CN115884658A

CN115884658A - 压电层叠体及压电元件

Info

Publication number: CN115884658A
Application number: CN202211009262.5A
Authority: CN
Inventors: 中村诚吾; 小林宏之
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2021-09-27
Filing date: 2022-08-22
Publication date: 2023-03-31
Also published as: EP4156889A1; US20230098590A1; JP2023047912A

Abstract

本申请涉及压电层叠体及压电元件。本发明的目的在于提供一种与以往相比无需降低压电特性便可提高长期可靠性的压电层叠体及压电元件。压电层叠体及压电元件在基板上依次具备下部电极层、及包含钙钛矿型氧化物的压电膜。下部电极层包括：第2层，以与压电膜相接的状态配置；及第1层，比第2层更靠基板侧配置，第1层包含W、Mo、Nb及Ta中的一种以上作为主成分，第2层以Ir为主成分且第2层的厚度为50nm以下。

Description

压电层叠体及压电元件

技术领域

本发明涉及一种压电层叠体及压电元件。

背景技术

作为具有优异的压电特性及强介电性的材料，已知有钛酸锆酸铅(Pb(Zr，Ti)O₃，以下称为PZT。)等钙钛矿型氧化物。由钙钛矿型氧化物构成的压电体被用作在基板上具备下部电极、压电膜及上部电极的压电元件中的压电膜。该压电元件被扩展到存储器、喷墨头(致动器)、微镜器件、角速度传感器、陀螺仪传感器、超声波元件(PMUT：PiezoelectricMicromachined Ultrasonic Transducer：压电微机械超声换能器)及振动发电器件各种器件中。

将压电元件适用于器件时，压电特性高时有助于节能，因此期望压电元件的压电特性高。至此，为了提高压电特性，一直在研究压电膜的结晶性的改善及电极层的低电阻化等方法。

从与压电膜的粘附性及低电阻化的观点考虑，作为压电元件的下部电极层大多使用Ir层。另外，为了低电阻化，通常Ir层设为150nm以上的厚度。并且，Ir层与压电膜的粘附性良好，但与硅基板的粘附性不好，因此在Ir层与基板之间大多具备由TiW层或Ti层构成的粘附层(专利文献1、2)。

在专利文献3中，为了下部电极层的进一步低电阻化，提出层叠Ir层与Au层的层叠结构。通过使用导电性高于Ir的Au，下部电极层整体能够实现低电阻化。

专利文献1：国际公开第2016/051644号

专利文献2：日本特开2018-82052号公报

专利文献3：日本特开2010-056426号公报

在Ir层上成膜以钙钛矿型氧化物为主成分的压电膜时，存在在与下部电极层的界面容易生成异相即烧绿石相的问题。烧绿石相为普通电介质，因此形成烧绿石相时，发生介质常数的降低及压电常数的降低等压电特性的恶化。并且，在压电膜与下部电极层之间包含烧绿石相的压电元件与抑制烧绿石相的压电元件比较，容易发生剥离等，长期可靠性低。

如专利文献3，通过在下部电极层具备Au层而能够实现低电阻化。另一方面，可知在下部电极层具备Au层时，在专利文献1、2中公开的Ir层与TiW或Ti粘附层的层叠结构的情况相比，长期可靠性降低。认为这是因为在下部电极层上溅射成膜压电膜时，为了进行高温成膜而发生Au的扩散。推测为Au的熔点比较低，因此压电膜成膜时向压电膜中扩散而容易发生泄漏。

发明内容

本发明的技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种与以往相比无需降低压电特性便可提高长期可靠性的压电层叠体及压电元件。

用于解决上述课题的具体方法包括以下方式。

本发明的压电层叠体，在基板上依次具备下部电极层、及包含钙钛矿型氧化物的压电膜，

下部电极层包括：第2层，以与压电膜相接的状态配置；及第1层，比第2层更靠基板侧配置，

第1层包含W、Mo、Nb及Ta中的一种以上作为主成分，

第2层以Ir为主成分且第2层的厚度为50nm以下。

在本发明的压电层叠体中，第2层的厚度优选为45nm以下。

在本发明的压电层叠体中，在基板与第1层之间优选具备提高基板与第1层的粘附性的第1粘附层。

优选第1粘附层为TiW层。

在本发明的压电层叠体中，在第1层与第2层之间优选具备提高第1层与第2层的粘附性的第2粘附层。

优选第2粘附层为TiW层。

在本发明的压电层叠体中，优选第1层为W层。

在本发明的压电层叠体中，钙钛矿型氧化物优选是由下述通式(1)表示的化合物，

Pb{(Zr_xTi_1-x)_y-1B1_y}O₃ (1)，

0＜x＜1、0＜y＜0.4，

B1优选为选自V、Nb、Ta、Sb、Mo及W中的一种以上的元素。

在本发明的压电层叠体中，第2层的来自Ir的(111)面的X射线衍射峰的半峰半宽优选为0.3°以上。

在本发明的压电层叠体中，第2层是Ir在(111)面取向的单轴取向膜，(111)面相对于厚度方向优选具有1°以上的倾角。

在本发明的压电层叠体中，在下部电极层与压电膜的界面包含烧绿石相，烧绿石相的厚度优选为20nm以下。

本发明的压电元件具备：本发明的压电层叠体；及

设置在压电层叠体的压电膜上的上部电极层。

发明效果

根据本发明的压电层叠体及压电元件，与以往相比无需降低压电特性便能够提高长期可靠性。

附图说明

图1是表示一实施方式的压电元件的层结构的剖视图。

图2是本实施方式中的下部电极层的第2层(Ir层)的取向状态的说明图。

图3是在以往的压电元件中用作下部电极层的Ir层的取向状态的说明图。

图4是压电膜的放大示意图。

图5是表示变形例1的压电元件的层结构的剖视图。

图6是表示变形例2的压电元件的层结构的剖视图。

图7是表示实施例1的XRD图表的Ir(111)峰的图。

图8是表示关于实施例1的Ir(111)峰的摇摆曲线的图。

具体实施方式

以下，参考附图对本发明的实施方式进行说明。另外，在以下的附图中，由于容易视觉辨认，因此各层的层厚及该等的比率适当变更来描述，并不一定反映了实际的层厚及比率。

“第1实施方式的压电层叠体5及压电元件1”

图1是表示具备第1实施方式的压电层叠体5及压电层叠体5的压电元件1的层结构的剖面示意图。如图1所示，压电元件1具备压电层叠体5及上部电极层18。压电层叠体5具备基板10、及层叠在基板10上的压电膜15，所述压电膜15包含下部电极层12及包含钙钛矿型氧化物。在此，“下部”及“上部”并非是指垂直方向上的上下，只是将隔着压电膜15配置于基板10侧的电极称为下部电极层12，以及将关于压电膜15配置在与基板10相反的一侧的电极称为上部电极层18。

在本实施方式的压电层叠体5及压电元件1中，下部电极层12包括：第2层22，以与压电膜15相接的状态配置；及第1层21，比第2层22更靠基板10侧配置。第1层21包含W(钨)、Mo(钼)、Nb(铌)及Ta(钽)中的一种以上作为主成分。在此，“主成分”是指占构成元素的95wt％以上的成分。“一种以上作为主成分”是指，作为主成分可以仅包含W、Mo、Nb及Ta中的一种，作为主成分也可以组合包含两种以上。第1层21仅包含W、Mo、Nb及Ta中的一种时，其一种占95wt％以上。例如，第1层21仅包含上述群组中的W时，是指W占95wt％以上。并且，第1层21包含W、Mo、Nb及Ta中的两种以上时，是指所包含的两种以上的元素的合计占95wt％以上。例如，第1层21包含W和Mo作为主成分时，是指W的含量与Mo的含量的合计占95wt％以上。第1层21尤其优选为以W为主成分的层。W、Mo、Nb及Ta均为高熔点金属。在此，高熔点金属是指具有Fe(铁)的熔点1538℃以上的熔点的金属。

第2层22是以Ir为主成分的层，在以下中，有时将第2层22称为Ir层22。Ir层22的厚度t2为50nm以下。厚度t2优选小于50nm，更优选为45nm以下。并且，厚度t2优选为10nm以上。本发明人等发现通过将Ir层22的厚度t2设为50nm以下，优选设为小于50nm，能够抑制成膜在Ir层22上的压电膜15的成膜初期的烧绿石相的生长(参考实施例)。本发明人等推测为如下：通过将Ir层22的厚度t2设为50nm以下，Ir(111)面的优先取向不会充分取向，而能够设为结晶性低的状态，因此能够抑制压电膜15在成膜时的烧绿石相的生长。另外，通过将Ir层22的厚度设为10nm以上，能够使Ir层22形成为均匀的膜状，因此优选。

Ir层22的厚度为50nm以下，与以往比较更薄，因此具备第1层21可以使作为下部电极层12的导电性充分。

作为下部电极层12整体的厚度t，优选为150nm以上，更优选为160nm以上，进一步优选为170nm以上。

下部电极层12的厚度t及Ir层22的厚度t2能够由压电元件截面的扫描电子显微镜(SEM)图像、透射型电子显微镜(TEM)图像或SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry：二次离子质谱)分析来估算。

在Ir层22中的来自(111)面的X射线衍射峰(以下，称为Ir(111)峰。)的半峰半宽优选为0.3°以上。Ir(111)峰的半峰半宽更优选为0.35°以上。并且，Ir(111)峰的半峰半宽优选为0.45°以下，更优选为0.4°以下。

在此，Ir(111)峰的半峰半宽按如下测量。去除压电元件的上部电极层18，在基板10上具备下部电极层12和压电膜15的状态下，获取基于薄膜XRD(X-ray diffraction)衍射的XRD图表。对XRD图表中的Ir(111)峰，使用规定函数进行拟合。另外，Ir(111)峰在2θ＝40.7°附近显现。将表示由拟合曲线表示的峰的最大值的2θ值与成为最大值的半高的2θ值、即不与其他峰不重叠的一侧2θ值的间隔作为半峰半宽来求出(参考图7)。

通过溅射在基板上成膜Ir时，在(111)面优先取向而形成自然取向膜。结晶性与利用XRD衍射法获得的XRD图表(参考图7)中的Ir(111)峰的半峰半宽相关。Ir(111)峰的半峰半宽越宽，结晶性越低，且半峰半宽越窄，结晶性越高。半峰半宽为0.3°以上是指，Ir层22的(111)面的取向状态发生紊乱，且结晶性稍低的状态。

并且，在本实施方式中，Ir层22中，(111)面相对于厚度方向具有1°以上的倾角。

图2是示意地表示本实施方式的Ir层22的图，图中的粒子22a表示Ir元素。如图2所示，(111)面相对于厚度方向倾斜1°以上是指，与(111)面垂直的方向相对于[111]的厚度方向N的倾角α为1°以上。在此，厚度方向N是Ir层的厚度方向，是与基板10的面1Oa垂直的方向。实际的Ir层22包含多个结晶，各个结晶的(111)面的倾斜方向各不相同。在说明书中，Ir层22中的(111)面的倾角α的定义为由通过基于X射线衍射的摇摆曲线测量来测量的值。具体而言，关于(111)面的倾角α，在摇摆曲线测量数据中，通过(111)衍射峰的分裂宽度计算(参考实施例)。

Ir中(111)面为优先取向面，以往，如图3所示，以(111)面与厚度方向垂直，即将使[111]方向与厚度方向N为一致方式而取向的Ir层用作下部电极层。在如图3所示的结晶性高的Ir层上成膜由钙钛矿型氧化物构成的压电膜时，容易在成膜初期形成烧绿石相。与此相对，本发明人等发现，通过降低Ir层22的结晶性，能够抑制烧绿石相的生长(参考实施例)。

Ir(111)面在厚度方向N上优选具有1°以上且15°以下的倾角α，更优选具有1°以上且8°以下的倾角。

另外，第1层21中的(111)面相对于厚度方向N的倾角α越大，烧绿石相的生长的抑制效果越高而优选，另一方面，通过将倾角设为15°以下，能够抑制其他取向面成为优先取向面，因此优选。

下部电极层12的薄层电阻优选为1Ω/□以下，更优选为0.8Ω/□以下。薄层电阻能够通过使用电阻率计的四探针法来测量。

压电膜15包含由通式ABO₃表示的钙钛矿型氧化物。

通式中A是A位元素，是Pb、Ba(钡)、La(镧)、Sr、Bi(铋)、Li(锂)、Na(钠)、Ca(钙)、Cd(镉)、Mg(镁)及K(钾)中的一个或两个以上的组合。

通式中B是B位元素，是Ti、Zr、V(钒)、Nb(铌)、Ta(钽)、Cr(铬)、Mo(钼)、W(钨)、Mn(锰)、Fe(铁)、Ru、Co(钴)、Ir、Ni(镍)、Cu(铜)、Zn(锌)、Ga(镓)、In、锡、锑(Sb)及镧系元素中的一个或两个以上的组合。

通式中0是氧。

A∶B∶O以1∶1∶3为基准，但在能够获取钙钛矿结构的范围内可以存在偏差。

另外，优选为压电膜15的80mol％以上由钙钛矿型氧化物所占，更优选为90mol％以上由钙钛矿型氧化物所占。另外，压电膜15优选由钙钛矿型氧化物构成(但是包含不可避免的杂质。)。

作为钙钛矿型氧化物，优选包含Pb(鉛)，Zr(锆)，Ti(钛)及O(氧)的钛酸锆酸铅(PZT：lead zirconate titanate)系。

尤其，钙钛矿型氧化物优选为在PZT的B位包含添加物B且由下述通式(1)表示的化合物。

Pb{(Zr_xTi_1-x)_1-yB1_y}O₃ (1)

在此，B1优选为选自V(钒)，Nb(铌)，Ta(钽)，Sb(锑)，Mo(钼)及W(钨)中的一种以上的元素。B1最优选为Nb。其中，0＜x＜1、0＜y＜0.4。另外，在通式(1)中，Pb∶{(Zr_xTi_1+x)_1-yB_y}∶O以1∶1∶3为基准，但可以在能够获取钙钛矿结构的范围内存在偏差。

B1可以是仅V或仅Nb等的单一元素，也可以是V与Nb的混合、或者V、N与Ta的混合等两个或三个以上元素的组合。B1为这些元素时，能够与A位元素的Pb组合来实现非常高的压电常数。

另外，如在图4示出剖面示意图，压电膜15优选为具有包含多个柱状晶体17的柱状结构的柱状结构膜。多个柱状晶体17优选为相对于基板10(参考图1)的表面不平行地延伸，且与结晶方位的相同的单轴取向膜。通过设为取向结构，能够获得更大的压电性。另外，压电膜15在与下部电极层12的第2层22的界面处包含烧绿石相16。详细内容进行后述，但是烧绿石相16处于被充分抑制的状态。烧绿石相16优选为20nm以下。另外，烧绿石相16在下部电极层12的表面并非均匀地形成，而如图4所示局部生长。烧绿石相16的厚度的计算方法在实施例中进行说明。

并且，在图4所示的例子中，柱状结晶的长边方向相对于基板的法线(厚度方向N)具有1°以上的倾角β。其意味着，压电膜15中，其取向面相对于基板的表面具有1°以上的倾角。另外，在此，取向面为(100)面或(001)面。如此，在压电膜15中，柱状结晶的(100)面或(001)面相对于基板的表面优选倾斜1°以上。在本例中，钙钛矿结构中的a轴与c轴的晶格常数大致相等，利用基于XRD的分析无法区分(100)面与(001)面。然而，通过XRD分析能够确认是至少在任一面上取向的取向膜

压电膜15的厚度一般为200nm以上，例如为0.2μm～5μm，但优选为1μm以上。

作为基板10并无特别限制，可以举出硅、玻璃、不锈钢、钇稳定化锆、氧化铝、蓝宝石、碳化硅等基板。作为基板10，可以使用在硅基板的表面形成有SiO₂氧化膜的附带热氧化膜的硅基板等层叠基板。

上部电极层18与下部电极层12成对，是用于对压电膜15施加电压的电极。作为上部电极层18的主成分并无特别限制，除了通常在半导体工艺中使用的电极材料之外，还可以举出ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)、LaNiO₃及SRO(SrRuO₃)等导电性氧化物、及它们的组合。

上部电极层18的层厚并无特别限制，优选为50nm～300nm左右，更优选为100nm～300nm。

如上述，在本发明的压电层叠体5及压电元件1中，下部电极层12包括：第2层22，以与压电膜15相接的状态的配置；及第1层21，比第2层22更靠基板10侧配置。然后，第1层21包含W、Mo、Nb及Ta中的一种以上作为主成分，第2层22以Ir为主成分且第2层22的厚度为50nm以下。如已叙述，通过溅射成膜而在基板上成膜的Ir层在(111)面上优先取向。该(111)面取向的取向性在Ir层22的厚度越厚时变得越高。以往，为了下部电极层的低电阻化，Ir层通常将厚度设为150nm左右以上，沉积至150nm时的Ir层的结晶性非常高。本发明人等发现，在Ir层上成膜钙钛矿型氧化物的压电膜时，Ir层的结晶性过高时，烧绿石相容易生长，通过使Ir层的结晶性低于以往，能够抑制烧绿石相的生长。若作为第2层22的以Ir为主成分的层(Ir层22)的厚度为50nm以下，则成为结晶性仍未充分高的状态。因此，通过在厚度50nm以下的第2层22上形成以钙钛矿型氧化物为主成分的压电膜15，能够抑制烧绿石相的生长。因为能够抑制烧绿石相，所以能够提高压电特性，且能够提高长期可靠性。并且，通过将Ir层22的厚度设为50nm以下，能够使Ir的使用量少于以往，因此能够抑制下部电极层12的材料费，能够抑制制造成本。

并且，通过将以往的Ir层设为150nm左右以上，实现了下部电极层的低电阻化，但是已知作为阻碍提高长期可靠性的原因，存在Ir层的应力大的问题。在本发明的压电层叠体5及压电元件1中，下部电极层12的第2层22(在此为Ir层22)为50nm以下，因此与以往具备150nm左右的Ir层的情况相比时应力小。第1层21通过将第2层22设为50nm以下来补偿所降低的导电性。W、Mo、Nb及Ta均能够实现与Ir层单层时具有同等的电阻率的下部电极层。并且，这些金属以溅射成膜方式形成时，与Ir相比，应力均更小。因此，能够提高长期可靠性。

并且，构成第1层21的W、Mo、Nb及Ta与Au相比，充分熔点均更高，因此即使将压电膜15的成膜温度设为高温(例如700℃)时也不易发生扩散，与如专利文献3具备Au层时相比，能够抑制长期可靠性的降低。

另外，通过将第2层22的厚度设为45nm以下，能够更加降低Ir层的结晶性。因此，能够进一步抑制压电膜15成膜时的烧绿石相的生长，能够进一步实现提高压电特性及长期可靠性。

在本实施方式的压电层叠体5及压电元件1中，作为第2层22的Ir层22是在Ir(111)面取向的单轴取向膜，来自Ir的(111)面的X射线衍射峰的半峰半宽为0.3°以上。如已叙述，X射线衍射峰的半峰半宽为0.3°以上是指，Ir层22的结晶性稍低，在作为优先取向面的(111)面不充分取向的状态。然后，在Ir(111)面发生紊乱时，可以抑制在包含设置在上层的钙钛矿型氧化物的压电膜15成膜时烧绿石相生长。因为能够充分抑制烧绿石相，所以能够获得具备包含良好的钙钛矿型氧化物的压电膜15的压电层叠体5及压电元件1。因为具备抑制烧绿石相的压电膜15，所以能够获得高的压电特性，并且能够获得比以往更高的驱动稳定性。

另外，若Ir层22的来自Ir(111)面的X射线衍射峰的半峰半宽为0.35°以上，则能够更加提高烧绿石相的生长抑制效果，其结果，能够进一步提高压电特性及驱动稳定性。

并且，若来自Ir(111)面的X射线衍射峰的半峰半宽为0.45°以下，优选为0.4°以下，则能够将Ir层22的电阻值及与压电膜15的粘附性维持在与结晶性高的Ir层同等的同时，抑制烧绿石相的生长。

在本实施方式的压电层叠体5及压电元件1中，作为第2层的Ir层22的Ir(111)面相对于厚度方向具有1°以上的倾角。其表示，Ir(111)面的取向性发生紊乱，与半峰半宽为0.3°以上时相同，结晶性低。通过Ir(111)面的取向性稍微降低的状态，依然能够获得烧绿石相的抑制效果。

压电膜15包含钙钛矿型氧化物，但尤其在包含含有Pb的钙钛矿型氧化物时，因为Pb容易脱离，在成膜初期容易形成烧绿石相。因此，通过来自Ir(111)面的X射线衍射峰的半峰半宽为0.3°以上，烧绿石相抑制效果特别高。含有Pb的钙钛矿型氧化物中，包含Pb，Zr，Ti及O的PZT系钙钛矿型氧化物的压电特性高，因此尤其优选。尤其，钙钛矿型氧化物是由下述通式(1)表示的化合物，

Pb{(Zr_xTi_1-x)_y-1B1_y}O₃ (1)，

0＜x＜1、0＜y＜0.4，

若B1为选自V、Nb、Ta、Sb、Mo及W中的一种以上的元素，则获得更高的压电特性。

在上述实施方式中，下部电极层12为第1层21及第2层22的双层结构，但是也可以包含其他层。

将压电层叠体5及压电元件1的变形例示于图5及图6。在图5及图6中，对与图1所示的构成要件相同的构成要件标注相同的符号并省略详细说明。

在图5所示的变形例1的压电层叠体5A及压电元件1A中，下部电极层12A在基板10与第1层21之间具备提高基板10与第1层21的粘附性的第1粘附层23。作为第1粘附层23，优选TiW层或Ti层，尤其优选TiW层。

通过在基板10与第1层21之间具备第1粘附层23，能够抑制层间剥离，且能够更加提高长期可靠性。

在图6所示的变形例2的压电层叠体5B及压电元件1B中，下部电极层12B与变形例1的压电层叠体5A及压电元件1A同样地具备第1粘附层23，另外，在第1层21与第2层22之间具备第2粘附层24。第2粘附层24为了提高第1层21与第2层22的粘附性而设置。第2粘附层24与第1粘附层23同样地，优选TiW层或Ti层，尤其优选TiW层。

通过在第1层21与第2层22之间具备第2粘附层24，能够抑制层间剥离，且能够更加提高长期可靠性。通过具备第1粘附层23及第2粘附层24，比仅具备一个的情况相比，能够进一步提高长期可靠性。

另外，作为另一其他变形例的压电层叠体及压电元件，可以构成为在基板10与第1层21之间不具备第1粘附层23，而仅具备第1层21与第2层22的第2粘附层24。

另外，尤其优选将下部电极层12的第1层21作为W，将第1粘附层23(及第2粘附层24)作为TiW。此时，TiW中，W小于95wt％。第1层21为W，第1粘附层23(及第2粘附层24)为TiW时，粘附性尤其良好，可靠性提高效果显著。

上述各实施方式的压电元件1或压电层叠体5能够适用于超声波器件、镜器件、传感器及存储器等中。

实施例

以下，对本发明的压电元件的具体的实施例及比较例进行说明。首先，对各例的压电元件的制作方法进行说明。使用RF(Radio frequency：射频)溅射装置成膜各层。另外，除了下部电极层的结构以外的条件在各例中共用。在制造方法的说明中，参考图6所示的压电元件1B的各层的符号来进行说明。

(下部电极层成膜)

作为基板10，使用了8英寸尺寸的附带热氧化膜的硅基板。在作为基板10的表面的热氧化膜上成膜形成了下部电极层12。各例中的下部电极层12的层结构如表1所示。例如，为实施例1时，作为下部电极层12，将作为第1粘附层23的TiW层成膜20nm，将作为第1层21的W成膜100nm，将作为第2粘附层24的TiW层成膜20nm，另外，将作为第2层22的Ir成膜50nm。

各层的溅射条件设为如下。另外，靶-基板之间距离：100mm及基板设定温度350℃的条件彼此相同。

-TiW层溅射条件-

靶接通电力：600W

Ar气体压力：0.5Pa

-Ir层溅射条件-

靶接通电力：600W

Ar气体压力：0.1Pa

-Au层溅射条件-

靶接通电力：600W

Ar气体压力：0.1Pa

-W层溅射条件-

靶接通电力：600W

Ar气体压力：0.1Pa

-Mo层溅射条件-

靶接通电力：600W

Ar气体压力：0.1Pa

-Ta层溅射条件-

靶接通电力：600W

Ar气体压力：0.1Pa

(压电膜成膜)

在RF溅射装置内载置附带上述下部电极层12的基板10，作为压电膜15，将在B位的Nb掺杂量设为12at％的Nb掺杂PZT膜成膜2μm。此时的溅射条件设为如下。

-压电膜溅射条件-

靶-基板之间距离：60mm

靶接通电力：500W

Ar/O₂气体压力：0.3Pa、Ar/O₂混合气氛(O₂体积分数2.0％)

基板设定温度：700℃

(上部电极层成膜)

接着，在RF溅射装置的成膜腔内载置压电膜15成膜后的基板10，使用ITO(IndiumTin Oxide)靶，将厚度200nm的ITO层成膜为上部电极层18。另外，在上部电极层18的成膜前，在压电膜15上制作样品评价用剥离图案，上部电极层18形成在剥离图案上。上部电极层18的成膜条件如下。

-上部电极层溅射条件-

靶-基板之间距离：100mm

靶接通电力：200W

真空度：0.3Pa、Ar/O₂混合气体(O₂体积分数5％)

基板设定温度：RT(室温)

基板温度：室温

(评价用电极图案的形成)

在上部电极层18形成后，通过剥离法，沿剥离图案剥离上部电极层，对上部电极层18进行图案化。

通过以上工序，制作了在基板上具备下部电极层、压电膜及图案化的上部电极层的各例的压电层叠基板。

(评价用样品的准备)

-评价用样品1-

从压电层叠基板剪切2mm×25mm的长条状部分，作为评价用样品1制作了悬臂。

-评价用样品2-

从压电层叠基板剪切在压电膜的表面中心具有图案化成直径400μm的圆形的上部电极层的25mm×25mm的部分，以作为评价用样品2。

<压电特性的评价>

作为各实施例及比较例的压电特性的评价，测量了压电常数d₃₁。

关于压电常数d₃₁的测量，将如上述制作的压电元件切断成2mm×25mm的长条状而制作悬臂，并按照I.Kanno et.al.Sensor and Actuator A 107(2003)68.中记载的方法，将下部电极层12接地，并对上部电极层18以-10V±10V的正弦波施加电压来进行。将结果示于表1。

<长期可靠性评价>

作为各实施例及比较例的长期可靠性的评价，进行了经时绝缘击穿(TDDB：TimeDependent Dielectric Breakdown)试验。使用评价用样品2，在120℃的环境下，将下部电极层12接地，对上部电极层18施加-40V的电压，测量从施加电压开始至发生绝缘击穿为止的时间(hr)，并由发生绝缘击穿为止的时间对长期可靠性进行了评价。测量结果示于表1。

<电阻率测量>

使用低电阻率计Loresta AX，并通过专用四探针探头对下部电极层12的电阻率(薄层电阻)进行了测量。关于各例，在将下部电极层12成膜于基板10上的时刻进行了电阻率的测量。

<Ir(111)峰的半峰半宽>

关于各实施例及比较例，通过使用了RIGAKU制造的RINT-ULTIMAIII的XRD分析求出了Ir(111)峰的半峰半宽。由对各例获得的XRD图表求出了Ir(111)的峰的半峰半宽。Ir(111)峰在40.7°附近出现。图7是放大实施例1的XRD图表的Ir(111)峰的附近的图。Ir(111)的峰在2θ＝40.7°附近出现。在图7所示的实施例1中，作为下部电极层的第1层的TiW层的峰与Ir(111)峰部分重叠。相对于这种峰，使用双高斯函数进行了拟合。将在Ir(111)峰的拟合曲线中表示Ir(111)峰最大值Ip的2θ值与表示最大值Ip的1/2强度的2θ值的宽度作为半峰半宽(HWHM：half width at half maximum)求出。结果示于表1。

<下部电极层的Ir(111)面从基板面的倾斜>

关于实施例及比较例，使用RIGAKU制造、RINT-ULTIMAIII并利用XRD实施了第1层的结晶性的评价。具体而言，通过摇摆曲线测量，通过Ir(111)面的峰自(111)面未倾斜时的Ir峰位置的偏移，求出了(111)面的倾角。图8是关于实施例1的摇摆曲线测量数据。图中所示的基准位置是(111)面与基板的表面平行时产生的(111)面的峰位置。在图8所示的例子中，具有第1峰P1与第2峰P2，其分裂宽度为10°。第1峰P1与第2峰P2的分裂宽度的中心为基准位置，在本例中，意味着第1层的(111)面相对于与基板平行的状态倾斜5°。关于各例的测量值示于表1。

<烧绿石相厚度评价>

关于实施例及比较例，拍摄TEM(Transmission Flectron Microscope)像，并由TEM像确定了烧绿石相的厚度。在压电膜中，根据烧绿石相和钙钛矿相在TEM像中的对比度不同，因此确定烧绿石相的区域，就能够计算厚度。另外，观察到在压电膜的除了烧绿石相以外的部分形成钙钛矿型氧化物的柱状晶体的情况。关于烧绿石相的厚度，由于烧绿石相在下部电极层的表面不是均匀地形成，因此计算为平均厚度。另外，即使在XRD图表上是几乎无法确认的烧绿石相，如在图4所示的示意图，局部存在烧绿石相16，这在TEM像中也能够确认到。

具体而言，利用图像处理软件的对比度调整功能，以规定的阈值将原始图像2值化，并利用图像处理软件的边缘抽取功能抽取烧绿石相。此时的阈值使之仅抽取尽可能去除噪声并且能够明确判别为烧绿石相的烧绿石相。在2值化图像中，烧绿石型氧化物层的轮廓不清晰时，一边观察2值化图像一边经验性地描绘轮廓线，并填满其内部。由图像处理软件的像素数计算所抽出的烧绿石相的面积并除以TEM像的时刻宽度而作为平均层厚。作为图像处理软件，在此利用了Photoshop(注册商标)。将如上述求出的烧绿石相的厚度示于表1。

如表1所示，如实施例1～11，下部电极层的第1层包含W、Mo、Nb及Ta中的一种以上作为主成分，第2层以Ir为主成分且第2层的厚度为50nm以下时，获得压电常数高且长期可靠性高的结果。下部电极层不具备以W、Mo、Nb及Ta中的一种以上为主成分的层，Ir层为150nm的比较例1及下部电极层的第1层为Au、Ir的比较例3、4的长期可靠性低。并且，即使Ir层为50nm，下部电极层不具备以W、Mo、Nb及Ta中的一种以上为主成分的层的比较例2中，压电常数低，且电阻率大。

并且，通过实施例1～4的比较，可获得在W、Mo、Nb及Ta中W为第1层的实施例1的长期可靠性最优异的结果，并且，根据实施例1及实施例6～10，可获得压电常数为200pm/V以上，且满足长期可靠性试验1000小时以上，作为下部电极层的第2层的Ir层的厚度优选为50nm～20nm的结果。另外，在压电常数为210pm/V以上，且满足长期可靠性试验1100小时以上时，可获得作为下部电极层的第2层的Ir层的厚度更优选为45nm～30nm的结果。

符号说明

1、1A、1B-压电元件，5、5A、5B-压电层叠体，10-基板，12-下部电极层，15-压电膜，16-烧绿石相，17-柱状晶体，18-上部电极层，21-第1层，22-第2层(Ir层)，22a-Ir元素，23-第1粘附层，24-第2粘附层。

Claims

1.一种压电层叠体，其在基板上依次具备：下部电极层和包含钙钛矿型氧化物的压电膜，所述压电层叠体中，

所述下部电极层包括：第2层，以与所述压电膜相接的状态配置；及第1层，比所述第2层更靠基板侧配置，

所述第1层包含W、Mo、Nb及Ta中的一种以上作为主成分，

所述第2层以Ir为主成分且所述第2层的厚度为50nm以下。

2.根据权利要求1所述的压电层叠体，其中，

所述第2层的厚度为45nm以下。

3.根据权利要求1或2所述的压电层叠体，其中，

在所述基板与所述第1层之间具备：提高所述基板与所述第1层的粘附性的第1粘附层。

4.根据权利要求3所述的压电层叠体，其中，

所述第1粘附层为TiW层。

5.根据权利要求1或2所述的压电层叠体，其中，

在所述第1层与所述第2层之间具备：提高所述第1层与所述第2层的粘附性的第2粘附层。

6.根据权利要求5所述的压电层叠体，其中，

所述第2粘附层为TiW层。

7.根据权利要求1或2所述的压电层叠体，其中，

所述第1层为W层。

8.根据权利要求1或2所述的压电层叠体，其中，

所述钙钛矿型氧化物是由下述通式(1)表示的化合物，

Pb{(Zr_xTi_1-x)_y-1B1_y}O₃ (1)，

0＜x＜1、0＜y＜0.4，

B1是选自V、Nb、Ta、Sb、Mo及W中的一种以上的元素。

9.根据权利要求1或2所述的压电层叠体，其中，

所述第2层的来自所述Ir的(111)面的X射线衍射峰的半峰半宽为0.3°以上。

10.根据权利要求1或2所述的压电层叠体，其中，

所述第2层是所述Ir在(111)面取向的单轴取向膜，所述(111)面相对于厚度方向具有1°以上的倾角。

11.根据权利要求1或2所述的压电层叠体，其中，

在所述下部电极层与所述压电膜的界面包含烧绿石相，

所述烧绿石相的厚度为20nm以下。

12.一种压电元件，其具备：

权利要求1至11中任一项所述的压电层叠体；及

设置在所述压电层叠体的所述压电膜上的上部电极层。