CN1157933C - 图像畸变校正电路 - Google Patents

Abstract

一种把垂直偏转灵敏度的变坏抑制到最小，并能进行中间枕形畸变校正的图像畸变校正电路。水平偏转电流IH流过水平校正线圈L1、L2，垂直偏转电流IV流过垂直校正线圈L3或L4。把L3、L4及L1、L2缠绕在同一铁芯4上。利用4两端的磁铁2、3施加偏置磁场。把二极管D1的阳极、D2的阴极及电阻R1的一端连接在中间端子P11，把L3的一端连接在D1的阴极，把R1的另一端及端子P4连接在L3的另一端。

Description

图像畸变校正电路

技术领域

本发明涉及电视接收机、监视器等中使用的CRT(阴极射线管)的图像畸变校正装置。

背景技术

在使用了CRT的电视接收机及监视器中，由于前屏幕(荧光面)近似为平面、从偏转中心到荧光面的距离延伸了，故在使电子束偏转投射到前屏幕上的图像中产生了称为枕形畸变的畸变。为了校正该枕形畸变，提出了各种枕形畸变校正电路。

另一方面，前屏幕近似为平面，有关从偏转中心到荧光面的距离、周边部分比中心部分延伸得多。在此，如果假定前屏幕为平面屏幕，则在假定偏转角为θ时，偏转电流的变化及屏幕上的亮点位置的位移量x(t)(t为时间变化)与tonθ成正比。因此，发生了随着向画面端部移动水平偏转量增加这样的周边延伸，CRT画面的周边部成为线性变坏的图像。为了校正该周边延伸的畸变，使用了S形校正电路，使减小的S形水平偏转电流在周边部流动，减小了管面周边的水平偏转电流。

在使用了CRT的电视接收机及监视器中发生的S形校正电路所需的校正量与从偏转中心到画面上各点的距离成反比，并且在画面上哪里都不相同。由于有关从偏转中心的距离、具有曲率半径大的前屏幕的CRT画面的上部及下部比中央部远，故其S形校正量比中央部小。但是，在现有的S形校正电路中未对画面的垂直方向做出特别考虑，故与中央部相比在画面的上部及下部进行了过度的S形校正，中间部的纵线示为枕形弯曲的形状。把该畸变称为中间枕形畸变(纵线内部枕形畸变)。即使使用现有的枕形畸变校正电路也不能完全校正该中间枕形畸变。

近年来，有利用CRT前屏幕形状的平坦化使偏转角变大的倾向。因此，与具有曲率半径大的前屏幕的CRT画面相比，S形校正量整个增大，同时从偏转中心起的、画面的上下部与中央部的距离差扩大，作为其结果是该中间枕形畸变进一步变得显著，对此的对策变得必要起来了。

为了校正该中间枕形畸变，提出了各种中间枕形畸变校正装置，例如，有在特开平9-149283号公报及特开平11-261839号公报等中公开了的中间枕形畸变校正装置。

图5为示出在特开平11-261839号公报中公开了的现有中间枕形畸变校正装置的电路结构的概略的电路图。如该图中所示，水平偏转电流IH在端子P1与端子P2间流动，把水平偏转线圈21、水平校正线圈L13及水平校正线圈L14串联连接在端子P1与P2间。把水平校正线圈L13及水平校正线圈L14缠绕在同一铁芯13上。再有，由于可以把水平偏转线圈21的内部考虑成单个线圈或多个线圈的并联连接等各种结构，故为了方便起见用框来表示。

另一方面，垂直偏转电流IV在端子P3与端子P4间流动，把垂直偏转线圈22设置在端子P3与中间端子P11间。再有，由于可以把垂直偏转线圈22考虑成单个线圈、或多个线圈的串联连接与平衡校正用的多个电阻(在一部分中，包含可变电阻)的组合电路等各种结构，故为了方便起见用框来表示。

把二极管D3的阳极及电阻R4的一端连接在中间点P11上，把垂直校正线圈L15的一端及二极管D4的阴极连接在二极管D3的阴极上，把电阻管R4的另一端及电阻R5的一端连接在垂直校正线圈L15的另一端上，把二极管D4的阳极及电阻R5的另一端连接在端子P4上。把垂直校正线圈L15缠绕在铁芯13上。

另一方面，中间枕形畸变校正可饱和电抗单元10由水平校正线圈L13、L14；垂直校正线圈L15；磁铁11、12；以及铁芯13构成，把磁铁11、12以在一个方向(图5中，为向左)上对磁场进行偏置的方式配置在铁芯13的两端。把水平校正线圈L13与L14的绕线方向设定成互相相反的方向以便发生互相相反方向的磁场，把垂直校正线圈L15的绕线方向设定成使其在与由磁铁11、12进行偏置的方向相反的方向上发生磁场。

打算在该中间枕形畸变校正装置的中间枕形畸变校正可饱和电抗单元10中做到，通过根据流过垂直校正线圈L15的垂直偏转电流IV来控制水平偏转电流IH流过的水平校正线圈L13、L14的电感量，以便根据垂直偏转的量来改变水平偏转中的S形校正量。

即，通过把水平校正线圈L13、L14连接到水平偏转线圈21的一端上，利用在垂直扫描周期(垂直周期)内变化的垂直偏转电流IV进行调制，使垂直校正线圈L15发生抵消磁铁11、12的偏置磁场的方向的磁场，使水平校正线圈13、14的电感量发生变化来进行画面左右的中间枕形校正。此时，施加到2个水平校正线圈L13、L14中的水平偏转电流IH是在每1水平扫描周期内提供的S形校正了的锯齿波电流，施加到垂直校正线圈15中的垂直偏转电流IV是利用2个二极管D3、D4及2个电阻R4、R5对在每1垂直扫描周期内提供的锯齿波电流进行了同极性整流的电流。

这样，在电视接收机及监视器的CRT中，有必要防止在画面左右发生的中间枕形畸变引起的图像质量劣化，进行了各种提案。但是，在图5中示出的现有中间枕形畸变校正装置中，为了中间枕形畸变校正可饱和电抗单元10的垂直校正线圈L15的整流，由2个二极管D3、D4及2个电阻R4、R5构成的整流电路及垂直校正线圈L15构成的垂直校正部32成为对垂直偏转线圈22串联连接的电路结构。

因此，存在着下述问题，由于流过垂直偏转电流IV的上述垂直校正部32的阻抗增大故垂直偏转灵敏度变坏。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而进行的，其目的在于得到能够使垂直偏转灵敏度比现有的改善，并能进行中间枕形畸变校正的图像畸变校正电路。

与本发明第1方面有关的一种图像畸变校正电路，具备第1及第2水平校正线圈，将其设置在水平偏转电流流过的水平偏转电流路径上，把上述第1与第2水平校正线圈串联连接，同时把绕线方向设定成使其发生互相相反方向的磁场，还具备：磁场偏置装置，在第1方向上对上述磁场进行偏置；以及垂直校正部，具有第1及第2端子，垂直偏转电流在上述第1与第2端子间流动，其特征在于，上述垂直校正部具备：第1垂直校正线圈，将其设置在配置在上述第1与第2端子间的第1电流路径上；第2垂直校正线圈，将其设置在第2电流路径上，所述第2电流路径对上述第1电流路径独立地配置在上述第1与第2端子间；共用电阻，将其分别对上述第1及第2电流路径以并联方式共同连接，使第1及第2极性的上述垂直偏转电流分别有选择地流过上述第1及第2电流路径，上述第1及第2极性的上述垂直偏转电流分别流过上述第1及第2垂直校正线圈时，同时在与上述第1方向相反的第2方向上发生磁场；第1二极管，将其设置在第1电流路径上，与上述第1垂直校正线圈串联连接；以及第2二极管，将其设置在第2电流路径上，与上述第2垂直校正线圈串联连接，设置上述第1及第2二极管，使之对上述第1及第2极性的上述垂直偏转电流分别变成导通状态。

此外，本发明第2方面是本发明第1方面中所述的图像畸变校正电路，其特征在于，上述第1及第2二极管包含肖特基势垒二极管。

此外，本发明第3方面是本发明第1方面中所述的图像畸变校正电路，其特征在于，上述垂直校正部还具备：第1及第2阻尼部，分别与上述第1及第2垂直校正线圈并联连接，上述第1阻尼部包含串联连接的第1电阻及第1电容器，上述第2阻尼部包含串联连接的第2电阻及第2电容器。

进而，本发明第4方面是本发明第1方面中所述的图像畸变校正电路，其特征在于，上述第1及第2水平校正线圈以及上述第1及第2垂直校正线圈包含缠绕在共同铁芯上的线圈。

附图说明：

图1为示出作为本发明实施例1的图像畸变校正电路结构的电路图；

图2为示出图1中的中间枕形畸变校正可饱和电抗单元的具体结构的说明图；图3为示出作为本发明实施例2的图像畸变校正电路结构的电路图；

图4为示出作为本发明实施例3的图像畸变校正电路的电路结构的电路图；以及

图5为示出现有的中间枕形畸变校正装置的电路结构的电路图。

发明的具体实施方式

图1为示出作为本发明实施例1的图像畸变校正电路结构的电路图。再有，设置在图1中线圈L1～L4附近的黑圆点表示绕组的缠绕起点，确定了线圈所发生磁场的方向。

如该图中所示，水平偏转电流IH在端子P1与端子P2间流动，把水平偏转线圈21、水平校正线圈L1及水平校正线圈L2互相串联连接在端子P1与P2间。把水平校正线圈L1及水平校正线圈L2分别缠绕在铁芯4上。

另一方面，垂直偏转电流IV在端子P3与端子P4间流动，把垂直偏转线圈22设置在端子P3与中间端子P11间。

在中间端子P11与端子P4间，构成了由垂直校正线圈L3、L4；二极管D1、D2；及电阻R1构成的垂直校正部31。下面，说明垂直校正部31的内部结构。把二极管D1的阳极、二极管D2的阴极及电阻R1的一端连接在中间端子P11上，把垂直校正线圈L3的一端连接在二极管D1的阴极上，把电阻R1的另一端及端子P4连接在垂直校正线圈L3的另一端上。把垂直校正线圈L4的一端连接在端子P4上，把垂直校正线圈L4的另一端连接在二极管D2的阳极上。把垂直校正线圈L3、L4缠绕在铁芯4上。

即，把作为共用电阻的电阻R1，分别对设置在中间端子P11与端子P4间的第1电流路径(二极管D1与垂直校正线圈L3串联连接的路径)及第2电流路径(二极管D2与垂直校正线圈L4串联连接的路径)以并联方式共同连接。

中间枕形畸变校正可饱和电抗单元1由上述的水平校正线圈L1、L2；垂直校正圈L3、L4；磁铁2、3；及铁芯4构成。利用配置在铁芯4两端上的一对磁铁2、3(磁场偏置装置)，从N极到S极(图1中，为向左)施加偏置磁场。如果能进行磁耦合，则铁芯4可以是整体结构或者多个分割结构。磁铁2、3的极性为，一端是S极、另一端是N极。由于如果产生磁偏置则只配置在铁芯4的一侧上即可，故该磁铁可以考虑只配一侧的结构。

2个水平校正线圈L1、L2以发生互相相反方向的磁场的绕线方向缠绕在铁芯4上。垂直校正线圈L3、L4的绕线方向都是，以发生把利用一对磁铁2、3发生的偏置磁场抵消的方向的磁场的方向进行缠绕，缠绕在与水平校正线圈L1、L2进行了磁耦合的同一个铁芯4上。即，在由二极管D1选择的极性为正的垂直偏转电流IV流过垂直校正线圈L3的情况下，垂直校正线圈L3发生把上述偏置磁场抵消的方向的磁场，在由二极管D2选择的极性为负的垂直偏转电流IV流过垂直校正线圈L4的情况下，垂直校正线圈L4发生把上述偏置磁场抵消的方向的磁场。

图2为示出图1中的中间枕形畸变校正可饱和电抗单元1的具体结构的说明图。构成铁芯4的部分铁芯4a与4b接触以便进行磁耦合，把磁铁2、3配置在其两端，其极性为一端是S极、另一端是N极。然后，利用磁轭7夹住磁铁2、3，利用磁铁2、3、铁芯4及磁轭7形成磁闭环。再有，也可以是不使用该磁轭7的结构。

把水平校正线圈L1缠绕在部分铁芯4a上，把水平校正线圈L2缠绕在部分铁芯4b上。这2个水平校正线圈L1、L2以发生互相相反相反方向的磁场的绕线方向进行缠绕，如图1中所示，串联连接水平校正线圈L1与水平校正线圈L2。

垂直校正线圈L3、L4从水平校正线圈L1、L2的绕组之上开始以部分铁芯4a、4b为中心，同时缠绕。该垂直校正线圈L3、L4以发生把利用磁铁2、3发生的偏置磁场抵消的方向的磁场那样的绕线方向进行缠绕。

这样，图2中所示的中间枕形畸变校正可饱和电抗单元1的等效电路为图1中示出了的中间枕形畸变校正可饱和电抗单元1。使用该中间枕形畸变校正可饱和电抗单元1，能够像后述那样来校正在画面左右产生的中间枕形畸变。此外，只要是具有图1等效电路中所示那样的功能的中间枕形畸变校正可饱和电抗单元1，也可以不是图2中所示的结构。

图1中示出了的图像畸变校正电路中，水平偏转线圈21及垂直偏转线圈22意味着偏转磁轭的线圈。未图示的水平偏转电路把每个水平扫描周期发生的S形校正了的锯齿形波水平偏转电流IH供给到水平偏转线圈21，此外，未图示的垂直偏转电路把每个垂直扫描周期发生的锯齿形垂直偏转电流IV供给到垂直偏转线圈22，在使电子束偏转之点上与现有的图像畸变校正电路相同。

由二极管D1、D2对锯齿形波垂直偏转电流IV进行了整流的电流流过垂直校正线圈L3、L4。在此，确定二极管D1、D2的极性及绕线方向，以使电流以把磁铁2、3产生的偏置磁场抵消的方向流过垂直校正垂直校正线圈L3、L4。

因而，当垂直偏转电流IV的极性为正时，二极管D1导通，电流流过垂直校正线圈L3，把磁铁2、3产生的偏置磁场抵消。因此，由垂直偏转电流控制水平校正线圈L1、L2的磁饱和状态，使水平偏转的电感量以垂直周期而变化进行画面左右的中间枕形校正。当垂直偏转电流的极性为负时，二极管D2成为导通状态，与极性为正的情况相同地进行工作。

这样的结构的实施例1的图像畸变校正电路通过利用垂直偏转电流IV流过的垂直校正线圈L3及L4发生把磁铁2、3产生的偏置磁场抵消的磁场的作用，使水平偏转电感量(水平偏转线圈21、水平校正线圈L1、L2的合成电感量；及水平校正线圈L1、L2直接合成的电感量)变化。

其结果，伴随着水平偏转电感量的变化水平偏转电流IH变动，由此，可实现考虑了垂直偏转量的水平偏转量的校正，能够进行画面左右的中间枕形畸变校正。

再有，图1中，把二极管D1及D2分别与垂直校正线圈L3及L4的缠绕起点及缠绕终点侧串联连接，但是，与垂直校正线圈L3及L4的缠绕终点及缠绕起点侧串联连接当然也可得到同等的效果。

对垂直校正线圈L3、L4及二极管D1、D2以并联方式共同连接的电阻R1制作使二极管导通的电压。通过改变该电阻值可控制起始流过垂直校正线圈L3、L4中的电流的起始点。

图5中示出了的现有中间枕形畸变校正装置(图像畸变校正电路)中，当二极管D3、D4为关断状态时，垂直校正部32的阻抗的电阻值为电阻R4的电阻值与电阻R5的电阻值之和。此外，二极管D3为导通状态时的垂直校正部32的阻抗为第1合成电阻的电阻值与电阻R5的电阻值之和。再有，第1合成电阻意味着由二极管D3的导通电阻及垂直校正线圈L15的电阻构成的串联连接电阻、与电阻R4的并联电阻。

二极管D4导通时也同样，垂直校正部32的阻抗为第2合成电阻的电阻值与电阻R4的电阻值之和。再有，第2合成电阻意味着由二极管D4的导通电阻及垂直校正线圈L15的电阻构成的串联连接电阻、与电阻R5的并联电阻。

在此，假定上述第1及第2合成电阻的电阻值充分小、为可以忽略的程度，则与垂直校正部32不存在的情况相比，当二极管D3为导通状态时垂直偏转电流IV流过的电路的阻抗(下面，略为「垂直阻抗」)也变坏了一个电阻R5的电阻值，当二极管D4为导通状态时垂直阻抗也变坏了一个电阻R4的电阻值，因此，作为结果是垂直偏转灵敏度变坏。

另一方面，在实施例1的图像畸变校正装置中，当二极管D1、D2均为关断状态时的垂直校正部31的阻抗为电阻R1的电阻值。当二极管D1为导通状态时的垂直校正部31的阻抗为由二极管D1的导通电阻及垂直校正线圈L3的电阻构成的串联连接电阻、与电阻R1的并联电阻(第3合成电阻)的电阻值。同样，在二极管D2导通的情况下，垂直校正部31的阻抗为由二极管D2的导通电阻及垂直校正线圈L4的电阻构成的串联连接电阻、与电阻R1的并联电阻(第4合成电阻)的电阻值。因而，与现有例相比，可改善垂直阻抗。

这样，由于与图5中示出了的现有中间枕形畸变校正装置的垂直校正部32的阻抗相比，实施例1的图像畸变校正电路的垂直校正部31的阻抗显著降低，故可大幅度地改善垂直偏转灵敏度。

例如，如果假定：电阻R1与电阻R4、R5的电阻值相同(假定为「RO」)，垂直校正线圈L3、L4与垂直校正线圈L15的电阻值相同，二极管D1、D2与二极管D3、D4的导通电阻值相同，则与图5中示出了的垂直校正部32的电阻值相比，由于第1及第2合成电阻的电阻值与第3及第4合成电阻值为同一值，故在二极管D1(D3)、D2(D4)都关断和一方导通、另一方关断的任一情况下，通过谋求阻抗减小了电阻值R0，可改善垂直偏转灵敏度。

<实施例2>

图3为示出作为本发明实施例2的图像畸变校正电路结构的电路图。如该图中所示，在实施例2中使用了肖特基势垒二极管D11、D12来代替实施例1的二极管D1、D2。再有，由于其它结构与图1、图2中示出了的实施例1的结构相同，故省略其说明。

在图1中示出了的实施例1的图像畸变校正电路中，由于伴随着垂直校正线圈L3及L4的整流电路(由二极管D1、D2及电阻R1构成)与垂直偏转线圈22串联连接，故垂直校正部31的阻抗直接影响垂直偏转灵敏度。

如上所述，在二极管D1为导通状态的情况下，垂直阻抗的增加量为二极管D1的导通电阻与垂直校正线圈L3的电阻的串联合成电阻、与电阻R1的并联合成电阻(第3合成电阻)。

在此，如图3中所示，在实施例2的图像畸变校正电路中，使用肖特基势垒二极管D11、D12来代替二极管D1、D2。与通常的二极管相比，肖特基势垒二极管的导通电阻值低，作为整流二极管广泛被使用。由于使用具有这样的特性的肖特基势垒二极管D11、D12来代替二极管D1、D2，可减小导通电阻值，可进行阻抗的改善，垂直偏转灵敏度可改善到实施例1以上。

进而，由于肖特基势垒二极管的、对于正向电流值的二极管正向电压比通常二极管低，故可把起到制作用于使二极管导通的电压之作用的电阻R1之电阻值也设定得较小。由于可减小电阻R1的电阻值，故在二极管D11(D12)为关断时及导通时的哪一种情况下阻伉都能减小到实施例1的图像畸变校正电路以上，可改善垂直偏转灵敏度。

与通常二极管相比，由于在使用肖特基势垒二极管并且把电阻R1定为与使用通常二极管时相同的电阻值的情况下肖特基二极管导通电阻的电阻值小，故流过电阻R1的电流与流过垂直校正线圈L3(L4)的电流之分流比改变，可有更多的电流流过垂直校正线圈L3(L4)产生的水平偏转电流IH的校正量。此外，肖特基势垒二极管D11、D12本身的导通电阻改善了，相应地减小了阻抗，由此，改善了垂直偏转灵敏度。

<实施例3>

图4为示出作为本发明实施例3的图像畸变校正电路的电路结构的电路图。

如该图中所示，在垂直校正线圈L3的两端间插入串联连接的电阻R8及电容器C1，同时在垂直校正线圈L4的两端间插入串联连接的电阻R9及电容器C2。再有，由于其它结构与图1中示出了的结构相同，故省略其说明。

中间枕形畸变校正可饱和电抗单元1的垂直校正线圈L3、L4作成为与水平校正线圈L1、L2同时缠绕在共同铁芯4上的结构。因此，由于在垂直校正线圈L3、L4中出现了水平分量(水平偏转电流IH)的干扰，水平分量混合到垂直偏转电流IV中，故有时得不到预期的性能(垂直偏转特性)。

作为其对策，在实施例3的图像畸变校正电路中，把由电阻R8与电容器C1串联连接构成的第1阻尼部与垂直校正线圈L3并联连接，同时把由电阻R9与电容器C2串联连接构成的第2阻尼部与垂直校正线圈L4并联连接。可利用该第1及第2阻尼部(电阻R8、R9；电容器C1、C2)产生的阻尼效应(从垂直偏转电流IV中把高频水平分量去除的效应)来抑制性能的变坏。

再有，如果不出现上述的性能变坏现象，则也可以是不使用该电阻R8、R9及电容器C1、C2的结构。此外，如果把电阻R8、R9及电容器C1、C2与垂直偏转线圈L3、L4并联连接，则具有同等的效果，而与垂直校正线圈L3、L4的绕线方向及串联连接的顺序无关。此外，也可以是只用电阻R8、R9的结构。此外，在图4中，在图1中示出了的实施例1的电路结构中附加连接了电阻R8、R9及电容器C1、C2，但是，当然也可以在图3中示出了的实施例2的电路结构中附加连接电阻R8、R9及电容器C1、C2。

此外，在图4中，在图1中示出了的实施例1的电路结构中附加连接了电阻R8、R9及电容器C1、C2，当然也可以在图3中示出了的实施例2的电路结构中附加连接电阻R8、R9及电容器C1、C2。

如上面说明了的那样，本发明第1方面所述的图像畸变校正电路通过利用垂直校正部的第1及第2垂直校正线圈发生把磁场偏置装置产生的偏置磁场抵消的磁场的作用，使第1及第2水平校正线圈的合成电感量变化，来实现考虑了垂直偏转量的水平偏转量的校正。

其结果，第1方面所述的图像畸变校正电路可校正画面左右的中间枕形畸变(在提供S形校正了的锯齿形波的水平偏转电流时，与中央校正，中间部的纵线为枕形变曲的形状的畸变)。

此外，关于垂直偏转电流流过第1与第2端子间之时的垂直校正部的电阻分量，在垂直偏转电流不流过第1及第2电流路径的情况下由于只包含共用电阻的共用电阻部构成电流路径故该电阻分量为该电流路径上的共用电阻的电阻值，在垂直偏转电流流过第1电流路径的情况下为共用电阻与第1电流路径上的电阻的并联合成电阻的电阻值，在垂直偏转电流流过第2电流路径的情况下为共用电阻与第2电流路径上的电阻的并联合成电阻的电阻值。

即，由于最大能以一个共用电阻的电阻值就解决了，故通过把垂直校正部电阻分量电阻值的增加抑制到所需要的最小限度内可以把垂直偏转灵敏度的变坏抑制到最小限度。

在第2方面所述的图像畸变校正电路中，利用分别对第1及第2极性的垂直偏转电流成为导通状态的第1及第2二极管能够使第1及第2极性的垂直偏转电流有选择地流过第1及第2电流路径。

在第3方面所述的图像畸变校正电路中，由于第1及第2二极管包含肖特基势垒二极管，故与通常二极管相比导通电阻值降低，可相应地降低垂直校正部电阻分量的电阻值，可进一步抑制垂直偏转灵敏度的变坏。

进而，由于第1及第2二极管的导通电阻值降低故第1及第2电流路径上的电阻值下降，由于可使对于流过共用电阻的电流量的、流过第1及第2电流路径的电流量增加故可增加流过第1及第2垂直校正线圈的电流量，可增加垂直校正部产生的水平偏转校正量。

此外，由于肖特基势垒二极管比通常二极管的正向电压低，故可与此相随把共用电阻的电阻值设定得低，可相应地抑制垂直偏转灵敏度的变坏。

在第4方面所述的图像畸变校正电路中，利用分别与第1及第2垂直校正线圈并联连接的第1及第2阻尼部，能够可靠地防止管1及第2垂直校正线圈受到流过第1及第2水平校正线圈的水平偏转电流的干扰所产生的坏影响、而使垂直偏转电流的精度变坏的情况。

Claims (4)

1.一种图像畸变校正电路，

具备第1及第2水平校正线圈，将其设置在水平偏转电流流过的水平偏转电流路径上，把上述第1与第2水平校正线圈串联连接，同时把绕线方向设定成使其发生互相相反方向的磁场，

还具备：磁场偏置装置，在第1方向上对上述磁场进行偏置；以及

垂直校正部，具有第1及第2端子，垂直偏转电流在上述第1与第2端子间流动，其特征在于，

上述垂直校正部具备：

第1垂直校正线圈，将其设置在配置在上述第1与第2端子间的第1电流路径上；

第2垂直校正线圈，将其设置在第2电流路径上，所述第2电流路径对上述第1电流路径独立地配置在上述第1与第2端子间；

共用电阻，将其分别对上述第1及第2电流路径以并联方式共同连接，使第1及第2极性的上述垂直偏转电流分别有选择地流过上述第1及第2电流路径，

上述第1及第2极性的上述垂直偏转电流分别流过上述第1及第2垂直校正线圈时，同时在与上述第1方向相反的第2方向上发生磁场；

第1．极管，将其设置在第1电流路径上，与上述第1垂直校正线圈串联连接；以及

第2二极管，将其设置在第2电流路径上，与上述第2垂直校正线圈串联连接，

设置上述第1及第2二极管，使之对上述第1及第2极性的上述垂直偏转电流分别变成导通状态。

2.根据权利要求1所述的图像畸变校正电路，其特征在于，

上述第1及第2二极管包含肖特基势垒二极管。

3.根据权利要求1所述的图像畸变校正电路，其特征在于，

上述垂直校正部还具备：

第1及第2阻尼部，分别与上述第1及第2垂直校正线圈并联连接，

上述第1阻尼部包含串联连接的第1电阻及第1电容器，

上述第2阻尼部包含串联连接的第2电阻及第2电容器。

4.根据权利要求1所述的图像畸变校正电路，其特征在于，

上述第1及第2水平校正线圈以及上述第1及第2垂直校正线圈包含缠绕在共同铁芯上的线圈。