CN115894016A - 一种氧化锆陶瓷制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种氧化锆陶瓷制备方法，具体涉及氧化锆制备技术领域，提供原料，原料包括以下重量百分含量的组分：氧化锆75％～90％；氧化锰6～15％、氧化硅2％～5％和添加剂0.5％～2％；将原料投入研磨机，加入水，进行砂磨处理后得到浆液；将浆料经真空脱泡后流延成型，制成陶瓷生坯；将所述陶瓷生坯在高温温度条件下进行排胶，得到陶瓷素坯；将所述陶瓷素坯置于密闭的静压炉中，将温等静压后的生坯进行烧结，得到氧化锆陶瓷材料；本发明相对现有的陶瓷材料，其强度和韧性大大提升，也不会轻易发生形变、开裂等现象，使得该陶瓷材料的应用范围更广，容易加工。
Description
技术领域
本发明涉及氧化锆制备技术领域，具体涉及一种氧化锆陶瓷制备方法。
背景技术
氧化锆陶瓷是一种新型陶瓷材料，具备耐磨、耐腐蚀、高强度、高韧性、热稳定性好等诸多优良特性。与金属和塑料相比，氧化锆陶瓷具有莫氏硬度高、介电常数高、无信号屏蔽且生物相容性好的特点，在智能手机、可穿戴设备上具有广阔的应用前景，这使得氧化锆陶瓷以指纹识别盖板、手机后盖为起点，还将逐步切入移动终端产业链，成为继塑料和金属之后的第三大手机背板材料；现有的氧化锆陶瓷难以加工，在加工过程中容易崩缺，使得成品率交底，从而限制了氧化锆陶瓷的应用，为此设计一种氧化锆陶瓷制备方法解决以上问题。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明提出一种氧化锆陶瓷制备方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种氧化锆陶瓷制备方法，该氧化锆陶瓷制备方法，其包括如下步骤：
步骤1、提供原料，原料包括以下重量百分含量的组分：氧化锆75％～90％；氧化锰6～15％、氧化硅2％～5％和添加剂0.5％～2％；
步骤2、将原料投入研磨机，加入水，进行砂磨处理后得到浆液；
步骤3、将浆料经真空脱泡后流延成型，制成陶瓷生坯；
步骤4、将所述陶瓷生坯在高温温度条件下进行排胶，得到陶瓷素坯；
步骤5、将所述陶瓷素坯置于密闭的静压炉中，将温等静压后的生坯进行烧结，得到氧化锆陶瓷材料。
在本发明一个较佳实施例中，所述添加剂为自氧化镁和氧化钡中的至少一种。
在本发明一个较佳实施例中，所述步骤4中在700℃-800℃温度条件下进行排胶。
在本发明一个较佳实施例中，所述静压炉的压力为100Mpa-250Mpa，保温1h-2h降至室温。
本发明的有益效果是：采用上述结构后，从而能够显著改善加工性能，经实验测定，制成的氧化锆陶瓷的韧性和硬度匹配度较好，在静压炉中进行烧结，使得陶瓷材料的内部更加致密，减少气孔和裂纹；相对现有的陶瓷材料，其强度和韧性大大提升，也不会轻易发生形变、开裂等现象，使得该陶瓷材料的应用范围更广，容易加工。
附图说明
图1是本发明氧化锆陶瓷材料的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
实施例1：
如图1所示，一种氧化锆陶瓷制备方法，该氧化锆陶瓷制备方法，其包括如下步骤：
步骤1、提供原料，原料包括以下重量百分含量的组分：氧化锆90％；氧化锰6％、氧化硅2％％和氧化钡2％；
步骤2、将原料投入研磨机，加入水，进行砂磨处理后得到浆液；
步骤3、将浆料经真空脱泡后流延成型，制成陶瓷生坯；
步骤4、将所述陶瓷生坯在高温温度条件下进行排胶，在800℃温度条件下进行排胶得到陶瓷素坯；
步骤5、将所述陶瓷素坯置于密闭的静压炉中，所述静压炉的压力为100Mpa，保温2h降至室温将温等静压后的生坯进行烧结，得到氧化锆陶瓷材料。
实施例2：
如图1所示，一种氧化锆陶瓷制备方法，该氧化锆陶瓷制备方法，其包括如下步骤：
步骤1、提供原料，原料包括以下重量百分含量的组分：氧化锆88％；氧化锰9％、氧化硅2％和氧化镁1％；
步骤2、将原料投入研磨机，加入水，进行砂磨处理后得到浆液；
步骤3、将浆料经真空脱泡后流延成型，制成陶瓷生坯；
步骤4、将所述陶瓷生坯在高温温度条件下进行排胶，在800℃温度条件下进行排胶；得到陶瓷素坯；
步骤5、将所述陶瓷素坯置于密闭的静压炉中，所述静压炉的压力为250Mpa，保温1h降至室温将温等静压后的生坯进行烧结，得到氧化锆陶瓷材料。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“某些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (4)
1.一种氧化锆陶瓷制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、提供原料，原料包括以下重量百分含量的组分：氧化锆75％～90％；氧化锰6～15％、氧化硅2％～5％和添加剂0.5％～2％；
步骤2、将原料投入研磨机，加入水，进行砂磨处理后得到浆液；
步骤3、将浆料经真空脱泡后流延成型，制成陶瓷生坯；
步骤4、将所述陶瓷生坯在高温温度条件下进行排胶，得到陶瓷素坯；
步骤5、将所述陶瓷素坯置于密闭的静压炉中，将温等静压后的生坯进行烧结，得到氧化锆陶瓷材料。
2.根据权利要求1所述一种氧化锆陶瓷制备方法，其特征在于：所述添加剂为自氧化镁和氧化钡中的至少一种。
3.根据权利要求1所述一种氧化锆陶瓷制备方法，其特征在于：所述步骤4中在700℃-800℃温度条件下进行排胶。
4.根据权利要求1所述一种氧化锆陶瓷制备方法，其特征在于：所述静压炉的压力为100Mpa-250Mpa，保温1h-2h降至室温。
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