CN115985834A - 基板处理设备及基板处理方法 - Google Patents

基板处理设备及基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115985834A
CN115985834A CN202211262127.1A CN202211262127A CN115985834A CN 115985834 A CN115985834 A CN 115985834A CN 202211262127 A CN202211262127 A CN 202211262127A CN 115985834 A CN115985834 A CN 115985834A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
chuck
liquid
ring
cam ring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211262127.1A
Other languages
English (en)
Inventor
孙源湜
吴世勋
郑仁基
许弼覠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN115985834A publication Critical patent/CN115985834A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/041—Cleaning travelling work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R39/00—Rotary current collectors, distributors or interrupters
    • H01R39/02—Details for dynamo electric machines
    • H01R39/18—Contacts for co-operation with commutator or slip-ring, e.g. contact brush
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R39/00—Rotary current collectors, distributors or interrupters
    • H01R39/02—Details for dynamo electric machines
    • H01R39/08—Slip-rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R39/00—Rotary current collectors, distributors or interrupters
    • H01R39/02—Details for dynamo electric machines
    • H01R39/42—Devices for lifting brushes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

提供一种用于处理基板的设备及一种基板处理方法，所述设备包括：具有处理空间的处理容器；用于在处理空间中支承基板并旋转基板的支承单元；用于供应处理液至由支承单元支承的基板的液体供应单元；及用于加热基板的加热单元，其中支承单元包括：自旋卡盘；用于旋转自旋卡盘的旋转驱动器；安装于自旋卡盘上从而与自旋卡盘一起旋转的卡盘销；及卡盘销移动单元，用于在卡盘销与基板的侧面部分接触的接触位置与卡盘销自基板的侧面部分隔离开的打开位置之间移动卡盘销，且卡盘销移动单元在基板由自旋卡盘旋转的同时移动卡盘销。

Description

基板处理设备及基板处理方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年10月14日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2021-0136380的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明是关于一种基板处理设备及一种基板处理方法。
背景技术
为了制造半导体装置或液晶显示器，在基板上执行各种工艺，诸如照相、灰化、离子植入、薄膜沉积、及清洗。其中，蚀刻工艺或清洗工艺是移除形成于基板上的薄膜的不必要区域，或蚀刻或清洗异物、颗粒、及类似物，并要求薄膜具有高选择性、高蚀刻率、及蚀刻均匀性的工艺，且由于半导体设备是高度整合的，故需要更高水平的蚀刻选择性及蚀刻均匀性。
一般而言，在基板是蚀刻工艺或清洗工艺中，顺序执行处理液处理操作、冲洗处理操作、及干燥处理操作。在一个实例中，在处理液处理操作中，将用于蚀刻形成于基板上的薄膜或移除基板上的异物的处理液供应至基板以形成熔池，接着加热处理液熔池以促进通过处理液的蚀刻，并在冲洗处理操作中，将诸如纯水的冲洗液供应至基板上。
通过将基板置放于支承单元上并在旋转支承单元的同时将处理液供应至基板上来执行上述处理液处理操作。支承单元设置有卡盘销，用于支承基板的侧面部分，以防止基板在旋转期间在支承单元的侧向方向上移动。卡盘销在基板加载或卸除至支承单元上时为待放置基板提供空间的备用位置与放置于支承单元上的基板旋转的同时随着执行工艺与基板的侧面部分接触的支承位置之间移动。相应地，放置于备用位置中的卡盘销之间提供的空间比放置于支承位置中的卡盘销之间提供的空间更宽。
一般而言，当在基板上形成熔池时，会出现一个问题，即，由于基板与卡盘销之间的接触，处理液会沿卡盘销流下。此外，存在一个问题，即，由于处理液沿卡盘销流下的现象，很难保持一定的液膜量。
发明内容
本发明旨在提供一种能够有效处理基板的基板处理设备及基板处理方法。
本发明亦旨在提供一种卡盘销在通过旋转基板的工艺期间在其中自由移动的支承单元、以及基板处理设备及其使用方法。
本发明的目的并不限于此，且本领域技术人员可自以下描述清楚地理解其他未提及的目的。
本发明的示例性实施方案提供一种用于处理基板的设备，所述设备包括：具有处理空间的处理容器；用于在处理空间中支承基板并旋转基板的支承单元；用于供应处理液至由支承单元支承的基板的液体供应单元；及用于加热基板的加热单元，其中支承单元包括：自旋卡盘；用于旋转自旋卡盘的旋转驱动器；安装于自旋卡盘上从而与自旋卡盘一起旋转的卡盘销；及卡盘销移动单元，用于在卡盘销与基板的侧面部分接触的接触位置与卡盘销自基板的侧面部分间隔开的打开位置之间移动卡盘销，且卡盘销移动单元在基板由自旋卡盘旋转的同时移动卡盘销。
卡盘销移动单元可包括：凸轮环；用于旋转凸轮环的凸轮环驱动器；及用于提供电力至凸轮环驱动器的滑环组合件。
滑环组合件可包括：与自旋卡盘一起旋转的环构件；及设置成相对于环构件可移动的刷构件；及用于在靠近环构件的方向或远离环构件的方向上移动刷构件的移动构件。
刷构件可设置成通过移动构件选择性地可接触至环构件。
凸轮环可包括自外表面突出的突出物，且卡盘销移动单元可包括杆构件，杆构件具有耦接至卡盘销的一个末端及与突出物接触的另一末端。
突出物可包括相对于凸轮环的外表面具有第一倾角的第一倾斜表面、及具有大于第一倾角的第二倾角的第二倾斜表面，且杆构件的另一末端可设置成可沿突出物的第一倾斜表面移动。
突出物可包括最靠近第一倾斜表面上的凸轮环的外表面的第一位置、及最远离第一倾斜表面上的凸轮环的外表面定位的第二位置，且杆构件的另一末端可在第一位置与第二位置之间移动。
当杆构件的另一末端位于第一位置时，卡盘销可位于接触位置，而当杆构件的另一末端位于第二位置时，卡盘销可位于打开位置。
自旋卡盘可旋转，使得基板以第一速度或比第一速度更快的第二速度旋转，且当基板以第一速度旋转时，卡盘销移动单元可将卡盘销定位于打开位置。
自旋卡盘可旋转，使得基板以第一速度或比第一速度更快的第二速度旋转，当基板以第一速度旋转时，刷构件可与环构件接触，而当基板以第二速度旋转时，刷构件可不与环构件接触。
当刷构件与环构件接触时，滑环组合件可提供电力至凸轮环驱动器，而当刷构件不与环构件接触时，滑环组合件可不提供电力至凸轮环驱动器。
自旋卡盘可具有在垂直方向上穿透的贯穿孔，且加热单元可经由贯穿孔加热基板的底表面。
加热单元可包括雷射。
自旋卡盘可包括：主体部分；及自主体部分的上部末端向上延伸的延伸部分，且延伸部分的面积可朝向顶部逐渐增加。
本发明的另一示例性实施方案提供一种处理基板的方法，所述方法包括：第一液体供应操作，将第一液体供应至在设置用于支承基板的侧面部分的卡盘销位于卡盘销自基板的侧面部分间隔开的打开位置的打开状态下以第一速度旋转的基板，并在基板上形成第一液膜；第一液体供应操作之后的液膜加热操作，对在打开状态下形成于基板上的第一液膜进行加热；及液膜加热操作之后的第二液体供应操作，将第二液体供应至在卡盘销位于卡盘销与基板的侧面部分接触以支承基板的侧面部分的接触位置的接触状态下以比第一速度更快的第二速度旋转的基板，其中在基板旋转的同时执行自打开状态至接触状态的改变。
第一液体与第二液体可为相同的，且第一液体可为磷酸的水溶液。
在第二液体供应操作中每单位时间供应的第二液体量可大于第一液体供应操作中每单位时间供应的第一液体量。
在液膜加热操作中，基板可以以第一速度旋转，且第一液体可不供应至基板上。
卡盘销可设置成可通过卡盘销移动单元在打开位置与接触位置之间移动，且卡盘销移动单元可包括：凸轮环；用于旋转凸轮环的凸轮环驱动器；及用于提供电力至凸轮环驱动器的滑环组合件，且滑环组合件可包括：环构件；设置成相对于环构件可移动的刷构件；及用于在靠近环构件的方向或远离环构件的方向上移动刷构件的移动构件。
本发明的又另一示例性实施方案提供一种通过使用处理基板的设备来处理基板的方法，所述方法包括：第一液体供应操作，将第一液体供应至在卡盘销位于打开位置的打开状态下以第一速度旋转的基板，并在基板上形成第一液膜；第一液体供应操作之后的液膜加热操作，对在卡盘销位于打开位置的打开状态下形成于基板上的第一液膜进行加热；及液膜加热操作之后的第二液体供应操作，将第二液体供应至在卡盘销位于接触位置的接触状态下以比第一速度更快的第二速度旋转的基板，其中在基板旋转的同时执行卡盘销自打开状态至接触状态的改变。
根据本发明的示例性实施方案，有效地处理基板是可能的。
此外，根据本发明的示例性实施方案，在通过旋转基板执行工艺的同时，卡盘销可自由移动。
此外，根据本发明的示例性实施方案，防止处理液流下至卡盘销是可能的。
此外，根据本发明的示例性实施方案，形成于基板上的处理液熔池可保持为预定量或更多的液膜。
此外，根据本发明的示例性实施方案，无论支承基板的支承单元是否旋转，卡盘销均可正常移动。
此外，根据本发明的示例性实施方案，在工艺期间调整卡盘销的移动行程是可能的。
此外，根据本发明的示例性实施方案，经由由设置成相对于环构件单独可移动的刷构件形成的滑环组合件来最大化耐磨性、耐用性、及寿命是可能的。
此外，根据本发明的示例性实施方案，经由形成中空空间的支承单元，可应用各种类型的热源及各种热源的冷却系统。
本发明的效果不限于上述效果，且本领域技术人员可自本说明书及随附图式清楚地了解未提及的效果。
附图说明
图1是图示根据本发明的示例性实施方案的基板处理设施的俯视平面图。
图2是图示根据本发明的实施方案的在图1的工艺腔室中提供的基板处理设备的横截面图。
图3是图示根据本发明的示例性实施方案的卡盘销及卡盘销移动单元的横截面图。
图4是图示根据本发明的示例性实施方案的卡盘销及卡盘销移动单元的俯视平面图。
图5是示意性地图示根据本发明的实施方案的滑环组合件的一实例的图。
图6是示意性地图示根据本发明的实施方案的卡盘销位于接触位置时的卡盘销移动单元的图。
图7是示意性地图示根据本发明的实施方案的卡盘销位于打开位置时的滑环组合件的状态的图。
图8及图9是示意性地图示根据本发明的实施方案的卡盘销自接触位置移动至打开位置的工艺的图。
图10是示意性地图示根据本发明的实施方案的卡盘销位于接触位置时的滑环组合件的状态的图。
图11及图12是示意性地图示根据本发明的实施方案的卡盘销自打开位置移动至接触位置的工艺的图。
图13是根据本发明的实施方案的基板处理方法的流程图。
图14至图17是顺序图标图13的基板处理方法的图。
符号说明
1：基板处理设施10：索引模块12：第一方向
14：第二方向16：第三方向18：载体20：工艺处理模块
120：装载端口140：转移框架142：索引轨道
144：索引机械手144a：底座144b：主体144c：索引臂
220：缓冲单元240：转移腔室242：导轨244：主机械手
244a：底座244b：主体244c：主臂260：工艺腔室
300：基板处理设备310：腔室315：风扇过滤单元
320：处理容器321：第一回收容器321b：第一回收管线
322：第二回收容器322a：第二入口322b：第二回收管线
324：第二保护部分324a：第一入口326：第一保护部分
340：基板支承单元342：自旋卡盘342a：贯穿孔
346：卡盘销347：支承销348：窗口构件349：旋转驱动器
360：提升单元362：支架364：移动轴366：驱动器
390：液体供应单元400：卡盘销移动单元410：凸轮环
412：主体414：突出物416：连接部分420：凸轮环驱动器
430：滑环组合件432：环构件434：刷构件436：移动构件
440：杆构件442：球构件500：加热单元/雷射束发射构件
3421：主体部分3422：延伸部分4142：第一倾斜表面
4144：第二倾斜表面4322：旋转构件4324：导电环
4326：电线/讯号发射构件4342：刷4344：支承构件
A：角度C1：第一液膜C2：第二液膜P1：第一位置
P2：第二位置S100：基板对准操作
S200：第一液体供应操作S300：液膜加热操作
S400：第二液体供应操作V1：第一速度
V2：第二速度W：基板
具体实施方式
以下将参考随附图式更全面地描述本发明的示例性实施方案，在随附图式中图示本发明的示例性实施方案。然而，本发明可以各种方式实施且并不限于以下示例性实施方案。此外，在详细描述本发明的示例性实施方案时，若判定对相关众所周知的功能或配置的详细描述可能不必要地模糊本发明的要点，则将省略其详细描述。此外，对于具有类似功能及作用的部分，在整个图式中使用相同的参考数字。
此外，除非有明确的相反描述，否则「包括(comprise)」一词及诸如「包括(comprises)」或「包括(comprising)」的变异将理解为暗含包括所述元素，但不排除任何其他元素。应理解，术语「包括(including)」及「具有(having)」旨在指定说明书中描述的特征、数字、操作、运算、构成元素、及组件或其组合的存在，且并不排除预先存在或增加一或多个其他特征、数字、操作、运算、构成元素、及组件或其组合的可能性。
本文使用的单数表达包括复数表达，除非其在上下文中有明确相反的含义。因此，为了更清楚地描述，图式中元素的形状、尺寸、及类似者可能经夸大。
表达「及/或(and/or)」包括提及项目中的各者及包括项目中的一或多者的所有组合。此外，在本说明书中，「连接(connected)」不仅意谓构件A与构件B直接连接时，亦意谓构件A与构件B通过在构件A与构件B之间插入构件C而间接连接时。
本发明的示例性实施方案可以以各种形式进行修改，且本发明的范畴不应解译为仅限于以下示例性实施方案。提供本示例性实施方案是为了对本领域技术人员更完整地解释本发明。因此，图式中元素的形状经夸大，以强调更清晰的描述。
在本示例性实施方案中，将以通过使用处理液蚀刻基板的工艺作为实例来描述。然而，本示例性实施方案并不限于蚀刻工艺，并可多方面适用于使用液体的基板处理工艺，诸如清洗工艺、灰化工艺、及显影工艺。
此处，基板是综合概念，包括用于制造半导体装置、平板显示器(Flat PanelDisplay；FPD)、及在薄膜上形成电路图案的其他物品的所有基板。基板W的实例包括硅晶圆、玻璃基板、及有机基板。
以下将参考图1至图17详细描述本发明的实例。
图1是图示根据本发明的示例性实施方案的基板处理设施1的俯视平面图。参考图1，基板处理设施1包括索引模块10及工艺处理模块20。
索引模块10包括装载端口120及转移框架140。装载端口120、转移框架140、及工艺处理模块20可顺序串行配置。以下将装载端口120、转移框架140、及工艺处理模块20配置的方向称为第一方向12，将当自顶部看时垂直于第一方向12的方向称为第二方向14，并将垂直于包括第一方向12及第二方向14的平面的方向称为第三方向16。
容纳有基板W的载体18座于装载端口120上。装载端口120以复数提供，且多个装载端口120在第二方向14上串行配置。装载端口120的数目可根据工艺处理模块20的工艺效率及占地面积的状况、及类似者而增加或减少。在载体18中可形成多个槽(未图示)，用于在基板W相对于地面水平配置的状态下容纳多个基板W。可使用前开式晶圆盒(Front OpeningUnified Pod；FOUP)作为载体18。
转移框架140在座于装载端口120上的载体18与缓冲单元220之间转移基板W。在转移框架140中，提供索引轨道142及索引机械手144。索引轨道142的纵向方向设置成平行于第二方向14。索引机械手144安装于索引轨道142上，并沿索引轨道142在第二方向14上线性移动。索引机械手144包括底座144a、主体144b、及索引臂144c。底座144a安装成可沿索引轨道142移动。主体144b耦接至底座144a。主体144b设置成可在底座144a上在第三方向16上移动。此外，主体144b设置成可在底座144a上旋转。索引臂144c耦接至主体144b，并设置成可相对于主体144b向前及向后移动。多个索引臂144c设置成单独地驱动。索引臂144c安置成在第三方向16上以彼此间隔的状态堆叠。索引臂144c的一部分可在基板W自工艺处理模块20转移至载体18时使用，而多个索引臂144c的另一部分可在基板W自载体18转移至工艺处理模块20时使用。这可防止在通过索引机械手144装载及卸除基板W的工艺中，在工艺处理之前产生自基板W的颗粒在工艺处理之后附着于基板W上。
工艺处理模块20包括缓冲单元220、转移腔室240、及工艺腔室260。
缓冲单元220安置于转移框架140与转移腔室240之间。缓冲单元220提供一空间，基板W在转移腔室240与转移框架140之间转移之前，基板W停留于此空间中。缓冲单元220内部设置有放置基板W的槽(未图示)。多个槽(未图示)设置成在第三方向16上彼此间隔开。缓冲单元220具有面对转移框架140的开放侧面。缓冲单元220具有面对转移腔室240的开放侧面。
转移腔室240经安置，使得其纵向方向平行于第一方向12。转移腔室240可包括转移腔室240的一个侧面及相对于所述一个侧面定位的另一侧面。多个工艺腔室260可安置于转移腔室240的一个侧面或另一侧面上。多个工艺腔室260可安置于转移腔室240的两个侧面上。安置于转移腔室240的一个侧面上的多个工艺腔室260与安置于转移腔室240的另一侧面上的多个工艺腔室260可相对于转移腔室240对称地设置。多个工艺腔室260中的一些可沿转移腔室240的纵向方向安置。此外，多个工艺腔室260中的一些安置成在第三方向16上彼此堆叠。亦即，在转移腔室240的一个侧面上，工艺腔室260可以A×B配置来配置。此处，A是指沿第一方向12以一行提供的工艺腔室260的数目，而B是指沿第三方向16以一行提供的工艺腔室260的数目。举例而言，当在转移腔室240的一个侧面提供四个或六个工艺腔室260时，多个工艺腔室260可以2×2或3×2配置来配置。工艺腔室260的数目可增加或减少。工艺腔室260的数目可根据占地面积或工艺效率以各种数目提供。不同于上述，工艺腔室260可仅设置于转移腔室240的一个侧面上。此外，工艺腔室260可作为单层设置于转移腔室240的一个侧面及两个侧面上。
转移腔室240在缓冲单元220与工艺腔室260之间、及在工艺腔室260之间转移基板W。导轨242与主机械手244设置成转移腔室240。导轨242经安置，使得其纵向方向平行于第一方向12。主机械手244安装于导轨242上，并在导轨242上沿第一方向12线性移动。主机械手244包括底座244a、主体244b、及主臂244c。底座244a安装成可沿导轨242移动。主体244b耦接至底座244a。主体244b设置成可在底座上在第三方向16上移动。此外，主体244b设置成可在底座244a上旋转。主臂244c耦接至主体244b，并设置成可相对于主体244b向前及向后移动。多个主臂244c设置成单独地驱动。主臂244c安置成在第三方向16上以彼此间隔的状态堆叠。
在基板W上执行液体处理工艺的基板处理设备300提供至工艺腔室260。基板处理设备300可具有不同的结构，这取决于待执行液体处理工艺的类型。与之相反，各个工艺腔室260内的基板处理设备300可具有相同的结构。可选地，多个工艺腔室260分隔成多个群组，且属于同一群组的工艺腔室260内的基板处理设备300可具有相同的结构，而属于不同群组的工艺腔室260内的基板处理设备300可具有不同的结构。
图2是图示根据本发明的实施方案的在图1的工艺腔室中提供的基板处理设备的横截面图。
参考图2，基板处理设备300包括处理容器320、基板支承单元340、提升单元360、液体供应单元390、及加热单元500。
基板处理设备300可包括腔室310。腔室310提供密封内部空间。处理容器320安置于腔室310的内部空间中。腔室310的上部部分处安装有风扇过滤单元315。风扇过滤单元315在腔室310中产生垂直气流。风扇过滤单元315在腔室310中产生向下的气流。风扇过滤单元315是将过滤器与空气供应风扇模块化为一个单元的设备，其过滤高湿度的室外空气，并将经过滤空气供应至腔室310的内部。高湿度的室外空气通过风扇过滤单元315并供应至腔室310中，且在腔室310的内部空间中形成垂直气流。这一垂直气流在基板W的上部部分中提供均匀的气流。处理基板W的工艺中产生的污染物(举例而言，烟雾)与包括于垂直气流中的空气一起排放至处理容器320外部，且经由此，处理容器320的内部可保持高度的清洁度。
处理容器320具有带有开放顶部的圆柱形形状。处理容器320包括第一回收容器321及第二回收容器322。第一回收容器321及第二回收容器322在用于工艺的处理液中回收不同的处理液。第一回收容器321以围绕基板支承单元340的年轮形状提供。第二回收容器322以围绕基板支承单元340的年轮形状提供。在一个示例性实施方案中，第一回收容器321以围绕第二回收容器322的年轮形状提供。第二回收容器322可通过插入第一回收容器321中来提供。第二回收容器322的高度可高于第一回收容器321的高度。第二回收容器322可包括第一保护部分326及第二保护部分324。第一保护部分326可在第二回收容器322的顶部处提供。第一保护部分326形成为朝向基板支承单元340延伸，且第一保护部分326可形成为朝向基板支承单元340向上倾斜。在第二回收容器322中，第二保护部分324可在自第一保护部分326向下间隔开的位置处提供。第二保护部分324形成为朝向基板支承单元340延伸，且第二保护部分324可形成为朝向基板支承单元340向上倾斜。第一保护部分326与第二保护部分324之间的空间充当第一入口324a，处理液流动穿过第一入口324a。在第二保护部分324的下部部分处提供第二入口322a。第一入口324a与第二入口322a可位于不同的高度。在第二保护部分324中形成孔(未图示)，使得流入第一入口324a中的处理液流入在第二回收容器322的下部部分中提供的第二回收管线322b中。第二保护部分324的孔(未图示)可形成于第二保护部分324中具有最低高度的位置处。回收至第一回收容器321的处理液配置为流入连接至第一回收容器321的底表面的第一回收管线321b中。引入第一回收容器321及第二回收容器322的处理液可分别经由第一回收管线321b及第二回收管线322b提供至外部处理液再生系统(未图标)，以待重新使用。
提升单元360线性上下移动处理容器320。作为实例，提升单元360耦接至处理容器320的第二回收容器322，并上下移动第二回收容器322，从而可改变处理容器320相对于基板支承单元340的相对高度。提升单元360包括支架362、移动轴364、及驱动器366。支架362固定地安装于处理容器320的外壁上，而由驱动器366在垂直方向上移动的移动轴364则固定地耦接至支架362。处理容器320的第二回收容器322降低，使得基板支承单元340的上部部分朝向处理容器320的上部部分突出，具体地，当基板W装载至基板支承单元340中或自基板支承单元340卸除时，突出高于第一保护部分326。此外，当工艺进行时，处理容器320的高度经调整，从而根据供应至基板W的处理液的类型将处理液引入预定回收容器(321及322)中。可选地，提升单元360亦可在垂直方向上移动基板支承单元340而非处理容器320。可选地，提升单元360可移动整个处理容器320，使其在垂直方向上可上下移动。提升单元360设置成调整处理容器320与基板支承单元340的相对高度，且若是处理容器320与基板支承单元340的相对高度能够调整的配置，则处理容器320及提升单元360的示例性实施方案可根据设计以各种结构及方法提供。
液体供应单元390配置为自基板W的上部部分排放化学液体至基板W，并可包括一或多个化学液体排放喷嘴。液体供应单元390可泵送储存于储存罐(未图标)中的化学液体，以经由化学液体排放喷嘴将化学液体排放至基板W。液体供应单元390可包括驱动单元(未图标)，以在面对基板W的中心区域的工艺位置与基板W之外的备用位置之间可移动。
自液体供应单元390供应至基板W的化学液体可取决于基板处理工艺而是多种多样的。当基板处理工艺是氮化硅薄膜蚀刻工艺时，化学液体可包括磷酸(H3PO4)的化学液体。液体供应单元390可进一步包括用于在蚀刻工艺之后冲洗基板的表面的去离子水(deionized water；DIW)供应喷嘴，以及异丙醇(isopropyl alcohol；IPA)排放喷嘴及氮(N2)排放喷嘴，用于在冲洗之后执行干燥工艺。尽管未图标，但液体供应单元390可包括能够支承化学液体排放喷嘴并移动化学液体排放喷嘴的喷嘴移动构件(未图示)。喷嘴移动构件(未图示)可包括支承轴(未图标)、臂(未图标)、及驱动器(未图标)。支承轴(未图示)位于处理容器320的一个侧面处。支承轴(未图示)具有杆状，其纵向方向面对第三方向16。支承轴(未图标)设置成可由驱动器(未图标)旋转。臂(未图示)耦接至支承轴(未图示)的上部末端。臂(未图示)可自支承轴(未图示)垂直延伸。化学液体排放喷嘴固定地耦接至臂(未图示)的远程。根据支承轴(未图标)的旋转，化学液体排放喷嘴能够与臂(未图示)一起摆动。化学液体排放喷嘴可摆动移动，以移动至工艺位置及备用位置。可选地，支承轴(未图示)可设置成可上下移动。此外，臂(未图示)可设置成可朝向其纵向方向向前及向后移动。
基板支承单元340支承基板W并在工艺进行期间旋转基板W。基板支承单元340包括自旋卡盘342、窗口构件348、旋转驱动器349、卡盘销346、及卡盘销移动单元400。
卡盘销346耦接至自旋卡盘342。基板W通过耦接至自旋卡盘342的卡盘销346与自旋卡盘342的上表面间隔开。基板W与自旋卡盘342一起旋转，同时由耦接至自旋卡盘342的卡盘销346支承。
自旋卡盘342以具有开放顶部及开放底部的罐子形状提供。自旋卡盘342包括穿透上表面及下表面的贯穿孔342a。自旋卡盘342包括在垂直方向上穿透的贯穿孔342a。在这一情况下，垂直方向可指自旋卡盘342的轴向，或可指平行于自旋卡盘342的旋转轴向的方向。待在稍后描述的加热单元500安置于贯穿孔342a中。
自旋卡盘342包括主体部分3421及自主体部分3421向上延伸的延伸部分3422。主体部分3421与延伸部分3422是整体形成的。贯穿孔342a形成为同时通过主体部分3421及延伸部分3422。主体部分3421形成为具有相同的面积。主体部分3421形成为具有相同的内径。主体部分3421中的贯穿孔342a形成为具有相同的直径。延伸部分3422形成为自主体部分3421在上部方向上逐渐增加面积。延伸部分3422的内径形成为在上部方向上增加。延伸部分3422中的贯穿孔342a形成为在上部方向上增加直径。待在稍后描述的加热单元500安置于主体部分3421内，且自加热单元500产生的雷射束穿过延伸部分3422发射至基板W。延伸部分3422可形成为不会干扰雷射束的尺寸。经由此，由加热单元500产生的雷射束可发射至基板W而不会由自旋卡盘342所干扰。
自旋卡盘342可安置于窗口构件348下方。自旋卡盘342可支承窗口构件348的边缘区域。自旋卡盘342与窗口构件348之间的连接部分可具有密封结构，从而供应至基板W的化学液体不会渗透至加热单元500中。
窗口构件348位于基板W下方。窗口构件348设置于在卡盘销346上支承的基板W下方。窗口构件348设置于由卡盘销346支承的基板W下方。窗口构件348可以实质上对应于基板W的形状提供。举例而言，当基板W是圆形晶圆时，窗口构件348可以以实质上圆形形状提供。窗口构件348可具有比基板大的直径。然而，本发明并不限于此，且窗口构件348可具有与基板W相同的直径，或可形成为具有比基板W小的直径。
孔3481形成于窗口构件348中，卡盘销346安置于孔3481中。卡盘销346可通过窗口构件348的孔3481。窗口构件348的孔3481的直径可大于卡盘销346的直径。经由此，卡盘销346可在窗口构件348的孔3481内部移动。此时，卡盘销346在垂直于自旋卡盘342的旋转轴向的方向上移动。
窗口构件348可由具有高透光率的材料制成。因此，自加热单元500发射的雷射束可通过窗口构件348。窗口构件348可由具有优良耐腐蚀性的材料制成，从而不与化学液体反应。举例而言，窗口构件348可由诸如石英、玻璃、或蓝宝石的材料提供。窗口构件348是允许雷射束通过并到达基板W的配置，并会保护基板支承单元340的配置不受化学液体的影响，且可根据设计以各种尺寸及形状提供。
支承销347可耦接至窗口构件348。可提供多个支承销347。支承销347可在窗口构件348的边缘区域中提供。多个支承销347可安置成沿窗口构件348的边缘区域彼此间隔开。支承销347可设置成自窗口构件348的上表面向上突出。支承销347可支承基板W的下表面，以将基板W与窗口构件348分离开。
旋转驱动器349旋转自旋卡盘342。旋转驱动器349可为能够旋转自旋卡盘342的任意者。作为实例，旋转驱动器349可提供为空心马达。根据实施方案，旋转驱动器349可包括定子(未图示)及转子(未图示)。定子可设置为固定于一个位置，而转子可耦接至自旋卡盘342。转子可耦接至自旋卡盘342的底部以旋转自旋卡盘342。当使用空心马达作为旋转驱动器349时，自旋卡盘342的底部越窄，可选择的空心马达的空心越小。因此，可降低制造成本。根据实施方案，可进一步包括用于保护旋转驱动器349免受化学液体影响的盖构件(未图示)。
卡盘销346安装于自旋卡盘342上。卡盘销346可设置于自旋卡盘342上，从而自自旋卡盘342的上表面突出。卡盘销346可安装于自旋卡盘342的延伸部分3422中。卡盘销346与自旋卡盘342一起旋转。可提供多个卡盘销346。多个卡盘销346可彼此间隔开。多个卡盘销346在组合时可以圆形形状配置。多个卡盘销346可沿形成于延伸部分3422中的贯穿孔342a的边缘设置。卡盘销346支承基板W的侧面部分。卡盘销346抓取基板W的侧面部分。卡盘销346将基板W与窗口构件348分离开一预定距离。可在窗口构件348的孔3481中接纳卡盘销346的至少一部分。卡盘销346可设置成在窗口构件348的孔3481内可移动。卡盘销346可耦接至待在稍后描述的卡盘销移动单元400。卡盘销346可通过卡盘销移动单元400可移动地设置。卡盘销346可设置成可在卡盘销与基板W的侧面接触的接触位置与卡盘销346自基板W的侧面间隔开的打开位置之间移动。
图3是图示根据本发明的示例性实施方案的卡盘销及卡盘销移动单元的横截面图，且图4是图示根据本发明的示例性实施方案的卡盘销及卡盘销移动单元的俯视平面图。
卡盘销移动单元400移动卡盘销346。卡盘销移动单元400耦接至卡盘销346的一个末端以移动卡盘销346。卡盘销移动单元400在垂直于自旋卡盘342的旋转轴向的方向上移动卡盘销346。卡盘销移动单元400移动卡盘销346，以在卡盘销346与基板W的侧面部分接触的接触位置与卡盘销346自基板W的侧面部分间隔开的打开位置之间移动。卡盘销移动单元400在自旋卡盘342旋装的同时移动卡盘销346。卡盘销移动单元400可设置成在正常时间电动移动旋转的自旋卡盘342的卡盘销346。
参考图3，卡盘销移动单元400包括凸轮环410、凸轮环驱动器420、及滑环组合件430。
凸轮环410可旋转。凸轮环410可旋转以使卡盘销346在接触位置与打开位置之间移动。凸轮环410可设置于自旋卡盘342内部。参考图4，凸轮环410可包括主体412及突出物414。主体412可形成为环形形状。主体412可以具有比自旋卡盘342的贯穿孔342a的直径更大直径的环形结构提供。主体412可设置于自旋卡盘342内部。主体412可安置成在自旋卡盘342内部围绕自旋卡盘342。主体412可安置成围绕自旋卡盘342的内表面。
突出物414可自主体412突出。突出物414可自主体412的外表面突出。突出物414可在远离自旋卡盘342的旋转轴向的方向上自主体412突出。突出物414可包括多个突出物414。多个突出物414可彼此间隔开。多个突出物414可以对应于卡盘销346的数目的数目提供。杆构件440可与突出物414接触。
突出物414可包括第一倾斜表面4142及第二倾斜表面4244。第一倾斜表面4142可形成为相对于主体412的外表面具有第一倾角。第二倾斜表面4144可形成为相对于主体412的外表面具有大于第一倾角的第二倾角。第一倾斜表面4142与第二倾斜表面4144可连接。第一倾斜表面4142可形成为比第二倾斜表面4144更平缓。第二倾斜表面4144可形成为比第一倾斜表面4142更陡峭。
凸轮环410可包括连接部分416。连接部分416可电连接至待在稍后描述的凸轮环驱动器420。连接部分416可在多个突出物414中两个相邻突出物414之间提供。连接部分416可自主体412突出。连接部分416可比突出物414突出更长。经由此，防止突出物414干扰连接部分416或突出物414及凸轮环驱动器420是可能的。连接部分416可包括一个连接部分416。然而，本发明并不限于此，可提供多个连接部分416。此外，连接部分416的数目可提供为对应于凸轮环驱动器420的数目。
凸轮环驱动器420可旋转凸轮环410。凸轮环驱动器420可电连接至凸轮环410。凸轮环驱动器420可电连接至凸轮环410的连接部分416。凸轮环驱动器420可电连接至滑环组合件430。举例而言，凸轮环驱动器420可经由电线连接至滑环组合件430。凸轮环驱动器420可自滑环组合件430接收电力。凸轮环驱动器420可传输电力至凸轮环410。凸轮环驱动器420可自滑环组合件430接收电力，并将所接收电力传输至凸轮环410。或者，凸轮环驱动器420可实体接触凸轮环410，以将自滑环组合件430供应的电力传输至凸轮环410。当凸轮环驱动器420传输电力至凸轮环410时，凸轮环410可旋转。凸轮环驱动器420可提供为线圈或小马达。在这一情况下，线圈可提供为螺线管。当凸轮环驱动器420提供为螺线管时，螺线管的一个末端连接至凸轮环410的连接部分416，而螺线管的另一末端可连接至滑环组合件430的电线4326。在上述内容中，已描述凸轮环驱动器420提供为线圈或小马达的情况，但本发明不限于此，可应用各种能够传输电力的电力传输构件。
滑环组合件430可提供电力至凸轮环驱动器420。滑环组合件430可提供电力至凸轮环驱动器420，使得卡盘销346可在自旋卡盘342旋转的同时在打开位置与接触位置之间移动。
图5是示意性地图示根据本发明的实施方案的滑环组合件的实例的图。参考图5，滑环组合件430包括环构件432、刷构件434、及移动构件436。
可旋转地提供环构件432。环构件432与自旋卡盘342一起旋转。环构件432与自旋卡盘342的旋转轴同轴。环构件432与自旋卡盘342的旋转轴同轴旋转。可旋转地提供环构件432。环构件432与自旋卡盘342一起旋转。环构件432可耦接至自旋卡盘342，以与自旋卡盘342一起旋转。或者，环构件432可通过接收来自旋转驱动器349的电力来旋转，旋转驱动器349旋转自旋卡盘342。环构件432设置成围绕自旋卡盘342。环构件432可耦接至自旋卡盘342。环构件432可安置于自旋卡盘342外部。环构件432可设置成围绕自旋卡盘342。环构件432可设置成围绕自旋卡盘342的主体部分3421。
环构件432可包括旋转构件4322及导电环4324。旋转构件4322可以以圆环形状形成。旋转构件4322设置成围绕自旋卡盘342。旋转构件4322安置成自自旋卡盘342的主体部分3421外部围绕主体部分3421。旋转构件4322可具有穿透其内部的孔。旋转构件4322的内径可大于自旋卡盘342的主体部分3421的外径。因此，在旋转构件4322的内表面与自旋卡盘342的主体部分3421的外表面之间可形成以预定距离间隔开的间隔空间。
导电环4324可固定至旋转构件4322。导电环4324可耦接至旋转构件4322的外圆周表面。导电环4324可与旋转构件4322的外圆周表面接触。导电环4324可设置为导电构件。多个导电环4324可耦接至旋转构件4322。多个导电环4324可自旋转构件4322的外圆周表面彼此间隔开一预定距离。举例而言，导电环4324可设置为线圈，且线圈可缠绕于旋转构件4322的外圆周表面周围。导电环4324与旋转构件4322一起旋转。
用于传输电讯号的讯号发射构件4326可安置于旋转构件4322内部。讯号发射构件4326设置于旋转构件4322的孔内部。讯号发射构件4326安置于旋转构件4322的内表面与自旋卡盘342的主体部分3421的外表面之间的间隔空间中。举例而言，讯号发射构件4326可设置为电线4326。电线4326可包括多个电线4326。电线4326的一个末端连接至导电环4324，且另一末端连接至凸轮环驱动器420。电线4326可将由滑环组合件430产生的电力传输至凸轮环驱动器420。
刷构件434包括刷4342及支承刷4342的支承构件4344。刷4342可由可电连接至导电环4324的导电材料提供。刷构件434设置成可相对于环构件432移动。刷构件434设置成可由移动构件436移动。作为实例，移动构件436可包括马达。
刷构件434可在靠近环构件432的方向上或在远离环构件432的方向上移动。刷构件434设置成可通过移动构件436选择性地与环构件432接触。当自旋卡盘342旋转时，刷构件434可在靠近环构件432的方向上或在远离环构件432的方向上移动。当自旋卡盘342旋转时，刷构件434可选择性地接触环构件432。因此，卡盘销346可设置成能够在正常时间打开及关闭，即使在基板W旋转时。
当刷构件434在靠近环构件432的方向上移动时，刷4342与导电环4324接触。当刷4342与导电环4324接触时，刷4342电连接至导电环4324。在这一情况下，自滑环组合件430接通电力，且电力经由电线4326供应至凸轮环驱动器420。凸轮环驱动器420将所接收电力传输至凸轮环410，且凸轮环410旋转。
当刷构件434在远离环构件432的方向上移动时，刷4342不接触导电环4324。由于刷4342与导电环4324间隔开，故刷4342与导电环4324电断开。在这一情况下，自滑环组合件430关断电力，且停止对凸轮环驱动器420供应电力。当停止对凸轮环410供应电力时，凸轮环410通过内建弹性构件恢复至其原始位置。
卡盘销移动单元400包括杆构件440。杆构件440的一个末端可耦接至卡盘销346，而另一末端可与凸轮环410接触。杆构件440的另一末端与凸轮环410的突出物414接触。杆构件440的另一末端与凸轮环410的突出物414的第一倾斜表面4142接触。杆构件440的另一末端设置成可沿突出物414的第一倾斜表面4142移动。在杆构件440的另一末端处可提供用于在运动期间最小化摩擦的球构件442。杆构件440可包括多个杆构件440，且多个杆构件440可彼此连接。
以下将参考图式详细描述卡盘销346由卡盘销移动单元400移动的工艺。
图6是示意性地图示根据本发明的实施方案的卡盘销位于接触位置时卡盘销移动单元的图，图7是示意性地图示根据本发明的实施方案的卡盘销位于打开位置时滑环组合件的状态的图，图8及图9是示意性地图示根据本发明的实施方案的卡盘销自接触位置移动至打开位置的工艺的图，图10是示意性地图示根据本发明的实施方案的卡盘销位于接触位置时滑环组合件的状态的图，且图11及图12是示意性地图示根据本发明的实施方案的卡盘销自打开位置移动至接触位置的工艺的图。
参考图6，突出物414具有在第一倾斜表面4142上最靠近凸轮环410的主体412的外表面定位的第一位置P1，及在第一倾斜表面4142上最远离凸轮环410的主体412的外表面定位的第二位置P2。杆构件440沿突出物414的第一倾斜表面4142移动。杆构件440的另一末端在第一倾斜表面4142上第一位置P1与第二位置P2之间移动。在这一情况下，杆构件440不直接移动，但随着凸轮环410的旋转，杆构件440通过第一倾斜表面4142的倾斜在更靠近自旋卡盘342的旋转轴的方向上或在远离自旋卡盘342的旋转轴的方向上与突出物414的第一倾斜表面4142接触。当杆构件440的另一末端位于第一位置P1或相邻于第一位置P1的位置时，耦接至杆构件440的一个末端的卡盘销346位于接触位置，以抓取基板W的侧面部分。当杆构件440的另一末端位于第二位置P2或相邻于第二位置P2的位置时，耦接至杆构件440的一个末端的卡盘销346位于打开位置，以自基板W的侧面部分间隔开。
参考图7，自旋卡盘342以第一速度v1或比第一速度v1更快的第二速度v2旋转基板W。在基板W以第一速度v1旋转期间，卡盘销移动单元400移动卡盘销346，使得卡盘销346位于打开位置。此时，滑环组合件430供应电力至凸轮环驱动器420，使得凸轮环410在预定范围内旋转。具体地，移动构件436使刷构件434在朝向环构件432的方向上移动，使得刷4342与导电环4324接触并连接至导电环4324。当刷4342与导电环4324接触并连接至其时，经由电线4326供应电力至凸轮环驱动器420，而凸轮环驱动器420供应电力至凸轮环410的连接部分416。接收电力的凸轮环410在预定范围内旋转。
参考图8及图9，自滑环组合件430供应电力的凸轮环410在预定角度范围内旋转。举例而言，凸轮环410以一角度范围旋转，其中杆构件440的另一末端在第一倾斜表面4142内移动。凸轮环410以由突出物414的第一位置P1、第二位置P2、及凸轮环410的中心轴C形成的角度A旋转。经由此，可界定杆构件440的运动范围。
凸轮环410可顺时针或逆时针旋转。当凸轮环410在一个方向上旋转以将卡盘销346移动至打开位置时，则凸轮环410在与所述一个方向相反的方向上旋转以将卡盘销346移动至接触位置。在这一情况下，所述一个方向上的旋转是通过自滑环组合件430供应的电力来执行的，而所述相反方向上的旋转是通过安装于凸轮环410上的弹性构件(未图标)的恢复力来执行的。在图8及图9中，图示凸轮环410通过接收来自滑环组合件430的电力在顺时针方向上旋转一预定角度A，并通过弹性构件(未图标)的弹性力在逆时针方向上旋转一预定角度A。然而，本发明并不局限于此，且凸轮环410的旋转方向可根据突出物414的倾斜方向多方面应用。
参考图8，当凸轮环410经由滑环组合件430以预定角度A旋转时，位于第一位置P1的杆构件440的另一末端沿第一倾斜表面4142移动至第二位置P2。在这一情况下，由于第一倾斜表面4142在自第一位置P1至第二位置P2的方向上设置为向上倾斜表面，故耦接至杆构件440的一个末端的卡盘销346自接触位置移动至打开位置。
参考图10，自旋卡盘342以第一速度v1或比第一速度v1更快的第二速度v2旋转基板W。在基板W以第二速度v2旋转期间，卡盘销移动单元400移动卡盘销346，使得卡盘销346位于接触位置。在这一情况下，滑环组合件430停止对凸轮环驱动器420供应电力。具体地，移动构件436在远离环构件432的方向上移动刷构件434，使得与导电环4324接触的刷4342自导电环4324间隔开。当刷4342与导电环4324间隔开时，停止对凸轮环驱动器420供应电力。电力供应停止的凸轮环410通过弹性构件(未图标)的恢复力返回至其原始位置。
参考图11及图12，当凸轮环410经由这一弹性构件(未图标)的恢复力以预定角度A逆时针旋转时，位于第二位置P2的杆构件440的另一末端沿第一倾斜表面4142移动至第一位置P1。在这一情况下，由于第一倾斜表面4142在自第二位置P2至第一位置P1的方向上设置为向下倾斜表面，故耦接至杆构件440的一个末端的卡盘销346自打开位置移动至接触位置。
参考返回图2，基板处理设备300包括加热单元500。加热单元500配置用于发射雷射束至基板W。加热单元500可位于基板支承单元340中比窗口构件348更低的表面处。加热单元500可朝向位于基板支承单元340上的基板W发射雷射束。发射自加热单元500的雷射束可通过基板支承单元340的窗口构件348，以发射至基板W上。因此，基板W可加热至一设定温度。加热单元500可包括雷射束产生构件(未图标)、雷射束发射构件500、及雷射束传输构件。雷射束产生构件(未图示)可安置于腔室310外部。雷射束发射构件500可包括例如一透镜。雷射束发射构件500可包括多个透镜。雷射束发射构件500可设置于自旋卡盘342内部。雷射束传输构件可设置为连接雷射束产生构件(未图标)与雷射束发射构件500的管线。雷射束传输构件可将产生自雷射束产生构件(未图标)的雷射束传输至雷射束发射构件500。通过雷射束传输构件接收雷射束的雷射束发射构件500可发射雷射束至基板W。在上文中，已描述加热单元500为发射雷射束的配置，但本发明不限于此，且加热单元500可设置为能够加热基板W的多种热源。举例而言，加热单元500可设置为LED或卤素加热器。
以下将参考图13至图17描述根据本发明的实施方案的处理基板的方法。图13是根据本发明的实施方案的基板处理方法的流程图，而图14至图17是顺序图标图13的基板处理方法的图。
参考图13，根据本发明的实施方案的基板处理方法包括基板对准操作(S100)、第一液体供应操作(S200)、液膜加热操作(S300)、及第二液体供应操作(S400)。
图14是图示按照根据本发明的实施方案的基板处理方法的工艺开始之前的基板对准操作的图。参考图14，在工艺开始之前，基板W转移至基板支承单元340。在基板W转移至自旋卡盘342的上部部分之后，基板W的中心与自旋卡盘342或窗口构件348的中心对准。在这一情况下，卡盘销346位于打开位置。当基板W的中心与自旋卡盘342或窗口构件348的中心对准时，卡盘销346移动至接触位置以支承基板W的侧面部分。在这一情况下，卡盘销346由卡盘销移动单元400移动。
图15图示按照根据本发明的实施方案的基板处理方法在基板上形成处理液熔池的工艺。参考图15，在基板W由基板支承单元340的卡盘销346支承的状态下，自旋卡盘342以第一速度v1旋转基板W。液体供应单元390供应第一液体至以第一速度v1旋转的基板W，以在基板W的上表面上形成第一液膜C1。第一液膜C1可为具有预定厚度的熔池。当第一液体供应至基板W时，卡盘销346位于打开位置。亦即，在卡盘销346位于卡盘销346自基板W的侧面部分间隔开的打开位置的状态下，通过供应第一液体至以第一速度v1旋转的基板W而形成第一液膜C1。当形成第一液膜C1时，且当卡盘销346位于卡盘销346与基板W的侧面部分接触的接触位置时，存在第一液体流下卡盘销346的问题，从而难以保持一定的液膜量。然而，按照根据本发明的示例性实施方案的基板处理方法，当形成第一液膜C1时，第一液膜C1是在卡盘销346位于卡盘销346自基板W的侧面部分间隔开的打开位置的状态下形成的，从而防止第一液体的流下现象是可能的，由此保持一定的液膜量。此外，由于卡盘销346自基板W的侧面部分间隔开，故存在一个优点，即，通过第一液膜C1的表面张力，可很容易地形成第一液膜(熔池)。
图16是图示按照根据本发明的实施方案的基板处理方法来加热第一液膜的操作的图。参考图16，当形成具有预定厚度的第一液膜C1时，基板W的旋转停止，且来自液体供应单元390的第一液体供应停止。结果，基板W的表面由第一液膜C覆盖(形成处理液熔池)。此处，处理液可提供为磷酸的水溶液。将基板W及第一液膜C1加热至适于处理基板W的温度。基板W及第一液膜C1可由加热单元500加热。此时，卡盘销346位于打开位置。可提供雷射、LED、及卤素加热器中的任意一者作为加热单元500的热源。通过将基板W的表面用经加热处理液的第一液膜C1覆盖的状态维持一预定时间段，对基板W执行处理(举例而言，执行蚀刻处理(湿式蚀刻工艺))。此时，自旋卡盘342以第一速度v1旋转基板W。基板W上的第一液体可通过在正向旋转及反向旋转方向上旋转基板W约半圈而经搅拌。由此，蚀刻得以促进，且蚀刻量的平面内均匀性可得以改善。
图17是图示根据本发明的实施方案的第二液体供应操作的图。参考图17，在加热第一液膜C1之后，供应第二液体至基板W以形成第二液膜C2。此时，自旋卡盘342以第二速度v2旋转基板W。此外，卡盘销移动单元400将卡盘销346移动至卡盘销346与基板W的侧面部分接触的接触位置。第二液体可以与第一液体相同的液体提供。第二液体可提供为磷酸的水溶液。第二液膜C2的厚度可小于第一液膜C1的厚度。第二速度v2可比第一速度v1快。举例而言，第一速度v1的旋转可为低速旋转，而第二速度v2的旋转可为高速旋转。举例而言，第一速度v1可等于或小于20RPM。
根据图15至图17的基板处理可重复执行复数次。当根据图14至图17的基板处理完成之后，执行冲洗处理(冲洗工艺)，其中供应冲洗液至基板W，以自基板W的表面移除通过与处理液反应而产生的副产品。冲洗液可为纯水(pure water，DIW)。
按照根据本发明的示例性实施方案的基板处理方法，在第一液体供应操作及液膜加热操作中，卡盘销346经移动，使得卡盘销346位于打开位置，而在第二液体供应操作中，卡盘销346经移动，使得卡盘销346位于接触位置。此时，根据通过使用可旋转90度的旋转气缸在打开位置与接触位置之间移动卡盘销的一般自旋卡盘结构，卡盘销仅在自旋卡盘停止时可移动。因此，每当执行基板处理方法的各个操作时，当必须停止自旋卡盘且必须移动卡盘销时，工艺会花费很长的时间且工艺效率下降，而当自旋卡盘在各个工艺操作中由于停止自旋卡盘及移动卡盘销而停止时，可能无法获得具有均匀厚度的液膜，或者液膜可能过度硬化，导致液膜破裂。此外，当基板处理进行至卡盘销与基板的侧面部分接触的状态时，在相关技术中自旋卡盘结构中基板处理方法的各个操作中均不停止自旋卡盘，如上所述，存在液膜沿卡盘销的表面流动从而不能形成一定的液膜量的问题，且由于卡盘销与基板的侧面部分之间的接触面积会减小液膜的表面张力，故难以形成一定厚度的液膜。
然而，根据本发明的实施方案，即使在自旋卡盘342旋转时，亦可通过利用滑环组合件430来移动卡盘销346，其中正常接触及非接触功能经由可单独驱动的刷构件434来实施，从而解决上述问题是可能的。
此外，在一般滑环组合件的情况下，刷固定于与环构件接触的状态下，但根据本发明的滑环组合件430可经配置，使得仅当需要对凸轮环410供应电力时，刷构件434才与环构件432接触，因为刷构件434相对于环构件432是单独可移动地提供的。在这一情况下，克服一般滑环组合件由于高速旋转而在耐磨性上具有限制的缺点是可能的。亦即，存在最大化滑环组合件430的耐用性及寿命的优点。
同时，根据上述示例性实施方案的基板处理设备及基板处理方法可由控制器(未图示)控制及执行。控制器的配置、储存及管理可以以硬件、软件、或硬件与软件的组合的形式来实现。配置控制器的档案数据及/或软件可储存于挥发性或非挥发性储存设备中，诸如只读存储器(Read Only Memory；ROM)；或内存，诸如举例而言，随机存取内存(RandomAccess Memory；RAM)、内存芯片、设备、或集成电路，或储存媒体，诸如光盘(Compact Disk；CD)、数字多功光盘(Digital Versatile Disc；DVD)、磁盘、或磁带，其是光学或磁性可记录的，同时是机器(举例而言，计算机)可读取的。
所述详细描述说明了本发明。此外，所述内容旨在描述用于实施本发明的技术精神的示例性或各种示例性实施方案，且本发明可用于各种其他组合、改变、及环境中。亦即，所述内容可在本说明书中揭示的本发明概念的范畴、等效于揭示内容的范畴的范畴、及/或本领域中技术或知识的范畴内进行修改或更正。因此，本发明的上述详细描述并不旨在将本发明限制于所揭示的示例性实施方案。此外，所附申请专利范围应解译为亦包括其他示例性实施方案。此类经修改实施不应脱离本发明的技术精神或观点分开解译。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：
具有处理空间的处理容器；
用于在所述处理空间中支承所述基板并旋转所述基板的支承单元；
用于供应处理液至由所述支承单元支承的所述基板的液体供应单元；及
用于加热所述基板的加热单元，
其中所述支承单元包括：
自旋卡盘；
用于旋转所述自旋卡盘的旋转驱动器；
安装于所述自旋卡盘上从而与所述自旋卡盘一起旋转的卡盘销；及
用于在所述卡盘销与所述基板的侧面部分接触的接触位置与所述卡盘销自所述基板的所述侧面部分间隔开的打开位置之间移动所述卡盘销的卡盘销移动单元，且
所述卡盘销移动单元在所述基板由所述自旋卡盘旋转的同时移动所述卡盘销。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述卡盘销移动单元包括：
凸轮环；
用于旋转所述凸轮环的凸轮环驱动器；及
用于提供电力至所述凸轮环驱动器的滑环组合件。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述滑环组合件包括：
与所述自旋卡盘一起旋转的环构件；及
设置成相对于所述环构件能够移动的刷构件；及
用于在靠近所述环构件的方向或远离所述环构件的方向上移动所述刷构件的移动构件。
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述刷构件设置成通过所述移动构件选择性地能够接触至所述环构件。
5.根据权利要求3所述的设备，其中所述凸轮环包括自外表面突出的突出物，且
所述卡盘销移动单元包括杆构件，所述杆构件具有耦接至所述卡盘销的一个末端及与所述突出物接触的另一末端。
6.根据权利要求5所述的设备，其中所述突出物包括具有相对于所述凸轮环的所述外表面的第一倾角的第一倾斜表面、及具有大于所述第一倾角的第二倾角的第二倾斜表面，且
所述杆构件的所述另一末端设置成能够沿着所述突出物的所述第一倾斜表面移动。
7.根据权利要求6所述的设备，其中所述突出物包括在所述第一倾斜表面上最靠近所述凸轮环的所述外表面的第一位置、及在所述第一倾斜表面上最远离所述凸轮环的所述外表面定位的第二位置，且
所述杆构件的所述另一末端在所述第一位置与所述第二位置之间移动。
8.根据权利要求7所述的设备，其中当所述杆构件的所述另一末端位于所述第一位置时，所述卡盘销位于所述接触位置，且
当所述杆构件的所述另一末端位于所述第二位置时，所述卡盘销位于所述打开位置。
9.根据权利要求8所述的设备，其中所述自旋卡盘旋转，使得所述基板以第一速度或比所述第一速度更快的第二速度旋转，且
当所述基板以所述第一速度旋转时，所述卡盘销移动单元将所述卡盘销定位于所述打开位置。
10.根据权利要求8所述的设备，其中所述自旋卡盘旋转，使得所述基板以第一速度或比所述第一速度更快的第二速度旋转，
当所述基板以所述第一速度旋转时，所述刷构件与所述环构件接触，且
当所述基板以所述第二速度旋转时，所述刷构件不与所述环构件接触。
11.根据权利要求10所述的设备，其中当所述刷构件与所述环构件接触时，所述滑环组合件提供电力至所述凸轮环驱动器，且
当所述刷构件不与所述环构件接触时，所述滑环组合件不提供电力至所述凸轮环驱动器。
12.根据权利要求1所述的设备，其中所述自旋卡盘具有在垂直方向上穿透的贯穿孔，且
所述加热单元经由所述贯穿孔加热所述基板的底表面。
13.根据权利要求12所述的设备，其中所述加热单元包括激光器。
14.根据权利要求13所述的设备，其中所述自旋卡盘包括：
主体部分；及
自所述主体部分的上部末端向上延伸的延伸部分，且
所述延伸部分的面积朝向顶部逐渐增加。
15.一种处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：
第一液体供应操作，将第一液体供应至在设置用于支承基板的侧面部分的卡盘销位于所述卡盘销自所述基板的所述侧面部分间隔开的打开位置的打开状态下以第一速度旋转的基板，并在所述基板上形成第一液膜；
所述第一液体供应操作之后的液膜加热操作，对在所述打开状态下形成于所述基板上的所述第一液膜进行加热；及
所述液膜加热操作之后的第二液体供应操作，将第二液体供应至在所述卡盘销位于所述卡盘销与所述基板的所述侧面部分接触以支承所述基板的所述侧面部分的接触位置的接触状态下以比所述第一速度更快的第二速度旋转的所述基板，
其中自所述打开状态至所述接触状态的改变是在所述基板旋转的同时执行的。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一液体与所述第二液体是相同的，且
所述第一液体是磷酸的水溶液。
17.根据权利要求15所述的方法，其中在所述第二液体供应操作中每单位时间供应的第二液体量大于在所述第一液体供应操作中每单位时间供应的第一液体量。
18.根据权利要求15所述的方法，其中在所述液膜加热操作中，所述基板以所述第一速度旋转，且所述第一液体未供应至所述基板上。
19.根据权利要求15至18中任一项所述的方法，其中所述卡盘销设置成可通过卡盘销移动单元在所述打开位置与所述接触位置之间移动，且
所述卡盘销移动单元包括：
凸轮环；
用于旋转所述凸轮环的凸轮环驱动器；及
用于提供电力至所述凸轮环驱动器的滑环组合件，且
所述滑环组合件包括：
环构件；
设置成相对于所述环构件移动的刷构件；及
用于在靠近所述环构件的方向或远离所述环构件的方向上移动所述刷构件的移动构件。
20.一种通过使用根据权利要求1所述的用于处理基板的设备来处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：
第一液体供应操作，将第一液体供应至在所述卡盘销位于所述打开位置的打开状态下以第一速度旋转的基板，并在所述基板上形成第一液膜；
所述第一液体供应操作之后的液膜加热操作，对在所述卡盘销位于所述打开位置的所述打开状态下形成于所述基板上的所述第一液膜进行加热；及
所述液膜加热操作之后的第二液体供应操作，将第二液体供应至在所述卡盘销位于所述接触位置的接触状态下以比所述第一速度更快的第二速度旋转的所述基板，
其中所述卡盘销自所述打开状态至所述接触状态的改变是在所述基板旋转的同时执行的。
CN202211262127.1A 2021-10-14 2022-10-14 基板处理设备及基板处理方法 Pending CN115985834A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210136380A KR20230053158A (ko) 2021-10-14 2021-10-14 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR10-2021-0136380 2021-10-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115985834A true CN115985834A (zh) 2023-04-18

Family

ID=85961371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211262127.1A Pending CN115985834A (zh) 2021-10-14 2022-10-14 基板处理设备及基板处理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230117064A1 (zh)
KR (1) KR20230053158A (zh)
CN (1) CN115985834A (zh)
TW (1) TWI826036B (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4467379B2 (ja) * 2004-08-05 2010-05-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US10332761B2 (en) * 2015-02-18 2019-06-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP7301662B2 (ja) * 2019-07-29 2023-07-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7386026B2 (ja) * 2019-09-20 2023-11-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230053158A (ko) 2023-04-21
US20230117064A1 (en) 2023-04-20
TWI826036B (zh) 2023-12-11
TW202316561A (zh) 2023-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101798320B1 (ko) 기판 처리 장치
CN112216631A (zh) 用于处理基板的装置和方法
KR102240924B1 (ko) 기판 처리 장치 및 회전 어셈블리
KR20210022328A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN107799442B (zh) 基板清洗装置及具备该基板清洗装置的基板处理装置
CN107437519B (zh) 用于处理基板的方法和装置
CN115985834A (zh) 基板处理设备及基板处理方法
JP7288497B2 (ja) 基板把持装置とこれを含む液処理装置、及び基板処理設備
US11167326B2 (en) Substrate processing apparatus and nozzle unit
CN115642118A (zh) 支撑单元和包括该支撑单元的基板处理设备
US20230120608A1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
US20230119960A1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
US20230207350A1 (en) Apparatus for treating substrate
KR20150047206A (ko) 기판 처리 장치
KR102193031B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR101885565B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102371454B1 (ko) 기판 처리 장치, 반송 유닛 및 기판 처리 장치 제어 방법
US20220084847A1 (en) Substrate treating equipment
US20190358681A1 (en) Chuck pin, method for manufacturing a chuck pin, apparatus for treating a substrate
KR20240043849A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101621484B1 (ko) 기판처리장치
WO2020039849A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR20210029755A (ko) 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법
KR20140044136A (ko) 기판처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination