CN112708931B - 一种热场悬挂单晶炉及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种热场悬挂单晶炉及方法,包括保温箱,保温箱的内部设置有坩埚件,坩埚件的底部固定连接有坩埚托盘,坩埚托盘的底部固定连接有坩埚托杆。本发明由第一电机通过螺杆带动调节套向下移动,使散热机构进入导流筒的内部进行隔热散热,保证热量不流失,之后通过旋转机构将导流筒的内壁进行清理,最后通过电磁温度补偿机构将加热套进行温度补偿,保证加热的稳定性,解决了现有单晶炉热场的温度控制不精准,不能进行阶梯式的温度控制,影响成型效率,同时成型后的硅棒散热会导致热场热量流失严重,损耗能源较多,不能节省能源,降低了资源的利用率的问题,具备了温控精准散热节能的优点。
Description
技术领域
本发明涉及单晶炉技术领域,具体为一种热场悬挂单晶炉及方法。
背景技术
目前主要采用直拉法、在单晶炉中生产单晶硅,单晶炉内设置坩埚和支撑坩埚的埚帮,在单晶硅的生产过程中,先将多晶硅原料容置在坩埚内,通过埚帮外侧的加热器加热多晶硅原料以形成熔体后,将籽晶插入熔体依次经过引晶、放肩、转肩、等径和收尾等工序,拉制得到单晶硅棒,在该坩埚及加热器的外围,设置有保温组件,以减少热量损失,通常将包括该保温组件及其内侧的各部件,统称为热场。
现有单晶炉热场的温度控制不精准,不能进行阶梯式的温度控制,影响成型效率,同时成型后的硅棒散热会导致热场热量流失严重,损耗能源较多,不能节省能源,降低了资源的利用率。
发明内容
为解决上述背景技术中提出的问题,本发明的目的在于提供一种热场悬挂单晶炉及方法,具备了温控精准散热节能的优点,解决了现有单晶炉热场的温度控制不精准,不能进行阶梯式的温度控制,影响成型效率,同时成型后的硅棒散热会导致热场热量流失严重,损耗能源较多,不能节省能源,降低了资源利用率的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种热场悬挂单晶炉,包括保温箱,所述保温箱的内部设置有坩埚件,所述坩埚件的底部固定连接有坩埚托盘,所述坩埚托盘的底部固定连接有坩埚托杆,所述保温箱内侧的顶部固定连接有导流筒,所述保温箱顶部的右侧活动安装有转动板,所述转动板顶部的右侧固定连接有固定板,所述固定板左侧的顶部固定连接有安装板,所述安装板顶部的左侧固定连接有的第一电机,所述第一电机的输出端固定连接有螺杆,所述螺杆表面的底部螺纹连接有调节套,所述调节套的内侧套设有散热环,所述散热环的底部固定连接有散热机构,所述调节套顶部的右侧设置有安装架,所述安装架底部的左侧固定连接有旋转机构,所述坩埚件的表面套设有锅帮,所述锅帮的表面固定连接有加热套,所述加热套两侧的顶部和底部均固定连接有固定架,所述固定架的内侧固定连接有电磁温度补偿机构,所述安装架顶部的右侧螺纹连接有第一螺栓,所述转动板顶部的右侧螺纹连接有第二螺栓,所述转动板顶部的右侧固定连接有手柄,所述固定架靠近锅帮一侧的内侧固定连接有温度检测板,所述温度检测板的内侧固定连接有温度计,所述保温箱的内侧固定连接有保温内衬,所述转动板的底部固定连接有圆台块,所述保温箱顶部的右侧开设有与圆台块滑动连接的滑动槽,所述坩埚件的内部设置有硅棒。
作为本发明优选的,所述散热机构包括隔热套,所述散热环的底部固定连接有位于隔热套内侧的散热管,所述散热管的内侧开设有喷气孔,所述散热管的底部连通有喷气嘴,所述散热管设置有十二个,且十二个散热管呈等距离环形分布。
作为本发明优选的,所述旋转机构包括第二电机,所述第二电机的输出端固定连接有齿轮,所述散热环的顶部固定连接有与齿轮啮合的齿环。
作为本发明优选的,所述电磁温度补偿机构包括滑杆,所述滑杆表面的顶部固定连接有第一电磁套,所述滑杆的表面套设有第二电磁套,所述第二电磁套设置有若干个,且若干个第二电磁套呈等距离分布,所述第一电磁套的底部固定连接有第一弹簧,每个所述第二电磁套的底部均固定连接有磁块,位于上侧的所述磁块与位于下侧的所述第二电磁套之间固定连接有第二弹簧,所述第一弹簧的底端与位于最上侧的所述第二电磁套的顶部固定连接,所述第二电磁套的内侧固定连接有加热环。
作为本发明优选的,所述固定架底部的右侧固定连接有加固筋,所述固定架顶部的右侧螺纹连接有第三螺栓,所述第三螺栓的底部固定连接有压板,所述压板的底部开设有第一镶嵌槽,所述第一镶嵌槽的内部活动安装有第一滚珠。
作为本发明优选的,所述散热环内壁的左侧固定连接有温度传感器,所述隔热套的内壁固定连接有第一隔热层,所述隔热套的表面固定连接有第二隔热层。
作为本发明优选的,所述齿环底部的外侧开设有第二镶嵌槽,所述第二镶嵌槽的内部活动安装有第二滚珠,所述齿环的外侧开设有第三镶嵌槽,所述第三镶嵌槽的内部活动安装有第三滚珠。
作为本发明优选的,所述安装板底部的右侧固定连接有限位杆,所述限位杆的底端贯穿调节套并延伸至调节套的底部与转动板的顶部固定连接,所述调节套顶部的左侧螺纹连接有第四螺栓,所述第四螺栓的表面套设有压紧板,所述压紧板的底部开设有第四镶嵌槽,所述第四镶嵌槽的内部活动安装有第四滚珠,所述隔热套的左侧开设有安装槽,所述安装槽呈梯形设置,所述安装槽的内部滑动安装有安装条,所述安装条的左侧固定连接有清洁刷。
作为本发明优选的,一种热场悬挂单晶炉的使用方法,包括如下步骤:
S1:将多晶硅原料熔至坩埚件的内部,之后再通过加热套对锅帮进行加热,加热温度不佳时,通过电磁温度补偿机构对温度不稳定的位置进行加热,使温度被补偿提高加热效率,加热完成后则执行步骤S2;
S2:通过导流筒对坩埚件内部的晶硅进行吸附拉扯成硅棒,之后再通过散热机构对硅棒进行隔热散热,防止热量流失,确保热源的循环利用率,通过旋转机构带动散热环进行旋转散热,直至硅棒温度达到预定的数值,同时散热环底部安装清洁的结构旋转时可对导流筒进行清理,使加工完成后可确保再次加工的产品质量,散热完成后执行步骤S3;
S3:使用者可启动第一电机将调节套向上提升,调节套带动散热环向上与硅棒分离,方便使用者取出成品
与现有技术相比,本发明的有益效果如下:
1、本发明由第一电机通过螺杆带动调节套向下移动,使散热机构进入导流筒的内部进行隔热散热,保证热量不流失,之后通过旋转机构将导流筒的内壁进行清理,最后通过电磁温度补偿机构将加热套进行温度补偿,保证加热的稳定性,解决了现有单晶炉热场的温度控制不精准,不能进行阶梯式的温度控制,影响成型效率,同时成型后的硅棒散热会导致热场热量流失严重,损耗能源较多,不能节省能源,降低了资源利用率的问题,具备了温控精准散热节能的优点。
2、本发明通过设置散热机构,使隔热套将坩埚件内的温度进行阻隔,减少温度的消散速度,同时防止散热管被加热,确保散热风的散热效果,相比现有液体降温带来热量流失,该设计节省了热能,保证了能源利用率。
3、本发明通过设置旋转机构,使第二电机启动后带动齿轮旋转,齿轮带动齿环旋转,齿环带动散热环旋转,散热环带动隔热套旋转,隔热套旋转可带动安装条旋转,安装条旋转调动毛刷旋转对导流筒进行清洁。
4、本发明通过设置电磁温度补偿机构,便于使用者通过电力控制多个第二电磁套相互吸附,之后再根据检测的温度,使温度较低的区域可通过一个或多个加热环进行加热升温,控制其中的每个第二电磁套进行位置滑动调节,使第二电磁套带动相对应的加热环移动至需要加热的位置进行升温,保证温度补偿的稳定性。
5、本发明通过设置加固筋,使固定架增大抗折弯性,之后旋转第三螺栓可对压板进行调节,压板带动第一滚珠向下压紧齿环,使齿环旋转时更加稳定。
6、本发明通过设置温度传感器、第一隔热层和第二隔热层,便于使用者通过温度传感器检测散热时的温度,同时第一隔热层和第二隔热层可对保温箱内的温度进行隔热,防止热量流失的同时保证不会加热散热管,确保散热的效率。
7、本发明通过设置第二镶嵌槽、第二滚珠、第三镶嵌槽和第三滚珠,便于使用者通过第二镶嵌槽安装第二滚珠,第二滚珠可对齿环的底部进行摩擦力减弱处理,提高齿环旋转的稳定,同时第三镶嵌槽安装第三滚珠后可对齿环的表面进行防摩擦处理。
8、本发明通过设置限位杆、第四螺栓、压紧板、第四镶嵌槽、第四滚珠、安装槽、安装条和清洁刷,提高了调节套上下滑动稳定性,且可对齿环进行压紧限位,保证齿环旋转传动稳定,同时安装条插接安装后可通过清洁刷对导流筒的内壁进行清理,确保再次加工时硅棒的质量。
附图说明
图1为本发明结构示意图;
图2为本发明隔热套的俯视剖面结构示意图;
图3为本发明调节套的立体结构示意图;
图4为本发明第二电磁套的立体结构示意图;
图5为本发明图1中A处放大结构示意图;
图6为本发明图1中B处放大结构示意图;
图7为本发明图1中C处放大结构示意图;
图8为本发明图2中D处放大结构示意图。
图中:1、保温箱;2、坩埚件;3、坩埚托盘;4、坩埚托杆;5、导流筒;6、转动板;7、固定板;8、安装板;9、第一电机;10、螺杆;11、调节套;12、散热环;13、散热机构;131、隔热套;132、散热管;133、喷气孔;134、喷气嘴;14、安装架;15、旋转机构;151、第二电机;152、齿轮;153、齿环;16、锅帮;17、加热套;18、固定架;19、电磁温度补偿机构;191、滑杆;192、第一电磁套;193、第二电磁套;194、第一弹簧;195、磁块;196、第二弹簧;197、加热环;20、第一螺栓;21、第二螺栓;22、手柄;23、温度检测板;24、温度计;25、保温内衬;26、圆台块;27、滑动槽;28、硅棒;29、加固筋;30、第三螺栓;31、压板;32、第一镶嵌槽;33、第一滚珠;34、温度传感器;35、第一隔热层;36、第二隔热层;37、第二镶嵌槽;38、第二滚珠;39、第三镶嵌槽;40、第三滚珠;41、限位杆;42、第四螺栓;43、压紧板;44、第四镶嵌槽;45、第四滚珠;46、安装槽;47、安装条;48、清洁刷。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1至图8所示,本发明提供的一种热场悬挂单晶炉,包括保温箱1,保温箱1的内部设置有坩埚件2,坩埚件2的底部固定连接有坩埚托盘3,坩埚托盘3的底部固定连接有坩埚托杆4,保温箱1内侧的顶部固定连接有导流筒5,保温箱1顶部的右侧活动安装有转动板6,转动板6顶部的右侧固定连接有固定板7,固定板7左侧的顶部固定连接有安装板8,安装板8顶部的左侧固定连接有的第一电机9,第一电机9的输出端固定连接有螺杆10,螺杆10表面的底部螺纹连接有调节套11,调节套11的内侧套设有散热环12,散热环12的底部固定连接有散热机构13,调节套11顶部的右侧设置有安装架14,安装架14底部的左侧固定连接有旋转机构15,坩埚件2的表面套设有锅帮16,锅帮16的表面固定连接有加热套17,加热套17两侧的顶部和底部均固定连接有固定架18,固定架18的内侧固定连接有电磁温度补偿机构19,安装架14顶部的右侧螺纹连接有第一螺栓20,转动板6顶部的右侧螺纹连接有第二螺栓21,转动板6顶部的右侧固定连接有手柄22,固定架18靠近锅帮16一侧的内侧固定连接有温度检测板23,温度检测板23的内侧固定连接有温度计24,保温箱1的内侧固定连接有保温内衬25,转动板6的底部固定连接有圆台块26,保温箱1顶部的右侧开设有与圆台块26滑动连接的滑动槽27,坩埚件2的内部设置有硅棒28。
参考图8,散热机构13包括隔热套131,散热环12的底部固定连接有位于隔热套131内侧的散热管132,散热管132的内侧开设有喷气孔133,散热管132的底部连通有喷气嘴134,散热管132设置有十二个,且十二个散热管132呈等距离环形分布。
作为本发明的一种技术优化方案,通过设置散热机构13,使隔热套131将坩埚件2内的温度进行阻隔,减少温度的消散速度,同时防止散热管132被加热,确保散热风的散热效果,相比现有液体降温带来热量流失,该设计节省了热能,保证了能源利用率。
参考图6,旋转机构15包括第二电机151,第二电机151的输出端固定连接有齿轮152,散热环12的顶部固定连接有与齿轮152啮合的齿环153。
作为本发明的一种技术优化方案,通过设置旋转机构15,使第二电机151启动后带动齿轮152旋转,齿轮152带动齿环153旋转,齿环153带动散热环12旋转,散热环12带动隔热套131旋转,隔热套131旋转可带动安装条47旋转,安装条47旋转调动毛刷旋转对导流筒5进行清洁。
参考图7,电磁温度补偿机构19包括滑杆191,滑杆191表面的顶部固定连接有第一电磁套192,滑杆191的表面套设有第二电磁套193,第二电磁套193设置有若干个,且若干个第二电磁套193呈等距离分布,第一电磁套192的底部固定连接有第一弹簧194,每个第二电磁套193的底部均固定连接有磁块195,位于上侧的磁块195与位于下侧的第二电磁套193之间固定连接有第二弹簧196,第一弹簧194的底端与位于最上侧的第二电磁套193的顶部固定连接,第二电磁套193的内侧固定连接有加热环197。
作为本发明的一种技术优化方案,通过设置电磁温度补偿机构19,便于使用者通过电力控制多个第二电磁套193相互吸附,之后再根据检测的温度,使温度较低的区域可通过一个或多个加热环197进行加热升温,控制其中的每个第二电磁套193进行位置滑动调节,使第二电磁套193带动相对应的加热环197移动至需要加热的位置进行升温,保证温度补偿的稳定性。
参考图6,固定架18底部的右侧固定连接有加固筋29,固定架18顶部的右侧螺纹连接有第三螺栓30,第三螺栓30的底部固定连接有压板31,压板31的底部开设有第一镶嵌槽32,第一镶嵌槽32的内部活动安装有第一滚珠33。
作为本发明的一种技术优化方案,通过设置加固筋29,使固定架18增大抗折弯性,之后旋转第三螺栓30可对压板31进行调节,压板31带动第一滚珠33向下压紧齿环153,使齿环153旋转时更加稳定。
参考图5,散热环12内壁的左侧固定连接有温度传感器34,隔热套131的内壁固定连接有第一隔热层35,隔热套131的表面固定连接有第二隔热层36。
作为本发明的一种技术优化方案,通过设置温度传感器34、第一隔热层35和第二隔热层36,便于使用者通过温度传感器34检测散热时的温度,同时第一隔热层35和第二隔热层36可对保温箱1内的温度进行隔热,防止热量流失的同时保证不会加热散热管132,确保散热的效率。
参考图6,齿环153底部的外侧开设有第二镶嵌槽37,第二镶嵌槽37的内部活动安装有第二滚珠38,齿环153的外侧开设有第三镶嵌槽39,第三镶嵌槽39的内部活动安装有第三滚珠40。
作为本发明的一种技术优化方案,通过设置第二镶嵌槽37、第二滚珠38、第三镶嵌槽39和第三滚珠40,便于使用者通过第二镶嵌槽37安装第二滚珠38,第二滚珠38可对齿环153的底部进行摩擦力减弱处理,提高齿环153旋转的稳定,同时第三镶嵌槽39安装第三滚珠40后可对齿环153的表面进行防摩擦处理。
参考图5或图6,安装板8底部的右侧固定连接有限位杆41,限位杆41的底端贯穿调节套11并延伸至调节套11的底部与转动板6的顶部固定连接,调节套11顶部的左侧螺纹连接有第四螺栓42,第四螺栓42的表面套设有压紧板43,压紧板43的底部开设有第四镶嵌槽44,第四镶嵌槽44的内部活动安装有第四滚珠45,隔热套131的左侧开设有安装槽46,安装槽46呈梯形设置,安装槽46的内部滑动安装有安装条47,安装条47的左侧固定连接有清洁刷48。
作为本发明的一种技术优化方案,通过设置限位杆41、第四螺栓42、压紧板43、第四镶嵌槽44、第四滚珠45、安装槽46、安装条47和清洁刷48,提高了调节套11上下滑动稳定性,且可对齿环153进行压紧限位,保证齿环153旋转传动稳定,同时安装条47插接安装后可通过清洁刷48对导流筒5的内壁进行清理,确保再次加工时硅棒28的质量。
参考图1-7一种热场悬挂单晶炉的使用方法:
S1:将多晶硅原料熔至坩埚件2的内部,之后再通过加热套17对锅帮16进行加热,加热温度不佳时,通过电磁温度补偿机构19对温度不稳定的位置进行加热,使温度被补偿提高加热效率,加热完成后则执行步骤S2;
S2:通过导流筒5对坩埚件2内部的晶硅进行吸附拉扯成硅棒28,之后再通过散热机构13对硅棒28进行隔热散热,防止热量流失,确保热源的循环利用率,通过旋转机构15带动散热环12进行旋转散热,直至硅棒28温度达到预定的数值,同时散热环12底部安装清洁的结构旋转时可对导流筒5进行清理,使加工完成后可确保再次加工的产品质量,散热完成后执行步骤S3;
S3:使用者可启动第一电机9将调节套11向上提升,调节套11带动散热环12向上与硅棒28分离,方便使用者取出成品。
本发明的工作原理及使用流程:在使用时,使用者将晶硅原料熔至坩埚件2的内部,之后再启动加热套17进行加热,通过温度计24检测加热套17的加热温度,检测出热量不足的位置,之后再通过电力控制多个第二电磁套193相互吸附,使无需加热的位置不启动加热环197,需要加热的位置启动加热环197进行温度补偿,加热位置可通过电磁力控制,可根据需要将不需加热的位置断电,需要加热后通电使第二电磁套193相互吸附集中,能够让加热环197对需要加热的区域集中加热,加热完成后,使用者通过导流筒5将硅棒28进行旋转拉扯成型,然后启动第一电机9带动螺杆10旋转,螺杆10带动调节套11向下移动,调节套11带动散热环12向下移动至硅棒28的表面,然后通过外接的气源使散热管132进行喷气散热,喷气嘴134将热气向上吹出,当设备停机需要清理时可将安装条47插入安装槽46的内部,然后启动第二电机151,第二电机151启动后带动齿轮152旋转,齿轮152带动齿环153旋转,齿环153带动散热环12旋转,散热环12带动隔热套131旋转,隔热套131旋转可带动安装条47旋转,安装条47旋转调动毛刷旋转对导流筒5进行清洁,隔热套131将保温箱1内部的温度进行阻隔,保证能源不会流失,散热完成后再启动第一电机9带动调节套11向上移动,调节套11向上带动散热环12与硅棒28分离,使用者旋转手柄22带动转动板6旋转,转动板6带动固定板7转动,固定板7带动安装板8与螺杆10转动,螺杆10带动调节套11向右移动与导流筒5分离,方便进行取料上料。
综上所述:该热场悬挂单晶炉及方法,由第一电机9通过螺杆10带动调节套11向下移动,使散热机构13进入导流筒5的内部进行隔热散热,保证热量不流失,之后通过旋转机构15将导流筒5的内壁进行清理,最后通过电磁温度补偿机构19将加热套17进行温度补偿,保证加热的稳定性,解决了现有单晶炉热场的温度控制不精准,不能进行阶梯式的温度控制,影响成型效率,同时成型后的硅棒散热会导致热场热量流失严重,损耗能源较多,不能节省能源,降低了资源利用率的问题。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种热场悬挂单晶炉,包括保温箱(1),其特征在于:所述保温箱(1)的内部设置有坩埚件(2),所述坩埚件(2)的底部固定连接有坩埚托盘(3),所述坩埚托盘(3)的底部固定连接有坩埚托杆(4),所述保温箱(1)内侧的顶部固定连接有导流筒(5),所述保温箱(1)顶部的右侧活动安装有转动板(6),所述转动板(6)顶部的右侧固定连接有固定板(7),所述固定板(7)左侧的顶部固定连接有安装板(8),所述安装板(8)顶部的左侧固定连接有的第一电机(9),所述第一电机(9)的输出端固定连接有螺杆(10),所述螺杆(10)表面的底部螺纹连接有调节套(11),所述调节套(11)的内侧套设有散热环(12),所述散热环(12)的底部固定连接有散热机构(13),所述调节套(11)顶部的右侧设置有安装架(14),所述安装架(14)底部的左侧固定连接有旋转机构(15),所述坩埚件(2)的表面套设有锅帮(16),所述锅帮(16)的表面固定连接有加热套(17),所述加热套(17)两侧的顶部和底部均固定连接有固定架(18),所述固定架(18)的内侧固定连接有电磁温度补偿机构(19),所述安装架(14)顶部的右侧螺纹连接有第一螺栓(20),所述转动板(6)顶部的右侧螺纹连接有第二螺栓(21),所述转动板(6)顶部的右侧固定连接有手柄(22),所述固定架(18)靠近锅帮(16)一侧的内侧固定连接有温度检测板(23),所述温度检测板(23)的内侧固定连接有温度计(24),所述保温箱(1)的内侧固定连接有保温内衬(25),所述转动板(6)的底部固定连接有圆台块(26),所述保温箱(1)顶部的右侧开设有与圆台块(26)滑动连接的滑动槽(27),所述坩埚件(2)的内部设置有硅棒(28);所述散热机构(13)包括隔热套(131),所述散热环(12)的底部固定连接有位于隔热套(131)内侧的散热管(132),所述散热管(132)的内侧开设有喷气孔(133),所述散热管(132)的底部连通有喷气嘴(134),所述散热管(132)设置有十二个,且十二个散热管(132)呈等距离环形分布;所述旋转机构(15)包括第二电机(151),所述第二电机(151)的输出端固定连接有齿轮(152),所述散热环(12)的顶部固定连接有与齿轮(152)啮合的齿环(153);所述电磁温度补偿机构(19)包括滑杆(191),所述滑杆(191)表面的顶部固定连接有第一电磁套(192),所述滑杆(191)的表面套设有第二电磁套(193),所述第二电磁套(193)设置有若干个,且若干个第二电磁套(193)呈等距离分布,所述第一电磁套(192)的底部固定连接有第一弹簧(194),每个所述第二电磁套(193)的底部均固定连接有磁块(195),位于上侧的所述磁块(195)与位于下侧的所述第二电磁套(193)之间固定连接有第二弹簧(196),所述第一弹簧(194)的底端与位于最上侧的所述第二电磁套(193)的顶部固定连接,所述第二电磁套(193)的内侧固定连接有加热环(197)。
2.根据权利要求1所述的一种热场悬挂单晶炉,其特征在于:所述固定架(18)底部的右侧固定连接有加固筋(29),所述固定架(18)顶部的右侧螺纹连接有第三螺栓(30),所述第三螺栓(30)的底部固定连接有压板(31),所述压板(31)的底部开设有第一镶嵌槽(32),所述第一镶嵌槽(32)的内部活动安装有第一滚珠(33)。
3.根据权利要求2所述的一种热场悬挂单晶炉,其特征在于:所述散热环(12)内壁的左侧固定连接有温度传感器(34),所述隔热套(131)的内壁固定连接有第一隔热层(35),所述隔热套(131)的表面固定连接有第二隔热层(36)。
4.根据权利要求3所述的一种热场悬挂单晶炉,其特征在于:所述齿环(153)底部的外侧开设有第二镶嵌槽(37),所述第二镶嵌槽(37)的内部活动安装有第二滚珠(38),所述齿环(153)的外侧开设有第三镶嵌槽(39),所述第三镶嵌槽(39)的内部活动安装有第三滚珠(40)。
5.根据权利要求4所述的一种热场悬挂单晶炉,其特征在于:所述安装板(8)底部的右侧固定连接有限位杆(41),所述限位杆(41)的底端贯穿调节套(11)并延伸至调节套(11)的底部与转动板(6)的顶部固定连接,所述调节套(11)顶部的左侧螺纹连接有第四螺栓(42),所述第四螺栓(42)的表面套设有压紧板(43),所述压紧板(43)的底部开设有第四镶嵌槽(44),所述第四镶嵌槽(44)的内部活动安装有第四滚珠(45),所述隔热套(131)的左侧开设有安装槽(46),所述安装槽(46)呈梯形设置,所述安装槽(46)的内部滑动安装有安装条(47),所述安装条(47)的左侧固定连接有清洁刷(48)。
6.根据权利要求5所述的一种热场悬挂单晶炉的使用方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1:将多晶硅原料熔至坩埚件(2)的内部,之后再通过加热套(17)对锅帮(16)进行加热,加热温度不佳时,通过电磁温度补偿机构(19)对温度不稳定的位置进行加热,使温度被补偿提高加热效率,加热完成后则执行步骤S2;
S2:通过导流筒(5)对坩埚件(2)内部的晶硅进行吸附拉扯成硅棒(28),之后再通过散热机构(13)对硅棒(28)进行隔热散热,防止热量流失,确保热源的循环利用率,通过旋转机构(15)带动散热环(12)进行旋转散热,直至硅棒(28)温度达到预定的数值,同时散热环(12)底部安装清洁的结构旋转时可对导流筒(5)进行清理,使加工完成后可确保再次加工的产品质量,散热完成后执行步骤S3;
S3:使用者可启动第一电机(9)将调节套(11)向上提升,调节套(11)带动散热环(12)向上与硅棒(28)分离,方便使用者取出成品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110084286.6A CN112708931B (zh) | 2021-01-21 | 2021-01-21 | 一种热场悬挂单晶炉及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110084286.6A CN112708931B (zh) | 2021-01-21 | 2021-01-21 | 一种热场悬挂单晶炉及方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112708931A CN112708931A (zh) | 2021-04-27 |
CN112708931B true CN112708931B (zh) | 2022-10-25 |
Family
ID=75549433
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110084286.6A Active CN112708931B (zh) | 2021-01-21 | 2021-01-21 | 一种热场悬挂单晶炉及方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112708931B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114574975A (zh) * | 2022-02-23 | 2022-06-03 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 | 一种降低轻掺硼晶棒体内铁含量系统及操作方法 |
CN114808146B (zh) * | 2022-05-18 | 2024-07-05 | 倪建刚 | 一种带自动冷却设备的单晶炉底盘组件及其使用方法 |
CN114985396A (zh) * | 2022-06-24 | 2022-09-02 | 瑞浦兰钧能源股份有限公司 | 一种壳体清洁设备 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN208704442U (zh) * | 2018-07-24 | 2019-04-05 | 大庆市鸿润升锅炉科技有限公司 | 一种插接式红外线用电加热炉 |
CN110904498A (zh) * | 2019-12-18 | 2020-03-24 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 用于拉晶炉的导流筒及拉晶炉 |
CN110923806A (zh) * | 2019-12-24 | 2020-03-27 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种单晶炉及单晶硅棒的制备方法 |
CN210886309U (zh) * | 2019-09-03 | 2020-06-30 | 包头美科硅能源有限公司 | 一种可减少断棱的单晶炉 |
CN211921742U (zh) * | 2019-12-24 | 2020-11-13 | 银川隆基硅材料有限公司 | 一种热场悬挂装置和单晶炉 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101467103B1 (ko) * | 2013-06-21 | 2014-11-28 | 주식회사 엘지실트론 | 실리콘 단결정 성장 장치 및 그 성장 방법 |
-
2021
- 2021-01-21 CN CN202110084286.6A patent/CN112708931B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN210886309U (zh) * | 2019-09-03 | 2020-06-30 | 包头美科硅能源有限公司 | 一种可减少断棱的单晶炉 |
CN110904498A (zh) * | 2019-12-18 | 2020-03-24 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 用于拉晶炉的导流筒及拉晶炉 |
CN110923806A (zh) * | 2019-12-24 | 2020-03-27 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种单晶炉及单晶硅棒的制备方法 |
CN211921742U (zh) * | 2019-12-24 | 2020-11-13 | 银川隆基硅材料有限公司 | 一种热场悬挂装置和单晶炉 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112708931A (zh) | 2021-04-27 |
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