CN1124682C - 厚度延伸压电谐振器及其压电谐振元件 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种利用厚度延伸振动模式的谐波的厚度延伸压电谐振器，它具有小型的尺寸，谐振特性的小的变化，并且不受电路板寄生电容的影响。厚度延伸压电谐振器包含大致上为矩形板的压电体，设置在压电体各个表面上的第一激励电极和第二激励电极，以及压电体的内部的内部电极。第一激励电极、第二激励电极和内部电极的重叠部分确定了谐振部分。在压电体的长度方向，在谐振部分的每一侧确定振动衰减部分，其中沿宽度方向，没有在其每一侧上设置振动衰减部分。另外，满足关系|Dr-Di|＝Di/10。

Description

厚度延伸压电谐振器及其压电谐振元件

本发明涉及一种用作各种类型谐振器、振荡器的压电谐振器，以及用于这种谐振器的压电谐振元件。本发明尤其涉及利用厚度延伸振动模式的谐波的厚度延伸压电谐振器以及用于这种谐振器的压电谐振元件。

已经在诸如压电振荡器和压电滤波器之类的压电谐振元件中使用了压电谐振器。已知这样的传统的压电谐振器根据所使用的频率使用不同的压电谐振模式。

在第1-117409号日本未审查专利公告中，揭示了一种能陷型压电谐振器，它利用厚度延伸振动模式的二次谐波。下面将参照图9和10，描述这个压电谐振器。

图9是压电谐振器的分解透视图。在图9中，压电谐振器是通过整体烧制两个层叠的压电陶瓷生片51和52而得到的。将圆形激励电极53设置在陶瓷生片51的中心，并通过引导电极54引出到陶瓷生片51的边缘。另外，圆形激励电极55被设置在陶瓷生片52的上表面的中心，并通过引导电极56引出到陶瓷生片52的边缘。将激励电极57设置在陶瓷生片52的下表面上，并通过引导电极58引出到陶瓷生片52的边缘。这由陶瓷生片52下面的配置的倒影表示。

将压力沿层叠结构的厚度方向施加给层叠的陶瓷生片51和52，以便得到烧结体。结果，在烧制体上执行极化处理，以便产生如图10所示的压电谐振器60。

在压电谐振器60中，在压电层61和62上沿图10所示的箭头所指方向执行极化处理。即，在烧结体上沿结构的厚度方向均匀地执行极化处理。

在驱动的情况下，将激励电极53和57连接到一起，并将AC电压施加在激励电极53、57和55之间，以振动压电谐振器60。激励能量陷入激励电极53、55和57重叠的区域，即谐振部分A。

如上所述，使用厚度延伸振动模式谐波的压电谐振器60确定能陷型压电谐振器。即，必须设置振动衰减部分，以衰减谐振部分A周围区域的振动。换句话说，需要提供振动衰减部分，它大于谐振部分的面积。结果，很难减小传统的压电谐振器60的尺寸。

第2-235422号日本未审查专利公告中揭示了另一个使用带状压电陶瓷体的能陷型压电谐振器。在压电谐振器中，不必在谐振部分周围提供附加的压电基片部分。如图11所示，将激励电极72a设置在窄压电基片71的上表面上，并将激励电极72b设置在其下表面上。如此形成激励电极72a和72b，从而它们的宽度等于压电基片的宽度。激励电极72a和72b在沿压电基片71的长度方向的中心部分相对，以确定谐振部分。另外，激励电极72a和72b安排得延伸到沿压电基片71的长度方向的相对边缘71a和71b。

在图11所示的压电谐振器70中，在厚度延伸振动模式的激励情况下，由于压电基片71的宽度W和厚度T之间的尺寸关系而产生不必要的振动。

关于这个问题，在第2-235422号日本未审查专利公告中，指出，为了减小在使用基波时在谐振频率和反谐振频率之间的不必要的寄生振动，在16MHz谐振频率，W/T的值必须大致上等于5.33。在使用三次谐波的情况下，在16MHz的谐振频率时，W/T的值必须大致上等于2.87。

在第2-235422号日本未审查专利公告所揭示的能陷型压电谐振器中，由于在谐振部分周围不必设置振动衰减部分，故可以减小压电谐振器的尺寸。但是，当真的使用厚度延伸振动模式的谐波时，除了谐振频带和反谐振频带之间产生的寄生振动，会发生各种不理想的寄生振动，其结果是无法得到有效的谐振特性。另外，这个压电谐振器的电容量相对较小，由此谐振器易受电路板寄生电容的影响。

为了克服上述问题，本发明的较佳实施例提供了适合于以厚度延伸振动模式的谐波振动的厚度延伸压电谐振器，以及用于这种谐振器的压电谐振元件，它能够显著减小尺寸，具有大的电容量，以便不易受到电路板的寄生电容的影响，并且谐振特性中具有小的变化。

本发明的一个较佳实施例提供了一种厚度延伸压电谐振器，包含谐振部分，设置在谐振部分的每一侧上的振动衰减部分，该部分适合于以厚度延伸振动模式的N次谐波振动，大致上为矩形板的压电体；如此设置在大致上矩形板压电体的各个表面的第一激励电极和第二激励电极，从而电极相对，其间有压电体；设置在压电体的内部的至少一个内部电极，该内部电极如此安排，从而至少一个内部电极至少部分地与第一激励电极和第二激励电极相对，其间有压电体，谐振部分由第一激励电极、第二激励电极和至少一个内部电极沿压电体的厚度方向重叠的区域确定；当连接谐振部分两侧的振动衰减部分的方向是第一方向时，如此安排第一激励电极和第二激励电极，从而电极沿大致上垂直于第一方向的方向延伸到压电体的边缘或其附近；并且满足关系|Dr-Di|＝Di/10，其中Dr表示激励电极和内部电极之间的压电层厚度或多个内部电极之间的压电层厚度，Di的值大致上等于T/N，其中T是压电体的厚度，而N是厚度延伸振动模式的谐波次级。

本发明的另一个较佳实施例提供了一种压电谐振元件，它包含基片和确定了罩子的罩子部件，以及上述厚度延伸压电谐振器，该谐振器如此安装在基片上，从而提供了一个空间，允许谐振器自由而无阻尼的振动。将罩子部件固定到基片上，以封闭安装在基片上的厚度延伸压电谐振器。最好将电容器基片(图中未示)用作基片。换句话说，厚度延伸压电谐振器被固定到其上设置有介质基片和多个电极的电容器基片。按照这样的安排，将厚度延伸压电谐振器电气连接到设置在电容器基片上的电容器。

从下面参照附图对本发明的较佳实施例的详细描述，本发明的上述和其它特点、方面和优点将更为明显。

图1是根据本发明的第一较佳实施例的厚度延伸压电谐振器的透视图；

图1B是图1A的厚度延伸压电谐振器的竖直截面图；

图2是示出|Dr-Di|Di×100(％)的值与谐振频率中的变化3CV之间的关系的曲线图；

图3是根据第二较佳实施例的厚度延伸压电谐振器的透视图；

图4是竖直截面图，示出根据本发明的较佳实施例的厚度延伸压电谐振器的修改；

图5A和5B是竖直截面图，示出根据本发明的较佳实施例的厚度延伸压电谐振器的修改的竖直截面图；

图6是根据本发明的较佳实施例的厚度延伸压电谐振器的另一个修改的竖直截面图；

图7是示出根据本发明的压电谐振元件的另一个较佳实施例的分解透视图；

图8是示出图7中的压电谐振元件的电路结构的电路图；

图9是描述传统的厚度延伸压电谐振器的一个例子的分解透视图；

图10是图9所示的传统厚度延伸压电谐振器的截面图；及

图11是传统的厚度延伸压电谐振器的另一个例子的透视图。

下面将参照本发明一些较佳的，而非限制性的实施例提供对本发明的详细的描述。

图1A和1B示出根据本发明的第一较佳实施例的透视图和竖直截面图。

最好使用由诸如钛酸铅之类的压电陶瓷制成的窄带压电体2构成第一较佳实施例的厚度延伸压电谐振器。在压电体2上沿其厚度方向均匀地进行极化处理。

将第一激励电极3设置在压电体2的上表面上，将第二激励电极4设置在其下表面上。激励电极3和4在压电体的上表面和下表面上从压电体2的一个端面2a延伸到其另一个端面2b。通过设置在压电体2的端面2a上的连接电极5将激励电极3和4连接在一起。

最好将内部电极6设置在压电体2的高度的大致中心的位置。将内部电极6引出到压电体2的端面2b，并电气连接到设置在端面2上的终端电极7。

当驱动时，将AC电压施加在第一激励电极3和内部电极6之间以及第二激励电极4和内部电极6之间，由此强激励厚度延伸振动模式的二次谐波，以便使利用厚度延伸振动模式的二次谐波振动。

在这个较佳实施例中，第一激励电极3、第二激励电极4和内部电极6与在它们沿长度方向之间的压电层重叠。结果，在第一激励电极3、第二激励电极4和内部电极6重叠的区域确定能陷型谐振部分。谐振部分与端面2a和2b之间的压电体的部分使在谐振部分被激励时产生的能量衰减。

如果考虑到谐振部分大致确定在中心部分，则将振动衰减部分只设置在压电体2沿其长度方向的每一侧，并如此安排第一激励电极和第二激励电极，从而它们延伸到压电基片沿垂直于长度方向的宽度方向的边缘(即沿纵向延伸的边缘)。

在这种情况下，最好如此安排第一激励电极3、第二激励电极4和内部电极6，从而它们只在谐振部分具有与压电体2的整个宽度相同的宽度。但是，不必要以这样的配置在谐振部分的外面形成电极。例如，最好如此安排激励电极3，从而激励电极只在谐振部分的宽度与压电体2的整个宽度相等。相反，激励电极3的谐振部分与端面2a之间的部分可以具有较窄的宽度，这是由于这部分仅仅是激励电极电气连接到连接电极5的部分。

在本发明的第一较佳实施例的厚度延伸压电谐振器1中，将振动衰减部分设置在振动部分沿压电体2的长度方向的每一侧，而在其宽度方向并不设置振动衰减。相应地，在厚度延伸压电谐振器1中，压电体的宽度可以减小，以便产生小型的压电谐振器。

另外，由于第一较佳实施例中所使用的压电谐振器具有如此的结构，其中激励电极3、4以及内部电极6通过压电层重叠，故谐振器具有比传统的没有内部电极的厚度延伸压电谐振器70大得多的电容量，结果压电谐振器1更为不会受到电路板的寄生电容的影响。同时，形成第一和第二激励电极3和4，从而它们达到压电体2沿其宽度方向的边缘，由此增加电容量，并进一步减小寄生电容的影响。

根据第一较佳实施例的厚度延伸压电谐振器1，当分别用符号Dr1和Dr2表示压电层2A和2B的整个厚度时，压电体2的整体厚度用符号T表示，符号Di设置得大致上等于T/N，并满足等式|Dr1-Di|＝Di/10和|Dr2-Di|＝Di/10。这样的安排允许压电谐振器的谐振特性的变化大大减小。图2描述了上述情况。

在厚度延伸压电谐振器1中，为了得到满意的谐振特性，最好内部电极6的上表面和下表面上的压电层2A和2B具有大致上相等的厚度。但是，当生产厚度延伸压电谐振器1时，在压电层2A和2B之间的厚度可能发生变化。这是由于用于形成压电体2的压电生片的厚度的变化、在烧结压电体2的处理中产生的变化等等引起的。

但是，根据本发明的较佳实施例，即使内部电极6的厚度方向的位置与理想的位置发生偏离，在谐振频率和反谐振频率中几乎没有偏离。本发明的许多优点中的一个优点是建立在当满足等式|Dr-Di|＝Di/10时，较佳实施例的压电谐振器的谐振特性中的变化大大减小的经验的发现的基础上的。

在较佳实施例的例子中，压电体2(它大约2.0mm长，大约0.4mm宽，大约0.3mm高)用于产生各种厚度延伸压电谐振器，并测量在所产生的厚度延伸压电谐振器中得到的|Dr-Di|/Di的值。换句话说，进行测量，以确定内部电极6的位置从其正确的位置沿厚度方向偏离了多少。然后测量这些厚度延伸压电谐振器中的谐振频率，其结果在图2中显示。图2的竖轴表示在各种条件下产生的100压电谐振器的谐振频率的变化3CV，其横轴表示|Dr-Di|/Di×100(％)的值。如从图2显然的，当|Dr-Di|/Di×100(％)的值在10％内时，谐振频率的变化率非常小，该值小于或等于大约0.1％。

在根据第一较佳实施例的厚度延伸压电谐振器1中在压电体2上沿厚度方向均匀地进行极化处理。在这种情况下，压电谐振器是并联型的，其中将施加到每一个压电层的电场反向。但是，在本发明中，也可以使用串联型压电谐振器，其中在多个压电层上进行极化处理，其方向沿与厚度方向交替相反。

图3示出具有这样的串联连接的厚度延伸压电谐振器的第二较佳实施例。图3所示的厚度延伸压电谐振器11包含带状压电体12，它具有大致上矩形板的结构。将第一激励电极13设置在压电体1的表面上，而将第二激励电极14设置在其下表面上。第一激励电极13和第二激励电极14相对，并且其间设置有压电体12。另外，将第一激励电极13和第二激励电极14设置得在沿压电体12的长度方向的大致的中心区域中相对。将激励电极13和14相对的区域用作能陷型谐振部分。

在第二较佳实施例中，第一激励电极13和第二激励电极14最好分别延伸到压电体12的端面12a和端面12b。但是，只有电极的谐振部分必须如此形成，从而它们和压电体12的整个宽度一样宽。还有，如图3所示，压电体12的高度的大致的中心位置处安排内部电极16，以在压电体12上进行极化处理。当进行极化处理时，将相对高的电压提供给内部电极16，而将相对低的电压施加给激励电极13和14，结果，压电层12c和12d沿厚度方向反向地极化，如图3的箭头所示。另外，如此安排压电层12c和12d，从而满足等式|Dr-Di|＝Di/10。

当驱动时，将AC电压施加在第一激励电极13和第二激励电极14之间，而不使用内部电极16。这允许激励厚度延伸振动模式的二次谐波TE2。另外，在沿压电体2的宽度方向，振动部分的两侧上没有施加振动衰减部分。更适合地，只将振动衰减部分设置在振动部分沿压电体12纵向的两侧。由此，如同第一较佳实施例的压电谐振器中那样，设置了小型厚度延伸压电谐振器。另外，如同第一较佳实施例中那样，由于第二较佳实施例具有内部电极16，并且用于第二较佳实施例中的激励电极13和14也安排得延伸到压电体12的宽度方向的两侧，故大大增加了电容量，这导致更为不易受电路板的寄生电容的影响。

类似于第一较佳实施例，由于在第二较佳实施例的厚度延伸压电谐振器11中满足等式|Dr-Di|＝Di/10，故有效地减小了压电谐振器中谐振特性的变化。

第一和第二较佳实施例都使用厚度延伸振动模式的二次谐波。但是，还可采用一种利用除了厚度延伸振动模式的二次谐波以外的谐波的压电谐振器。图4到6示出用于描述利用其它谐波的压电谐振器的截面图。

图4示出利用厚度延伸振动模式的三次谐波的并联型厚度延伸压电谐振器。在压电体2的内部，设置两个内部电极22和23，并在压电体2上沿其厚度方向均匀地进行极化处理，如箭头所示。

图5A示出并联型厚度延伸压电谐振器24的截面图，它利用厚度延伸振动模式的四次谐波。在厚度延伸压电谐振器24中，沿厚度方向在压电体2上均匀执行极化。在压电体2的内部，沿厚度方向以相等的距离安排三个内部电极25和27，由此有效地激励了厚度延伸振动模式的四次谐波。

图5B是截面图，描述了利用厚度延伸振动模式的三次谐波的串联型厚度延伸压电谐振器28的截面图。在压电体12的内部设置了两个内部电极29和30，由此将压电体12的内部分为三个压电层12e到12g。通过使用内部电极29和30执行极化处理允许相邻的压电层沿相对于厚度方向反向地极化。结果，将AC电压施加到第一激励电极13和第二激励电极14之间，从而厚度延伸振动模式的三次谐波得到激励。

图6是使用厚度延伸振动模式的四次谐波的串联型厚度延伸压电谐振器31的截面图。在厚度延伸压电谐振器31中，将三个内部电极32到34设置在压电体12的内部。使用内部电极32到34的极化处理允许相邻的压电层沿着厚度方向如此极化，从而相邻的极化层相邻的压电层反向极化，如图6所示。在这种情况下，从第一激励电极13和第二激励电极14施加AC电压，以允许压电谐振器31用作利用厚度延伸振动模式的第四谐波的压电谐振器。

在图4到6的每一个厚度延伸压电谐振器中，如上所述，只沿着一个方向设置振动衰减部分，并且如此安排第一和第二激励电极，从而电极延伸到压电体的边缘或者封闭在那里。这样的安排允许厚度延伸压电谐振器尺寸小型化。另外，由于每一个修改都包含至少一个内部电极，达到电容量的大大增加，从而不易受到电路板的寄生电容的影响。

在图4到6的每一个厚度延伸压电谐振器中，如果象在第一较佳实施例的厚度延伸压电谐振器的情况下一样，满足等式|Dr-Di|＝Di/10，则有效地减小了每一种修改的谐振特性的变化。

图7是分解透视图，用于描述根据本发明的第三较佳实施例的压电谐振元件。

在第三较佳实施例的压电谐振元件中，将图7所示的压电谐振器1设置在电容器基片41上。电容器基片41具有介质基片41，它由诸如介质陶瓷之类的介质材料制成。将电极41b到41d设置在介质基片41a上，并如此安排，从而电极41b和41d达到介质基片41a的上表面。在电极41b和41d达到介质基片41a的上表面的区域，用导电胶42和43连接压电谐振器1。换句话说，使用导电胶42和43将压电谐振器1的终端电极5和7连接到电极41b和41d，并电气连接到那里。结果，将压电谐振器1安装到介质基片41a上，以便确定一个空的空间，允许压电谐振器1无阻尼振动。

如此安装导电胶42和43，从而黏合剂包括沿终端电极5和7的端面2a和2b的下边缘的整个长度的部分。换句话说，机械地将端面2a和2b的下边缘连接到电容器基片41，由此沿长度方向的两端支撑压电谐振器1。

在电容器基片41上，将电容器分别设置在电极41b和41c，与电极41d和41c之间。结果，在电极41b到41d之间设置了振荡器电路，并且包括一个谐振器和两个电容器，如图8所示。确定了第二罩子部件的盖子44用绝缘粘剂(图中未示)结合，由此将由第一和第二罩子部件确定的罩子密封。

关于这个较佳实施例的压电谐振元件，通过使用电极41b到41d表面安装到印刷电路板是可行的。另外，可以使用与图7所示的电容器基片41和盖子44具有不同结构的罩子部件。例如，对于基片，可以使用向上开口的容器。压电谐振器1设置在容器中，其开口由板状部件封闭，该板状部件用作罩子部件，以构成压电谐振元件。

如上所述，本发明可以提供一种厚度延伸压电谐振器，它包含大致上为矩形板的压电体，设置在压电体的外部表面上的第一激励电极和第二激励电极，设置在压电体内部的至少一个内部电极，该至少一个内部电极有至少一部分与第一和第二激励电极相对。由此，当与没有内部电极的传统厚度延伸压电谐振器相比时，电容量大大增加了。这种安排大大减小和大致上消除了由电路板的寄生电容引起的负面影响，结果是可以产生具有极好谐振特性的压电谐振器。

同时，最好只沿一个方向设置振动衰减部分。在与上述方向垂直的方向上在振动部分的任何一侧都不设置振动衰减部分。结果，由于压电谐振器的尺寸可以沿没有设置振动衰减部分的方向减小，故生产小型的压电谐振器。

另外，如上所述，由于在这个压电谐振器中满足|Dr-Di|＝Di/10，故有效地减小了谐振特性中的变化。由此，当大量生产本发明的较佳实施例的厚度延伸压电谐振器时，即使内部电极的位置改变，只要将|Dr-Di|的值设置在上述特定的范围内，则可以生产具有极好谐振特性的压电谐振器。

使用窄带压电体允许减小宽度方向的尺寸。由此，可以将厚度延伸压电谐振器制得更小。

另外，在根据本发明的较佳实施例的压电谐振元件中，本发明的厚度延伸压电谐振器最好被安装在由基片部件和罩子部件确定的罩子中。本发明的较佳实施例的压电谐振元件由此可以表面安装在印刷电路板等上。但是，也可以使用具有将终端引导到基片或罩子部件中的一个的引线。

最后，在本发明的较佳实施例的压电谐振元件中，当将电容器基片用作基片部件，并且将厚度延伸压电谐振器电气连接到设置在电容器基片上的电容器时，可以形成由单个整体装置确定的包含电容型压电振荡器。

以上可见，虽然已经详细描述和说明了本发明，但是它们仅仅是特别的说明和例子，而本发明不限于这些，本发明的主旨和范围只由所附的权利要求限制。

Claims (16)

1.一种压电谐振器，其特征在于包含：

压电体；

第一激励电极，设置在所述压电体的第一外部表面上，所述第一激励电极的宽度等于所述压电体的宽度；

第二激励电极，设置在所述压电体的第二外部表面上，所述第二激励电极的宽度等于所述压电体的宽度，其中所述第二激励电极与所述第一激励电极相对，其间有所述压电体；

至少一个内部电极，设置在压电体的内部，从而所述至少一个内部电极至少部分地与第一激励电极和第二激励电极相对；

谐振部分，由第一激励电极、第二激励电极和内部电极之间的重叠区域确定；及

多个振动衰减部分，设置在谐振部分的相对侧上，并以厚度延伸振动模式的N次谐波振动；

其中，满足等式|Dr-Di|＝Di/10，其中Dr表示第一激励电极和内部电极之间的距离，值Di等于T/N，其中T是压电体的厚度，N是厚度延伸振动模式的谐波振动次级。

2.如权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于所述压电体还包含多个压电层，其中所述第一激励电极、所述第二激励电极和所述至少一个内部电极由所述多个压电层分开。

3.如权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于所述多个振动衰减部分的宽度等于所述压电体的宽度。

4.如权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于所述多个振动衰减部分仅由两个振动部分构成。

5.如权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于第一激励电极和内部电极之间的距离等于第二激励电极和内部电极之间的距离。

6.如权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于所述压电体包含矩形带状的压电部件。

7.如权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于所述第一激励电极与所述第二激励电极电气连接。

8.如权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于压电谐振器安排得利用厚度延伸振动模式的二次谐波。

9.如权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于将压电谐振器安排得利用厚度延伸振动模式的三次谐波。

10.如权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于将压电谐振器安排得利用厚度延伸振动模式的四次谐波。

11.如权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于所述多个内部电极中的至少一个电气连接到所述第一激励电极，其中所述多个内部电极中的其它电极电气连接到所述第二激励电极。

12.如权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于所述多个内部电极中没有电气连接到所述第一激励电极、所述第二激励电极或所述多个内部电极中的另一个。

13.如权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于所述多个内部电极通过所述多个压电层相互分开。

14.一种压电谐振元件，其特征在于包含：

一个基片；压电谐振器装在所述基片上，而所述谐振器包括：

压电体；

第一激励电极，设置在所述压电体的第一外部表面上，所述第一激励电极的宽度等于所述压电体的宽度；

第二激励电极，设置在所述压电体的第二外部表面上，所述第二激励电极的宽度等于所述压电体的宽度，其中所述第二激励电极与第一激励电极相对，其间有所述压电体；

至少一个内部电极，设置在压电体的内部，从而内部电极至少一部分与第一激励电极和第二激励电极相对；

谐振部分，由第一激励电极、第二激励电极和至少一个内部电极之间相重叠的区域确定；及

多个振动衰减部分，设置在谐振部分的相对侧上，并以厚度延伸振动模式的N次谐波振动；

其中所述基片安排得允许所述谐振器不受阻尼地振动，并且满足公式|Dr-Di|＝Di/10，其中Dr表示第一激励电极和内部电极之间的距离，值Di等于T/N，其中T是压电体的厚度，N是厚度延伸振动模式的谐波振动的次级。

15.如权利要求14所述的压电谐振元件，其特征在于还包含罩子部件，所述罩子部件安装在所述基片上，以完整地封闭所述谐振器。

16.如权利要求14所述的压电谐振元件，其特征在于所述基片还包含多个介质电容器和多个连接到所述电容器的电极。

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