TWI755220B - 一種用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片及單晶矽生長爐 - Google Patents

一種用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片及單晶矽生長爐 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片，包括第一折射層和第二折射層，所述第一折射層的折射率與所述第二折射層的折射率不同，所述第一折射層和所述第二折射層相互交替形成層疊結構，所述第一折射層和與之相鄰設置的第二折射層相貼合；在此基礎上，本發明還提供一種單晶矽生長爐，所述薄膜隔熱片設置在所述單晶矽生長爐中的熱屏上；本發明提供一種用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片，在熱輻射波長範圍內具有良好的反射性能，當將其設置在熱屏上以應用於單晶矽生長爐中時，能夠提高熱屏對熱能的反射能力，降低熔融的矽熔體熱量的耗散，提高熱能利用率；並且有利於熱場的保溫性能，從而有利於提高熱場的品質以提高單晶矽生長的品質和產量。

Description

一種用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片及單晶矽生長爐
本發明涉及半導體製造領域，特別涉及一種用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片及單晶矽生長爐。
單晶矽是現代通信技術、積體電路及太陽能電池等行業得以持續發展的材料基礎，有著不可替代的作用。目前，從熔體中生長單晶矽主要的方法包括直拉法和區熔法。其中，由於直拉法生產單晶矽具有設備和工藝簡單、容易實現自動控制、生產效率高、易於製備大直徑單晶矽，以及晶體生長速度快、晶體純度高和完整性高等優點，直拉法得以迅速發展。
利用直拉式晶體生長爐生產單晶矽，需要將普通矽材料進行熔化，然後重新結晶。根據單晶矽的結晶規律，將原材料放在坩堝中加熱熔化，控制溫度比矽單晶的結晶溫度略高，確保熔化後的矽材料在溶液表面可以結晶。結晶出來的單晶通過直拉爐的提升系統提出液面，在惰性氣體的保護下冷卻、成形，最後結晶成一個主體為圓柱體、尾部為圓錐體的晶體。
單晶矽是在單晶爐熱場中進行生長的，熱場的優劣對單晶矽的生長和品質有很大的影響。好的熱場不僅能夠讓單晶生長順利，而且生長出的單晶品質高；而熱場條件不完備時，則可能無法生長出單晶，即使生長出單晶，也容易發生晶變，變成多晶或有大量缺陷的結構。因此，尋找較好的熱場條件，配置最佳熱場，是直拉單晶矽生長工藝非常關鍵的技術。而熱場設計中，最為關鍵的是熱屏的設計。首先，熱屏的設計直接影響固液介面的垂直溫度梯度，通過梯度的變化影響V/G比值決定晶體品質。其次，熱屏的設計會影響固液介面的水準溫度梯度，控制整個矽片的品質均勻性。最後，熱屏的合理設計會影響晶體熱歷史，控制晶體內部缺陷的形核與長大，在製備高階矽片過程中非常關鍵。
目前，常用的熱屏其外層材料為SiC鍍層或熱解石墨，內層為保溫石墨氈。熱屏的位置放置於熱場上部，呈圓筒狀，晶棒從圓筒內部被拉制出來。熱屏靠近晶棒的石墨熱反射率較低，吸收晶棒散發的熱量。熱屏外部的石墨通常熱反射率較高，利於將熔體散發的熱量放射回去，提高熱場的保溫性能，降低整個工藝的功耗。而現有的熱屏設計仍然存在溫度梯度不均勻的缺陷。
針對現有技術存在的上述缺陷，本申請旨在提供一種薄膜隔熱片，能夠應用於熱屏上，提高熱屏的熱反射能力，提高熱場的保溫性能，從而提高爐內生長出的晶體的品質和產量。
針對現有技術的上述問題，本發明的目的在於提供一種用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片，包括第一折射層和第二折射層，所述第一折射層的折射率與所述第二折射層的折射率不同，所述第一折射層和所述第二折射層相互交替形成層疊結構，所述第一折射層和與之相鄰設置的所述折射層相貼合。
進一步地，所有所述第一折射層均由矽制得，所述第一折射層的厚度在0.1mm-0.8mm的範圍內，所述第一折射層的粗糙度小於1.4A。
優選地，所述第一折射層的厚度在0.1mm-0.3mm的範圍內，所述第一折射層的粗糙度小於1A。
進一步地，所有所述第一折射層均由鉬制得，所述第一折射層的厚度在0.5mm-3mm的範圍內，所述第一折射層的粗糙度小於10A。
優選地，所述第一折射層的厚度在1mm-2mm的範圍內，所述第一折射層的粗糙度小於3A。
進一步地，所述層疊結構中至少有一個所述第一折射層由矽制得，所述層疊結構中至少有一個所述第一折射層由鉬制得，由矽制得的所述第一折射層其厚度在0.1mm-0.8mm的範圍內，由鉬制得的所述第一折射層其厚度在0.5mm-3mm的範圍內。
更進一步地，所述第二折射層由二氧化矽制得，所述第二折射層的厚度在0.1mm-1.5mm範圍內，所述第二折射層的粗造度小於2A。
優選地，所述第二折射層的厚度在0.1mm-0.5mm範圍內，所述第二折射層的粗造度小於1A。
優選地，所述薄膜隔熱片還設有封裝層，所述封裝層用於封裝所述層疊結構。
本發明另一方面保護一種單晶矽生長爐，包括爐體、坩堝、加熱器、熱屏和上述技術方案提供的一種薄膜隔熱片，所述薄膜隔熱片設置在所述熱屏上；所述爐體內設有容腔；所述坩堝設置在所述容腔內，所述坩堝用於承載供單晶矽生長的熔體；所述加熱器設置在所述坩堝與所述爐體之間，所述加熱器用於提供單晶矽生長所需的熱場；所述熱屏設置在所述坩堝的上方，所述熱屏用於反射所述坩堝散發的熱能，所述薄膜隔熱片設置在所述熱屏靠近所述坩堝的一側和/或所述薄膜隔熱片設置在所述坩堝靠近生長出的單晶矽的一側。
由於上述技術方案，本發明具有以下有益效果：
本發明提供一種用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片，在熱輻射波長範圍內具有良好的反射性能，當將其設置在熱屏上以應用於單晶矽生長爐中時，能夠提高熱屏對熱能的反射能力，降低熔融的矽熔體熱量的耗散，提高熱能利用率；並且有利於熱場的保溫性能，從而有利於提高熱場的品質以提高單晶矽生長的品質和產量。
為了更清楚地說明本發明的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它附圖。
下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
需要說明的是，本發明的說明書和請求項書及上述附圖中的術語“第一”、“第二”等是用於區別類似的物件，而不必用於描述特定的順序或先後次序。應該理解這樣使用的資料在適當情況下可以互換，以便這裡描述的本發明的實施例能夠以除了在這裡圖示或描述的那些以外的順序實施。此外，術語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在於覆蓋不排他的包含。
實施例1，結合圖1和圖2，本實施例提供一種用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片，包括第一折射層10和第二折射層20，所述第一折射層10和所述第二折射層20成對出現，且所述第一折射層10和所述第二折射層20相互交替形成層疊結構；所述第一折射層10的折射率與所述第二折射層20的折射率不同，所述第一折射層10和與之相鄰的所述第二折射層20相貼合，所述第二折射層20和與之相鄰的第一折射層10相貼合。即本說明書實施例中，所述第一折射層10的數量和所述第二折射率層20的數量相等，因此所述層疊結構其整體的一側以第一折射層10為終點，所述層疊結構的另一側以第二折射層20為終點。如圖1所示，圖1（a）至圖1（e）分別對應於具有不同數量的第一折射層（第二折射層）的所述薄膜隔熱片，所述第一折射層10的數量分別為1至5。
本說明書實施例中，所述層疊結構中的各所述第一折射層10均由矽制得，所述第一折射層10的厚度在0.1mm-0.8mm的範圍內，所述第一折射層10的粗糙度小於1.4A。需要說明的是，本說明書實施例中所述粗糙度指的是均方根粗糙度。
所述層疊結構中，所述第二折射層20均由二氧化矽制得，所述第二折射層20的厚度在0.5mm-3mm範圍內，所述第二折射層20的粗造度小於2A。所述第一折射層10和所述第二折射層20均具有較低的表面粗糙度，有利於第一折射層10和所述第二折射層20之間具有良好的介面接觸，從而提高所述層疊結構整體的熱反射性能。
所述薄膜隔熱片還設有封裝層（未示出），所述封裝層用於封裝所述層疊結構。封裝後的所述薄膜隔熱片用於設置在單晶矽生長爐中。
需要說明的是，本說明書實施例中未對所述第一折射層10和所述第二折射層20的製備工藝進行限制，應當理解為，不論通過何種工藝制得得到符合上述厚度及粗糙度要求的第一折射層和第二折射層，最終制得的層疊結構均有同等的熱反射效果。
需要說明的是，對應於圖1（b）至圖1（e）對應的這幾種薄膜隔熱片中，所述層疊結構中包括2個及2個以上的第一折射層10層和2個及2個以上的第二折射層20，各所述第一折射層10的厚度可以相同也可以相互不同，使得滿足各所述第一折射層10的厚度均在0.1mm-0.3mm的範圍內即可；同樣地，各所述第二折射層20的厚度可以相同也可以不同，使得各所述第二折射層20的厚度均在0.1mm-1.5mm的範圍內即可。
具體的，本說明書實施例提供的如圖1（a）至圖1（e）所示的幾種薄膜隔熱片，其中各所述第一折射層10均為厚度為0.1mm的矽，各所述第一折射層10的粗糙度均小於1.4A；各所述第二折射層20均為厚度為0.1mm厚的二氧化矽，各所述第二折射層20的粗糙度均小於2A。
如圖2所示，為本說明書實施例提供的具有不同數量的第一折射層10以及不同數量的第二折射層20的薄膜隔熱片的熱反射率曲線，其橫坐標為波長（此處選取800nm至2000nm的波長範圍以與單晶矽生長爐的熱環境相對應），縱坐標為熱反射率。從圖2中的各個曲線可以看出，與現有技術中採用的隔熱矽片相比，本說明書實施例提供的具有層疊結構的薄膜隔熱片在單晶矽生長爐的熱場環境內，具有更高的熱反射性能。
並且，隨著第一折射層-第二折射層對數量的增加，由所述第一折射層10和所述第二折射層20交替設置形成的介面數量也隨之增加；當第一折射層-第二折射層對的數量從1對增加到3對時，薄膜隔熱片的熱反射性能有所增加；但當第一折射層-第二折射層對的數量增加到4對及4對以上時，薄膜隔熱片的熱反射性能曲線波動加劇，且在800nm-1100nm波段出現低於薄膜矽片的熱反射性能的情形出現，這對於薄膜隔熱片整體的熱反射性能來說是極為不利的。由此也可以看出，當第一折射層-第二折射層對的數量在2-3對的範圍內時，其層疊結構的介面數量在3-5個的範圍內時，薄膜隔熱片具有較佳的熱反射性能；即一味的增加第一折射層-第二折射層對的數量，並不能得到薄膜隔熱片熱反射性能的增加。
本說明書實施例還提供一種單晶矽生長爐，包括爐體、坩堝、加熱器、熱屏以及上述技術方案提供的薄膜隔熱片，所述薄膜隔熱片設置在所述熱屏上；所述爐體內設有容腔；所述坩堝設置在所述容腔內，且位於容腔的中心位置，所述坩堝中部凹陷，用於承載供單晶矽生長的熔體；所述坩堝可由石英（二氧化矽）制得；也可以由石墨制得；或者包括由石英材料製備的內膽和由石墨材料製造的外壁，以使得坩堝內壁能夠與矽熔體直接接觸，石墨制得的坩堝外壁能夠起到支撐作用；所述加熱器放置在所述坩堝的週邊，且位於所述坩堝與所述爐體之間，所述加熱器用於對所述坩堝加熱以提供單晶矽生長所需的熱場；所述加熱器與坩堝之間具有間隔，該間隔根據所述容腔的尺寸、坩堝的尺寸和加熱的溫度等參數進行調整；所述加熱器優選為石墨加熱器；進一步地，所述加熱器可以包括圍繞所述坩堝設置的一個或多個加熱器，以使得坩堝所處的熱場均勻；所述熱屏設置在所述坩堝的上方，所述熱屏用於反射所述坩堝內承載的熔體散發的熱能，起到保溫的作用；所述薄膜隔熱片設置在所述熱屏靠近所述坩堝的一側和/或所述薄膜隔熱片設置在所述坩堝靠近生長出的單晶矽的一側。
除此之外，所述單晶矽生長爐還可以包括冷卻器，所述冷卻器用於冷卻生長出來的單晶矽錠。
所述坩堝還可以連接有升降機構和旋轉機構，所述升降機構用於實現所述坩堝的升降，所述旋轉機構用於實現所述坩堝的旋轉，所述坩堝能夠在所述加熱器提供的熱場內升降和旋轉，從而有利於置於一個良好的熱場環境內，其內部的矽熔體也能夠處於一個受熱較為均勻的熱環境中。
本說明書實施例提供的一種薄膜隔熱片，當其設置在熱屏上應用於單晶矽生長爐中時，能夠提高熱屏對熱量的反射能力，降低熔融的矽熔體熱量的耗散，提高熱能利用率；有利於熱場的保溫性能，從而有利於提高熱場的品質以提高單晶矽生長的品質和產量。
實施例2：
實施例1中，所述第一折射層10和所述第二折射層20是成對出現的，本說明書實施例提供一種薄膜隔熱片，與實施例1不同之處在於：本實施例中提供的所述薄膜隔熱片中，所述第一折射層10與所述第二折射層20的數量不相等。
如圖3（a）所示，本說明書實施例提供的薄膜隔熱片包括3個所述第一折射層10和2個所述第二折射層20，所述第一折射層10的折射率和所述第二折射層20的折射率不同，所述第一折射層10和所述第二折射層20相互交替設置，從而所述層疊結構的兩端均為第一折射層10。
圖3（a）所對應的薄膜隔熱片中，各所述第一折射層10均由矽制得，本說明書中將由矽制得的所述第一折射層簡記為10（Ⅰ），則各由矽制得的所述第一折射層10（Ⅰ）的厚度均為0.3mm，各由矽制得所述第一折射層10（Ⅰ）的粗糙度為小於1A；各所述第二折射層20均由二氧化矽制得，所述第二折射層20的厚度為0.5mm，所述第二折射層20的粗糙度為小於1A。
以及如圖3（b）所示，本說明書實施例還提供一種薄膜隔熱片包括3個第二折射層20和2個所述第一折射層10，所述第一折射層10的折射率和所述第二折射層20的折射率不同，所述第一折射層10與所述第二折射層20相互交替設置，從而所述層疊結構的兩端均為所述第二折射層20。
圖3（b）所對應的薄膜隔熱片中，各所述第一折射層10均由鉬制得，本說明書中將由鉬制得的所述第一折射層簡記為10（Ⅱ），則各由鉬制得的所述第一折射層10（Ⅱ）的厚度為0.5mm，各由鉬制得的所述第一折射層10（Ⅱ）的粗糙度小於10A；各所述第二折射層20均由二氧化矽制得，所述第二折射層20的厚度為1.5mm，所述第二折射層20的粗糙度為小於2A。
需要說明的是，本實施例中所述第一折射層10和所述第二折射層20的數量僅是示例性的，所述第一折射層10和所述第二折射層20還可以具有不同於本實施例中所提供的數量。
如圖4（a）和圖4（b）所示，分別為圖3（a）和圖3（b）對應的薄膜隔熱片的熱反射曲線圖。從圖中可以看出，由於這兩種薄膜隔熱片均包括有4個介面，因此其熱反射性能與1（c）所對應的薄膜隔熱片的熱反射性能相當；而由於3（b）對應的薄膜隔熱片中的所述第一折射層10由鉬制得，因此，能夠推導得到3（b）所對應的薄膜隔熱片其熱反射性能有所提升是由於採用了由鉬材料制得的第一折射層，鉬材料具有耐高溫，高溫下穩定性高的特性。
實施例3：
本實施例提供一種薄膜隔熱片，包括第一折射層10和第二折射層20，所述第一折射層10的折射率與所述第二折射層20的折射率不同，所述第一折射層10與所述第二折射層20相互交替設置，與實施例1及實施例2的不同之處在於：
所述第一折射層10至少有兩個，且所述層疊結構中至少有一個所述第一折射層10由矽制得，且所述層疊結構中至少有一個所述第一折射層20由鉬制得。
作為示例的，如圖5（a）所示，本說明書實施例提供的用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片依次包括：第一個由矽材料制得的第一折射層10（Ⅰ），其厚度為0.8mm；第一個第二折射層20，由二氧化矽制得，厚度為0.3mm，粗糙度小於1A；第二個由鉬制得的第一折射層10（Ⅱ），其厚度為3mm，粗糙度小於5A；第二個第二折射層20，第二個所述第二折射層20由二氧化矽制得，厚度為0.3mm，粗糙度小於1A以及第三個由鉬制得的第一折射層10（Ⅱ），其厚度為2mm，粗糙度小於3A。
以及如圖5（b）所示，本說明書實施例還提供一種薄膜隔熱片，依次包括：第一個由鉬制得的第一折射層10（Ⅱ），其厚度為2mm，粗糙度小於3A；第一個第二折射層20，由二氧化矽制得，厚度為0.3mm，粗糙度小於1A；第二個由矽制得的第一折射層10（Ⅰ），其厚度為0.5mm，粗糙度小於1A以及第二個第二折射層20，第二個所述第二折射層20由二氧化矽制得，厚度為0.3mm，粗糙度小於1A。
如圖6（a）和圖6（b）所示，分別為圖5（a）和圖5（b）所對應的薄膜隔熱片的熱反射曲線圖。如圖所示，5（a）對應的薄膜隔熱片熱反射性能優異，不僅是由於該薄膜隔熱片具有4個介面，介面數量合理；且其包含的三個第一折射層中既包括有由矽制得的第一折射層10（Ⅰ），又包括有由鉬制得的第一折射層10（Ⅱ），並且由鉬制得的第一折射層10（Ⅱ）的數量大於由矽制得的第一折射層10（Ⅰ）。需要說明的是，在5（a）提供的薄膜隔熱片結構的基礎上，對由矽制得的第一折射層10（Ⅰ）和由鉬制得的第一折射層10（Ⅱ）的順序進行調整，得到的曲線與圖6（a）中的曲線相似，此處不一一贅述。在5（a）提供的薄膜隔熱片結構的基礎上，對其中各層的厚度和粗糙度進行優化，能夠獲得熱反射性能最佳的薄膜隔熱片。
而5（b）所對應的薄膜隔熱片在1250nm-2000nm波段熱反射性能優異（略高於5（a）對應的薄膜隔熱片在此波段內的熱反射率），但在800nm-1250nm波段存在衰減，這對薄膜隔熱片整體的熱反射性能來說是不利的，可能是其介面數量和介面材料導致的。但對於不同的單晶矽生長爐，其熱場環境不同，追求的熱反射率高的波段也可能不同，因此，5（b）所對應的薄膜隔熱片也可用於追求在1250nm-2000nm波段內有較高反射率的生長爐中。
綜上所述，本說明書各實施例中提供的各薄膜隔熱片，與現有技術採用的隔熱矽片相比，均有更高的熱反射率。當其設置在熱屏上以應用於單晶矽生長爐中時，能夠提高熱屏對坩堝中矽熔體的熱量的反射能力，降低矽熔體熱量的耗散；有利於對生長爐中的熱場進行保溫，從而有利於提高熱場的品質以提高單晶矽生長的品質和產量。
需要說明的是，本說明書重點描述的是各實施例之間的不同之處，除上述各實施例之外，還可以在上述公開的特徵的基礎上，將所述薄膜隔熱片中各層加以組合以得到更多不同於上述各實施例中提供的薄膜隔熱片。
以上所述僅為本發明的較佳實施例，並不用以限制本發明，對於本領域技術人員而言，顯然本發明不限於上述示範性實施例的細節，而且在不背離本發明的精神或基本特徵的情況下，能夠以其他的具體形式實現本發明。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示範性的，而且是非限制性的，本發明的範圍由所附請求項而不是上述說明限定，因此旨在將落在請求項的等同要件的含義和範圍內的所有變化囊括在本發明內。不應將請求項中的任何附圖標記視為限制所涉及的請求項。
10.                  第一折射層                     10（Ⅰ）.    由矽制得的第一折射層 10（Ⅱ）.       由鉬制得的第一折射層 20.                  第二折射層。
圖1是本發明實施例提供的用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片的結構示意圖。 圖2是圖1中各薄膜隔熱片的熱反射率曲線圖。 圖3是本發明另一個實施例提供的用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片的結構示意圖。 圖4（a）是圖3（a）對應的薄膜隔熱片的熱反射率曲線圖。 圖4（b）是圖3（b）對應的薄膜隔熱片的熱反射率曲線圖。 圖5是本發明另一個實施例提供的用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片的結構示意圖。 圖6（a）是圖5（a）對應的薄膜隔熱片的熱反射率曲線圖。 圖6（b）是圖5（b）對應的薄膜隔熱片的熱反射率曲線圖。
10.                  第一折射層 20.                  第二折射層。

Claims (10)

  1. 一種用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片，其特徵在於，包括第一折射層和第二折射層，所述第一折射層的折射率與所述第二折射層的折射率不同，所述第一折射層和所述第二折射層相互交替形成層疊結構，所述第一折射層和與之相鄰設置的第二折射層相貼合。
  2. 根據請求項1所述的一種用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片，其中，所有所述第一折射層均由矽制得，所述第一折射層的厚度在0.1mm-0.8mm的範圍內，所述第一折射層的粗糙度小於1.4A。
  3. 根據請求項2所述的一種用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片，其中，所述第一折射層的厚度在0.1mm-0.3mm的範圍內，所述第一折射層的粗糙度小於1A。
  4. 根據請求項1所述的一種用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片，其中，所有所述第一折射層均由鉬制得，所述第一折射層的厚度在0.5mm-3mm的範圍內，所述第一折射層的粗糙度小於10A。
  5. 根據請求項4所述的一種用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片，其中，所述第一折射層的厚度在1mm-2mm的範圍內，所述第一折射層的粗糙度小於3A。
  6. 根據請求項1所述的一種用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片，其中，所述層疊結構中至少有一個所述第一折射層由矽制得，所述層疊結構中至少有一個所述第一折射層由鉬制得，由矽制得的所述第一折射層其厚度在0.1mm-0.8mm的範圍內，由鉬制得的所述第一折射層其厚度在0.5mm-3mm的範圍內。
  7. 根據請求項2或4或6所述的一種用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片，其中，所述第二折射層由二氧化矽制得，所述第二折射層的厚度在0.1mm-1.5mm範圍內，所述第二折射層的粗造度小於2A。
  8. 根據請求項7所述的一種用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片，其中，所述第二折射層的厚度在0.1mm-0.5mm範圍內，所述第二折射層的粗造度小於1A。
  9. 根據請求項1所述的一種用於單晶矽生長爐的薄膜隔熱片，其中，所述薄膜隔熱片還設有封裝層，所述封裝層用於封裝所述層疊結構。
  10. 一種單晶矽生長爐，其中，包括爐體、坩堝、加熱器、熱屏和如請求項1至9任一項所述的薄膜隔熱片，所述薄膜隔熱片設置在所述熱屏上；所述爐體內設有容腔；所述坩堝設置在所述容腔內，所述坩堝用於承載供單晶矽生長的熔體；所述加熱器設置在所述坩堝與所述爐體之間，所述加熱器用於提供單晶矽生長所需的熱場；所述熱屏設置在所述坩堝的上方，所述熱屏用於反射所述坩堝散發的熱能，所述薄膜隔熱片設置在所述熱屏靠近所述坩堝的一側和/或所述薄膜隔熱片設置在所述坩堝靠近生長出的單晶矽的一側。
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