CN115452853A - 一种隧穿钝化氧化层的质量检测方法 - Google Patents
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- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 title claims abstract description 39
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 25
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/01—Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种隧穿钝化氧化层的质量检测方法，包括：在硅基片上形成隧穿钝化氧化层后，将所述硅基片浸泡在刻蚀液中；在经过预设时长后取出所述硅基片，并通过显微装置观察所述硅基片的形成有所述隧穿钝化氧化层的一侧表面；若观察结果为所述硅基片的表面上形成有抛光点，则所述隧穿钝化氧化层的质量不合格；若观察结果为所述硅基片的表面上没有形成抛光点，则所述隧穿钝化氧化层的质量合格。本发明方便了隧穿钝化氧化层的质量的检测。
Description
技术领域
本发明涉及光伏发电技术领域，尤其涉及一种隧穿钝化氧化层的质量检测方法。
背景技术
常用的隧穿氧化钝化接触结构的形成基本是在PECVD、LPCVD、PE-ALD方式的腔体内一步完成超薄氧化硅和多(非)晶硅的沉积，然后经过高温炉管进行磷/硼元素掺杂。该工艺在应用的过程中保证电池效率提升稳定的关键，其中就包含超薄氧化层的厚度、密度和均匀性，以及高掺杂多晶硅的厚度、密度、均匀性和掺杂元素分布。而超薄氧化层因厚度极薄，硅片尺寸又愈来愈大，在基底硅表面的形成质量很容易出问题。
比如单片上的不同位置的形成厚度；比如在粗糙的硅表面的形成均匀性和致密性，甚至较高的掺杂退火温度后，超薄氧化硅层可能出现的塌陷和孔洞等情况这些都会影响最终电池的隧穿钝化质量。对于这种超薄到0.5-1.5nm的隧穿钝化氧化层，难以进行质量的检测。
发明内容
鉴于现有技术存在的不足，本发明提供了一种隧穿钝化氧化层的质量检测方法，包括：
在硅基片上形成隧穿钝化氧化层后，将所述硅基片浸泡在刻蚀液中；
在经过预设时长后取出所述硅基片，并通过显微装置观察所述硅基片的形成有所述隧穿钝化氧化层的一侧表面；
若观察结果为所述硅基片的表面上形成有抛光点，则所述隧穿钝化氧化层的质量不合格；
若观察结果为所述硅基片的表面上没有形成抛光点，则所述隧穿钝化氧化层的质量合格。
优选地，所述刻蚀液为质量浓度为2％～5％的NaOH溶液、KOH溶液、TMAH溶液中的一种。
优选地，所述预设时长为60秒～300秒。
优选地，将所述硅基片浸泡在所述刻蚀液时，所述刻蚀液的温度为55℃～65℃。
优选地，所述隧穿钝化氧化层的形成工艺为LPCVD工艺、PECVD工艺、PE-ALD工艺、高温硝酸氧化工艺、臭氧氧化工艺中的一种。
通过本发明的隧穿钝化氧化层的质量检测方法可以较方便地判断隧穿钝化氧化层的质量，从而有利于排查隧穿钝化氧化层的形成设备、原材料和工艺环境中存在的缺陷。
附图说明
图1为本发明实施例的隧穿钝化氧化层的质量检测方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。这些优选实施方式的示例在附图中进行了例示。附图中所示和根据附图描述的本发明的实施方式仅仅是示例性的，并且本发明并不限于这些实施方式。
在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本发明，在附图中仅仅示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本发明关系不大的其他细节。
本实施例提供了一种隧穿钝化氧化层的质量检测方法，如图1所示，该质量检测方法包括：
步骤S1、在硅基片上形成隧穿钝化氧化层后，将所述硅基片浸泡在刻蚀液中。
步骤S2、在经过预设时长后取出所述硅基片，并通过显微装置观察所述硅基片的形成有所述隧穿钝化氧化层的一侧表面。
由于本身的材料特性，硅基片的表面为粗糙表面。当形成的隧穿钝化氧化层中，因隧穿钝化氧化层的形成设备、原材料和工艺环境中所存在的缺陷而产生孔洞时，在刻蚀液的浸泡过程中，刻蚀液会通过隧穿钝化氧化层中的孔洞与硅基片的粗糙表面进行接触，并刻蚀周围的粗糙表面，从而形成光滑的抛光点。这样的抛光点在显微装置下相对于隧穿钝化氧化层中的孔洞容易被观察，因此：
若观察结果为所述硅基片的表面上形成有抛光点，则可以判断所述隧穿钝化氧化层的质量不合格；
若观察结果为所述硅基片的表面上没有形成抛光点，则可以判断所述隧穿钝化氧化层的质量合格。
优选地，在本实施例中，所述刻蚀液为质量浓度为2％～5％的NaOH溶液、KOH溶液、TMAH溶液中的一种。在所述刻蚀液中浸泡所述硅基片的预设时长为60秒～300秒。其中，将所述硅基片浸泡在所述刻蚀液时，所述刻蚀液的温度为55℃～65℃。
可选地，在本实施例中，所采用的隧穿钝化氧化层的形成工艺可以是LPCVD工艺、PECVD工艺、PE-ALD工艺、高温硝酸氧化工艺、臭氧氧化工艺中的一种。
通过本实施例的隧穿钝化氧化层的质量检测方法可以较方便地判断隧穿钝化氧化层的质量，从而有利于排查隧穿钝化氧化层的形成设备、原材料和工艺环境中存在的缺陷。具体是，当通过本实施例的隧穿钝化氧化层的质量检测方法检测到隧穿钝化氧化层的不良时，可以依序调整隧穿钝化氧化层的形成设备、原材料和工艺环境的方式来排查产生隧穿钝化氧化层缺陷的原因。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (5)
1.一种隧穿钝化氧化层的质量检测方法，其特征在于，包括：
在硅基片上形成隧穿钝化氧化层后，将所述硅基片浸泡在刻蚀液中；
在经过预设时长后取出所述硅基片，并通过显微装置观察所述硅基片的形成有所述隧穿钝化氧化层的一侧表面；
若观察结果为所述硅基片的表面上形成有抛光点，则所述隧穿钝化氧化层的质量不合格；
若观察结果为所述硅基片的表面上没有形成抛光点，则所述隧穿钝化氧化层的质量合格。
2.根据权利要求1所述的隧穿钝化氧化层的质量检测方法，其特征在于，所述刻蚀液为质量浓度为2％～5％的NaOH溶液、KOH溶液、TMAH溶液中的一种。
3.根据权利要求2所述的隧穿钝化氧化层的质量检测方法，其特征在于，所述预设时长为60秒～300秒。
4.根据权利要求3所述的隧穿钝化氧化层的质量检测方法，其特征在于，将所述硅基片浸泡在所述刻蚀液时，所述刻蚀液的温度为55℃～65℃。
5.根据权利要求1所述的隧穿钝化氧化层的质量检测方法，其特征在于，所述隧穿钝化氧化层的形成工艺为LPCVD工艺、PECVD工艺、PE-ALD工艺、高温硝酸氧化工艺、臭氧氧化工艺中的一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211024619.7A CN115452853A (zh) | 2022-08-25 | 2022-08-25 | 一种隧穿钝化氧化层的质量检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211024619.7A CN115452853A (zh) | 2022-08-25 | 2022-08-25 | 一种隧穿钝化氧化层的质量检测方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115452853A true CN115452853A (zh) | 2022-12-09 |
Family
ID=84297784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211024619.7A Pending CN115452853A (zh) | 2022-08-25 | 2022-08-25 | 一种隧穿钝化氧化层的质量检测方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115452853A (zh) |
-
2022
- 2022-08-25 CN CN202211024619.7A patent/CN115452853A/zh active Pending
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