JP2023033708A - タッチセンサおよびタッチセンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】タッチ操作に対する検知信号のノイズを抑制しながらもスパークによるタッチセンサの故障を抑制できるタッチセンサおよびタッチセンサの製造方法を提供する。【解決手段】タッチセンサ（１）は、絶縁基材（２）と、絶縁基材（２）の両面（２Ａ、２Ｂ）上にそれぞれ配置された導電層（３Ａ、３Ｂ）を有し、導電層（３Ａ、３Ｂ）は、複数の検知電極（１１、２１）と、複数の検知電極（１１、２１）のそれぞれから引き出された複数の引き出し配線（１３、２３）と、絶縁基材（２）の他方の面（２Ａ、２Ｂ）上に配置された複数の引き出し配線（１３、２３）に対して平面視において重なる位置に配置されたシールドパターン部（１５、２５）を含み、シールドパターン部（１５、２５）は、複数の検知電極（１１、２１）の厚みおよび複数の引き出し配線（１３、２３）の厚みに対して２倍以上の厚みを有する。【選択図】図２

Description

この発明は、静電容量式のタッチセンサおよびタッチセンサの製造方法に関する。

近年、携帯情報機器を始めとした各種の電子機器において、液晶表示装置等の表示装置と組み合わせて用いられ、画面に接触することによる電子機器への入力操作を検知するタッチセンサの普及が進んでいる。

例えば、特許文献１には、絶縁基材の両面上に、タッチ操作を検知するためのメッシュ形状の複数の検知電極と、複数の検知電極のそれぞれから引き出される複数の引き出し配線を有するタッチセンサが開示されている。一般的に、絶縁基材の両面に検知電極と引き出し配線が配置されている場合には、絶縁基材の一方の面上に配置された引き出し配線における電気信号が、絶縁基材の他方の面上に配置された検知電極で得られた、タッチ操作に対する検知信号に電気的に干渉することにより、検知信号にノイズが生じ、タッチセンサが誤作動をする場合があることが知られている。特許文献１では、絶縁基材の両面上において、他方の面上の引き出し配線と平面視で重なる位置にシールドパターン部を配置することにより、絶縁基材の両面上に配置された複数の検知電極および複数の引き出し配線における電気信号同士の電気的な干渉を抑制している。

特開２０１８－０１４１４５号公報

一般的に、例えばタッチセンサの製造時におけるいわゆるロールトゥロール方式の巻き取りの工程等で複数のタッチセンサが互いに重ね合わされることがある。この状態からタッチセンサ同士が剥離すると、タッチセンサにおける複数の検知電極および複数の引き出し配線等を含む導電パターンが帯電し、導電パターン内で電位差が生じることがある。この電位差により導電パターン内でスパークが生じ、導電パターンが焼き切れる等の故障が生じる場合があった。

また、近年では、複数の検知電極の外側の領域を狭くすることにより、いわゆる狭額縁化が試みられている。狭額縁化が行われる場合には、複数の引き出し配線間の間隔および引き出し配線と検知電極との間隔が狭くなり、導電パターンにおいてさらにスパークが発生しやすくなるという問題があった。

特許文献１では、絶縁基材の両面上に配置されたシールドパターン部により絶縁基材の一方の面上に配置された導電パターン内の電気信号と他方の面上に配置された導電パターン内の電気信号との電気的な干渉を抑制できるが、複数のタッチセンサが互いに重ね合わされ且つ剥離された場合に、導電パターン内でスパークが生じることがあり、この点において改善の余地があった。

この発明は、このような従来の問題点を解消するためになされたもので、タッチ操作に対する検知信号のノイズを抑制しながらもスパークによるタッチセンサの故障を抑制できるタッチセンサおよびそのタッチセンサの製造方法を提供することを目的とする。

この発明に係るタッチセンサは、絶縁基材と、絶縁基材の両面上にそれぞれ配置された導電層を有し、導電層は、複数の検知電極と、複数の検知電極のそれぞれから引き出された複数の引き出し配線と、絶縁基材の一方の面の、絶縁基材の他方の面上に配置された複数の引き出し配線に対して平面視において重なる位置に配置されたシールドパターン部を含み、シールドパターン部は、複数の検知電極の厚みおよび複数の引き出し配線の厚みに対して２倍以上の厚みを有することを特徴とする。

複数の検知電極は、メッシュ形状を有することができる。
シールドパターン部は、可視光に対して１００％の遮蔽率を有することができる。
また、シールドパターン部は、メッシュ形状を有し、可視光に対して０．５％以上１００％未満の遮蔽率を有することもできる。

本発明に係るタッチセンサの製造方法は、絶縁基材の両面上に、それぞれ、複数の検知電極と、複数の検知電極のそれぞれから引き出された複数の引き出し配線とを同時に形成し、絶縁基材の両面上の、それぞれ絶縁基材の反対側の面上に配置された複数の引き出し配線に対して平面視において重なる位置に、複数の検知電極の厚みおよび複数の引き出し配線の厚みに対して２倍以上の厚みを有するシールドパターン部を形成することを特徴とする。

複数の検知電極および複数の引き出し配線の形成方法とシールドパターン部の形成方法とは、互いに異なることができる。
シールドパターン部の形成方法は、フォトリソグラフィ法、インクジェット法、スクリーン印刷法および凸版印刷法のいずれかであることができる。

この発明によれば、タッチセンサが、絶縁基材と、絶縁基材の両面上にそれぞれ配置された導電層を有し、導電層は、複数の検知電極と、複数の検知電極のそれぞれから引き出された複数の引き出し配線と、絶縁基材の他方の面上に配置された複数の引き出し配線に対して平面視において重なる位置に配置されたシールドパターン部を含み、シールドパターン部は、複数の検知電極の厚みおよび複数の引き出し配線の厚みに対して２倍以上の厚みを有するため、タッチ操作に対する検知信号のノイズを抑制しながらもスパークによるタッチセンサの故障を抑制できる。

本発明の実施の形態にタッチセンサの部分断面図である。 本発明の実施の形態に係るタッチセンサを示す平面図である。 本発明の実施の形態における第１検知電極を拡大して示す平面図である。 本発明の実施の形態における第１検知電極と第１シールドパターン部の部分断面図である。 本発明の実施の形態における絶縁基材の第１面上に配置された複数の第１検知電極、複数の第１引き出し配線および複数の第１電極パッドを示す平面図である。 本発明の実施の形態における絶縁基材の第２面上に配置された複数の第２検知電極、複数の第２引き出し配線および複数の第２電極パッドを示す平面図である。

以下に、添付の図面に示す好適な実施の形態に基づいて、この発明に係るタッチパネル用導電部材を詳細に説明する。
なお、以下において、数値範囲を示す表記「～」は、両側に記載された数値を含むものとする。例えば、「ｓが数値ｔ１～数値ｔ２である」とは、ｓの範囲は数値ｔ１と数値ｔ２を含む範囲であり、数学記号で示せばｔ１≦ｓ≦ｔ２である。
「直交」および「平行」等を含め角度は、特に記載がなければ、技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含むものとする。

「透明」とは、光透過率が、波長４００ｎｍ～８００ｎｍの可視光波長域において、少なくとも４０％以上のことであり、好ましくは７５％以上であり、より好ましくは８０％以上、さらにより好ましくは９０％以上のことである。光透過率は、ＪＩＳ Ｋ ７３７５：２００８に規定される「プラスチック－全光線透過率および全光線反射率の求め方」を用いて測定されるものである。

実施の形態
図１に、本発明の実施の形態に係るタッチセンサ１の構成を示す。
タッチセンサ１は、透明で且つ絶縁性を有する絶縁基材２と、絶縁基材２の第１面２Ａ上に配置された第１導電層３Ａと、第１面２Ａとは反対側の面である絶縁基材２の第２面２Ｂ上に配置された第２導電層３Ｂを有する。

図２に示すように、絶縁基材２の第１面２Ａ上に配置された第１導電層３Ａは、一定の方向に沿って延び且つその方向に対して直交する方向に沿って配列された複数の第１検知電極１１と、複数の第１検知電極１１のそれぞれから引き出された複数の第１引き出し配線１３と、複数の第１引き出し配線１３に電気的に接続された複数の第１電極パッド１４と、一対の第１シールドパターン部１５とを有している。一対の第１シールドパターン部１５は、複数の第１検知電極１１、複数の第１引き出し配線１３および複数の第１電極パッド１４と離れて配置されている。

ここで、説明のために、複数の第１検知電極１１が延びる一定の方向をＹ方向と呼び、Ｙ方向に直交する複数の第１検知電極１１の配列方向をＸ方向と呼び、Ｘ方向およびＹ方向に直交する複数の第１検知電極１１の厚み方向をＺ方向と呼ぶ。

複数の第１引き出し配線１３は、それぞれ、その一端部が対応する第１検知電極１１のＹ方向の片側に連結され、他端部が第１電極パッド１４に連結されている。

また、第１検知電極１１は、いわゆるタッチ操作を検知するためのセンサ電極として機能するものであり、図３に示すように、複数の金属細線ＭＷにより構成されており、複数の金属細線ＭＷにより、ひし形のメッシュ形状のパターンＭＰが形成されている。

また、複数の第１検知電極１１、複数の第１引き出し配線１３および複数の第１電極パッド１４は、同時に形成される。

一対の第１シールドパターン部１５は、絶縁基材２の第２面２Ｂ上に配置された後述する複数の第２引き出し配線２３と平面視において重なる位置に配置されている。ここで、平面視とは、タッチセンサ１をＺ方向から見た視点のことをいう。また、一対の第１シールドパターン部１５は、例えば複数の第１検知電極１１、複数の第１引き出し配線１３および複数の第１電極パッド１４を形成する工程とは別の工程で形成され、図４に示すように、複数の第１検知電極１１、複数の第１引き出し配線１３および複数の第１電極パッド１４の厚みＴ１の２倍以上の厚みＴ２を有する。

図２に示すように、絶縁基材２の第２面２Ｂ上に配置された第２導電層３Ｂは、Ｘ方向に沿って延び且つＹ方向に沿って配列された複数の第２検知電極２１と、複数の第２検知電極２１のＸ方向の両側からそれぞれ引き出された複数の第２引き出し配線２３と、複数の第２引き出し配線２３に電気的に接続された複数の第２電極パッド２４と、第２シールドパターン部２５とを有している。第２シールドパターン部２５は、複数の第２検知電極２１、複数の第２引き出し配線２３および複数の第２電極パッド２４と離れて配置されている。

複数の第２引き出し配線２３は、それぞれ、その一端部が対応する第２検知電極２１のＸ方向の片側に連結され、他端部が第２電極パッド２４に連結されている。

また、第２検知電極２１は、第１検知電極１１と同様にタッチ操作を検知するためのセンサ電極として機能するものであり、図示しないが、第１検知電極１１と同様に、複数の金属細線ＭＷにより構成されており、複数の金属細線ＭＷにより、ひし形のメッシュ形状のパターンＭＰが形成されている。

また、複数の第２検知電極２１、複数の第２引き出し配線２３および複数の第２電極パッド２４は、同時に形成される。

第２シールドパターン部２５は、絶縁基材２の第１面２Ａ上に配置された複数の第１引き出し配線１３と平面視において重なる位置に配置されている。また、第２シールドパターン部２５は、例えば複数の第２検知電極２１、複数の第２引き出し配線２３および複数の第２電極パッド２４を形成する工程とは別の工程で形成され、一対の第１シールドパターン部１５と同様に、複数の第２検知電極２１、複数の第２引き出し配線２３および複数の第２電極パッド２４の厚みの２倍以上の厚みを有する。

ここで、一般的に、絶縁基材の第１面上に複数の第１検知電極および複数の第１引き出し配線が配置され、且つ、絶縁基材の第２面上に複数の第２検知電極および複数の第２引き出し配線が配置されている場合に、絶縁基材の第１面上に配置された複数の第１引き出し配線を伝導する電気信号が、第２面上に配置された複数の第２検知電極で検知された、タッチ操作に対する検知信号に対して電気的に干渉することがあった。また、絶縁基材の第２面上に配置された複数の第２引き出し配線を伝導する電気信号が第１面上に配置された複数の第１検知電極で検知された検知信号に対して電気的に干渉することもあった。これにより、複数の第１検知電極および複数の第２検知電極で検知されたタッチ操作に対する検知信号にノイズが発生し、タッチセンサが誤作動をすることがあった。

実施の形態のタッチセンサ１においては、絶縁基材２の第２面２Ｂ上に配置された複数の第２引き出し配線２３と平面視で重なる第１面２Ａ上の位置に一対の第１シールドパターン部１５が配置され、第１面２Ａ上に配置された複数の第１引き出し配線１３と平面視で重なる第２面２Ｂ上の位置に第２シールドパターン部２５が配置されている。そのため、絶縁基材２の第１面２Ａ上に配置される複数の第１引き出し配線１３を伝導する電気信号が絶縁基材２の第２面２Ｂ側に電気的に干渉することが抑制され、絶縁基材２の第２面２Ｂ上に配置される複数の第２引き出し配線２３を伝導する電気信号が絶縁基材２の第１面２Ａ側に電気的に干渉することが抑制される。したがって、タッチセンサ１では、複数の第１検知電極１１および複数の第２検知電極２１で検知されたタッチ操作に対する検知信号にノイズが発生することが抑制される。

また、一般的に、タッチセンサは、例えば製造時におけるいわゆるロールトゥロール方式の巻き取りの工程等で他のタッチセンサと重ね合わされることがある。この状態からタッチセンサ同士が剥離すると、第１導電層および第２導電層が帯電して、第１導電層内および第２導電層内でそれぞれ電位差が生じることがある。この電位差により、第１導電層内および第２導電層内でスパークが生じ、複数の第１検知電極、複数の第１引き出し配線および複数の第１電極パッドを含む第１導電層の導電パターンと、複数の第２検知電極、複数の第２引き出し配線および複数の第２電極パッドを含む第２導電層の導電パターンが焼き切れる等の故障が生じることがあった。

また、近年では、複数の検知電極の外側の領域を狭くすることにより、いわゆる狭額縁化が試みられている。狭額縁化が行われる場合には、複数の引き出し配線間の間隔および引き出し配線と検知電極との間隔が狭くなり、導電パターンにおいてさらにスパークが発生しやすくなるという問題があった。

実施の形態のタッチセンサ１においては、一対の第１シールドパターン部１５が複数の第１検知電極１１、複数の第１引き出し配線１３および複数の第１電極パッド１４の厚みＴ１の２倍以上の厚みＴ２を有し、第２シールドパターン部２５が複数の第２検知電極２１、複数の第２引き出し配線２３および複数の第２電極パッド２４の厚みの２倍以上の厚みを有する。

そのため、複数のタッチセンサ１が互いに重ね合わされた場合に、第１シールドパターン部１５および第２シールドパターン部２５により、複数のタッチセンサ１間の複数の第１検知電極１１上および複数の第２検知電極２１上に隙間が形成され、複数のタッチセンサ１間の接触面積を小さくして、タッチセンサ１の帯電を抑制できる。そのため、タッチセンサ１によれば、例えば狭額縁化のために複数の第１引き出し配線１３の間隔を狭くし、複数の第１引き出し配線１３と複数の第１検知電極１１との間隔を狭くし、複数の第２引き出し配線２３の間隔を狭くし、複数の第２引き出し配線２３と複数の第２検知電極２１との間隔を狭くしたとしても、第１導電層３Ａ内および第２導電層３Ｂ内におけるスパークの発生を抑制し、スパークによるタッチセンサ１の故障を抑制できる。

以上から、実施の形態のタッチセンサ１によれば、タッチ操作に対する検知信号のノイズを抑制しながらもスパークによるタッチセンサ１の故障を抑制できる。

ここで、タッチセンサ１を製造する際には、絶縁基材２の第１面２Ａ上で、複数の第１検知電極１１、複数の第１引き出し配線１３および複数の第１電極パッド１４と、一対の第１シールドパターン部１５とは、互いに別の工程により形成される。

例えば、図５に示すように、絶縁基材２の第１面２Ａ上に複数の第１検知電極１１、複数の第１引き出し配線１３および複数の第１電極パッド１４を形成し、さらに、図６に示すように、絶縁基材２の第２面２Ｂ上に複数の第２検知電極２１、複数の第２引き出し配線および複数の第２電極パッド２４を形成した後で、第２面２Ｂ側の複数の第２引き出し配線２３と平面視で重なる第１面２Ａ上の領域Ｒ１に、一対の第１シールドパターン部１５が形成されることができる。

この場合に、例えば製造者は、一対の第１シールドパターン部１５が形成される前に、絶縁基材２の第１面２Ａ側から複数の第２引き出し配線２３を観察して、複数の第２引き出し配線２３に断線等の故障が発生しているか否かを検査できる。

また、絶縁基材２の第２面２Ｂ上で、複数の第２検知電極２１、複数の第２引き出し配線２３および複数の第２電極パッド２４と、第２シールドパターン部２５とは、互いに別の工程により形成される。

例えば、絶縁基材２の第１面２Ａ上に複数の第１検知電極１１、複数の第１引き出し配線１３および複数の第１電極パッド１４を形成し、さらに、絶縁基材２の第２面２Ｂ上に複数の第２検知電極２１、複数の第２引き出し配線および複数の第２電極パッド２４を形成した後で、第１面２Ａ側の複数の第１引き出し配線１３と平面視で重なる第２面２Ｂ上の領域Ｒ２に、第２シールドパターン部２５が形成されることができる。

この場合に、例えば製造者は、第２シールドパターン部２５が形成される前に、絶縁基材２の第２面２Ｂ側から複数の第１引き出し配線１３を観察して、複数の第１引き出し配線１３に断線等の故障が発生しているか否かを検査できる。

このように、複数の第１検知電極１１、複数の第１引き出し配線１３および複数の第１電極パッド１４と、一対の第１シールドパターン部１５とを別の工程で形成し、複数の第２検知電極２１、複数の第２引き出し配線２３および複数の第２電極パッド２４と、第２シールドパターン部２５とを別の工程で形成することにより、製造者は、複数の第１引き出し配線１３および複数の第２引き出し配線２３が故障しているか否かを検査できるため、タッチセンサ１の製造効率を向上できる。

なお、第１検知電極１１を構成する複数の金属細線ＭＷおよび第２検知電極２１を構成する複数の金属細線ＭＷの線幅は、観察者に視認されにくくするように、すなわち、視認性を確保するために、０．５μｍ以上１０．０μｍ以下の範囲内に設定されることが好ましく、特に、１．０μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内に設定されることがより好ましく、１．５μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内に設定されることが特に好ましい。
また、第１引き出し配線１３および第２引き出し配線２３の線幅は、十分な導電性を確保するために、５．０μｍ以上１００．０μｍ以下、より好ましくは３．０μｍ以上２０．０μｍ以下の範囲内に設定されることが好ましい。

また、第１検知電極１１、第１引き出し配線１３および第１電極パッド１４の厚みと、第２検知電極２１、第２引き出し配線２３および第２電極パッド２４の厚みは、前駆体フィルム１またはタッチセンサフィルム４１を折り曲げた場合に断線等の故障を防止する観点と、十分な導電性を得る観点から、０．０１μｍ～１０．００μｍが好ましく、０．０５μｍ～３．００μｍがより好ましく、０．１０μｍ～１．００μｍがさらに好ましい。

一対の第１シールドパターン部１５および第２シールドパターン部２５の厚みは、複数の第１引き出し配線１３または複数の第２引き出し配線２３を伝導する電気信号による電気的な干渉を抑制し、複数のタッチセンサ１が重ね合わされた場合に、複数のタッチセンサ１間の複数の第１検知電極１１上および複数の第２検知電極２１上に十分な隙間を形成するために、２．０μｍ以上２０．０μｍ以下が好ましい。

第１検知電極１１および第２検知電極２１は、ひし形のメッシュ形状のパターンＭＰを有していることが説明されているが、メッシュの開口形状は、ひし形に限るものではなく、正三角形、正四角形、正六角形、その他の正多角形、または、ランダムな形状を有する多角形でもよく、さらに、曲線を含む形状とすることもできる。

また、第１検知電極１１および第２検知電極２１は、いずれもメッシュ状に配置された複数の金属細線ＭＷからなることが説明されているが、タッチセンサフィルム用の検知電極として使用できるものであれば、その形状と材料は特に限定されない。例えば、第１検知電極１１および第２検知電極２１は、板状の酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）等の透明導電性酸化物により形成されることもできる。

また、一対の第１シールドパターン部１５および第２シールドパターン部２５は、可視光に対する遮蔽率が１００％、すなわち、可視光を透過しない板形状を有することができる。

また、一対の第１シールドパターン部１５および第２シールドパターン部２５は、複数の第１引き出し配線１３および複数の第２引き出し配線２３を伝導する電気信号による電気的な干渉を抑制することができれば、複数の第１検知電極１１および複数の第２検知電極２１と同様に、メッシュ形状を有することもできる。この場合に、一対の第１シールドパターン部１５および第２シールドパターン部２５のメッシュ形状は、特に限定されず、例えば、ひし形、正三角形、正四角形、正六角形、その他の正多角形、ランダムな形状を有する多角形、または、曲線を含む形状のいずれでもよい。

一対の第１シールドパターン部１５および第２シールドパターン部２５がメッシュ形状を有する場合に、複数の第１引き出し配線１３および複数の第２引き出し配線２３を伝導する電気信号による電気的な干渉を十分に抑制するため、一対の第１シールドパターン部１５および第２シールドパターン部２５は、可視光に対して０．５％以上１００％未満の遮蔽率を有することが好ましい。

ここで、一対の第１シールドパターン部１５における可視光に対する遮蔽率は、図５に示す一対の第１シールドパターン部１５が配置される領域Ｒ１の面積に対する一対の第１シールドパターン部１５のＸＹ面における面積の比率により算出される。また、第２シールドパターン部２５における可視光に対する遮蔽率は、図６に示す第２シールドパターン部２５が配置される領域Ｒ２の面積に対する第２シールドパターン部２５のＸＹ面における面積の比率により算出される。

また、一対の第１シールドパターン部１５の設置範囲は、複数の第２引き出し配線２３を伝導する電気信号による電気的な干渉を抑制できれば、複数の第２引き出し配線２３が占有する領域のすべてを平面視で覆う範囲である必要はない、すなわち、複数の第２引き出し配線２３が占有する領域の１００％未満を覆っていればよい。複数の第２引き出し配線２３を伝導する電気信号による電気的な干渉を抑制する目的においては、一対の第１シールドパターン部１５の設置範囲は、平面視において、複数の第２引き出し配線２３が占有する領域の５０％以上を覆うことが好ましく、７５％以上を覆うことが好ましく、９０％以上を覆うことがさらに好ましい。

また、一対の第１シールドパターン部１５の設置範囲は、複数の第２引き出し配線２３が占有する領域よりも広くてもよい。一対の第１シールドパターン部１５の設置範囲は、複数の第２引き出し配線２３を伝導する電気信号による電気的な干渉を抑制する目的においては広い方が好ましく、複数の第２引き出し配線２３が占有する領域よりも周囲１０μｍ以上広い範囲であることが好ましい。

また、第２シールドパターン部２５の設置範囲は、一対の第１シールドパターン部１５と同様に、複数の第１引き出し配線１３を伝導する電気信号による電気的な干渉を抑制できれば、複数の第１引き出し配線１３が占有する領域のすべてを平面視で覆う範囲である必要はない、すなわち、複数の第１引き出し配線１３が占有する領域の１００％未満を覆っていればよい。第２シールドパターン部２５の設置範囲は、平面視において、複数の第２引き出し配線２３が占有する領域の５０％以上を覆うことが好ましく、７５％以上を覆うことが好ましく、９０％以上を覆うことがさらに好ましい。

また、第２シールドパターン部２５の設置範囲は、複数の第１引き出し配線２３が占有する領域よりも広くてもよい。第２シールドパターン部２５の設置範囲は、一対の第１シールドパターン部１５の設置範囲と同様に、複数の第１引き出し配線１３が占有する領域よりも周囲１０μｍ以上広い範囲であることが好ましい。

以下では、実施の形態のタッチセンサ１を構成する各部材について説明する。

＜絶縁基材＞
絶縁基材２は、透明で電気絶縁性を有し、第１導電層３Ａと第２導電層３Ｂとを支持することができれば、特に限定されるものではないが、例えば、樹脂基板またはガラス基板等が用いられる。より具体的に、絶縁基材２を構成する材料として、例えば、ガラス、強化ガラス、無アルカリガラス、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ：polyethylene terephthalate）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ：polyethylene naphthalate）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ：cyclo-olefin polymer）、環状オレフィン・コポリマー（ＣＯＣ：cyclic olefin copolymer）、ポリカーボネート（ＰＣ：polycarbonate）、アクリル樹脂、ポリエチレン（ＰＥ：polyethylene）、ポリプロピレン（ＰＰ：polypropylene）、ポリスチレン（ＰＳ：polystylene）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ：polyvinyl chloride）、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ：polyvinylidene chloride）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ：cellulose triacetate）等を使用することができる。透明絶縁基板５の厚みは、例えば、２０μｍ～１１００μｍが好ましく、２０μｍ～５００μｍがより好ましい。特に、ＰＥＴのような有機樹脂基板の場合は、厚み２０μｍ～２００μｍであることが好ましく、３０μｍ～１００μｍであることがより好ましい。

絶縁基材２の全光線透過率は、４０％～１００％であることが好ましい。全光透過率は、例えば、ＪＩＳ Ｋ ７３７５：２００８に規定される「プラスチック－全光線透過率および全光線反射率の求め方」を用いて測定されるものである。

絶縁基材２の好適態様の１つとしては、大気圧プラズマ処理、コロナ放電処理および紫外線照射処理からなる群から選択される少なくとも１つの処理が施された処理済基板が挙げられる。上述の処理が施されることにより、処理された透明絶縁基板５の表面にＯＨ基等の親水性基が導入される。これにより、絶縁基材２と第１導電層３Ａとの密着性および絶縁基材２と第２導電層３Ｂとの密着性が向上する。また、上述の処理の中でも、絶縁基材２と第１導電層３Ａとの密着性および絶縁基材２と第２導電層３Ｂとの密着性がより向上する点で、大気圧プラズマ処理が好ましい。

＜下塗り層＞
絶縁基材２と第１導電層３Ａとの密着性および絶縁基材２と第２導電層３Ｂとの密着性を向上させるために、絶縁基材２と第１導電層３Ａとの間および絶縁基材２と第２導電層３Ｂとの間に、それぞれ、下塗り層を配置することもできる。この下塗り層は、高分子を含んでおり、絶縁基材２と第１導電層３Ａとの密着性および絶縁基材２と第２導電層３Ｂとの密着性がより向上する。

下塗り層の形成方法は特に限定されるものではないが、例えば、高分子を含む下塗り層形成用組成物を基板上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。また、高分子を含む下塗り層形成用組成物として、ゼラチン、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、無機または高分子の微粒子を含むアクリル・スチレン系ラテックス等を使用してもよい。

なお、必要に応じて、タッチセンサ１は、絶縁基材２と第１導電層３Ａとの間および絶縁基材２と第２導電層３Ｂとの間に、それぞれ、他の層として、上述の下塗り層以外に、屈折率調整層を備えていてもよい。屈折率調整層として、例えば、屈折率を調整する酸化ジルコニウム等の金属酸化物の粒子が添加された有機層を使用できる。

＜導電層＞
複数の第１検知電極１１、複数の第１引き出し配線１３、複数の第１電極パッド１４および一対の第１シールドパターン部１５を有する第１導電層３Ａと、複数の第２検知電極２１、複数の第２引き出し配線２３、複数の第２電極パッド２４および第２シールドパターン部２５を有する第２導電層３Ｂは、金属または合金を形成材料とし、例えば、銅、アルミニウムまたは銀から形成することができる。合金としては、例えば、金、銀および銅等の金属が含まれていてもよい。また、第１導電層３Ａおよび第２導電層３Ｂは、金属銀およびゼラチンまたはアクリル・スチレン系ラテックス等の高分子バインダーが含有されたものでもよい。その他の好ましいものとして、アルミニウム、銀、モリブデン、チタンの金属およびその合金である。また、これらの積層構造であってもよく、例えば、モリブデン／銅／モリブデン、モリブデン／アルミニウム／モリブデン等の積層構造が使用できる。また、第１導電層３Ａおよび第２導電層３Ｂは、金属酸化物粒子、銀ペーストおよびは銅ペースト等の金属ペースト、並びに銀ナノワイヤおよび銅ナノワイヤ等の金属ナノワイヤ粒子を含むものであってもよい。

また、第１検知電極１１および第２検知電極２１を構成する金属細線ＭＷの視認性を向上させるために、観察者に視認される金属細線ＭＷの表面に黒化層を形成してもよい。黒化層としては、金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物または金属硫化物等が使用され、代表的には、酸窒化銅、窒化銅、酸化銅または酸化モリブデン等が使用できる。

次に、第１導電層３Ａおよび第２導電層３Ｂの形成方法について説明する。第１導電層３Ａおよび第２導電層３Ｂとしては、例えば、スパッタ法、めっき法、銀塩法および印刷法等が適宜利用可能である。

スパッタ法による第１導電層３Ａおよび第２導電層３Ｂの形成方法について説明する。まず、スパッタにより、導電材料の層を形成し、フォトリソグラフィおよびエッチングにより導電材料の層から配線を形成することにより、第１導電層３Ａおよび第２導電層３Ｂを形成することができる。なお、スパッタの代わりに、いわゆる蒸着により導電材料の層を形成することもできる。導電材料の層は、スパッタまたは蒸着以外にも、電解金属箔が利用可能である。より具体的には、特開２０１４－２９６１４号公報に記載の銅配線を形成する工程を利用することができる。

めっき法による第１導電層３Ａおよび第２導電層３Ｂの形成方法について説明する。例えば、第１導電層３Ａおよび第２導電層３Ｂは、無電解めっき下地層に無電解めっきを施すことにより下地層上に形成される金属めっき膜を用いて構成することができる。この場合、第１導電層３Ａおよび第２導電層３Ｂは、少なくとも金属微粒子を含有する触媒インクを基材上にパターン状に形成した後に、基材を無電解めっき浴に浸漬し、金属めっき膜を形成することにより形成される。より具体的には、特開２０１４－１５９６２０号公報に記載の金属被膜基材の製造方法を利用することができる。

また、第１導電層３Ａおよび第２導電層３Ｂは、少なくとも金属触媒前駆体と相互作用し得る官能基を有する樹脂組成物を基材上にパターン状に形成した後、触媒または触媒前駆体を付与し、基材を無電解めっき浴に浸漬し、金属めっき膜を形成することにより形成される。より具体的には、特開２０１２－１４４７６１号公報に記載の金属被膜基材の製造方法を応用することができる。

また、第１導電層３Ａおよび第２導電層３Ｂは、銀塩法で形成した配線パターンに無電解めっきを施して形成してもよい。この場合に、第１導電層３Ａおよび第２導電層３Ｂは、写真感材が塗布された膜を露光および現像する工程、場合によってはさらにゼラチンを除去する工程を含む方法で形成された銀粒子からなるパターンに対し、無電解めっきまたは銅めっきを施すことで金属めっき膜を形成することにより、形成される。より具体的には。国際公開第２０２０／１５８４９４号、国際公開第２０２１／０５９８１２号または国際公開第２０２１／０６５２２６号に記載の製造方法を適用することができる。

銀塩法による第１導電層３Ａおよび第２導電層３Ｂの形成方法について説明する。まず、ハロゲン化銀が含まれる銀塩乳剤層に、第１導電層３Ａおよび第２導電層３Ｂとなる露光パターンを用いて露光処理を施し、その後現像処理を行うことで、第１導電層３Ａおよび第２導電層３Ｂを形成することができる。より具体的には、特開２０１２－６３７７号公報、特開２０１４－１１２５１２号公報、特開２０１４－２０９３３２号公報、特開２０１５－２２３９７号公報、特開２０１６－１９２２００号公報および国際公開第２０１６／１５７５８５号に記載の第１導電層３Ａおよび第２導電層３Ｂの製造方法を利用することができる。

印刷法による第１導電層３Ａおよび第２導電層３Ｂの形成方法について説明する。まず、導電性粉末を含有する導電性ペーストを第１導電層３Ａおよび第２導電層３Ｂと同じパターンとなるように基板に塗布し、その後、加熱処理を施すことにより第１導電層３Ａおよび第２導電層３Ｂを形成することができる。導電性ペーストを用いたパターン形成は、例えば、インクジェット法、スクリーン印刷法または凸版印刷法によりなされる。導電性ペーストとしては、より具体的には、特開２０１１－２８９８５号公報に記載の導電性ペーストを利用することができる。

一対の第１シールドパターン部１５と第２シールドパターン部２５は、複数の第１検知電極１１、複数の第１引き出し配線１３および複数の第１電極パッド１４が絶縁基材２の第１面２Ａに形成され、且つ、複数の第２検知電極２１、複数の第２引き出し配線２３および複数の第２電極パッド２４が絶縁基材２の第２面２Ｂ上に形成された後で、それぞれ形成される。

一対の第１シールドパターン部１５と第２シールドパターン部２５は、スパッタ法、蒸着法、めっき法、および印刷法等の他に、例えば、いわゆるフォトリソグラフィ法を用いて形成できる。

この場合に、まず、複数の第１検知電極１１、複数の第１引き出し配線１３および複数の第１電極パッド１４が形成された絶縁基材２の第１面２Ａ上、および、複数の第２検知電極２１、複数の第２引き出し配線２３および複数の第２電極パッド２４が形成された絶縁基材２の第２面２Ｂ上に感光性のレジスト液を塗布し、第１面２Ａと第２面２Ｂにそれぞれ一対の第１シールドパターン部１５と第２シールドパターン部２５に対応するパターンが形成されたフォトマスクを配置して露光処理を行い、現像処理を行ってレジスト層を形成した後、第１面２Ａ上と第２面２Ｂ上にスパッタまたは蒸着により導電材料を積層し、最後にレジスト層を除去することにより、一対の第１シールドパターン部１５と第２シールドパターン部２５を形成できる。

また、一対の第１シールドパターン部１５と第２シールドパターン部２５は、複数の第１検知電極１１、複数の第１引き出し配線１３、複数の第１電極パッド１４、複数の第２検知電極２１、複数の第２引き出し配線２３および複数の第２電極パッド２４の形成方法とは異なる形成方法により形成されることができる。例えば、複数の第１検知電極１１、複数の第１引き出し配線１３、複数の第１電極パッド１４、複数の第２検知電極２１、複数の第２引き出し配線２３および複数の第２電極パッド２４が銀塩法により形成された後で、一対の第１シールドパターン部１５と第２シールドパターン部２５が、例えば、フォトリソグラフィ法、インクジェット法、スクリーン印刷法および凸版印刷法のいずれかにより形成されることができる。

以下に、実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容および処理手順は、本発明の主旨を逸脱しない限り適宜変更することができ、本発明の範囲は、以下の実施例により限定的に解釈されるべきものではない。

＜実施例１＞
（ハロゲン化銀乳剤の調製）
３８℃、ｐＨ４．５に保たれた下記１液に、下記の２液および３液の各々９０％に相当する量を攪拌しながら同時に２０分間にわたって加え、０．１６μｍの核粒子を形成した。続いて下記４液および５液を８分間にわたって加え、更に、下記の２液および３液の残りの１０％の量を２分間にわたって加え、０．２１μｍまで成長させた。更に、ヨウ化カリウム０．１５ｇを加え、５分間熟成し粒子形成を終了した。

１液：
水 ７５０ｍｌ
ゼラチン ８．６ｇ
塩化ナトリウム ３ｇ
１，３－ジメチルイミダゾリジン－２－チオン ２０ｍｇ
ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム １０ｍｇ
クエン酸 ０．７ｇ
２液：
水 ３００ｍｌ
硝酸銀 １５０ｇ
３液：
水 ３００ｍｌ
塩化ナトリウム ３８ｇ
臭化カリウム ３２ｇ
ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム
（０．００５％ＫＣｌ ２０％水溶液） ５ｍｌ
ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
（０．００１％ＮａＣｌ ２０％水溶液） ７ｍｌ
４液：
水 １００ｍｌ
硝酸銀 ５０ｇ
５液：
水 １００ｍｌ
塩化ナトリウム １３ｇ
臭化カリウム １１ｇ
黄血塩 ５ｍｇ

その後、常法にしたがってフロキュレーション法によって水洗した。具体的には、温度を３５℃に下げ、硫酸を用いてハロゲン化銀が沈降するまでｐＨを下げた（ｐＨ３．６±０．２の範囲であった）。次に、上澄み液を約３リットル除去した（第一水洗）。更に３リットルの蒸留水を加えてから、ハロゲン化銀が沈降するまで硫酸を加えた。再度、上澄み液を３リットル除去した（第二水洗）。第二水洗と同じ操作を更に１回繰り返して（第三水洗）、水洗・脱塩工程を終了した。水洗・脱塩後の乳剤をｐＨ６．４、ｐＡｇ７．５に調整し、ゼラチン２．５g、ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム１０ｍｇ、ベンゼンチオスルフィン酸ナトリウム３ｍｇ、チオ硫酸ナトリウム１５ｍｇと塩化金酸１０ｍｇを加え５５℃にて最適感度を得るように化学増感を施し、安定剤として１，３，３ａ，７－テトラアザインデン１００ｍｇ、防腐剤としてプロキセル（商品名、ＩＣＩ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．製）１００ｍｇを加えた。最終的に得られた乳剤は、沃化銀を０．０８モル％含み、塩臭化銀の比率を塩化銀７０モル％、臭化銀３０モル％とする、平均粒子径０．２２μｍ、変動係数９％のヨウ塩臭化銀立方体粒子乳剤であった。

（感光性層形成用組成物の調整）
上述の乳剤に１，３，３ａ，７－テトラアザインデン１．２×１０－４モル／モルＡｇ、ハイドロキノン１．２×１０ー２モル／モルＡｇ、クエン酸３．０×１０ー４モル／モルＡｇ、２，４－ジクロロ－６－ヒドロキシ－１，３，５－トリアジンナトリウム塩０．９０ｇ／モルＡｇ、微量の硬膜剤を添加し、クエン酸を用いて塗布液ｐＨを５．６に調整した。
上述の塗布液に、含有するゼラチンに対して、下記式（Ｐ－１）で表されるポリマーとジアルキルフェニルＰＥＯ硫酸エステルからなる分散剤を含有するポリマーラテックス（分散剤／ポリマーの質量比が２．０／１００＝０．０２）とをポリマー／ゼラチン（質量比）＝０．５／１になるように添加した。
さらに、架橋剤としてＥＰＯＸＹ ＲＥＳＩＮ ＤＹ ０２２（商品名：ナガセケムテックス社製）を添加した。なお、架橋剤の添加量は、後述するハロゲン化銀含有感光性層中における架橋剤の量が０．０９ｇ／ｍ^２となるように調整した。
以上のようにして感光性層形成用組成物を調製した。
なお、下記式（Ｐ－１）で表されるポリマーは、特許第３３０５４５９号および特許第
３７５４７４５号を参照して合成した。

（感光性層形成工程）
絶縁基材にコロナ放電処理を施した後、絶縁基材の両面に、下塗層として厚み０．１μｍのゼラチン層、さらに下塗層上に光学濃度が約１．０で現像液のアルカリにより脱色する染料を含むアンチハレーション層を設けた。上記アンチハレーション層の上に、上記感光性層形成用組成物を塗布し、さらに厚み０．１５μｍのゼラチン層を設け、両面に感光性層が形成された絶縁基材を得た。両面に感光性層が形成された絶縁基材をフィルムＡとする。形成された感光性層は、銀量６．０ｇ／ｍ^２、ゼラチン量１．０ｇ／ｍ^２であった。

（露光現像工程）
上記フィルムＡの一方の面に、図２に示す実施の形態における複数の第１検知電極１１、複数の第１引き出し配線１３および複数の第１電極パッド１４のパターンに対応したフォトマスクを配置し、フィルムＡの他方の面に、複数の第２検知電極２１、複数の第２引き出し配線２３および複数の第２電極パッド２４のパターンに対応したフォトマスクを配置し、フィルムＡの両面側からそれぞれ、高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光を行った。露光後、下記の現像液で現像し、さらに定着液（商品名：ＣＮ１６Ｘ用Ｎ３Ｘ－Ｒ、富士フィルム社製）を用いて現像処理を行った。さらに、純水でリンスし、乾燥することで、両面にＡｇ線からなる導電部材とゼラチン層とが形成された絶縁基材を得た。ゼラチン層はＡｇ線間に形成されていた。得られたフィルムをフィルムＢとする。

（現像液の組成）
現像液１リットル（Ｌ）中に、以下の化合物が含まれる。
ハイドロキノン ０．０３７ｍｏｌ／Ｌ
Ｎ－メチルアミノフェノール ０．０１６ｍｏｌ／Ｌ
メタホウ酸ナトリウム ０．１４０ｍｏｌ／Ｌ
水酸化ナトリウム ０．３６０ｍｏｌ／Ｌ
臭化ナトリウム ０．０３１ｍｏｌ／Ｌ
メタ重亜硫酸カリウム ０．１８７ｍｏｌ／Ｌ

（ゼラチン分解処理）
フィルムＢに対して、タンパク質分解酵素（ナガセケムテックス社製ビオプラーゼＡＬ－１５ＦＧ）の水溶液（タンパク質分解酵素の濃度：０．５質量％、液温：４０℃）への浸漬を１２０秒間行った。フィルムＢを水溶液から取り出し、温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬し、洗浄した。ゼラチン分解処理後のフィルムをフィルムＣとする。

（低抵抗化処理）
フィルムＣに対して、金属製ローラを備えたカレンダ装置を用いて、３０ｋＮの圧力でカレンダ処理を行った。このとき、線粗さＲａ＝０．２μｍ、Ｓｍ＝１．９μｍ（株式会社キーエンス製形状解析レーザ顕微鏡ＶＫ－Ｘ１１０にて測定（ＪＩＳ－Ｂ－０６０１－１９９４））の粗面形状を有するポリエチレンテレフタレートフィルム２枚を、これらの粗面がフィルムＣの表面および裏面と向き合うように共に搬送して、フィルムＣの表面および裏面に粗面形状を転写形成した。カレンダ処理後、フィルムＣを温度１５０℃の過熱蒸気槽を１２０秒間かけて通過させて、加熱処理を行った。加熱処理後のフィルムをフィルムＤとする。このフィルムＤにおいて、絶縁基材の第１面上に複数の第１検知電極、複数の第１引き出し配線および複数の第１電極パッドが形成され、絶縁基材の第２面上に複数の第２検知電極、複数の第２引き出し配線および複数の第２電極パッドが形成されていた。

（銀インクの作製）
Ｃａｒｅｙ－Ｌｅａの銀ゾル調製法（Ｍ．ＣａｒｅｙＬｅａ，Ｂｒｉｔ．Ｊ．Ｐｈｏｔｏｇ．，２４巻２９７頁（１８７７）および２７巻２７９頁（１８８０）参照）に準拠して、硝酸銀溶液を還元し、金属銀粒子を含む溶液を調製した。その後、得られた溶液に塩化金酸溶液を加え、銀を主成分とする銀金粒子を含む溶液を調製し、限外ろ過を行って、副生成する塩を除いた。得られた粒子の粒子サイズは、電子顕微鏡観察の結果、ほぼ１０ｎｍであった。導電性成分であるこの粒子およびラテックスを混合し、銀インクを作製した。

（シールドパターン部の形成）
フィルムＤに対してインクジェット法により、図５に示すような、絶縁基材の第２面上に配置された複数の第２引き出し配線と平面視で重なる第１面上の領域Ｒ１に上記の銀インクを塗布し、さらに、図６に示すような、絶縁基材の第１面上に配置された複数の第１引き出し配線と平面視で重なる第２面上の領域Ｒ２に上記の銀インクを塗布した。次に、銀インクが塗布されたフィルムＤを１５０℃６０分加熱処理し、絶縁基材の第１面の領域Ｒ１上に板状の一対の第１シールドパターン部を形成し、絶縁基材の第２面の領域Ｒ２上に板状の第２シールドパターン部を形成した。このようにして実施例１のタッチセンサを得た。

実施例１のタッチセンサにおいて、一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部はいずれも可視光に対して１００．０％の遮蔽率を有している。

また、複数の第１検知電極の厚みの平均値に対する一対の第１シールドパターン部の厚みの平均値の比率と、複数の第２検知電極の厚みの平均値に対する第２シールドパターン部の厚みの比率との平均値を第１厚み比率として算出し、複数の第１引き出し配線の厚みの平均値に対する一対の第１シールドパターン部の厚みの平均値の比率と、複数の第２引き出し配線の厚みの平均値に対する第２シールドパターン部の厚みの比率との平均値を第２厚み比率として算出した。実施例１のタッチセンサにおける第１厚み比率は２．１０であり、第２厚み比率は２．００であった。なお、各部の厚みの平均値の算出は、該当するパターンの任意の位置の１０箇所の厚みを断面ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope：走査電子顕微鏡）法で観察および測定を行い、その１０箇所の測定結果の平均値で求めた。

＜実施例２＞
シールドパターン部の形成の工程において、インクジェット法の代わりにスクリーン印刷法を用いる以外は実施例１と同様にして実施例２のタッチセンサを製造した。実施例２のタッチセンサにおいて、一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部はいずれも可視光に対して１００．０％の遮蔽率を有し、第１厚み比率は７．９０であり、第２厚み比率は７．５０であった。

＜実施例３＞
シールドパターン部の形成の工程において、インクジェット法の代わりに凸版印刷法を用いる以外は実施例１と同様にして実施例３のタッチセンサを製造した。実施例３のタッチセンサにおいて、一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部はいずれも可視光に対して１００．０％の遮蔽率を有し、第１厚み比率は６．１０であり、第２厚み比率は５．８０であった。

＜実施例４＞
一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部を以下に示すフォトリソグラフィ法により形成した以外は実施例１と同様にして実施例４のタッチセンサを製造した。
（フォトリソグラフィ法によるシールドパターン部の形成）
実施例１のフィルムＤの両面に、スピンコータを用いて感光性のレジスト液ＯＦＦＲ－８００（東京応化社製ポジ型フォトレジスト）を塗布し、８０℃１０分加熱処理をしてレジスト層を形成した。次に、一対の第１シールドパターン部に対応する露光パターンを有するフォトマスクを絶縁基材の第１面側のレジスト層上に配置し、第２シールドパターン部に対応する露光パターンを有するフォトマスクを絶縁基材の第２面側のレジスト層上に配置した。

この状態で、フィルムＤの両面側からそれぞれ、高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光を行った。露光後、濃度２．４重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像処理を行うことにより、絶縁基材の第１面上に一対の第１シールドパターン部に対応するパターンを有する第１レジスト層を形成し、絶縁基材の第２面上に第２シールドパターン部に対応するパターンを有する第２レジスト層を形成した。次に、フィルムＤの両面にそれぞれ銀を蒸着した後、高圧水銀ランプを用いてフィルムＤの両面の全面に露光を行い、フィルムＤを重量３．５重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に浸漬して第１レジスト層と第２レジスト層を除去することにより、絶縁基材の第１面上に板状の一対の第１シールドパターン部を形成し、絶縁基材の第２面上に板状の第２シールドパターン部を形成した。

このようにして製造された実施例４のタッチセンサにおいて、一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部はいずれも可視光に対して１００．０％の遮蔽率を有し、第１厚み比率は６．１０であり、第２厚み比率は５．８０であった。

＜比較例１＞
一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部を、露光現像工程において、複数の第１検知電極、複数の第１引き出し配線、複数の第１電極パッド、複数の第２検知電極、複数の第２引き出し配線および複数の第２電極パッドと同時に形成する以外は実施例１と同様にして比較例１のタッチセンサを製造した。比較例１のタッチセンサにおいて、一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部はいずれも可視光に対して１００．０％の遮蔽率を有し、第１厚み比率は１．０５であり、第２厚み比率は１．０１であった。

＜実施例５＞
一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部を、可視光に対して５０．０％の遮蔽率を有する、図３に示すようなメッシュ形状のパターンＭＰを有するように形成する以外は、実施例１と同様にして実施例５のタッチセンサを製造した。実施例５のタッチセンサにおいて、第１厚み比率は２．１０であり、第２厚み比率は２．００であった。

＜実施例６＞
一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部を、可視光に対して５０．０％の遮蔽率を有する、図３に示すようなメッシュ形状のパターンＭＰを有するように形成する以外は、実施例２と同様にして実施例６のタッチセンサを製造した。実施例６のタッチセンサにおいて、第１厚み比率は７．９０であり、第２厚み比率は７．５０であった。

＜実施例７＞
一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部を、可視光に対して５０．０％の遮蔽率を有する、図３に示すようなメッシュ形状のパターンＭＰを有するように形成する以外は、実施例３と同様にして実施例７のタッチセンサを製造した。実施例７のタッチセンサにおいて、第１厚み比率は６．１０であり、第２厚み比率は５．８０であった。

＜実施例８＞
一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部を、可視光に対して５０．０％の遮蔽率を有する、図３に示すようなメッシュ形状のパターンＭＰを有するように形成する以外は、実施例４と同様にして実施例８のタッチセンサを製造した。実施例８のタッチセンサにおいて、第１厚み比率は５．５０であり、第２厚み比率は５．２０であった。

＜比較例２＞
一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部を、可視光に対して５０．０％の遮蔽率を有する、図３に示すようなメッシュ形状のパターンＭＰを有するように形成する以外は、比較例１と同様にして比較例２のタッチセンサを製造した。比較例２のタッチセンサにおいて、第１厚み比率は１．０５であり、第２厚み比率は１．０１であった。

＜実施例９＞
一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部を、可視光に対して０．６％の遮蔽率を有する、図３に示すようなメッシュ形状のパターンＭＰを有するように形成する以外は、実施例１と同様にして実施例９のタッチセンサを製造した。実施例９のタッチセンサにおいて、第１厚み比率は２．１０であり、第２厚み比率は２．００であった。

＜実施例１０＞
一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部を、可視光に対して０．６％の遮蔽率を有する、図３に示すようなメッシュ形状のパターンＭＰを有するように形成する以外は、実施例２と同様にして実施例１０のタッチセンサを製造した。実施例１０のタッチセンサにおいて、第１厚み比率は７．９０であり、第２厚み比率は７．５０であった。

＜実施例１１＞
一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部を、可視光に対して０．６％の遮蔽率を有する、図３に示すようなメッシュ形状のパターンＭＰを有するように形成する以外は、実施例３と同様にして実施例１１のタッチセンサを製造した。実施例１１のタッチセンサにおいて、第１厚み比率は６．１０であり、第２厚み比率は５．８０であった。

＜実施例１２＞
一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部を、可視光に対して０．６％の遮蔽率を有する、図３に示すようなメッシュ形状のパターンＭＰを有するように形成する以外は、実施例４と同様にして実施例１２のタッチセンサを製造した。実施例１２のタッチセンサにおいて、第１厚み比率は５．５０であり、第２厚み比率は５．２０であった。

＜比較例３＞
一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部を、可視光に対して０．６％の遮蔽率を有する、図３に示すようなメッシュ形状のパターンＭＰを有するように形成する以外は、比較例１と同様にして比較例３のタッチセンサを製造した。比較例３のタッチセンサにおいて、第１厚み比率は１．０５であり、第２厚み比率は１．０１であった。

＜実施例１３＞
一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部を、可視光に対して０．４％の遮蔽率を有する、図３に示すようなメッシュ形状のパターンＭＰを有するように形成する以外は、実施例１と同様にして実施例１３のタッチセンサを製造した。実施例１３のタッチセンサにおいて、第１厚み比率は２．１０であり、第２厚み比率は２．００であった。

＜実施例１４＞
一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部を、可視光に対して０．４％の遮蔽率を有する、図３に示すようなメッシュ形状のパターンＭＰを有するように形成する以外は、実施例２と同様にして実施例１４のタッチセンサを製造した。実施例１４のタッチセンサにおいて、第１厚み比率は７．９０であり、第２厚み比率は７．５０であった。

＜実施例１５＞
一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部を、可視光に対して０．４％の遮蔽率を有する、図３に示すようなメッシュ形状のパターンＭＰを有するように形成する以外は、実施例３と同様にして実施例１５のタッチセンサを製造した。実施例１５のタッチセンサにおいて、第１厚み比率は６．１０であり、第２厚み比率は５．８０であった。

＜実施例１６＞
一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部を、可視光に対して０．４％の遮蔽率を有する、図３に示すようなメッシュ形状のパターンＭＰを有するように形成する以外は、実施例４と同様にして実施例１６のタッチセンサを製造した。実施例１６のタッチセンサにおいて、第１厚み比率は５．５０であり、第２厚み比率は５．２０であった。

＜比較例４＞
一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部を、可視光に対して０．４％の遮蔽率を有する、図３に示すようなメッシュ形状のパターンＭＰを有するように形成する以外は、比較例１と同様にして比較例４のタッチセンサを製造した。比較例４のタッチセンサにおいて、第１厚み比率は１．０５であり、第２厚み比率は１．０１であった。

以上のようにして得られた実施例１～１６および比較例１～４のタッチセンサに対して、以下に示す導通評価を行った。

（導通評価）
前駆体フィルムを２００枚重ね合わせ、その状態で１日経過させた。その後、前駆体フィルムを１枚ずつ取り出し、第１検知電極の端部と第１電極パッドとの間の抵抗値、および、第２検知電極の端部と第２電極パッドとの間の抵抗値を測定した。この際に、抵抗値が測定できない（オーバーロード）箇所が１つでも存在するタッチセンサを導通不良のタッチセンサと判定し、２００枚のすべてのタッチセンサに対する導通不良のタッチセンサの数の割合を不良品発生率として算出した。この際に、不良品発生率が３．０％未満の場合に優れた製造効率が得られたと判定し、不良品発生率が３．０％以上の場合に十分な製造効率が得られなかったと判定した。

以下の表１に、実施例１～１６および比較例１～４に対する導通評価の結果を示す。
なお、表１において、「シールドパターン部の形成時期」は、一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部がいつ形成されたかを表し、「シールドパターン部の形成方法」は、一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部の形成方法を表し、「シールドパターン部の遮蔽率」は、一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部の可視光に対する遮蔽率を表す。

また、「シールドパターン部の形成時期」が「露光現像工程の後」とは、露光現像工程で複数の第１検知電極、複数の第１引き出し配線、複数の第１電極パッド、複数の第２検知電極、複数の第２引き出し配線および複数の第２電極パッドが形成された後に一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部が形成されることを表す。また、「シールドパターン部の形成時期」が「露光現像工程中」とは、露光現像工程で複数の第１検知電極、複数の第１引き出し配線、複数の第１電極パッド、複数の第２検知電極、複数の第２引き出し配線および複数の第２電極パッドと同時に一対の第１シールドパターン部と第２シールドパターン部が形成されることを表す。

表１に示すように、実施例１～１６は、不良品発生率がいずれも３．０％未満であり、優れた製造効率が得られた。これは、実施例１～１６では第１厚み比率と第２厚み比率がいずれも２．００以上であるため、複数のタッチセンサが重ね合わされた場合に複数のタッチセンサ間の複数の第１検知電極上および複数の第２検知電極上に十分な隙間が形成されて、タッチセンサにおける帯電が抑制され、スパークによる断線等の故障が抑制されたためと考えられる。また、これらの結果から、一対の第１シールドパターン部および第２シールドパターン部が、複数の第１検知電極、複数の第１引き出し配線、複数の第１電極パッド、複数の第２検知電極、複数の第２引き出し配線および複数の第２電極パッドの厚みの２倍以上の厚みを有していれば、その形成方法に関わらず、優れた製造効率が得られることが分かる。

一方、比較例１～４は、不良品発生率がそれぞれ１６．５％、１４．９％、１２．７％、１２．７％と高く、十分な製造効率が得られなかった。比較例１～４では第１厚み比率と第２厚み比率がいずれも約１であり、一対の第１シールドパターン部および第２シールドパターン部が、複数の第１検知電極、複数の第１引き出し配線、複数の第１電極パッド、複数の第２検知電極、複数の第２引き出し配線および複数の第２電極パッドの厚みと概ね等しい厚みを有しているため、複数のタッチセンサが重ね合わされた場合に複数のタッチセンサ間の複数の第１検知電極上および複数の第２検知電極上に十分な隙間が形成されず、タッチセンサが帯電し、スパークによる断線等の故障が発生しやすいと考えられる。

なお、実施例９～１６は、比較例１～４と比べて不良品発生率が低いものの、実施例１～８よりも不良品発生率が高い。これは、シールドパターン部の遮蔽率に起因していると推察される。シールドパターン部の遮蔽率が低いほど、複数のタッチセンサが積み重なって加重された状態でタッチセンサ間の複数の第１検知電極上および複数の第２検知電極上に隙間が形成されにくく、その分、外部接続端子にかかる面圧が上昇することにより、タッチセンサが剥離した際に生じる帯電が大きくなったと推定される。

１ タッチセンサ、２ 絶縁基材、２Ａ 第１面、２Ｂ 第２面、３Ａ 第１導電層、３Ｂ 第２導電層、１１ 第１検知電極、１３ 第１引き出し配線、１４ 第１電極パッド、１５ 第１シールドパターン部、２１ 第２検知電極、２３ 第２引き出し配線、２４ 第２電極パッド、２５ 第２シールドパターン部、ＭＰ パターン、ＭＷ 金属細線、Ｒ１，Ｒ２ 領域、Ｔ１，Ｔ２ 厚み。

Claims (7)

1. 絶縁基材と、
   前記絶縁基材の両面上にそれぞれ配置された導電層を有し、
   前記導電層は、
   複数の検知電極と、
   前記複数の検知電極のそれぞれから引き出された複数の引き出し配線と、
   前記絶縁基材の一方の面の、前記絶縁基材の他方の面上に配置された前記複数の引き出し配線に対して平面視において重なる位置に配置されたシールドパターン部を含み、
   前記シールドパターン部は、前記複数の検知電極の厚みおよび前記複数の引き出し配線の厚みに対して２倍以上の厚みを有する
   タッチセンサ。
2. 前記複数の検知電極は、メッシュ形状を有する請求項１に記載のタッチセンサ。
3. 前記シールドパターン部は、可視光に対して１００％の遮蔽率を有する請求項１または２に記載のタッチセンサ。
4. 前記シールドパターン部は、メッシュ形状を有し、可視光に対して０．５％以上１００％未満の遮蔽率を有する請求項１または２に記載のタッチセンサ。
5. 絶縁基材の両面上に、それぞれ、複数の検知電極と、前記複数の検知電極のそれぞれから引き出された複数の引き出し配線とを同時に形成し、
   絶縁基材の両面上の、それぞれ前記絶縁基材の反対側の面上に配置された前記複数の引き出し配線に対して平面視において重なる位置に、前記複数の検知電極の厚みおよび前記複数の引き出し配線の厚みに対して２倍以上の厚みを有するシールドパターン部を形成する
   タッチセンサの製造方法。
6. 前記複数の検知電極および前記複数の引き出し配線の形成方法と前記シールドパターン部の形成方法とは、互いに異なる請求項５に記載のタッチセンサの製造方法。
7. 前記シールドパターン部の形成方法は、フォトリソグラフィ法、インクジェット法、スクリーン印刷法および凸版印刷法のいずれかである請求項５または６に記載のタッチセンサの製造方法。

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