CN115458436A - 处理基板的方法和装置以及温度控制方法 - Google Patents

处理基板的方法和装置以及温度控制方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及处理基板的方法和装置以及温度控制方法。提供了一种处理基板的方法，该方法包括：执行对形成有膜的基板进行热处理的第一加热工艺，以及在执行第一加热工艺之后执行对基板进行热处理的第二加热工艺；收集操作，该收集操作收集在第一加热工艺中加热基板的第一加热板的温度数据；以及第一控制操作，该第一控制操作基于温度数据调节在第二加热工艺中加热基板的第二加热板的温度。

Description

处理基板的方法和装置以及温度控制方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年6月8日提交韩国专利局的、申请号为10-2021-0074356的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明涉及一种处理基板的方法和装置，更具体地，涉及一种使用加热板加热基板的处理基板的方法和装置，以及控制加热板的温度的温度控制方法。
背景技术
为了制造半导体设备或平面显示面板，执行各种工艺，诸如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、薄膜沉积工艺和清洁工艺。在这些工艺中，光刻工艺包括：施用工艺，该施用工艺用于在基板(诸如晶圆)上形成施用膜；曝光工艺，该曝光工艺用于使用掩模对形成在基板上的施用膜照射光；以及显影工艺，该显影工艺用于将显影剂供应到已在其上执行曝光工艺的施用膜，从而在基板上获得期望图案。
另外，一般地，为了使形成在基板上的施用膜和图案稳定，在施用工艺与曝光工艺之间、在曝光工艺与显影工艺之间、以及在显影工艺之后，执行热处理工艺。在热处理工艺中，基板被放置在设置于热处理腔室中的加热板上，并且加热板加热基板。
图1是示意性地示出了一般的热处理工艺中的加热板的温度控制操作的框图，以及图2是示出了作为图1的参考数据输入的加热板的设定温度的图形。参照图1和图2，一般地，为了均匀地处理基板，热处理腔室的加热板旨在恒定地保持在设定温度RT。相应地，用于控制加热板温度的控制器C接收设定温度RT作为参考数据Ref。此外，控制器C控制反馈，使得加热板的温度可以保持在作为参考数据Ref输入的设定温度RT。
图3是示出了图1的加热板的实际温度变化的图形。图3的t1是基板被引入热处理腔室的时间点或基板被放置在加热板上的时间点。
基板的温度低于加热板的温度。相应地，当低温基板被装载至热处理腔室中时，加热板的温度迅速下降。在这种情况下，可能会对加热板施用热冲击。
另外，当加热板的温度下降时，控制器C通过反馈控制使加热板的温度恢复到设定温度RT。例如，控制器C接收由温度传感器测量的加热板的温度测量值，并调节加热加热板的加热器的输出以使加热板的温度恢复到设定温度RT。在这种情况下，将加热板的温度稳定到设定温度RT需要从t1到t2的时间(即多达a)。相应地，执行热处理工艺所需的时间增加。此外，温度变化幅度b也增大。当温度变化幅度增大时，形成在基板上的图案以及图案之间的间隔不是恒定的，并且对于基板的各区域可能会发生变化。也就是说，加热板的温度变化可能在曝光工艺后执行的热处理工艺中起到更致命的作用。
发明内容
本发明致力于提供一种能够有效地处理基板的处理基板的方法和装置、以及加热板的温度控制方法。
本发明也致力于提供一种能够使加热基板的加热板的温度变化最小化的处理基板的方法和装置、以及加热板的温度控制方法。
本发明也致力于提供一种能够缩短执行加热工艺所消耗的时间的处理基板的方法和装置、以及加热板的温度控制方法。
本发明也致力于提供一种能够快速稳定加热板的温度变化的处理基板的方法和装置、以及加热板的温度控制方法。
本发明所要解决的问题不限于上述问题，并且本领域技术人员将从本说明书和附图中清楚地理解未提及的问题。
本发明的示例性实施方案提供一种处理基板的方法，该方法包括：执行对形成有膜的基板进行热处理的第一加热工艺，以及在执行第一加热工艺之后执行对基板进行热处理的第二加热工艺；收集操作，该收集操作收集在第一加热工艺中加热基板的第一加热板的温度数据；以及第一控制操作，该第一控制操作基于温度数据调节第二加热工艺中加热基板的第二加热板的温度。
根据示例性实施方案，该方法还可以包括生成操作，该生成操作从温度数据生成用于控制第二加热板的温度的目标曲线，其中，第一控制操作可以包括基于目标曲线调节第二加热板的温度。
根据示例性实施方案，该方法还可以包括第二控制操作，该第二控制操作在第二加热工艺中测量第二加热板的温度，并且基于测量的温度反馈控制第二加热板的温度。
根据示例性实施方案，该方法还可以包括用光照射膜的曝光工艺，其中，可以在曝光工艺之后执行第二加热工艺。
根据示例性实施方案，该方法还可以包括将显影剂供应至用光照射的膜的显影工艺，其中，可以在显影工艺之后执行第二加热工艺。
根据示例性实施方案，第二加热工艺可以被多次执行，并且还可以包括将显影剂供应至用光照射的膜的显影工艺，在显影工艺之前可以执行第二加热工艺中的任一个，且在显影工艺之后可以执行第二加热工艺中的另一个。
根据示例性实施方案，第一加热工艺可以在曝光工艺之前执行。
根据示例性实施方案，第一加热工艺可以被执行多次，收集操作可以包括收集来自第一加热工艺的两个或更多个温度数据，以及生成操作可以包括从温度数据生成目标曲线。
此外，本发明的另一个示例性实施方案提供了一种控制温度调节板的温度的方法，该温度调节板调节基板的温度，该方法包括：执行温度调节工艺多次，该温度调节工艺调节形成有膜的基板的温度；收集操作，该收集操作收集温度调节工艺中在曝光工艺之前执行的第一温度调节工艺中使用的第一温度调节板的温度数据；生成操作，该生成操作基于温度数据预测在温度调节工艺中在曝光工艺之后执行的第二温度调节工艺中使用的第二温度调节板的温度变化、并且生成预测曲线；以及第一控制操作，该第一控制操作基于预测曲线控制第二温度调节板的温度。
根据示例性实施方案，生成操作可以包括基于设定温度生成与预测曲线对称的目标曲线，以及在第一控制操作中，可以基于目标曲线确定用于控制第二温度调节板的温度的控制值。
根据示例性实施方案，温度数据可以包括：在执行第一温度调节工艺的情况下，关于第一温度调节板的温度变化的信息，预测曲线可以由转换函数(transform function)生成，该转换函数接收温度数据并且输出预测曲线，以及该转换函数可以基于预先获得的参考数据生成，该预先获得的参考数据包括：根据当使用第一温度调节板加热基板时的设定处理条件，关于第一温度调节板的温度变化的信息；以及根据当使用第二温度调节板加热基板时的设定处理条件，关于第二温度调节板的温度变化的信息。
根据示例性实施方案，该方法还可以包括第二控制操作，该第二控制操作在第二温度调节工艺中测量第二温度调节板的温度，并基于测量的温度将第二温度调节板的温度反馈控制到设定温度，其中，基于第二温度调节板的测量的温度，可以确定用于在第二控制操作中控制第二温度调节板的温度的控制值。
根据示例性实施方案，执行第一控制操作的持续时间和执行第二控制操作的持续时间可以至少部分重叠。
根据示例性实施方案，第一温度调节工艺可以被执行多次，收集操作可以包括收集来自第一温度调节工艺的温度数据，并且生成操作可以包括从温度数据生成目标曲线。
本发明的又一示例性实施方案提供了一种处理基板的装置，该装置包括：液体处理腔室，该液体处理腔室用于对基板进行液体处理；热处理腔室，该热处理腔室用于对基板进行热处理；传送单元，该传送单元用于在液体处理腔室、热处理腔室和外部曝光设备之间传送基板；以及控制器，其中，热处理腔室包括：第一热处理腔室，该第一热处理腔室在通过曝光设备执行曝光工艺之前，对基板进行热处理；和第二热处理腔室，该第二热处理腔室对已执行曝光工艺的基板进行热处理，并且第一热处理腔室包括：第一加热板，该第一加热板加热基板；第一温度传感器，该第一温度传感器测量第一加热板的温度；和第一加热器，该第一加热器控制第一加热板的温度，并且第二热处理腔室包括：第二加热板，该第二加热板加热基板；第二温度传感器，该第二温度传感器测量第二加热板的温度；和第二加热器，该第二加热器控制第二加热板的温度；并且该控制器接收由第一温度传感器测量的第一加热板的温度数据，并基于温度数据控制第二加热器以使得第二加热板达到设定温度。
根据示例性实施方案，控制器可以通过从温度数据预测第二加热板的温度变化、以及基于设定温度生成与预测曲线对称的目标曲线来生成预测曲线，并且第二加热器可以基于目标曲线进行控制。
根据示例性实施方案，控制器可以接收由第二温度传感器测量的第二加热板的温度值，并反馈控制第二加热器以使得接收到的温度值达到设定温度。
根据示例性实施方案，可以设置多个第一加热器，以便独立地加热从顶部观察时基板的第一区域和与第一区域不同的第二区域，并且可以设置多个第二加热器，以便独立地加热当从顶部观察时基板的第一区域和与第一区域不同的第二区域。
根据示例性实施方案，第一温度传感器可以将对应于第一区域的第一加热板的第一温度数据和对应于第二区域的第一加热板的第二温度数据中的每一者传送到控制器。
根据示例性实施方案，控制器可以从第一温度数据生成第一目标曲线，从第二温度数据生成第二目标曲线，基于第一目标曲线控制对应于第二加热板的第一区域的第二加热器，并且基于第二目标曲线控制对应于第二加热板的第二区域的第二加热器。
根据本发明的示例性实施方案，可以提供一种能够有效地处理基板的处理基板的方法和装置、以及加热板的温度控制方法。
此外，根据本发明的示例性实施方案，可以最小化加热基板的加热板的温度变化。
此外，根据本发明的示例性实施方案，可以缩短执行加热工艺所消耗的时间。
此外，根据本发明的示例性实施方案，可以快速稳定加热板的温度变化。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且本领域技术人员将从本说明书和附图中清楚地理解未提及的效果。
附图说明
图1是示意性地示出一般的热处理工艺中的加热板的温度控制操作的框图。
图2是示出了作为图1的参考数据输入的加热板的设定温度的图形。
图3是示出了图1的加热板的实际温度变化的图形。
图4是示意性示出了根据本发明的示例性实施方案的基板处理装置的立体图。
图5为示出了图4的施用块或显影块的基板处理装置的截面图。
图6为图4的基板处理装置的平面图。
图7为示意性示出了图6的热处理腔室的实施例的平面图。
图8为示出了图7的热处理腔室的前视图。
图9是示意性示出了图7的液体处理腔室中设置的基板处理装置的实施例的图。
图10是图9的液体处理腔室中设置的基板处理装置的俯视平面图。
图11是示意性地示出了本发明的控制器的框图。
图12是示意性示出了根据本发明的示例性实施方案的基板处理方法和温度控制方法的流程图。
图13是图12的生成操作的详细流程图。
图14是示出了图13的生成操作中生成的预测曲线和目标曲线的状态的图形。
图15是图12的控制操作的详细流程图。
图16是示意性地示出了第二加热板的温度控制操作的实施例的框图，图15的第一控制操作和第二控制操作施用到该第二加热板的温度控制操作。
图17是示意性地示出了第二加热板的温度变化的图形。
图18和图19是用于解释根据本发明的另一示例性实施方案的基板处理方法和温度控制方法的图。
图20是示意性地示出了冷却板的温度控制操作的另一实施例的框图，图15的第一控制操作和第二控制操作施用到该冷却板的温度控制操作。
图21是示意性地示出了冷却板的温度变化的图形。
具体实施方式
在下文，将在下文中参考附图更全面地描述本发明的示例性实施方案，在附图中示出了本发明的示例性实施方案。然而，本发明可以被不同地实现并且不限于以下实施方案。此外，在详细描述本发明的示例性实施方案时，如果确定相关公知功能或配置的详细描述可能不必要地模糊本发明的要点，则将省略其详细描述。此外，贯穿附图，相同的附图标记用于具有相似功能和作用的部件。
除非明确地有相反的描述，否则词语“包括”、以及诸如“包含”或“含有”等变体将被理解为暗示包括所述元件但不排除任何其他元件。应当理解，术语“包括”和“具有”旨在表示存在说明书中描述的特征、数量、步骤、操作、构成元件和组件或它们的组合，并且不排除预先存在或添加一个或多个其他特征、数量、步骤、操作、构成元件和组件、或它们的组合的可能性。
本文使用的单数表达包括复数表达，除非它们在上下文中具有明确相反的含义。因此，为了更清楚地描述，图中元件的形状和尺寸等可以被夸大。
诸如第一和第二等术语可以用于描述各种构成元件，但是这些构成元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个构成元件与另一个构成元件区分开来。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，可以将第一构成元件命名为第二构成元件，类似地，可以将第二构成元件命名为第一构成元件。
应当理解，当一个构成元件被称为“联接到”或“连接到”另一个构成元件时，一个构成元件可以直接联接到或连接到另一个构成元件，但也可以存在中间元件。相反，当一个构成元件“直接联接到”或“直接连接到”另一个构成元件时，应该理解不存在中间元件。描述构成元件之间的关系的其他表达，诸如“在……之间”和“刚好在……之间”或“与～相邻”和“与～直接相邻”应作类似解释。
本文中使用的所有术语(包括技术术语或科学术语)具有与本发明构思所属的领域中的技术人员所普遍接受的术语相同的含义，除非它们被不同地定义。在通用词典中定义的术语应解释为具有与相关领域上下文中的含义相匹配的含义，并且除非在本申请中明确定义，否则不应解释为理想或过于正式的含义。
在下文中，将参照图4至图19描述本发明的示例性实施方案。此外，以下描述的用于传送基板W的所有配置可以称为传送单元。
图4是示意性示出了根据本发明的示例性实施方案的基板处理装置的立体图，图5为示出了图4的施用块或显影块的基板处理装置的截面图，以及图6为图4的基板处理装置的平面图。
参照图4至图6，根据本发明的示例性实施方案的基板处理装置10包括索引模块100、处理模块300、接口模块500和控制器600。以下将描述控制器600。根据示例性实施方案，索引模块100、处理模块300和接口模块500依序串联设置。在下文，布置索引模块100、处理模块300和接口模块500的方向被称为第一方向12，且当从顶部观察时，垂直于第一方向12的方向被定义为第二方向14，以及与第一方向12和第二方向14都垂直的方向被定义为第三方向16。
索引模块100将基板W从容纳基板W的容器F传送到处理模块300，并将完成处理的基板W接收到容器F中。索引模块100的纵向方向设置在第二方向14上。索引模块100包括装载端口110和索引框架130。相对于索引框架130，装载端口110位于处理模块300的相对侧上。容纳有基板W的容器F放置在装载端口110上。可以设置多个装载端口110，并且多个装载端口110可以沿着第二方向14设置。
作为容器F，可以使用气密容器F，例如前开式晶圆盒(Front Open Unified Pod，FOUP)。容器F可以通过诸如高架(overhead)传送机、高架运输机或自动引导车辆等传送装置(未示出)，或者由操作员放置在装载端口110上。
索引机械手132设置在索引框架130的内侧。导轨136(其纵向方向设置在第二方向14上)设置在索引框架130内，并且索引机械手132可以设置成在导轨136上为可移动。索引机械手132包括手部，基板W放置在手部上，并且手部被设置为向前向后可移动、围绕第三方向16可旋转、以及沿第三方向16可移动。
处理模块300可以在基板W上执行施用工艺和显影工艺。处理模块300可以接收容纳在容器F中的基板W并且执行基板处理工艺。处理模块300包括施用块(COT)300a和显影块(DEV)300b。施用块300a在基板W上执行施用工艺，以及显影块300b在基板W上执行显影工艺。设置了多个施用块300a，并且将施用块300a设置为彼此堆叠。设置了多个显影块300b，并且将显影块300b设置为彼此堆叠。根据图4的示例性实施方案，设置两个施用块300a，且设置两个显影块300b。施用块300a可以设置在显影块300b的下方。根据实施例，两个施用块300a执行相同工艺并且可以以相同结构设置。此外，两个显影块300b可以执行相同工艺并且可以以相同结构设置。
参考图6，施用块300a和显影块300b中的每一者具有热处理腔室320、传送腔室350、液体处理腔室360、以及缓冲腔室312和316。施用块300a的热处理腔室320、传送腔室350、液体处理腔室360、以及缓冲腔室312和316可以称为第一热处理腔室、第一传送腔室、第一液体处理腔室和第一缓冲腔室。显影块300b的热处理腔室320、传送腔室350、液体处理腔室360、以及缓冲腔室312和316可以称为第二热处理腔室、第二传送腔室、第二液体处理腔室和第二缓冲腔室。
热处理腔室320在基板W上执行加热工艺。液体处理腔室360可以将液体供应到基板W上以形成液膜，或者供应用于从已执行了曝光工艺的液膜提取图案的显影剂。液膜可以是光刻胶层或减反射施用层(Anti-Reflective Applying layer，ARC)。传送腔室350在施用块300a或显影块300b中的热处理腔室320与液体处理腔室360之间传送基板W。
传送腔室350设置为使得其纵向方向平行于第一方向12。传送机械手350设置在传送腔室352中。传送机械手352在热处理腔室320、液体处理腔室360与缓冲腔室312和316之间传送基板。根据实施例，传送机械手352包括手部，基板W放置在手部上，并且手部可以设置为向前向后可移动、围绕第三方向16为可旋转的、以及沿第三方向16为可移动的。导轨356(其纵向方向平行于第二方向12)设置在传送腔室350内，并且传送机械手352可以设置成在导轨356上为可移动的。
设置多个热处理腔室320。热处理腔室320沿第一方向12布置。热处理腔室320定位在传送腔室350的一侧处。
图7为示意性示出了图6的热处理腔室的实施例的平面图，以及图8为图7的热处理腔室的前视图。
参照图7和图8，热处理腔室320具有壳体3210、冷却单元3220、加热单元3230和传送板3240。
壳体3210被设置成大致长方体(rectangular parallelepiped)的形状。在壳体3210的侧壁上形成有入口(未示出)，基板W通过该入口进入和离开。入口可以保持打开。任选地，可以设置门(未示出)以打开和关闭该入口。在壳体3210中设置有冷却单元3220、加热单元3230和传送板3240。冷却单元3220和加热单元3230沿着第二方向14并排设置。根据实施例，冷却单元3220可以定位成比加热单元3230更靠近传送腔室350。
冷却单元3220包括冷却板3222。当从顶部观察时，冷却板3222可以具有大致圆形的形状。冷却板3222设置有冷却构件3224。根据实施例，冷却构件3224形成在冷却板3222的内侧，并且可以设置为冷却流体流动所通过的流动路径。
加热单元3230包括加热板3232、盖(cover)3234、加热器3233和温度传感器3239。当从顶部观察时，加热板3232具有大致圆形的形状。加热板3232具有比基板W的直径大的直径。加热器3233安装在加热板3232中。加热器3233可以设置为加热电阻器，电流被施加到该加热电阻器。加热板3232设置有沿着第三方向16在竖直方向上可驱动的升降销3238。升降销3238将从加热单元3230外侧的传送设施接收基板W、并将接收的基板W放置在加热板3232上，或从加热板3232升降基板W以将基板W接送至加热单元3230外侧的传送设施。根据实施例，可以设置三个升降销3238。盖3234具有空间，该空间在其中具有敞开的下部。盖3234位于加热板3232上方，并由驱动器3236上下移动。由盖3234和加热板3232根据盖3234的移动而形成的空间被设置为用于加热基板W的加热空间。温度传感器3239可实时测量加热板3232的温度，并将加热板3232的测量的温度测量值实时传输至控制器600。
此外，作为设置在施用块300a中的热处理腔室320的第一热处理腔室的加热板3232、盖3234、加热器3233和温度传感器3239可以被称为第一加热板、第一盖、第一加热器和第一温度传感器。此外，作为设置在显影块300b中的热处理腔室320的第二热处理腔室的加热板3232、盖3234、加热器3233和温度传感器3239可以被称为第二加热板、第二盖、第二加热器和第二温度传感器。
传送板3240被设置为大体盘的形状，并且具有对应于基板W直径的直径。凹口3244形成在传送板3240的边缘处。凹口3244可以具有对应于形成在传送机械手352的手部354上的突起3543的形状。此外，凹口3244的数量可以设置为对应于形成在手部354上的突起3543的数量，并且形成在对应于突起3543的位置处。当手部354和传送板3240的上下位置在手部354和传送板3240竖直对齐的位置变化时，基板W在手部354与传送板3240之间传送。传送板3240安装在导轨3249上并可以沿导轨3249在第一区域3212和第二区域3214之间由驱动器3246移动。传送板3240中设有多个狭缝状导向槽3242。导向槽3242从传送板3240的端部延伸到传送板3240的内侧。导向槽3242的长度方向设置为沿着第二方向14，并且导向槽3242沿第一方向12彼此间隔开。导向槽3242防止当基板W在传送板3240和加热单元3230之间传送时传送板3240和升降销3238彼此相互干扰。
在其上放置有基板W的传送板3240在与冷却板3222接触的状态下，冷却基板W。传送板3240由具有高导热性的材料形成，以使得良好地实现冷却板3222和基板W之间的热传送。根据实施例，传送板3240可以由金属材料设置。
设置在热处理腔室320中的一些热处理腔室中的加热单元3230可以在加热基板W的情况下供应气体以改善光刻胶对基板W的粘附速率。根据实施例，气体可以是六甲基乙硅烷(hexamethyldisilane，HMDS)气体。
设置多个液体处理腔室360。液体处理腔室360中的一些液体处理腔室可以设置为彼此相互堆叠。液体处理腔室360设置在传送腔室350的一侧处。液体处理腔室360沿第一方向12并排布置。液体处理腔室360中的一些液体处理腔室设置在邻近索引模块100的位置处。在下文中，这些液体处理腔室360被称为前部液体处理腔室362。液体处理腔室360中的另一些液体处理腔室设置在邻近接口模块500的位置处。在下文中，这些液体处理腔室360被称为后部液体处理腔室364。
作为设置在施用块300a中的液体处理腔室360的第一液体处理腔室可以供应施用液体，并且作为设置在显影块300b中的液体处理腔室360的第二液体处理腔室可以供应显影剂。在施用块300a中设置的液体处理腔室360中，前部液体处理腔室362将第一液体施用到基板W上，并且在施用块300a中设置的液体处理腔室360中，后部液体处理腔室364将第二液体施用到基板W上。第一液体和第二液体可以是不同类型的液体。根据示例性实施方案，第一液体可以是用于形成减反射膜的施用液体，并且第二液体可以是用于形成光刻胶膜的施用液体。可以将光刻胶施用至形成有减反射膜的基板W上。任选地，第一液体可以为光刻胶，且第二液体可以为减反射膜。在这种情况下，可将减反射膜施用到施用有光刻胶的基板W上。任选地，第一液体和第二液体可以是相同类型的液体，并且第一液体和第二液体都可以是光刻胶。
图9是示意性示出了图7的液体处理腔室中设置的基板处理装置的实施例的图，以及图10是在图9的液体处理腔室中设置的基板处理装置的俯视平面图。图9和图10示出了第一液体处理腔室，该第一液体处理腔室是设置在施用块300a中的液体处理腔室360。然而，作为设置在显影块300b中的液体处理腔室360的第二液体处理腔室包括与第一液体处理腔室的配置相同或相似的配置，因此对第二液体处理腔室的重复描述将被省略。
参考图9和图10，处理基板W的基板处理装置1000可以设置在液体处理腔室360中。在基板W上执行液体处理的基板处理装置1000可以设置在液体处理腔室360中。
设置在液体处理腔室360中的基板处理装置1000可以包括壳体1100、处理容器1200、支承单元1300、气流供应单元1400、液体供应单元1500和控制器1900。
壳体1100可以具有内部空间1102。壳体1100可以设置为具有内部空间1102的四边形圆柱形状。在壳体1100的一侧处可以形成有开口(未示出)。该开口可以用作入口，通过该入口将基板W装载到内部空间1102中或从内部空间1102卸载基板W。此外，为了选择性地关闭开口，可以在与开口相邻的区域中安装门(未示出)。在执行将基板W装载到内部空间1102中的处理工艺的情况下，门可以通过阻塞开口来密封内部空间1102。
处理容器1200可以设置在内部空间1102中。处理容器1200可以具有处理空间1202。也就是说，处理容器1200可以是具有处理空间1202的碗状物(bowl)。相应地，可以设置内部空间1102以围绕处理空间1202。处理容器1200可以具有带有敞开的顶部的杯形状。处理容器1200的处理空间1202可以是支承单元1300(将在下面描述)在其中支承并旋转基板W的空间。处理空间1202可以是液体供应单元1500和润湿单元1600中的每一者供应处理介质并处理基板W的空间。
处理容器1200可以包括内杯状物1210和外杯状物1230。外杯状物1230设置成围绕支承单元1300的圆周，以及内杯状物1210可以定位在外杯状物1230的内侧。当从顶部观察时，内杯状物1210和外杯状物1230中的每一者可以具有环形环状。内杯状物1210和外杯状物1230之间的空间可以用作回收路径，通过该回收路径回收引入到处理空间1202中的处理介质。
当从顶部观察时，内杯状物1230可以设置成围绕将在下文描述的支承单元1300的旋转轴1330的形状。例如，当从顶部观察时，内杯状物1230可以设置成围绕旋转轴1330的圆板形状。当从顶部观察时，内杯状物1230可以定位成与联接至壳体1100的排放口1120重叠。内杯状物1230可以具有内部和外部。内部和外部中的每一者的上表面可以被设置为基于虚拟水平线具有彼此不同的角度。例如，当从顶部观察时，内部可以定位成与支承单元1300(将在下面描述)的支承板1310重叠。内部可以定位成面向旋转轴1330。内部可以具有上表面，该上表面随着其远离旋转轴1330而向上倾斜，并且外部可以从内部向外延伸。外部可以具有上表面，该上表面随着其远离旋转轴1330而向下倾斜。内部的上端可以在竖直方向上与基板W的侧端部(lateral end portion)一致。根据实施例，外部和内部相交的点可以位于比内部的上端更低的位置。内部和外部相交的点可以被设置成是倒圆的。外部可以与外杯状物1230结合以形成回收路径，通过该回收路径回收处理介质，诸如处理液体和润湿介质。
外杯状物1230可以设置为围绕支承单元1300和内杯状物1210的杯形状。外杯状物1230可具有底部1232、侧部1234和倾斜部1236。底部1232可以具有圆形板状，该圆形板状具有空心。回收管线1238可以连接到底部1232。回收管线1238可以用于回收供应到基板W的处理介质。由回收管线1238回收的处理介质可以由外部再循环系统再利用。侧部1234可以具有围绕支承单元1300的环形环状。侧部1234可以在竖直方向上从底部1232的侧端延伸。侧部1234可以从底部1232向上延伸。
倾斜部1236可以从侧部1234的上端沿朝着外杯状物1230的中心轴线的方向延伸。倾斜部1236的内表面可以设置为向上倾斜以便靠近支承单元1300。倾斜部分1236可以设置为具有环形。在基板W的处理工艺期间，倾斜部1236的上端可以定位成高于由支承单元1300支承的基板W。
内升降构件1242和外升降构件1244可以分别向上移动或向下移动内杯状物1210和外杯状物1230。内升降构件1242联接到内杯状物1210，以及外升降构件1244联接到外杯状物1230以分别向上移动和向下移动内杯状物1210和外杯状物1230。
支承单元1300可以支承并旋转基板W。支承单元1300可以是支承并旋转基板W的卡盘。支承单元1300可以包括支承板1310、旋转轴1330和旋转驱动器1350。支承板1310可以具有将基板W安置在其上的安置表面。当从顶部观察时，支承板1310可以具有圆形的形状。当从顶部观察时，支承板1310可以具有比基板W小的直径。抽吸孔(未示出)形成在支承板1310中以通过真空抽吸方法夹紧基板W。可选地，在支承板1310上设置静电板(未示出)以通过使用静电力的静电吸附方法来夹紧基板W。任选地，支承板1310可设置有用于支承基板W的支承销，使得支承销与基板W彼此物理接触以夹紧基板W。
旋转轴1330可以联接到支承板1310。旋转轴1330可以联接到支承板1310的下表面。旋转轴1330可以设置为使得其纵向方向在竖直方向上。旋转轴1330可以通过接收来自旋转驱动器1350的功率而旋转。相应地，旋转轴1330可以旋转支承板1310。旋转驱动器1350可以改变旋转轴1330的旋转速度。旋转驱动器1350可以是提供驱动力的马达。然而，本发明不限于此，并且旋转驱动器1350可以被各种修改为提供驱动力的已知设备。
气流供应单元1400可以将气流供应到内部空间1102。气流供应单元1400可以将下行的气流供应到内部空间1102。气流供应单元1400可以将温度受控的和/或湿度受控的气流供应到内部空间1102。气流供应单元1400可以安装在壳体1100中。气流供应单元1400可以安装在处理容器1200和支承单元1300上方。气流供应单元1400可以包括风扇1410、气流供应管线1430和过滤器1450。气流供应单元1430可以将温度受控的和/或湿度受控的外部气流供应到内部空间1102。过滤器1450安装在气流供应管线1430中以去除包含在流过气流供应管线1430的外部气流中的杂质。此外，当风扇1410被驱动时，由气流供应管线1430供应的外部气流可以被均匀地传输到内部空间1102。
液体供应单元1500可以将处理液供应到由支承单元1300支承的基板W。由液体供应单元1500供应到基板W的处理液PR可以是施用液体。例如，施用液体可以是光敏液体，诸如光刻胶。并且，液体供应单元1500可以将预润湿液供应到由支承单元1300支承的基板W。由液体供应单元1500供应到基板W的预润湿液TH可以是能够改变基板W的表面性质的液体。例如，预润湿液TH可以是稀释剂，该稀释剂能够将基板W的表面性质改变为具有疏水性。
液体供应单元1500可以包括预润湿喷嘴(无湿润喷嘴)1510、处理液喷嘴1530、臂1540、导轨1550和驱动器1560。
预润湿喷嘴1510可将上述的预润湿液TH供应至基板W。预润湿喷嘴1510可将预润湿液TH以流的方式供应至基板W。处理液喷嘴1530可以将上述的处理液PR供应到基板W。处理液喷嘴1530可以是施用液体喷嘴，该施用液体喷嘴供应诸如上述光刻胶等施用液体。处理液喷嘴1530可以以流的方式将处理液PR供应到基板W。
臂1540可以支承预润湿喷嘴1510和处理液喷嘴1530。预润湿喷嘴1510和处理液喷嘴1530可以安装在臂1540的一个端部处。预润湿喷嘴1510和处理液喷嘴1530中的每一者可以安装在臂1540的一个端部的下表面上。当从顶部观察时，预润湿喷嘴1510和处理液喷嘴1530可以在与导轨1550(将在下面描述)的纵向方向平行的方向上布置。臂1540的另一端部可以与驱动器1560联接。臂1540可以由移动臂1540的驱动器1560移动。相应地，可以改变安装在臂1540上的预润湿喷嘴1510和处理液喷嘴1530的位置。臂1540的运动方向可以沿导轨1550被引导，驱动器1560安装在该导轨上。导轨1550可以设置为使得其纵向方向面向水平方向。例如，导轨1550可以设置成使得导轨的纵向方向面向平行于第一方向12的方向。任选地，臂1540可以通过联接至旋转轴而旋转，该旋转轴的纵向方向面向第三方向16。旋转轴可以通过驱动器旋转。相应地，可以改变安装在臂1540上的预润湿喷嘴1510和处理液喷嘴1530的位置。
返回参照图5和图6，设置了多个缓冲腔室312和316。这些缓冲腔室312和316中的一些缓冲腔室设置在索引模块100与传送腔室350之间。在下文中，前述缓冲腔室被称为前部缓冲区312。设置了多个前部缓冲区312，并且多个前部缓冲区被定位成在竖直方向上彼此堆叠。缓冲腔室312和316的另一部分设置在传送腔室350与接口模块500之间。在下文中，前述缓冲腔室被称为后部缓冲区316。设置了多个后部缓冲区316，并且多个后部缓冲区被定位成在竖直方向上彼此堆叠。前部缓冲区312和后部缓冲区316中的每一者临时储存多个基板W。储存在前部缓冲区312中的基板W由索引机械手132和传送机械手352装载和卸载。储存在后部缓冲区316中的基板W由传送机械手352和第一机械手552装载或卸载。
此外，用于在前部缓冲区312之间传送基板W的第一前部缓冲机械手314和第二前部缓冲机械手315可以设置在前部缓冲区312的一侧和另一侧上。当从顶部观察时，第一前部缓冲机械手314和第二前部缓冲机械手315可以彼此对称地定位，其中前部缓冲区312插在它们之间。此外，第一前部缓冲机械手314和第二前部缓冲机械手315可以各自具有传送手部。此外，第一前部缓冲机械手314和第二前部缓冲机械手315可以设置在彼此不同的高度处。
此外，用于在后部缓冲区316之间传送基板W的第一后部缓冲机械手318和第二后部缓冲机械手319可以设置在后部缓冲区316的一侧和另一侧上。当从顶部观察时，第一后部缓冲机械手318和第二后部缓冲机械手319可以彼此对称地定位，其中后部缓冲区316插在它们之间。此外，第一后部缓冲机械手318和第二后部缓冲机械手319可以各自具有传送手部。此外，第一后部缓冲机械手318和第二后部缓冲机械手319可以设置在彼此不同的高度处。
接口模块500将处理模块30与外部曝光设备700连接。接口模块500包括接口框架510、附加工艺腔室520、接口缓冲区530和接口机械手550。
用于在其中形成下行流动的风扇过滤器单元可以设置在接口框架510的上端处。附加工艺腔室520、接口缓冲区530和接口机械手550被设置在接口框架510的内侧。在附加工艺腔室520中，已经在施用块300a中完全处理的基板W可以被传送到曝光设备700。在曝光设备700中，可以在其上形成有施用膜的基板W上执行通过使用掩模照射光的曝光工艺。此外，可以在将基板W装载到曝光设备700中之前执行预定的附加工艺。任选地，附加工艺腔室520可以在已在曝光设备700中完全处理的基板W被装载到显影块300b中之前执行预定的附加工艺。根据一个实施例，附加工艺可以是曝光基板W的边缘区域的边缘曝光工艺、清洁基板W的上表面的顶表面清洁工艺、或清洁基板W的下表面的下表面清洁工艺。提供了多个附加工艺腔室520，并且该多个附加工艺腔室可以设置为彼此堆叠。所有附加工艺腔室520可以设置为执行相同的工艺。任选地，附加工艺腔室520的一部分可以设置为执行不同的工艺。
接口缓冲区530提供在施用块300a、附加工艺腔室520、曝光设备700和显影块300b之间传送的基板W在传送期间临时停留的空间。可以设置多个接口缓冲区530，并且多个接口缓冲区530可以设置为彼此堆叠。
根据实施例，附加工艺腔室520可以基于纵向方向的延长线设置在传送腔室350的一侧上，且接口缓冲区530可以设置在传送腔室的另一侧上。
接口机械手550在施用块300a、附加工艺腔室520、曝光设备700和显影块300b之间传送基板W。接口机械手550可以具有传送基板W的传送手部。接口机械手550可以设置为一个或多个机械手。根据实施例，接口机械手550具有第一机械手552和第二机械手554。第一机械手552可以设置为在施用块300a、附加工艺腔室520和接口缓冲区530之间传送基板W，以及第二机械手554可以设置为在接口缓冲区530和曝光设备700之间传送基板W，以及第二机械手554可以设置为在接口缓冲区530和显影块300b之间传送基板W。
第一机械手552和第二机械手554各自包括传送手部，基板W放置在该传送手部上，并且手部可以设置为向前和向后可移动的、关于与第三方向16平行的轴线可旋转的、并且沿着第三方向16可移动的。
图11是示意性地示出了本发明的控制器的框图。控制器600可以控制基板处理装置10。控制器600可以控制基板处理装置10的配置。控制器600可以控制基板处理装置10的配置，以执行下面将描述的基板处理方法和温度控制方法。例如，控制器600可以控制包括在第二热处理腔室中的第二加热器，以便执行下面描述的基板处理方法和温度控制方法。另外，控制器600可以分别从第一温度传感器和第二温度传感器实时接收用于第一加热板和第二加热板的温度变化的温度数据，以便执行下面描述的基板处理方法和温度控制方法。
控制器600可以包括第一控制器610、第二控制器620和曲线生成器630。第一控制器610可以是执行将在下面描述的第一控制操作S23-1的跟踪控制器。第二控制器620可以是执行将在下面描述的第二控制操作S23-2的调节控制器。曲线生成器630可以执行将在下面描述的生成操作S22。此外，控制器600可以包括：由微处理器(计算机)形成的工艺控制器，该控制器执行基板处理装置10的控制；由键盘形成的用户接口，操作者在该用户接口中执行命令输入操作等以管理基板处理装置10；用于可视化和显示基板处理装置10等的操作状况的显示器；以及存储单元，该存储单元存储用于在工艺控制器的控制下执行在基板处理装置10中执行的工艺的控制程序、或者存储用于根据各种数据和工艺条件在各组件中执行工艺的程序(即，处理方案)。此外，用户接口和存储单元可以连接至工艺控制器。处理方案可以存储在存储单元中的存储介质中，并且存储介质可以是硬盘，且也可以是便携式磁盘(诸如CD-ROM或DVD)、或半导体存储器(诸如闪存)。
图12是示意性示出了根据本发明的示例性实施方案的基板处理方法和温度控制方法的流程图。参考图12，根据本发明的示例性实施例方案的基板处理方法可以包括施用工艺S11和S13、曝光工艺S15和显影工艺S17。施用工艺S11和S13可以包括第一施用工艺S11和第二施用工艺S13。第一施用工艺S11可以是通过供应施用液体在基板W上形成薄膜(诸如上述的ARC)的工艺。第二施用工艺S13可以是供应施用液体以在基板W上形成薄膜(诸如上述的光刻胶膜)的工艺。曝光工艺S15可以是通过使用掩模用光照射形成在基板W上的薄膜的工艺。显影工艺S17可以是通过向已执行了曝光工艺S15的基板W上的薄膜供应显影剂而在基板W上形成图案的工艺。
可以在第一施用工艺S11和第二施用工艺S13之间执行第一-1(first-1)加热工艺S12。第一-1加热工艺S12可以是稳定上述ARC的ARC烘烤工艺。
可以在第二施用工艺S13和曝光工艺S15之间执行第一-2加热工艺S14。第一-2加热工艺S14可以是稳定上述光刻胶膜并将基板W加热到低温的软烘烤工艺。在第一-2加热工艺S14中，可以使残留在基板W上的溶剂组分蒸发。
另外，也可以将在曝光工艺S15之前执行的第一-1加热工艺S12和第一-2加热工艺S14称为第一加热工艺。
在曝光工艺S15和显影工艺S17之间执行第二-1(second-1)加热工艺S16。第二-1加热工艺S16可以是后曝光烘烤(Post Exposure Bake，PEB)工艺。在第二-1加热工艺S16中，可以使基板W上的光刻胶膜的表面平坦化，并且可以改善驻波(由于曝光处理期间的光干涉而在光刻胶膜界面处形成的晶粒)。
在执行显影工艺S17之后，可以执行第二-2加热工艺S18。第二-2加热工艺S18可以是硬烘烤工艺，其中去除残留在基板W上的溶剂和显影剂，并且改善光刻胶膜的热性能。
另外，也可以将在曝光工艺S15之后执行的第二-1加热工艺S16和第二-2加热工艺S18称为第二加热工艺。
第一加热工艺可以在第一热处理腔室中执行，该第一热处理腔室是设置在上述施用块300a中的热处理腔室320。第二加热工艺可以在第二热处理腔室中执行，该第二热处理腔室是设置在上述显影块300b中的热处理腔室320。
在下文中，将详细描述设置在第二热处理腔室中的第二加热板的温度控制方法。
返回参照图12，根据本发明的示例性实施方案的用于加热基板W的第二加热板的温度控制方法可以包括收集操作S21、生成操作S22和控制操作S23。
在收集操作S21中，可以收集在第一加热工艺S12和S14中用于加热基板W的第一加热板的温度数据MP。例如，在收集操作S21中，第一温度传感器可以测量第一加热板的温度，并且所测量的温度数据可以被传输到控制器600。温度数据MP可以包括关于第一加热板的温度随时间变化的信息。收集操作S21可以被执行多次。例如，收集操作S21可以在第一-1加热工艺S12和第一-2加热工艺S14中的每一者中执行。即，在收集操作S21中，可以从多次执行的第一加热工艺的每一者中执行至少两个或更多个温度数据MP。
在生成操作S22中，可以基于收集的温度数据MP生成用于使第二加热板的温度达到设定温度的目标曲线TP。
图13是图12的生成操作的详细流程图，以及图14是示出了图13的生成操作中生成的预测曲线和目标曲线的状态的图形。参考图13和图14，生成操作S22可以包括预测曲线生成操作S22-1和目标曲线生成操作S22-2。
在预测曲线生成操作S22-1中，基于在收集操作S21中收集的关于第一加热板的温度变化的温度数据MP，可以生成关于预测的第二加热板的温度变化的预测曲线PP。例如，预测曲线PP可以通过使用温度数据MP作为输入值并且使用预测曲线PP作为输出值的转换函数来生成。可以通过预先获得的参考数据来生成转换函数。
具体地，第一加热工艺S12和S14以及第二加热工艺S16和S18可以具有用于处理基板的不同的处理条件。例如，在第一加热工艺S12和S14中加热基板W的温度与在第二加热工艺S16和S18中加热基板W的温度可以不同。另外，在第一加热工艺S12、S14期间被装载至第一加热单元的基板W的温度与在第二加热工艺S16和S18期间被装载至第二加热单元的基板W的温度可以彼此不同。换言之，第一加热工艺S12和S14中第一加热板的温度变化与第二加热工艺S16和S18中第二加热板的温度变化可以不完全相同。考虑到加热工艺之间设置的处理条件的差异，转换函数使得可以输出预测曲线PP。另外，考虑到第一加热板和第二加热板之间的物理特性的差异，转换函数使得可以输出预测曲线PP。
可以通过预先获得的参考数据来生成转换函数。参考数据可以是预先获得的数据。参考数据可以包括：根据当使用第一加热板加热基板时的设定处理条件，关于第一加热板的温度变化的信息；以及根据当使用第二加热板加热基板时的设定处理条件，关于第二加热板的温度变化的信息。当从参考数据中收集第一加热板的温度变化和第二加热板的温度变化时，待处理目标可以是同一基板。例如，在获取参考数据时，可以将由第一加热板加热的基板传送到第二加热板。参考数据包括：当使用第一加热板加热基板W时的设定处理条件(例如，基板W的目标加热温度和加热时间)和使用第二加热板加热基板W时的设定处理条件(例如，基板W的目标加热温度和加热时间)。
可以获得多个参考数据。可以统计多个参考数据。基于统计参考数据生成的转换函数可以使用在第一加热工艺S12和S14中获得的温度数据MP作为输入值而输出预测曲线PP，该预测曲线PP是第二加热工艺S16和S18中第二加热板的温度变化。
在目标曲线生成操作S22-2中，可以从预测曲线PP生成用于使第二加热板达到设定温度RT的目标曲线TP。目标曲线TP可以具有与基于设定温度RT的预测曲线PP对称的形状。
并且，可以在执行曝光工艺S15的情况下执行生成操作S22。即，由于在进行曝光工艺S15的情况下执行目标曲线TP的生成，因此能够防止上述第二加热工艺被延迟。
返回参照图12，在生成操作S22中生成的目标曲线TP可以用于控制用于在第二加热工艺中加热基板W的第二加热板的温度。例如，目标曲线TP可以用于控制第二加热板的温度，该第二加热板在曝光工艺S15之后执行的第二-1加热工艺S16和/或在显影工艺S17之后执行的第二-2加热工艺S18中加热基板W。例如，目标曲线TP可以用作参考数据，该参考数据用于控制用于确定第二加热板的温度的第二加热器的输出。
图15是图12的控制操作的详细流程图，图16是示意性地示出了第二加热板的温度控制操作的实施例的框图，图15的第一控制操作和第二控制操作被施用到该第二加热板的温度控制操作，以及图17是示意性地示出了第二加热板的温度变化的图形。
参考图15至图17，根据本发明的示例性实施方案的控制操作S23可以包括第一控制操作S23-1和第二控制操作步骤S23-2。
第一控制器610可以执行第一控制操作S23-1。在第一控制操作S23-1中，目标曲线TP可以用作参考数据Ref1。在第一控制操作S23-1中，可以基于目标曲线TP来控制第二加热板的温度。在第一控制操作S23-1中用于控制第二加热板的温度的控制值可以基于目标曲线TP来确定，而不受第二温度传感器测量的测量值的影响。
第二控制器620可以执行第二控制操作S23-2。在第二控制操作S23中，设定温度RT可以用作参考数据Ref2。在第二控制操作S23-2中，可以基于设定温度RT来反馈控制第二加热板的温度控制。例如，当第二温度传感器测量的第二加热板的温度与设定温度RT不同时，第二控制器620控制第二加热器使第二加热板的温度达到设定温度RT。重复该工艺直到第二加热板的温度达到设定温度RT。
此外，执行第一控制操作S23-1的持续时间和执行第二控制操作S23-2的持续时间可以至少部分重叠。例如，第一控制操作S23-1和第二控制操作S23-2可以同时执行。例如，第一控制操作S23-1可以在第二控制操作S23-2之前开始。另外，第一控制操作S23-1可以在第二控制操作S23-2之后开始。
当第一控制操作S23-1和第二控制操作S23-2一起执行时，第一控制器610的控制值输出和第二控制器620的控制值输出可以彼此结合以传输到第二加热器，用于控制第二加热板的温度。
加热基板W的热处理工艺中使用的加热板的温度变化与参照图3所描述的相同。图3所示的加热板的温度变化是因为控制加热板的温度的控制器C仅使用具有恒定温度值的设定温度RT作为参考数据Ref并执行反馈控制而出现的结果。更具体地说，控制器C测量加热板的温度，并且当测量的温度与设定温度RT不同时，重复调节加热板温度的工艺。换言之，由于在初步测量加热板的温度之后控制加热板的温度，因此需要大量时间来稳定加热板的温度。
然而，根据本发明的示例性实施方案，通过在收集操作S21中收集的温度数据MP而预测第二加热板的温度变化来生成预测曲线PP，并且通过生成的预定曲线PP来生成目标曲线TP。并且，在控制操作S23中，结合第一控制器610的控制值和第二控制器620的控制值来调节第二加热板的温度。利用第一控制器610输出的控制值，第二加热板的实际温度AT可以快速接近设定温度RT(对大的温度变化的抢先响应)。作为第二控制器620输出的控制值，可以精确控制第二加热板的实际温度AT和设定温度RT之间的微小差异(去除微小温度差异)。因此，可以有效地缩短执行第二加热工艺的持续时间，并且通过防止第二加热板的突然温度下降来防止过度地施加到第二加热板的热冲击。
此外，在曝光工艺S15之后，首先执行的第二-1加热工艺S16是对基板W上形成的图案的质量影响最大的加热工艺。当在第二-1加热工艺S16中执行根据本发明的示例性实施方案的控制操作S23时，可以将第二加热板的温度保持在设定温度RT，从而可以进一步改善在基板W上形成的图案的质量。
此外，如上所述，由于在执行曝光工艺S15的情况下执行目标曲线TP的生成，因此能够防止开始第二加热工艺被延迟的问题。
此外，加热板的温度变化的程度可以根据基板W的特性(例如尺寸和类型)而变化。然而，根据本发明的示例性实施方案，在对一个基板W执行工艺期间，通过曝光前第一加热工艺中第一加热板的温度变化来预测曝光后第二加热工艺中第二加热板的温度变化，从而控制第二加热板的温度。换言之，由于针对每个基板W生成用于第二加热板的温度控制的目标曲线TP，因此可以在第二加热板的温度控制中更准确地反映各个基板W的独特特性。
图18和图19是用于解释根据本发明的另一示例性实施方案的基板处理方法和温度控制方法的图。
第一热处理腔室(作为设置在上述施用块300a中的热处理腔室320)的第一加热器可以设置成多个，以便独立地加热从顶部观察时基板W的第一区域A1(中心区域)和第二区域A2(边缘区域)。例如，第一加热器中的任何一个第一加热器可以设置在第一加热板的与基板W的中心区域相对应的区域中，而第一加热器中的另一个第一加热器可以设置在第一加热板的与基板W的边缘区域相对应的区域中。
第二热处理腔室(作为设置在上述显影块300b中的热处理腔室320)的第二加热器可以设置成多个，以便独立地加热从顶部观察时基板W的第一区域A1(中心区域)和第二区域的A2(边缘区域)。例如，第二加热器中的任何一个第二加热器可以设置在第二加热板的与第一区域A1相对应的区域中，该第一区域A1为基板W的中心区域，以及第二加热器中的另一个第二加热器可以设置在第二加热板的与第二区域A2相对应的区域中，该第二区域A2为基板W的边缘区域。
此外，第一温度传感器可以将对应于第一区域A1的第一加热板的第一温度数据MP1和对应于第二区域A2的第一加热板的第二温度数据MP2传输到控制器600。
控制器600可以从第一温度数据MP1生成第一目标曲线TP1。此外，控制器600可以从第一温度数据MP1生成第二目标曲线TP2。
控制器600可以控制设置在第二加热板的与第一区域A1相对应的区域中的第二加热器的任一个第二加热器，该第一区域A1为基板W的中心区域，并且该控制器可以控制设置在第二加热板的与第二区域A2相对应的区域中的第二加热器的任一个第二加热器，该第二区域A2为基板W的边缘区域。
在上述实施例中，虽然已经基于在第一热处理腔室320(设置到施用块300a的热处理腔室320)中执行第一加热工艺以及在第二热处理腔室320(设置到显影块300b的热处理腔室320)中执行第二加热工艺的情况下，作为实施例描述了本发明，但是本发明不限于此。例如，第一加热工艺和第二加热工艺可以在同一热处理腔室320中执行。在这种情况下，这意味着第一加热板和第二加热板包括相同的配置。
在上述实施例中，虽然已经基于将调节基板W温度的板的温度控制方法应用于加热板的情况描述了本发明，但是本发明不限于此。例如，用于控制基板W温度的板的温度控制方法可以以相同或相似的方式应用于冷却板3222的温度控制。例如，如图20和图21中所示，将在曝光工艺之前冷却基板W的冷却板322称为第一冷却板，以及将在曝光工艺之后冷却基板W的冷却板322称为第二冷却板，并且温度控制方法可以执行第一控制操作S23-1，该第一控制操作通过收集在曝光工艺之前执行的第一冷却工艺中使用的第一冷却板的温度数据来预测第二冷却板的温度变化，从而生成预测曲线PP，从生成的预测曲线PP生成目标曲线TP，并基于生成的目标曲线TP来调节第二冷却板的温度；以及温度控制方法可以执行第二控制操作S23-2，该第二控制操作测量第二冷却板的温度并基于测量的温度反馈控制第二冷却板的温度。
并且，在上述的实施例中，虽然已经基于以下情况作为实施例描述了本发明，即第一控制器610的控制值输出和第二控制器620的控制值输出在第一控制操作S23-1和第二控制操作S23-2一起执行时被合并并且被传输到第二加热器以用于控制第二加热板的温度，但是本发明不限于此。例如，可以交替地执行第一控制器610的控制值输出和第二控制器620的控制值输出。例如，第一控制器610可以在工艺开始之后的一秒后输出控制值0.1，第二控制器620可以在工艺开始之后的0.2秒后输出控制值，第一控制控制器610可以在0.3秒后再次输出控制值，以及第二控制器620可以在工艺开始之后的0.4秒后输出控制值。由于参考数据Ref1通过目标曲线TP输出控制值，而与第二温度传感器的测量值无关，所以第一控制器610可以输出能够响应第二加热板的大的温度变化的控制值。由于第二控制器620输出的控制值是基于第二温度传感器测量的第二加热板的温度确定的，所以第二控制器620可以输出与第二加热板的微小温度变化相对应的控制值。
另外，上述预测曲线PP的准确度可以基于实际工艺结果进行补充。例如，在将基板W传送到第二加热板后，当比较第二温度传感器测量的第二加热板的温度与预测的预测曲线PP存在差异时，预测曲线PP可以被校正，并且可以基于校正的预测曲线PP重新生成目标曲线TP。
前述详细描述说明了本发明。此外，以上内容示出并描述了本发明的示例性实施方案，并且本发明可以在各种其他组合、修改和环境中使用。即，在本说明书中所公开的发明构思的范围、与本公开内容等同的范围和/或本领域的技术或知识的范围内，可以对前述内容进行修改或修正。前述示例性实施方案描述了实施本发明的技术精神的最佳状态，并且本发明的具体应用领域和用途中所需的各种改变是可能的。相应地，以上本发明的详细描述并非旨在将本发明限制于所公开的示例性实施方案。此外，所附权利要求应被解释为同样包括其他示例性实施方案。

Claims (20)

1.一种处理基板的方法，所述方法包括：
执行对形成有膜的所述基板进行热处理的第一加热工艺，以及在执行所述第一加热工艺之后执行对所述基板进行热处理的第二加热工艺；
收集操作，所述收集操作收集在所述第一加热工艺中加热所述基板的第一加热板的温度数据；以及
第一控制操作，所述第一控制操作基于所述温度数据调节在所述第二加热工艺中加热所述基板的第二加热板的温度。
2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
生成操作，所述生成操作从所述温度数据生成用于控制所述第二加热板的温度的目标曲线，
其中，所述第一控制操作包括基于所述目标曲线调节所述第二加热板的温度。
3.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括：
第二控制操作，所述第二控制操作在所述第二加热工艺中测量所述第二加热板的温度，并且基于测量的温度来反馈控制所述第二加热板的温度。
4.根据权利要求2或3所述的方法，所述方法还包括：
用光照射所述膜的曝光工艺，
其中，在所述曝光工艺之后执行所述第二加热工艺。
5.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括：
将显影剂供应至用所述光照射的所述膜的显影工艺，
其中，在所述显影工艺之后执行所述第二加热工艺。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二加热工艺被执行多次，并且
还包括将显影剂供应至用所述光照射的所述膜的显影工艺，
在所述显影工艺之前执行所述第二加热工艺中的任一个，并且
在所述显影工艺之后执行所述第二加热工艺中的另一个。
7.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述曝光工艺之前执行所述第一加热工艺。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一加热工艺被执行多次，
所述收集操作包括收集来自所述第一加热工艺的两个或更多个温度数据，并且
所述生成操作包括从所述温度数据生成所述目标曲线。
9.一种控制温度调节板的温度的方法，所述温度调节板调节基板的温度，所述方法包括：
执行温度调节工艺多次，所述温度调节工艺调节形成有膜的所述基板的温度；
收集操作，所述收集操作收集在所述温度调节工艺中在曝光工艺之前执行的第一温度调节工艺中使用的第一温度调节板的温度数据；
生成操作，所述生成操作基于所述温度数据预测在所述温度调节工艺中在所述曝光工艺之后执行的第二温度调节工艺中使用的第二温度调节板的温度变化、并且生成预测曲线；以及
第一控制操作，所述第一控制操作基于所述预测曲线控制所述第二温度调节板的温度。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述生成操作包括基于设定温度生成与所述预测曲线对称的目标曲线，以及
在所述第一控制操作中，基于所述目标曲线确定用于控制所述第二温度调节板的温度的控制值。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述温度数据包括：在执行所述第一温度调节工艺的情况下，关于所述第一温度调节板的温度变化的信息，
所述预测曲线由转换函数生成，所述转换函数接收所述温度数据并且输出所述预测曲线，并且
所述转换函数是基于预先获得的参考数据生成的，所述预先获得的参考数据包括：根据当使用所述第一温度调节板加热所述基板时的设定处理条件，关于所述第一温度调节板的所述温度变化的信息；以及根据当使用所述第二温度调节板加热所述基板时的设定处理条件，关于所述第二温度调节板的温度变化的信息。
12.根据权利要求10所述的方法，所述方法还包括：
第二控制操作，所述第二控制操作在所述第二温度调节工艺中测量所述第二温度调节板的温度，并且基于测量的温度将所述第二温度调节板的温度反馈控制到所述设定温度，
其中，基于所述第二温度调节板的所述测量的温度，确定用于在所述第二控制操作中控制所述第二温度调节板的温度的所述控制值。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，执行所述第一控制操作持续的时间和执行所述第二控制操作持续的时间至少部分重叠。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的方法，其中，所述第一温度调节工艺被执行多次，
所述收集操作包括收集来自所述第一温度调节工艺的所述温度数据，并且
所述生成操作包括从所述温度数据生成所述目标曲线。
15.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
液体处理腔室，所述液体处理腔室用于对所述基板进行液体处理；
热处理腔室，所述热处理腔室用于对所述基板进行热处理；
传送单元，所述传送单元用于在所述液体处理腔室、所述热处理腔室和外部曝光设备之间传送所述基板；以及
控制器，
其中，所述热处理腔室包括：
第一热处理腔室，所述第一热处理腔室在所述曝光设备执行曝光工艺之前对所述基板进行热处理；和
第二热处理腔室，所述第二热处理腔室对已执行所述曝光工艺的所述基板进行热处理，并且
所述第一热处理腔室包括：
第一加热板，所述第一加热板加热所述基板；
第一温度传感器，所述第一温度传感器测量所述第一加热板的温度；和
第一加热器，所述第一加热器控制所述第一加热板的温度；并且
所述第二热处理腔室包括：
第二加热板，所述第二加热板加热所述基板；
第二温度传感器，所述第二温度传感器测量所述第二加热板的温度；和
第二加热器，所述第二加热器控制所述第二加热板的温度；并且
所述控制器接收由所述第一温度传感器测量的所述第一加热板的温度数据，并且基于所述温度数据控制所述第二加热器以使得所述第二加热板达到设定温度。
16.根据权利要求15所述的装置，其中，所述控制器通过从所述温度数据预测所述第二加热板的温度变化、以及基于所述设定温度生成与预测曲线对称的目标曲线来生成所述预测曲线，并且
所述第二加热器基于所述目标曲线进行控制。
17.根据权利要求15或16所述的装置，其中，所述控制器接收由所述第二温度传感器测量的所述第二加热板的温度值，并且反馈控制所述第二加热器以使得接收到的温度值达到所述设定温度。
18.根据权利要求15所述的装置，其中，设置多个所述第一加热器，以便独立地加热当从顶部观察时所述基板的第一区域和与所述第一区域不同的第二区域，并且
设置多个所述第二加热器，以便独立地加热当从顶部观察时所述基板的第一区域和与所述第一区域不同的所述第二区域。
19.根据权利要求18所述的装置，其中，所述第一温度传感器将对应于所述第一区域的所述第一加热板的第一温度数据和对应于所述第二区域的所述第一加热板的第二温度数据中的每一者传送到所述控制器。
20.根据权利要求19所述的装置，其中，所述控制器从所述第一温度数据生成第一目标曲线，
从所述第二温度数据生成第二目标曲线，
基于所述第一目标曲线控制对应于所述第二加热板的所述第一区域的所述第二加热器，并且
基于所述第二目标曲线控制对应于所述第二加热板的所述第二区域的所述第二加热器。
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