CN1160852C - 能陷型压电谐振器和能陷型压电谐振器元件 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 95
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 230000024241 parasitism Effects 0.000 description 10
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 6
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1035—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by two sealing substrates sandwiching the piezoelectric layer of the BAW device
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02062—Details relating to the vibration mode
- H03H9/0207—Details relating to the vibration mode the vibration mode being harmonic
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/132—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials characterized by a particular shape
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/177—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator of the energy-trap type
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- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明提供了一种利用厚度延伸振动的能陷型压电谐振器。压电基片沿厚度方向极化，并具有第一和第二主表面。第一谐振电极部分地设置在压电基片的第一主表面上，第二谐振电极部分地设置在压电基片的第二主表面上。第二谐振电极设置得通过压电基片与第一谐振电极相对，并具有不同于第一谐振电极的外部直径。
Description
本发明涉及一种用作例如振荡器或带通滤波器的能陷型压电谐振器，本发明尤其涉及一种能陷型压电谐振器，其中谐振电极通过具有改进形状的压电基片相对。
传统地，适用于在MHz频带工作的振荡器中的能陷型压电谐振器利用厚度延伸振动模式的非基波。例如，第4-216208号日本专利公开公告(kokai)揭示了一种如图16所示的能陷型压电谐振器。
图16所示的能陷型压电谐振器51使用沿其厚度方向极化的压电基片52。将谐振电极53设置在压电基片52的上表面的中心部分，而将谐振电极54设置在压电基片52的下表面的中心部分。谐振电极53和54为圆形，并且大小相同，并通过设置在它们之间的压电基片相对而异。
在能陷型压电谐振器51中，压电基片52的谐振电极53和54相对的部分构成振动部分。当将AC电压施加给谐振电极53和54时，在谐振器51中产生厚度延伸振动。另外，部分电极55设置为可以利用厚度延伸振动的非基波，而降低了对厚度延伸振动的基波的响应。部分电极55设置在压电基片52的上表面和下表面上，以便沿相应纵向边缘的中心延伸。由于部分电极55的机械负载和压电短路效应，振动能量被衰减，导致相应于厚度延伸振动的基波的减小。
同时，5-25823号日本实用新型专利公开公告(kokai)揭示了如图17所示的陶瓷谐振器。图17所示的陶瓷谐振器61利用厚度延伸振动的基波，并具有一种结构，其中直径相同的圆形谐振电极63和64分别设置在矩形压电基片62的相对的主表面上。在陶瓷谐振器中，圆形树脂层65设置在上谐振电极63上，从而圆形树脂层65的直径等于或小于谐振电极63的直径。
树脂层65设置得通过其质量负载而产生抑制效应，由此抑制了要使用的频带中的脉动。
如上所述，在传统能陷型压电谐振器中，设置在压电基片的相对的主表面上的谐振电极典型地是相同的形状和大小，从而谐振电极通过压电基片整个地相对。
在上述的能陷型压电谐振器中，由于寄生振动被认为是所需用的振动以外的振动故非常需要抑制这样的寄生振动。
在第4-216208号日本专利申请公开中揭示的现有技术中，利用了厚度延伸振动的非基波，并使用上述部分电极55，以抑制不希望有的厚度延伸振动的基波。但是当压电谐振器51的大小减小时，难以确保用于提供部分电极55的空间。即，使用部分电极55，导致压电谐振器的小型化困难。
另外，在第5-25823号日本实用新型申请公开中揭示的能陷型压电谐振器中，通过安装树脂层65阻尼不希望的振动。但是，当施加树脂层65时，也阻尼了要使用的振动。虽然在5-25823号日本实用新型申请公开中未揭示，但当通过使用压电谐振器61构成利用厚度延伸振动的非基波的谐振器时，阻尼了厚度延伸振动的基波，这导致不可能得到良好的谐振特性。
另外，在压电谐振器61的情况下，由于必需设置树脂层65，以抑制不希望的寄生振动，故生产工序过于复杂。
为了克服上述问题，本发明的较佳实施例提供了一种能陷型压电谐振器，它不需要形成上述部分电极或树脂层，它可以有效地抑制不希望有的振动，它可以有效地激励要使用的振动模式，并能够最小化，并且使制造步骤最简单化。
本发明的一个较佳实施例提供了一种能陷型压电谐振器，适应以厚度延伸振动模式振动，它包含：沿厚度方向极化，并具有第一和第二主表面的压电基片；设置在压电基片的第一主表面的一部分上的第一谐振电极；设置在压电基片的第二主表面的一部分上的第二谐振电极，第二谐振电极设置得通过压电基片与第一谐振电极面对，并且外部尺寸小于第一谐振电极的外部尺寸。
在本发明的压电谐振器中，由于第二谐振电极的外部直径制得小于第一谐振电极的外部尺寸，故厚度延伸振动的基波容易从振动部分中泄漏。即，将厚度延伸振动的基波的陷阱效应定在低值。因此，可以有效地抑制不希望有的，来自厚度延伸振动的基波的寄生振动。因此，可以提供一种利用厚度延伸振动的非基波的能陷型压电谐振器，它具有极好的谐振特性。
较好地，在上述能陷型压电谐振器中，利用厚度延伸振动的三次谐波。在这种情况下，可以提供一种能陷型压电谐振器，它具有极好的谐振特性，来自厚度延伸振动的三次谐波，并适合用于Mhz频带。
另外，反之，传统的能陷型压电谐振器需要形成部分电极或在谐振电极上提供树脂层，以抑制不希望有的寄生振动，本发明的能陷型压电谐振器不需要任何额外的元件，诸如部分电极或施加在谐振电极上的树脂层。因此，在本发明的较佳实施例中可以大大减小成本，并且大大简化生产工序。
另外，在传统的能陷型压电谐振器中，形成部分电极使谐振器小型化困难。相比之下，在本发明较佳实施例中，由于没有诸如部分电极之类的额外的元件需要在振动部分周围，故可以容易地满足使谐振器小型化的需要。
较好地，在上述能陷型压电谐振器中，压电基片的第一和第二主表面都具有矩形板形状，并且第一和第二谐振电极如此设置，从而满足1.00＜(a)/(b)＜1.25，其中(a)是第一电极沿矩形的一侧的尺寸，而(b)是第二电极沿矩形的一侧的尺寸。
在这种情况下，可以抑制来自厚度延伸振动的谐波的通带内的脉动，并且可以有效地抑制不希望有的寄生振动，它来自厚度延伸振动的基波。相应地，可以提供一种能陷型压电谐振器，它利用厚度延伸振动的非基波，并具有更好的谐振特性。
较好地，在上述能陷型压电谐振器中，第一和第二谐振电极具有圆形的形状，并满足1.00＜(a)/(b)＜1.25，其中(a)是第一电极的直径，而(b)是第二电极的直径。
在上述情况下，通带内的脉动(来自厚度延伸振动的基波)，被有效地抑制和最小化，并抑制，不希望有的寄生振动(它厚度延伸振动的基波)。另外，由于第一和第二电极具有圆形的形状，故可以容易地形成第一和第二谐振电极，并容易地控制比值(a)/(b)。
本发明的另一个较佳实施例提供了一种能陷型压电谐振器部件，它包含：上述压电谐振器；其中第一和第二罩子基片分别设置在压电谐振器的第一和第二主表面上，从而第一和第二罩子基片夹着压电谐振器，并由此形成层叠体；第一和第二终端电极分别设置在层叠体的相对的端面上，并电气连接第一和第二谐振电极；并且在层叠体中设置一个空间，以允许压电谐振器的第一和第二谐振电极相对的振动部分自由振动。
在这种情况下，第一和第二罩子基片层叠在本发明较佳实施例的能陷型压电谐振器上，并且压电谐振器固定到第一和第二罩子基片的空间周围部分，以允许压电谐振器的振动部分自由振动。因此，可以在压电基片的圆形的边缘有效地阻尼厚度延伸振动的泄漏的基波，由此提供一种具有更好谐振特性的能陷型压电谐振元件。
本发明的另一个较佳实施例提供了一种能陷型压电谐振器部件，包含：上述压电谐振器；用于容纳压电谐振器的罩子，罩子包含一个表面上具有开口，并其中容纳压电谐振器的罩体，以及板状的罩子元件，它被固定到罩体，以关闭罩体开口。
由于本发明较佳实施例的压电谐振器容纳在罩子中，该罩子包含罩体和板状罩子元件，故本发明较佳实施例的能陷型压电谐振器可以设置为与传统的压电谐振元件(其中，压电谐振器容纳在罩子中)相同的形式。在这种情况下，压电谐振器可以通过压电基片的圆形边缘，结合到罩体或罩子元件。即，压电谐振器可以通过振动部分之外的其它部分结合到罩体或罩子元件。因此，在上述能陷型压电谐振器部件的情况下，在结合部分可以有效地抑制厚度延伸振动的基波。
由于参照下面联系附图，对较佳实施例详细的描述，可进一步理解本发明，并将容易理解本发明的各种其它目的、特点和由此产生的优点，其中这些附图是：
图1A是根据本发明的第一较佳实施例的能陷型压电谐振器的平面图；
图1B是图1的能陷型压电谐振器的正视剖面图；
图2A是使用第一较佳实施例的能陷型压电谐振器的压电谐振元件的分解透视图；
图2B是示出图2A的压电谐振元件外形的透视图；
图3是示出例1的能陷型压电谐振器的厚度延伸振动的第三次谐波的响应的阻抗-频率特性以及相位-频率特性的曲线图；
图4是示出例1的能陷型压电谐振器中厚度延伸振动的基波的响应的阻抗-频率特性和相位-频率特性曲线图；
图5是示出传统的能陷型压电谐振器中的厚度延伸振动的第三次谐波的响应的阻抗-频率特性和相位-频率特性的曲线图；
图6是示出传统的能陷型压电谐振器中厚度延伸振动的基波的响应的阻抗-频率特性和相位-频率特性的曲线图；
图7是示出比值(a)/(b)与基波的寄生振动的最大值(相位值)之间的关系；
图8A是示出比值(a)/(b)＝1.00的能陷型压电谐振器中厚度延伸振动的第三次谐波的响应的阻抗-频率特性与相位-频率特性的曲线图；
图8B是示出比值(a)/(b)＝1.15的能陷型压电谐振器中厚度延伸振动的第三次谐波的响应的阻抗-频率特性和相位-频率特性的曲线图；
图9A是示出比值(a)/(b)＝1.20的能陷型压电谐振器中厚度延伸振动的第三次谐波的响应的阻抗-频率特性和相位-频率特性的曲线图；
图9B是示出比值(a)/(b)＝1.25的能陷型压电谐振器中厚度延伸振动的第三次谐波的响应的阻抗-频率特性和相位-频率特性的曲线图；
图10是示出比值(a)/(b)＝1.30的能陷型压电谐振器中厚度延伸振动的第三次谐波的响应的阻抗-频率特性和相位-频率特性的曲线图；
图11A和11B是示出根据本发明较佳实施例的能陷型压电谐振器的修改的平面图；
图12A和12B是示出根据本发明较佳实施例的能陷型压电谐振器的修改的平面图；
图13是示出根据本发明较佳实施例的能陷型压电谐振器的修改的分解透视图；
图14是示出根据本发明较佳实施例的能陷型压电谐振器的另一个修改的分解透视图；
图15是示出根据本发明的能陷型压电谐振器的再一个修改的分解透视图；
图16是传统的能陷型压电谐振器的透视图；
图17是另一个传统的能陷型压电谐振器的透视图。
下面将通过例子详细地描述本发明，其中这些例子并不解释为限制本发明。
图1A是根据本发明的第一较佳实施例的能陷型压电谐振器的平面图，图1B是能陷型压电谐振器的正面的截面图。
能陷型压电谐振器1由矩形的压电基片2构成。压电基片2由诸如锆钛酸铅之类的压电陶瓷，或者诸如LiTaO3，LiNbO3之类的压电单晶，或石英制成。
当压电基片2是由压电陶瓷制成时，它沿其厚度方向极化。
将大致上圆形的第一谐振电极3设置在压电基片2的限定为第一主表面的上表面2a的大致中心部分。
将大致上圆形的第二谐振电极4设置在压电基片2的限定为第二主表面的下表面2b的大致中心部分上。第二谐振电极4通过设置在它们之间的压电基片2与第一谐振电极3相对。第二谐振电极4的直径(b)制得小于第一谐振电极3的直径(a)。
将连接导电部分5a和引出电极5b设置得与谐振电极3相连。沿压电基片2的上表面2a和侧面2c之间的边缘设置引出电极5b。
在压电基片2的下表面2b上，将连接导电部分6a和引出电极6b设置得与谐振电极4连接。将引出电极6b沿压电基片2的下表面2b和侧表面2d之间的边缘设置。
在压电谐振器1中，当在谐振电极3和4之间施加AC电压时激励厚度延伸振动。在本实施例中，利用的是厚度延伸振动的第三次谐波。相应地，选择压电基片2的材料、谐振电极3和4的大小以及类似的因素，以强激励厚度延伸振动的第三次谐波。
另外，在本较佳实施例中，由于将谐振电极3的直径(a)制得大于谐振电极4的直径(b)，故可以有效地抑制厚度延伸振动的基波。这种效果(假设是因为谐振电极3和4之间的直径差引起的)促进了振动能量泄漏到振动部分的周围部分，并且厚度延伸振动的基波比厚度延伸振动的第三次谐波更容易泄漏。
为了确定这样的假设，本发明的发明人分析了本较佳实施例的压电谐振器1的厚度延伸振动的三次谐波和基波的振动状态，并肯定厚度延伸振动的基波的能量被限制到小于第三次谐波的能量所限制的范围，并且基波容易泄漏到振动部分的周围。
由于厚度延伸振动的基波容易泄漏到振动部分的周围，故如果所泄漏的厚度延伸振动的基波受到阻尼，则理论上可以更为有效地抑制从厚度延伸振动的基波出来的寄生振动。
图2A是根据这样的概念构成的压电谐振元件的分解透视图。
在本较佳实施例的压电谐振元件中，将第一和第二罩子基片7和8设置在如图1所示的压电谐振器1的上表面和下表面上。罩子基片7和8可以由绝缘陶瓷、合成树脂或其它任何合适的材料制成。
将具有矩形框形状的绝缘粘剂层9设置在罩子基片7的下表面和罩子基片8的上表面。在粘剂层9中形成一个开口9a，目的是形成密封的空间，该空间允许压电谐振器1的振动部分自由振动。
可以将具有矩形框形成的隔离片插入压电谐振器1和罩子基片7之间以及压电谐振器1和罩子基片8之间。另外，可以在罩子基片7的下表面上和罩子基片8的上表面上都形成具有相同横向截面的凹部，目的是形成上述密封空间。
当通过粘剂层9将压电谐振器1和罩子基片7和8粘在一起时，得到图2B所示的层叠体10。将终端电极11和12设置在层叠体10的相对的端面上，从而构成本较佳实施例的压电谐振部件13。
在压电谐振部件13中，由于通过粘剂层9固定压电谐振器1的压电基片2的周围边缘，故可以有效地抑制厚度延伸振动的泄漏的基波。即，通过形成具有不同直径的谐振电极3和4，方便了基波从振动部分的厚度延伸振动的的泄漏，而所泄漏的基波由粘剂层9抑制。相应地，使用厚度延伸振动的三次谐波，可以抑制来自压电谐振元件中厚度延伸振动的基波的不良影响。
另外，在压电谐振器1中，由于一个谐振电极3的直径(a)大于另一个谐振电极的直径(b)，故可以减小由谐振器1产生的谐振电极3和4之间的位置的移动引起的振动特性变化。即，即使当制造的过程中在谐振电极4的中心和谐振电极3的中心之间产生位置移动，谐振电极3和4相互面对的面积在谐振电极4的周围边缘在通过谐振电极3的突出部分形成在压电基片2的下表面上的曲线内的范围内不改变。
接着，描述具体的例子，以表明在图1所示的压电谐振器1中，有效地抑制了由厚度延伸振动的基波引起的寄生振动，并且当将比值(a)/(b)设置在预定的范围内时，可以得到极好的谐振特性。
通过使用由锆钛酸铅类型的压电陶瓷形成的大致上为矩形压电基片2(大小为大约2.5×2.0×0.22(厚度)mm)，制造例1的能陷型压电谐振器。将直径为0.75mm的圆形的第一谐振电极3设置在压电基片2的上表面的中心部分，并且将直径为大约0.65mm的圆形第二谐振电极4设置在压电基片2的下表面的中心部分上。
为了比较，以和例1中相同的方法制造传统类型的能陷型压电谐振器，只是将形成在压电基片的相对的主表面上的谐振电极的直径设置为大约0.65mm。
图3设置了如此制造的例1的压电谐振器中厚度延伸振动三次谐波的响应，图4示出了厚度延伸振动的基波的响应，该响应引起寄生振动。
图5示出了如上述方法制造的传统的能陷型压电谐振器的厚度延伸振动的三次谐波的响应，图6示出了厚度延伸振动的基波的响应。
在图3到图6的每一个图中，实线表示阻抗-频率特性，而虚线表示相位-频率特性。用于图3到图6的每一个图的竖轴的阻抗值的符号“k”表示103。
如图5所示，在传统的压电谐振器中，厚度延伸振动的三次谐波的阻抗-频率特性中的波低-波峰比，即20log(反谐振阻抗/谐振阻抗)是64dB。但是，如图6所示，来自基波的寄生振动很大。
通过比较，在例1中，可以从厚度延伸振动的三次谐波的阻抗-频率特性看出，波低-波峰比是64dB，这和传统的产品相同(见图3)，并且如图4所示，厚度延伸振动的响应很低。
另外，以和例1相同的方式制造各种压电谐振器，只是第一谐振电极的直径在0.65到0.85mm的范围内变化。即，第一谐振电极3的直径在0.65到0.85mm的范围内变化以在1到1.3的范围内改变比(a)/(b)。测量每一个如此制造的压电谐振器的阻抗-频率特性和相位频率特性。图8到10示出测量的结果。
图8A是示出比(a)/(b)＝1.00的能陷型压电谐振器中厚度延伸振动的三次谐波的响应的阻抗-频率特性和相位-频率特性的曲线图，图8B是示出比(a)/(b)＝1.15的能陷型压电谐振器中厚度延伸振动的三次谐波的响应的阻抗-频率特性和相位-频率特性的曲线图。类似地，图9A是示出比(a)/(b)＝1.20的能陷型压电谐振器中厚度延伸振动的三次谐波的响应的阻抗-频率特性和相位-频率特性的曲线图。而图9B是示出比(a)/(b)＝1.25的能陷型压电谐振器中厚度延伸振动的三次谐波的响应的阻抗-频率特性和相位-频率特性的曲线图。图10是示出比(a)/(b)＝1.30的能陷型压电谐振器中厚度延伸振动的三次谐波的响应的阻抗-频率特性和相位-频率特性的曲线图。
从图9B可见，当比(a)/(b)＝1.25时，在通带中产生由箭头A表示的脉动。另外，如图10所示，当比(a)/(b)＝1.30时，产生由箭头B表示的大脉动。相应地，通过比较图8到10所示的特性可见，当利用厚度延伸振动的三次谐波时，比(a)/(b)较好地制得小于1.25，以抑制通带中的脉动。
图7示出按照上述方法制造的每一个能陷型压电谐振器比(a)/(b)与基波的寄生振动的幅值(由相位-频率特性中的基波响应引起的相位的最大值)之间的关系。如从图7可见，当比(a)/(b)超过1时，随着比(a)/(b)的增加，由基波引起的寄生振动减小。相应地，当将比(a)/(b)设置得大于1时，或谐振电极3的直径(a)制得大于谐振电极4的直径(b)时，可以缓和由基波引起的寄生振动。
因此，较好地，将比(a)/(b)设置在1.00＜(a)/(b)＜1.25，以有效地抑制由基波引起的寄生振动，并有效地抑制通道中的脉动，该脉动由厚度延伸振动的三次谐波引起。
在图1所示的能陷型压电谐振器1中，连接到大致圆形谐振电极3和4的连接导电部分5a和6a的宽度小于谐振电极3和4的直径。但是，可以通过各种方法修改根据本发明的能陷型压电谐振器的谐振电极和连接导电部分的形状。下面将参照图11A、11B、12A和12B描述几种修改。
在根据图11A所示的一个修改的能陷型压电谐振器21中，连接到第一谐振电极23的连接导电部分24的宽度等于谐振电极23的直径。按照与第一较佳实施例的谐振电极4相同的方法配置另一个谐振电极4。相应地，可以考虑谐振电极23具有由虚线B表示的外部形状。在这种情况下，当将比(a)/(b)设置在上述特定的范围内时，如在第一较佳实施例中一样可以有效地抑制厚度延伸振动的基波和来自厚度延伸振动的三次谐波的通带内的波动。
对压电谐振器21的同样的考虑可以应用到将连接导电部分26连接到下表面上的谐振电极25的情况，它的宽度也等于谐振电极25的直径。即，可以考虑谐振电极25具有由虚线C表示的外部形状。在这种情况下，当将直径(a)和(b)设置得相互不同时，可以有效地抑制来自厚度延伸振动的基波。另外，当比(a)/(b)设置在上述特定的范围内时，可以如在第一较佳实施例中一样有效地抑制通带内的脉动。
在图12A所示的能陷型压电谐振器27中，每一个谐振电极3和4具有椭圆形状。在这种情况下，分别将沿压电基片2的一侧测量的谐振电极3和4的尺寸作为直径(a)和(b)。在这种情况下，比(a)/(b)必需大于1，并且在谐振电极3和4的尺寸(a)和(b)沿压电基片2的较长侧测量，以及谐振电极3和4的尺寸沿压电基片2的较短侧测量的两种情况下都较好地落在上述范围内。
另外，在图12B所示的能陷型压电谐振器28中，每一个谐振电极3和4都是矩形的。在这种情况下，沿矩形的压电基片2的较长或较短侧测量的谐振电极3和4的尺寸分别作为直径(a)和(b)，以此为基础设置比(a)/(b)。
在图2所示的压电谐振元件中，将罩子基片7和8放置在压电谐振器1的上表面和下表面上。但是，本发明的压电谐振部件可以根据罩子的结构以各种方法修改。
在根据由图13的分解透视图所示的修改的较佳实施例的压电谐振部件中，罩子由罩体31和平板形罩子元件32构成。罩体31的上侧具有开口31a。罩子元件32如此固定到罩体31，从而它覆盖了开口31a。压电谐振器1通过开口31a被放置在罩体31的内部，并通过导电粘剂层33和34固定在那里。粘剂层33和34还提供将压电谐振器1的谐振电极3和4电气连接到设置在罩体31上的终端电极35和36的功能。
通过将罩子元件32通过使用导电粘剂结合到罩体31将压电谐振器1密封在罩子中。
在由图14的分解透视图示出的修改的较佳实施例的压电谐振元件中，使用用作底部基片37的平板形罩子元件。底部基片37由绝缘陶瓷或介质陶瓷形成，并且设置带状的电极38a到38c，从底部基片37的上表面通过其相对的侧表面延伸到下表面。通过使用导电粘剂层39将三端电容器40结合到电极38a到38c。
三端电容器40具有介质基片40a。将电容器电极40b设置在介质基片40a下表面上的中心部分。在介质基片40a的上表面上设置有一对电容器电极40c和40d，通过介质基片40a与电容器电极40b相对。电容器电极40c和40d通过相对的端面延伸到介质基片40a的下表面。因此，电容器电极40a到40c通过粘剂层39分别连接到电极38a到38c。
通过导电粘剂层41，将压电谐振器1结合并电气连接到三端电容器40的电容器电极40c和40d。
结果，通过使用绝缘粘剂，将金属盖子42结合到底部基片37，作为罩子元件，从而金属罩子42围绕三端电容器40和压电谐振器1。
图15所示的压电谐振元件是图2A和2B所示的压电谐振部件的修改。在本较佳实施例中，使用由介质陶瓷形成的平板状罩子基片48替代罩子基片8。将带状电极48a到48c设置在罩子基片48上，从而电极48a到48c通过罩子基片48的相对的侧表面，从罩子基片48的上表面延伸到下表面。电容器形成在电极48a和48b之间，而另一个电容器形成在电极48b和48c之间。
使用导电粘剂层49，以将电极48a和48c电气连接到压电谐振器1。由此，将矩形框形状，并用于将压电基片1结合到罩子基片48的粘剂层设置在位于导电粘剂层49之间。
在图15所示的压电谐振部件中，由于通过使用罩子基片48构成电容器，故可以构成如图14所示的压电谐振器的情况的内装电容器的压电谐振器。
虽然已经参照较佳实施例，具体示出和描述了本发明，熟悉本领域的如将知道在不背离本发明的主旨的条件下，上述和其它形式和细节上的变化都是可以的。
Claims (20)
1.一种能陷型压电谐振器，其特征在于包含：
具有第一和第二主表面的压电基片；
设置在压电基片的第一主表面的一部分上的第一谐振电极；及
设置在压电基片的第二主表面的一部分上的第二谐振电极，将第二谐振电极安排得通过设置在它们之间的压电基片与第一谐振电极相对，并且第二谐振电极的外部尺寸小于第一谐振电极。
2.如权利要求1所述的能陷型压电谐振器，其特征在于构成的谐振器使用厚度延伸振动的三次谐波。
3.如权利要求1所述的能陷型压电谐振器，其特征在于压电基片的第一和第二主表面中的每一个主表面具有大致上矩形的形状，并如此安排第一和第二谐振电极，从而满足关系1.00＜(a)/(b)＜1.25，其中(a)是第一电极沿大致上为矩形的某一侧的尺寸，而(b)是第二电极沿大致上为矩形的某一侧的尺寸。
4.如权利要求1所述的能陷型压电谐振器，其特征在于第一和第二谐振电极大致上为圆形，并且满足1.00＜(a)/(b)＜1.25的关系，其中(a)是第一电极的直径，(b)是第二电极的直径。
5.如权利要求1所述的能陷型压电谐振器，其特征在于第一和第二谐振电极位于压电基片的接近中心部分。
6.如权利要求1所述的能陷型压电谐振器，其特征在于压电基片沿其厚度方向极化。
7.如权利要求1所述的能陷型压电谐振器，其特征在于谐振器适合于以厚度延伸振动模式振动。
8.一种能陷型压电谐振器部件，其特征在于包含：
压电谐振器，包括
具有第一和第二主表面的压电基片；
设置在压电基片的第一主表面的一部分上的第一谐振电极；及
设置在压电基片的第二主表面的一部分上的第二谐振电极，将第二谐振电极安排得通过设置在它们之间的压电基片与第一谐振电极相对，并且第二谐振电极的外部尺寸小于第一谐振电极；
第一和第二罩子基片，它们分别位于压电谐振器的第一和第二主表面上，使第一和第二夹持罩子基片将压电谐振器夹在中间，从而限定层叠体；
第一和第二终端电极，它们分别设置在层叠体相对的端面上，并电气连接到第一和第二谐振电极上；其中
在层叠体中设置一空间，以允许压电谐振器的第一和第二谐振电极相对的振动部分自由振动。
9.如权利要求8所述的能陷型压电谐振器，其特征在于构成的谐振器使用厚度延伸振动的三次谐波。
10.如权利要求8所述的能陷型压电谐振器，其特征在于压电基片的第一和第二主表面中的每一个主表面大致上都是矩形的板状，并且将第一和第二谐振电极如此安排，从而满足关系1.00＜(a)/(b)＜1.25，其中(a)是第一电极沿大致上矩形的某一侧的尺寸，而(b)是第二电极沿大致上矩形的某一侧的尺寸。
11.如权利要求8所述的能陷型压电谐振器，其特征在于第一和第二谐振电极大致上为圆形，并满足关系1.00＜(a)/(b)＜1.25，其中(a)是第一电极的直径，而(b)是第二电极的直径。
12.如权利要求8所述的能陷型压电谐振器，其特征在于第一和第二谐振电极位于压电基片的接近中心部分。
13.如权利要求8所述的能陷型压电谐振器，其特征在于压电基片沿其厚度方向极化。
14.如权利要求8所述的能陷型压电谐振器，其特征在于谐振器适合于以厚度延伸振动模式振动。
15.一种能陷型压电谐振部件，其特征在于包含：
压电谐振器，包括
沿其厚度方向极化、并具有第一和第二主表面的压电基片；
设置在压电基片的第一主表面的一部分上的第一谐振电极；及
设置在压电基片的第二主表面的一部分上的第二谐振电极；将第二谐振电极安排得通过设置在它们之间的压电基片与第一谐振电极相对，并且第二谐振电极的外部尺寸小于第一谐振电极；及
容纳压电谐振器的罩子，所述罩子包括在一个表面上具有开口、并支持其内的压电谐振器的罩体，板状的罩子部件被固定到罩体上，并安排得将罩体的开口封住。
16.如权利要求15所述的能陷型压电谐振器，其特征在于构成的谐振器使用厚度延伸振动的三次谐波。
17.如权利要求15所述的能陷型压电谐振器，其特征在于压电基片的第一和第二主表面中的每一个主表面大致上都是矩形，并且如此安排第一和第二谐振电极，从而满足关系1.00＜(a)/(b)＜1.25，其中(a)是第一电极沿大致上矩形的某一侧的尺寸，(b)是第二电极沿大致上矩形的某一侧的尺寸。
18.如权利要求15所述的能陷型压电谐振器，其特征在于第一和第二谐振电极大致上为圆形，并满足关系1.00＜(a)/(b)＜1.25，其中(a)是第一电极的直径，(b)是第二电极的直径。
19.如权利要求15所述的能陷型压电谐振器，其特征在于第一和第二谐振电极位于压电基片的接近中心部分。
20.如权利要求15所述的能陷型压电谐振器，其特征在于谐振器适合于以厚度延伸振动模式振动。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP304461/1998 | 1998-10-26 | ||
| JP10304461A JP2000134060A (ja) | 1998-10-26 | 1998-10-26 | エネルギー閉じ込め型圧電共振子及びエネルギー閉じ込め型圧電共振部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1252646A CN1252646A (zh) | 2000-05-10 |
| CN1160852C true CN1160852C (zh) | 2004-08-04 |
Family
ID=17933307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB991231457A Expired - Lifetime CN1160852C (zh) | 1998-10-26 | 1999-10-22 | 能陷型压电谐振器和能陷型压电谐振器元件 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6232699B1 (zh) |
| JP (1) | JP2000134060A (zh) |
| CN (1) | CN1160852C (zh) |
| DE (1) | DE19951523B4 (zh) |
| MY (1) | MY117067A (zh) |
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| CN103201898B (zh) * | 2011-05-11 | 2015-07-01 | 松下电器产业株式会社 | 电磁共振耦合器 |
| JP6303372B2 (ja) | 2013-10-01 | 2018-04-04 | セイコーエプソン株式会社 | 振動素子、振動子、電子デバイス、電子機器、及び移動体 |
| JP6840535B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2021-03-10 | 京セラ株式会社 | 圧電振動素子及び圧電振動デバイス |
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1998
- 1998-10-26 JP JP10304461A patent/JP2000134060A/ja active Pending
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1999
- 1999-10-05 US US09/412,966 patent/US6232699B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-09 MY MYPI99004374A patent/MY117067A/en unknown
- 1999-10-22 CN CNB991231457A patent/CN1160852C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-26 DE DE19951523A patent/DE19951523B4/de not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19951523A1 (de) | 2000-05-04 |
| JP2000134060A (ja) | 2000-05-12 |
| CN1252646A (zh) | 2000-05-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20040804 |