CN110904498A - 用于拉晶炉的导流筒及拉晶炉 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于拉晶炉的导流筒，包括外导流筒、内导流筒和冷却单元，其中，所述内导流筒位于所述外导流筒内侧，所述内导流筒与所述外导流筒之间设置有隔热层；所述冷却单元包括嵌入在所述内导流筒内部的冷却管，所述冷却管连接至冷却介质供给装置。该导流筒在内导流筒中设置冷却单元，冷却介质可以快速吸收单晶硅棒辐射的热量，使得单晶硅棒散热较快，增大了单晶硅棒的冷却速度和结晶界面附近晶体的纵向温度梯度，有效避免了单晶硅棒中产生缺陷，提高了单晶硅棒生长速率，缩短了拉晶周期。本发明还提供了一种包括该导流筒的拉晶炉。

Description

用于拉晶炉的导流筒及拉晶炉

技术领域

本发明涉及拉晶工艺技术领域，更具体地，涉及一种用于拉晶炉的导流筒和一种拉晶炉。

背景技术

单晶半导体材料是半导体领域最常使用的材料。生产单晶半导体材料最常用的方法是丘克劳斯基法(Czochralski法，简称CZ法)，又称为拉晶法或提拉法，采用CZ法制备单晶半导体材料的设备称为单晶炉。单晶炉拉制单晶硅棒时，盛装多晶硅块等原料的石英坩埚放入石墨坩埚内，在保护性气氛中加热融化，调控到工艺温度后，籽晶经导流筒插入熔融的硅熔液中，与坩埚作逆向旋转并向上提升，使硅熔液按籽晶的硅原子排列顺序结晶凝固成单晶硅棒。在半导体硅片的制造过程中，单晶硅棒的质量决定硅片的质量，而在拉晶过程中会产生原生缺陷，这些缺陷对于后续用硅片制成半导体器件会造成不良影响，因此，降低在拉制单晶硅棒的过程中的原生缺陷对提高硅片质量非常重要。

导流筒在单晶硅棒生产过程中对晶体生长有很大影响，目前常用的导流筒的外层为SiC镀层或热解石墨，内层为保温石墨毡。导流筒放置于热场上部，呈圆筒状，单晶硅棒从圆桶内部被拉制出来。现有的导流筒设计上下端部的直径不一样，上大下小，气体通过的下端较窄的截面时流速增大，突然增大的流速将会引起气流的波动，使保护气流在进入单晶炉下端时气流强度会加强，导致单晶硅棒晃动、液面波动，严重时可导致掉棒等生产事故。此外，现有的导流筒内壁对于单晶硅棒辐射的热量吸收有限，散热较慢，不利于缺陷的控制，同时还降低了晶体生长速度，或者虽在导流筒内部加装水冷装置，但水冷装置距离热场较近，使得能耗较大且安全系数低，硅熔液容易熔穿水冷装置，发生泄漏，从而造成拉晶事故。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种用于拉晶炉的导流筒和一种拉晶炉。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明的一个方面提供了一种用于拉晶炉的导流筒，包括外导流筒、内导流筒和冷却单元，其中，

所述内导流筒位于所述外导流筒内侧，所述内导流筒与所述外导流筒之间设置有隔热层；

所述冷却单元包括嵌入在所述内导流筒内部的冷却管，所述冷却管连接至冷却介质供给装置。

在本发明的一个实施例中，所述外导流筒的上端与所述内导流筒的上端沿周向方向密封连接，所述外导流筒的下端与所述内导流筒的下端沿周向方向密封连接，并且所述隔热层位于所述外导流筒与所述内导流筒之间形成的封闭腔体内。

在本发明的一个实施例中，所述内导流筒包括上筒体部和下筒体部，其中，

所述上筒体部呈倒锥形，所述下筒体部呈正锥形，所述上筒体部与所述下筒体部的交界处呈径缩状。

在本发明的一个实施例中，所述外导流筒呈圆筒状。

在本发明的一个实施例中，所述冷却管螺旋盘绕在所述上筒体部的内部。

在本发明的一个实施例中，所述冷却管的两端分别包括冷却管入口和冷却管出口。

在本发明的一个实施例中，所述冷却单元还包括冷却介质入口管和冷却介质出口管，其中，

所述冷却介质入口管的一端连接至所述冷却介质供给装置，另一端连接至所述冷却管的入口；

所述冷却介质出口管的一端连接至所述冷却管的出口，另一端连接至冷却介质回收罐。

在本发明的一个实施例中，所述冷却单元还包括温度检测器、电磁阀和控制模块，其中，

所述温度检测器设置在所述冷却管的入口处，所述电磁阀设置在所述冷却介质入口管上；

所述控制模块电连接所述温度检测器和所述电磁阀，用于根据所述温度检测器检测的温度数据控制所述电磁阀的开闭状态。

在本发明的一个实施例中，所述冷却介质供给装置向所述冷却管供给的冷却介质包括水、干冰或液氮中的至少一种。

本发明的另一方面提供了一种拉晶炉，包括上述实施例中任一项所述的导流筒。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

1、本发明的导流筒在内导流筒中设置有冷却单元，冷却介质可以快速吸收单晶硅棒辐射的热量，增大了单晶硅棒的冷却速度和结晶界面附近晶体的纵向温度梯度，有效避免单晶硅棒中产生缺陷，提高了单晶硅生长速率，缩短拉晶周期。此外，冷却单元距离热场较远，对热场和固液界面的温度梯度影响较小，只能通过导流筒的热传导或热辐射与固液界面发生能量交换，降低了固液界面处的温度，从而可以提高单晶硅棒的生长速度。

2、本发明的导流筒，在外导流筒和内导流筒之间设置有隔热层，增强了热场的保温效果，减少了单晶炉内的热量损失，降低了加热器的功耗。

以下将结合附图及实施例对本发明做进一步详细说明。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种单晶炉的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的一种用于单晶炉的导流筒的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的一种导流筒的内部气流流动示意图；

图4是本发明实施例提供的一种冷却单元的结构示意图；

图5是图2中圆圈A处的放大图；

图6是本发明实施例提供的一种控制模块的连接关系示意图。

附图标记说明如下：

1-导流筒；11-外导流筒；12-内导流筒；121-上筒体部；122-下筒体部；13-冷却单元；131-冷却管；132-冷却管入口；133-冷却管出口；134-冷却介质入口管；135-冷却介质出口管；136-温度检测器；137-电磁阀；138-控制模块；14-隔热层；2-炉体；3-坩埚组件；31-石英坩埚；32-石墨坩埚；4-石墨加热器；5-单晶硅棒；6-保护气体；7-硅熔液；8-上保温罩；9-压环；10-保温盖。

具体实施方式

为了使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。

有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效，在以下配合附图的具体实施方式详细说明中即可清楚地呈现。通过具体实施方式的说明，可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效进行更加深入且具体地了解，然而所附附图仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明的技术方案加以限制。

应当说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。

实施例一

硅单晶中原生缺陷的形成主要取决于晶体生长速度(V)和熔体/晶体界面处的晶体中的瞬时轴向温度梯度(G)的比值。V/G比值较大时主要是空位占主导的空洞型缺陷，空洞型缺陷快速形核的温度区间Tn大致为1120-1040℃之间，这个过程主要决定了空洞型缺陷尺寸大小。当单晶硅棒温度大于Tn，空位形核率很低，单晶硅棒温度位于Tn区间内，空位形核率很高，单晶硅棒温度小于Tn后，空位形核率又迅速减小。因此，为了让生产的单晶硅棒中缺陷的尺寸变小，需要让单晶硅棒尽可能快速地通过缺陷形核区和缺陷生长的温度区间，因此，如何加快单晶硅棒的冷却速率是提高单晶硅棒质量所面临的重要问题。

导流筒的设计直接影响固液界面的垂直温度梯度，垂直温度梯度的变化影响V/G比值，决定晶体质量；其次，导流筒的设计会影响固液界面的水平温度梯度，控制整个单晶硅棒的质量均匀性；最后，导流筒的设计会影响晶体内部缺陷的形核与长大，在制备无缺陷硅片过程中非常关键。

请参见图1，图1是本发明实施例提供的一种单晶炉的结构示意图。本实施例的单晶炉包括炉体2以及设置在炉体内腔中的导流筒1、坩埚组件3和石墨加热器4。本实施例的坩埚组件3由石英坩埚31和石墨坩埚32组成，其中，石英坩埚31放置在石墨坩埚32中，将高纯度的多晶硅块放置在石英坩埚31中。导流筒1设置在坩埚组件3的上方，用于阻隔单晶炉的炉体2内腔热场内部和外部的热量交换，使得内部温度显著大于外部温度，从而起到提高单晶硅棒拉速的作用，同时也起到导流的作用。石墨加热器4设置在石墨坩埚32的外侧，并且石墨加热器4连接至石墨电极，石墨电极连接炉体电极，石墨加热器4用于对石英坩埚31和石墨坩埚32进行加热，以达到使多晶硅块熔化以及持续维持热场的热量的作用。

具体地，在通过直拉法制备单晶硅棒的过程中，在真空环境下，在炉腔内通入保护气体，将石英坩埚31内的多晶硅块加热到1420℃以上，然后保持这个温度一段时间，将多晶硅块熔化，从固态变成液态的硅熔液7，等温度稳定到目标温度后，将一根直径10mm的棒状晶种(籽晶)浸入硅熔液7中，使确定晶向的籽晶与硅熔液7熔接后引出直径为3-5mm的细颈晶体，以消除结晶位错，然后经过放肩、转肩、等径、收尾、冷却等，完成单晶硅棒5的生长过程。

请参见图2，图2是本发明实施例提供的一种用于单晶炉的导流筒的结构示意图。本实施例的导流筒1包括外导流筒11、内导流筒12和冷却单元13，其中，内导流筒12位于外导流筒11内侧，内导流筒12与外导流筒11之间设置有隔热层14。具体地，外导流筒11呈圆筒状，用于将硅熔液7散发的热量反射回去，减少热量损失，提高热场的保温性能，降低石墨加热器4的功耗，稳定热场。另外，外导流筒11与石英坩埚31的侧面间距较小，可以增大硅熔液7的液面处保护气体的流速，增加硅熔液7表面SiO的挥发速度，减少硅熔液7中以及固液界面处的氧含量，避免在结晶过程氧气进入到单晶硅棒5中。

进一步地，外导流筒11的上端与内导流筒12的上端平齐且沿周向方向密封连接，外导流筒11的下端与内导流筒12的下端平齐且沿周向方向密封连接，并且隔热层14位于外导流筒11与内导流筒12之间形成的封闭腔体内。隔热层14填充有保温材料，该保温材料具有低的导热率，用于减少外导流筒11与内导流筒12之间的热量交换和传递。该保温材料包括但不限于石墨软毡、石墨固化毡。

本实施例的内导流筒12包括上下两个部分：上筒体部121和下筒体部122。上筒体部121呈倒锥形，自上而下直径逐渐缩小；下筒体部122呈正锥形(喇叭形)，自上而下直径逐渐增大，且上筒体部121与下筒体部122的交界处呈径缩状，即上筒体部121与下筒体部122的交界处的直径为整个内导流筒12直径的最小处。请参见图3，图3是本发明实施例提供的一种导流筒的内部气流流动示意图。由于内导流筒12的内壁分为上下两个部分，上半部分的上筒体部121呈倒锥形，自上而下直径逐渐减小，能够加快拉制出来的高温的单晶硅棒5的热量散失，提高单晶硅棒5的生长速率，减少对热场的影响；下半部分的下筒体部122呈喇叭形，自上而下口径逐渐增大，且下筒体部122的内壁具有圆弧过渡，可以避免保护气体6突然扩张，进一步降低保护气体6的气流流速和气流波动，气流经过该区域时流道面积逐渐增大，流速越来越小，气流波动逐渐减小，这样，保护气体6从上而下流动时气流强度减弱，降低了气流产生湍流的几率，减小了位于内导流筒12中的单晶硅棒5的晃动和液面的波动，因此可以减小固液界面处的温度梯度，使拉晶过程稳定进行。此外，上筒体部121与下筒体部122的交界处呈径缩状，可以起到聚气的作用，防止拉晶过程中产生的SiO进入内导流筒12的上半部分区域，阻断热量向上传递，同时，该处由于气流通道变小，保护气体6在此处流速增大，冷却气流更集中地吹拂在单晶硅棒5的表面，从而对该水平高度的单晶硅棒5进行冷却，提高单晶硅棒5的生长速度，从而提高拉晶速度。

优选地，内导流筒12的上筒体部121的厚度大于下筒体部122的厚度，下筒体部122的厚度等于外导流筒11的厚度。外导流筒11和内导流筒12均采用耐高温的材料制备而成，例如不锈钢。

请参见图2和图4，其中，图4是本发明实施例提供的一种冷却单元的结构示意图。在本实施例中，冷却单元13包括嵌入在内导流筒12内部的冷却管131，冷却管131的一端与冷却介质供给装置(附图中未示出)连通，另一端与冷却介质回收箱连通。冷却介质供给装置用于向冷却管131内供给冷却介质。冷却管131内流动的冷却介质能够吸收形成的单晶硅棒5辐射的热量，对拉出来的单晶硅棒5进行冷却。此外，流动的冷却介质提高了热量交换效率，可以快速吸收和带走热量，加快单晶硅棒5的散热，加快了单晶硅棒5在空洞型缺陷快速形核的温度区间Tn的冷却速度，增大了结晶界面附近单晶硅棒5的纵向温度梯度，有效避免单晶硅棒5中产生较大的空洞型缺陷，并且使单晶硅棒5的生长速率加快，从而缩短拉晶周期。优选地，所述冷却介质包括但不限于冰水、常温水、干冰和液氮等。

在本实施例中，冷却管131螺旋盘绕在上筒体部121的内部，且呈与上筒体部121相同的倒锥形。进一步地，冷却管131的两端分别包括冷却管入口132和冷却管出口133，其中，冷却管入口132位于冷却管131形成的倒锥形的底部，冷却管出口133位于冷却管131形成的倒锥形的顶部，使得在供应冷却介质的过程中，冷却介质从倒锥形的冷却管131的底部入口进入冷却管131内部，并沿着冷却管131螺旋盘绕上升，并从倒锥形冷却管的顶部出口离开冷却管131，完成冷却作用。

由于冷却管131螺旋盘绕在上筒体部121的内部，即位于内导流筒12的上半部分，因此冷却管131远离热场，且隔热层14能很好地隔绝硅熔液7与冷却管131内的冷却介质进行热量交换，因此，一方面减少了热量损耗，不会影响热场稳定性，增强了热场保温效果，节约能耗；另一方面，热场对冷却管131内的冷却介质的热辐射作用较小，降低了冷却管131被熔穿和发生泄漏的概率，使得安全系数大大提高。此外，上筒体部121与下筒体部122之间的颈缩处可以有效阻断石墨加热器4和高温的硅熔液7直接对单晶硅棒5的热辐射，降低单晶硅棒5的温度，加快晶体生长速度，从而提高直拉单晶拉速，缩短拉晶周期，间接延长了热场使用寿命。

进一步地，冷却单元13还包括冷却介质入口管134和冷却介质出口管135。冷却介质入口管134的一端连接至冷却介质供给装置，另一端连接至冷却管入口132。在本实施例中，冷却介质入口管134连接冷却管入口132的一端至少一部分嵌入在上筒体部121的内部，冷却介质入口管134远离冷却管入口132的一端穿过炉体2的侧壁连接至所述冷却介质供给装置。相应地，冷却介质出口管135的一端连接至冷却管出口133，另一端连接至冷却介质回收罐(附图中未示出)。在本实施例中，冷却介质出口管135连接冷却管出口133一端的至少一部分嵌入在上筒体部121的内部，冷却介质出口管135远离冷却管出口133的一端穿过炉体2的侧壁连接至所述冷却介质回收罐。优选地，冷却管131、冷却介质入口管134和冷却介质出口管135均采用耐高温材料制备而成，且需要具有一定的强度和韧性，其中，制备冷却管131的材料具有高的导热系数。

此外，请参见图4至图6，图5是图2中圆圈A处的放大图，图6是本发明实施例提供的一种控制模块的连接关系示意图。本实施例的冷却单元13还包括温度检测器136、电磁阀137和控制模块138，其中，温度检测器136设置在冷却管131的入口处，用于检测冷却管131的入口处的温度；电磁阀137设置在冷却介质入口管134上，能够调节通过冷却介质入口管134的冷却介质的流量和流速；控制模块138电连接温度检测器136和电磁阀137，用于根据温度检测器136检测的温度控制电磁阀137。优选地，温度检测器136为温度传感器。

具体地，温度检测器136位于冷却管131底部一侧，且介于内导流筒12的内侧与冷却管131之间，用于检测此处的温度。控制模块138接收温度检测器136检测的温度数据，并根据该温度数据以及具体的冷却需要调节电磁阀137，以控制冷却介质的流量与流速。

综上，本实施例的导流筒在内导流筒中设置冷却单元，冷却介质可以快速吸收单晶硅棒辐射的热量，增大了单晶硅棒的冷却速度和结晶界面附近晶体的纵向温度梯度，有效避免单晶硅棒中产生缺陷，提高了单晶硅生长速率，缩短拉晶周期。此外，冷却单元距离热场较远，对热场和固液界面的温度梯度影响较小，只能通过导流筒的热传导或热辐射与固液界面发生能量交换，降低了固液界面处的温度，从而可以提高直拉单晶拉速。此外，本实施例的导流筒，在外导流筒和内导流筒之间设置有隔热层，增强了热场保温效果，减少了热量损失，且降低了加热器的功耗。

实施例二

在上述实施例的基础上，本实施例提供了一种拉晶炉，该拉晶炉包括实施例一所述的导流筒1。

请参见图1，图1是本发明实施例提供的一种单晶炉的结构示意图。本实施例的单晶炉包括炉体2以及设置在炉体内腔中的导流筒1、坩埚组件3和石墨加热器4。本实施例的坩埚组件3由石英坩埚31和石墨坩埚32组成，其中，石英坩埚31放置在石墨坩埚32中，将高纯度的多晶硅块放置在石英坩埚31中。导流筒1设置在坩埚组件3的上方，用于阻隔炉体2内腔热场内部和外部的热量交换，使得内部温度显著大于外部温度，从而起到提高单晶拉速的作用，同时也起到导流的作用。石墨加热器4设置在石墨坩埚32的外侧，并且石墨加热器4连接至石墨电极，石墨电极连接炉体电极，石墨加热器4用于对石英坩埚31和石墨坩埚32进行加热，以达到使多晶硅块熔化以及持续维持热场的热量的作用。

进一步地，所述拉晶炉还包括上保温罩8、压环9和保温盖10，其中，上保温罩8设置在导流筒1的上端外侧且位于石墨加热器4的上方，用于增强热场的保温效果，减少热量损失，降低石墨加热器4的功耗；压环9是由几截弧形环构成的一个圆形环状石墨件，放置在保温盖10与炉体2内壁的接触处，用于防止热量和气体从炉体2内壁与保温盖10的缝隙间通过；保温盖10设置在上保温罩8的上方，进一步起到保温的作用。

具体地，在通过直拉法制备单晶硅棒的过程中，在真空环境下向炉腔内通入保护气体，将石英坩埚31内的多晶硅块加热到1420℃以上，然后保持这个温度一段时间，将多晶硅块熔化，从固态变成液态的的硅熔液7，等温度稳定到目标温度后，将一根直径10mm的棒状晶种(籽晶)浸入硅熔液7中，使确定晶向的籽晶与硅熔液7熔接后引出直径为3-5mm的细颈晶体，以消除结晶位错，然后经过放肩、转肩、等径、收尾、冷却等，完成单晶硅棒5的生长过程。

本实施例的导流筒1包括外导流筒11、内导流筒12和冷却单元13，其中，内导流筒12位于外导流筒11内侧，内导流筒12与外导流筒11之间设置有隔热层14。

本实施例的内导流筒12包括上下两个部分：上筒体部121和下筒体部122。上筒体部121呈倒锥形，自上而下直径逐渐缩小；下筒体部122呈正锥形(喇叭形)，自上而下直径逐渐增大，且上筒体部121与下筒体部122的交界处呈径缩状。冷却单元13包括嵌入在上筒体部121内部的冷却管131，冷却管131的一端与冷却介质供给装置连通，另一端与冷却介质回收箱连通。冷却介质供给装置用于向冷却管131内供给冷却介质。

本实施例的拉晶炉在内导流筒中设置冷却单元，冷却介质可以快速吸收单晶硅棒辐射的热量，增大了单晶硅棒的冷却速度和结晶界面附近晶体的纵向温度梯度，有效避免单晶硅棒中产生缺陷，提高了单晶硅生长速率，缩短拉晶周期。此外，冷却单元位于上筒体部内部，距离热场较远，对热场和固液界面的温度梯度影响较小，只能通过导流筒的热传导或热辐射与固液界面发生能量交换，降低了固液界面处的温度，从而可以提高直拉单晶拉速。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种用于拉晶炉的导流筒(1)，其特征在于，所述导流筒(1)包括外导流筒(11)、内导流筒(12)和冷却单元(13)，其中，

所述内导流筒(12)位于所述外导流筒(11)内侧，所述内导流筒(12)与所述外导流筒(11)之间设置有隔热层(14)；

所述冷却单元(13)包括嵌入在所述内导流筒(12)内部的冷却管(131)，所述冷却管(131)连接至冷却介质供给装置。

2.根据权利要求1所述的用于拉晶炉的导流筒(1)，其特征在于，所述外导流筒(11)的上端与所述内导流筒(12)的上端沿周向方向密封连接，所述外导流筒(11)的下端与所述内导流筒(12)的下端沿周向方向密封连接，并且所述隔热层(14)位于所述外导流筒(11)与所述内导流筒(12)之间形成的封闭腔体内。

3.根据权利要求1所述的用于拉晶炉的导流筒(1)，其特征在于，所述内导流筒(12)包括上筒体部(121)和下筒体部(122)，其中，

所述上筒体部(121)呈倒锥形，所述下筒体部(122)呈正锥形，所述上筒体部(121)与所述下筒体部(122)的交界处呈径缩状。

4.根据权利要求1所述的用于拉晶炉的导流筒(1)，其特征在于，所述外导流筒(11)呈圆筒状。

5.根据权利要求3所述的用于拉晶炉的导流筒(1)，其特征在于，所述冷却管(131)螺旋盘绕在所述上筒体部(121)的内部。

6.根据权利要求5所述的用于拉晶炉的导流筒(1)，其特征在于，所述冷却管(131)的两端分别包括冷却管入口(132)和冷却管出口(133)。

7.根据权利要求1所述的用于拉晶炉的导流筒(1)，其特征在于，所述冷却单元(13)还包括冷却介质入口管(134)和冷却介质出口管(135)，其中，

所述冷却介质入口管(134)的一端连接至所述冷却介质供给装置，另一端连接至所述冷却管(131)的入口；

所述冷却介质出口管(135)的一端连接至所述冷却管(131)的出口，另一端连接至冷却介质回收罐。

8.根据权利要求7所述的用于拉晶炉的导流筒(1)，其特征在于，所述冷却单元(13)还包括温度检测器(136)、电磁阀(137)和控制模块(138)，其中，

所述温度检测器(136)设置在所述冷却管(131)的入口处，所述电磁阀(137)设置在所述冷却介质入口管(134)上；

所述控制模块(138)电连接所述温度检测器(136)和所述电磁阀(137)，用于根据所述温度检测器(136)检测的温度数据控制所述电磁阀(137)的开闭状态。

9.根据权利要求1所述的用于拉晶炉的导流筒(1)，其特征在于，所述冷却介质供给装置向所述冷却管(131)供给的冷却介质包括水、干冰或液氮中的至少一种。

10.一种拉晶炉，其特征在于，包括权利要求1至9中任一项所述的导流筒(1)。

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