPXn的情况,但并不局限于此,像素PX可以包括更多数量的子像素SPXn。
显示模块DM的各个子像素SPXn可以包括定义为发光区域EMA的区域。第一子像素SPX1可以包括第一发光区域EMA1,第二子像素SPX2可以包括第二发光区域EMA2,第三子像素SPX3可以包括第三发光区域EMA3。发光区域EMA可以定义为布置有包括在显示模块DM中的发光元件30而射出特定波长带的光的区域。
虽然未在附图中图示,但是显示模块DM的各个子像素SPXn可以包括被定义为除发光区域EMA以外的区域的非发光区域。非发光区域可以是未布置有发光元件30且从发光元件30发出的光不到达而不射出光的区域。
显示模块DM的各个子像素SPXn可以包括多个电极21、22、发光元件30、多个内部坝41、42(图15中图示)、外部坝43以及至少一个绝缘层。多个接触电极26可以在布置发光元件30之后布置在发光元件30上。以下,以显示模块DM处于多个接触电极26布置于发光元件30上之前的状态为中心进行说明。
多个电极21、22可以与发光元件30电连接,并且可以施加预定的电压,以使发光元件30发出特定波长带的光。并且,各个电极21、22的至少一部分可以用于在子像素SPXn内形成电场以对齐发光元件30。
多个电极21、22可以包括第一电极21和第二电极22。在示例性的实施例中,第一电极21可以是从每个子像素SPXn分离的像素电极,第二电极22可以是沿各个子像素SPXn共同连接的公共电极。第一电极21和第二电极22中的一个可以是发光元件30的阳极(Anode)电极,另一个可以是发光元件30的阴极(Cathode)电极。然而,本发明不限于此,也可以是与其相反的情况。
第一电极21和第二电极22中的每一个可以包括沿横向方向延伸而布置的电极枝条部21S、22S以及从电极枝条部21S、22S沿与横向方向交叉的纵向方向延伸并分支的至少一个电极分支部21B、22B。
第一电极21可以包括沿横向方向延伸而布置的第一电极枝条部21S和从第一电极枝条部21S分支并沿纵向方向延伸的至少一个第一电极分支部21B。
任意一像素的第一电极枝条部21S的两端在各个子像素SPXn之间隔开而终止,在同一行(例如,沿横向方向相邻)中与相邻的子像素的第一电极枝条部21S实质上位于同一直线上。布置于各个子像素SPXn的第一电极枝条部21S的两端彼此隔开,从而可以向各个第一电极分支部21B施加彼此不同的电信号,并且第一电极分支部21B可以分别单独驱动。
第一电极分支部21B从第一电极枝条部21S的至少一部分分支并沿纵向方向延伸而布置,并且可以在与以与第一电极枝条部21S对向的方式布置的第二电极枝条部22S隔开的状态下终止。
第二电极22可以包括沿横向方向延伸而与第一电极枝条部21S在纵向方向上隔开并对向的第二电极枝条部22S和从第二电极枝条部22S分支并沿纵向方向延伸的第二电极分支部22B。第二电极枝条部22S的另一端部可以与沿横向方向相邻的其他子像素SPXn的第二电极枝条部22S连接。即,与第一电极枝条部21S不同,第二电极枝条部22S可以沿横向方向延伸并横穿各个子像素SPXn而布置。横穿各个子像素SPXn的第二电极枝条部22S可以在与布置有各个像素PX或子像素SPXn的显示区域DA的外围部或非显示区域NDA中与沿一方向延伸的部分连接。
第二电极分支部22B可以与第一电极分支部21B隔开而对向,并且可以在与第一电极枝条部21S隔开的状态下终止。第二电极分支部22B可以与第二电极枝条部22S连接,延伸的方向的端部可以以与第一电极枝条部21S隔开的状态布置于子像素SPXn内。
第一电极21和第二电极22可以分别通过接触孔(例如,第一电极接触孔CNTD和第二电极接触孔CNTS)而与显示模块DM的电路元件层CCL(参照图4)电连接。在附图中图示了第一电极接触孔CNTD形成于各个子像素SPXn的每个第一电极枝条部21S,第二电极接触孔CNTS在横穿各个子像素SPXn的一个第二电极枝条部22S仅形成一个的情形。但是,并不限定于此,对于第二电极接触孔CNTS而言,也可以根据情况形成于每个子像素SPXn。
外部坝43可以布置于各个子像素SPXn之间的边界,多个内部坝41、42可以与各个子像素SPXn的中心部相邻而布置于各个电极21、22的下部。虽然在附图中未图示多个内部坝41、42,但在第一电极分支部21B和第二电极分支部22B的下部可以分别布置有第一内部坝41和第二内部坝42。
外部坝43可以布置于各个子像素SPXn之间的边界。多个第一电极枝条部21S的各端部可以以外部坝43为基准彼此隔开而终止。外部坝43可以沿纵向方向延伸而布置于沿横向方向排列的子像素SPXn的边界。但是不限于此,外部坝43也可以沿横向方向延伸而布置于沿纵向方向排列的子像素SPXn的边界。外部坝43可以包括与内部坝41、42相同的材料而在一个工序中同时形成。
发光元件30可以布置在第一电极21与第二电极22之间。发光元件30的一端部可以与第一电极21电连接,另一端部可以与第二电极22电连接。发光元件30可以通过后述的接触电极26分别与第一电极21和第二电极22电连接。
多个发光元件30可以布置为彼此隔开,并且可以实质上相互平行地对齐。发光元件30相隔的间隔不受特别限制。根据情况,多个发光元件30可以相邻地布置而成组,其他多个发光元件30也可能以隔开预定间隔的状态成组,也可能具有不均匀的密集度并沿一方向排列而对齐。并且,在示例性的实施例中,发光元件30可以具有沿一方向延伸的形状,并且各个电极(例如,第一电极分支部21B和第二电极分支部22B)延伸的方向与发光元件30延伸的方向可以实质上构成垂直。然而,并不限于此,发光元件30也可以布置为相对于第一电极分支部21B和第二电极分支部22B延伸的方向倾斜,而不与第一电极分支部21B和第二电极分支部22B延伸的方向垂直。
发光元件30可以是发光二极管(Light Emitting diode),具体地,发光元件30可以是具有微米(Micro-meter)单位或纳米(Nano-meter)单位的大小,并且利用无机物构成的无机发光二极管。若在彼此对向的两个电极之间沿特定方向形成电场,则无机发光二极管可以在形成极性的所述两个电极之间对齐。发光元件30可以借由在两个电极之间形成的电场而在电极之间对齐。
根据一实施例的发光元件30可以具有沿一方向延伸的形状。发光元件30可以具有杆状、线状、管状等的形状。在示例性的实施例中,发光元件30可以是圆柱形或杆状。但是,发光元件30的形态并不局限于此,发光元件30可以具有正六面体、长方体、六角柱形等多角柱的形状,或者可以具有沿一方向延伸且外表面局部倾斜的形状等多种形态。后述的发光元件30所包括的多个半导体可以具有沿所述一方向依次布置或堆叠的结构。发光元件在权利要求中可以被称为双极性元件。
发光元件30可以包括掺杂有任意的导电型(例如,p型或n型)杂质的半导体层。半导体层可以通过接收从外部的电源施加的电信号来发出特定波长带的光。
参照图3,发光元件30可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、活性层36、电极层37以及绝缘膜38。
第一半导体层31可以是n型半导体。作为一例,在发光元件30发出蓝色波长带的光的情况下,第一半导体层31可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的半导体材料。例如,可以是掺杂为n型的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN及InN中的一种以上。第一半导体层31可以掺杂有n型掺杂剂,作为一例,n型掺杂剂可以是Si、Ge、Se、Sn等。在示例性的实施例中,第一半导体层31可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第一半导体层31的长度可以具有1.5μm至5μm的范围,然而并不局限于此。
第二半导体层32可以布置于后述的活性层36上。第二半导体层32可以是p型半导体,作为一例,在发光元件30发出蓝色或绿色波长带的光的情况下,第二半导体层32可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的半导体材料。例如,可以是掺杂为p型的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN及InN中的一种以上。第二半导体层32可以掺杂有p型掺杂剂,作为一例,p型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Ba等。例如,第二半导体层32可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第二半导体层32的长度可以具有0.05μm至0.10μm的范围,然而并不局限于此。
活性层36可以布置于第一半导体层31和第二半导体层32之间。活性层36可以包括单量子阱结构或多量子阱结构的物质。在活性层36包括多量子阱结构的物质的情况下,也可以是量子层(Quantum layer)和阱层(Well layer)彼此交替地堆叠有多个的结构。活性层36可以根据通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号而借由电子-空穴对的结合来发光。作为一例,活性层36在发出蓝色波长带的光的情况下,可以包括AlGaN、AlGaInN等的物质。尤其,在活性层36为量子层和阱层交替堆叠为多量子阱结构的结构的情况下,量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN等的物质,并且阱层可以包括诸如GaN或AlInN等的物质。在示例性的实施例中,活性层36可以包含AlGaInN作为量子层并且包含AlInN作为阱层,从而如上所述,活性层36可以发出中心波长带具有450nm至495nm的范围的蓝色(Blue)光,然而,并不局限于此。例如,活性层36可以根据发出的光的波长带而包括不同的III族至V族半导体物质,从而根据情况也可以发出红色、绿色波长带的光。活性层36的长度可以具有0.05μm至0.10μm的范围,然而并不局限于此。
另外,从活性层36发出的光不仅可以从发光元件30的长度方向的外部面发出,还可以从两侧面发出。从活性层36发出的光的方向性并不局限为一个方向。
电极层37可以是欧姆(Ohmic)接触电极。然而,并不局限于此,也可以是肖特基(Schottky)接触电极。发光元件30可以包括至少一个电极层37。尽管图3图示了发光元件30包括一个电极层37的情形,然而并不局限于此。发光元件30可以根据情况包括更多数量的电极层37,或者还可以省略电极层37。即使电极层37的数量改变或还包括其他结构,后述的针对发光元件30的说明也相同地适用上述内容。
在根据一实施例的显示模块DM中,当发光元件30电连接于电极或接触电极时,电极层37可以减小发光元件30与电极或接触电极之间的电阻。电极层37可以包括具有导电性的金属。例如,电极层37可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO:Indium Tin Oxide)、氧化铟锌(IZO:Indium Zinc Oxide)及氧化铟锡锌(ITZO:IndiumTin-Zinc Oxide)中的至少一种。并且,电极层37还可以包括掺杂为n型或p型的半导体物质。电极层37可以包括相同的物质,或者也可以包括彼此不同的物质,然而并不局限于此。
绝缘膜38布置为围绕上述的多个半导体层及电极层的外表面。在示例性的实施例中,绝缘膜38可以布置为至少围绕活性层36的外表面,并且可以沿发光元件30延伸的一方向延伸。绝缘膜38可以执行保护所述部件的功能。作为一例,绝缘膜38可以形成为围绕所述部件的侧面部,但是可以形成为使发光元件30的长度方向的两端部暴露。
虽然在附图中图示了绝缘膜38形成为沿发光元件30的长度方向延伸而覆盖从第一半导体层31至电极层37的侧面的情形,然而并不局限于此。绝缘膜38可以仅覆盖包括活性层36在内的一部分的半导体层的外表面,或者可以仅覆盖电极层37的外表面的一部分而使各个电极层37的外表面被局部地暴露。并且,绝缘膜38也可以在与发光元件30的至少一端部相邻的区域中,使上表面在剖面上圆滑地形成。
绝缘膜38的厚度可以具有10nm至1.0μm的范围,然而并不局限于此。优选地,绝缘膜38的厚度可以是40nm左右。
绝缘膜38可以包括具有绝缘特性的物质,例如,硅氧化物(SiOx:Silicon oxide)、硅氮化物(SiNx:Silicon nitride)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlN:Aluminum nitride)、氧化铝(Al2O3:Aluminum oxide)等。据此,可以防止在活性层36与将电信号传递到发光元件30的电极直接接触的情况下可能发生的电短路。并且,绝缘膜38由于保护包括活性层36在内的发光元件30的外表面,从而可以防止发光效率的降低。
并且,在若干实施例中,绝缘膜38的外表面可以被表面处理。当制造显示模块DM时,发光元件30可以在分散在预定的墨90(参照图19)中的状态下喷射到电极上而对齐。在此,为了使发光元件30在墨90内与相邻的其他发光元件30维持分散而不聚集的状态,绝缘膜38的表面可以进行疏水性或亲水性处理。
发光元件30的长度h可以具有1μm至10μm或2μm至6μm的范围,优选地,可以具有3μm至5μm的长度。并且,发光元件30的直径可以具有30nm至700nm的范围,发光元件30的纵横比(Aspect ratio)可以是1.2至100。然而,并不限于此,包括在显示模块DM中的多个发光元件30也可以根据活性层36的组成差异而具有彼此不同的直径。优选地,发光元件30的直径可以具有500nm左右的范围。
根据一实施例的发光元件30可以包括包含彼此不同的物质的活性层36而向外部发出彼此不同的波长带的光。在显示模块DM中,第一子像素SPX1的发光元件30可以发出中心波长带为第一波长的第一光,第二子像素SPX2的发光元件30可以发出中心波长带为第二波长的第二光,第三子像素SPX3的发光元件30可以发出中心波长带为第三波长的第三光。据此,从第一子像素SPX1可以射出第一光,从第二子像素SPX2可以射出第二光,从第三子像素SPX3可以射出第三光。在若干个实施例中,第一光可以是中心波长带具有450nm至495nm的范围的蓝色光,第二光可以是中心波长带具有495nm至570nm的范围的绿色光,第三光可以是中心波长带具有620nm至750nm的范围的红色光。然而,本发明不限于此。
参照图4,图4仅示出了第一子像素SPX1的剖面,但也可以同样地适用于其他像素PX或子像素SPXn的情况。图4示出了横穿布置于第一子像素SPX1的发光元件30的一端部和另一端部的剖面。
参照图2及图4,显示模块DM可以包括第一绝缘层51、布置于第一绝缘层51上的电极21、22及发光元件30等。电路元件层CCL可以布置于第一绝缘层51的下部,并且基板SUB可以布置于电路元件层CCL的下部。
基板SUB可以起到构成显示模块DM的基底的作用。在基板SUB具有柔性的情况下,基板SUB可以包括作为具有柔性的物质的聚酰亚胺等,并且在基板SUB具有刚性的情况下,基板SUB可以包括玻璃或石英等,但不限于此。
在基板SUB上可以布置有电路元件层CCL。电路元件层CCL可以包括多个半导体层及多个导电图案,进而可以包括至少一个晶体管和电源布线。电路元件层CCL的多个半导体层及多个导电图案可以与第一绝缘层51上的各个电极21、22电连接。但是,以下省略对此的详细说明。
第一绝缘层51可以布置在电路元件层CCL上。第一绝缘层51可以使电路元件层CCL与多个电极21、22局部地绝缘,并且可以包括有机绝缘物质而执行表面平坦化功能。在第一绝缘层51上可以布置有多个内部坝41、42、外部坝43、多个电极21、22以及发光元件30。
当制造显示模块DM时,在利用喷墨印刷装置喷射分散有发光元件30的墨90(参照图19)的情况下,外部坝43可以执行防止墨90越过子像素SPXn的边界的功能。外部坝43可以使针对彼此不同的每个子像素SPXn分散有不同的发光元件30的墨90分离,以使针对彼此不同的每个子像素SPXn分散有不同的发光元件30的墨90互不混合。然而,并不限于此。
多个内部坝41、42可以包括与各个子像素SPXn的中心部相邻而布置的第一内部坝41及第二内部坝42。
第一内部坝41和第二内部坝42布置为彼此相隔而对向。在第一内部坝41上可以布置有第一电极21,在第二内部坝42上可以布置有第二电极22。参照图2及图4,可以理解为在第一内部坝41上布置有第一电极分支部21B,在第二内部坝42上布置有第二电极分支部22B。
第一内部坝41和第二内部坝42可以在各个子像素SPXn内沿纵向方向延伸而布置。但是,并不限定于此,第一内部坝41和第二内部坝42可以布置于每个子像素SPXn而在显示模块DM的前表面形成图案。多个内部坝41、42和外部坝43可以包括聚酰亚胺(PI:Polyimide),但不限于此。
第一内部坝41及第二内部坝42可以具有以第一绝缘层51为基准至少一部分突出的结构。第一内部坝41和第二内部坝42可以以布置有发光元件30的平面为基准向上部突出,所述突出的部分的至少一部分可以倾斜地形成。由于内部坝41、42具有以第一绝缘层51为基准突出并倾斜的侧面,因此从发光元件30发出的光可以在内部坝41、42的倾斜的侧面反射。如后述,在布置于内部坝41、42上的电极21、22包括反射率高的材料的情况下,从发光元件30发出的光可以在电极21、22反射而向第一绝缘层51的上部方向行进。
外部坝43布置于各个子像素SPXn的边界而形成为构成格子形图案,但是内部坝41、42布置于各个子像素SPXn内而具有沿一方向延伸的形状。
多个电极21、22可以布置在第一绝缘层51及内部坝41、42上。如上所述,各个电极21、22包括电极枝条部21S、22S和电极分支部21B和22B。
第一电极21和第二电极22的一部分区域可以布置于第一绝缘层51上,一部分区域可以布置于第一内部坝41和第二内部坝42上。如上所述,第一电极21的第一电极枝条部21S和第二电极22的第二电极枝条部22S可以沿横向方向延伸,第一内部坝41和第二内部坝42可以沿纵向方向延伸而布置于沿纵向方向相邻的子像素SPXn。
在第一电极21的第一电极枝条部21S可以形成有贯通第一绝缘层51而暴露电路元件层CCL的一部分的第一电极接触孔CNTD。第一电极21可以通过第一电极接触孔CNTD而与电路元件层CCL的晶体管电连接。第一电极21可以从所述晶体管接收预定的电信号。
第二电极22的第二电极枝条部22S可以沿一方向延伸而布置于未布置有发光元件30的非发光区域。在第二电极枝条部22S可以形成有贯通第一绝缘层51而暴露电路元件层CCL的一部分的第二电极接触孔CNTS。第二电极22可以通过第二电极接触孔CNTS而与电源电极电连接。第二电极22可以从所述电源电极接收预定的电信号。
第一电极21和第二电极22的一部分区域(例如,第一电极分支部21B和第二电极分支部22B)可以分别布置于第一内部坝41及第二内部坝42上。在第一电极21和第二电极22之间的区域(即,第一电极分支部21B和第二电极分支部22B隔开而对向的空间)可以布置有多个发光元件30。
各个电极21、22可以包括透明导电性物质。作为一例,各个电极21、22可以包括诸如铟锡氧化物(ITO:Indium-Tin Oxide)、铟锌氧化物(IZO:Indium-Zinc Oxide)以及铟锡锌氧化物(ITZO:Indium Tin-Zinc Oxide)等的物质,但不限于此。在若干实施例中,各个电极21、22可以包括反射率高的导电性物质。例如,各个电极21、22可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)等的金属作为反射率高的物质。在这种情况下,也可以通过反射向各个电极21、22入射的光而向各个子像素SPXn的上部方向射出。
并且,电极21、22可以构成透明导电性物质和反射率较高的金属层分别堆叠一层以上的结构,或者包括这些而形成为一个层。在示例性的实施例中,各个电极21、22可以具有ITO/银(Ag)/ITO/IZO的堆叠结构,或者可以是包括铝(Al)、镍(Ni)、镧(La)等的合金,但不限于此。
第二绝缘层52布置于第一绝缘层51、第一电极21及第二电极22上。第二绝缘层52布置为局部地覆盖第一电极21和第二电极22。第二绝缘层52可以布置为覆盖第一电极21和第二电极22的上表面的大部分,并且可以暴露第一电极21和第二电极22的一部分。第二绝缘层52可以布置为使第一电极21和第二电极22的上表面中的一部分(例如,布置于第一内部坝41上的第一电极分支部21B的上表面和布置于第二内部坝42上的第二电极分支部22B的上表面中的一部分)暴露。即,第二绝缘层52实质上全面地形成于第一绝缘层51上,同时可以包括使第一电极21和第二电极22局部地暴露的开口部。
第二绝缘层52可以在保护第一电极21和第二电极22的同时使第一电极21和第二电极22彼此绝缘。另外,可以防止布置在第二绝缘层52上的发光元件30通过与其他部件直接接触而受损。然而,第二绝缘层52的形状和结构不限于此。
发光元件30可以在各个电极21、22之间布置于第二绝缘层52上。示例性地,在布置于各个电极分支部21B、22B之间的第二绝缘层52上可以布置有至少一个发光元件30。然而,不限于此,虽然未图示,但布置于各个子像素SPXn内的发光元件30中的至少一部分也可以布置于各个电极分支部21B、22B之间以外的区域。发光元件30可以布置于第一电极分支部21B与第二电极分支部22B彼此对向的各端部上,并且可以通过接触电极26而与各个电极21、22电连接。
发光元件30可以在与第一绝缘层51平行的方向上布置有多个层。根据一实施例的显示模块DM的发光元件30可以具有沿一方向延伸的形状,并且可以具有多个半导体层沿一方向依次布置的结构。如上所述,在发光元件30中,第一半导体层31、活性层36、第二半导体层32以及电极层37可以沿一方向依次布置,并且绝缘膜38可以围绕它们的外表面。布置于显示模块DM的发光元件30可以布置为延伸的一方向与第一绝缘层51平行,发光元件30所包括的多个半导体层可以沿与第一绝缘层51的上表面平行的方向依次布置,但不限于此。
在布置发光元件30之后,可以执行对发光元件30布置多个接触电极26的工序,从而制造显示装置DD。具体而言,可以进一步执行如下工序而制造显示装置DD:局部地蚀刻显示模块DM的第二绝缘层52而暴露内部坝41、42(也可称为“坝图案”)上的多个电极21、22,在发光元件30上布置第三绝缘层53(参照图5),将与多个电极21、22电连接的接触电极26布置到发光元件30、多个电极21、22及第三绝缘层53上,在接触电极26上布置钝化层55(参照图5)。以下,将结合示意性地图示显示装置DD的剖面的图5,对多个接触电极26与发光元件30之间的关系进行说明。
图5是示出根据一实施例的显示装置DD的示意性的剖面的剖面图。具体而言,显示装置DD为在显示模块DM中进一步布置有接触电极26、第三绝缘层53及钝化层55的装置,图5示意性地示出了与沿图2的X1-X1′线、X2-X2′线、X3-X3′线剖切的剖面对应的剖面。
参照图2及图5,在显示装置DD中,发光元件30的一端部可以与第一接触电极26a接触,另一端部可以与第二接触电极26b接触。根据一实施例,发光元件30在延伸的一方向侧的端部面未形成有绝缘膜38而被暴露,因此在所述暴露的区域可以与后述的第一接触电极26a和第二接触电极26b接触,但不限于此。
第三绝缘层53可以局部地布置在布置于第一电极21与第二电极22之间的发光元件30上。第三绝缘层53可以布置为局部地围绕发光元件30的外表面。第三绝缘层53在保护发光元件30的同时也可以执行在显示模块DM的制造工序中固定发光元件30的功能。
从平面上来看,第三绝缘层53可以布置成在第一电极分支部21B与第二电极分支部22B之间沿纵向方向延伸。作为一例,从平面上来看,第三绝缘层53可以在第一绝缘层51上具有岛状或线形的形状。根据一实施例,第三绝缘层53可以布置在发光元件30的上部。
第一接触电极26a和第二接触电极26b分别布置于电极21、22及第三绝缘层53上。第一接触电极26a和第二接触电极26b可以在第三绝缘层53上彼此隔开而布置。第三绝缘层53可以使第一接触电极26a和第二接触电极26b彼此绝缘,使得第一接触电极26a和第二接触电极26b不直接接触。
第一接触电极26a可以在第一内部坝41上与第一电极21的暴露的一部分区域接触,并且第二接触电极26b可以在第二内部坝42上与第二电极22的暴露的一部分区域接触。第一接触电极26a和第二接触电极26b可以将从各个电极21、22传送的电信号传送到发光元件30。
接触电极26可以包括导电性物质。例如,可以包括ITO、IZO、ITZO、铝(Al)等。然而,并不限于此。
钝化层55可以布置于接触电极26及第三绝缘层53上。钝化层55可以起到保护布置于第一绝缘层51上的部件免受外部环境的影响的功能。
另外,上述的第二绝缘层52、第三绝缘层53及钝化层55中的每一个可以包括无机绝缘性物质或有机绝缘性物质。在示例性的实施例中,第二绝缘层52、第三绝缘层53及钝化层55可以包括诸如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)等的无机绝缘性物质。并且,第二绝缘层52、第三绝缘层53及钝化层55作为有机绝缘性物质可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯撑树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯树脂、卡多(Cardo)树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂等。然而,并不限于此。
以下,将结合图6至图8对发光元件30被聚集而布置的不良区域Q2进行详细说明。
图6是放大图1的Q2区域的放大图。图7是放大图6的Q3区域的放大图。图8是示出沿图7的X4-X4′线剖切的示意性的剖面的剖面图。
参照图6至图8,发光元件30可以在显示模块DM的不良区域Q2中聚集而形成发光元件集合体AGG。这是由于将发光元件30布置于显示模块DM上的喷墨工序的特性而导致的,例如,在为了增加像素PX内的发光元件30的数量而提高包括有发光元件30的墨90(参照图19)的浓度或者多重地执行喷墨印刷工序的情况下,发光元件30之间的间隔可能减小,并且由于用于对齐发光元件30的电场IEL(参照图20)的影响,与先前布置的发光元件30聚集而有可能形成发光元件集合体AGG。
在发光元件30聚集而形成发光元件集合体AGG的情况下,可能会使像素PX的布线断线或者引起布线的接触不良而降低画质,因此需要去除发光元件集合体AGG。
但是,如上所述,在以喷墨印刷方式布置发光元件30的情况下,不仅形成不良区域Q2,而且还形成正常区域Q1,在为了去除形成于不良区域Q2中的发光元件集合体AGG而将布置于显示模块DM上的发光元件30整体地去除的情况下,正常地布置于正常区域Q1的发光元件30也被去除,从而只能重新执行将发光元件30整体地布置于显示模块DM的工序,因此存在工序效率降低的问题。
因此,需要将正常区域Q1中的发光元件30保持原样,仅将不良区域Q2中的发光元件集合体AGG选择性地去除,并且执行在去除了发光元件集合体AGG的不良区域Q2中再次布置发光元件30的二次工序而重新布置发光元件30。
以下,对用于仅将不良区域Q2中的发光元件集合体AGG选择性地去除的双极性元件去除装置1进行说明。
图9是示意性地示出根据一实施例的双极性元件去除装置的立体图。图10是示意性地示出根据图9的实施例的双极性元件去除装置的去除部的内部的结构图。图11是示出沿图10的X5-X5′线剖切的示意性的剖面的剖面图。
参照图9至图11,根据一实施例的双极性元件去除装置1可以包括去除部100、溶剂存储部200及台架300。
台架300可以起到安置上述的显示模块DM的作用。显示模块DM可以安置于台架300上而执行去除发光元件集合体AGG的工序。
溶剂存储部200可以起到将在双极性元件去除工序中所需的溶剂SV(参照图12至图17)供应至去除部100并在去除双极性元件之后从去除部100重新回收溶剂SV的作用。在若干实施例中,溶剂存储部200可布置于去除部100的正上方,但并不局限于此。例如,溶剂存储部200可以与去除部100隔开而布置,并且可以通过单独的连接管(未示出)将溶剂SV供应到去除部100或从去除部100回收溶剂SV。以下,为了便于说明,以溶剂存储部200布置于去除部100上的情形为中心进行说明。
去除部100可以起到去除显示模块DM上的发光元件集合体AGG的作用。去除部100可以包括定义溶剂通道PAS的分隔壁和振动装置150。去除部100布置在台架300上并通过单独的移动部(未图示)在台架300上沿第一方向DR1或第二方向DR2经过。这可以是为了在显示模块DM的不良区域Q2选择性地执行工序的要素。
去除部100的分隔壁定义去除部100的外观,定义用于投入及排出溶剂SV的溶剂通道PAS,并且如后述所示,可以起到在双极性元件去除工序中防止溶剂SV向外部扩散的作用。
溶剂通道PAS可以起到投入或排出在后述的双极性元件去除工序中所需的溶剂SV的通道作用。换言之,分隔壁的内部为空的空间,去除部100可以具有中央部为空的管形态。在若干实施例中,如图11所示,作为分隔壁的剖面可以具有圆形形状,但不限于此。以下,为了便于说明,以分隔壁的剖面为圆形形状的情形为中心进行说明。
溶剂通道PAS在第一方向DR1上的宽度100w可以随着朝向第三方向DR3的另一侧(即,朝向台架300的方向)而变窄。这是为了防止如后文所述为了选择性地去除不良区域Q2中的发光元件集合体AGG而被执行工序的区域不必要地变宽而设计的。
分隔壁可以包括第一分隔壁110和布置于第一分隔壁110的第三方向DR3的另一侧的第二分隔壁130。第一分隔壁110可以与溶剂存储部200相邻布置,第二分隔壁130可以与台架300(或显示模块DM)相邻布置。
第一分隔壁110可以包括具有刚性的物质。第一分隔壁110可以通过包括具有刚性的物质而使溶剂SV在溶剂存储部200与去除部100之间稳定地移动。在若干实施例中,第一分隔壁110可以包括具有刚性的金属。例如,第一分隔壁110可以包括诸如SUS304等的金属,但不限于此。
第二分隔壁130可以包括具有比第一分隔壁110的刚性低的刚性的物质。第二分隔壁130可以是在后述的双极性元件去除工序中与布置于显示模块DM的最上端的第二绝缘层52(参照图13)直接接触的部分。若第二分隔壁130包括具有与第一分隔壁110的刚性相似的刚性的物质的情况下,则可能存在对第二绝缘层52造成损伤的隐患。第二分隔壁130可以包括具有比第一分隔壁110的刚性低的刚性的物质,从而即使第二分隔壁130在双极性元件去除工序中与第二绝缘层52直接接触,第二分隔壁130也可以不会对第二绝缘层52造成损伤。在若干实施例中,第二分隔壁130可以包括具有柔性的物质。例如,第二分隔壁130可以包括诸如聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、橡胶(rubber)等的物质,但不限于此。
第二分隔壁130可以与第二绝缘层52直接接触而有效地防止在双极性元件去除工序中投入的溶剂SV扩散到去除部100的外侧。对此的详细说明将进行后述。
去除部100的振动装置150可以起到对在后述的双极性元件去除工序中投入的溶剂SV进行振动而使发光元件集合体AGG分离的作用。在若干实施例中,振动装置150可以是施加超声波的超声波振动装置150,但不限于此。以下,为了便于说明,以振动装置150为超声波振动装置150的情形为中心进行说明。
振动装置150可以以贯通去除部100的内部的方式布置。换言之,如图10及图11所示,振动装置150可以布置在定义有溶剂通道PAS的分隔壁的内部,并且可以布置成贯通溶剂通道PAS。在若干实施例中,振动装置150可以布置为与分隔壁沿第一方向DR1隔开。
振动装置150可以具有沿第三方向DR3延伸的杆状。如图10所示,振动装置150的在第三方向DR3上的宽度150h可以小于分隔壁的在第三方向DR3上的宽度100h。换句话说,振动装置150的在第三方向DR3上的另一侧的末端与第二分隔壁130的在第三方向DR3上的另一侧的末端可以沿第三方向DR3隔开,并且振动装置150的在第三方向DR3上的另一侧的末端可以不与第二分隔壁130的在第三方向DR3上的另一侧的末端在第一方向DR1重叠。据此,在去除部100的内部可以定义有作为振动装置150的在第三方向DR3上的另一侧的末端与第二分隔壁130的在第三方向DR3上的另一侧的末端之间的空间的振动空间VA。如后文所述,从溶剂存储部200投入到去除部100的溶剂SV可以布置在振动空间VA并借由振动装置150而振动。对此的详细说明将进行后述。
以下,将结合图12至图20对利用根据一实施例的双极性元件去除装置1的双极性元件去除工序及该工序之后的二次涂覆工序进行说明。
图12至图17是用于说明利用根据一实施例的双极性元件去除装置的双极性元件去除工序的按工序的剖面图。图18至图20是用于说明在双极性元件去除工序之后执行的二次涂覆工序的按工序的剖面图。
参照图12至图17,利用根据一实施例的双极性元件去除装置1的双极性元件去除工序可以包括如下步骤:将去除部100移动至不良区域Q2;使去除部100紧贴于显示模块DM;投入溶剂SV而用溶剂SV覆盖发光元件集合体AGG;使溶剂SV振动而分离发光元件集合体AGG;以及排出被分离的发光元件集合体AGG及溶剂SV。
首先,参照图12,将显示模块DM安置于台架300上,并将去除部100移动至显示模块DM的不良区域Q2。如上所述,随着利用喷墨印刷工序在显示模块DM布置发光元件30,将在显示模块DM形成发光元件30聚集的不良区域Q2,去除部100可以在台架300上沿第一方向DR1或第二方向DR2移动,从而去除部100可以选择性地位于不良区域Q2。
接着,参照图13及图14,使去除部100紧贴于显示模块DM的不良区域Q2,并通过溶剂通道PAS投入溶剂SV之后,使溶剂SV布置于振动区域。例如,去除部100的第二分隔壁130可以与显示模块DM的第二绝缘层52直接接触。
如上所述,由于第二分隔壁130包括具有相对低的刚性的物质,因此即使第二分隔壁130与第二绝缘层52直接接触,也可以不会对第二绝缘层52造成损伤。在这种情况下,振动装置150可以在第三方向DR3上与发光元件集合体AGG重叠。在若干实施例中,第二分隔壁130可以与内部坝41、42重叠而与显示模块DM的不良区域Q2紧贴,但不限于此。
溶剂SV可以通过溶剂通道PAS投入到去除部100的内部而布置在上述的振动区域。具体地,溶剂SV可以覆盖布置在内部坝41、42之间的发光元件集合体AGG,并且可以与振动装置150直接接触。
溶剂SV可以起到将振动装置150的振动传递到发光元件集合体AGG而分离发光元件集合体AGG的作用。溶剂SV可以是液体状态的物质。在振动装置150以气体为媒介向发光元件集合体AGG传递振动的情况下,由于发光元件集合体AGG的粘接力大,从而可能无法顺利地进行分离。因此,溶剂SV作为液体状态的物质可以向发光元件集合体AGG顺利地传递振动装置150的振动。在若干实施例中,溶剂SV可以是丙酮、水、乙醇、甲苯(Toluene)、丙二醇(PG:Propylene glycol)或丙二醇乙酸甲酯(PGMA:Propylene gloycol methyl acetate),但不限于此。
然后,参照图15及图16,振动装置150使溶剂SV振动以分离发光元件集合体AGG。例如,振动装置150的振动可以以超声波振动来执行。
如上所述,在溶剂SV为液体状态的物质的情况下,振动装置150的振动可以以溶剂SV为媒介顺利地传递到发光元件集合体AGG。发光元件集合体AGG可以借由振动装置150的振动而分离为单独的发光元件30而浮游。
接着,参照图17,通过溶剂通道PAS排出发光元件30漂浮的溶剂SV。例如,溶剂SV的排出可以利用真空来执行。
通过如上所述的工序,形成于显示模块DM的不良区域Q2中的发光元件集合体AGG可以被去除。以下,将说明在双极性元件去除工序之后执行的二次涂覆工序。
参照图18至图20,二次涂覆工序可以在发光元件集合体AGG被去除的不良区域Q2中选择性地执行。例如,二次涂覆工序可以通过喷墨印刷工序来进行。
首先,参照图18,准备发光元件集合体AGG被去除的显示模块DM。
接着,参照图19,在第一电极21和第二电极22上喷射发光元件30分散在液体91的墨90。液体91可以包括与上述的溶剂SV实质上相同的物质。发光元件30为双极性元件的一种,分散有发光元件30的墨90的喷射可以利用喷墨印刷方法来进行。如图所示,根据一实施例的喷墨印刷装置可以在墨90中均匀地维持发光元件30的数量的同时排出墨90。
然后,参照图20,向第一电极21和第二电极22施加电信号而在分散有发光元件30的墨90生成电场IEL。发光元件30可以借由电场IEL而接收介电电泳力,并且排列方向和位置发生变化的同时可以安置在第一电极21与第二电极22之间。
接着,去除墨90的液体91。通过以上的工序,可以将布置于显示模块DM的不良区域Q2中的发光元件30如图4所示的正常区域Q1一样对齐。
以下,对根据一实施例的双极性元件去除装置1的另一实施例进行说明。在以下的实施例中,对于与之前说明的实施例相同的构成,用相同的附图标记来表示,并省略或简化重复说明,以差异点为主进行说明。
图21是示意性地示出根据另一实施例的双极性元件去除装置的立体图。图22是示意性地示出根据图21的实施例的双极性元件去除装置的去除部的内部的结构图。图23至图27是用于说明利用根据图21的实施例的双极性元件去除装置的双极性元件去除工序的按工序的剖面图。
参照图21及图22,在根据本实施例的双极性元件去除装置1_1中示例出了台架301可以起到振动装置的作用,并且在去除部101中可以省略单独的振动装置150(参照图10)。具体而言,台架301可以使安置于台架301的显示模块DM振动而使布置于与显示模块DM紧贴的去除部101的溶剂SV振动,从而可以去除显示模块DM的发光元件30。
在台架301完全覆盖显示模块DM并执行后述的双极性元件去除工序的情况下,台架301可以向整个显示模块DM施加振动。在若干实施例中,台架301可以是利用超声波的振动装置,但不限于此。
通过如上所述的构成,在去除部101的内部可以省略单独的振动装置150(参照图10),以使去除部101的结构更加简单,从而可以确保更宽的溶剂通道PAS_1,并且可以提高去除部101的移动性。
以下,对利用根据本实施例的双极性元件去除装置1_1的双极性元件去除工序进行说明。
结合图21并参照图23至图27,利用根据本实施例的双极性元件去除装置1_1的双极性元件去除工序可以包括如下步骤:将去除部101移动至不良区域Q2;使去除部101紧贴于显示模块DM;投入溶剂SV而用溶剂SV覆盖发光元件集合体AGG;使溶剂SV振动而分离发光元件集合体AGG;以及排出被分离的发光元件集合体AGG及溶剂SV。在图23至图27中,为了比较正常区域Q1和不良区域Q2,一起图示了形成有发光元件集合体AGG的部分和发光元件30正常对齐的部分。
由于利用根据本实施例的双极性元件去除装置1_1的双极性元件去除工序和利用根据一实施例的双极性元件去除装置1的双极性元件去除工序在使溶剂SV振动来分离发光元件集合体AGG的步骤中存在差异,而其余步骤实质上相同或相似,因此以下以使溶剂SV振动来分离发光元件集合体AGG的步骤为中心进行说明,对于其余步骤的说明则简单提及或省略。
首先,参照图21,将显示模块DM安置于台架301上,并将去除部101移动至显示模块DM的不良区域Q2。
接着,参照图23及图24,使去除部101紧贴于显示模块DM的不良区域Q2,并通过溶剂通道PAS_1投入溶剂SV之后,将溶剂SV布置于振动区域。
接着,参照图25及图26,台架301通过使显示模块DM振动而使去除部101内的溶剂SV振动,并分离发光元件集合体AGG。例如,台架301的振动可以用超声波振动来执行。
如上所述,在存在液体状态的溶剂SV的情况下,台架301的振动可以顺利地传递到发光元件集合体AGG,使得发光元件集合体AGG可以被分离,而在没有溶剂SV的情况下,振动可能无法顺利地传递到发光元件集合体AGG。
换言之,台架301的振动可以使显示模块DM整体振动,从而使与显示模块DM紧密接触的去除部101内的溶剂SV振动,台架301的振动以去除部101内的溶剂SV为媒介顺利地传递至不良区域Q2中的发光元件集合体AGG,以使发光元件集合体AGG可以分离为多个发光元件30,相反,在正常区域Q1的情况下,由于未布置去除部101,从而溶剂SV并未专门布置,进而台架301的振动无法顺利地传递到发光元件30,因此发光元件30不会从对齐的位置脱离。
据此,根据本实施例的双极性元件去除装置1_1可以选择性地去除不良区域Q2中的发光元件集合体AGG。
接着,参照图27,通过溶剂通道PAS_1排出发光元件30漂浮的溶剂SV。之后,执行使发光元件30重新对齐的二次工序,从而可以使布置于显示模块DM的不良区域Q2中的发光元件30如图4所示的正常区域Q1一样对齐。
以上参照附图说明了本发明的实施例,但在本发明所属技术领域中具有普通知识的人员可以理解的是,可以在不改变本发明的其技术思想或者必要特征的情况下以其他具体形态实施。因此,以上记载的实施例应当理解为在所有方面均为示例性的,而不是限定性的。

Claims (20)

1.一种双极性元件去除装置,作为去除显示模块所包括的双极性元件的双极性元件去除装置,包括:
去除部,去除所述双极性元件;以及
溶剂存储部,向所述去除部供应溶剂,
其中,所述去除部包括:
分隔壁,定义供所述溶剂出入的溶剂通道;以及
振动装置,布置于所述溶剂通道内部。
2.如权利要求1所述的双极性元件去除装置,其中,
所述溶剂通道的宽度随着朝向所述显示模块的方向而变窄。
3.如权利要求2所述的双极性元件去除装置,其中,
所述分隔壁与所述振动装置彼此隔开。
4.如权利要求3所述的双极性元件去除装置,其中,
所述分隔壁的长度比所述振动装置的长度更长。
5.如权利要求4所述的双极性元件去除装置,其中,
所述去除部构成为能够与所述显示模块隔开而移动。
6.如权利要求1所述的双极性元件去除装置,其中,
所述分隔壁包括:
第一分隔壁,与所述溶剂存储部相邻;以及
第二分隔壁,与所述显示模块相邻,
其中,所述第二分隔壁具有比所述第一分隔壁的刚性低的刚性。
7.如权利要求6所述的双极性元件去除装置,其中,
所述第一分隔壁和所述第二分隔壁包括彼此不同的物质。
8.如权利要求6所述的双极性元件去除装置,其中,
所述振动装置的末端不与所述第二分隔壁的末端重叠。
9.如权利要求8所述的双极性元件去除装置,其中,
所述溶剂布置于由所述振动装置的末端与所述第二分隔壁的末端之间的空间而定义的振动空间。
10.如权利要求9所述的双极性元件去除装置,其中,
所述溶剂围绕所述双极性元件并与所述振动装置相接。
11.如权利要求10所述的双极性元件去除装置,其中,
所述振动装置为超声波振动装置,构成为使布置于所述振动空间的所述溶剂振动。
12.如权利要求11所述的双极性元件去除装置,其中,
所述双极性元件去除装置构成为使所述溶剂通过所述溶剂通道重新回收至所述溶剂存储部。
13.如权利要求12所述的双极性元件去除装置,其中,
所述溶剂为液体物质。
14.如权利要求6所述的双极性元件去除装置,其中,
所述显示模块还包括:
基板;
多个坝图案,布置于所述基板上,并且彼此隔开;以及
绝缘层,覆盖所述多个坝图案,
其中,所述第二分隔壁与所述绝缘层直接相接。
15.一种双极性元件去除装置,作为去除显示模块所包括的双极性元件的双极性元件去除装置,包括:
振动装置,安置所述显示模块,并使所述显示模块振动;
去除部,将所述显示模块置于所述去除部与所述振动装置之间而与所述振动装置隔开布置;以及
溶剂存储部,向所述去除部供应溶剂,
其中,所述去除部包括定义供所述溶剂出入的溶剂通道的分隔壁。
16.如权利要求15所述的双极性元件去除装置,其中,
所述去除部构成为能够与所述显示模块隔开而移动。
17.如权利要求15所述的双极性元件去除装置,其中,
所述分隔壁包括:
第一分隔壁,与所述溶剂存储部相邻;以及
第二分隔壁,与所述显示模块相邻,
其中,所述第二分隔壁具有比所述第一分隔壁的刚性低的刚性。
18.如权利要求17所述的双极性元件去除装置,其中,
所述显示模块还包括:
基板;
多个坝图案,布置于所述基板上,并且彼此隔开;以及
绝缘层,覆盖所述多个坝图案,
其中,所述第二分隔壁与所述绝缘层直接相接。
19.如权利要求18所述的双极性元件去除装置,其中,
所述溶剂布置于由所述第二分隔壁所围绕的空间而定义的振动空间,
所述振动装置为超声波振动装置,构成为使布置于所述振动空间的所述溶剂振动。
20.如权利要求18所述的双极性元件去除装置,其中,
所述振动装置完全覆盖所述基板。
CN202310034524.1A 2022-02-14 2023-01-10 双极性元件去除装置 Pending CN116598222A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2022-0018747 2022-02-14
KR1020220018747A KR20230123029A (ko) 2022-02-14 2022-02-14 쌍극성 소자 제거 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116598222A true CN116598222A (zh) 2023-08-15

Family

ID=87559088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310034524.1A Pending CN116598222A (zh) 2022-02-14 2023-01-10 双极性元件去除装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230260805A1 (zh)
KR (1) KR20230123029A (zh)
CN (1) CN116598222A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
US20230260805A1 (en) 2023-08-17
KR20230123029A (ko) 2023-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11791447B2 (en) Display device
KR20210124564A (ko) 표시 장치
US20210367024A1 (en) Display device
KR20210148536A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20220069165A1 (en) Display device and method of fabricating the same
KR20210135383A (ko) 표시 장치
EP4283673A2 (en) Display device
US20210134769A1 (en) Display device
CN113889507A (zh) 显示设备
EP4006961A1 (en) Dipole alignment device, dipole alignment method and display device manufacturing method
US20220216373A1 (en) Display device and manufacturing method therefor
US20220263002A1 (en) Display device and method of fabricating the same
US20220223761A1 (en) Display device
US20220115565A1 (en) Ink including light-emitting elements, display device and method of fabricating the same
US20220045241A1 (en) Display device and method for manufacturing the same
US20220052107A1 (en) Display device
CN116598222A (zh) 双极性元件去除装置
CN114914265A (zh) 显示装置和制造该显示装置的方法
CN115668504A (zh) 显示装置
KR20210132271A (ko) 표시 장치
KR20230131982A (ko) 스크린 프린팅 장치 및 이를 이용한 스크린 프린팅 방법
US20220130928A1 (en) Display device
US20240006570A1 (en) Display device and method of fabricating the same
CN220129803U (zh) 喷墨打印装置
US20220190070A1 (en) Display device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication