CN115434004A - 一种单晶炉和用于硅片生产的热系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开的一种单晶炉和用于硅片生产的热系统。在筒体开设有分别与进水管和出水管连通的流道；并将筒体设置在导流筒内，通过上述公开的用于硅片生产的热系统，当热量由晶棒以及硅溶液辐射出来时，经过导流筒的吸收、反射和辐射，最终传递至筒体，然而由于筒体设有与进水管和出水管连通的流动，进而通过进水管输送冷却水经过筒体时，能够使筒体的温度快速降低，避免筒体温度升高，进而能够增加拉晶过程中的纵向温度梯度，提高了拉晶速度，节省了拉晶时间，进而提升了大直径单晶硅棒的生产效率。

Description

一种单晶炉和用于硅片生产的热系统
技术领域
本发明涉及单晶硅生产技术领域，具体为一种单晶炉和用于硅片生产的热系统。
背景技术
为了能够降低硅片生产成本，提升电池效率与组件功率，越来越多的企业计划生产大尺寸硅片。然而随着硅片生产尺寸的不断变大，以及坩埚中熔硅液面露出的面积越来越大，使得大直径单晶硅棒在拉制过程中，大直径的单晶硅棒无法快速拉晶，严重影响大直径单晶硅棒的生产效率。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种单晶炉和用于硅片生产的热系统，以解决大直径单晶硅棒在拉制过程中，大直径的单晶硅棒无法快速拉晶问题。
为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：
本发明第一方面公开了一种用于硅片生产的热系统，包括：换热装置和用于导流气体的导流筒；
换热装置包括进水管、出水管和筒体；
筒体开设有分别与进水管和出水管连通的流道；
筒体设置于导流筒内。
优选的，导流筒，包括：内壳、外壳、环形连接件和保温材料；
内壳和外壳均为环形结构；
内壳设置于外壳内；
环形连接件设置于内壳和外壳的底部，底部环形件、内壳和外壳合围形成环形腔体；
保温材料设置于环形腔体内。
优选的，环形连接件的上部为上止口，环形连接件的下部为下止口；
上止口的内径大于下止口的内径；
内壳的底部与上止口连接；
外壳的底部与下止口连接。
优选的，保温材料为石墨软毡。
优选的，筒体紧靠于内壳。
优选的，外壳采用碳-碳材质制成；
和/或，内壳采用石英材质制成。
优选的，环形连接件采用石墨制成。
优选的，内壳的上部内径大于内壳的下部内径，筒体的上部外径大于内壳的下部内径。
优选的，筒体内设有螺旋状流道。
本发明第二方面公开了一种单晶炉，包括如本发明第一方面公开的用于硅片生产的热系统。
由上述内容可知，本发明公开的一种单晶炉和用于硅片生产的热系统，在筒体开设有分别与进水管和出水管连通的流道；并将筒体设置在导流筒内，通过上述公开的用于硅片生产的热系统，当热量由晶棒以及硅溶液辐射出来时，经过导流筒的吸收、反射和辐射，最终传递至筒体，然而由于筒体设有与进水管和出水管连通的流动，进而通过进水管输送冷却水经过筒体时，能够使筒体的温度快速降低，避免筒体温度升高，进而能够增加拉晶过程中的纵向温度梯度，提高了拉晶速度，节省了拉晶时间，进而提升了大直径单晶硅棒的生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种用于硅片生产的热系统的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的用于硅片生产的热系统的A处的局部剖视图；
图3为本发明实施例提供的导流筒的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的环形连接件的结构示意图。
其中，导流筒1，内壳11，外壳12，环形连接件13、上止口131、下止口132；进水管21，出水管22，筒体23；晶棒3。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本申请中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
本发明实施例提供一种用于硅片生产的热系统，参见图1至图4，图1为用于硅片生产的热系统的结构示意图，用于硅片生产的热系统包括：换热装置和用于导流气体的导流筒1；
换热装置包括进水管21、出水管22和筒体23；
筒体23开设有分别与进水管21和出水管22连通的流道；
筒体23设置于导流筒1内。
需要说明的是，本申请主要用于生产直径为277±2mm的单晶硅棒，在筒体23上开设分别与进水管21和出水管22连通的流道，进而通过进水管21向筒体23输送冷却水，冷却水经过筒体23时，能够快速带走筒体23的温度，最终通过出水管22排出，保证了拉晶过程中的纵向温度梯度，有效提升了拉晶速度。
本发明实施例在筒体23开设有分别与进水管21和出水管22连通的流道；并将筒体23设置在导流筒1内，通过上述公开的用于硅片生产的热系统，当热量由晶棒3以及硅溶液辐射出来时，经过导流筒1的吸收、反射和辐射，最终传递至筒体23，然而由于筒体23设有与进水管21和出水管22连通的流动，进而通过进水管21输送冷却水经过筒体23时，能够使筒体23的温度快速降低，避免筒体23温度升高，进而能够增加拉晶过程中的纵向温度梯度，提高了拉晶速度，节省了拉晶时间，进而提升了大直径单晶硅棒的生产效率。
优选的，筒体23的上部直径大于筒体23的下部直径。
具体的，导流筒1，包括：内壳11、外壳12、环形连接件13和保温材料；
内壳11和外壳12均为环形结构；
内壳11设置于外壳12内；
环形连接件13设置于内壳11和外壳12的底部，底部环形件、内壳11和外壳12合围形成环形腔体；
保温材料设置于环形腔体内。
需要说明的是，将内壳11和外壳12均设置为环形结构；并将内壳11设置于外壳12内；环形连接件13设置于内壳11和外壳12的底部，底部环形件、内壳11和外壳12合围形成环形腔体；以及将保温材料设置于环形腔体内，可在热量由晶棒3以及硅溶液辐射出来时，经过内壳11和外壳12不断吸收、反射和辐射，是热量传递至筒体23，然后通过换热装置将辐射的热量带走，降低了导流筒1向晶棒3发射或辐射的热量，提高了晶棒3的生长速率。
进一步，环形连接件13的上部为上止口131，环形连接件13的下部为下止口132；
上止口131的内径大于下止口132的内径；
内壳11的底部与上止口131连接；
外壳12的底部与下止口132连接。
需要说明的是，通过在环形连接件13的上部设置上止口131，环形连接件13的下部设置下止口132；并使上止口131的内径大于下止口132的内径；将内壳11的底部与上止口131连接，外壳12的底部与下止口132连接，通过上述方案装配形成的导流筒1，能够有效减小导流筒1的加工难度。
具体的，保温材料为石墨软毡。
需要说明的是，保温材料可以为石墨软毡，也可以为其他保温材料，保温材料并不仅限于石墨软毡。
具体的，筒体23紧靠于内壳11。
需要说明的是，将筒体23紧靠内壳11设置，内壳11能够快速将热量传递给筒体23，使内壳11能够快速降温。
进一步，外壳12采用碳-碳材质制成。
需要说明的是，外壳12可以采用碳-碳材质制成，也可以采用其他材质制成，本领域技术人员可根据需求进行选择，但是，在本申请中，外壳12优选采用碳-碳材质制成。
具体的，内壳11采用石英材质制成。
需要说明的是，将内层采用石英材质制成，使得内壳11对热量具有极高的反射率，进而热量沿导流筒1传递时，能够快速传递热量，避免导流筒1温度升高，进而能够降低导流筒1向晶棒3发射热量，提升晶棒3的生长速率。
具体的，环形连接件13采用石墨制成。
需要说明的是，环形连接件13可以采用石墨制成，也可以采用其他材质制成，本领域技术人员可根据需求进行选择。
具体的，内壳11的上部内径大于内壳11的下部内径，筒体23的上部外径大于内壳11的下部内径。
需要说明的是，筒体23一般采用金属材质制成，因此，为了避免筒体23在高温硅液烘烤下损坏，将内壳11的上部内径设置成大于内壳11的下部内径，筒体23的上部外径设置成大于内壳11的下部内径，进而内壳11能够对筒体23进行支撑，保证筒体23位于内壳11内，以防止高温硅液直接烘烤筒体23。
优选的，筒体采用不锈钢制成。
优选的，环形连接件13的厚度范围为5mm至20mm。
需要说明的是，环形连接件13的厚度可以为5mm，也可以为20mm，还可以为8mm，本领域技术人员可根据需求进行选择。
进一步，筒体23内设有螺旋状流道。
需要说明的是，通过在筒体23内设置螺旋状流道，能够增加冷却水与筒体23的接触面积，进而使水经过筒体23时，能够吸收更多热量。
优选的，冷却水温度为30±2℃，冷却水的流速范围为70L/min至90L/min。
基于上述公开的用于硅片生产的热系统，本发明实施例还公开了一种单晶炉，单晶炉包括：用于硅片生产的热系统；
用于硅片生产的热系统包括：换热装置和用于导流气体的导流筒1；
换热装置包括进水管21、出水管22和筒体23；
筒体23开设有分别与进水管21和出水管22连通的流道；
筒体23设置于导流筒1内。
需要说明的是，本申请主要用于生产直径为277±2mm的单晶硅棒，在筒体23上开设分别与进水管21和出水管22连通的流道，进而通过进水管21向筒体23输送冷却水，冷却水经过筒体23时，能够快速带走筒体23的温度，最终通过出水管22排出，保证了拉晶过程中的纵向温度梯度，有效提升了拉晶速度。
本发明实施例在筒体23开设有分别与进水管21和出水管22连通的流道；并将筒体23设置在导流筒1内，通过上述公开的单晶炉，当热量由晶棒3以及硅溶液辐射出来时，经过导流筒1的吸收、反射和辐射，最终传递至筒体23，然而由于筒体23设有与进水管21和出水管22连通的流动，进而通过进水管21输送冷却水经过筒体23时，能够使筒体23的温度快速降低，避免筒体23温度升高，进而能够增加拉晶过程中的纵向温度梯度，提高了拉晶速度，节省了拉晶时间，进而提升了大直径单晶硅棒的生产效率。
基于上述公开的用于硅片生产的热系统，本申请还公开了一种单晶拉制方法。
步骤1、完成单晶炉内部件安装并融化硅料；
步骤2、设定单晶炉各部件参数；
步骤3、设定水冷屏内冷却水路流量参数；
步骤4、单晶硅穿过水冷屏拉直生长。
其中，步骤1与现有技术相同，此处不做赘述；在步骤2中，需要设定提拉单晶硅棒的提拉头转速，硅棒提升速率，熔硅石英埚转速，单晶炉内保护气体炉压，保护气体流速及外导流筒下沿距离熔硅垂直距离；在步骤3中，需要设定换热装置的冷却水流量。
具体的，执行CZ工艺(直拉单晶硅工艺)的熔接动作时，设定提拉头转速为8rpm～10rpm，坩埚转速为5rpm～8rpm，炉压为10～13乇，外壳距离硅熔体液面为20mm～40mm，缓慢下降籽晶，经预热后，待石英坩埚内硅熔体的温度稳定后，将籽晶缓慢插入硅熔体内，进行试温熔接。温度合适后，以速率3mm/min～4mm/min的提升速率提升提拉头进行引晶。
引晶后进行放肩及转肩时，放肩过程提拉头转速设定为8rpm～10rpm，籽晶提升速率设定为0.5mm/min～0.75mm/min；转肩过程提拉头转速设定为8rpm～10rpm，籽晶提升速率设定为2mm/min～4mm/min。
在CZ工艺进入等径工序后，提拉单晶硅棒的提拉头转速设定为7rpm～9rpm，硅棒提升速率设定为1.6mm/min～1.9mm/min，熔硅石英埚转速设定为5rpm～8rpm，单晶炉内保护气体炉压设定为10乇-13乇，保护气体流速设定为80slpm～100slpm，外壳距离熔硅距离15mm～20mm；在整个等径过程中，换热装置的冷却水流量设置为70L/min-90L/min。
在等径过程中，硅棒提升速率设定为1.6mm/min-1.9mm/min，比使用现有水冷屏的单晶炉在硅棒提升速率提高0.25mm/min。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统或系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的系统及系统实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。
专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种用于硅片生产的热系统，其特征在于，包括：换热装置和用于导流气体的导流筒；
所述换热装置包括进水管、出水管和筒体；
所述筒体开设有分别与所述进水管和所述出水管连通的流道；
所述筒体设置于所述导流筒内。
2.根据权利要求1所述的热系统，其特征在于，所述导流筒，包括：内壳、外壳、环形连接件和保温材料；
所述内壳和所述外壳均为环形结构；
所述内壳设置于所述外壳内；
所述环形连接件设置于所述内壳和所述外壳的底部，所述底部环形件、所述内壳和所述外壳合围形成环形腔体；
所述保温材料设置于所述环形腔体内。
3.根据权利要求2所述的热系统，其特征在于，所述环形连接件的上部为上止口，所述环形连接件的下部为下止口；
所述上止口的内径大于所述下止口的内径；
所述内壳的底部与所述上止口连接；
所述外壳的底部与所述下止口连接。
4.根据权利要求2所述的热系统，其特征在于，所述保温材料为石墨软毡。
5.根据权利要求2所述的热系统，其特征在于，所述筒体紧靠于所述内壳。
6.根据权利要求2所述的热系统，其特征在于，所述外壳采用碳-碳材质制成；
和/或，所述内壳采用石英材质制成。
7.根据权利要求2所述的热系统，其特征在于，所述环形连接件采用石墨制成。
8.根据权利要求2所述的热系统，其特征在于，所述内壳的上部内径大于所述内壳的下部内径，所述筒体的上部外径大于所述内壳的下部内径。
9.根据权利要求1所述的热系统，其特征在于，所述筒体内设有螺旋状流道。
10.一种单晶炉，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的用于硅片生产的热系统。
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