CN115521586B - 高力学强度聚合物薄膜、其制造方法和应用 - Google Patents
高力学强度聚合物薄膜、其制造方法和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115521586B CN115521586B CN202211143286.XA CN202211143286A CN115521586B CN 115521586 B CN115521586 B CN 115521586B CN 202211143286 A CN202211143286 A CN 202211143286A CN 115521586 B CN115521586 B CN 115521586B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- polyester
- polymer film
- treatment
- molecular weight
- longitudinal stretching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 title claims abstract description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims abstract description 82
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 claims abstract description 16
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 41
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 39
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 39
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 30
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 17
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 17
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 16
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 14
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- UOBYKYZJUGYBDK-UHFFFAOYSA-N 2-naphthoic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 UOBYKYZJUGYBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 11
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 10
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims description 10
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 10
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 10
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 9
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 9
- 239000002667 nucleating agent Substances 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- HQKMJHAJHXVSDF-UHFFFAOYSA-L magnesium stearate Chemical compound [Mg+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O HQKMJHAJHXVSDF-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 8
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 8
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 7
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004629 polybutylene adipate terephthalate Substances 0.000 claims description 7
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 6
- 239000012748 slip agent Substances 0.000 claims description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 claims description 5
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 5
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 claims description 5
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 5
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical class C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000223 polyglycerol Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 4
- NXDJCCBHUGWQPG-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol;terephthalic acid Chemical compound OCC1CCC(CO)CC1.OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 NXDJCCBHUGWQPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 claims description 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000019359 magnesium stearate Nutrition 0.000 claims description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001610 polycaprolactone Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004632 polycaprolactone Substances 0.000 claims description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 4
- WXMKPNITSTVMEF-UHFFFAOYSA-M sodium benzoate Chemical compound [Na+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 WXMKPNITSTVMEF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 239000004299 sodium benzoate Substances 0.000 claims description 4
- 235000010234 sodium benzoate Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XZZNDPSIHUTMOC-UHFFFAOYSA-N triphenyl phosphate Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(OC=1C=CC=CC=1)(=O)OC1=CC=CC=C1 XZZNDPSIHUTMOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005909 Kieselgur Substances 0.000 claims description 3
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000006230 acetylene black Substances 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002134 carbon nanofiber Substances 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003273 ketjen black Substances 0.000 claims description 3
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 3
- 239000000454 talc Substances 0.000 claims description 3
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 29
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 15
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 14
- GJDRKHHGPHLVNI-UHFFFAOYSA-N 2,6-ditert-butyl-4-(diethoxyphosphorylmethyl)phenol Chemical compound CCOP(=O)(OCC)CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 GJDRKHHGPHLVNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 5
- IAQRGUVFOMOMEM-ONEGZZNKSA-N trans-but-2-ene Chemical compound C\C=C\C IAQRGUVFOMOMEM-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 235000010216 calcium carbonate Nutrition 0.000 description 3
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 description 3
- 238000009998 heat setting Methods 0.000 description 3
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 3
- 229920002215 polytrimethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 description 3
- 235000010215 titanium dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 102100024452 DNA-directed RNA polymerase III subunit RPC1 Human genes 0.000 description 2
- 101000689002 Homo sapiens DNA-directed RNA polymerase III subunit RPC1 Proteins 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- FPAFDBFIGPHWGO-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxomagnesium;hydrate Chemical compound O.[Mg]=O.[Mg]=O.[Mg]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O FPAFDBFIGPHWGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 235000012222 talc Nutrition 0.000 description 2
- JQYSLXZRCMVWSR-UHFFFAOYSA-N 1,6-dioxacyclododecane-7,12-dione;terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1.O=C1CCCCC(=O)OCCCCO1 JQYSLXZRCMVWSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTYYBJNSLLBAGE-UHFFFAOYSA-N CN1C(CCC1)=O.[N] Chemical compound CN1C(CCC1)=O.[N] OTYYBJNSLLBAGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 229920000891 common polymer Polymers 0.000 description 1
- CHTHALBTIRVDBM-UHFFFAOYSA-N dehydromucic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)O1 CHTHALBTIRVDBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVYZJEPLMYTTGH-UHFFFAOYSA-H dialuminum chloride pentahydroxide dihydrate Chemical compound [Cl-].[Al+3].[OH-].[OH-].[Al+3].[OH-].[OH-].[OH-].O.O LVYZJEPLMYTTGH-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- QHGJSLXSVXVKHZ-UHFFFAOYSA-N dilithium;dioxido(dioxo)manganese Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Mn]([O-])(=O)=O QHGJSLXSVXVKHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000009421 internal insulation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- GELKBWJHTRAYNV-UHFFFAOYSA-K lithium iron phosphate Chemical compound [Li+].[Fe+2].[O-]P([O-])([O-])=O GELKBWJHTRAYNV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 239000011255 nonaqueous electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000002153 silicon-carbon composite material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/04—Coating
- C08J7/06—Coating with compositions not containing macromolecular substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
- C23C14/205—Metallic material, boron or silicon on organic substrates by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
- H01M10/052—Li-accumulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/64—Carriers or collectors
- H01M4/66—Selection of materials
- H01M4/665—Composites
- H01M4/667—Composites in the form of layers, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/64—Carriers or collectors
- H01M4/66—Selection of materials
- H01M4/668—Composites of electroconductive material and synthetic resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2367/00—Characterised by the use of polyesters obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain; Derivatives of such polymers
- C08J2367/02—Polyesters derived from dicarboxylic acids and dihydroxy compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K13/00—Use of mixtures of ingredients not covered by one single of the preceding main groups, each of these compounds being essential
- C08K13/02—Organic and inorganic ingredients
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
- C08K2003/2227—Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
- C08K2003/2237—Oxides; Hydroxides of metals of titanium
- C08K2003/2241—Titanium dioxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/34—Silicon-containing compounds
- C08K3/36—Silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/49—Phosphorus-containing compounds
- C08K5/51—Phosphorus bound to oxygen
- C08K5/52—Phosphorus bound to oxygen only
- C08K5/521—Esters of phosphoric acids, e.g. of H3PO4
- C08K5/523—Esters of phosphoric acids, e.g. of H3PO4 with hydroxyaryl compounds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
本申请涉及一种高力学强度聚合物薄膜、其制造方法和应用,该高力学强度聚合物薄膜包括质量百分比为95%~99%的聚酯和1%~5%的助剂,聚酯的数均分子量为13000Da~20000Da,且分子量小于5000Da的聚酯的分子数量占聚酯的分子数量总量的0.5%~5%,聚酯的分子量分布指数为1.6~2.4。本申请通过控制聚合物薄膜原料的数均分子量、其比例和分子量分布指数能够提高聚合物薄膜MD方向的力学强度,降低破膜率,进而以该聚合物薄膜为支撑膜能够制造出高力学强度的复合集流体,促进复合集流体在电池中的应用。
Description
技术领域
本发明涉及聚合物薄膜制造技术领域,特别是涉及一种高力学强度聚合物薄膜、其制造方法和应用。
背景技术
采用物理气相沉积(PVD)的方法在高分子聚合物薄膜上沉积金属材料可以制得复合集流体,高分子聚合物薄膜例如可以采用聚丙烯薄膜、聚乙烯薄膜或聚酯薄膜等。与传统的集流体相比,复合集流体质量轻、成本低以及内部绝缘性好,因此,将复合集流体应用于电池中,电池的能量密度和安全性会得到很大提升,尤其是在手机、笔记本电脑、无人机、电动汽车等消费电池或动力电池方面。
复合集流体常用的聚合物基膜为聚酯薄膜,传统的聚酯薄膜多为包装用聚酯薄膜,当包装用聚酯薄膜用于复合集流体时,存在力学性能差的问题,尤其是纵向MD的力学性能较差,主要表现在MD方向弹性模量及拉伸强度相对较低(弹性模量一般低于5000MPa,拉伸强度一般小于250MPa)。将该聚酯薄膜在PVD系统环境中沉积金属材料时,由于PVD系统环境中卷绕系统张力大,金属原子的轰击以及聚酯薄膜膜面温度的升高,聚酯薄膜易发生断膜。此外,电池涉及到的涂布及产品复合成型等工艺对复合集流体的基膜也提出了较高的要求。
发明内容
基于此,有必要提供一种高力学强度聚合物薄膜、其制造方法和应用,以提高聚酯薄膜MD方向的力学强度,进而提高复合集流体的力学强度,促进复合集流体在锂二次电池中的应用。
本申请是这样实现的:
第一方面,本申请提供一种高力学强度聚合物薄膜,所述聚合物薄膜包括质量百分比为95%~99%的聚酯和1%~5%的助剂,所述聚酯的数均分子量为13000Da~20000Da,且分子量小于5000Da的所述聚酯的分子数量占所述聚酯的分子数量总量的0.5%~5%,所述聚酯的分子量分布指数为1.6~2.4。
在其中一些实施例中,所述聚合物薄膜的制造方法包括以下步骤:依次进行的第一纵向拉伸处理、横向拉伸处理和第二纵向拉伸处理;
可选地,所述第一纵向拉伸的工艺条件包括:第一纵向拉伸倍率(3.0~4.0):1,第一纵向拉伸温度80℃~120℃;
可选地,所述横向拉伸的工艺条件包括:横向拉伸倍率(3.0~4.0):1,横向拉伸温度90℃~140℃;
可选地,所述第二纵向拉伸的工艺条件包括:第二纵向拉伸倍率(1.1~1.3):1,第二纵向拉伸温度80℃~120℃。
在其中一些实施例中,所述聚酯包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸1,4-环己烷二甲醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯-1,4-环己烷二甲醇酯、聚2,6-萘二甲酸丙二醇酯、聚对苯二甲酸丙二醇酯、聚2,6-萘二甲酸丁二酯、聚2,5-呋喃二甲酸丁二醇酯、聚己二酸对苯二甲酸丁二醇酯以及它们的衍生物中的一种或多种。
在其中一些实施例中,所述助剂包括爽滑剂、抗氧化剂、抗静电剂和成核剂中的一种或多种;
可选地,所述爽滑剂包括碳酸钙、滑石粉、硅藻土、丙烯酸酯、硅氧烷、二氧化钛、高岭土和二氧化硅中的一种或多种;
可选地,所述抗氧化剂包括膦酸酯和亚磷酸双酚A中的一种或多种;
可选地,所述抗静电剂包括导电纤维、聚乙二醇、丙三醇、聚醚酯、聚甘油、石墨和炭黑中的一种或多种;
可选地,所述成核剂包括碳酸钠、二苯甲酮、氧化锌、氧化铜、硬酯酸镁、磷酸三苯酯、氧化铝、氧化镁、硫酸钡、聚己内酯和苯甲酸钠中的一种或多种。
第二方面,本申请提供一种上述高力学强度聚合物薄膜的制造方法,包括如下步骤:
将95%~99%聚酯和1%~5%助剂制成聚酯切片;
对聚酯切片依次进行结晶处理、干燥处理、熔融挤出处理、铸片处理、第一纵向拉伸处理、横向拉伸处理和第二纵向拉伸处理,制成聚合物薄膜。
在其中一些实施例中,所述结晶处理的工艺条件包括:结晶温度135℃~185℃,结晶时间20min~120min。
在其中一些实施例中,所述干燥处理的工艺条件包括:干燥温度135℃~175℃,干燥时间120min~300min。
在其中一些实施例中,所述熔融挤出处理的温度为270℃~290℃。
在其中一些实施例中,所述铸片处理包括以下步骤:将所述熔融挤出处理的物料进行流延处理,之后进行冷却处理。
第三方面,本申请提供一种复合薄膜,包括支撑膜和金属富集层,所述支撑膜的至少一个表面附着有所述金属富集层,所述支撑膜包括上述聚合物薄膜或上述制造方法制得的聚合物薄膜。
在其中一些实施例中,所述金属富集层的材料包括钛、银、铜、铝、镍、铜合金、铝合金和镍合金中的一种或多种。
在其中一些实施例中,所述金属富集层的厚度为500nm~2000nm。
在其中一些实施例中,所述支撑膜的厚度为1μm~20μm。
第四方面,本申请提供一种复合集流体,包括上述复合薄膜。
在其中一些实施例中,所述金属富集层的表面还附着有防护层;
可选地,所述防护层的厚度为10nm~150nm;
可选地,所述防护层的材料包括石墨、镍、铬、炭黑、氧化铜、乙炔黑、氧化铝、氧化镍、科琴黑、氧化铬、氧化钴、镍基合金、铜基合金、碳纳米量子点、碳纳米管、碳纳米纤维和石墨烯中的一种或多种。
第五方面,本申请提供一种电极片,包括复合集流体,以及附着在所述复合集流体至少一个表面的活性物质层。
第六方面,本申请提供一种锂二次电池,包括上述电极片。
第七方面,本申请提供一种电子装置,包括上述电池。
本申请通过控制上述聚合物薄膜中聚酯的数均分子量、一定分子量所占聚酯的分子数量的比例和分子量分布指数能够提高聚合物薄膜MD方向的力学强度,降低破膜率,进而将该聚合物薄膜作为支撑膜能够制造出高力学强度的复合集流体,促进复合集流体在锂二次电池中的应用。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将对本发明进行更全面的描述。具体实施例中给出了本发明的较佳实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本申请一实施方式提供一种高力学强度聚合物薄膜,聚合物薄膜包括质量百分比为95%~99%的聚酯和1%~5%的助剂,聚酯的数均分子量为13000Da~20000Da,且分子量小于5000Da的聚酯的分子数量占聚酯的分子数量总量的0.5%~5%,聚酯的分子量分布指数为1.6~2.4。
需要说明的是,本申请中的分子量分布指数是指重均分子量与数均分子量的比值。上述聚合物薄膜中聚酯的数均分子量过低,则制造的聚合物薄膜力学性能较差;聚酯的数均分子量过高,则聚酯成膜性较差,导致制膜过程中聚合物薄膜的破膜率提高,良品率降低;分子量小于5000Da的聚酯的分子数量占聚酯的分子数量总量的0.5%~5%,也即聚酯中分子量小于5000Da的聚酯分子的数量百分含量为0.5%~5%;分子量小于5000Da的聚酯的分子数量含量过低,则会导致聚酯成膜性较差,良品率降低;分子量小于5000Da的聚酯的分子数量含量过高,则制造的聚合物薄膜的力学性能较差;聚酯分子量分布指数过小,聚酯成膜性较差,良品率降低;聚酯分子量分布指数过大,制造的聚合物薄膜的力学性能较差。因此,上述聚合物薄膜通过控制原料的数均分子量、一定分子量所占聚酯的分子数量的比例和分子量分布指数能够提高聚合物薄膜MD方向的力学强度,降低破膜率。需要说明的是,本文中“聚合物薄膜MD方向”指的是聚合物薄膜的机械方向、长度方向或者纵向。
可理解,按照质量百分比计,聚合物薄膜例如可以包括95%聚酯和5%助剂,或者可以包括96%聚酯和4%助剂,或者可以包括97%聚酯和3%助剂,或者可以包括98%聚酯和2%助剂,或者可以包括99%聚酯和1%助剂;聚酯的数均分子量例如可以是13000Da、13500Da、14000Da、14500Da、15000Da、15500Da、16000Da、16500Da、17000Da、17500Da、18000Da、18500Da、19000Da、19500Da或20000Da等;分子量小于5000Da的聚酯的分子数量例如可以占聚酯的分子数量总量的0.5%、1%、1.5%、2.0%、2.5%、3%、3.5%、4%、4.5%或5%等;聚酯的分子量分布指数例如可以是1.6、1.7、1.8、1.9、2.0、2.1、2.2、2.3或2.4等,聚酯的分子量分布指数也可以是1.6~2.4之间的其他值。
在其中一些实施例中,聚合物薄膜的制造方法包括以下步骤:依次进行的第一纵向拉伸处理、横向拉伸处理和第二纵向拉伸处理。
在其中一些实施例中,第一纵向拉伸的工艺条件包括:第一纵向拉伸倍率(3.0~4.0):1,第一纵向拉伸温度80℃~120℃。
在其中一些实施例中,横向拉伸的工艺条件包括:横向拉伸倍率(3.0~4.0):1,横向拉伸温度90℃~140℃。
在其中一些实施例中,第二纵向拉伸的工艺条件包括:第二纵向拉伸倍率(1.1~1.3):1,第二纵向拉伸温度80℃~120℃。
可理解,第一纵向拉伸倍率包括但不限于可以是3.0:1、3.1:1、3.2:1、3.3:1、3.4:1、3.5:1、3.6:1、3.7:1、3.8:1、3.9:1或4.0:1等;第一纵向拉伸温度包括但不限于可以是80℃、82℃、85℃、87℃、89℃、90℃、92℃、95℃、98℃、99℃、100℃、102℃、105℃、110℃、115℃或120℃等;横向拉伸倍率可以是3.0:1、3.1:1、3.2:1、3.3:1、3.4:1、3.5:1、3.6:1、3.7:1、3.8:1、3.9:1或4.0:1等;横向拉伸温度可以是90℃、92℃、94℃、96℃、98℃、100℃、102℃、105℃、110℃、112℃、115℃、118℃、120℃、122℃、125℃、128℃、130℃、132℃、135℃、138℃或140℃等。第二纵向拉伸倍率包括但不限于可以是1.1:1、1.12:1、1.14:1、1.16:1、1.18:1、1.2:1、1.22:1、1.24:1、1.26:1、1.28:1或1.3:1等;第二纵向拉伸温度包括但不限于可以是80℃、82℃、85℃、87℃、89℃、90℃、92℃、95℃、98℃、99℃、100℃、102℃、105℃、110℃、115℃或120℃等。
在其中一些实施例中,聚酯包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚对苯二甲酸1,4-环己烷二甲醇酯(PCT)、聚对苯二甲酸乙二醇酯-1,4-环己烷二甲醇酯(PETG)、聚2,6-萘二甲酸丙二醇酯(PTN)、聚对苯二甲酸丙二醇酯(PTT)、聚2,6-萘二甲酸丁二酯(PBN)、聚2,5-呋喃二甲酸丁二醇酯、聚己二酸对苯二甲酸丁二醇酯(PBAT)以及它们的衍生物中的一种或多种。
可理解,聚酯例如可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚对苯二甲酸1,4-环己烷二甲醇酯(PCT)、聚对苯二甲酸乙二醇酯-1,4-环己烷二甲醇酯(PETG)、聚2,6-萘二甲酸丙二醇酯(PTN)、聚对苯二甲酸丙二醇酯(PTT)、聚2,6-萘二甲酸丁二酯(PBN)、聚2,5-呋喃二甲酸丁二醇酯、聚己二酸对苯二甲酸丁二醇酯(PBAT)以及它们的衍生物中的任意一种,也可以是上述材料中的多种按照任意比例形成的混合物。
在其中一些实施例中,助剂包括爽滑剂、抗氧化剂、抗静电剂和成核剂中的一种或多种。
可理解,助剂例如可以包括爽滑剂、抗氧化剂、抗静电剂和成核剂中的任意一种,也可以包括爽滑剂、抗氧化剂、抗静电剂和成核剂中的多种按照任意比例形成的混合物。
在其中一些实施例中,爽滑剂包括二氧化钛、二氧化硅、碳酸钙、滑石粉、高岭土、硅藻土、硅氧烷和丙烯酸酯中的一种或多种。
可理解,爽滑剂可以是二氧化钛、二氧化硅、碳酸钙、滑石粉、高岭土、硅藻土、硅氧烷和丙烯酸酯中的任意一种,爽滑剂也可以是二氧化钛、二氧化硅、碳酸钙、滑石粉、高岭土、硅藻土、硅氧烷和丙烯酸酯中的多种按照任意比例形成的混合物。
在其中一些实施例中,抗氧化剂包括膦酸酯和亚磷酸双酚A中的一种或多种。
可理解,抗氧化剂例如可以包括膦酸酯或亚磷酸双酚A,或者可以同时包括膦酸酯和亚磷酸双酚A;膦酸酯例如可以是抗氧化剂1222、抗氧化剂300等。
在其中一些实施例中,抗静电剂包括丙三醇、聚甘油、聚乙二醇、聚醚酯、炭黑、石墨和导电纤维中的一种或多种。
可理解,抗静电剂可以是丙三醇、聚甘油、聚乙二醇、聚醚酯、炭黑、石墨和导电纤维中任意一种,抗静电剂也可以是丙三醇、聚甘油、聚乙二醇、聚醚酯、炭黑、石墨和导电纤维中多种按照任意比例形成的混合物。
在其中一些实施例中,成核剂包括氧化锌、氧化铝、氧化镁、氧化铜、硫酸钡、碳酸钠、磷酸三苯酯、二苯甲酮、聚己内酯、硬酯酸镁和苯甲酸钠中的一种或多种。
可理解,成核剂可以包括氧化锌、氧化铝、氧化镁、氧化铜、硫酸钡、碳酸钠、磷酸三苯酯、二苯甲酮、聚己内酯、硬酯酸镁和苯甲酸钠中的任意一种,或者包括上述材料中的多种按照任意比例混合得到的混合物。
在其中一些实施例中,助剂的形状包括颗粒状,颗粒状助剂的平均粒径为0.01μm~1.0μm,且颗粒状助剂的平均粒径D与聚合物薄膜的厚度T满足如下条件:T≥0.3D。
进一步地,颗粒状助剂的平均粒径优选为0.02μm~0.5μm。
可理解,助剂包括颗粒状助剂,颗粒状助剂能够提高聚合物薄膜MD方向的力学性能,颗粒状助剂的平均粒径例如可以是0.01μm、0.02μm、0.03μm、0.04μm、0.05μm、0.06μm、0.07μm、0.08μm、0.09μm、0.1μm、0.15μm、0.2μm、0.25μm、0.3μm、0.35μm、0.4μm、0.45μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm或1.0μm;颗粒状助剂的平均粒径D与聚合物薄膜的厚度T例如可以满足如下条件:T=0.3D、T=0.32D、T=0.34D、T=0.35D、T=0.37D、T=0.39D、T=0.4D、T=0.42D、T=0.44D、T=0.46D、T=0.48D或T=0.5Q等,当颗粒状助剂的平均粒径太小时,所起作用不明显;当颗粒状助剂的平均粒径太大时,制膜过程中易形成缺陷;设置的T≥3D是为了防止聚合物薄膜的厚度与颗粒状助剂不匹配所带来的膜缺陷。
本申请另一实施方式提供一种上述高力学强度聚合物薄膜的制造方法,包括如下步骤:
将95%~99%聚酯和1%~5%助剂制成聚酯切片;
对聚酯切片依次进行结晶处理、干燥处理、熔融挤出处理、铸片处理、第一纵向拉伸处理、横向拉伸处理和第二纵向拉伸处理,制成聚合物薄膜。
可理解,按照质量百分比计,聚合物薄膜例如可以包括95%聚酯和5%助剂,或者可以包括95.5%聚酯和4.5%助剂,或者可以包括96.5%聚酯和3.5%助剂,或者可以包括97.5%聚酯和2.5%助剂,或者可以包括98.5%聚酯和1.5%助剂,或者可以包括99%聚酯和1%助剂;上述第一纵向拉伸处理、横向拉伸处理和第二纵向拉伸处理过程中能够提高聚合物薄膜的力学性能。
在其中一些实施例中,结晶处理的工艺条件包括:结晶温度135℃~185℃,结晶时间20min~120min。
可理解,结晶温度可以是135℃~185℃之间的任意值,例如可以是135℃、137℃、140℃、142℃、145℃、150℃、153℃、155℃、160℃、165℃、175℃或185℃等;结晶时间可以是20min、25min、30min、35min、38min、40min、42min、45min、49min、53min、57min、60min、65min、70min、72min、77min、80min、82min、86min、90min、100min、105min、110min、111min、113min、117min或120min等。
在其中一些实施例中,干燥处理的工艺条件包括:干燥温度135℃~175℃,干燥时间120min~300min。
可理解,干燥温度可以是135℃~175℃之间的任意值,例如可以是135℃、137℃、140℃、142℃、145℃、150℃、153℃、155℃、160℃、164℃、166℃、168℃、170℃、172℃、174℃或175℃等;干燥时间可以是120min、125min、130min、135min、138min、140min、142min、145min、149min、153min、160min、170min、175min、180min、190min、200min、220min、240min、280min、285min、292min、295min或300min等。
在其中一些实施例中,熔融挤出的温度为270℃~290℃。
可理解,熔融挤出的温度可以是270℃、272℃、274℃、275℃、277℃、280℃、282℃、285℃、286℃或290℃,熔融挤出的温度还可以是270℃~290℃之间的其他值。
在其中一些实施例中,铸片处理包括以下步骤:将熔融挤出处理的物料进行流延处理,之后进行冷却处理。
本申请的再一实施方式提供一种复合薄膜,包括支撑膜和金属富集层,支撑膜的至少一个表面附着有金属富集层,支撑膜包括上述聚合物薄膜或上述制造方法制得的聚合物薄膜。
在其中一些实施例中,金属富集层的材料包括钛、银、铜、铝、镍、铜合金、铝合金和镍合金中的一种或多种。
需要说明的是,可理解,金属富集层可以位于聚合物薄膜的一个表面上,也可以位于支撑膜的两个表面上,金属富集层的材料可以是一致的,金属富集层的材料例如可以是钛、银、铜、铝、镍、铜合金、铝合金和镍合金中的任意一种,金属富集层例如也可以由钛、银、铜、铝、镍、铜合金、铝合金和镍合金中的多种形成。
在其中一些实施例中,金属富集层的厚度为500nm~2000nm。
需要说明的是,金属富集层可以通过物理气相沉积法、电镀法和化学镀法中的一种或多种制成,金属富集层的厚度例如可以是500nm、510nm、515nm、520nm、525nm、530nm、535nm、540nm、545nm、550nm、560nm、570nm、580nm、590nm、600μm、610μm、630μm、650μm、670μm、700μm、770μm、860μm、950μm、1020μm、1110μm、1200μm、1250μm、1340μm、1410μm、1540μm、1670μm、1750μm、1870μm、1920μm或2000μm等。
在其中一些实施例中,支撑膜的厚度为1μm~20μm。
需要说明的是,考虑到复合集流体在电池中的应用要求,同时兼顾制造工艺的难度和成本的高低,优选支撑膜的厚度为1μm~20μm,支撑膜的厚度包括但不限于可以是1μm、1.5μm、2μm、2.5μm、3μm、3.5μm、4μm、4.2μm、5μm、5.7μm、6μm、6.8μm、7μm、8μm、8.5μm、9μm、9.2μm、9.8μm、10μm、11μm、11.4μm、12μm、12.7μm、13μm、14μm、15μm、18μm或20μm。
本申请的又一实施方式提供一种复合集流体,包括上述复合薄膜。
在其中一些实施例中,金属富集层的表面还附着有防护层。
需要说明的是,上述复合集流体表面附着的防护层用于防止金属富集层表面发生物理损坏或者被化学腐蚀。
在其中一些实施例中,防护层的厚度为10nm~150nm。
可理解,防护层的厚度包括但不限于可以是10nm、12nm、15nm、18nm、20nm、25nm、30nm、32nm、43nm、45nm、52nm、56nm、63nm、77nm、89nm、92nm、95nm、98nm、100nm、105nm、110nm、115nm、118nm、120nm、125nm、128nm、130nm、135nm、137nm、140nm、143nm、146nm或150nm。
在其中一些实施例中,防护层的材料包括石墨、镍、铬、炭黑、氧化铜、乙炔黑、氧化铝、氧化镍、科琴黑、氧化铬、氧化钴、镍基合金、铜基合金、碳纳米量子点、碳纳米管、碳纳米纤维和石墨烯中的一种或多种。
本申请的又一实施方式提供一种电极片,包括复合集流体,以及附着在复合集流体至少一个表面的活性物质层。
需要说明的是,活性物质层包括活性物质、导电剂和粘结剂,活性物质分为正极活性物质和负极活性物质,其中正极活性物质可以是钴酸锂、锰酸锂、磷酸铁锂或三元正极材料等,负极活性物质可以是石墨、硅材料、硅碳复合材料等,导电剂可以是导电炭黑、碳纤维、石墨烯、碳纳米管等,粘结剂可以是PVDF、CMC、SBR等,本申请对活性物质、导电剂和粘结剂没有特别的限制,采用电池领域常用的活性物质、导电剂和粘结剂均在本申请的活性物质层范围内。
本申请的又一实施方式提供一种锂二次电池,包括上述电极片。
可理解,根据活性物质层中活性物质的不同,电极片可以分为正极片和负极片,本申请的电池中可以正极片采用上述电极片,或者负极片采用上述电极片,还可以正极片和负极片均采用上述电极片。本申请对锂二次电池没有特别的限制,采用锂二次电池领域常用的制造方法均在本申请的电池范围内,例如可以将正极片、负极片、非水电解质以及一般的电池必须的构成要素通过叠片或者卷绕的方式与电池壳体组装制造为锂二次电池。
本申请的又一实施方式提供一种电子装置,包括上述电池。
可理解,上述电池可以用于机械、设备、仪器、装置或者其组合的系统的驱动用电源或电源存储装置,作为上述电池的应用例,例如可以是手机、笔记本电脑、智能家电产品、电动汽车等。
作为本申请中的参数测定,可选地,采用以下方法进行测定:
(1)参照国标GB/T 1040.3-2006对聚合物薄膜和复合集流体的力学性能进行测试。
(2)对聚合物薄膜和复合集流体的不良率进行测试,不良率为制造过程中由于破膜导致的不合格品的数量占总产品数量的比例,由于宽度一致,数量以长度计算。
以下结合实施例,对本申请予以进一步地详尽阐述。
实施例1
聚合物薄膜的制造方法如下:
步骤一:聚酯切片由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、抗氧化剂1222、二氧化钛、二氧化硅及氧化铝通过加热熔融混合、挤出和成型切片制得;按照质量百分比计,PET、抗氧化剂1222、二氧化钛、二氧化硅及氧化铝的含量依次为98%、0.5%、0.5%、0.5%、0.5%;PET的数均分子量为13000Da,分子量分布指数为1.6,PET中分子量小于5000Da的PET分子的数量百分含量为0.5%;助剂抗氧化剂1222、二氧化钛、二氧化硅及氧化铝的尺寸均为50nm~100nm;
步骤二:将步骤一制造的PET切片输送到结晶器内,在145℃下结晶处理40min,然后输送到干燥塔内,在155℃下干燥处理160min;
步骤三:将步骤二得到的聚酯切片加入双螺杆挤出机内,加热至280℃将其熔融,借助计量泵通过模头将熔融物料挤出;
步骤四:将步骤三挤出的熔融物料流延到铸片辊上,经铸片辊及水冷的冷却处理成型,铸成59.4μm厚的聚酯片;
步骤五:将步骤四制造的聚酯片在90℃下进行预热,在110℃下以3.0:1的拉伸倍率进行第一纵向拉伸后,在170℃下进行热定型处理,然后在40℃下进行冷却成型处理;
步骤六:将步骤五得到的聚酯片在90℃下预热,在120℃下以3.0:1的拉伸倍率进行横向拉伸后,在170℃下进行热定型处理,然后依次在90℃中冷区、35℃冷却区下进行冷却成型处理;
步骤七:将步骤六得到的聚酯片在90℃下预热,在110℃下以1.1:1的拉伸倍率进行第二纵向拉伸后,在170℃下进行热定型处理,然后在40℃下进行冷却成型处理,得到厚度为6μm的聚合物薄膜;
步骤八:利用牵引系统将步骤七得到的聚合物薄膜引入收卷系统中收卷。
实施例2
与实施例1基本相同,不同的是:PET的数均分子量为16000Da。
实施例3
与实施例1基本相同,不同的是:PET的数均分子量为19000Da。
实施例4
与实施例1基本相同,不同的是:PET的数均分子量为20000Da。
实施例5
与实施例3基本相同,不同的是:PET的分子量分布指数为1.9。
实施例6
与实施例3基本相同,不同的是:PET的分子量分布指数为2.2。
实施例7
与实施例3基本相同,不同的是:PET的分子量分布指数为2.4。
实施例8
与实施例6基本相同,不同的是:PET中分子量小于5000Da的PET分子的数量百分含量为3%。
实施例9
与实施例6基本相同,不同的是:PET中分子量小于5000Da的PET分子的数量百分含量为5%。
实施例10
与实施例8基本相同,不同的是:第一纵向拉伸的拉伸倍率为2.5:1。
实施例11
与实施例8基本相同,不同的是:第一纵向拉伸的拉伸倍率为3.5:1。
实施例12
与实施例8基本相同,不同的是:第一纵向拉伸的拉伸倍率为4.0:1。
实施例13
与实施例8基本相同,不同的是:第一纵向拉伸的拉伸倍率为4.5:1。
实施例14
与实施例12基本相同,不同的是:未进行第二纵向拉伸处理。
实施例15
与实施例12基本相同,不同的是:第二纵向拉伸的拉伸倍率为1.2:1。
实施例16
与实施例12基本相同,不同的是:第二纵向拉伸的拉伸倍率为1.3:1。
实施例17
与实施例12基本相同,不同的是:第二纵向拉伸的拉伸倍率为1.4:1。
实施例18
与实施例1基本相同,不同的是:按照质量百分比计,PET、抗氧化剂1222、二氧化钛、二氧化硅及氧化铝的含量依次为95%、1.5%、0.5%、1.5%、1.5%。
实施例19
与实施例1基本相同,不同的是:按照质量百分比计,PET、抗氧化剂1222、二氧化钛、二氧化硅及氧化铝的含量依次为99%、0.25%、0.25%、0.25%、0.25%。
实施例20
与实施例1基本相同,不同的是:步骤一中,聚酯切片由聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、抗氧化剂1222、二氧化钛、二氧化硅及氧化铝通过加热熔融混合、挤出和成型切片制得。
实施例21
与实施例1基本相同,不同的是:步骤一中,聚酯切片由聚对苯二甲酸乙二醇酯-1,4-环己烷二甲醇酯(PETG)、抗氧化剂1222、二氧化钛、二氧化硅及氧化铝通过加热熔融混合、挤出和成型切片制得。
实施例22
与实施例1基本相同,不同的是:步骤一中,聚酯切片由聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、抗氧化剂1222、二氧化钛、二氧化硅及氧化铝通过加热熔融混合、挤出和成型切片制得。
实施例23
与实施例1基本相同,不同的是:步骤一中,聚酯切片由聚2,6-萘二甲酸丁二酯(PBN)、抗氧化剂1222、二氧化钛、二氧化硅及氧化铝通过加热熔融混合、挤出和成型切片制得。
实施例24
与实施例1基本相同,不同的是:步骤一中,聚酯切片由聚己二酸对苯二甲酸丁二醇酯(PBAT)、抗氧化剂1222、二氧化钛、二氧化硅及氧化铝通过加热熔融混合、挤出和成型切片制得。
对比例1
与实施例1基本相同,不同的是:PET的数均分子量为12000Da。
对比例2
与实施例1基本相同,不同的是:PET的数均分子量为21000Da。
对比例3
与实施例3基本相同,不同的是:PET的分子量分布指数为1.5。
对比例4
与实施例3基本相同,不同的是:PET的分子量分布指数为2.5。
对比例5
与实施例6基本相同,不同的是:PET中分子量小于5000Da的PET分子的数量百分含量为0.4%。
对比例6
与实施例6基本相同,不同的是:PET中分子量小于5000Da的PET分子的数量百分含量为5.1%。
对比例7
与实施例1基本相同,不同的是:按照质量百分比计,PET、抗氧化剂1222、二氧化钛、二氧化硅及氧化铝的含量依次为94%、1.5%、1.5%、1.5%、1.5%。
对比例8
与实施例1基本相同,不同的是:按照质量百分比计,PET、抗氧化剂1222、二氧化钛、二氧化硅及氧化铝的含量依次为100%、0%、0%、0%、0%。
制造复合集流体
以1400℃将纯度大于99.99%的铝丝熔化蒸发后沉积在上述实施例1~24和对比例1~8制造的聚合物薄膜的两个表面,形成厚度为1μm的铝金属富集层,将碳纳米管和氮甲基吡咯烷酮配制成溶液,其固含量为0.1wt%,以90μm的涂覆量将上述溶液均匀涂覆到铝金属富集层的表面,在100℃下进行干燥,得到复合集流体。
实施例1~24和对比例1~8制造的聚合物薄膜和复合集流体的性能数据如表1和表2所示。
表1
表2
由表1和表2分析可得:
实施例1和对比例1~2的不同之处在于PET的数均分子量不同,与对比例1~2相比,实施例1制造的聚合物薄膜能保证不良率较低的同时其MD方向的弹性模量、MD方向的拉伸强度和MD方向的断裂伸长率较高,实施例1制造的聚合物薄膜的弹性模量可达5305MPa;与对比例1相比,实施例1制造的复合集流体能保证降低不良率的同时提高其MD方向的弹性模量和MD方向的拉伸强度,并且实施例1制造的复合集流体MD方向的断裂伸长率与对比例1相差不大;与实施例1相比,虽然对比例2制造的复合集流体的不良率降低,MD方向的弹性模量和MD方向的拉伸强度提高,但是对比例2的断裂伸长率显著降低。说明与对比例1~2相比,实施例1制造的聚合物薄膜和复合集流体能够兼顾不良率和MD方向的断裂伸长率的同时,提高MD方向的弹性模量和MD方向的拉伸强度;
实施例3和对比例3~4的不同之处在于PET的分子量分布指数不同,与对比例3~4相比,实施例3制造的聚合物薄膜有效提高了MD方向的弹性模量、MD方向的拉伸强度和MD方向的断裂伸长率,同时保证不良率较低,实施例3制造的聚合物薄膜MD方向的弹性模量可达5500MPa,MD方向的拉伸强度可达309MPa,MD方向的断裂伸长率可达103%;相比对比例3~4制造的复合集流体,实施例3制造的复合集流体能够保证MD方向的弹性模量和拉伸强度较高的情况下兼顾MD方向的断裂伸长率和不良率,因此,实施例3制造的聚合物薄膜和复合集流体的力学性能更优;
实施例6和对比例5~6的不同之处在于PET中分子量小于5000Da的PET分子的数量百分含量不同,与对比例5~6相比,实施例6制造的聚合物薄膜在不良率较低的情况下,MD方向的弹性模量和MD方向的拉伸强度得到显著提高,且MD方向的断裂伸长率与对比例5相比差别不大;与对比例5~6制造的复合集流体相比,实施例6制造的复合集流体的MD方向的断裂伸长率与实施例5相差不大的情况下,其MD方向的弹性模量和MD方向的拉伸强度明显提高且不良率降低。说明相对于对比例5~6,实施例6具有更优异的力学性能;
与对比例7~8相比,实施例1制造的聚合物薄膜能够降低不良率,同时大幅提高MD方向的弹性模量和MD方向的拉伸强度,并且其MD方向的断裂伸长率与对比例8相差不大;与对比例7~8相比,实施例1制造的复合集流体MD方向的弹性模量和MD方向的拉伸强度不仅得到大幅提升,不良率降低,而且其MD方向的断裂伸长率与对比例7~8相差不大。由此可以说明,本申请的聚合物薄膜中的助剂能够提高聚合物薄膜和复合集流体的MD方向的力学性能。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (18)
1.一种高力学强度聚合物薄膜,其特征在于,所述聚合物薄膜包括质量百分比为95%~99%的聚酯和1%~5%的助剂,所述聚酯的数均分子量为13000Da~20000Da,且分子量小于5000Da的所述聚酯的分子数量占所述聚酯的分子数量总量的0.5%~5%,所述聚酯的分子量分布指数为1.6~2.4;
所述聚酯包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸1,4-环己烷二甲醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯-1,4-环己烷二甲醇酯、聚2,6-萘二甲酸丙二醇酯、聚对苯二甲酸丙二醇酯、聚2,6-萘二甲酸丁二酯、聚2,5-呋喃二甲酸丁二醇酯、聚己二酸对苯二甲酸丁二醇酯以及它们的衍生物中的一种或多种;
所述聚合物薄膜的制造方法包括以下步骤:依次进行的第一纵向拉伸处理、横向拉伸处理和第二纵向拉伸处理;
所述第一纵向拉伸的工艺条件包括:第一纵向拉伸倍率(3.0~4.0):1,第一纵向拉伸温度80℃~120℃;
所述横向拉伸的工艺条件包括:横向拉伸倍率(3.0~4.0):1,横向拉伸温度90℃~140℃;
所述第二纵向拉伸的工艺条件包括:第二纵向拉伸倍率(1.1~1.3):1,第二纵向拉伸温度80℃~120℃。
2.根据权利要求1所述的聚合物薄膜,其特征在于,所述聚合物薄膜包括质量百分比为98%~99%的聚酯和1%~2%的助剂。
3.根据权利要求1~2任一项所述的聚合物薄膜,其特征在于,所述助剂包括爽滑剂、抗氧化剂、抗静电剂和成核剂中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的聚合物薄膜,其特征在于,所述爽滑剂包括碳酸钙、滑石粉、硅藻土、丙烯酸酯、硅氧烷、二氧化钛、高岭土和二氧化硅中的一种或多种。
5.根据权利要求3所述的聚合物薄膜,其特征在于,所述抗氧化剂包括膦酸酯和亚磷酸双酚A中的一种或多种。
6.根据权利要求3所述的聚合物薄膜,其特征在于,所述抗静电剂包括导电纤维、聚乙二醇、丙三醇、聚醚酯、聚甘油、石墨和炭黑中的一种或多种。
7.根据权利要求3所述的聚合物薄膜,其特征在于,所述成核剂包括碳酸钠、二苯甲酮、氧化锌、氧化铜、硬酯酸镁、磷酸三苯酯、氧化铝、氧化镁、硫酸钡、聚己内酯和苯甲酸钠中的一种或多种。
8.一种如权利要求1~7任一项所述的聚合物薄膜的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
将95%~99%聚酯和1%~5%助剂制成聚酯切片;
对聚酯切片依次进行结晶处理、干燥处理、熔融挤出处理、铸片处理、第一纵向拉伸处理、横向拉伸处理和第二纵向拉伸处理,制成聚合物薄膜;
所述第一纵向拉伸的工艺条件包括:第一纵向拉伸倍率(3.0~4.0):1,第一纵向拉伸温度80℃~120℃;
所述横向拉伸的工艺条件包括:横向拉伸倍率(3.0~4.0):1,横向拉伸温度90℃~140℃;
所述第二纵向拉伸的工艺条件包括:第二纵向拉伸倍率(1.1~1.3):1,第二纵向拉伸温度80℃~120℃。
9.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,包括以下特征(1)~(4)中的至少一种:
(1)所述结晶处理的工艺条件包括:结晶温度135℃~185℃,结晶时间20min~120min;
(2)所述干燥处理的工艺条件包括:干燥温度135℃~175℃,干燥时间120min~300min;
(3)所述熔融挤出处理的温度为270℃~290℃;
(4)所述铸片处理包括以下步骤:将所述熔融挤出处理的物料进行流延处理,之后进行冷却处理。
10.一种复合薄膜,其特征在于,包括支撑膜和金属富集层,所述支撑膜的至少一个表面附着有所述金属富集层,所述支撑膜包括权利要求1~7任一项所述的聚合物薄膜或权利要求8~9任一项所述的制造方法制得的聚合物薄膜。
11.根据权利要求10所述的复合薄膜,其特征在于,包括以下特征(1)~(3)中的至少一种:
(1)所述金属富集层的材料包括钛、银、铜、铝、镍、铜合金、铝合金和镍合金中的一种或多种;
(2)所述金属富集层的厚度为500nm~2000nm;
(3)所述支撑膜的厚度为1μm~20μm。
12.一种复合集流体,其特征在于,包括权利要求10~11任一项所述的复合薄膜。
13.根据权利要求12所述的复合集流体,其特征在于,所述金属富集层的表面还附着有防护层。
14.根据权利要求13所述的复合集流体,其特征在于,所述防护层的厚度为10nm~150nm。
15.根据权利要求13所述的复合集流体,其特征在于,所述防护层的材料包括石墨、镍、铬、炭黑、氧化铜、乙炔黑、氧化铝、氧化镍、科琴黑、氧化铬、氧化钴、镍基合金、铜基合金、碳纳米量子点、碳纳米管、碳纳米纤维和石墨烯中的一种或多种。
16.一种电极片,其特征在于,包括权利要求12~15任一项所述的复合集流体,以及附着在所述复合集流体至少一个表面的活性物质层。
17.一种锂二次电池,其特征在于,包括权利要求16所述的电极片。
18.一种电子装置,其特征在于,包括权利要求17所述的电池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211143286.XA CN115521586B (zh) | 2022-09-20 | 2022-09-20 | 高力学强度聚合物薄膜、其制造方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211143286.XA CN115521586B (zh) | 2022-09-20 | 2022-09-20 | 高力学强度聚合物薄膜、其制造方法和应用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115521586A CN115521586A (zh) | 2022-12-27 |
CN115521586B true CN115521586B (zh) | 2023-11-14 |
Family
ID=84696884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211143286.XA Active CN115521586B (zh) | 2022-09-20 | 2022-09-20 | 高力学强度聚合物薄膜、其制造方法和应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115521586B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117946500A (zh) * | 2024-03-27 | 2024-04-30 | 扬州博恒新能源材料科技有限公司 | 一种导电复合集流体基膜及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008088390A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Efutekkusu Kk | ポリエチレンテレフタレート系樹脂のインフレーション法フィルムの製造方法 |
CN103748168A (zh) * | 2011-08-25 | 2014-04-23 | 富士胶片株式会社 | 聚酯膜及其制造方法、太阳能电池用背板、以及太阳能电池模块 |
CN106142794A (zh) * | 2016-06-29 | 2016-11-23 | 安徽国风塑业股份有限公司 | 一种电子胶带用双向拉伸聚酯薄膜的制备方法及其薄膜 |
CN113278268A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-08-20 | 江南大学 | 一种强韧性聚酯复合材料及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190001551A (ko) * | 2017-06-26 | 2019-01-04 | 에스케이케미칼 주식회사 | 폴리에스테르 필름 및 이의 제조 방법 |
-
2022
- 2022-09-20 CN CN202211143286.XA patent/CN115521586B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008088390A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Efutekkusu Kk | ポリエチレンテレフタレート系樹脂のインフレーション法フィルムの製造方法 |
CN103748168A (zh) * | 2011-08-25 | 2014-04-23 | 富士胶片株式会社 | 聚酯膜及其制造方法、太阳能电池用背板、以及太阳能电池模块 |
CN106142794A (zh) * | 2016-06-29 | 2016-11-23 | 安徽国风塑业股份有限公司 | 一种电子胶带用双向拉伸聚酯薄膜的制备方法及其薄膜 |
CN113278268A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-08-20 | 江南大学 | 一种强韧性聚酯复合材料及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115521586A (zh) | 2022-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN113524830B (zh) | 一种锂电池集流体用高拉伸强度聚酯薄膜及其制备方法 | |
CN115447248B (zh) | 复合聚合物膜、其制造方法、金属化复合聚合物膜与应用 | |
CN115521586B (zh) | 高力学强度聚合物薄膜、其制造方法和应用 | |
CN114497568B (zh) | 一种热收缩复合集流体及其应用 | |
JP2010180341A (ja) | 樹脂組成物、シート、および多孔質フィルム | |
WO2024036938A1 (zh) | 耐热及拉伸强度增强型聚酯膜及其制备方法、复合集流体 | |
WO2021164143A1 (zh) | 一种聚烯烃多孔膜及其制备方法 | |
CN115583088A (zh) | 复合聚酯膜及其制备方法和应用 | |
CN115850863A (zh) | 聚丙烯膜及其制备方法、复合集流体和应用 | |
CN115320206B (zh) | 复合聚酯膜及其制备方法与用途 | |
CN114132030B (zh) | 一种载带用片材及其制备方法和应用 | |
CN111081944A (zh) | 多层微孔复合聚烯烃膜及制备方法、锂离子电池和fe赛车 | |
CN115719811A (zh) | 一种在线涂布复合铜箔膜及其制备方法 | |
WO2024060009A1 (zh) | 高力学强度聚合物薄膜、其制造方法和应用 | |
WO2024044897A1 (zh) | 耐溶胀型聚酯复合膜及其制备方法和应用 | |
WO2024050722A1 (zh) | 复合聚酯膜及其制备方法和应用 | |
CN117261303B (zh) | 聚丙烯膜及其制备方法、复合集流体、电极极片和应用 | |
CN112157971A (zh) | 一种提高耐温性的聚丙烯膜层及其制备方法 | |
CN115477833B (zh) | 改性聚酯薄膜、制备方法、复合集流体、电极片及其用途 | |
CN115322534B (zh) | 耐溶剂增强型聚酯膜、其制备方法、复合集流体及用途 | |
WO2024051776A1 (zh) | 复合聚酯膜及其制备方法和应用 | |
CN116120722B (zh) | 一种适用于复合集流体的聚酯薄膜及其制备方法 | |
CN117894998B (zh) | 一种复合集流体及锂离子电池 | |
CN115447246B (zh) | 耐溶胀型聚酯复合膜及其制备方法和应用 | |
WO2024050688A1 (zh) | 复合聚合物膜、其制造方法、金属化复合聚合物膜与应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |