CN115895595A - 氧化铈抛光粒子及抛光浆料组合物 - Google Patents

氧化铈抛光粒子及抛光浆料组合物 Download PDF

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Abstract

本发明涉及氧化铈抛光粒子及抛光浆料组合物，更具体地，包括铈元素；及改性剂，并且，满足通过1次粒径与2次粒径的关系式计算的聚集率的氧化铈抛光粒子及包括其的抛光浆料组合物。

Description

氧化铈抛光粒子及抛光浆料组合物
技术领域
本发明涉及纳米氧化铈抛光粒子及包括其的抛光浆料组合物。
背景技术
化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)工艺是通过将含有抛光粒子的浆料施加到基板上并使用安装在抛光装置上的抛光垫来实现。此时，抛光粒子受到来自抛光装置的压力而对表面进行机械抛光，抛光浆料组合物中所含的化学成分与基板表面发生化学反应，从而化学去除基板的表面部分。
通常，抛光浆料组合物的类型根据去除对象的类型和特性有所不同。其中，用于选择性去除特定抛光膜的抛光浆料组合物非常多样，但近来在半导体装置结构中，需要能够同时抛光氧化硅膜、氮化硅膜和多晶硅膜的浆料组合物。但现有的浆料组合物不能选择性地抛光氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜，存在无法得到所期望的抛光速度、产生缺陷、划痕、由于分散稳定性低产生结块等问题。此外，当氧化铈粒子是具有棱角的晶粒形状并且粒径分布广时，多晶硅膜会不可避免地产生微划痕。此外，为了改善抛光膜质的缺陷和划痕，并改善图案中的凹陷和腐蚀(Erosion)，有必要应用小的粒子，这一需求正在不断增加。
氧化铈纳米粒子合成技术(Rhodia公司，专利10-1139110)由以下步骤构成：向铈盐中添加碱以获得沉淀物；在惰性气氛下对所得沉淀物进行热处理；以及将热处理获得的介质进行酸化处理并洗涤来获得悬浮液。通过上述方式制备的氧化铈纳米粒子的缺点在于，通过添加碱获得的沉淀物会因其pH导致粒子结块，而这些结块难以通过酸化和洗涤再次粉碎。
在应用纳米氧化铈粒子的专利(HITACHI公司，专利10-0512134)中，粒子的1次粒径小，但2次粒径大。
为了分散纳米粒子，需要经过各种工艺或进行化学添加和处理，纳米粒子在合成过程中虽然具有纳米级大小，但在水溶液中会发生聚集导致粒径增大。粒径越小，这种聚集现象越强烈，而发生聚集的粒子很难再次分散。因此，需要提供防止粒子间的聚集，并且维持良好分散性的氧化铈纳米粒子及包括其的抛光浆料组合物。
发明内容
要解决的技术问题
本发明为解决上述言及的问题，提供一种抛光浆料组合物，可以抑制聚集为2次粒子，由此提供具有均匀分散性的纳米氧化铈抛光粒子，提高分散性与抛光膜质的抛光率。
然而，本发明要解决的技术问题并不受限于上述言及课题，未言及的其他课题将通过下面的记载由本领域普通技术人员明确理解。
解决问题的技术方案
根据本发明的一实施例涉及一种氧化铈抛光粒子，包括：铈元素；以及
改性剂，基于下面的公式1的聚集比率(A)是1.5至2.5：
[公式1]
A＝[2次粒径]/[1次粒径]
在公式1中，1次粒径是公式2的r值，
所述2次粒径是用动态光散射(Dynamic Light Scattering，DLS)方法测量的值；
[公式2]
Figure BDA0003818639980000021
在公式2中，S0是比表面积，r是粒子的半径，p是物质的密度。
根据本发明的一实施例，所述抛光粒子的比表面积(BET)是31m2/g以上。
根据本发明的一实施例，根据所述公式2的1次粒径是25nm以下。
根据本发明的一实施例，所述抛光粒子的2次粒径是5nm至50nm。
根据本发明的一实施例，所述抛光粒子的密度是6.7g/cm3至7.7g/cm3。
根据本发明的一实施例，所包括的所述改性剂的浓度是0.01M至1M。
根据本发明的一实施例，所述铈元素与所述改性剂的摩尔比是1：0.1至1：1。
根据本发明的一实施例，所述改性剂包括从由非离子化合物及多糖组成的群组中选择的至少任一种。
根据本发明的一实施例，所述非离子化合物包括从由聚乙二醇(PEG)、聚丙二醇(PPG)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚甘油、聚乙烯醇(PVA)、环氧乙烷-环氧丙烷共聚物(ethylene oxide-propylene oxide copolymer)、聚乙烯-丙烯共聚物(polyethylene-propylene copolymer)、聚烷基氧化物(polyalkyl oxide)、聚氧乙烯醚(PEO)、聚环氧乙烷(polyethylene oxide)及聚环氧丙烷(polypropylene oxide)组成的群组中选择的至少一种。
根据本发明的一实施例，所述多糖包括从由葡聚糖(dextran)、糊精(dextrin)、麦芽糊精(maltodextrin)、环糊精(cylodextrin)、淀粉糊精(amylodextrin)、糖原(glycogen)及菊粉(inulin)组成的群组中选择的至少一种。
根据本发明的一实施例，涉及一种包括本发明的氧化铈抛光粒子的抛光浆料组合物。
根据本发明的一实施例，所述抛光粒子是所述浆料组合物中的0.01重量％至5重量％。
根据本发明的一实施例，还包括pH调节剂。
根据本发明的一实施例，所述pH调节剂包括酸性物质，所述酸性物包括从由盐酸、硫酸、硝酸、亚硝酸、过硫酸、亚硫酸、次硫酸、硼酸、磷酸、亚磷酸、次磷酸、过磷酸、高氯酸、亚氯酸、次氯酸、溴酸、亚溴酸、次溴酸、过溴酸、碘酸、次碘酸、高碘酸、氟化氢、三氟化硼、四氟硼酸、氢氟酸、甲酸、丙二酸、马来酸、草酸、己二酸、柠檬酸、醋酸、丙酸、富马酸、水杨酸、庚二酸、苯甲酸、琥珀酸、邻苯二甲酸、丁酸、戊二酸、谷氨酸、乙醇酸、乳酸、天冬氨酸、酒石酸及各自的盐组成的群组中选择的至少一种。
根据本发明的一实施例，所述抛光浆料组合物的pH是2至11。
根据本发明的一实施例，所述抛光浆料组合物具有正ζ-电位。
发明效果
本发明提供的抛光粒子，其在合成时大比例地获得几乎具有单分散性的1次粒子(as-prepared particle)，并且提供包括该抛光粒子的抛光浆料组合物，所述抛光粒子或所述抛光浆料组合物通过1次分散具有优秀的分散性，同时提供优秀的抛光率。
具体实施方式
下面详细说明本发明的实施例。在说明本发明时，当认为相关公知功能或结构的具体说明会不必要地混淆本发明的要旨时，省略对其详细说明。并且，本说明书中的术语用于适当描述本发明的优选实施例，会根据使用者、操作者的意图或者本发明所属技术领域的惯例有所不同。因此，对于术语的定义应以整体说明书内容为依据。
在整体说明书中，当说明一个部件位于另一部件“上”时，不仅包括一个部件与另一部件接触的情况，还包括又一部件存在于两个部件之间的情况。
在整体说明书中，当说明一个部分“包括”某个构成要素时，是指可能进一步包括其他构成要素，并非排除其他构成要素。
下面将参照实施例具体说明氧化铈抛光粒子及抛光浆料组合物。然而，本发明并不受限于这些实施例。
本发明涉及氧化铈抛光粒子，根据本发明的一实施例，所述氧化铈抛光粒子可以包括铈元素；及改性剂。
在本发明中，所述氧化铈是氧化铈或氧化铈(IV)(Cerium(IV)oxide)，根据本发明的一实施例，所述氧化铈抛光粒子的基于下面公式1的粒子聚集率(Aggregate Ratio)可以满足1.5至2.5。
为测量粒子的分散性，所述粒子聚集率可以通过对粒子比表面积进行分析的BET分析来预测粒子的1次粒径，由于合成的纳米粒子接近球形，因此可以通过下面的公式(2)计算比表面积和粒子1次粒径之间的相关性。
粒子聚集率定义为所述计算得到的粒子的1次粒径和通过动态光散射(DynamicLight Scattering，DLS)分析计算的2次粒径之比，当包括在上述范围中时，则将氧化铈抛光粒子定义为均匀分散的粒子，几乎具有单分散(Mono dispersion)特性。
在抛光浆料组合物中，要实现现有的纳米粒子分散需要增加多个工艺或进行化学等添加，但本发明的氧化铈抛光粒子不需要这些工艺以及化学添加就可以提供分散性，并有助于提高抛光浆料组合物的抛光率。
[公式1]
A＝[2次粒径]/[1次粒径]
在公式1中，1次粒径是下面的公式2的r值，所述2次粒径是通过动态光散射(Dynamic Light Scattering，DLS)方法测量的值。
[公式2]
Figure BDA0003818639980000041
(在公式2中，S0是比表面积，r是粒子的半径，p是物质的密度。)
例如，将通过BET分析计算的1次粒径与通过DLS粒径分析法得到的2次粒径带入到公式1中，当公式1的值满足上述范围时，可以定义为单分散粒子，当发生粒子聚集时，公式1的值会超过2.5，当适用到抛光浆料组合物时，会降低抛光膜质的抛光率，产生刮痕等缺陷。
例如，为获得所述公式1的值，两种测量方法可以应用相同的分散工艺，施加相同的能量进行分散来测量，例如，研磨工艺时的速度(RPM)、微珠大小(Bead size)、时间等相同条件下分散粒子，并分析BET比表面积与粒径，将相关值带入至公式1与公式2中。
作为本发明的一例，所述氧化铈抛光粒子的制备方法不受限制，只要是本发明的技术领域中公知的金属氧化物粒子的制备方法即可，优选水热合成法、溶胶凝胶法、沉淀法、共沉淀法、水热合成法(Hydrothermal synthesis)、过滤法、老化法(Aging Method)、喷雾干燥法、热蒸发法等，可使用如氮化铈、醋酸铈和磺酸铈等三价铈前驱体制备。通过上述方法合成的粒子可以具有纳米大小。
例如，所述氧化铈抛光粒子的1次粒径可以是25nm以下；1nm至25nm；或2nm至20nm，氧化铈抛光粒子的2次粒径可以是5nm至50nm；或10nm至40nm。当包括在所述粒径范围内时，在抛光组合物内分散稳定性优秀，可以在长时间的抛光工艺中防止性能低下，提高抛光率。
作为本发明的一例，所述氧化铈抛光粒子在合成工艺中利用非离子化合物进行表面改性，由此通过防止发生粒子间聚集来阻止聚集成2次粒子，从而提供单分散水平或接近该水平的粒子分散性，这可以在抛光浆料组合物中维持粒子分散性，改善抛光率。例如，所述非离子化合物是在水溶液状态中具有非离子特性的化合物，在氧化铈粒子合成过程中，将非离子化合物作为模板，从而利用粒子之间位阻效应(Steric effect)来提供分散性良好的粒子，合成时在粒子间赋予位阻效应来抑制粒子间聚集。
作为本发明的一例，所述氧化铈抛光粒子的比表面积是31m2/g以上；40m2/g以上；31m2/g至200m2/g；或40m2/g至150m2/g，当包括在所述比表面积范围时，能够充分确保抛光对象膜与接触部分的面积，提供高水平的抛光速度，降低抛光对象膜的表面刮痕与凹陷。可以利用BET(Brunauer-Emmett-Teller)法来测量上述比表面积。例如，可以利用孔隙度测量仪(Porosimetry analyzer；日本Bell公司，Belsorp-II mini)通过氮气吸附法用BET六点法来测量。
作为本发明的一例，所述抛光粒子可以具有6.7g/cm3至7.7g/cm3的密度。
根据本发明的一实施例，可以包括浓度为0.01M至1M的所述改性剂，在所述范围内时，可以增加抛光粒子的抛光工艺参与率，提高抛光率。
作为本发明的一例，所述铈元素与改性剂的摩尔比可以是1：0.1至1：10；或1：0.5至1：5。
作为本发明的一例，所述氧化铈抛光粒子是混合三价铈前驱体与所述改性剂制备，所述三价铈前驱体与所述改性剂的摩尔比可以是1：0.1至1：10；或1：0.5至1：5。
作为本发明的一例，所述改性剂可以包括从由非离子化合物与多糖组成的群组中选择的至少任一种。
作为本发明的一例，所述非离子化合物可以包括从由聚乙二醇(PEG)、聚丙二醇(PPG)、聚(异丙二醇)、聚丁二醇、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚甘油、聚乙烯醇(PVA)、聚氧乙烯甲基醚、聚环氧乙烷-环氧丙烷共聚物(polyethylene oxide-polypropylene oxidecopolymer)、聚(乙二醇)封端的聚(丙二醇)(PEG-PPG-PEG嵌段共聚物)、聚乙烯-丙烯共聚物(polyethylene-propylene copolymer)、聚烷基氧化物(polyalkyl oxide)、聚氧乙烯醚(PEO)、聚环氧乙烷(polyethylene oxide)及聚环氧丙烷(polypropylene oxide)组成的群组中选择的至少一种。
作为本发明的一例，所述非离子化合物的重均分子量是3000以下；2500以下；或2000以下，或100以上；200以上；或300以上。
作为本发明的一例，所述多糖是由通过糖苷键结合的单糖单体的长链构成的聚合物碳水化合物分子，例如，可以包括从由葡聚糖(dextran)、糊精(dextrin)、麦芽糊精(maltodextrin)、环糊精(cylodextrin，例如，α-环糊精、β-环糊精、γ-环糊精)、淀粉糊精(amylodextrin)、糖原(glycogen)及菊粉(inulin)组成的群组中选择的至少一种。
本发明涉及包括本发明的氧化铈抛光粒子的抛光浆料组合物，还包括pH调节剂。
根据本发明的一实施例，所述抛光浆料组合物中包括的所述氧化铈抛光粒子是0.01至5重量％；0.05至2重量％；或0.05至1重量％。当所述抛光粒子的含量不到0.01重量％时，无法实现高水平的抛光率，当超过5重量％时，会导致抛光粒子的分散稳定性低，增加缺陷(Defect)，无法实现降低凹陷的效果。
根据本发明的一实施例，所述pH调节剂可以包括酸性物质，所述酸性物质包括从由盐酸、硫酸、硝酸、亚硝酸、过硫酸、亚硫酸、次硫酸、硼酸、磷酸、亚磷酸、次磷酸、过磷酸、高氯酸、亚氯酸、次氯酸、溴酸、亚溴酸、次溴酸、过溴酸、碘酸、次碘酸、高碘酸、氟化氢、三氟化硼、四氟硼酸、氢氟酸、甲酸、丙二酸、马来酸、草酸、己二酸、柠檬酸、醋酸、丙酸、富马酸、水杨酸、庚二酸、苯甲酸、琥珀酸、邻苯二甲酸、丁酸、戊二酸、谷氨酸、乙醇酸、乳酸、天冬氨酸、酒石酸及各自的盐组成的群组中选择的至少一种。例如，使用适当量的所述pH调节剂使得所述抛光浆料组合物的pH是2至11，优选地，将pH调节至4至7。
根据本发明的一实施例，所述抛光浆料组合物在pH为2至11的范围内具有正ζ-电位，例如，可以是10mV至100mV。
根据本发明的一实施例，所述抛光浆料组合物利用本发明的技术领域中公知的粒子分散装置进行分散，例如，可以使用均质混合、球磨、研磨、超声波分散等。
根据本发明的一实施例，所述抛光浆料组合物可以用于包括氮化硅膜、氧化硅膜、多晶硅膜及硅膜中的至少一种的半导体晶片的CMP抛光工艺。所述抛光浆料组合物可以用于以高抛光率去除氧化硅膜的工艺，或在以高抛光率去除氧化硅膜的同时对多晶硅膜或氮化硅膜停止抛光的工艺。在抛光工艺中，对于氧化硅膜的抛光率可以是
Figure BDA0003818639980000071
至
Figure BDA0003818639980000072
在下文中，将通过实施例更详细地描述本发明，但以下实施例仅用于说明的目的，并不旨在限制本发明的范围。
实施例1
添加三价铈前驱体(0.1M)以及作为非离子化合物的聚乙二醇(重均分子量：600，0.05M)，然后添加氨水溶液(0.3M)，以900rpm的速度搅拌4小时来合成氧化铈粒子。
进行分散使得合成的氧化铈粒子的含量达到0.1重量％，然后混合pH调节剂(醋酸)制备pH＝5的抛光浆料组合物。
实施例2
除使用0.1M聚乙二醇之外，按照与实施例1相同的方式合成氧化铈粒子并制备抛光浆料组合物。
实施例3
除使用0.5M聚乙二醇之外，按照与实施例1相同的方式合成氧化铈粒子并制备抛光浆料组合物。
实施例4
添加三价铈前驱体(0.1M)以及聚乙二醇(重均分子量：2000，0.1M)，然后添加氨水溶液(0.3M)，以900rpm的速度搅拌4小时来合成氧化铈粒子。
进行分散使得合成的氧化铈粒子的含量达到0.1重量％，然后混合pH调节剂(醋酸)制备pH＝5的抛光浆料组合物。
实施例5
除了将搅拌时间变更为8小时之外，按照与实施例4相同的方式合成氧化铈粒子并制备抛光浆料组合物。
实施例6
除了将搅拌时间变更为12小时之外，按照与实施例4相同的方式合成氧化铈粒子并制备抛光浆料组合物。
实施例7
除了将非离子化合物变更为聚甘油(重均分子量：310，0.1M)之外，按照与实施例1相同的方式合成氧化铈粒子并制备抛光浆料组合物。
实施例8
除了将非离子化合物变更为聚乙烯(重均分子量：500,0.1M)之外，按照与实施例1相同的方式合成氧化铈粒子并制备抛光浆料组合物。
实施例9
除了将非离子化合物变更为糊精(0.1M)之外，按照与实施例1相同的方式合成氧化铈粒子并制备抛光浆料组合物。
比较例1
添加三价铈前驱体(0.1M)与氨水溶液(0.3M)，然后以900rpm的速度搅拌4小时来合成氧化铈粒子。
进行分散使得合成的氧化铈粒子的含量达到0.1重量％，然后混合pH调节剂(醋酸)制备pH＝5的抛光浆料组合物。
比较例2
除了将搅拌时间变更为8小时之外，按照与比较例1相同的方式合成氧化铈粒子并制备抛光浆料组合物。
比较例3
除了将搅拌时间变更为12小时之外，按照与比较例1相同的方式合成氧化铈粒子并制备抛光浆料组合物。
比较例4
添加三价铈前驱体(0.1M)以及聚乙烯亚胺(重均分子量：610，0.1M)，然后添加氨水溶液(0.3M)，以900rpm的速度搅拌4小时来合成氧化铈粒子。
进行分散使得合成的氧化铈粒子的含量达到0.1重量％，然后混合pH调节剂(醋酸)制备pH＝5的抛光浆料组合物。
比较例5
添加三价铈前驱体(0.1M)以及聚丙烯酸(重均分子量：610，0.1M)，然后添加氨水溶液(0.3M)，以900rpm的速度搅拌4小时来合成氧化铈粒子。
进行分散使得合成的氧化铈粒子的含量达到0.1重量％，然后混合pH调节剂(醋酸)制备pH＝5的抛光浆料组合物。
氧化铈粒子的聚集率评价
氧化铈粒子是通过球磨的方式进行粒子分散，全部在相同状态下评价分散条件。
(1)抛光粒子的比表面积是通过BET(Brunauer-Emmett-Teller；BET)法，利用氮气吸附来求出氧化铈粒子的等温吸附曲线，利用Langmuir公式来计算氧化铈纳米粒子的比表面积。然后，将通过BET计算的比表面积带入公式(2)中计算1次粒径。其结果如表1及表2所示。
(2)2次粒径是在相同的研磨条件下进行粒子分散，通过动态光散射(DynamicLight Scattering，DLS)方式的粒径分析法对在相同条件下进行分散的粒子测量大小。其结果如表1及表2所示。
将表1及表2的1次粒径及2次粒径带入公式1中计算聚集率。其结果如表1及表2所示。
[公式1]
A＝[2次粒径]/[1次粒径]
[公式2]
Figure BDA0003818639980000091
在公式1中，
1次粒径是公式2的r，r是半径值，用其计算直径。
所述2次粒径是通过动态光散射(Dynamic Light Scattering，DLS)法测量的值。
在公式2中，S0是比表面积，r是粒子的半径，p是物质的密度，带入7.22。
评价ζ-电位
抛光浆料组合物的ζ-电位是用STABINO装置测量，其结果如表1及表2所示。
评价抛光特性
利用实施例及比较例的抛光浆料组合物，以下面的抛光条件来对含有PETEOS的基板进行抛光。
[抛光条件]
(1)抛光装置：ST#01(KCT)
(2)运载器(Carrier)rpm：60/63
(3)晶片压力(Wafer Pressure)：2psi
(4)流量(Flow rate)(ml/min):200
(5)垫：IC 1000
(6)时间：60s
(7)R-ring压力：4.5psi
为了评价抛光特性，利用实施例与比较例的抛光浆料组合物对PETEOS晶片基板抛光后测量抛光速度，其结果如表1所示。
【表1】
Figure BDA0003818639980000101
【表2】
Figure BDA0003818639980000102
参照表1及表2，提供一种抛光浆料组合物，其包括聚集率(Aggregate Ratio)，即通过BET计算的1次粒径与用DLS方式计算的2次粒径之比在1.5～2.5之间的抛光粒子，相比超出该范围的比较例，对于抛光对象膜的抛光率显著提高。
综上，通过有限的实施例进行了说明，本领域普通技术人员能够基于所述记载进行多种更改与变形。如果所说明的技术按照不同的顺序执行，和/或如果所说明的构成要素按照不同的形态进行结合或组合，或者由其他构成要素或者等同物置换或代替，也能得到适当的结果。因此，本发明的范围不是由实施例限定的，而是由权利要求书及其等同内容限定的，并且权利要求书及其等同内容范围内的所有变化都应被解释为包括在本公开中。

Claims (16)

1.一种氧化铈抛光粒子，其特征在于，
包括：
铈元素；以及
改性剂，
基于下面的公式1的聚集率(A)是1.5至2.5：
[公式1]
A＝[2次粒径]/[1次粒径]
在公式1中，1次粒径是公式2的r值，
所述2次粒径是用动态光散射方法测量的值；
[公式2]
Figure FDA0003818639970000011
在公式2中，S0是比表面积，r是粒子的半径，p是物质的密度。
2.根据权利要求1所述的氧化铈抛光粒子，其特征在于，
所述抛光粒子的比表面积(BET)是31m2/g以上。
3.根据权利要求1所述的氧化铈抛光粒子，其特征在于，
根据所述公式2的1次粒径是25nm以下。
4.根据权利要求1所述的氧化铈抛光粒子，其特征在于，
所述抛光粒子的2次粒径是5nm至50nm。
5.根据权利要求1所述的氧化铈抛光粒子，其特征在于，
所述抛光粒子的密度是6.7g/cm3至7.7g/cm3。
6.根据权利要求1所述的氧化铈抛光粒子，其特征在于，
所包括的所述改性剂的浓度是0.01M至1M。
7.根据权利要求1所述的氧化铈抛光粒子，其特征在于，
所述铈元素与所述改性剂的摩尔比是1：0.1至1：1。
8.根据权利要求1所述的氧化铈抛光粒子，其特征在于，
所述改性剂包括从由非离子化合物及多糖组成的群组中选择的至少任一种。
9.根据权利要求8所述的氧化铈抛光粒子，其特征在于，
所述非离子化合物包括从由聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚甘油、聚乙烯醇、环氧乙烷-环氧丙烷共聚物、聚乙烯-丙烯共聚物、聚烷基氧化物、聚氧乙烯醚、聚环氧乙烷及聚环氧丙烷组成的群组中选择的至少一种。
10.根据权利要求8所述的氧化铈抛光粒子，其特征在于，
所述多糖包括从由葡聚糖、糊精、麦芽糊精、环糊精、淀粉糊精、糖原及菊粉组成的群组中选择的至少一种。
11.一种抛光浆料组合物，其特征在于，
包括权利要求1所述的氧化铈抛光粒子。
12.根据权利要求11所述的抛光浆料组合物，其特征在于，
所述抛光粒子是所述浆料组合物中的0.01重量％至5重量％。
13.根据权利要求11所述的抛光浆料组合物，其特征在于，
还包括pH调节剂。
14.根据权利要求13所述的抛光浆料组合物，其特征在于，
所述pH调节剂包括酸性物质，所述酸性物包括从由盐酸、硫酸、硝酸、亚硝酸、过硫酸、亚硫酸、次硫酸、硼酸、磷酸、亚磷酸、次磷酸、过磷酸、高氯酸、亚氯酸、次氯酸、溴酸、亚溴酸、次溴酸、过溴酸、碘酸、次碘酸、高碘酸、氟化氢、三氟化硼、四氟硼酸、氢氟酸、甲酸、丙二酸、马来酸、草酸、己二酸、柠檬酸、醋酸、丙酸、富马酸、水杨酸、庚二酸、苯甲酸、琥珀酸、邻苯二甲酸、丁酸、戊二酸、谷氨酸、乙醇酸、乳酸、天冬氨酸、酒石酸及各自的盐组成的群组中选择的至少一种。
15.根据权利要求11所述的抛光浆料组合物，其特征在于，
所述抛光浆料组合物的pH是2至11。
16.根据权利要求11所述的抛光浆料组合物，其特征在于，
所述抛光浆料组合物具有正ζ-电位。
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