CN115551809A - 硼去除装置及方法、纯水制造装置以及纯水制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种降低被处理水中的硼浓度的硼去除装置及硼去除方法、降低了硼浓度的纯水的制造装置以及制造方法。本发明使用硼去除装置和使用该装置的硼去除方法，所述硼去除装置具有：第一电再生式去离子装置，其被供给被处理水；紫外线氧化装置，其被供给由所述第一电再生式去离子装置处理后的水；氧化物去除装置，其被供给由所述紫外线氧化装置处理后的水；以及第二电再生式去离子装置，其被供给由所述氧化物去除装置处理后的水。所述氧化物去除装置优选具备铂族金属催化剂，由所述氧化物去除装置处理后的水的过氧化氢浓度小于1ppb。

Description

硼去除装置及方法、纯水制造装置以及纯水制造方法
技术领域
本发明涉及硼去除装置及硼去除方法、纯水制造装置以及纯水制造方法。
背景技术
一直以来，作为半导体装置的制造工序、液晶装置的制造工序中的清洗水等的用途，使用有机物、离子成分、微粒子、细菌等被高度去除后的超纯水等纯水。特别是，在制造包含半导体装置的电子部件时，在其清洗工序中使用大量的纯水，对其水质的要求也逐年增高。
例如，作为微量的杂质，要求总有机碳(TOC：Total Organic Carbon)、硼的降低。一般地，已知TOC成分通过紫外线氧化处理、硼通过反渗透膜装置、硼选择性离子交换树脂、电再生式去离子装置去除。专利文献1中记载了如下内容：将进行了前处理的水按反渗透膜装置、电再生式去离子装置、紫外线氧化装置、硼树脂混合离子交换装置的顺序进行处理，制造去除了TOC、硼的一次纯水。此外，专利文献2中记载了如下内容：一次纯水系统依次具备高压型反渗透膜分离装置、脱气装置、紫外线氧化装置以及离子交换装置；高压型反渗透膜与低压型或者超低压型反渗透膜相比，硼、二氧化硅以及非荷电性有机物等弱电解质成分、非荷电性成分的去除率高；离子交换装置也可以是将电再生式去离子装置与1级或者多级串联连接而成的再生型离子交换装置。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-47496号公报
专利文献2：日本特开2017-127875号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，在专利文献1以及2记载的方法中，由于在紫外线氧化装置中产生的臭氧、过氧化氢等氧化剂，后级的硼树脂、电再生式去离子装置内的离子交换树脂有可能被氧化，并劣化。其结果，还会存在导致硼树脂混合离子交换装置、电再生式去离子装置的硼去除率的降低，无法将硼降低至极低浓度的问题。
因此，本发明的目的在于提供一种降低被处理水中的硼浓度的硼去除装置以及硼去除方法、和提供一种降低了硼浓度的纯水的制造装置以及制造方法。
用于解决课题的技术方案
本发明人发现：通过适当组合多个电再生式去离子装置和紫外线氧化装置、氧化物去除装置，能够大幅降低硼浓度。
即，本发明涉及硼去除装置以及使用所述装置的硼去除方法，所述硼去除装置具有：第一电再生式去离子装置，其被供给被处理水；紫外线氧化装置，其被供给由所述第一电再生式去离子装置处理后的水；氧化物去除装置，其被供给由所述紫外线氧化装置处理后的水；以及第二电再生式去离子装置，其被供给由所述氧化物去除装置处理后的水。
此外，本发明涉及纯水制造装置以及使用所述装置的纯水制造方法，所述纯水制造装置具有：低压型反渗透膜装置，其被供给被处理水；pH调整装置，其调整来自所述低压型反渗透膜装置的透过水的pH；高压型反渗透膜装置，其被供给由所述pH调整装置调整pH后的调整水；第一电再生式去离子装置，其被供给来自所述高压型反渗透膜装置的透过水；紫外线氧化装置，其被供给由所述第一电再生式去离子装置处理后的水；氧化物去除装置，其被供给由所述紫外线氧化装置处理后的水；第二电再生式去离子装置，其被供给由所述氧化物去除装置处理后的水；以及整块式纯水器(cartridge polisher)，其被供给由所述第二电再生式去离子装置处理后的水。
发明效果
根据本发明，提供一种能够大幅降低硼浓度的硼去除装置以及硼去除方法。此外，提供一种能够制造高纯度的纯水的纯水制造装置以及纯水的制造方法。
附图说明
图1是示出本发明的一个实施方式所涉及的硼去除装置的结构的概念图。
图2是示出本发明的一个实施方式所涉及的纯水制造装置的结构的概念图。
图3是比较例1中使用的装置的概念图。
图4是示出比较例1中的通水时间和催化剂塔出口的过氧化氢浓度的关系的图表。
图5是示出比较例1中的通水时间和第一电再生式去离子装置(EDI-1)的脱盐室的压差的关系的图表。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明进行说明，本发明不限于附图中记载的结构。
在图1中，本发明所涉及的硼去除装置100具备：第一电再生式去离子装置(EDI-1)30，其经由泵45被供给被处理水10；紫外线氧化装置40，其被供给由所述电再生式去离子装置30处理后的水；氧化物去除装置(催化剂塔)50，其被供给由所述紫外线氧化装置40处理后的水；以及第二电再生式去离子装置(EDI-2)60，其被供给由所述氧化物去除装置(催化剂塔)50处理后的水。
而且，被处理水10通过所述第一电再生式去离子装置30被去除被处理水中的离子成分以及硼，接着，该处理水被供给到所述紫外线氧化装置40，有机物(TOC成分等)被分解。在所述紫外线氧化装置40中，分解有机物，产生过氧化氢、臭氧等氧化性物质。该氧化性物质引起后述的第二电再生式去离子装置60内的离子交换树脂的劣化。因此，由所述紫外线氧化装置40处理后的水在由氧化物去除装置(催化剂塔)50去除氧化性物质后，供给到第二电再生式去离子装置60并进行处理，得到处理水20。
本发明中使用的紫外线氧化装置40出于去除有机物的目的而设置。因此，优选使用照射包括185nm以下的波长的紫外线并进行紫外线氧化处理的紫外线氧化装置。另外，在子系统(2次纯水系统)中也存在具备紫外线氧化装置的情况，但例如在作为超纯水的TOC浓度而要求1μg/L以下的那样的设备中，通过在溶解氧(DO)浓度较高的1次纯水系统中设置紫外线氧化装置，能够抑制整体的能量成本。此外，由于存在溶解氧，能够期待通过紫外线照射而从溶解氧生成羟基自由基、过氧化氢，TOC分解效率提高。
在将紫外线氧化装置40设置在第一电再生式去离子装置30的前级的情况下，由紫外线氧化装置中产生的自由基的聚合而生成的氧化性物质即过氧化氢可能使第一电再生式去离子装置内的离子交换树脂劣化，引起性能降低。因此，紫外线氧化装置40设置在第一电再生式去离子装置30的后级。此外，通过将紫外线氧化装置40设置在第二电再生式去离子装置(EDI-2)50的前级，能够降低子系统内的整块式纯水器(CP)的负载，得到高纯度的纯水。
在氧化物去除装置(催化剂塔)50中，填充有具有氧化性物质分辨率的催化剂。由此，在紫外线氧化装置中产生的氧化性物质被催化剂分解，防止后述的第二电再生式去离子装置内的离子交换树脂的劣化。从氧化物去除装置得到的处理水的过氧化氢浓度优选为小于1ppb。作为催化剂，优选溶出物少的铂族金属催化剂。这里所说的铂族金属是钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、锇(Os)、铱(Ir)以及铂(Pt)，可以单独使用它们的一种，也可以组合使用两种以上。这些铂族金属当中，可以优选使用Pt、Pd等，从成本等观点出发，优选Pd。此外，作为所使用的载体，优选阴离子交换体。阴离子交换体可以是粒状的阴离子交换树脂，也可以是阴离子交换树脂一体成形的整体式有机多孔质阴离子交换体。例如，在日本特开2002-306976号公报、日本特开2009-62512号公报中记载了在此能够使用的整体式有机多孔质阴离子交换体。通过在阴离子交换体中担载铂族金属催化剂，对高催化能力的发挥和来自催化剂的溶出物的降低是有效果的。强碱性阴离子交换树脂的离子形优选为OH形，作为催化剂，更优选在OH形的强碱性阴离子交换树脂中担载有钯(Pd)的催化剂。
第二电再生式去离子装置60去除紫外线氧化装置40中未处理完的有机物以及离子成分。作为第二电再生式去离子装置60，可以使用与第一电再生式去离子装置30相同的装置，也可以使用不同的装置。
接下来，对本发明所涉及的纯水制造装置进行说明。在图2中，本发明所涉及的纯水制造装置200具备：低压型反渗透膜装置70，其被供给被处理水10；pH调整装置75，其被供给来自所述低压型反渗透膜装置70的透过水；高压型反渗透膜装置80，其经由泵45被供给由所述pH调整装置75调整了pH的调整水；第一电再生式去离子装置(EDI-1)30，其被供给来自所述高压型反渗透膜装置80的透过水；紫外线氧化装置40，其对由所述第一电再生式去离子装置30处理后的水进行紫外线氧化处理；氧化物去除装置(催化剂塔)50，其对由所述紫外线氧化装置40处理后的水进行处理；第二电再生式去离子装置(EDI-2)60，其被供给由所述催化剂塔50处理后的水；以及整块式纯水器(CP)90，其被供给由所述第二电再生式去离子装置60处理后的水。
而且，被处理水10通过所述低压型反渗透膜装置70去除被处理水中的离子成分以及有机物等悬浊物质，接着，该透过水通过所述pH调整装置75优选调整为pH＝5.0～9.0，更优选调整为pH＝5.5～8.5。之后，通过利用所述高压型反渗透膜装置80以及所述第一电再生式去离子装置(EDI-1)30对调整了所述pH的调整水进行处理，有效地去除硼。该处理水中残留的总有机碳(TOC)成分通过紫外线(UV)氧化装置40被分解为有机酸以及二氧化碳。另一方面，紫外线氧化装置40分解总有机碳(TOC)成分，产生过氧化氢、臭氧等氧化性物质。因此，在紫外线氧化装置40的后级具备的催化剂塔50中，在去除这些氧化性物质后，通过第二电再生式去离子装置60进行离子交换处理，最终制造出纯水95。在半导体制造等中，将纯水95作为一次纯水供给到子系统，制造出超纯水。
接下来，对本发明中使用的反渗透膜装置进行说明。反渗透膜装置由反渗透膜、流路材料这样的构件构成的反渗透膜元件、和装填有一个以上的反渗透膜元件的一个以上的压力容器(货斗)构成。通过向装填有反渗透膜元件的货斗压送被处理水，从货斗得到与有效压力相称的量的透过水。此外，不透过反渗透膜元件并在货斗内浓缩的水作为浓缩水从货斗排出。反渗透膜元件的形状没有特别限制，能够使用管型、螺旋型、中空纤维型。在相同货斗内使用多个反渗透膜元件的情况下，各反渗透膜元件串联连接。在反渗透膜装置中使用多个货斗的情况下，货斗能够并联或串联设置。例如，能够将压送的被处理水供给到并列设置的多个货斗，将各货斗的透过水以及浓缩水合流并从装置排出。进而，能够成为将从各货斗排出的浓缩水向其他货斗供给的、所谓的圣诞树方式那样的货斗结构。
这些反渗透膜装置中的反渗透膜元件的结构以及货斗的结构能够根据所要求的透过水质、透过水量、水回收率、占用空间等来设计、选定适当的结构。
本发明中使用的各反渗透膜装置的水回收率通过供给到各反渗透膜装置的被处理水和由各反渗透膜装置得到的透过水的比率来计算。即，各反渗透膜装置的水回收率＝(通过各反渗透膜装置得到的透过水量)/(供给到各反渗透膜装置的被处理水量)。水回收率能够根据被处理水的水质、所要求的透过水质、透过水量、回收率、占用空间等来设计、选定适当的水回收率。水回收率没有特别限制，低压型反渗透膜装置的水回收率优选为50～90％，更优选为65～85％，高压型反渗透膜装置的水回收率优选为80～99％，更优选为85～95％。特别是，关于高压型反渗透膜装置的水回收率，由于通过低压型反渗透膜处理，被处理水中的杂质浓度降低，因此能够设定较高的值。
此外，在反渗透膜装置中，能够使用一般的反渗透膜装置中使用的药品(例如，还原剂、pH调整剂、水垢分散剂、杀菌剂等)。
作为本发明中使用的低压型反渗透膜装置(BWRO装置)中使用的反渗透膜，优选使用能够以比较低的压力运转的低压型膜、超低压型膜。
作为低压型反渗透膜、超低压型反渗透膜，能够使用有效压力1MPa、水温25℃条件下的纯水的渗透通量优选为0.65～1.8m/d、更优选为0.65～1.0m/d的反渗透膜。
在此，渗透通量是透过水量除以反渗透膜面积而得到的。“有效压力”是指在JISK3802：2015“膜用语”中记载的、从平均操作压力减去浸透压差以及2次侧压所得的、作用于膜的有效的压力(有效压力)。另外，平均操作压力是反渗透膜的1次侧的膜供给水的压力(运转压力)和浓缩水的压力(浓缩水出口压力)的平均值，由下式表示。
平均操作压力＝(运转压力+浓缩水出口压力)/2
每有效压力1MPa的渗透通量能够根据膜制造商的目录中记载的信息例如透过水量、膜面积、评价时的水回收率、NaCl浓度等来计算。此外，在一个或者多个压力容器中装填有多片相同的渗透通量的反渗透膜的情况下，能够根据压力容器的平均操作压力/2次侧压力、被处理水的水质、透过水量、膜片数等信息，计算装填的膜的渗透通量。
作为低压型以及超低压型反渗透膜，例如，可举出NITTO公司制ES系列(ES15-D8、ES20-U8)(商品名)、HYDRANAUTICS公司制ESPA系列(ESPAB、ESPA2、ESPA2-LD-MAX)(商品名)、CPA系列(CPA5-MAX、CPA7-LD)(商品名)、东丽公司制TMG系列(TMG20-400、TMG20D-440)(商品名)、TM700系列(TM720-440、TM720D-440)(商品名)、Dow Chemical公司制BW系列(BW30HR、BW30XFR-400/34i)、SG系列(SG30LE-440、SG30-400)(商品名)、FORTILIFECR100(商品名)等。
作为本发明中使用的高压型反渗透膜装置(SWRO装置)中的“高压型”的定义，大致能够列举表示以下性质的定义。即，为有效压力1MPa、水温25℃条件下的纯水的渗透通量为0.2～0.65m/d的定义。高压型反渗透膜的有效压力优选为1.5～2.0MPa。通过将有效压力设为1.5MPa以上，能够充分提高高压型反渗透膜的硼阻止率。另外，通过将有效压力设为2.0MPa以上，能够预见进一步的硼阻止率提高效果，但是由于需要提高装置的耐久压力，因此存在设备费用增加的情况。
作为高压型反渗透膜，例如可举出HYDRANAUTICS公司制SWC系列(SWC4、SWC5、SWC6)(商品名)、东丽公司制TM800系列(TM820V、TM820M)(商品名)、Dow Chemical公司制SW系列(SW30HRLE、SW30ULE)(商品名)等。
这样，通过在第一电再生式去离子装置30的前级具备低压型反渗透膜装置70-高压型反渗透膜装置80，能够更降低处理水的硼浓度。
接下来，对本发明中使用的电再生式去离子装置(EDI)进行说明。EDI是具有由离子交换膜划分、填充有离子交换体的脱盐室、对由脱盐室脱盐后的离子进行浓缩的浓缩室、用于对电流进行通电的阳极、以及阴极的装置。而且，是通过对电流通电而进行运转，从而同时进行基于离子交换体的被处理水的去离子化(脱盐)处理和离子交换体的再生处理的装置。向EDI通水了的被处理水通过填充在脱盐室中的离子交换体进行脱盐，作为EDI处理水排出到EDI外部。同样地，浓缩了离子类的浓缩水作为EDI浓缩水排出到外部。
EDI的水回收率通过供给到EDI的被处理水量和得到的处理水量来计算。即，EDI的水回收率＝(EDI处理水量)/(EDI被处理水量)。EDI的水回收率没有特别限制，优选为90～95％。
RO-EDI(反渗透膜装置-电再生式去离子装置)系统的水回收率通过供给到RO的被处理水量和由EDI得到的处理水量的比率来计算。即，RO-EDI系统的水回收率＝EDI处理水量/RO被处理水量。本RO-EDI系统的水回收率没有特别限制，优选为80～99％，更优选为85～95％。在本RO-EDI系统中，由于回收高压型反渗透膜装置的浓缩水、EDI浓缩水并且在系统内不会发生成分的浓缩，因此能够满足高的系统的水回收率。
整块式纯水器(CP)90是填充有离子交换体的非再生型的离子交换装置，去除在紫外线氧化装置中生成的有机酸、二氧化碳。另外，在子系统中也存在具备整块式纯水器的情况，但通过设置本发明中的CP，能够防止有机酸、二氧化碳向子系统的紫外线氧化装置的流入。因此，能够降低子系统的紫外线氧化装置中应该分解的TOC浓度，能够抑制能量成本。此外，由于还能够降低对CP的离子负载，因此能够削减CP的交换频率。
此外，也可以在高压型反渗透膜装置80和第一电再生式去离子装置30之间设置脱气膜装置(未图示)。通过具备脱气膜装置，能够减轻对电再生式去离子装置(EDI)的碳酸负载，因此能够期待去除共存离子来提高硼去除率。此外，能够减轻对氧化物去除装置的碳酸负载，能够将氧化物去除装置中使用的强碱性阴离子交换树脂的离子形维持为OH形，因此能够长期维持氧化性物质的去除能力。
进而，在DO过量存在的情况下，DO相对于紫外线氧化装置成为自由基清除剂，TOC分解效率降低。因此，也可以设置对脱气膜装置的气体侧的真空度、吹扫气体流量进行控制这样的DO调整机构。
作为本发明中使用的被处理水，没有特别限制，可举出工水、地下水、表层水、自来水、海水、通过反渗透法或者蒸发法等对海水脱盐了的海水淡水化处理水、下水、下水处理水、各种排水、例如半导体制造工序中使用的排水、以及它们的混合水。另外，作为被处理水成分，优选满足导电率10～1000μS/cm、TDS(全溶解性物质)＝5～500ppm、硼浓度10ppb～10ppm中的任意一个以上。在被处理水成分不满足这些条件的情况下，优选进行凝结沉淀处理、过滤处理、软化处理、脱碳酸处理、活性炭处理等前处理。
作为本发明中得到的高压型反渗透膜装置的处理水(透过水)的水质，优选满足导电率2μS/cm以下、钠浓度200ppb以下或者这两者。若SWRO透过水(EDI供给水)的钠浓度高，则成对的阴离子也与钠一起从SWRO泄露。因此，填充在EDI中的离子交换树脂中的硼的选择性下降，EDI处理水的硼无法充分降低。此外，作为本发明中得到的纯水的水质，没有特别限制，能够举出电阻率17MΩ·cm以上、硼浓度50ppt以下、二氧化硅浓度50ppt以下、TOC浓度5ppb以下的水质。
实施例
以下，使用实施例更详细地说明本发明，但本发明不限于实施例。
(实施例1)
对无机碳(IC：Inorganic carbon)浓度300ppb、离子状二氧化硅浓度23ppb、硼浓度14ppb、TOC浓度13ppb、过氧化氢浓度＜1ppb的被处理水100L/h，使用图1所示的装置，实施了约2000小时的通水试验。第一电再生式去离子装置(EDI-1)以及第二电再生式去离子装置(EDI-2)均使用EDI-XP(商品名，奥加诺公司制)，将水回收率设为90％。运转电流值的设定为5A。紫外线(UV)氧化装置使用JPW(日本PHOTO SCIENCE公司制)。氧化物去除装置(催化剂塔)使用在圆筒容器(内径25mm、高度600mm)内填充了200mL(层高约400mm)的催化剂树脂的装置。催化剂树脂使用Pd担载量为100mg-Pd/L-R(凝胶型，OH形：＞99％)的树脂。在表1中示出EDI-1、UV氧化装置、催化剂塔、EDI-2的各个出口的水质。
在此，若着眼于过氧化氢浓度，则在被处理水以及EDI-1出口为＜1ppb，但在UV氧化装置出口上升到25ppb。这被认为是在由UV氧化装置生成的OH自由基的聚合、在EDI-1出口含有9ppb的TOC的分解时生成了过氧化氢。该过氧化氢在催化剂塔中被分解，在催化剂塔出口成为小于1ppb的值。由此，在EDI-2中几乎不流入过氧化氢，不会受到过氧化氢的影响，呈现出硼以及TOC已被去除。这也由于EDI-1以及EDI-2中的脱盐室压差均为与通水初期相同的0.16MPa而被证实。
另外，对通水前后的催化剂的离子形进行分析的结果是，通水前的OH形的比例为＞99％，通水后的OH形的比例为97％，未发现较大的差。
[表1]
Figure BDA0003936728240000111
(比较例1)
除了使用图3所示的装置以外，在与实施例1同样的条件下实施5000分钟的通水试验。在表2中示出EDI-1、UV氧化装置、催化剂塔、EDI-2的各个出口的水质。
EDI-1的脱盐室压差从通水初期的0.16MPa上升到0.18MPa。此外，可知过氧化氢浓度在EDI-1入口(催化剂塔出口)为16ppb，在EDI-1出口为12ppb，在EDI-1内部消耗过氧化氢。即，暗示EDI-1内的离子交换树脂被氧化，有可能劣化。
[表2]
Figure BDA0003936728240000121
此外，在比较例1中，分别在图4、图5中示出通水时间中的催化剂塔出口的过氧化氢浓度以及EDI-1脱盐室压差的推移。由图4可知，发现随着通水时间的经过，催化剂的过氧化氢去除性能大幅降低的倾向。此外，由图5可知，在过氧化氢开始向催化剂塔出口泄漏的2000分钟以后，EDI脱盐室压差的上升倾向开始，在2000分钟～3500分钟之间确认到0.006MPa的上升，进而，在3500分钟～5000分钟之间确认到0.014MPa的上升。在2000分钟以后，由于压差以加速度的方式上升，因此即使在该状态下继续运转，也有可能超过EDI装置的耐压，此外，认为到达由于供给水的压力不足而导致目标水量无法通水的状况，判断为不能应用于实际的系统而停止运转。
对通水停止时的催化剂的离子型进行分析的结果是，通水前的OH形的比例为＞99％，与此相对，通水后的OH形的比例降低至85％。即，可知催化剂的离子型不能维持OH形，反应速度降低，过氧化氢开始泄漏。
如上所述，在本发明的硼去除装置中，通过适当地组合多个EDI、紫外线氧化装置、氧化物去除装置，能够在2000小时内稳定地降低被处理水的硼浓度。另一方面，在比较例1中，可知即使是仅5000分钟的运转，也会对硼去除造成妨碍。
(标号说明)
10 被处理水
20 处理水
30 第一电再生式去离子装置(EDI-1)
40 紫外线氧化装置(UV)
45 泵
50 氧化物去除装置(催化剂塔)
60 第二电再生式去离子装置(EDI-2)
70 低压型反渗透膜装置(BWRO)
75 pH调整装置
80 高压型反渗透膜装置(SWRO)
90 整块式纯水器(CP)
95 纯水
100 硼去除装置
200 纯水制造装置。

Claims (12)

1.一种硼去除装置，具有：
第一电再生式去离子装置，其被供给被处理水；
紫外线氧化装置，其被供给由所述第一电再生式去离子装置处理后的水；
氧化物去除装置，其被供给由所述紫外线氧化装置处理后的水；以及
第二电再生式去离子装置，其被供给由所述氧化物去除装置处理后的水。
2.根据权利要求1所述的硼去除装置，其中，
所述氧化物去除装置具备铂族金属催化剂。
3.根据权利要求1或2所述的硼去除装置，其中，
由所述氧化物去除装置处理后的水的过氧化氢浓度小于1ppb。
4.一种纯水制造装置，具有：
低压型反渗透膜装置，其被供给被处理水；
pH调整装置，其调整来自所述低压型反渗透膜装置的透过水的pH；
高压型反渗透膜装置，其被供给由所述pH调整装置调整pH后的调整水；
第一电再生式去离子装置，其被供给来自所述高压型反渗透膜装置的透过水；
紫外线氧化装置，其被供给由所述第一电再生式去离子装置处理后的水；
氧化物去除装置，其被供给由所述紫外线氧化装置处理后的水；
第二电再生式去离子装置，其被供给由所述氧化物去除装置处理后的水；以及
整块式纯水器，其被供给由所述第二电再生式去离子装置处理后的水。
5.根据权利要求4所述的纯水制造装置，其中，
所述pH调整装置将所述透过水的pH调整为5.0～9.0。
6.根据权利要求4或5所述的纯水制造装置，其中，
所述氧化物去除装置具备铂族金属催化剂。
7.一种硼去除方法，包括：
步骤a，将被处理水供给到第一电再生式去离子装置进行处理；
步骤b，将来自所述第一电再生式去离子装置的处理水供给到紫外线氧化装置进行处理；
步骤c，将来自所述紫外线氧化装置的处理水供给到氧化物去除装置来去除氧化物；以及
步骤d，将来自所述氧化物去除装置的处理水供给到第二电再生式去离子装置进行处理。
8.根据权利要求7所述的硼去除方法，其中，
所述步骤c中的氧化物的去除是通过铂族金属催化剂进行的。
9.根据权利要求7或8所述的硼去除方法，其中，
在所述步骤c中，去除氧化物使得过氧化氢浓度小于1ppb。
10.一种纯水制造方法，包括：
步骤a，将被处理水供给到低压型反渗透膜装置进行处理；
步骤b，将来自所述低压型反渗透膜装置的透过水供给到pH调整装置来调整pH；
步骤c，将由所述pH调整装置调整pH后的调整水供给到高压型反渗透膜装置进行处理；
步骤d，将来自所述高压型反渗透膜装置的透过水供给到第一电再生式去离子装置进行处理；
步骤e，将来自所述第一电再生式去离子装置的处理水供给到紫外线氧化装置进行处理；
步骤f，将来自所述紫外线氧化装置的处理水供给到氧化物去除装置来去除氧化物；
步骤g，将来自所述氧化物去除装置的处理水供给到第二电再生式去离子装置进行处理；以及
步骤h，将来自所述第二电再生式去离子装置的处理水供给到整块式纯水器进行处理。
11.根据权利要求10所述的纯水制造方法，其中，
在所述步骤b中，所述透过水的pH被调整为5.0～9.0。
12.根据权利要求10或11所述的纯水制造方法，其中，
在所述步骤f中，用于氧化物的去除的催化剂为铂族金属催化剂。
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