CN114369866B - 直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法，属于提高拉晶速率工艺的技术领域，包括：导流筒、水冷屏，所述导流筒位于所述水冷屏的下方，所述水冷屏的内侧壁设置有凹坑，单晶炉加热器位于炉体底部，布设于坩埚底部或侧壁上，单晶硅拉制过程中，加热器的温度自加热炉底部向上折射，本发明在所述水冷屏的内侧壁设置凹坑，通过凹坑能够增加水冷屏的热折射方向，使得热折射向上，减少热折射直接折射在晶棒上，利于晶棒的降温，且所述凹坑有利于增大水冷屏散热面积，且增加了水冷屏的吸热效率，提高加热炉腔内散热效率，进而使得单晶棒拉制的过程中拉速提高，进而拉制单晶棒的产率提高。
Description
技术领域
本发明涉及提高拉晶速率工艺技术领域，具体涉及一种直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法。
背景技术
直拉单晶炉中设置有热屏装置，用于单晶炉内制造均匀的热场，现有技术中的热屏表面外壁光滑，单晶硅拉制过程中热屏产生的热折射是定向的，不利于加热炉腔内散热降温，导致拉晶速率不高。
发明内容
有鉴于此，针对上述不足，有必要提出一种提高拉晶速率的直拉单晶炉热屏装置
还有必要提出一种提高拉晶速率的方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种直拉单晶炉热屏装置，包括：导流筒、水冷屏，所述导流筒位于所述水冷屏的下方，所述水冷屏的内侧壁设置有凹坑，以提高晶棒的拉速。
优选地，所述凹坑均匀分布在所述水冷屏的内侧壁上。
优选地，所述凹坑为圆形。
优选地，所述凹坑为椭圆形。
优选地，所述水冷屏为上下开口的筒状，所述水冷屏的开口上大下小。
优选地，所述水冷屏的下端设置圆环形护套，所述圆环形护套由石墨做成，所述圆环形护套与所述水冷屏的下端连接。
优选地，所述水冷屏的外侧壁两端相对设置固定杆。
优选地，所述水冷屏为不锈钢材质。
优选地，所述水冷屏表面涂覆有涂层。
一种提高拉晶速率的方法，利用如上所述直拉单晶炉热屏装置实现，具体步骤如下：
步骤一：将导流筒安装在单晶炉的内壁上，再将水冷屏设置在导流筒的上方，且所述水冷屏的一端与单晶炉的内壁连接；
步骤二：将晶棒以1.8mm/min-2.0mm/min的拉速从单晶炉内拉出。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
单晶炉加热器位于炉体底部，布设于坩埚底部或侧壁上，单晶硅拉制过程中，加热器的温度自加热炉底部向上折射，本发明在所述水冷屏的内侧壁设置凹坑，通过凹坑能够增加水冷屏的热折射方向，使得热折射向上，减少热折射直接折射在晶棒上，利于晶棒的降温，且所述凹坑有利于增大水冷屏散热面积，且增加了水冷屏的吸热效率，提高加热炉腔内散热效率，进而使得单晶棒拉制的过程中拉速提高，进而拉制单晶棒的产率提高。
附图说明
图1为水冷屏的结构示意图。
图2为单晶炉的剖视图。
图中：导流筒100、水冷屏200、凹坑210、圆环形护套220、固定杆230。
具体实施方式
以下结合本发明的附图，对本发明实施例的技术方案以及技术效果做进一步的详细阐述。
请参看图1及图2，一种直拉单晶炉热屏装置，包括：导流筒100、水冷屏200，所述导流筒100位于所述水冷屏200的下方，所述水冷屏200的内侧壁设置有凹坑210，以提高晶棒的拉速。
所述导流筒100与单晶炉的内壁连接，所述水冷屏200与单晶炉的内壁连接，所述导流筒100套设在所述水冷屏200的下方。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
单晶炉加热器位于炉体底部，布设于坩埚底部或侧壁上，单晶硅拉制过程中，加热器的温度自加热炉底部向上折射，本发明所述导流筒100套设在所述水冷屏200的下方，用来隔绝热量，在所述水冷屏200的内侧壁设置凹坑210，在凹坑210处形成漫反射，使得散热效率提高，并且通过凹坑210能够增加水冷屏200的热折射方向，使得热折射向上，减少热折射直接折射在晶棒上，利于晶棒的降温，且所述凹坑210增大水冷屏200散热面积，且增加了水冷屏200的吸热效率，提高加热炉腔内散热效率，进而使得单晶棒拉制的过程中拉速提高，进而拉制单晶棒的产率提高。
并且在凹坑210中，热辐射能够形成涡旋气流，增加水冷屏200的散热；相对于现有技术，如果在水冷屏200上设置凸起，会改变热折射的方向，使得热折射向下，使得热折射折射在晶棒上或硅溶液上，不利于散热，而本发明是凹坑210，增加水冷屏200的热折射方向，使得热折射向上，减少热折射直接折射在晶棒上，利于晶棒的降温。
进一步的，所述凹坑210均匀分布在所述水冷屏200的内侧壁上。
进一步的，所述凹坑210为圆形，使得热折射的方向向上，增大水冷屏200的散热面。
进一步的，所述凹坑210为椭圆形。
进一步的，所述水冷屏200为上下开口的筒状，所述水冷屏200的开口上大下小。
进一步的，所述水冷屏200的下端设置圆环形护套220，所述圆环形护套220由石墨做成，所述圆环形护套220与所述水冷屏200的下端通过石墨螺栓固定连接；由于水冷屏200上部分为不锈钢结构，而单晶炉内的加热器的加热温度为1450℃，炉腔内的环境温度在1000℃以上，不锈钢的耐高温温度为1000℃，在单晶炉内炉内温度过高容易造成不锈钢水冷屏200高温熔断或爆裂，因此采用石墨做成的圆环形护套220将水冷屏200和圆环形护套220固定在石英坩埚上方，石墨做成的圆环形护套220的耐高温温度达4000℃，在水冷热屏下端连接石墨做成的圆环形护套220，避免水冷热屏高温熔断或爆裂，同时通过石墨做成的圆环形护套220能够延伸水冷屏200的长度，延伸水冷热屏的热折射，有效保证单晶炉内良好的温度梯度，并且现有技术中水冷屏200的另一端需要距离硅溶液页面60mm以上，否则水冷屏200容易因膨胀而爆裂，所述圆环形护套220使得水冷屏200距硅溶液的液面更加接近，且水冷屏200不易炸裂。
进一步的，所述水冷屏200的外侧壁两端相对设置固定杆230，用于将水冷屏200焊接在单晶炉内腔壁上，进行固定。
进一步的，所述水冷屏200为不锈钢材质。
进一步的，所述水冷屏200表面涂覆有涂层。
进一步的，所述水冷屏200的侧壁与所述单晶炉的中轴线夹角a为15°/2-20°。
一种提高拉晶速率的方法，利用所述的直拉单晶炉热屏装置，具体步骤如下：
步骤一：将导流筒100安装在单晶炉的内壁上，再将水冷屏200设置在导流筒100的上方，且所述水冷屏200的一端与单晶炉的内壁连接；
步骤二：将晶棒以1.8mm/min-2.0mm/min的拉速从单晶炉内拉出。
具体的通过以下实施例、对比例进行说明；
实施例：将导流筒100安装在单晶炉的内壁上，再将水冷屏200设置在导流筒100的上方，水冷屏200内壁设置均匀的圆形凹坑210，水冷屏200的一端与单晶炉的内壁连接；对比例：将导流筒100安装在单晶炉的内壁上，再将水冷屏200设置在导流筒100的上方，水冷屏200内壁光滑，水冷屏200的一端与单晶炉的内壁连接；通过实施例与对比例的装置拉制晶棒，晶棒的拉速如下表所示：
| 实施例 | 对比例 | |
| 拉速 | 1.8mm/min-2.0mm/min | 0.9mm/min-1.5mm/min |
综上所述，通过上表能够得出，在其他参数相同的情况下，在水冷屏200上设置均匀的椭圆凹坑210，使得拉晶速度提高，且拉晶速度提高至原来的2倍，在水冷屏上设置凹坑210，在凹坑210处形成漫反射，使得散热效率提高，并且通过凹坑210能够增加水冷屏200的热折射方向，使得热折射向上，减少热折射直接折射在晶棒上，利于晶棒的降温，且所述凹坑210增大水冷屏200散热面积，且增加了水冷屏200的吸热效率，提高加热炉腔内散热效率，进而使得单晶棒拉制的过程中拉速提高，进而拉制单晶棒的产率提高。
以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
Claims (7)
1.一种直拉单晶炉热屏装置，其特征在于，包括：导流筒、水冷屏，所述导流筒位于所述水冷屏的下方，所述水冷屏的内侧壁设置有凹坑，以提高晶棒的拉速；
所述凹坑均匀分布在所述水冷屏的内侧壁上；
所述水冷屏为上下开口的筒状，所述水冷屏的开口上大下小；
所述水冷屏的下端设置圆环形护套，所述圆环形护套由石墨做成，所述圆环形护套与所述水冷屏的下端连接，同时通过石墨做成的圆环形护套能够延伸水冷屏的长度，以延伸水冷热屏的热折射，使得水冷屏距硅溶液的液面更加接近。
2.根据权利要求1所述的直拉单晶炉热屏装置，其特征在于，所述凹坑为圆形。
3.根据权利要求1所述的直拉单晶炉热屏装置，其特征在于，所述凹坑为椭圆形。
4.根据权利要求1所述的直拉单晶炉热屏装置，其特征在于，所述水冷屏的外侧壁两端相对设置固定杆。
5.根据权利要求1所述的直拉单晶炉热屏装置，其特征在于，所述水冷屏为不锈钢材质。
6.根据权利要求1所述的直拉单晶炉热屏装置，其特征在于，所述水冷屏表面涂覆有涂层。
7.一种提高拉晶速率的方法，利用如权利要求1所述直拉单晶炉热屏装置实现，其特征在于，具体步骤如下：
步骤一：将导流筒安装在单晶炉的内壁上，再将水冷屏设置在导流筒的上方，且所述水冷屏的一端与单晶炉的内壁连接；
步骤二：将晶棒以1.8mm/min-2.0mm/min的拉速从单晶炉内拉出。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111639258.2A CN114369866B (zh) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111639258.2A CN114369866B (zh) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114369866A CN114369866A (zh) | 2022-04-19 |
| CN114369866B true CN114369866B (zh) | 2023-05-16 |
Family
ID=81142120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111639258.2A Active CN114369866B (zh) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114369866B (zh) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN207294943U (zh) * | 2017-08-24 | 2018-05-01 | 大连连城数控机器股份有限公司 | 一种水冷套及水冷热屏表面发黑处理的单晶生长炉 |
| CN211921735U (zh) * | 2020-03-05 | 2020-11-13 | 内蒙古中环光伏材料有限公司 | 一种提高单晶硅拉速的冷却装置 |
| CN212316278U (zh) * | 2020-04-28 | 2021-01-08 | 四川晶科能源有限公司 | 一种拉晶生长装置及单晶硅生产设备 |
| CN212713835U (zh) * | 2020-07-21 | 2021-03-16 | 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司 | 一种用于单晶生产的高拉速水冷屏 |
| CN214168186U (zh) * | 2020-07-29 | 2021-09-10 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 拉晶炉的冷却装置以及拉晶炉 |
| CN112251808B (zh) * | 2020-11-03 | 2024-04-09 | 晶澳太阳能有限公司 | 一种水冷热屏结构、单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 |
| CN214529320U (zh) * | 2020-12-24 | 2021-10-29 | 晶澳太阳能有限公司 | 单晶炉 |
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2021
- 2021-12-29 CN CN202111639258.2A patent/CN114369866B/zh active Active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114369866A (zh) | 2022-04-19 |
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