CN115433005A - 一种用于生产高密度ito靶材的挤出成型方法 - Google Patents

一种用于生产高密度ito靶材的挤出成型方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115433005A
CN115433005A CN202211038164.4A CN202211038164A CN115433005A CN 115433005 A CN115433005 A CN 115433005A CN 202211038164 A CN202211038164 A CN 202211038164A CN 115433005 A CN115433005 A CN 115433005A
Authority
CN
China
Prior art keywords
extrusion molding
water
ito
powder
filter cake
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211038164.4A
Other languages
English (en)
Inventor
陆映东
梁盈祥
宋春华
黄誓成
张倍维
薛超
黄作
莫斌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangxi Crystal Union Photoelectric Materials Co ltd
Original Assignee
Guangxi Crystal Union Photoelectric Materials Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangxi Crystal Union Photoelectric Materials Co ltd filed Critical Guangxi Crystal Union Photoelectric Materials Co ltd
Priority to CN202211038164.4A priority Critical patent/CN115433005A/zh
Publication of CN115433005A publication Critical patent/CN115433005A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
    • C04B35/457—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates based on tin oxides or stannates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/77—Density

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于生产高密度ITO靶材的挤出成型方法，包括以下主要步骤：将ITO粉与水混合，并加入添加剂，球磨得到浆料；然后将浆料过滤后形成滤饼；配制琼脂糖溶液，并与滤饼混练，之后静置凝固。将所得物料，真空练泥后，用挤出成型机挤出成型得到坯体，通常是片状或管状等横截面相同的坯体。本发明在制备过程中，通过挤出成型方式得到ITO坯体，加入的添加剂少，所成型的坯体可满足ITO靶材对纯度的要求。同时，该方法成型的ITO坯体，烧结密度高、设备投资少，特别适合大尺寸靶材的批量生产。

Description

一种用于生产高密度ITO靶材的挤出成型方法
技术领域
本发明涉及氧化物陶瓷靶材成型领域，尤其涉及一种用于生产高密度ITO靶材的挤出成型方法。
背景技术
氧化铟锡（ITO）靶材，是一种用于磁控溅射镀膜的靶材材料，用于镀制透明导电的ITO膜，广泛应用于显示屏、触摸屏、太阳能电池等领域。
ITO靶材的主要生产流程是：先成型，再烧结。目前主流的成型工艺是干法成型。即先对ITO粉体进行造粒，形成适用于干压成型的ITO粒，再经液压机，用模具压制成型，然后用冷等静压机二次压制，提高素坯密度，最后高温氧气氛烧结，得到ITO靶材。此外，还有湿法成型的工艺路线，即先制作浆料，然后注浆成型或凝胶注模成型，然后干燥，再进行烧结。干法成型工艺相比湿法成型工艺，具有生产效率高，周期短，产品性能稳定，工艺成熟的优点，缺点是设备投资大，其中造粒机、大吨位液压机、冷等静压机，都是价格较贵的设备。但综合考虑之下，大多数厂家仍然选择干法成型路线。
ITO靶材的发展趋势是大尺寸化。随着靶材的尺寸进一步加大，尤其是宽度超过450mm，或者长度超过1500mm的靶材，设备投资成倍增加，干法成型的工艺缺点被成倍放大，湿法工艺路线又开始重回到各生产商的视线。
中国发明专利申请201110440630.7公开了一种大尺寸靶材的制备方法，该技术可通过传统的挤出设备、轧制设备、烧结设备来制备大尺寸ITO靶材；其工艺过程是通过对不同粒度的ITO粉进行恰当配比后，添加适当的成型剂，再通过挤出、碾压、脱脂、烧结来获得高致密度ITO靶材。该专利申请虽然采用了挤出工序，但是还存在有以下不足之处：1、对粉体的粒径配比有特殊要求，从而提高了工艺要求；2、挤出成型的压力太大，对设备要求高，从而增加了成本。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：提供一种用于生产高密度ITO靶材的挤出成型方法，该方法通过挤出成型方式得到的ITO坯体，烧结密度高、添加剂少，设备投资少，特别适合大尺寸高密度靶材的批量生产。
解决上述技术问题的技术方案是：一种用于生产高密度ITO靶材的挤出成型方法，包括以下步骤：
⑴将比表面积7～25m2/g的ITO粉，按质量固含量35%～50%与水混合，然后加入占粉体重量0.5～2%的分散剂，在球磨机中研磨1～5小时后，再加入粉体重量0.5～2%的聚乙烯醇，继续研磨1～2小时，得到分散良好的ITO浆料；
⑵将所得浆料，通过压滤或抽滤的方式，去除部分水分以及水分中附带的添加剂，过滤后形成滤饼，滤饼含水量控制在15～10%；如水分过高，可进行烘干，至水分处于所要求的范围；
⑶取粉体重量0.5～1.5%的琼脂糖，溶于粉体重量5～10%的水中，水温80～95℃；
⑷将步骤（2）所得滤饼加热至80～90℃，然后将步骤（3）所得琼脂糖溶液加入其中，搅拌混练10～60分钟，混练过程中，物料温度保持在80～90℃，物料水分在过程中会有蒸发，水分控制在15～20%之间，如水分蒸发过多，可加水；
⑸将步骤（4）所得物料，冷却至20～40℃，然后静置2～24小时，使其凝固；
⑹将步骤（5）所得物料，真空练泥1～4小时后，用挤出成型机挤出成型得到坯体，挤出压力1-4MPa；
⑺将所得坯体干燥脱脂后在氧气气氛中，1560～1620℃烧结6-15小时，可得相对密度大于等于99.7%的ITO靶材。
进一步的，步骤⑹中用挤出成型机挤出的是片状或管状等横截面相同的坯体。
进一步的，所述分散剂是聚丙烯酰胺。
由于采用上述技术方案，本发明具有以下技术效果：
1、ITO靶材是电子陶瓷，对纯度要求高。本发明相较于传统的挤出成型，配制的浆料固含量低，添加剂加入量少；且较大部分添加剂在步骤（2）过滤或抽滤时，已经随水分去除，所成型的坯体可满足ITO靶材对纯度的要求，故本发明采用挤出成型的方法能够制备得到相对密度99.7%以上的高密度大尺寸ITO靶材。
2、本发明相较于干法成型，可免去造粒机、大吨位液压机、冷等静压机等高价值设备的投资。相较于注浆成型和凝胶注模成型，模具占地面积小，且更便于大尺寸靶材的连续批量生产。
3、本发明与上述专利申请201110440630.7相比，虽然都采用了挤出成型工序，但是本申请具有以下优点：1)对粉体粒径的配比无特殊要求，降低了工艺难度；2）挤出压力为1-4MPa，远低于上述专利要求的200-600MPa，降低了对设备的要求。
下面，结合实施例对本发明之一种用于生产高密度ITO靶材的挤出成型方法的技术特征作进一步的说明。
具体实施方式
实施例1：
将比表面积7m2/g的ITO粉，按质量固含量35%与水混合。然后加入占粉体重量0.5%的聚丙烯酰胺，在球磨机中研磨5小时后，再加入粉体重量0.5%的聚乙烯醇，继续研磨1小时，得到分散良好的ITO浆料。将所得浆料，通过抽滤的方式，去除部分水分以及水分中附带的添加剂，过滤后形成滤饼，滤饼含水量控制在10%。取粉体重量0.5%的琼脂糖，溶于粉体重量10%的水中，水温80℃。将抽滤所得滤饼加热至80℃，然后将琼脂糖溶液加入其中，搅拌混练10分钟，混练过程中，物料温度保持在80℃，物料水分在过程中会有蒸发，通过加水的方式，将水分控制在15%。混练结束后，将物料，冷却至20℃，然后静置2小时。将凝固后的物料，真空练泥1小时，用挤出成型机挤出成型得到厚度10mm，宽度300mm的片状长条坯体，挤出压力4MPa。将所得坯体干燥脱脂后在氧气气氛中，1620℃烧结，烧结6小时，得到相对密度99.70%的ITO靶材。
实施例2：
将比表面积25m2/g的ITO粉，按质量固含量50%与水混合。然后加入占粉体重量2%的聚丙烯酰胺，在球磨机中研磨1小时后，再加入粉体重量2%的聚乙烯醇，继续研磨2小时，得到分散良好的ITO浆料。将所得浆料，通过压滤的方式，去除部分水分以及水分中附带的添加剂，过滤后形成滤饼，滤饼含水量控制在15%。取粉体重量1.5%的琼脂糖，溶于粉体重量5%的水中，水温95℃。将压滤所得滤饼加热至90℃，然后将琼脂糖溶液加入其中，搅拌混练60分钟，混练过程中，物料温度保持在90℃，物料水分在过程中会有蒸发，通过加水的方式，将水分控制在20%。混练结束后，将物料，冷却至40℃，然后静置24小时。将凝固后的物料，真空练泥4小时，用挤出成型机挤出成型得到厚度12mm，宽度500mm的片状长条坯体，挤出压力3MPa。将所得坯体干燥脱脂后在氧气气氛中，1560℃烧结，烧结15小时，得到相对密度99.78%的ITO靶材。
实施例3：
将比表面积15m2/g的ITO粉，按质量固含量43%与水混合。然后加入占粉体重量1.2%的聚丙烯酰胺，在球磨机中研磨3小时后，再加入粉体重量1.2%的聚乙烯醇，继续研磨1.5小时，得到分散良好的ITO浆料。将所得浆料，通过压滤的方式，去除部分水分以及水分中附带的添加剂，过滤后形成滤饼，滤饼含水量控制在13%。取粉体重量1%的琼脂糖，溶于粉体重量7%的水中，水温93℃。将压滤所得滤饼加热至85℃，然后将琼脂糖溶液加入其中，搅拌混练40分钟，混练过程中，物料温度保持在85℃，物料水分在过程中会有蒸发，通过加水的方式，将水分控制在20%。混练结束后，将物料，冷却至30℃，然后静置12小时。将凝固后的物料，真空练泥2小时，用挤出成型机挤出成型得到厚度12mm，内径165mm的管状长条坯体，挤出压力1MPa。将所得坯体干燥脱脂后在氧气气氛中，1600℃烧结，烧结12小时，得到相对密度99.72%的ITO靶材。
对比实验
对比例1：
将比表面积7m2/g的ITO粉，按质量固含量55%与水混合。接下来步骤与实施例1相同，得到相对密度99.50%的ITO靶材，靶材无裂纹。
对比例2：
将比表面积7m2/g的ITO粉，按质量固含量60%与水混合。接下来步骤与实施例1相同，得到相对密度99.43%的ITO靶材，靶材无裂纹。
对比例3：
将琼脂糖的加入量改为粉体重量的0.1%，其它步骤与实施例1相同。得到相对密度99.32%的ITO靶材，且靶材碎裂。
对比例4：
将琼脂糖的加入量改为粉体重量的0.4%,其它步骤与实施例1相同。得到相对密度99.72%的ITO靶材，但靶材有微裂纹。
表1：固含量和琼脂糖的加入量对烧结结果的影响一览表
Figure 84774DEST_PATH_IMAGE001
表中，“ⅹ”表示相对密度<99.7%或有裂纹或碎裂；“√”表示相对密度≥99.7%或无裂纹或无碎裂。

Claims (3)

1.一种用于生产高密度ITO靶材的挤出成型方法，其特征在于：包括以下步骤：
⑴将比表面积7～25m2/g的ITO粉，按质量固含量35%～50%与水混合，然后加入占粉体重量0.5～2%的分散剂，在球磨机中研磨1～5小时后，再加入粉体重量0.5～2%的聚乙烯醇，继续研磨1～2小时，得到分散良好的ITO浆料；
⑵将所得浆料，通过压滤或抽滤的方式，去除部分水分以及水分中附带的添加剂，过滤后形成滤饼，滤饼含水量控制在15～10%；如水分过高，可进行烘干，至水分处于所要求的范围；
⑶取粉体重量0.5～1.5%的琼脂糖，溶于粉体重量5～10%的水中，水温80～95℃；
⑷将步骤（2）所得滤饼加热至80～90℃，然后将步骤（3）所得琼脂糖溶液加入其中，搅拌混练10～60分钟，混练过程中，物料温度保持在80～90℃，物料水分在过程中会有蒸发，水分控制在15～20%之间，如水分蒸发过多，可加水；
⑸将步骤（4）所得物料，冷却至20～40℃，然后静置2～24小时，使其凝固；
⑹将步骤（5）所得物料，真空练泥1～4小时后，用挤出成型机挤出成型得到坯体，挤出压力1-4MPa；
⑺将所得坯体干燥脱脂后在氧气气氛中，1560～1620℃烧结6-15小时，可得相对密度大于等于99.7%的ITO靶材。
2.根据权利要求1所述的一种用于生产高密度ITO靶材的挤出成型方法，其特征在于：步骤⑹中用挤出成型机挤出的是片状或管状等横截面相同的坯体。
3.根据权利要求1或2所述的一种用于生产高密度ITO靶材的挤出成型方法，其特征在于：所述分散剂是聚丙烯酰胺。
CN202211038164.4A 2022-08-29 2022-08-29 一种用于生产高密度ito靶材的挤出成型方法 Pending CN115433005A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211038164.4A CN115433005A (zh) 2022-08-29 2022-08-29 一种用于生产高密度ito靶材的挤出成型方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211038164.4A CN115433005A (zh) 2022-08-29 2022-08-29 一种用于生产高密度ito靶材的挤出成型方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115433005A true CN115433005A (zh) 2022-12-06

Family

ID=84244612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211038164.4A Pending CN115433005A (zh) 2022-08-29 2022-08-29 一种用于生产高密度ito靶材的挤出成型方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115433005A (zh)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4734237A (en) * 1986-05-15 1988-03-29 Allied Corporation Process for injection molding ceramic composition employing an agaroid gell-forming material to add green strength to a preform
US5250251A (en) * 1991-08-16 1993-10-05 Alliedsignal Inc. Aqueous process for injection molding ceramic powders at high solids loadings
JP2002274951A (ja) * 2001-03-13 2002-09-25 Ngk Insulators Ltd 成形用材料の製造方法、成形体の製造方法、焼結体の製造方法、成形用材料、成形体および焼結体
JP2003192448A (ja) * 2001-12-27 2003-07-09 Ngk Insulators Ltd 成形体の製造方法、成形用材料、成形体および焼結体
JP2003277127A (ja) * 2002-03-19 2003-10-02 Ngk Insulators Ltd 射出成形体の製造方法、焼結体の製造方法、射出成形体および焼結体
US20040217524A1 (en) * 2003-04-18 2004-11-04 Morris Robert Craig Simplified processing of metal and cermet feedstocks
JP2007204297A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Denso Corp セラミックス原料の製造方法及びセラミックス成形体の製造方法
CN102531636A (zh) * 2011-12-26 2012-07-04 昆明理工大学 一种大尺寸ito靶材的制备方法
CN104526838A (zh) * 2014-12-30 2015-04-22 宁波伏尔肯机械密封件制造有限公司 陶瓷3d打印成型的方法
JP2015096656A (ja) * 2015-01-21 2015-05-21 三井金属鉱業株式会社 セラミックス円筒形スパッタリングターゲット材およびその製造方法
CN111270347A (zh) * 2020-01-22 2020-06-12 新沂市锡沂高新材料产业技术研究院有限公司 一种凝胶注模成型制备透明陶瓷光纤的方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4734237A (en) * 1986-05-15 1988-03-29 Allied Corporation Process for injection molding ceramic composition employing an agaroid gell-forming material to add green strength to a preform
US5250251A (en) * 1991-08-16 1993-10-05 Alliedsignal Inc. Aqueous process for injection molding ceramic powders at high solids loadings
JP2002274951A (ja) * 2001-03-13 2002-09-25 Ngk Insulators Ltd 成形用材料の製造方法、成形体の製造方法、焼結体の製造方法、成形用材料、成形体および焼結体
JP2003192448A (ja) * 2001-12-27 2003-07-09 Ngk Insulators Ltd 成形体の製造方法、成形用材料、成形体および焼結体
JP2003277127A (ja) * 2002-03-19 2003-10-02 Ngk Insulators Ltd 射出成形体の製造方法、焼結体の製造方法、射出成形体および焼結体
US20040217524A1 (en) * 2003-04-18 2004-11-04 Morris Robert Craig Simplified processing of metal and cermet feedstocks
JP2007204297A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Denso Corp セラミックス原料の製造方法及びセラミックス成形体の製造方法
CN102531636A (zh) * 2011-12-26 2012-07-04 昆明理工大学 一种大尺寸ito靶材的制备方法
CN104526838A (zh) * 2014-12-30 2015-04-22 宁波伏尔肯机械密封件制造有限公司 陶瓷3d打印成型的方法
JP2015096656A (ja) * 2015-01-21 2015-05-21 三井金属鉱業株式会社 セラミックス円筒形スパッタリングターゲット材およびその製造方法
CN111270347A (zh) * 2020-01-22 2020-06-12 新沂市锡沂高新材料产业技术研究院有限公司 一种凝胶注模成型制备透明陶瓷光纤的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王树楷: "《典型无机功能材料及应用研究》", 吉林科学技术出版社, pages: 395 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN114873992A (zh) 一种高铟含量的ito靶材的制备方法
EP0342537B1 (en) Process for the manufacture of a sputtering target for producing electroconductive transparent films
CN113563103B (zh) 一种采用流延成型法制备梯度氧化铝多孔陶瓷的方法
CN112723863A (zh) 一种高世代tft级细晶粒ito靶材的制造方法
JP2001510432A (ja) アガロイドをベースとする射出成形用組成物のためのゲル強度向上用添加剤
CN111423239A (zh) 一种微波陶瓷介质滤波器及其加工成型方法
CN112876270A (zh) 一种微波介质陶瓷注射喂料、微波介质陶瓷及其制备方法
CN110540424A (zh) 一种氧化锆陶瓷注射成型用喂料及其制备方法
CN104556979B (zh) 一种氧化铍陶瓷夹持杆及其制作方法
CN114736013B (zh) 一种氧化锌镁靶材及制备方法
WO2011052160A1 (ja) Ｉｔｏ焼結体の製造方法及びｉｔｏスパッタリングターゲットの製造方法
CN111774575A (zh) 高振实大片径片状银粉的制备方法
CN112624741B (zh) 一种流延成型制备高纯氧化镁陶瓷承烧板生坯的方法
CN115433005A (zh) 一种用于生产高密度ito靶材的挤出成型方法
CN110846528B (zh) 一种钼板坯的制备方法
CN116715516A (zh) 一种稀土掺杂的ito靶材及其制备方法
CN115974552B (zh) 一种磁控溅射用导电钽酸锂靶材的制备方法
CN115636672B (zh) 一种大尺寸AlON透明陶瓷的流延成型生产方法
CN114853467B (zh) 一种ito平面靶材及其制备方法
JP4095149B2 (ja) Ｉｔｏリサイクル粉を利用した高密度ｉｔｏ焼結体の製造方法
CN113233888A (zh) 一种igzo废素坯回收制备igzo靶材的方法
CN110540410B (zh) 一种氧化铝陶瓷注射成型用喂料及其制备方法
CN110627497A (zh) 一种氧化钛铌靶材的生产方法
CN114276132B (zh) 一种高固相含量微波介质陶瓷注射成型喂料及其制备方法和应用
CN110467440B (zh) 一种大尺寸管状氧化铝陶瓷的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination