CN115729387A - 触摸传感器薄膜 - Google Patents

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三井哲朗
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Abstract

本发明提供一种触摸传感器薄膜，其改良了触摸传感器薄膜的制造时的耐火花性。触摸传感器薄膜具有多个检测电极及与多个检测电极电连接的多个引出配线，检测电极为由导电性细线构成的网状结构，多个检测电极分别具有：配置于检测电极的最外侧的第1连接端子；以及配置于与第1连接端子分离的位置的第2连接端子，引出配线经过第1连接端子，延伸至第2连接端子，并且与第1连接端子以及第2连接端子电连接。

Description

触摸传感器薄膜
技术领域
本发明涉及一种触摸传感器薄膜。
背景技术
近年来，作为用于触摸面板的触摸传感器，采用了由金属细线构成的金属网格传感器。金属网格传感器中，接触电极由金属细线构成，具有与导电性金属氧化物(ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)等)相比电阻低或在薄膜面上形成有金属网格传感器的情况下具有挠性等的特征。
金属网格传感器主要具有连接网状电极与引出配线的图案结构。网状电极与触摸面板的图像显示部配合配置，引出配线配置于图像显示部的周边，具有延长至连接于与控制触摸传感器的IC(Integrated Circuit，集成电路)芯片连接的FPC(挠性打印电路板)的位置(以下称为外部连接端子)的结构。通常，引出配线存在网状电极的根数相应的量，为了与相邻的引出配线绝缘，隔开规定以上的距离而相互配置，成为网状电极的根数相应的量的束而到达至外部连接端子。外部连接端子经由ACF(各向异性导电薄膜)与FPC连接。
上述引出配线的束的占有面积由引出配线的线宽、相邻的引出配线之间的间隙及引出配线的根数来确定，引出配线部通常由装饰印刷部隐藏。近年来的触摸面板由于其设计性的需求，期望缩小装饰印刷部的面积来扩大触摸面板中的图像显示部分面积比(也称为窄边框化)。即，要求缩小装饰印刷部的面积，这要求也缩小引出配线的束所占的面积。作为与窄边框化对应的装置，采用减小引出配线的线宽且使相邻的引出配线之间的间隙变窄的方法(也称为L/S下降)。
为了在减小引出配线的线宽的情况下，也可靠地驱动触摸传感器，需要可靠地电连接检测电极和引出配线。因此，例如在专利文献1中公开了在引出配线与检测电极之间难以断线的结构。在专利文献1中公开了在假设在连接区域线变细的部分中没有绘制一些线且断线的情况，在连接区域内线宽变粗的方法。
专利文献1：日本特开2015-45890号公报
通过进行窄边框对应，对引出配线部的图案密度增加受到影响，在卷对卷的生产时或以薄片尺寸从触摸传感器薄膜的层叠状态取出触摸传感器薄膜时，因引出配线部中的剥离带电及火花电流的产生，有时受到从引出配线流入的电流的影响，与引出配线部连接的网格状的导通电极图案的一部分被烧坏(称为火花故障)。在火花故障为在各个触摸传感器中所包含的多个导通电极内烧坏任一根导通电极而导致导通不良的情况下，其触摸传感器薄膜不能够满足作为触摸传感器的功能而成为缺陷品。并且，在没有因火花故障而导致导通不良的情况下，也在触摸面板的视觉辨认区域内存在火花故障的产生部位的情况下，在缺陷位置观察网格细线的外观不同，识别为面上缺陷。
在专利文献1的技术中，能够改良因描绘不良而引起的检测电极与引出配线部的连接不良，但是未确认到对火花故障的改良效果。
发明内容
本发明是为了解决这种问题而完成的，因此其目的在于提供一种改良了触摸传感器薄膜的制造时的耐火花性的触摸传感器薄膜。
一种触摸传感器薄膜，其特征在于，具有多个检测电极及与多个检测电极电连接的多个引出配线，
检测电极为由导电性细线构成的网状结构，
多个检测电极分别具有：配置于检测电极的最外侧的第1连接端子；以及配置于与第1连接端子分离的位置的第2连接端子，
引出配线经过第1连接端子，延伸至第2连接端子，并且与第1连接端子及第2连接端子电连接。
多个连接端子的线宽能够设为与检测电极的导电性细线相同的线宽。
多个检测电极分别还能够具有与引出配线电连接的第3连接端子，
第1连接端子、第2连接端子以及第3连接端子依次配置。
第1连接端子及第2连接端子中的任一个连接端子的长度还能够设为大于检测电极的电极宽度。
并且，能够将第1连接端子与第2连接端子之间的间隔设为5μm以上。
发明效果
根据本发明，能够设为如下结构来抑制触摸传感器薄膜的火花故障：触摸传感器薄膜具有基板、从配置于基板上的导电性细线到网状结构的检测电极、配置于基板上的检测电极的周边的引出配线及连接引出配线与检测电极的连接端子，连接端子具有连接端子1、连接端子2、……、连接端子n，连接端子1配置于检测电极的端部，引出配线通过连接端子1，延伸连接至连接单元n。
附图说明
图1是本发明的实施方式1所涉及的薄膜的部分剖视图。
图2是表示本发明的实施方式1所涉及的薄膜的俯视图。
图3是放大表示通常的触摸传感器薄膜中的引出配线与检测电极、连接端子的连接部分的俯视图。
图4是放大表示本发明的实施方式1中的触摸传感器薄膜的引出配线与第一检测电极、连接端子的连接部分的俯视图。
图5是放大表示本发明的实施方式2中的触摸传感器薄膜的引出配线与第一检测电极、连接端子的连接部分的俯视图。
图6是放大表示本发明的实施方式3中的触摸传感器薄膜的引出配线与第一检测电极、连接端子的连接部分的俯视图。
图7是放大表示本发明的实施方式4中的触摸传感器薄膜的引出配线与第一检测电极、连接端子的连接部分的俯视图。
图8是放大表示本发明的实施方式5中的触摸传感器薄膜的引出配线与第一检测电极、连接端子的连接部分的俯视图。
符号说明
1-触摸传感器薄膜，2-基板，2A-第1面，2B-第2面，3A-第1导电层，3B-第2导电层，11-第1检测电极，13-第1引出配线，14-第1外部连接端子，15、25-配线部，16、26-连接端子，301、401、501、60-1-第1连接端子，402、502、60-n-第2连接端子，503、60-2～(n-1)-第3连接端子，21-第2检测电极，23-第2引出配线，24-第2外部连接端子，MP-图案，MW-金属细线，Q1、第1电极区域，Q2-第2电极区域，L3、L41、L42、L51、L52、L53、L60-1～n-连接端子的长度，P3、P41、P42、P1、P52、P60-1～(n-1)-连接端子的间隔，W-检测电极的宽度。
具体实施方式
以下，根据附图所示的优选的实施方式，对本发明所涉及的触摸面板用导电部件进行详细说明。
另外，以下，表示数值范围的表述“～”是指包含记载于两侧的数值。例如，“s为数值t1～数值t2”是指s的范围包含数值t1及数值t2的范围，若用数学记号表示，则为t1≤s≤t2。
包含“正交”及“平行”等的角度只要没有特别记载，则包括技术领域中通常允许的误差范围。
“透明”是指透光率在波长400nm～800nm的可见光波长区域内至少为40％以上，优选75％以上，更优选80％以上，更进一步优选90％以上。透光率是指例如使用以JIS(日本产业标准)K 7375：2008规定的“塑料--总透光率及总透光率的求出方法”测定。
实施方式1
图1中示出本发明的实施方式1所涉及的触摸传感器薄膜1的结构。
薄膜1具有透明且具有绝缘性的基板2、配置于基板2的第1面2A上的第1导电层3A及配置于基板2的第2面2B上的第2导电层3B。
如图2所示，基板2具有在第1面2A中沿着规定方向延伸并且沿着与其方向正交的方向排列的多个第1电极区域Q1。
配置于基板2的第1面2A上的第1导电层3A具有配置于多个第1电极区域Q1的各自并且沿与第1电极区域Q1所延伸的方向相同的方向延伸的多个第1检测电极11、配置于多个第1检测电极11的周边的与多个第1检测电极11的数量对应的数量的多个第1引出配线13及与多个第1引出配线13电连接的多个第1外部连接端子14。多个第1检测电极11、多个第1引出配线13及多个第1外部连接端子14由相互相同的组成构成。并且，同时形成多个第1检测电极11、多个第1引出配线13及多个第1外部连接端子14。另外，同时形成是指通过相同的工序形成。
其中，为了便于说明，将多个第1检测电极11所延伸的规定方向称为X方向，将与X方向正交的多个第1检测电极11的排列方向称为Y方向，将与X方向及Y方向正交的多个第1检测电极11的厚度方向称为Z方向。
多个第1引出配线13分别配置于其一端部所对应的第1检测电极11的X方向的单侧的端部的附近，另一端部与第1外部连接端子14连接。配置于第1检测电极11的附近的第1引出配线13的一端部具有配置于第1检测电极11的周边并且一端部与第1外部连接端子14连接的配线部15及与配线部15的另一端部连接并且沿着Y方向延伸的连接端子16。
该连接端子16及第1检测电极11与本发明无关，通常如图3所示，在X方向上相互连接。
并且，第1检测电极11由在第1电极区域Q1内形成的多个金属细线MW构成，由多个金属细线MW形成菱形的网状形状的图案MP。金属细线MW为导电性细线的一例。菱形的网状形状的图案MP、即网状结构由导电性细线构成。
但是，通常，触摸传感器薄膜多为例如通过第1引出配线、第1检测电极、连接端子及第1外部连接端子相互连接来设计成第1检测电极、第1引出配线、连接端子及第1外部连接端子相互电连接。并且，通常，为了减少制造工序，多为同时形成相互电连接的第1检测电极、第1周边配线、连接端子及第1外部连接端子。
如此制造的以往的触摸传感器薄膜有时在例如所谓的卷对卷方式中的卷绕的工序等中与其他触摸传感器薄膜重叠。若从该状态剥离触摸传感器薄膜彼此，则剥离的触摸传感器薄膜的第1导电层带电而有时在第1导电层内产生电位差。通过该电位差，在第1导电层内产生火花，有时会发生包含构成第1导电层的多个第1检测电极、多个第1引出配线、多个连接端子及多个第1外部连接端子的导电图案被烧坏等的故障。
此时，若连接端子与引出配线、连接端子与检测电极的连接部分较少，则有时容易在其部分产生火花故障。可推测其原因在于由于连接部分较少，容易在相同部分集中基于剥离带电的电流，从而发热而烧坏。
本发明的实施方式1所涉及的触摸传感器薄膜1中，具有图4的方式。图4中，检测电极及引出配线包括与第1连接端子401及第2连接端子402这两者连接的部分而电连接。第1连接端子401配置于检测电极的端部、即与引出配线最近的位置，引出配线通过第1连接端子401延伸连接至第2连接端子402。根据本发明的实施方式，引出配线、检测电极、连接端子的连接部位增加，电流的集中部位减少，因此提高耐火花性。该结果，能够抑制触摸传感器薄膜的火花故障。
第1连接端子401与第2连接端子402以间隔P4分开。间隔P4可以大，也可以小，但是若过大，则边框部分变粗，因此不优选，间隔P4的大小优选500μm以下，更优选100μm以下，进一步优选20μm以下。
第1连接端子401的长度L41与第2连接端子402的长度L42可以相同，也可以不同。并且，第1连接端子401的长度L41、第2连接端子402的长度L42可以比检测电极的宽度W(参考图3)长也可以相同，可以更长，也可以更短。
并且，第1连接端子401与第2连接端子402优选与导电性细线相同的线宽，例如优选为与金属细线MW相同的线宽。由此，导通不良的产生率变得更低。即，火花故障产生率更下降。
并且，如图2所示，基板2具有在第2面2B中沿着Y方向延伸并且沿着X方向排列的多个第2电极区域Q2。
配置于基板2的第2面2B上的第2导电层3B具有配置于多个第2电极区域Q2的各自并且沿着Y方向延伸的多个第2检测电极21、配置于多个第2检测电极21的周边的与多个第2检测电极21的数量对应的数量的多个第2引出配线23及与多个第2引出配线23电连接的多个第2外部连接端子24。多个第2检测电极21、多个第2引出配线23及多个第2外部连接端子24由相互相同的组成构成。并且，同时形成多个第2检测电极21、多个第2引出配线23及多个第2外部连接端子24。
多个第2引出配线23分别配置于其一端部所对应的第2检测电极21的Y方向的单侧的端部的附近，另一端部与第2外部连接端子24连接。配置于第2检测电极21的附近的第2引出配线23的一端部具有配置于第2检测电极21的周边并且一端部与第2外部连接端子24连接的配线部25及与配线部25的另一端部连接并且沿着X方向延伸的端末部26。该端末部26与第2检测电极21在Y方向上相互连接。因此，第2检测电极21与第2引出配线23相互电连接。
此时，相同地，配置于第2面B上的引出配线、连接端子及检测电极具有图4的方式。此时的效果与第1面的效果相同。
并且，虽未图示，但是第2检测电极21由在第2电极区域Q2内形成的多个金属细线MW构成，与第1检测电极11同样由多个金属细线MW形成有网状形状的图案MP。
另外，使观察者难以视觉辨认构成第1检测电极11的多个金属细线MW及构成第2检测电极21的多个金属细线MW的线宽即为了确保可见性，优选设定在0.5μm以上且10.0μm以下，进一步优选1.0μm～5.0μm，尤其优选1.5μ以上～3.0μm以下的范围内。
构成第1检测电极11的多个金属细线MW的线宽使用包含利用扫描型电子显微镜(SEM)获取的触摸传感器薄膜的金属细线MW的平面图像进行测定。平面图像中，选择相当于1根金属细线MW的线宽的任意5个部位，将5个部位的线宽相当的算术平均值作为线宽。
构成第2检测电极21的多个金属细线MW的线宽使用包含利用扫描型电子显微镜(SEM)获取的触摸传感器薄膜的金属细线MW的平面图像进行测定。平面图像中，选择相当于1根金属细线MW的线宽的任意5个部位，将5个部位的线宽相当的算术平均值作为线宽。
并且，为了确保充分的导电性，第1引出配线13及第2引出配线23的线宽优选设定在2.0μm以上且100μm以下，进一步优选3.0μm以上～20μm以下范围内。
第1引出配线13的线宽使用包含利用扫描型电子显微镜(SEM)获得的触摸传感器薄膜的第1引出配线13的平面图像进行测定。平面图像中，选择相当于1根第1引出配线13的线宽的任意5个部位，将5个部位的线宽相当的算术平均值作为线宽。
第2引出配线23的线宽使用包含利用扫描型电子显微镜(SEM)获得的触摸传感器薄膜的第2引出配线23的平面图像进行测定。平面图像中，选择相当于1根第2引出配线23的线宽的任意5个部位，将5个部位的线宽相当的算术平均值作为线宽。
并且，从折弯薄膜1时防止断线等故障的观点及获得充分的导电性的观点考虑，第1检测电极11及第1引出配线13的厚度与第2检测电极21及第2引出配线23的厚度优选0.01μm～10.0μm，更优选0.05μm～5.0μm，进一步优选0.10μm～2.5μm。
第1检测电极11及第1引出配线13的厚度与第2检测电极21及第2引出配线23的厚度使用利用扫描型电子显微镜(SEM)获取的触摸传感器薄膜的切断截面的截面图像进行测定。截面图像中，分别选择相当于第1检测电极11及第1引出配线13的厚度、第2检测电极21及第2引出配线23的厚度的任意5个部位，将相当于5个部位的厚度的部分的算术平均值作为厚度。
并且，上述间隔P4、间隔P51、间隔P52及间隔P60-1～间隔P60-(n-1)分别使用包含利用扫描型电子显微镜(SEM)获取的触摸传感器薄膜的上述间隔P4、间隔P51、间隔P52或间隔P60-1～间隔P60-(n-1)的平面图像进行测定。平面图像中，选择相当于间隔P4、间隔P51、间隔P52及间隔P60-1～间隔P60-(n-1)的任意5个部位，将相当于5个部位的间隔的部分的算术平均值作为上述的间隔P4、间隔P51、间隔P52及间隔P60-1～间隔P60-(n-1)。将成为各个间隔的成对的连接端子的线宽方向的各个中心之间的距离作为间隔。
并且，在薄膜1中，在基板2的第1面2A上配置有第1导电层3A，在基板2的第2面2B上配置有第2导电层3B，但是薄膜1可以仅具有第1导电层3A与第2导电层3B中的任一个。在该情况下，薄膜1与具有第1导电层3A及第2导电层3B这两者的情况同样抑制在第1导电层3A内或第2导电层3B内产生火花，并且能够抑制薄膜1的故障。
并且，对第1检测电极11及第2检测电极21具有菱形的网状形状的图案MP的情况进行说明，但是网状的开口形状并不限于菱形，可以为正三角形、正四边形、正六边形、其他正多边形、具有随机形状的多边形，还能够设为包含曲线的形状。
并且，图2中示出第1电极区域Q1及第2电极区域Q2具有矩形的形状的情况，但是只要能够通过第1检测电极11及第2检测电极21检测触摸操作，则第1电极区域Q1的形状及第2电极区域Q2的形状并无特别限定。
实施方式2
本发明的实施方式2所涉及的触摸传感器薄膜1中，具有图5的方式。图5中，检测电极及引出配线包括与第1连接端子501、第2连接端子502、第3连接端子503连接的部分而电连接。第1连接端子501配置于检测电极的端部，引出配线通过第1连接端子501、第2连接端子502、第3连接端子503延伸连接至第3连接端子503。根据本发明的实施方式，引出配线、检测电极、连接端子的连接部位增加，电流的集中部位减少，因此提高耐火花性。该结果，能够抑制触摸传感器薄膜的火花故障。
第1连接端子501与第2连接端子502以间隔P51分开，第2连接端子502与第3连接端子503以间隔P52分开。间隔P51、间隔P52的大小可以大，也可以小，但是若过大，则边框部分变粗，因此优选250μm以下，更优选50μm以下，进一步优选20μm以下。间隔P51与间隔P52的大小可以相同，也可以不同。
第1连接端子501的端子的长度L51、第2连接端子502的端子的长度L52、第3连接端子503的端子的长度L53可以相同，也可以不同。并且，第1连接端子501的端子的长度L51、第2连接端子502的端子的长度L52、第3连接端子503的端子的长度L53可以与检测电极的宽度W(参考图3)相同，可以更长，也可以更短。
第2面中，此时，引出配线、连接端子及、检测电极同样地具有图5的方式。此时的效果与第1面的效果相同。
实施方式3
本发明的实施方式3所涉及的触摸传感器薄膜1中，具有图6的方式。图6中，检测电极与引出配线包含分别与第1连接端子60-1～第N连接端子60-n的n个连接端子连接的部分而电连接。第1连接端子60-1配置于检测电极的端部，引出配线通过第1连接端子60-1～第N连接端子60-n延伸连接至第N连接端子60-n。根据本发明的实施方式，引出配线、检测电极、连接端子的连接部位增加，电流的集中部位减少，因此提高耐火花性。该结果，能够抑制触摸传感器薄膜的火花故障。
第1连接端子60-1～第N连接端子60-n分别以间隔P60-1～60-(n-1)分开。间隔P60-1～间隔P60-(n-1)可以大，也可以小，但是若过大，则边框部分变粗，因此优选500μm以下，更优选20μm以下，进一步优选5μm以下。
第1连接端子60-1～第N连接端子60-n的端子的长度L60-1～n可以相同，也可以不同。并且，第1连接端子60-1～第N连接端子60-n的长度L60-1～n可以与检测电极的宽度W(参考图3)相同，可以更长，也可以更短。
第2面中，此时，引出配线、连接端子及、检测电极同样地具有图6的方式。此时的效果与第1面的效果相同。
实施方式3中，在n＝2的情况下，对应于实施方式1，在n＝3的情况下，对应于实施方式2。
另外，第1面的引出配线、连接端子及检测电极的方式和第2面的引出配线、连接端子及检测电极的方式可以为相同的结构，也可以不同。并且，各面的引出配线、连接端子及检测电极的结构在多个检测电极、引出配线中根据检测电极及引出配线也可以分别不同。即，能够在各检测电极、引出配线的连接部分中任意采用实施方式1～3中说明的引出配线、连接端子及检测电极的结构。
第1连接端子60-1～第N连接端子60-n的线宽并无限制，但是若过细，则容易断线，若过粗，则边框部分变粗。第1连接端子60-1～第N连接端子60-n的线宽优选1μm～50μm，更优选1.5μm～20μm。第1连接端子60-1～第N连接端子60-n可以为分别相同的宽度，也可以不同。
第1连接端子60-1～第N连接端子60-n的厚度并无特别限制，但是若过薄，则容易断线，若过厚，则在处理时容易折断。第1连接端子60-1～第N连接端子60-n的厚度优选0.1μm～10μm，更优选0.5μm～3μm。第1连接端子60-1～第N连接端子60-n的厚度可以为分别相同的宽度，也可以不同。
实施方式4
本发明的实施方式4所涉及的触摸传感器薄膜1中，具有图7的方式。本发明的实施方式4为图4所示的实施方式1的变形例。因此，与图4所示的结构相同的结构物标注相同符号，并省略其详细说明。
图7中，第1连接端子401的长度L41与检测电极的宽度W(参考图3)相同，但是第2连接端子402的长度L42比检测电极的宽度W(参考图3)短。
根据本发明的实施方式，引出配线、检测电极、连接端子的连接部位增加，电流的集中部位减少，因此提高耐火花性。该结果，能够抑制触摸传感器薄膜的火花故障。
实施方式5
本发明的实施方式5所涉及的触摸传感器薄膜1中，具有图8的方式。本发明的实施方式5为图4所示的实施方式1的变形例。因此，与图4所示的结构相同的结构物标注相同符号，并省略其详细说明。
图8中，第1连接端子401的长度L41比检测电极的宽度W(参考图3)长，第2连接端子402的长度L42比检测电极的宽度W(参考图3)短。
根据本发明的实施方式，引出配线、检测电极、连接端子的连接部位增加，电流的集中部位减少，因此提高耐火花性。该结果，能够抑制触摸传感器薄膜的火花故障。
上述第1连接端子401及第2连接端子402、第1连接端子501、第2连接端子502及第3连接端子503、以及第1连接端子60-1～第N连接端子60-n均为直线状的导电性细线，例如由金属细线构成，但是与形成菱形的网状形状的图案MP的金属细线MW不同。
若上述第1连接端子401及第2连接端子402、第1连接端子501、第2连接端子502及第3连接端子503以及第1连接端子60-1～第N连接端子60-n配置于第1检测电极11，则为沿与第1检测电极11所延伸的方向正交的方向延伸的直线状的金属细线。
并且，若上述第1连接端子401及第2连接端子402、第1连接端子501、第2连接端子502及第3连接端子503以及第1连接端子60-1～第N连接端子60-n配置于第2检测电极21，则为沿与第2检测电极21所延伸的方向正交的方向延伸的直线状的金属细线。
并且，若设置连接端子的数量过多，则边框部分变厚，因此不优选，优选3以下。
上述第1连接端子401及第2连接端子402、第1连接端子501、第2连接端子502及第3连接端子503以及第1连接端子60-1～第N连接端子60-n中，火花故障产生率更下降，因此至少2个以上的连接端子的间隔优选为5μm以上。可推测这是因为通过增加能够产生剥离带电的接触部位的距离能够降低因剥离带电而引起的电流密度。
以下，对构成实施方式1的触摸传感器薄膜1的各部件进行说明。另外，关于构成实施方式2～5的触摸传感器薄膜的各部件，也以构成实施方式1的触摸传感器薄膜1的各部件为基准。
＜基板＞
基板2透明且具有电绝缘性，只要能够支撑第1导电层3A和第2导电层3B，则并无特别限定，例如使用树脂基板或玻璃基板等。更具体而言，作为构成基板2的材料，例如能够使用玻璃、强化玻璃、无碱玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET：PolyethyleneTerephthalate)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN：polyethylene naphthalate)、环烯烃聚合物(COP：cyclo-olefin polymer)、环状烯烃/共聚物(COC：cyclic olefin copolymer)、聚碳酸酯(PC：polycarbonate)、丙烯酸树脂、聚乙烯(PE：polyethylene)、聚丙烯(PP：Polypropylene)、聚苯乙烯(PS：polystyrene)、聚氯乙烯(PVC：polyvinyl chloride)、聚偏二氯乙烯(PVDC：polyvinylidene chloride)、三乙酰纤维素(TAC：cellulose triacetate)等。透明绝缘基板5的厚度例如优选20μm～1100μm，更优选20μm～500μm。尤其，在如PET的有机树脂基板的情况下，优选为厚度20μm～200μm，更优选为30μm～100μm。
基板2的总透光率优选为40％～100％。总透光率是指例如使用以JIS K 7375：2008规定的“塑料--总透光率及总透光率的求出方法”测定。
作为基板2的优选方式之一，可举出实施了选自由大气压等离子体处理、电晕放电处理及紫外线照射处理构成的组中的至少1个处理的被处理过的基板。通过实施上述处理，在处理的透明绝缘基板5的表面导入OH基等亲水性基团。由此，提高基板2与第1导电层3A的密合性及基板2与第2导电层3B的密合性。并且，在上述处理之中，在更加提高基板2与第1导电层3A的密合性及基板2与第2导电层3B的密合性的方面而言，优选大气压等离子体处理。
＜底涂层＞
为了提高基板2与第1导电层3A的密合性及基板2与第2导电层3B的密合性，也能够分别在基板2与第1导电层3A之间及基板2与第2导电层3B之间配置底涂层。该底涂层含有高分子，更加提高基板2与第1导电层3A的密合性及基板2与第2导电层3B的密合性。
底涂层的形成方法并无特别限定，例如可举出将含有高分子的底涂层形成用组合物涂布于基板上并且根据需要实施加热处理的方法。并且，作为含有高分子的底涂层形成用组合物，也可以使用明胶、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、含有无机或高分子的微粒的丙烯酸/苯乙烯系胶乳等。
另外，根据需要，薄膜1可以分别在基板2与第1导电层3A之间及基板2与第2导电层3B之间作为其他层具备除了上述底涂层以外的折射率调整层。作为折射率调整层，例如能够使用添加了调整折射率的氧化锆等金属氧化物的粒子的有机层。
＜导电层及连接部＞
具有多个第1检测电极11、多个第1引出配线13及多个第1外部连接端子14的第1导电层3A以及具有多个第2检测电极21、多个第2引出配线23及多个第2外部连接端子24的第2导电层3B中，作为导电性材料，将金属或合金用作形成材料，例如能够由铜、铝或银形成。作为合金，例如可以包含金、银或铜等。并且，第1导电层3A、第2导电层3B及连接部可以含有金属银及明胶或丙烯酸/苯乙烯系胶乳等高分子粘合剂。作为其他优选的材料为铝、银、钼、钛的金属及其合金。并且，可以为这些层叠结构，例如能够使用钼/铜/钼、钼/铝/钼等的层叠结构。并且，第1导电层3A、第2导电层3B可以含有金属氧化物粒子、银浆及铜膏等金属膏以及银纳米线及铜纳米线等金属纳米线粒子。
并且，为了提高构成第1检测电极11及第2检测电极21的金属细线MW的可见性，也可以在由观察者视觉辨认的金属细线MW的表面形成黑化层。作为黑化层，可使用金属氧化物、金属氮化物、金属氧氮化物或金属硫化物等，典型地能够使用氧氮化铜、氮化铜、氧化铜或氧化钼等。
接着，对第1导电层3A及第2导电层3B的形成方法进行说明。作为第1导电层3A及第2导电层3B，例如能够适当利用溅射法、镀敷法、银盐法及印刷法等。
对基于溅射法的第1导电层3A及第2导电层3B的形成方法进行说明。首先，通过溅射形成导电材料的层，通过光学平版刻法由导电材料的层形成配线，由此能够形成第1导电层3A及第2导电层3B。另外，通过所谓的蒸镀来代替溅射，也能够形成导电材料的层。导电材料的层除了溅射或蒸镀以外，还能够利用电解金属箔。更具体而言，能够利用日本特开2014-29614号公报中所记载的形成铜配线的工序。
对基于镀敷法的第1导电层3A及第2导电层3B的形成方法进行说明。例如，第1导电层3A及第2导电层3B能够通过对无电解镀敷基底层实施无电解镀敷并且使用形成于基底层上的金属镀敷膜来构成。在这种情况下，第1导电层3A及第2导电层3B通过如下来形成：在基材上以图案状形成至少含有金属微粒的催化剂油墨之后，将基材浸渍于无电解镀敷浴中，形成金属镀敷膜。更具体而言，能够利用日本特开2014-159620号公报中所记载的金属被膜基材的制造方法。
并且，第1导电层3A及第2导电层3B通过如下来形成：在基材上以图案状形成至少具有能够与金属催化剂前体相互作用的官能团的树脂组合物之后赋予催化剂或催化剂前体，将基材浸渍于无电解镀敷浴中，形成金属镀敷膜。更具体而言，能够应用日本特开2012-144761号公报中所记载的金属被膜基材的制造方法。并且，第1导电层3A及第2导电层3B也可以对通过银盐法形成的配线图案实施无电解镀敷来形成。在这种情况下，第1导电层3A及第2导电层3B通过如下来形成：通过对由通过包括曝光、显影、根据情况进而去除明胶的工序的工序形成涂布有照片感光材料的膜的银粒子构成的图案实施无电解银或铜镀敷，形成金属镀敷膜。更具体而言，能够适用国际公开第2020/158494号、国际公开第2021/059812号、国际公开第2021/065226号中所记载的制造方法。
对基于银盐法的第1导电层3A及第2导电层3B的形成方法进行说明。首先，使用作为第1导电层3A及第2导电层3B的曝光图案，对含有卤化银的银盐乳剂层实施曝光处理，之后进行显影处理，由此能够形成第1导电层3A及第2导电层3B。更具体而言，能够利用日本特开2012-6377号公报、日本特开2014-112512号公报、日本特开2014-209332号公报、日本特开2015-22397号公报、日本特开2016-192200号公报及国际公开第2016/157585号中所记载的第1导电层3A及第2导电层3B的制造方法。
对基于印刷法的第1导电层3A及第2导电层3B的形成方法进行说明。首先，将含有导电性粉末的导电浆料涂布于基板上，以使成为与第1导电层3A及第2导电层3B相同的图案，之后实施加热处理，由此能够形成第1导电层3A及第2导电层3B。使用导电浆料的图案形成例如通过喷墨法或丝网印刷法进行。作为导电浆料，更具体而言，能够利用日本特开2011-28985号公报中所记载的导电浆料。
并且，使用上述第1导电层3A及第2导电层3B的形成方法，形成金属细线MW而作为导电性细线。
本发明基本上如以上那样构成。以上，对本发明的触摸传感器薄膜进行了详细说明，但本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内当然可以进行各种改良或变更。
实施例
以下，基于实施例对本发明进行进一步详细说明。以下实施例所示的材料、使用量、比例、处理内容及处理步骤只要不脱离本发明的宗旨，则能够进行适当变更，本发明的范围不应被以下实施例限定地解释。
＜实施例1＞
(卤化银乳剂的制备)
向保持38℃、pH(氢离子指数)4.5的下述1液中经20分钟一边搅拌一边同时分别添加相当于90％的下述2液及3液的量，形成了0.16μm的核粒子。接着，经8分钟添加下述4液及5液，进而经2分钟添加下述2液及3液的剩余的10％的量，直至生长0.21μm。此外，添加碘化钾0.15g，进行5分钟熟化，结束了粒子形成。
1液：
Figure BDA0003769256790000151
2液：
水 300ml
硝酸银 150g
3液：
Figure BDA0003769256790000161
4液：
水 100ml
硝酸银 50g
5液：
Figure BDA0003769256790000162
之后，根据常规方法，通过絮凝法进行了水洗。具体而言，将温度降低至35℃，使用硫酸降低pH直至卤化银沉淀(pH为3.6±0.2的范围)。接着，去除了约3升的上清液(第一水洗)。进而添加3升的蒸馏水之后，添加了硫酸直至卤化银沉淀。再次去除了3升的上清液(第二水洗)。进而反复1次与第二水洗相同的操作(第三水洗)，结束了水洗/脱盐工序。将水洗/脱盐之后的乳剂调整为pH6.4、pAg7.5，添加明胶2.5g、苯硫代磺酸钠10mg、苯硫代亚磺酸钠3mg、硫代硫酸钠15mg及氯金酸10mg，实施化学增感以使其在55℃下获得最佳灵敏度，作为稳定剂添加了1,3,3a,7-四氮茚100mg，作为防腐剂添加了PROXEL(商品名、ICI Co.,Ltd.制)100mg。最终获得的乳剂为含有0.08摩尔％的碘化银、将氯溴化银的比率作为氯化银70摩尔％、溴化银30摩尔％的平均粒径0.22μm、变动系数9％的碘氯溴化银立方体粒子乳剂。
(感光性层形成用组合物的制备)
向上述乳剂添加1,3,3a,7-四氮茚1.2×10-4摩尔/摩尔Ag、氢醌1.2×10-2摩尔/摩尔Ag、柠檬酸3.0×10-4摩尔/摩尔Ag、2,4-二氯-6-羟基-1,3,5-三嗪钠盐0.90g/摩尔Ag、微量的硬膜剂，使用柠檬酸，将涂布液pH调整为5.6。
向上述涂布液添加由下述式(P-1)表示的聚合物及含有由二烷基苯基PEO硫酸酯构成的分散剂的聚合物胶乳(分散剂/聚合物的质量比为2.0/100＝0.02)，使其相对于所含有的明胶成为聚合物/明胶(质量比)＝0.5/1。
此外，作为交联剂，添加了EPOXY RESIN DY 022(商品名：Nagase ChemtexCorporation制)。另外，交联剂的添加量调整为后述的含卤化银的感光性层中的交联剂的量成为0.09g/m2。
如以上那样制备了感光性层形成用组合物。
另外，由下述式(P-1)表示的聚合物参考日本专利第3305459号公报及日本专利第3754745号公报来进行了合成。
[化学式1]
Figure BDA0003769256790000171
(感光性层形成工序)
对绝缘基材实施电晕放电处理之后，在绝缘基材的两面设置了作为下涂层的厚度0.1μm的明胶层，还在下涂层上设置了光密度约为1.0且含有通过显影液的碱进行脱色的染料的防光晕层。将上述感光性层形成用组合物涂布于上述防光晕层上，进而设置厚度0.15μm的明胶层，获得了在两面形成有感光性层的绝缘基材。将在两面形成有感光性层的绝缘基材作为薄膜A。所形成的感光性层为银量6.0g/m2、明胶量1.0g/m2。
(曝光显影工序)
在上述薄膜A的一个表面配置图2、4所示的实施方式中的与多个第1检测电极11、多个第1引出配线13、多个第1连接端子及多个第1外部连接端子14的图案对应的光掩模，在薄膜A的另一个表面配置与多个第2检测电极21、多个第2引出配线23、多个第2连接端子及多个第2外部连接端子24的图案对应的光掩模，从薄膜A的两面侧分别使用将高压汞灯作为光源的平行光进行了曝光。在曝光之后，用下述显影液进行显影，进而使用定影液(商品名：CN16X用N3X-R、Fujifilm Corporation制)进行了显影处理。此外，用纯水进行冲洗并且进行干燥，由此获得了在两面形成有由Ag线构成的导电部件及明胶层的绝缘基材。明胶层形成于Ag线之间。将所获得的薄膜作为薄膜B。
(显影液的组成)
在显影液1升(L)中含有以下的化合物。
Figure BDA0003769256790000181
(明胶分解处理)
对于薄膜B，在蛋白水解酶(Nagase Chemtex Corporation制BIOPRASEAL-15FG)的水溶液(蛋白水解酶的浓度：0.5质量％、液温：40℃)中浸渍120秒钟。从水溶液取出薄膜B，在温水(液温：50℃)下浸渍120秒钟，进行了清洗。将明胶分解处理之后的薄膜作为薄膜C。
(低电阻化处理)
使用具备金属制辊的压延机装置，在30kN的压力下对薄膜C进行了压延处理。此时，将具有线粗糙度Ra＝0.2μm、Sm＝1.9μm(用KEYENCE CORPORATION制形状解析激光器显微镜VK-X110来测定(JIS-B-0601-1994))的粗面形状的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜2片以这些粗面与薄膜C的表面及背面相对的方式一同运载，在薄膜C的表面及背面转印形成了粗面形状。在压延处理之后，使薄膜C经120秒钟通过温度150℃的过热蒸汽槽，进行了加热处理。将加热处理之后的薄膜作为实施例1的触摸传感器薄膜。该实施例1的触摸传感器薄膜中，在绝缘基材的第1面上形成有多个第1检测电极、多个第1引出配线及多个第1外部连接端子，在绝缘基材的第2面上形成有多个第2检测电极、多个第2引出配线及多个外部连接端子。
此时，检测电极为菱形网状形状，从上述菱形网状形状的交点至相邻的交点为止的金属细线的长度为400μm，金属细线与检测电极所延伸的方向所成的角度为59°，形成检测电极的金属细线MW的线宽为1.8μm，引出配线的线宽为5μm。并且，第1连接端子401的线宽为5μm，长度L41与检测电极宽度相同，第2连接端子402的线宽为5μm，长度L42与检测电极宽度相同，第1连接端子401与第2连接端子402的间隔P4为100μm。
＜实施例2＞
变更光掩模，以使第1连接端子401的线宽成为1.8μm，长度L41与检测电极宽度相同，第2连接端子402的线宽成为1.8μm，长度L42与检测电极宽度相同，第1连接端子401与第2连接端子402的间隔P4成为100μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制造了实施例2的触摸传感器。
＜实施例3＞
变更光掩模，以使第1连接端子401的线宽成为5μm，长度L41与检测电极宽度相同，第2连接端子402的线宽成为5μm，长度L42与检测电极宽度相同，第1连接端子401与第2连接端子402的间隔P4成为20μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制造了实施例3的触摸传感器。
＜实施例4＞
变更光掩模，以使第1连接端子401的线宽成为1.8μm，长度L41与检测电极宽度相同，第2连接端子402的线宽成为1.8μm，长度L42与检测电极宽度相同，第1连接端子401与第2连接端子402的间隔P4成为20μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制造了实施例4的触摸传感器。
＜实施例5＞
变更光掩模，以使第1连接端子401的线宽成为5μm，长度L41与检测电极宽度相同，第2连接端子402的线宽成为5μm，长度L42与检测电极宽度相同，第1连接端子401与第2连接端子402的间隔P4成为4μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制造了实施例5的触摸传感器。
＜实施例6＞
变更光掩模，以使第1连接端子401的线宽成为1.8μm，长度L41与检测电极宽度相同，第2连接端子402的线宽成为1.8μm，长度L42与检测电极宽度相同，第1连接端子401与第2连接端子402的间隔P4成为4μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制造了实施例6的触摸传感器。
＜实施例7＞
变更光掩模，以使形成检测电极的金属细线MW的线宽为3.5μm，引出配线的线宽为20μm，第1连接端子401的线宽成为5μm，长度L41与检测电极宽度相同，第2连接端子402的线宽成为5μm，长度L42与检测电极宽度相同，第1连接端子401与第2连接端子402的间隔P4成为100μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制造了实施例7的触摸传感器。
＜实施例8＞
变更光掩模，以使第1连接端子401的线宽成为3.5μm，长度L41与检测电极宽度相同，第2连接端子402的线宽成为3.5μm，长度L42与检测电极宽度相同，第1连接端子401与第2连接端子402的间隔P4成为100μm，除此以外，以与实施例7相同的方式制造了实施例8的触摸传感器。
＜实施例9＞
变更光掩模，以使为图5的形状，形成检测电极的金属细线MW的线宽为1.8μm，引出配线的线宽为5μm，第1连接端子501的线宽成为5μm，长度L51与检测电极宽度相同，第2连接端子502的线宽成为5μm，长度L52与检测电极宽度相同，第3连接端子503的线宽成为5μm，长度L53与检测电极宽度相同，第1连接端子501与第2连接端子502的间隔P51成为20μm，第2连接端子502与第3连接端子503的间隔P52成为50μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制造了实施例9的触摸传感器。
＜实施例10＞
变更光掩模，以使第1连接端子501的线宽成为1.8μm，长度L51与检测电极宽度相同，第2连接端子502的线宽成为1.8μm，长度L52与检测电极宽度相同，第3连接端子503的线宽成为1.8μm，长度L53与检测电极宽度相同，第1连接端子501与第2连接端子502的间隔P51成为20μm，第2连接端子502与第3连接端子503的间隔P52成为50μm，除此以外，以与实施例9相同的方式制造了实施例10的触摸传感器。
＜实施例11＞
变更光掩模，以使第1连接端子501的线宽成为5μm，长度L51与检测电极宽度相同，第2连接端子502的线宽成为5μm，长度L52与检测电极宽度相同，第3连接端子503的线宽成为5μm，长度L53与检测电极宽度相同，第1连接端子501与第2连接端子502的间隔P51成为100μm，第2连接端子502与第3连接端子503的间隔P52成为100μm，除此以外，以与实施例9相同的方式制造了实施例11的触摸传感器。
＜实施例12＞
变更光掩模，以使第1连接端子501的线宽成为1.8μm，长度L51与检测电极宽度相同，第2连接端子502的线宽成为1.8μm，长度L52与检测电极宽度相同，第3连接端子503的线宽成为1.8μm，长度L53与检测电极宽度相同，第1连接端子501与第2连接端子502的间隔P51成为100μm，第2连接端子502与第3连接端子503的间隔P52成为100μm，除此以外，以与实施例9相同的方式制造了实施例12的触摸传感器。
＜实施例13＞
变更光掩模，以使为图4的形状，第1连接端子401的线宽成为5μm，长度L41为检测电极宽度的2倍，第2连接端子402的线宽成为5μm，长度L42与检测电极宽度相同，第1连接端子401与第2连接端子402的间隔P4成为100μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制造了实施例13的触摸传感器。
＜实施例14＞
变更光掩模，以使第1连接端子401的线宽成为1.8μm，长度L41为检测电极宽度的2倍，第2连接端子402的线宽成为1.8μm，长度L42与检测电极宽度相同，第1连接端子401与第2连接端子402的间隔P4成为100μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制造了实施例14的触摸传感器。
＜实施例15＞
变更光掩模，以使第1连接端子401的线宽成为5μm，长度L41为检测电极宽度的2倍，第2连接端子402的线宽成为5μm，长度L42为检测电极宽度的2倍，第1连接端子401与第2连接端子402的间隔P4成为100μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制造了实施例15的触摸传感器。
＜实施例16＞
变更光掩模，以使第1连接端子401的线宽成为1.8μm，长度L41为检测电极宽度的2倍，第2连接端子402的线宽成为1.8μm，长度L42为检测电极宽度的2倍，第1连接端子401与第2连接端子402的间隔P4成为100μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制造了实施例16的触摸传感器。
＜实施例17＞
变更光掩模，以使为图7的形状，第1连接端子401的线宽成为5μm，长度L41与检测电极宽度相同，第2连接端子402的线宽成为5μm，长度L42为检测电极宽度的0.6倍，第1连接端子401与第2连接端子402的间隔P4成为20μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制造了实施例17的触摸传感器。
＜实施例18＞
变更光掩模，以使为图7的形状，第1连接端子401的线宽成为1.8μm，长度L41与检测电极宽度相同，第2连接端子402的线宽成为1.8μm，长度L42为检测电极宽度的0.6倍，第1连接端子401与第2连接端子402的间隔P4成为20μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制造了实施例18的触摸传感器。
＜实施例19＞
变更光掩模，以使为图8的形状，第1连接端子401的线宽成为5μm，长度L41为检测电极宽度的2倍，第2连接端子402的线宽成为5μm，长度L42为检测电极宽度的0.6倍，第1连接端子401与第2连接端子402的间隔P4成为20μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制造了实施例19的触摸传感器。
＜实施例20＞
变更光掩模，以使为图8的形状，第1连接端子401的线宽成为1.8μm，长度L41为检测电极宽度的3倍，第2连接端子402的线宽成为1.8μm，长度L42为检测电极宽度的0.6倍，第1连接端子401与第2连接端子402的间隔P4成为20μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制造了实施例20的触摸传感器。
＜实施例21＞
变更光掩模，以使第1连接端子401的线宽成为5μm，长度L41与检测电极宽度相同，第2连接端子402的线宽成为5μm，长度L42与检测电极宽度相同，第1连接端子401与第2连接端子402的间隔P4成为5μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制造了实施例21的触摸传感器。
＜实施例22＞
变更光掩模，以使第1连接端子401的线宽成为1.8μm，长度L41与检测电极宽度相同，第2连接端子402的线宽成为1.8μm，长度L42与检测电极宽度相同，第1连接端子401与第2连接端子402的间隔P4成为5μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制造了实施例22的触摸传感器。
＜比较例1＞
变更光掩模，以使为图3的形状，检测电极的线宽为1.8μm，引出配线的线宽为5μm，连接端子301的线宽成为5μm，长度L3与检测电极宽度相同，除此以外，以与实施例1相同的方式制造了比较例1的触摸传感器。
＜比较例2＞
变更光掩模，以使连接端子301的线宽成为1.8μm，长度L3与检测电极宽度相同，除此以外，以与比较例1相同的方式制造了比较例2的触摸传感器。
＜比较例3＞
变更光掩模，以使检测电极的线宽为3.5μm，引出配线的线宽为20μm，连接端子301的线宽成为20μm，长度L3与检测电极宽度相同，除此以外，以与比较例1相同的方式制造了比较例3的触摸传感器。
＜比较例4＞
变更光掩模，以使连接端子301的线宽成为3.5μm，长度L3与检测电极宽度相同，除此以外，以与比较例3相同的方式制造了比较例4的触摸传感器。
对如以上那样获得的实施例1～22及比较例1～4的触摸传感器进行了以下所示的导通评价。
另外，实施例1～22及比较例1～4的检测电极的线宽、引出配线的线宽、以及连接端子的线宽及间隔使用先前说明的线宽及间隔的测定方法进行了测定。
(导通评价)
重叠200片的触摸传感器薄膜，在该状态下经过1天。之后，取出每1片的触摸传感器薄膜，测定了第1检测电极的端部与第1外部连接端子之间的电阻值及第2检测电极的端部与第2外部连接端子之间的电阻值。此时，将存在1个无法测定电阻值的(过载)部位的触摸传感器判定为导通不良的触摸传感器，算出相对于200片的所有触摸传感器的导通不良的触摸传感器的数量的比例作为不良品产生率。此时，判定为在不良品产生率为0.5％以下的情况下获得充分的制造效率。上述不良品产生率为火花故障产生率。将上述不良品产生率示于下述表1的“火花故障产生率”的栏。
以下表1中示出相对于实施例1～22及比较例1～4的导通评价的结果。
Figure BDA0003769256790000251
如表1所示，本发明的实施例1～22相对于比较例1～4，导通不良产生率较低，可获得优异的制造效率。并且，由实施例1与2、3与4、5与6、7与8、9与10、11与12、13与14、15与16、17与18、19与20、21与22的比较可知，连接端子的线宽为与检测电极的导电性细线相同的线宽，由此导通不良产生率较低。即，火花故障产生率更下降。可推测这是因为2个面接触时的配线彼此的面积变小，由此剥离带电量变少。并且，由实施例1～6的比较可知，通过连接端子的间隔为5μm以上，能够更加降低导通不良产生率。即，火花故障产生率更下降。可推测这是因为通过增加能够产生剥离带电的接触部位的距离能够降低因剥离带电而引起的电流密度。
并且，由实施例5、6、21与22的比较，若连接端子的间隔成为5μm以上，则火花故障产生率更加降低。可推测这也是因为通过增加能够产生剥离带电的接触部位的距离能够降低因剥离带电而引起的电流密度。

Claims (5)

1.一种触摸传感器薄膜，其特征在于，具有多个检测电极以及与所述多个检测电极电连接的多个引出配线，
所述检测电极为由导电性细线构成的网状结构，
所述多个检测电极分别具有：配置于所述检测电极的最外侧的第1连接端子；以及配置于与所述第1连接端子分离的位置的第2连接端子，
所述引出配线经过所述第1连接端子，延伸至所述第2连接端子，并且与所述第1连接端子以及所述第2连接端子电连接。
2.根据权利要求1所述的触摸传感器薄膜，其中，
所述第1连接端子以及所述第2连接端子的线宽为与所述导电性细线相同的线宽。
3.根据权利要求1或2所述的触摸传感器薄膜，其中，
所述多个检测电极分别还具有与所述引出配线电连接的第3连接端子，
所述第1连接端子、所述第2连接端子以及所述第3连接端子依次配置。
4.根据权利要求1或2所述的触摸传感器薄膜，其中，
所述第1连接端子以及所述第2连接端子中的任一个连接端子的长度大于所述检测电极的电极宽度。
5.根据权利要求1或2所述的触摸传感器薄膜，其中，
所述第1连接端子与所述第2连接端子之间的间隔为5μm以上。
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