CN115503128A - 剥离装置 - Google Patents

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CN115503128A CN202210686125.9A CN202210686125A CN115503128A CN 115503128 A CN115503128 A CN 115503128A CN 202210686125 A CN202210686125 A CN 202210686125A CN 115503128 A CN115503128 A CN 115503128A
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Abstract

本发明提供剥离装置，其能够抑制由于从锭剥离晶片时产生的剥离屑所导致的装置污染。剥离装置包含：锭保持单元，其具有对锭进行保持的保持面；晶片保持单元，其具有对要生成的晶片进行吸引保持的保持面，该晶片保持单元相对于锭保持单元能够接近且能够远离；以及清洗刷，其对从锭剥离了要生成的晶片而得的剥离面进行清洗而将剥离屑去除。

Description

剥离装置
技术领域
本发明涉及剥离装置。
背景技术
以往，作为半导体晶片的制造方法，已知有使用线切割机从圆柱状的锭切出晶片的方法，但线切割机的切出会使锭的大部分作为切削损耗(切削裕度)而损失，因此存在不经济的课题(参照专利文献1)。为了解决该问题，提出了如下的方法：将对于锭具有透过性的激光束的聚光点定位于锭的内部，在切断预定面形成剥离层，由此将晶片剥离(参照专利文献2)。
专利文献1：日本特开2000-094221号公报
专利文献2：日本特开2016-111143号公报
但是，在以剥离层为界面而从锭剥离晶片的方法中，会从剥离面产生剥离屑，因此有可能由于剥离屑在晶片的搬送时落下而污染加工装置。
发明内容
由此，本发明的目的在于提供剥离装置，其能够抑制由于从锭剥离晶片时产生的剥离屑所导致的装置污染。
根据本发明的一个方式，提供剥离装置，其从将对于锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于距离锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而照射激光束从而形成有剥离层的该锭剥离要生成的晶片，其中，该剥离装置包含：锭保持单元，其具有对锭进行保持的保持面；晶片保持单元，其具有对要生成的晶片进行吸引保持的保持面，该晶片保持单元相对于该锭保持单元能够接近且能够远离；以及清洗刷，其对从该锭剥离了要生成的晶片而得的剥离面进行清洗而去除剥离屑。
也可以是，该清洗刷能够绕与该晶片保持单元的保持面和该锭保持单元的保持面垂直的轴心旋转，通过与绕该轴心旋转的状态的该清洗刷抵接，对保持于该晶片保持单元的状态的晶片的剥离面和保持于该锭保持单元的状态的锭的剥离面中的至少一方进行清洗。
另外，也可以是，该清洗刷包含：第1清洗刷，其与该晶片保持单元的保持面对置，对从该锭剥离的晶片的剥离面进行清洗；以及第2清洗刷，其与该锭保持单元的保持面对置，对被剥离了该晶片的该锭的剥离面进行清洗，能够同时实施该第1清洗刷对该晶片的剥离面的清洗和该第2清洗刷对该锭的剥离面的清洗。
另外，也可以是，该锭保持单元能够绕与该锭保持单元的保持面垂直的轴心旋转，该晶片保持单元能够绕与该晶片保持单元的保持面垂直的轴心旋转，通过在使该锭保持单元和该晶片保持单元中的至少一方绕该轴心旋转的状态下与该清洗刷抵接，对剥离面进行清洗。
另外，也可以是，该清洗刷能够在作用位置与非作用位置之间移动，该作用位置是与保持于该锭保持单元的状态的锭的剥离面和保持于该晶片保持单元的状态的晶片的剥离面中的至少一方对置的位置，该非作用位置是与保持于该锭保持单元的状态的锭的剥离面和保持于该晶片保持单元的状态的晶片的剥离面中的任意剥离面均不对置的位置。
另外，本发明的一个方式的剥离装置还可以具有对该锭赋予超声波的超声波赋予单元。
本发明的一个方式的剥离装置能够抑制由于从锭剥离晶片时产生的剥离屑所导致的装置污染。
附图说明
图1是作为实施方式的剥离装置的加工对象的锭的立体图。
图2是图1所示的锭的侧视图。
图3是示出形成图1所示的锭的剥离层的一个状态的立体图。
图4是图3的侧视图。
图5是示出实施方式的剥离装置的主要部分的结构的立体图。
图6是对图5所示的剥离装置的超声波赋予单元的概略结构进行说明的侧视图。
图7是示出在图5所示的剥离装置中剥离晶片之前的一个状态的侧视图。
图8是示出在图5所示的剥离装置中清洗剥离面的一个状态的侧视图。
图9是示出变形例的剥离装置的主要部分的结构的立体图。
标号说明
10：锭；11：第1面(端面)；12：第2面；22：剥离层；23：剥离面；30：晶片；31：剥离面；100、100-1：剥离装置；110：锭保持单元；111：保持面；120：晶片保持单元；121：保持面；130、130-1：清洗刷；131：第1清洗刷；132：第2清洗刷；140、140-1：移动单元；150：超声波赋予单元；222：激光束；223：聚光点。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。不过，本发明并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
[实施方式]
(锭)
首先，对作为本发明的实施方式的剥离装置100的加工对象的锭10的结构进行说明。图1是实施方式的剥离装置100的加工对象的锭10的立体图。图2是图1所示的锭10的侧视图。
图1和图2所示的实施方式的锭10是由SiC(碳化硅)形成的半导体锭，整体形成为圆柱状。在实施方式中，锭10是六方晶单晶SiC锭。锭10具有第1面11、第2面12、周面13、第1定向平面14以及第2定向平面15。
第1面11是圆形状，是形成为圆柱状的锭10的一个端面。第1面11相当于锭10的上表面。第2面12是圆形状，是形成为圆柱状的锭10的位于第1面11的相反侧的端面。第2面12相当于锭10的底面。周面13是与第1面11的外缘和第2面12的外缘相连的面。
第1定向平面14是为了示出锭10的晶体取向而形成于周面13的一部分的平面。第2定向平面15是为了示出锭10的晶体取向而形成于周面13的一部分的平面。第2定向平面15与第1定向平面14垂直。另外，第1定向平面14的长度比第2定向平面15的长度长。
另外，锭10具有：c轴18，其相对于第1面11的垂线16向朝向第2定向平面15的倾斜方向17倾斜偏离角20；以及c面19，其与c轴18垂直。c轴18相对于垂线16的倾斜方向17与第2定向平面15的延伸方向垂直且与第1定向平面14平行。c面19相对于锭10的第1面11倾斜偏离角20。
c面19在锭10中以锭10的分子水平设定无数个。关于锭10，在实施方式中，将偏离角20设定为1°、4°或6°，但在本发明中，例如可以在1°～6°的范围内自由地设定而制造。锭10在将第1面11通过磨削装置进行了磨削加工之后，通过研磨装置进行研磨加工而使第1面11形成为镜面。
(剥离层的形成)
接着，对在通过实施方式的剥离装置100从锭10剥离晶片30之前在锭10的内部形成作为剥离的界面的剥离层22的方法进行说明。图3是示出形成图1所示的锭10的剥离层22的一个状态的立体图。图4是图3的侧视图。另外，在以下的说明中，X轴方向是水平面的一个方向。Y轴方向是在水平面上与X轴方向垂直的方向。Z轴方向是与X轴方向和Y轴方向垂直的方向。在实施方式中，加工进给方向是X轴方向，分度进给方向是Y轴方向。
在实施方式中，剥离层22通过激光加工装置200形成。激光加工装置200具有：具有保持面211的保持单元210；激光束照射单元220；以及使保持面211和激光束照射单元220的聚光器221相对地移动的未图示的移动单元。
在剥离层22的形成中，首先将锭10的第2面12侧吸引保持于保持单元210的保持面211。此时，将锭10的方向定位成使倾斜方向17与作为分度进给方向的Y轴方向平行的方向。接着，进行激光束照射单元220与锭10的对位。
具体而言，未图示的移动单元使保持单元210移动至规定的加工位置，并且调整激光束照射单元220的聚光器221的高度位置，将激光束222的聚光点223定位于距离锭10的端面(第1面11)相当于要生成的晶片30(参照图4)的厚度的深度。激光束222是对于锭10具有透过性的波长的激光束。
在剥离层22的形成中，一边使聚光点223和锭10在XY方向上相对地移动，一边朝向锭10照射脉冲状的激光束222，由此SiC分离成Si(硅)和C(碳)。并且，接着照射的脉冲状的激光束222被之前形成的C吸收，SiC连锁地分离成Si和C而沿着加工进给方向在锭10的内部形成改质部21，并且生成从改质部21沿着c面19(参照图2)延伸的裂纹。这样，形成包含改质部21和从改质部21沿着c面19形成的裂纹的剥离层22。
(剥离装置)
接着，对本发明的实施方式的剥离装置100的结构进行说明。图5是示出实施方式的剥离装置100的主要部分的结构的立体图。图6是对图5所示的剥离装置100的超声波赋予单元150的概略结构进行说明的侧视图。图7是示出在图5所示的剥离装置100中剥离晶片30之前的一个状态的侧视图。图8是示出在图5所示的剥离装置100中清洗剥离面23、31的一个状态的侧视图。实施方式的剥离装置100具有锭保持单元110、晶片保持单元120、清洗刷130、移动单元140、超声波赋予单元150以及液体提供单元160。
锭保持单元110利用保持面111对锭10进行保持。保持面111是由多孔陶瓷等形成的圆板形状。在实施方式中，保持面111是与水平方向平行的平面。保持面111例如经由真空吸引路径而与真空吸引源连接。锭保持单元110对载置于保持面111上的锭10的第2面12侧进行吸引保持。
锭保持单元110可以设置成能够通过后述的移动单元140的锭移动单元141而在与保持面111垂直的方向(在实施方式中为垂直方向)上移动。在实施方式中，锭保持单元110能够通过后述的移动单元140的锭旋转单元142而绕与保持面111垂直的轴心旋转。另外，在本说明书中，“垂直”由于尺寸误差、设计误差等，也包含两者未成为完全的垂直关系的情况。
晶片保持单元120利用保持面121对要生成的晶片30进行吸引保持。保持面121是由多孔陶瓷等形成的圆板形状。在实施方式中，保持面121是与水平方向平行且与锭保持单元110的保持面111对置的平面。保持面121例如经由真空吸引路径而与真空吸引源连接。晶片保持单元120对与保持面121抵接的锭10的第1面11侧进行吸引保持。
晶片保持单元120相对于锭保持单元110能够接近且能够远离。在实施方式中，晶片保持单元120能够通过后述的移动单元140的晶片移动单元143在与保持面121垂直的方向(在实施方式中为垂直方向)上移动。在实施方式中，晶片保持单元120能够通过后述的移动单元140的晶片旋转单元144绕与保持面121垂直的轴心旋转。
清洗刷130对从锭10剥离了要生成的晶片30而得的剥离面23、31进行清洗而将剥离屑去除。清洗刷130包含：圆板状的基台部；以及从基台部沿垂直方向延伸的毛状部。如图5所示，毛状部在俯视时从圆板状的基台部的中央部朝向外周部呈放射状配置。
在实施方式中，清洗刷130包含第1清洗刷131和第2清洗刷132。第1清洗刷131与晶片保持单元120的保持面121对置，对从锭10剥离的晶片30的剥离面31进行清洗。第2清洗刷132与锭保持单元110的保持面111对置，对剥离了晶片30的锭10的剥离面23进行清洗。
清洗刷130的第1清洗刷131在晶片保持单元120绕轴心旋转的状态下通过与从锭10剥离的晶片30的剥离面31抵接而对剥离面31进行清洗。清洗刷130的第2清洗刷132在锭保持单元110绕轴心旋转的状态下通过与被剥离了晶片30的锭10的剥离面23抵接而对剥离面23进行清洗。
清洗刷130能够在图7所示的非作用位置与图8所示的作用位置之间移动。作用位置是与保持于锭保持单元110的状态的锭10的剥离面23和保持于晶片保持单元120的状态的晶片30的剥离面31中的至少一方对置的位置。非作用位置是与保持于锭保持单元110的状态的锭10的剥离面23和保持于晶片保持单元120的状态的晶片30的剥离面31中的任意剥离面均不对置的位置。
清洗刷130能够同时实施第1清洗刷131对晶片30的剥离面31的清洗和第2清洗刷132对锭10的剥离面23的清洗。更详细而言，清洗刷130在作用位置，在锭保持单元110和晶片保持单元120绕轴心旋转的状态下，按照第1清洗刷131与晶片30的剥离面31抵接且第2清洗刷132与锭10的剥离面23抵接的方式使晶片保持单元120相对于锭保持单元110接近，由此能够同时清洗晶片30的剥离面31和锭10的剥离面23。
在实施方式中，清洗刷130能够通过后述的移动单元140的刷移动单元145而在与晶片保持单元120的保持面121和锭保持单元110的保持面111平行的方向和垂直的方向上移动。在实施方式中，清洗刷130能够通过后述的移动单元140的刷旋转单元146绕与晶片保持单元120的保持面121和锭保持单元110的保持面111垂直的轴心旋转。清洗刷130在绕轴心旋转的状态下与晶片保持单元120所保持的晶片30的剥离面31抵接，由此对剥离面31进行清洗。清洗刷130在绕轴心旋转的状态下与锭保持单元110所保持的锭10的剥离面23抵接，由此对剥离面23进行清洗。实施方式的剥离装置100能够使清洗刷130以及锭保持单元110和晶片保持单元120中的至少一方相互绕轴心旋转。
移动单元140使保持于锭保持单元110的状态的锭10的剥离面23和保持于晶片保持单元120的状态的晶片30的剥离面31中的至少一方与清洗刷130抵接并相对地移动。在实施方式中，移动单元140包含锭移动单元141、锭旋转单元142、晶片移动单元143、晶片旋转单元144、刷移动单元145以及刷旋转单元146。
锭移动单元141例如包含具有与电动机连结的滚珠丝杠的滚珠丝杠式的升降机构，使锭保持单元110的保持面111在与保持面111垂直的方向(在实施方式中为垂直方向)上移动。锭保持单元110的保持面111所保持的锭10能够通过锭移动单元141在与晶片保持单元120所保持的晶片30垂直的方向上接近和远离。锭移动单元141可以使锭保持单元110的保持面111在与保持面111平行的方向上移动。另外，锭移动单元141可以代替滚珠丝杠式的升降机构或与滚珠丝杠式的升降机构一起具有利用空气或油等进行驱动的致动器(空气致动器、油致动器)等。
锭旋转单元142例如包含与锭保持单元110连结的电动机等旋转驱动机构，使锭保持单元110的保持面111绕与保持面111垂直的轴心旋转。锭保持单元110的保持面111所保持的锭10能够通过锭旋转单元142而相对于清洗刷130绕锭保持单元110的轴心旋转。
晶片移动单元143例如包含具有与电动机连结的滚珠丝杠的滚珠丝杠式的升降机构，使晶片保持单元120的保持面121在与保持面121垂直的方向(在实施方式中为垂直方向)上移动。晶片保持单元120的保持面121所保持的晶片30能够通过晶片移动单元143而在与锭保持单元110所保持的锭10垂直的方向上接近和远离。晶片移动单元143可以使晶片保持单元120的保持面121在与保持面121平行的方向上移动。另外，晶片移动单元143可以代替滚珠丝杠式的升降机构或与滚珠丝杠式的升降机构一起具有利用空气或油等进行驱动的致动器(空气致动器、油致动器)等。另外，也可以不设置锭移动单元141和晶片移动单元143中的任意一方。
晶片旋转单元144例如包含与晶片保持单元120连结的电动机等旋转驱动机构，使晶片保持单元120的保持面121绕与保持面121垂直的轴心旋转。晶片保持单元120的保持面121所保持的晶片30能够通过晶片旋转单元144相对于清洗刷130绕晶片保持单元120的轴心旋转。
刷移动单元145例如包含具有与电动机连结的滚珠丝杠的滚珠丝杠式的移动机构，使清洗刷130在与锭保持单元110的保持面111和晶片保持单元120的保持面121平行的方向和垂直的方向上移动。清洗刷130能够通过刷移动单元145而在图7所示的非作用位置与图8所示的作用位置之间移动。清洗刷130的第1清洗刷131能够通过刷移动单元145按照与晶片保持单元120的保持面121所保持的晶片30的剥离面31抵接的方式进行移动。清洗刷130的第2清洗刷132能够通过刷移动单元145按照与锭保持单元110的保持面111所保持的锭10的剥离面23抵接的方式进行移动。另外，刷移动单元145可以代替滚珠丝杠式的移动机构或与滚珠丝杠式的移动机构一起具有利用空气或油等进行驱动的致动器(空气致动器、油致动器)等。
刷旋转单元146例如包含与清洗刷130连结的电动机等旋转驱动机构，使清洗刷130绕与晶片保持单元120的保持面121和锭保持单元110的保持面111垂直的轴心旋转。清洗刷130能够通过刷旋转单元146相对于晶片保持单元120的保持面121所保持的晶片30的剥离面31和锭保持单元110的保持面111所保持的锭10的剥离面23绕轴心旋转。
图6所示的超声波赋予单元150是通过对锭10赋予超声波而以形成于锭10的内部的剥离层22为界面将锭10的第1面11侧的一部分剥离并将剥离的一部分生成为晶片30的单元。实施方式的超声波赋予单元150对锭保持单元110的保持面111所保持的锭10赋予超声波。超声波赋予单元150例如包含超声波电源以及通过超声波电源而施加电压的由压电陶瓷等形成的超声波振子。
液体提供单元160是在超声波赋予单元150对锭保持单元110的保持面111所保持的锭10赋予超声波时向超声波振子与锭10之间提供液体161的单元。
当通过超声波赋予单元150在锭10的剥离层22上进行剥离时，首先将锭10的第2面12侧吸引保持于锭保持单元110的保持面111。接着，使超声波赋予单元150的超声波振子与锭10的第1面11对置。接着，从液体提供单元160向超声波振子与锭10之间提供液体161。
在该状态下，从超声波赋予单元150的超声波电源施加电压而使超声波振子进行超声波振动，由此使与超声波振子的振动对应的频率的超声波振动传播至液体161内并赋予至锭10。对锭10的整个面赋予超声波振动，由此以通过激光束222的照射形成的剥离层22为界面而将锭10的第1面11侧的一部分剥离。
如图7和图8所示，剥离装置100在锭保持单元110对锭10的第2面12进行保持而晶片保持单元120对锭10的第1面11进行吸引保持的状态下使晶片保持单元120相对于锭保持单元110远离，由此以剥离层22为界面而从锭10剥离并分离晶片30。即，剥离装置100将锭10的第1面11与剥离层22之间的部分作为晶片30，从锭10的第2面12与剥离层22之间的部分剥离。
如图8所示，剥离装置100在将晶片30从锭10剥离之后，通过清洗刷130对锭保持单元110所保持的锭10的剥离面23和晶片保持单元120所吸引的晶片30的剥离面31进行清洗，将剥离屑去除。实施方式的清洗刷130能够同时清洗锭10的剥离面23和晶片30的剥离面31。
如以上所说明的那样，实施方式的剥离装置100使清洗刷130与锭10的剥离面23和晶片30的剥离面31中的任意剥离面抵接而进行剥离面23、31的清洗。剥离面23、31的清洗在从锭10剥离晶片30之后且在搬送已生成的晶片30之前进行。
即，维持剥离了晶片30的锭10被保持于剥离晶片30时进行保持的锭保持单元110的状态不变而对剥离面23进行清洗。另外，维持从锭10剥离的晶片30被保持于从锭10剥离时进行吸引保持的晶片保持单元120且位于锭10的上方的状态不变而对剥离面31进行清洗。
由此，从锭10剥离晶片30时从剥离面23、31产生的剥离屑在从剥离装置100搬送晶片30之前被去除，因此能够抑制由于剥离屑所导致的装置污染。
另外，本发明并不限于上述实施方式。即，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形并实施。
例如在本发明中，激光加工装置200的结构可以包含在剥离装置100中，锭保持单元110可以与激光加工装置200的保持单元210相同。
另外，在实施方式中，锭保持单元110和晶片保持单元120也能够绕轴心旋转，但在本发明中，也可以仅使清洗刷130旋转。
另外，在实施方式中，清洗刷130具有第1清洗刷131和第2清洗刷132，能够利用双面的刷同时清洗锭10的剥离面23和晶片30的剥离面31，但在本发明中，也可以仅在单面具有刷，进行翻转而一个面一个面地进行清洗。
另外，如图5所示，实施方式的清洗刷130是俯视圆形状，通过绕轴心旋转而对剥离面23、31进行清洗，但在本发明中，也可以如以下的变形例所示那样呈非圆形状。
[变形例]
图9是示出变形例的剥离装置100-1的主要部分的结构的立体图。变形例的剥离装置100-1与实施方式的剥离装置100相比，在代替清洗刷130和移动单元140而具有清洗刷130-1和移动单元140-1这点上不同。
清洗刷130-1包含：棒状的基台部，其沿与锭保持单元110的保持面111平行的一个方向延伸；以及毛状部，其从基台部沿垂直方向延伸。如图9所示，毛状部沿着棒状的基台部的长度方向呈列状配置。
变形例的移动单元140-1与实施方式的移动单元140相比，在代替刷移动单元145和刷旋转单元146而包含刷移动单元145-1这点上不同。
刷移动单元145-1使清洗刷130-1在与锭保持单元110的保持面111和晶片保持单元120的保持面121平行的方向且是与清洗刷130-1的棒状的基台部的长度方向垂直的方向上移动。另外，刷移动单元145-1使清洗刷130-1在与锭保持单元110的保持面111和晶片保持单元120的保持面121垂直的方向上移动。
清洗刷130-1在与被剥离了晶片30的锭10的剥离面23抵接的状态下在与锭保持单元110的保持面111平行的方向且是与清洗刷130-1的棒状的基台部的长度方向垂直的方向上往复移动，由此对剥离面23进行清洗。此时，锭保持单元110可以绕轴心旋转。由此，能够均匀地清洗整个剥离面23。
清洗刷130-1在与从锭10剥离的晶片30的剥离面31抵接的状态下在与晶片保持单元120的保持面121平行的方向且是与清洗刷130-1的棒状的基台部的长度方向垂直的方向上往复移动，由此对剥离面23进行清洗。此时，晶片保持单元120可以绕轴心旋转。由此，能够均匀地清洗整个剥离面31。
清洗刷130-1可以同时实施锭10的剥离面23的清洗和晶片30的剥离面31的清洗。更详细而言，清洗刷130-1按照与锭10的剥离面23和晶片30的剥离面31均抵接的方式使晶片保持单元120相对于锭保持单元110接近，由此能够同时清洗晶片30的剥离面31和锭10的剥离面23。
这样，剥离装置100-1与实施方式同样地在将晶片30从锭10剥离之后，通过清洗刷130-1对锭保持单元110所保持的锭10的剥离面23和晶片保持单元120所吸引的晶片30的剥离面31进行清洗，将剥离屑去除。

Claims (6)

1.一种剥离装置，其从将对于锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于距离锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而照射激光束从而形成有剥离层的该锭剥离要生成的晶片，其中，
该剥离装置包含：
锭保持单元，其具有对锭进行保持的保持面；
晶片保持单元，其具有对要生成的晶片进行吸引保持的保持面，该晶片保持单元相对于该锭保持单元能够接近且能够远离；以及
清洗刷，其对从该锭剥离了要生成的晶片而得的剥离面进行清洗而去除剥离屑。
2.根据权利要求1所述的剥离装置，其中，
该清洗刷能够绕与该晶片保持单元的保持面和该锭保持单元的保持面垂直的轴心旋转，
通过与绕该轴心旋转的状态的该清洗刷抵接，对保持于该晶片保持单元的状态的晶片的剥离面和保持于该锭保持单元的状态的锭的剥离面中的至少一方进行清洗。
3.根据权利要求1或2所述的剥离装置，其中，
该清洗刷包含：
第1清洗刷，其与该晶片保持单元的保持面对置，对从该锭剥离的晶片的剥离面进行清洗；以及
第2清洗刷，其与该锭保持单元的保持面对置，对被剥离了该晶片的该锭的剥离面进行清洗，
能够同时实施该第1清洗刷对该晶片的剥离面的清洗和该第2清洗刷对该锭的剥离面的清洗。
4.根据权利要求1或2所述的剥离装置，其中，
该锭保持单元能够绕与该锭保持单元的保持面垂直的轴心旋转，
该晶片保持单元能够绕与该晶片保持单元的保持面垂直的轴心旋转，
通过在使该锭保持单元和该晶片保持单元中的至少一方绕该轴心旋转的状态下与该清洗刷抵接，对剥离面进行清洗。
5.根据权利要求1或2所述的剥离装置，其中，
该清洗刷能够在作用位置与非作用位置之间移动，
该作用位置是与保持于该锭保持单元的状态的锭的剥离面和保持于该晶片保持单元的状态的晶片的剥离面中的至少一方对置的位置，
该非作用位置是与保持于该锭保持单元的状态的锭的剥离面和保持于该晶片保持单元的状态的晶片的剥离面中的任意剥离面均不对置的位置。
6.根据权利要求1或2所述的剥离装置，其中，
该剥离装置还具有对该锭赋予超声波的超声波赋予单元。
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