CN115699177A - 磁存储介质用玻璃盘以及使用该磁存储介质用玻璃盘的磁存储装置 - Google Patents

磁存储介质用玻璃盘以及使用该磁存储介质用玻璃盘的磁存储装置 Download PDF

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Abstract

本发明的磁存储介质用玻璃基板的特征在于，具有盘形状，应变点为695～780℃，在104.5dPa·s时的温度为1300℃以下，且杨氏模量为78GPa以上。

Description

磁存储介质用玻璃盘以及使用该磁存储介质用玻璃盘的磁存 储装置
技术领域
本发明涉及磁存储介质用玻璃盘以及使用该磁存储介质用玻璃盘的磁存储装置。
背景技术
磁存储装置具备在磁存储介质用基板上成膜有磁性层的磁存储介质，能够使用该磁性层来存储信息。一直以来，使用铝合金基板作为磁存储装置中使用的磁存储介质用基板。目前，随着高存储密度化的要求，研究了磁介质用基板的薄壁化。但是，若使铝合金基板变薄则刚性会消失，因此刚性、平坦性、平滑性等优异的玻璃盘(玻璃基板)备受关注。
近年来，为了应对更高存储密度化的需求，正在研究使用能量辅助磁存储方式的磁存储介质、即能量辅助磁存储介质。对于能量辅助磁存储介质，也使用玻璃盘，并且在玻璃盘的表面上成膜有磁性层等。在能量辅助磁存储介质中，作为磁性层的磁性材料，使用具有大的磁各向异性系数Ku(以下，称为“高Ku”)的有序合金。
为了提高磁性层的有序化的程度(有序度)而实现高Ku化，有时在磁性层的成膜时或成膜前后，在800℃左右的高温下对包含玻璃盘的基材进行热处理。越需要高存储密度，该热处理温度越需要高温，因此要求比以往的磁存储介质用玻璃盘更高的耐热性。另外，在磁性层的成膜后，有时也对包含玻璃盘的基材进行激光照射。这样的热处理、激光照射也有提高包含FePt系合金等的磁性层的退火温度、矫顽力这样的目的。
发明内容
发明欲解决的技术问题
然而，为了在高速旋转时不发生大的变形，要求磁存储介质用玻璃盘具有高刚性(杨氏模量)。详细而言，在盘状的磁存储介质中，一边使介质绕中心轴高速旋转，一边使磁头在半径方向上移动，并且沿着旋转方向进行信息的写入、读取。近年来，用于提高该写入速度、读取速度的转速从5400rpm向7200rpm、进而向10000rpm的高速化的方向发展，但在盘状的磁存储介质中，预先根据到中心轴的距离来分配存储信息的位置。因此，当玻璃盘在旋转中发生变形时，引起磁头的位置偏移，难以进行准确的读取。
另外，近年来，通过在磁头搭载DFH(Dynamic Flying Height，动态磁)机构，从而实现磁头的存储再现元件部与磁存储介质表面之间的间隙的大幅度窄小化(低上浮量化)，实现更高存储密度化。DFH机构是在磁头的存储再现元件部的附近设置极小的加热器等加热部，仅使元件部周边朝向介质表面方向热膨胀的机构。通过具备这样的机构，磁头与介质的磁性层的距离接近，因此能够拾取更小的磁性粒子的信号，能够实现高存储密度化。另一方面，磁头的存储再现元件部与磁存储介质的表面的间隙变得极小，例如为2nm以下，因此即使因轻微的冲击，磁头也有可能与磁存储介质的表面碰撞。该倾向在高速旋转时变得显著。因此，在高速旋转时，防止成为该碰撞原因的玻璃盘的挠曲、抖动(颤动)的产生变得重要。
而且，随着近年来的数据中心、服务器的世界性的利用增加，要求这些玻璃盘的低成本化。在玻璃盘的低成本化方面，成形性很重要。进而，采用溢流下拉法、浮法，将大型的玻璃基板以接近制品的厚度的板厚成形，加工成圆板状也是有效的。
因此，本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种磁存储介质用玻璃盘，其在高速旋转时不容易产生挠曲、抖动(颤动)，为了实现大幅度的高存储密度而具备充分的耐热性，而且有助于低成本化。
用于解决问题的技术手段
本发明人反复进行了各种实验，结果发现，通过严格地限制玻璃盘的玻璃特性，能够解决上述技术课题，并作为本发明提出。即，本发明的磁存储介质用玻璃盘的特征在于，具有盘形状，应变点为695～780℃，在104.5dPa·s时的温度为1300℃以下，且杨氏模量为78GPa以上。另外，本发明的磁存储介质用玻璃盘优选在中心部形成有圆形的开口部。在此，“应变点”是指基于ASTM C336的方法测定的值。“104.5dPa·s时的温度”是指通过铂球提拉法测定的值。“杨氏模量”可以通过公知的共振法进行测定。
图1是用于表示盘形状的上方立体图。盘形状是指圆板形状，更优选为在中心部形成有圆形的开口部的形状(参照图1)。
在本发明的磁存储介质用玻璃盘中，应变点被限制为695℃以上。这样，即使进行热辅助等高温下的热处理、激光照射，也不容易发生玻璃盘的变形。其结果，在实现高Ku化时，能够采用更高的热处理温度，因此容易制作高存储密度的磁存储装置。
另外，在本发明的磁存储介质用玻璃盘中，高温粘度为104.5dPa·s时的温度被限制在1300℃以下。这样，成形性提高，因此能够有助于玻璃盘的低成本化。
进而，在本发明的磁存储介质用玻璃盘中，杨氏模量被限制在78GPa以上。这样，在高速旋转时，不易产生玻璃盘的挠曲、抖动(颤动)，因此能够防止信息存储介质与磁头的碰撞。
本发明的磁存储介质用玻璃盘中，优选地，作为玻璃组成，以摩尔％计，含有：SiO260～71％、Al2O3 10～16％、B2O3 0～5％、Na2O 0～0.1％、K2O 0～1％、MgO 0～12％、CaO 0～12％、SrO 0～10％、BaO 0～10％、ZrO2 0～1％、SnO2 0～1％。
另外，本发明的磁存储介质用玻璃盘的表面的平均表面粗糙度Ra优选为1.0nm以下。这样，即使为了高存储密度化而使比特尺寸微细化，也能够改善磁特性。在此，“表面的平均表面粗糙度Ra”是指除了端面以外的主表面(两个表面)的平均表面粗糙度Ra，例如，可以利用原子力显微镜(AFM)进行测定。
另外，本发明的磁存储介质用玻璃盘在光路长度为1mm、波长范围为350～1500nm时的平均直线透射率优选为70％以上。
另外，本发明的磁存储介质用玻璃盘优选在表面具有磁性层。由此，容易应用于能量辅助磁存储介质。
本发明的磁存储介质用玻璃基板的特征在于，应变点为695～740℃，104.5dPa·s时的温度为1300℃以下，杨氏模量为78GPa以上。
另外，本发明的磁存储介质用玻璃基板中，优选地，作为玻璃组成，以摩尔％计，含有：SiO2 60～71％、Al2O3 10～16％、B2O3 0～5％、Na2O 0～0.1％、K2O 0～1％、MgO 0～12％、CaO 0～12％、SrO 0～10％、BaO 0～10％、ZrO2 0～1％、SnO2 0～1％。
另外，本发明的磁存储装置优选具备上述磁存储介质用玻璃盘。
附图说明
图1是用于表示盘形状的上方立体图。
具体实施方式
在本发明的磁存储介质用玻璃盘中，应变点为695℃以上，优选为697℃以上、700℃以上、702℃以上、705℃以上、710℃以上、711℃以上、712℃以上、713℃以上、714℃以上，特别是715℃以上。如果应变点过低，则难以进行高温下的热处理、激光照射，难以制作高存储密度的磁存储介质。另一方面，若应变点过高，则熔融温度、成形温度变高，因此玻璃基板的生产效率容易降低。因此，应变点为780℃以下，优选为775℃以下、770℃以下、768℃以下、765℃以下、763℃以下、760℃以下、758℃以下、755℃以下、753℃以下、750℃以下、748℃以下、745℃以下、743℃以下、740℃以下、738℃以下、735℃以下、733℃以下、730℃以下、725℃以下、720℃以下，特别是715℃以下。应变点的最优选范围为715～770℃。
在本发明的磁存储介质用玻璃盘中，高温粘度为104.5dPa·s时的温度越低，越能够降低施加于成形设备的负荷。104.5dPa·s时的温度为1300℃以下，优选为1290℃以下、1280℃以下、1275℃以下、1270℃以下、1265℃以下、1260℃以下、1255℃以下，特别是1250℃以下。另一方面，若104.5dPa·s时的温度过低，则无法将应变点设计得较高。因此，104.5dPa·s时的温度优选为1150℃以上、1170℃以上、1180℃以上、1185℃以上、1190℃以上、1195℃以上，特别是1200℃以上。
在本发明的磁存储介质用玻璃盘中，杨氏模量为78GPa以上，优选为80GPa以上、81GPa以上、82GPa以上，特别优选为83～100GPa。若杨氏模量过低，则在高速旋转时容易产生玻璃盘的挠曲、抖动(颤动)，因此信息存储介质与磁头容易碰撞。
本发明的磁存储介质用玻璃盘中，作为玻璃组成，以摩尔％计，优选含有：SiO2 60～71％、Al2O3 10～16％、B2O3 0～5％、Na2O 0～0.1％、K2O 0～1％、MgO 0～12％、CaO 0～12％、SrO 0～10％、BaO 0～10％、ZrO2 0～1％、SnO2 0～1％。将各成分的含有范围如上所述地限定的理由如下所示。需要说明的是，在各成分的含有范围的说明中，％这样的表述是指摩尔％。
若SiO2的含量过少，则耐化学药品性，特别是耐酸性容易降低，并且应变点容易降低。另一方面，若SiO2的含量过多，则氢氟酸或氢氟酸的混合溶液的蚀刻速度容易变慢，另外高温粘度变高，熔融性容易降低，进而SiO2系结晶，特别是方英石析出，液相粘度容易降低。因此，SiO2的优选的上限含量为71％、70.5％、70％、69.5％、69％、68.5％、68％，特别是67.5％，优选的下限含量为60％、61％、62％、62.5％、63％、63.5％、64％、64.5％，特别是65％。最优选的含量范围为66～70.5％。
若Al2O3的含量过少，则应变点降低，热收缩量变大，并且杨氏模量降低，玻璃盘容易挠曲。另一方面，若Al2O3的含量过多，则耐BHF(缓冲氢氟酸)性降低，在玻璃表面容易产生白浊，并且耐裂纹性容易降低。进而，在玻璃中析出SiO2-Al2O3系结晶，特别是莫来石，液相粘度容易降低。Al2O3的优选的上限含量为16％、15.5％、15％、14.5％，特别是14％，优选的下限含量为10％、10.5％、11％、11.5％，特别是12％。最优选的含量范围为12～14％。
B2O3是作为熔剂发挥作用、降低粘性而改善熔融性的成分。如果B2O3的含量过少，则无法充分发挥作为熔剂的作用，另外耐BHF性、耐裂纹性容易降低。进而，液相温度容易上升。另一方面，如果B2O3的含量过多，则应变点、耐热性、耐酸性容易降低，特别是应变点容易降低。另外，玻璃变得容易分相。B2O3的优选的上限含量为5％，特别是4.5％，优选的下限含量为0％、1％、1.5％、2％，特别是2.5％。最优选的含量范围为2.5～4.5％。
碱金属氧化物(Li2O、Na2O、K2O)会使形成于玻璃盘上的磁性膜的特性劣化，因此优选将其含量分别降低至0.1％(优选为0.06％、0.05％、0.02％，特别是0.01％)。
MgO是在不降低应变点的情况下降低高温粘性而改善熔融性的成分。另外，MgO在RO中最具有降低密度的效果，但若过量地导入，则SiO2系结晶、特别是方英石析出，液相粘度容易降低。而且，MgO是容易与BHF反应而形成生成物的成分。该反应生成物粘着或附着于玻璃表面，有可能使玻璃白浊。而且，有可能从白云石等MgO的导入原料向玻璃中混入Fe2O3等杂质，从而玻璃盘的透射率会降低。因此，MgO的优选的上限含量为12％、11.5％、11％、10.5％、10％、9.5％、9.3％、9％、8.5％、8％、7.5％、7％、6.5％，特别是6％，优选的下限含量为0％、1％、1.5％、2％、2.5％、3％、3.5％、4％，特别是4.5％。最优选的含量范围为4.5～6％。
CaO与MgO同样，是在不降低应变点的情况下降低高温粘性而显著改善熔融性的成分。但是，若CaO的含量过多，则SiO2-Al2O3-RO系结晶、特别是钙长石析出，液相粘度容易降低，并且耐BHF性降低，反应生成物粘着或附着在玻璃表面，有可能使玻璃白浊。因此，CaO的优选的上限含量为12％、11.5％、11％、10.5％、10％、9.5％、9％，特别是8.5％，优选的下限含量为0％、1％、2％、3％、3.5％、4％、4.5％、5％、5.5％、5.6％、6％，特别是6.5％。最优选的含量范围为6.5～8.5％。
SrO是提高耐化学药品性、耐失透性的成分，但在RO整体中，若过于提高其比例，则熔融性容易降低，并且密度、热膨胀系数容易上升。因此SrO的含量优选为0～10％、0～9％、0～8％、0～7％、0～6％，特别是0～5％。
BaO是提高耐化学药品性、耐失透性的成分，但若其含量过多，则密度容易上升。另外，SiO2-Al2O3-B2O3-RO系玻璃通常难以熔融，因此从廉价且大量地供给高品质的玻璃盘的观点出发，提高熔融性，减轻由气泡、异物等引起的不良率是非常重要的。但是，BaO在RO中缺乏提高熔融性的效果。因此，BaO的优选的上限含量为10％、9％、8％、7％、6％，特别是5％，优选的下限含量为0％、0.1％、0.3％，特别是0.2％。
SnO2具有作为降低玻璃中的气泡的澄清剂的作用。另一方面，当SnO2的含量过多时，容易在玻璃中产生SnO2的失透结晶。SnO2的优选的上限含量为1％、0.5％、0.4％，特别是0.3％，优选的下限含量为0％、0.01％、0.03％，特别是0.05％。最优选的含量范围为0.05～0.3％。
ZrO2是提高化学耐久性的成分，但如果其导入量变多，则容易产生ZrSiO4的结晶。ZrO2的优选的上限含量为1％、0.5％、0.3％、0.2％，特别是0.1％，从化学耐久性的观点出发，优选导入0.001％％以上。最优选的含量范围为0.001％～0.1％。需要说明的是，ZrO2可以从原料中导入，也可以通过来自耐火物的溶出而导入。
除了上述成分以外，也可以导入其他成分。其导入量优选为5％以下、3％以下，特别是1％以下。
ZnO是改善熔融性、耐BHF性的成分，但若其含量过多，则玻璃容易失透，或应变点降低，难以确保耐热性。因此ZnO的含量优选为0～10％、0～5％、0～3％、0～2％，特别是0～1％。
P2O5是使SiO2-Al2O3-CaO系结晶(特别是钙长石)和SiO2-Al2O3系结晶(特别是莫来石)的液相线温度降低的成分。但是，若大量导入P2O5，则玻璃容易分相。因此，P2O5含量优选为0～10％、0～5％、0～3％、0～2％、0～1％，特别是0～0.1％。
TiO2是降低高温粘性而提高熔融性的成分，并且是提高化学耐久性的成分，但当过量导入时，紫外线透射率容易降低。TiO2的含量优选为3％以下、1％以下、0.5％以下、0.1％以下、0.05％以下、0.03％，特别是0.01％以下。需要说明的是，若将TiO2导入极少量(例如0.0001％以上)，则可得到抑制由紫外线引起的着色的效果。最优选的含量范围为0.0001～0.01％。
As2O3、Sb2O3是作为澄清剂发挥作用的成分，但由于是环境负荷化学物质，因此优选尽可能不使用。As2O3、Sb2O3的含量优选分别小于0.3％、小于0.1％、小于0.09％、小于0.05％、小于0.03％、小于0.01％、小于0.005％，特别优选小于0.003％。
铁是作为杂质从原料中混入的成分，但如果铁的含量过多，则紫外线透射率有可能降低。因此，铁的优选的下限含量换算成Fe2O3为0.0001％、0.0005％、0.001％，特别是0.0015％，优选的上限含量换算成Fe2O3为0.01％、0.009％、0.008％、0.007％，特别是0.006％。最优选的含量范围为0.0015％～0.006％。
Cr2O3是作为杂质从原料中混入的成分，但如果Cr2O3的含量过多，则在利用散射光进行玻璃盘内部的异物检查的情况下，光变得难以透射，有可能在异物检查中产生不良情况。特别是在基板尺寸为730mm×920mm以上的情况下，容易产生该不良情况。另外，如果玻璃盘的板厚小(例如0.5mm以下、0.4mm以下，特别是0.3mm以下)，则散射光的光量变少，因此限制Cr2O3的含量的意义变大。Cr2O3的优选的上限含量为0.001％、0.0008％、0.0006％、0.0005％，特别是0.0003％，优选的下限含量为0.00001％。最优选的含量范围为0.00001～0.0003％。
SO3是作为杂质从原料中混入的成分，如果SO3的含量过多，则在熔融或成形中产生被称为再沸(reboil)的泡，有可能在玻璃中产生缺陷。SO3的优选的上限含量为0.005％、0.003％、0.002％，特别是0.001％，优选的下限含量为0.0001％。最优选的含量范围为0.0001～0.001％。
本发明的磁存储介质用玻璃盘优选具有以下特性。
为了提高磁存储介质的存储再现的可靠性，要求磁存储介质用玻璃盘具有适当的热膨胀系数。详细而言，组装有磁存储介质的HDD(硬盘驱动器)具备利用主轴马达的主轴按压中央部分而使磁存储介质自身旋转的结构。因此，若玻璃盘与主轴材料的热膨胀系数差过大，则相对于周围的温度变化，两者的热膨胀/热收缩不同，因此产生磁存储介质变形这样的现象。若产生这样的现象，则无法用磁头读取已写入的信息，有可能损害存储再现的可靠性。因此，优选磁存储介质用玻璃盘具有与主轴材料(例如不锈钢等)的热膨胀系数匹配的热膨胀系数。从这种观点出发，30～380℃温度范围内平均线热膨胀系数优选为25×10-7～60×10-7/℃、28×10-7～55×10-7/℃，特别是30×10-7～50×10-7/℃。
液相温度优选为1350℃以下、1330℃以下、1300℃以下、1280℃以下、1260℃以下、1250℃以下、1240℃以下，特别是1230℃以下。液相粘度优选为103.8dPa·s以上、104.4dPa·s以上、104.6dPa·s以上、104.8dPa·s以上，特别是105.0dPa·s以上。这样，在成形时，失透结晶难以析出，容易通过溢流下拉法等成形为板状，因此即使不对表面进行研磨，或者通过少量的研磨，也能够使表面的平均表面粗糙度Ra为1.0nm以下，特别是0.2nm以下。结果，能够通过比特尺寸的微细化而提高磁特性。另外，通过减少失透结晶、研磨量，能够使玻璃盘低成本化。在此，“液相温度”能够通过如下方式算出：将通过标准筛30目(500μm)但残留于50目(300μm)的玻璃粉末放入铂舟后，在温度梯度炉中保持24小时，测定结晶析出的温度。“液相粘度”是指液相温度下的玻璃的粘度，能够通过铂球提拉法进行测定。
在光路长度为1mm、波长范围为350～1500nm时的平均直线透射率优选为70％以上、80％以上，特别优选为90％以上。当光路长度为1mm、波长范围为350～1500nm时的平均直线透射率过低时，在进行激光照射时，激光不能充分地照射到磁性层，难以实现磁性层的高Ku化。
β-OH优选为0.30/mm以下、0.25/mm以下、0.20/mm以下、0.15/mm以下，特别是0.10/mm以下。若β-OH过大，则缓冷点容易降低。需要说明的是，若β-OH过小，则导入氯等干燥成分的必要性高，在该情况下，玻璃中的氯等以较高的状态推移，有可能增大环境负荷。因此，β-OH优选为0.01/mm以上，特别优选为0.02/mm以上。
作为降低β-OH的方法，可以举出以下的方法。(1)选择低含水量的原料。(2)在玻璃中加入降低β-OH的成分(Cl、SO3等)。(3)降低炉内空气中的水分量。(4)在熔融玻璃中进行N2鼓泡。(5)采用小型熔炉。(6)增多熔融玻璃的流量。(7)采用电熔法。
在此，“β-OH”是指使用FT-IR测定玻璃盘的透射率，通过下述式求出的值。
[式1]
β-OH＝(1/X)log(T1/T2)
X：板厚(mm)
T1：参照波长3846cm-1时的透射率(％)
T2：羟基吸收波长3600cm-1附近的最小透射率(％)
表面的平均表面粗糙度Ra优选为1.0nm以下、0.7nm以下、0.4nm以下，特别是0.2nm以下。如果表面的平均表面粗糙度Ra过大，则即使为了高存储密度化而使比特尺寸微细化，也无法期待磁特性的改善。
板厚优选为1.5mm以下、1.2mm以下、0.2～1.0mm，特别是0.3～0.9mm。若板厚过厚，则必须研磨至期望的板厚，加工成本有可能高涨。
整体板厚偏差(TTV)优选小于2.0μm、为1.5μm以下、为1.0μm以下，特别是0.1～小于1.0μm。如果整体板厚偏差(TTV)过大，则即使为了高存储密度化而使比特尺寸微细化，也无法期待磁特性的改善。在此，“整体板厚偏差(TTV)”是指整体的最大板厚与最小板厚的差，例如能够通过科氏科研公司制造的SBW-331ML/d进行测定。
本发明的磁存储介质用玻璃盘优选整个表面为研磨面。这样，容易将整体板厚偏差(TTV)限制为小于2.0μm、1.5μm以下、1.0μm以下，特别是小于1.0μm。作为研磨处理的方法，可以采用各种方法，但优选用一对研磨垫夹住玻璃盘的两面，一边使玻璃盘和一对研磨垫一起旋转，一边对玻璃盘进行研磨处理的方法。进而，优选一对研磨垫的外径不同，优选以在研磨时使玻璃盘的一部分间歇地从研磨垫伸出的方式进行研磨处理。由此，容易降低整体板厚偏差(TTV)，另外也容易降低翘曲量。需要说明的是，在研磨处理中，研磨深度没有特别限定，研磨深度优选为50μm以下、30μm以下、20μm以下、特别优选为10μm以下。研磨深度越小，玻璃盘的生产率越高。
本发明的磁存储介质用玻璃盘例如可以通过以下的方法制作。首先，优选将以成为所期望的玻璃组成的方式调配的玻璃原料投入连续熔融炉中，以1500～1700℃加热熔融，澄清后，将熔融玻璃供给至成形装置，然后成形为板状，进行冷却。成形为板状后，切断加工成盘形状的方法可以采用公知的方法。作为玻璃基板的成形方法，可以采用各种方法，但为了提高表面平滑性，优选采用溢流下拉法、狭缝下拉法等。另外，可以适当采用用于板厚、TTV的调整的盘表面的研磨加工、向盘中心部的圆形开口部的开孔加工、内外周端面的研磨加工、在盘表面上的磁性层的形成等。
实施例1
以下，基于实施例对本发明进行说明。另外，以下的实施例仅仅是例示。本发明不限于以下的实施例。
表1～5表示本发明的实施例(试样No.1～131)。
[表1]
Figure BDA0003973163110000131
[表2]
Figure BDA0003973163110000141
[表3]
Figure BDA0003973163110000142
[表4]
Figure BDA0003973163110000151
[表5]
Figure BDA0003973163110000152
[表6]
Figure BDA0003973163110000161
[表7]
Figure BDA0003973163110000162
[表8]
Figure BDA0003973163110000171
[表9]
Figure BDA0003973163110000172
[表10]
Figure BDA0003973163110000181
[表11]
Figure BDA0003973163110000182
[表12]
Figure BDA0003973163110000191
[表13]
Figure BDA0003973163110000192
如下制作各试样。首先，以成为表中的玻璃组成的方式，将调配玻璃原料而成的玻璃批料放入铂坩埚中，在1600℃下熔融24小时。在玻璃批料溶解时，使用铂搅拌器进行搅拌，进行均质化。接着，使熔融玻璃流出到碳板上，成形为平板形状后，切断加工成盘形状。对于得到的各试样，评价β-OH值、密度、热膨胀系数、杨氏模量、应变点、104.5dPa·s时的温度、液相温度、液相粘度和热收缩率。
β-OH值是通过上述式算出的值。
密度是通过公知的阿基米德法测定的值。
热膨胀系数是在30～380℃的温度范围内利用膨胀计测定的平均热膨胀系数。
杨氏模量是通过基于JIS R1602的动态弹性模量测定法(谐振法)测定的值。
应变点是基于ASTM C336的方法测定的值。
高温粘度为104.5dPa·s时的温度为利用铂球提拉法测定的值。
液相温度是如下温度：将各试样粉碎，将通过标准筛30目(500μm)但残留于50目(300μm)的玻璃粉末放入铂舟，在设定为1100℃～1350℃的温度梯度炉中保持24小时后，取出铂舟，在玻璃中确认到失透结晶(结晶异物)的温度。液相粘度是通过铂球提拉法测定液相温度下的玻璃的粘度而得到的值。
由表可知，试样No.1～131由于应变点为715℃以上、104.5dPa·s时的温度为1290℃以下、杨氏模量为81.7GPa以上，因此适合作为磁存储介质用玻璃盘。
以成为表中的试样No.1～131的玻璃组成的方式，将调制玻璃原料而成的玻璃批料投入到熔融窑中，然后在1500～1700℃下进行24小时熔融、澄清、均质化，以板厚为0.675mm的方式通过溢流下拉法成形为板状后，加工成盘形状。用原子力显微镜(AFM)测定得到的玻璃盘的表面的表面粗糙度Ra，结果为0.10～0.20nm。另外，整体板厚偏差(TTV)为1.0μm。进而，对于得到的玻璃盘，用岛津制作所制造的分光光度计UV-3100测定光路长度为1mm、波长范围为350～1500nm时的平均直线透射率，结果均为85％以上。

Claims (10)

1.一种磁存储介质用玻璃盘，其特征在于，
所述磁存储介质用玻璃盘具有盘形状，并且应变点为695～780℃，在104.5dPa·s时的温度为1300℃以下，杨氏模量为78GPa以上。
2.如权利要求1所述的磁存储介质用玻璃盘，其特征在于，
所述磁存储介质用玻璃盘在中心部形成有圆形的开口部。
3.如权利要求1或2所述的磁存储介质用玻璃盘，其特征在于，
作为玻璃组成，以摩尔％计，含有：SiO2 60～71％、Al2O3 10～16％、B2O3 0～5％、Na2O0～0.1％、K2O 0～1％、MgO 0～12％、CaO 0～12％、SrO 0～10％、BaO 0～10％、ZrO2 0～1％、SnO2 0～1％。
4.如权利要求1～3中任一项所述的磁存储介质用玻璃盘，其特征在于，
所述磁存储介质用玻璃盘的表面的平均表面粗糙度Ra为1.0nm以下。
5.如权利要求1～4中任一项所述的磁存储介质用玻璃盘，其特征在于，
所述磁存储介质用玻璃盘在光路长度为1mm、波长范围为350～1500nm时的平均直线透射率为70％以上。
6.一种磁存储介质用玻璃盘，其特征在于，
所述磁存储介质用玻璃盘具有盘形状，
作为玻璃组成，以摩尔％计，含有：SiO2 60～71％、Al2O3 10～16％、B2O3 0～5％、Na2O0～0.1％、K2O 0～1％、MgO 0～12％、CaO0～12％、SrO 0～10％、BaO 0～10％、ZrO2 0～1％、SnO2 0～1％。
7.如权利要求1～6中任一项所述的磁存储介质用玻璃盘，其特征在于，
所述磁存储介质用玻璃盘在表面具有磁性层。
8.一种磁存储装置，其特征在于，
所述磁存储装置具备权利要求1～7中任一项所述的磁存储介质用玻璃盘。
9.一种磁存储介质用玻璃基板，其特征在于，
所述磁存储介质用玻璃基板的应变点为695～740℃，在104.5dPa·s时的温度为1300℃以下，且杨氏模量为78GPa以上。
10.如权利要求9所述的磁存储介质用玻璃基板，其特征在于，
作为玻璃组成，以摩尔％计，含有：SiO2 60～71％、Al2O3 10～16％、B2O3 0～5％、Na2O0～0.1％、K2O 0～1％、MgO 0～12％、CaO0～12％、SrO 0～10％、BaO 0～10％、ZrO2 0～1％、SnO2 0～1％。
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