CN111876823A - 一种单晶炉的组合套筒及单晶炉 - Google Patents

一种单晶炉的组合套筒及单晶炉 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种单晶炉的组合套筒及单晶炉，所述组合套筒包括：内筒、外筒和底筒，所述外筒上下开口，外筒套设在内筒外围，底筒设置于外筒的底端开口处，所述底筒包括环形底盘和下筒，所述内筒和所述下筒均呈倒锥形，所述内筒的上端与外筒的上端连接，所述环形底盘的外缘部与外筒的下端密封连接，所述环形底盘的内缘部与所述下筒的上部连接，所述内筒的下端与所述环形底盘的上表面固定连接。根据本发明实施例的组合套筒，可以保持硅熔液表面固、液、气三相交界点的稳定，保持温度场的稳定性，有利于晶棒的无缺陷生长，而且在硅熔液表面超过一定高度后，可以加快晶棒的冷却，使得晶棒快速度过缺陷形核长大的温度区间，最终制得高品质的晶棒。

Description

一种单晶炉的组合套筒及单晶炉
技术领域
本发明涉及晶棒制备技术领域，具体涉及一种单晶炉的组合套筒及单晶炉。
背景技术
随着微电子产业制程的不断提高，对硅晶圆材料的品质有了更高的要求，而好的品质意味着要管控好晶棒中的晶体缺陷。晶棒中的晶体缺陷主要分为两大类，一类是由过饱和的间隙聚集而成的缺陷，这类缺陷不会影响MOS元器件栅极氧化物完整性(gate oxideintegrity，简称GOI)；另一类是由空位聚集而成的缺陷，这类生长缺陷与GOI的良率有很大关系，常见的空位缺陷有COPs(crystal originated particles)、FPD(flow patterndefects)、LSTDs(laser scattering tomography defects)等。这些缺陷的生成与晶棒的轴向温度差G有关，而轴向温度差G可以根据热场的设计进行调节。
热场中关于导流筒的设计至关重要，其直接影响了晶棒轴向温度差G和晶棒边缘处的轴向温度差与晶棒中心处的轴向温度差的差值ΔG的大小，进而影响晶棒中的缺陷类型和分布。在拉晶过程中由于现有导流筒的局限性，导致液面大量热量传输到晶棒表面，这导致晶棒边缘区域的轴向温度变小，而晶棒中心区域的轴向温度差基本不变；进而使得ΔG增大，根据V/G理论，此时空位缺陷会集聚生长，这将减小无缺陷生长的区域，不利于晶棒的无缺陷生长。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种单晶炉的组合套筒及单晶炉，能够解决现有技术中导流筒设置不合理进而影响晶棒中的缺陷类型和分布、不利于晶棒的无缺陷生长的问题。
为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
本发明一方面实施例提供了一种单晶炉的组合套筒，包括：内筒、外筒和底筒，所述外筒上下开口，所述外筒套设在所述内筒外围，所述底筒设置于所述外筒的底端开口处，所述底筒包括环形底盘和下筒，所述内筒和所述下筒均呈倒锥形，所述内筒的上端与所述外筒的上端连接，所述环形底盘的外缘部与所述外筒的下端密封连接，所述环形底盘的内缘部与所述下筒的上部连接，所述内筒的下端与所述环形底盘的上表面固定连接。
可选的，所述内筒和所述外筒的材质为石墨材料。
可选的，所述环形底盘和所述下筒的材质为金属钼。
可选的，所述内筒、所述外筒和所述环形底盘之间围合形成的空腔内设置有第一填充体和第二填充体，所述第一填充体位于所述第二填充体的上方，所述第一填充体采用导热材料制成，所述第二填充体采用隔热材料制成。
可选的，所述环形底盘和所述下筒为一体设置。
可选的，所述环形底盘的外缘部形成有第一螺纹，所述外筒的下端形成有第二螺纹，所述环形底盘和所述外筒通过所述第一螺纹和所述第二螺纹实现螺纹配合连接。
可选的，所述环形底盘的底面呈圆锥面。
本发明另一方面实施例还提供了一种单晶炉，包括如上任一项所述的组合套筒。
本发明上述技术方案的有益效果如下：
根据本发明实施例的组合套筒，可以保持硅熔液表面固、液、气三相交界点的稳定，保持温度场的稳定性，有利于晶棒的无缺陷生长，而且在硅熔液表面超过一定高度后，可以加快晶棒的冷却，使得晶棒快速度过缺陷形核长大的温度区间，最终制得高品质的晶棒。
附图说明
图1为本发明实施例提供的组合套筒的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的底筒的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的外筒的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的内筒的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的组合套筒的使用示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1-图4，图1为本发明实施例提供的组合套筒的结构示意图，图2为本发明实施例提供的底筒的结构示意图，图3为本发明实施例提供的外筒的结构示意图，图4为本发明实施例提供的内筒的结构示意图。如图1-4所示，本发明实施例中的组合套筒可以包括底筒1、外筒2和内筒3，其中，外筒2内部中空且上下开口，外筒2套设在内筒3的外围，而底筒1则设置于外筒的底端开口处；具体地，底筒1可以包括环形底盘11和下筒12，内筒3和下筒12均呈倒锥形且上下开口，内筒3的上端和外筒2的上端连接，内筒3的上端开口略小于外筒2的上端开口，以确保内筒3可以设置于外筒2的内部，内筒3的上端和外筒2的上端具体可以采用搭接或者螺栓固定连接等等，此处不限定具体的连接方式；而环形底盘11的外缘部(即外周)与外筒2的下端密封连接，环形底盘11的内缘部(即内周)则与下筒12的上部连接，内筒3的下端与环形底盘11的上表面固定连接，由于内筒3呈倒锥形，因此内筒3的下端与环形底盘11的上表面的接触点靠近环形底盘11的内周。
本发明实施例中，环形底盘11的外缘部形成有第一螺纹，外筒2的下端形成有第二螺纹，环形底盘11和外筒2通过所述第一螺纹和所述第二螺纹实现螺纹配合连接；通过螺纹配合的方式可以方便底筒1和外筒2之间拆离，同时也可以实现较为紧固的连接，避免在惰性气体的吹动下发生松动。
请参考图5，为本发明实施例提供的组合套筒的使用示意图。如图5所示，在使用过程中，组合套筒设置在硅熔液上方，组合套筒的内筒3和下筒12形成气体流动通道，惰性气体可以经由内筒3和下筒12导流至硅熔液8的表面，提拉籽晶使晶棒5生长的过程中，惰性气体可以对晶棒5进行快速冷却。本发明实施例中，底筒1的材质为反射隔热材料，更具体的说，底筒1的材质为金属钼；通过上述设计，可以对底筒1的下筒12的内部进行保温，保持硅熔液8上的固、液、气三相交界点的稳定，保持温度场的稳定性，并且由于下筒12呈倒锥形，可以很好地调节晶棒5的边缘处的轴向温度差与中心处的轴向温度差的差值ΔG，使其接近于理想值，从而有助于晶棒5的无缺陷生长，而金属钼材质的底筒1可以有效地反射液面散发的热量，有助于硅熔液8液面及周边温度场的稳定；可选的，底筒1的环形底盘11的底面可以呈圆锥面，也就是说，环形底盘11的下表面距离硅熔液8表面的距离自外缘部(外周)向内缘部(内周)逐渐增大，使得环形底盘11反射液面散发的热量至晶棒5与硅熔液8的固液交界位置，进一步保证其温度的稳定，而底筒的下筒12则可以保持通过其内部的晶棒5的部分的温度的恒定，在底筒1对应的高度位置形成稳定的温度场，保证晶棒5的轴向温度差G的恒定，有助于晶棒5在该高度位置的无缺陷生长。
本发明实施例中，内筒3和外筒2的材质为导热材料，更具体的说，内筒3和外筒2的材质为石墨材料，导热材质的内筒3和外筒2可以有助于位于内筒3的内部的晶棒5在该高度部位快速冷却，即晶棒5的处于内筒3的内部的部分的热量通过内筒3和外筒2向外快速散去，使得晶棒5快速度过缺陷形核长大的温度区间，有效抑制晶棒5中缺陷的长大，从而减少晶棒5的缺陷生长。
本发明实施例中，内筒3、外筒2和环形底盘11之间围合形成的空腔内设置有填充体4，填充体4包括第一填充体41和第二填充体42，其中，第一填充体41位于第二填充体42的上方，第一填充体41采用导热材料制成，第二填充体42采用隔热材料制成；也就是说，内筒3、外筒2和环形底盘11之间围合形成的空腔内分为了两部分，上部则填充了第一填充体41，由于该高度位置需要使晶棒5的温度快速冷却下来，因此，第一填充体41采用导热材料，配合采用石墨材料的内筒3和外筒2，以将晶棒5的热量快速地向外传递；而对于下部则填充了第二填充体42，由于该高度位置需要保持晶棒5的温度恒定，因此第二填充体42采用隔热材料，第二填充体42既可阻挡自下而上的热量传递，也可以阻挡自内向外的热量传递，以减少热量外散。
本发明实施例中，环形底盘11和下筒12为一体设置，两者呈一体设置保证了两者之间不会发生相对运动，这有利于提高硅熔液8的液面检测的准确性。
根据本发明实施例的组合套筒，可以保持硅熔液表面固、液、气三相交界点的稳定，保持温度场的稳定性，有利于晶棒的无缺陷生长，而且在硅熔液表面超过一定高度后，可以加快晶棒的冷却，使得晶棒快速度过缺陷形核长大的温度区间，最终制得高品质的晶棒。
本发明另一方面实施例还提供了一种单晶炉，所述单晶炉包括如上实施例所述的组合套筒。由于上述实施例中的组合套筒可以保持硅熔液表面固、液、气三相交界点的稳定，保持温度场的稳定性，有利于晶棒的无缺陷生长，而且在硅熔液表面超过一定高度后，可以加快晶棒的冷却，使得晶棒快速度过缺陷形核长大的温度区间，最终制得高品质的晶棒，因此本发明实施例中的单晶炉也对应具有上述有益效果，为避免重复，在此不再赘述。
如图5所示，可选的单晶炉包括坩埚和位于坩埚正上方的组合套筒，坩埚包括石墨坩埚6和石英坩埚7，坩埚中容置硅熔液8，组合套筒距离硅熔液8表面一定高度，组合套筒中的下筒12的下端开口略大于晶棒5的直径，以允许晶棒5从其内部通过。
以上所述是本发明的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种单晶炉的组合套筒，其特征在于，包括：内筒、外筒和底筒，所述外筒上下开口，所述外筒套设在所述内筒外围，所述底筒设置于所述外筒的底端开口处，所述底筒包括环形底盘和下筒，所述内筒和所述下筒均呈倒锥形，所述内筒的上端与所述外筒的上端连接，所述环形底盘的外缘部与所述外筒的下端密封连接，所述环形底盘的内缘部与所述下筒的上部连接，所述内筒的下端与所述环形底盘的上表面固定连接。
2.根据权利要求1所述的组合套筒，其特征在于，所述内筒和所述外筒的材质为石墨材料。
3.根据权利要求1所述的组合套筒，其特征在于，所述环形底盘和所述下筒的材质为金属钼。
4.根据权利要求1所述的组合套筒，其特征在于，所述内筒、所述外筒和所述环形底盘之间围合形成的空腔内设置有第一填充体和第二填充体，所述第一填充体位于所述第二填充体的上方，所述第一填充体采用导热材料制成，所述第二填充体采用隔热材料制成。
5.根据权利要求1所述的组合套筒，其特征在于，所述环形底盘和所述下筒为一体设置。
6.根据权利要求1所述的组合套筒，其特征在于，所述环形底盘的外缘部形成有第一螺纹，所述外筒的下端形成有第二螺纹，所述环形底盘和所述外筒通过所述第一螺纹和所述第二螺纹实现螺纹配合连接。
7.根据权利要求1所述的组合套筒，其特征在于，所述环形底盘的底面呈圆锥面。
8.一种单晶炉，其特征在于，包括如权利要求1-7中任一项所述的组合套筒。
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DE112021000109.4T DE112021000109T5 (de) 2020-08-10 2021-06-23 Montagehülse einer einkristall-ziehvorrichtung und einkristall-ziehvorrichtung
JP2022538788A JP7432734B2 (ja) 2020-08-10 2021-06-23 単結晶炉の組立スリーブ及び単結晶炉
US17/627,717 US11932961B2 (en) 2020-08-10 2021-06-23 Assembly sleeve of single crystal pulling apparatus, and single crystal pulling apparatus
PCT/CN2021/101805 WO2022033187A1 (zh) 2020-08-10 2021-06-23 单晶炉的组合套筒及单晶炉
KR1020217037495A KR102615071B1 (ko) 2020-08-10 2021-06-23 단결정 노의 컴바인더 콘 튜브(Combined Cone Tube) 및 단결정 노
TW110123261A TWI750099B (zh) 2020-08-10 2021-06-25 單晶爐的組合套筒及單晶爐

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022033187A1 (zh) * 2020-08-10 2022-02-17 西安奕斯伟材料科技有限公司 单晶炉的组合套筒及单晶炉
CN114197034A (zh) * 2020-09-02 2022-03-18 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种单晶炉的组合套筒及单晶炉
CN114790575A (zh) * 2022-05-18 2022-07-26 西安奕斯伟材料科技有限公司 水冷套和单晶炉
US11932961B2 (en) 2020-08-10 2024-03-19 Xian Eswin Material Technology Co., Ltd. Assembly sleeve of single crystal pulling apparatus, and single crystal pulling apparatus
US12116693B2 (en) 2020-09-02 2024-10-15 Xi'an ESWIN Material Technology Co., Ltd. Cylinder assembly for improving region of defect-free growth of crystal ingot for single crystal pulling apparatus and single crystal pulling apparatus

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101037794A (zh) * 2005-12-30 2007-09-19 斯尔瑞恩公司 用于制造高质量硅单晶锭的方法以及由其制得的硅单晶片
CN105239150A (zh) * 2015-09-10 2016-01-13 上海超硅半导体有限公司 单晶硅生长炉用导流筒及其应用
CN207944172U (zh) * 2017-10-18 2018-10-09 青海日晶光电有限公司 一种单晶硅炉内导流筒
CN109930197A (zh) * 2017-12-18 2019-06-25 上海新昇半导体科技有限公司 热屏及单晶硅生长炉结构
CN110387577A (zh) * 2018-04-20 2019-10-29 胜高股份有限公司 单晶硅提拉装置的热屏蔽部件
CN110904498A (zh) * 2019-12-18 2020-03-24 西安奕斯伟硅片技术有限公司 用于拉晶炉的导流筒及拉晶炉
CN211112314U (zh) * 2019-12-03 2020-07-28 徐州鑫晶半导体科技有限公司 导流筒

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101494521B1 (ko) * 2013-04-30 2015-02-17 웅진에너지 주식회사 추락방지형 열차단구조체
CN210657216U (zh) * 2019-08-28 2020-06-02 包头美科硅能源有限公司 一种单晶炉用可变径导流筒
CN111876823A (zh) * 2020-08-10 2020-11-03 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种单晶炉的组合套筒及单晶炉

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101037794A (zh) * 2005-12-30 2007-09-19 斯尔瑞恩公司 用于制造高质量硅单晶锭的方法以及由其制得的硅单晶片
CN105239150A (zh) * 2015-09-10 2016-01-13 上海超硅半导体有限公司 单晶硅生长炉用导流筒及其应用
CN207944172U (zh) * 2017-10-18 2018-10-09 青海日晶光电有限公司 一种单晶硅炉内导流筒
CN109930197A (zh) * 2017-12-18 2019-06-25 上海新昇半导体科技有限公司 热屏及单晶硅生长炉结构
CN110387577A (zh) * 2018-04-20 2019-10-29 胜高股份有限公司 单晶硅提拉装置的热屏蔽部件
CN211112314U (zh) * 2019-12-03 2020-07-28 徐州鑫晶半导体科技有限公司 导流筒
CN110904498A (zh) * 2019-12-18 2020-03-24 西安奕斯伟硅片技术有限公司 用于拉晶炉的导流筒及拉晶炉

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022033187A1 (zh) * 2020-08-10 2022-02-17 西安奕斯伟材料科技有限公司 单晶炉的组合套筒及单晶炉
US11932961B2 (en) 2020-08-10 2024-03-19 Xian Eswin Material Technology Co., Ltd. Assembly sleeve of single crystal pulling apparatus, and single crystal pulling apparatus
CN114197034A (zh) * 2020-09-02 2022-03-18 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种单晶炉的组合套筒及单晶炉
CN114197034B (zh) * 2020-09-02 2024-08-16 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 一种单晶炉的组合套筒及单晶炉
US12116693B2 (en) 2020-09-02 2024-10-15 Xi'an ESWIN Material Technology Co., Ltd. Cylinder assembly for improving region of defect-free growth of crystal ingot for single crystal pulling apparatus and single crystal pulling apparatus
CN114790575A (zh) * 2022-05-18 2022-07-26 西安奕斯伟材料科技有限公司 水冷套和单晶炉
WO2023221388A1 (zh) * 2022-05-18 2023-11-23 西安奕斯伟材料科技有限公司 水冷套和单晶炉
TWI846054B (zh) * 2022-05-18 2024-06-21 大陸商西安奕斯偉材料科技股份有限公司 水冷套和單晶爐

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