CN115985794A - 评估晶片上的缺陷区域的方法 - Google Patents

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Abstract

本文公开了一种评估晶片上的缺陷区域的方法，该方法包括制备镜面抛光晶片、对晶片进行热处理、清洗晶片以除去在热处理过程中形成的氧化膜、对晶片进行抛光、以及评估晶片表面上的缺陷。

Description

评估晶片上的缺陷区域的方法
本申请要求于2021年10月14日提交的韩国专利申请第10-2021-0136487号的优先权，其通过引用并入本文，视为在本文中完整阐述。
技术领域
本发明涉及一种评估晶片上的缺陷区域的方法，更具体而言，涉及一种通过热处理和表面抛光来定义反应离子蚀刻(RIE)缺陷区域的方法。
背景技术
用作制造诸如半导体或太阳能电池等电子元件的材料的硅晶片是在使用Czochralski(CZ)法等生长单晶硅锭之后通过一系列工艺制造的。之后，通过诸如将预定离子注入晶片并形成电路图案的工艺来制造半导体。
硅晶片是半导体器件最基本的材料，而杂质或缺陷对半导体的制造过程或半导体成品都有巨大影响。在硅晶片中，点缺陷的性质和浓度由于晶锭的提拉速度V和生长的晶锭在熔体界面处的轴向温度梯度G而发生变化。
随着V/G的增加，空位的浓度增加，而随着V/G的降低，空位的浓度降低，间隙硅的浓度增加。之后，在生长的单晶硅锭的冷却过程中，发生点缺陷之间的反应或点缺陷与硅(Si)之间的反应，从而产生取决于点缺陷的类型(空位或间隙硅)和点缺陷的浓度的晶体缺陷。
由于作为典型晶体缺陷的晶体原生颗粒(COP)或大位错坑(LDP)对半导体制造产率具有巨大影响，因此需要制造没有COP或LDP的无缺陷(无晶体缺陷)硅晶片。
特别是，随着半导体设计规则变得更加精细，以前不影响半导体器件的微缺陷现在会影响半导体器件，因此需要控制更小的晶体缺陷。
单晶硅锭的点缺陷行为由V/G值决定。随着V/G值的增加，产生空洞缺陷(COP)，而随着V/G值的降低，产生LDP，而在V/G值高的部分和V/G值低的部分之间，按V/G值减小(从高到低)的顺序，存在O带区域(在高温氧化热处理过程中产生氧析出物形式的缺陷并产生氧化诱导堆垛层错(OISF)的区域)、空位主导纯(VDP)区域(存在氧析出物，但是氧析出物的尺寸小于O带区域中的氧析出物)、间隙主导纯(IDP)区域、以及B带区域。因此，需要对产生生长缺陷的区域进行控制，同时在晶体生长阶段提前识别无缺陷区域中的点缺陷的分布，准确区分O带区域、VDP区域和IDP区域的边界。
O带区域、VDP区域、IDP区域和B带区域可以通过韩国专利公开第10-0763834、10-2037748和10-2060085号等中公开的铜雾度法和乳雾度法来区分，而之前没有明确区分的O带区域和VDP区域之间的缺陷区域可以通过反应离子蚀刻(RIE)来区分。
图1所示为上述单晶的提拉速度与结晶缺陷区域之间的关系。
在评估RIE缺陷区域时，需要昂贵的RIE设备(例如干法蚀刻机)。此外，由于存在的VDP区域中的RIE区域靠近O带区域设置，因此在使用乳雾度评估法或铜雾度法时，存在工艺复杂、分析时间增加等困难。
发明内容
因此，本发明涉及一种评估晶片上的缺陷区域的方法，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明的一个目的在于，提供一种准确评估晶片上的RIE缺陷区域的方法。
本发明的其他优点、目的和特征将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地在本领域普通技术人员查看以下内容后变得显而易见，或者可以从本发明的实践中获知。本发明的目的和其他优点可以通过记载的说明书和权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现这些目的和其他优点，并且根据本发明的目的，如本文所体现和广泛描述的，提供一种评估晶片上的缺陷区域的方法，该方法包括制备镜面抛光晶片、对晶片进行热处理、清洗晶片以除去在热处理过程中形成的氧化膜、对晶片进行抛光、评估晶片表面上的缺陷。
评估晶片上的缺陷区域的方法还可以包括对评估晶片表面上的缺陷时检测到的氧析出物的尺寸进行分类。
热处理可以在900℃-1100℃的温度下进行1-16小时。
镜面抛光晶片可以具有含有氧析出物的反应离子蚀刻(RIE)缺陷区域，并且RIE缺陷区域可以设置在O带区域和空位主导纯(VDP)区域之间。本文中，O带区域可以是在边缘区域或中心区域中以环状产生氧化诱导堆垛层错(OISF)缺陷的区域，而VDP区域可以是空位占主导地位的区域。
在热处理中，晶片表面上可能会形成氧化膜，氧析出物尺寸可能会变大，并可能形成新的氧析出物。
可以使用氢氟酸来除去氧化膜。
评估晶片表面上的缺陷可以使用粒子计数器(P-counter)或MAGICS(用于千兆位图案检测的多图像采集与共焦系统)来进行。
在评估晶片表面上的缺陷时，可以确定RIE缺陷区域。本文中，RIE区域可以是具有三个或更多连续点的区域，每个点的氧析出物密度为2ea/cm2或更高，并且密度通过在对评价晶片表面上的缺陷时检测到的氧析出物的尺寸进行分类后计算在晶片径向上每隔1毫米的氧析出物的密度而获得。
应当理解，本发明的上述一般描述和以下的详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在对所要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
附图为了提供对本发明的进一步理解而包括在本申请中并构成本申请的一部分，这些附图说明了本发明的一个或多个实施方式并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1所示为单晶的提拉速度与结晶缺陷区域之间的关系；
图2为根据本发明的评估晶片缺陷区域的方法的一实施方式的流程图；
图3所示为取决于V/G变化的点缺陷的浓度和氧析出物的分布；
图4A-4D所示为晶片热处理前后、热处理后的清洗、抛光工艺中原状缺陷的变化；
图5所示为通过本发明的方法获得的仅反应离子蚀刻(RIE)缺陷的分布；
图6所示为通过计算径向上的缺陷密度并将缺陷密度等于或大于预定值的区域定义为RIE区域并除去评价过程中产生的噪声而获得的面内RIE缺陷的量化分布；以及
图7所示为现有技术的RIE评价方法与本发明的RIE评价方法的比较。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述本发明的实施方式。
本发明的实施方式可以修改为各种形式，本发明的范围不应该被解释为限于以下实施方式。提供这些实施方式是为了使本公开更加透彻和完整，并将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。
此外，以下说明书中使用的诸如“第一”、“第二”、“上/上面/上方”和“下/下面/下方”等相对术语可以用于区分任何一种物质或元素与另一种物质或元素，其不要求或暗示这些物质或元素之间的任何物理或逻辑关系或顺序。
图2为根据本发明的评估晶片缺陷区域的方法的一实施方式的流程图。
根据本实施方式的评估晶片上的缺陷区域的方法包括在步骤S110中制备镜面抛光晶片、在步骤S120中对晶片进行热处理、在步骤S130中清洗晶片以除去在热处理过程中形成的氧化膜、在步骤S140中对晶片进行抛光、在步骤S150中评估晶片表面上的缺陷、以及在步骤S160中对评估晶片表面上的缺陷时检测到的氧析出物的尺寸进行分类。
在下文中，将参照图3-7描述根据上述实施方式的评估晶片上的缺陷区域的方法。
首先，制备镜面抛光晶片。在此，可以对晶片实施对通过Czochralski法等生长的单晶硅锭的外周面进行加工的磨削工艺、将单晶硅锭薄切为晶片的切片工艺、将晶片抛光至所需厚度以改善平坦度的研磨工艺、除去晶片内部损坏层的蚀刻工艺、以及用于表面镜面抛光和改善平坦度的抛光工艺。
图3所示为基于V/G变化的点缺陷的浓度和氧析出物的分布。
通过上述工艺制备的镜面抛光晶片的点缺陷的浓度和氧析出物的分布如图3所示。如图所示，在V/G高的富V区域中，晶体原生颗粒(COP)的密度高，而在O带区域和空位主导纯(VDP)区域中，产生原状氧析出物。在此，为了将氧析出物与后述的热处理中产生的氧析出物区别开来，有时将该氧析出物称为原状氧析出物。
RIE缺陷区可以设置在O带区域和VDP区域之间。本文中，O带区域可以是在边缘区域或中心区域中以环状产生氧化诱导堆垛层错(OISF)缺陷的区域，而VDP区域可以是空位占主导地位的区域。反应离子蚀刻(RIE)缺陷区域可以包括上述的原状氧析出物。
这里，O带区域和VDP区域之间的区别在于，在空位浓度相对较高的O带区域中，原状氧析出物的尺寸大，并且原状氧析出物的密度高，而在空位浓度相对较低的VDP区域中，原状氧析出物的尺寸可能会减小，并且其形成频率可能会逐渐降低。
如图3所示，由于在生长单晶锭的同时确定原状氧析出物的缺陷分布，因此块体方向上的密度差异不大。即，晶片表面上的缺陷分布(密度)和块体上的缺陷分布(密度)在相同位置处相似。
由于原状氧析出物造成的缺陷尺寸非常小，难以直接评价缺陷，因此可以在进行热处理而生长缺陷后检测原状氧析出物的分布。但是，由于取决于热处理的温度或持续时间，原状氧析出物导致的缺陷可能被溶解或可能产生新的氧析出物，因此设置热处理条件是非常重要的。
图4A-4D所示为晶片热处理前后、热处理后的清洗、抛光工艺中原状缺陷的变化。
图4A中，作为RIE缺陷的原状缺陷显示在镜面抛光晶片上。
图4B中，晶片可以在900℃-1100℃的温度下进行1-16小时热处理。通过热处理，可以在晶片表面上形成氧化膜，并且一些原状氧析出物的尺寸可以生长。在此，有必要尽量减少新的氧析出物(BMD，块体微缺陷Bulk Micro Defect)的生长。
由于原状氧析出物需要生长到大于表面缺陷检查设备(P-counter或MAGICS)所能够检测的尺寸，这将在后面描述，因此氧析出物需要在900℃-1100℃的温度下进行1-16小时的热处理，相较于一般半导体器件上进行的氧化热处理，其为更高的温度和更长的持续时间。
之后，如图4C所示，使用氢氟酸(HF)除去图4B的热处理中产生的氧化膜。
此外，由于在热处理过程中发生氧外扩散，因此难以在晶片的近表面上生长氧析出物，因此如图4D所示，将表面抛光几微米(μm)，例如1-10微米。
此外，在抛光工艺完成后使用诸如P-counter或MAGICS等表面缺陷检查设备时，不仅会检测到尺寸增长的原状氧析出物，还会检测到上述热处理过程中新产生的氧析出物、抛光诱发的缺陷(PID)、颗粒等。
因此，为了仅识别由原状氧析出物所引起的缺陷分布，需要仅将存在于RIE区域中的缺陷与使用表面缺陷检查设备检测到的缺陷进行分类。
在本发明中，为了仅对存在于RIE区域的缺陷进行分类，使用检测表面缺陷时得到的缺陷大小。
即，由于在相同晶体区域中形成的大多数原状析出物的尺寸相似，因此可以确定热处理后额外生长的原状析出物的尺寸也相似。另外，具有相同性质的原状氧析出物的尺寸因诸如空位浓度等析出环境的不同而改变。具体而言，O带区域的原状氧析出物的尺寸最大，其尺寸按照RIE区域和VDP区域的顺序减小。
此外，通过热处理新形成的氧析出物与原状析出物相比具有较小的尺寸。同时，PID或颗粒可能以各种尺寸存在。
在本发明中，计算存在于晶片上的预定尺寸的缺陷的面内密度，从而设定一种状态，在该状态下，密度为预定值或更大(该值取决于RIE条件)的各点作为标准在径向上连续存在。
图5所示为通过本发明的方法获得的仅反应离子刻蚀(RIE)缺陷的分布，图6所示为通过计算径向上的缺陷密度并将缺陷密度等于或大于预定值的区域定义为RIE区域并去除评价过程中产生的噪声而获得的面内RIE缺陷的量化分布。
在本发明中，在晶片的径向上以1毫米的间隔计算缺陷密度，并且具有三个或更多连续点且每个点的缺陷密度为2ea/cm2或更高的区域定义为RIE区域。但是，当对晶片执行的热处理的持续时间或温度改变时，上述密度标准可能会改变。
图5显示了两个样品晶片(晶片#1和晶片#2)的所有缺陷和通过上述方法分析和定义的RIE区域。
图6中，例如由蓝色圆圈表示的部分的密度为2ea/cm2，但是由于其不满足三个连续点的条件，因此该部分未被确定为RIE区域。
图7所示为现有技术的RIE评价方法与本发明的RIE评价方法的比较。
本发明中，考虑评估晶片(200mm)的余量而采用保守条件。基于铜雾度法中的VDP宽度，在相关领域的RIE评估方法中，当VDP宽度为30mm或更大时，产生RIE区域，而在本发明的RIE评估方法中，当VDP宽度为29mm或更大时，产生RIE区域。因此，证实了两种方法的结果匹配良好。
根据本发明的评估晶片上的缺陷区域的方法可以排除在热处理和抛光过程中添加的缺陷，并且可以使用预定尺寸或更大的缺陷的面内密度来定义RIE缺陷区域。
对于本领域的技术人员来说显而易见的是，在不脱离本发明的主旨或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变化。因此，本发明旨在覆盖本发明的修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。

Claims (8)

1.一种评估晶片上的缺陷区域的方法，该方法包括：
制备镜面抛光晶片；
对晶片进行热处理；
清洗晶片以除去在热处理过程中形成的氧化膜；
对晶片进行抛光；和
评估晶片表面上的缺陷。
2.如权利要求1所述的方法，其进一步包括：
对评价晶片表面上的缺陷时检测到的氧析出物的尺寸进行分类。
3.如权利要求1所述的方法，其中，热处理在900℃-1100℃的温度下进行1-16小时。
4.如权利要求1所述的方法，其中，镜面抛光晶片具有反应离子蚀刻(RIE)缺陷区域，其含有氧析出物，
其中RIE缺陷区域设置在O带区域和空位主导纯(VDP)区域之间，并且
其中：
O带区域是在边缘区域或中心区域中以环状产生氧化诱导堆垛层错(OISF)缺陷的区域，并且
VDP区域是空位占主导地位的区域。
5.如权利要求1所述的方法，其中，在热处理中，在晶片表面上形成氧化膜，氧析出物尺寸增大，并形成新的氧析出物。
6.如权利要求1所述的方法，其中，使用氢氟酸除去氧化膜。
7.如权利要求1所述的方法，其中，评估晶片表面上的缺陷使用粒子计数器(P-counter)或MAGICS(用于千兆位图案检测的多图像采集与共焦系统)来进行。
8.如权利要求1所述的方法，其中，在评估晶片表面上的缺陷时确定RIE缺陷区域，并且
其中，RIE区域是具有三个或更多连续点的区域，每个点的氧析出物密度为2ea/cm2或更高，并且密度通过在对评价晶片表面上的缺陷时检测到的氧析出物的尺寸进行分类后计算在晶片径向上每隔1毫米的氧析出物的密度而获得。
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