CN115367757A - 一种超临界CO2辅助下固相刻蚀制备Ti3C2Tx纳米片的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于MXenes制备技术领域,公开一种超临界CO2辅助下固相刻蚀制备Ti3C2Tx纳米片的方法。(1)、超临界CO2处理:将Ti3AlC2粉末和FeF3•3H2O粉末按质量比为1∶(8‑15)放入超临界反应装置中,在超临界CO2条件下搅拌处理24‑48 h;处理结束后,释放超临界反应装置中的压力至常压;(2)、清洗:将步骤(1)超临界CO2处理后的样品取出,先后采用稀盐酸和水分别离心洗涤数次,收集沉淀;(3)、剥离:将步骤(2)收集的沉淀加入DMSO,在Ar气鼓泡条件下超声处理,离心,取上清液,冷冻干燥,即得Ti3C2Tx纳米片。本发明首次提出了一种MAX全固相刻蚀方法,首次以FeF3•3H2O作为刻蚀剂,首次将超临界CO2绿色溶剂引入到Ti3AlC2 MAX相的刻蚀中制备Ti3C2T x MXenes纳米片,制备的Ti3C2T x MXenes纳米片具有较大横向尺寸和高结晶度。
Description
技术领域
本发明属于MXenes制备技术领域,具体涉及一种超临界CO2辅助下固相刻蚀制备Ti3C2Tx纳米片的方法。
背景技术
近年来,二维层状结构的过渡金属碳化物和氮化物材料MXenes,因为其独特的物理、化学和机械性能,包括类石墨烯高比表面积、结构灵活性、表面可调化学的多样性、高电导率、丰富的表面d轨道电子等,已在储能和发电、电磁屏蔽、气体和压力传感器、光催化和电催化等领域引起了广泛关注。目前MXenes的制备方法主要包括氢氟酸(HF)刻蚀法、原位HF刻蚀、碱刻蚀、电化学刻蚀、熔盐刻蚀及其他刻蚀策略。HF刻蚀法操作简单,反应温度低,最适合刻蚀含Al MAX相和部分非MAX相。然而,HF的高腐蚀性、毒性、操作风险和不良的环境影响一直是不可忽视的问题。此外,如此剧烈的刻蚀条件很容易破坏合成的MXenes薄片的横向尺寸。因此,有必要探索和开发新的刻蚀方法,以更温和、毒性更小、环境友好的方法取代HF刻蚀工艺。原位HF刻蚀法过程通常会存在未刻蚀的MAX相残留,因此需要一个系统的方法来提高产量。低浓度碱对MAX相可以进行有效刻蚀,但是只有表层MAX相能被刻蚀,因此MXenes产率极低。使用浓碱刻蚀MAX相是有效的,然而,高浓度碱的危险性和高温限制了MXenes的大规模制备。电化学刻蚀是一种绿色、安全的合成方法。然而,除产量不足外,CDC层的存在仍然是一个需要克服的挑战。虽然MAX相作为电极可以循环多次,但典型的刻蚀过程会导致MXenes的产率低,不适合大规模制备。熔盐刻蚀法是合成高生成能MXenes的首选方法,而且刻蚀范围更广,但不能轻易地将多层MXenes剥离成单层或少层的MXenes薄片,这是将熔盐法推广到大规模应用之前需要解决的一个主要挑战。因此,发展更加绿色、安全、高效、规模化的刻蚀方法仍然是未来的研究重点,且对拓展二维MXenes材料的表面化学性质、结构多样性、可控合成及潜在应用具有重要意义。
发明内容
为克服现有技术中存在的不足之处,本发明的目的在于提供一种超临界CO2辅助下固相刻蚀制备Ti3C2Tx纳米片的方法。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案如下:
一种超临界CO2辅助下固相刻蚀制备Ti3C2Tx纳米片的方法,步骤如下:
(1)、超临界CO2处理:将Ti3AlC2粉末和FeF3•3H2O粉末按质量比为1∶(8-15)放入超临界反应装置中,在超临界CO2条件下搅拌处理24-48 h;处理结束后,释放超临界反应装置中的压力至常压;
(2)、清洗:将步骤(1)超临界CO2处理后的样品取出,先后采用稀盐酸和水分别离心洗涤数次,收集沉淀;
(3)、剥离:将步骤(2)收集的沉淀加入DMSO(完全淹没沉淀即可),在Ar气鼓泡条件下超声处理,离心,取上清液,冷冻干燥,即得Ti3C2Tx纳米片。
较好地, 步骤(1)中,超临界CO2条件为:温度60-120 ºC,压力8-20 Mpa。
较好地, 步骤(2)中,所述稀盐酸的浓度为0.1-0.5 M。
较好地, 步骤(2)中,每次离心洗涤的速度为2000-4000 r/min,离心时间为3-10min。
较好地,步骤(3)中,超声处理20-40 min;离心的速度为2000-4000 r/min,离心时间为20-40 min。
有益效果:本发明首次提出了一种MAX全固相刻蚀方法,首次以FeF3•3H2O作为刻蚀剂,首次将超临界CO2绿色溶剂引入到Ti3AlC2 MAX相的刻蚀中制备Ti3C2T x MXenes纳米片,制备的Ti3C2T x MXenes纳米片具有较大横向尺寸和高结晶度。
附图说明
图1为实施例1三个不同阶段产物--步骤(1)产物、步骤(2)产物、步骤(3)产物的XRD谱图。
图2为实施例1三个不同阶段产物--步骤(1)产物、步骤(2)产物、步骤(3)产物的Raman谱图。
图3为实施例1三个不同阶段产物--步骤(1)产物、步骤(2)产物、步骤(3)产物的XPS谱图。
图4为实施例1步骤(2)产物的SEM图(a)和元素mapping图(b)。
图5为实施例1步骤(3)产物的TEM图(a)、EDS图(b)、SAED图(c)和HRTEM图(d)。
图6为实施例1步骤(3)产物的AFM图(a)和对应的厚度分布图(b)。
图7为原料Ti3AlC2以及实施例1、对照例1-3最终所得产物的XRD对比图。
具体实施方式
为使本发明更加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例1
一种超临界CO2辅助下固相刻蚀制备Ti3C2Tx纳米片的方法,步骤如下:
(1)、超临界CO2处理:称取155.76 mg的Ti3AlC2粉末和2002.68 mg的FeF3•3H2O粉末(质量比为1∶13),直接加入到25 mL聚四氟乙烯高压反应釜中,放入转子;聚四氟乙烯高压反应釜加热至设置温度90 ºC并保持恒温(升温前排除空气2次),通过高压注射泵向聚四氟乙烯高压反应釜内注入高纯 CO2,使釜中压力达到设置压力20 MPa 并保持恒压,搅拌处理36 h;处理结束后,释放聚四氟乙烯高压反应釜中的气体,卸至常压;
(2)、清洗:将步骤(1)超临界CO2处理后的样品取出,加入40 mL 0.1 M 稀HCl溶液清洗,移入离心管中,离心速度 4000 r/min,时间 3 min,取沉淀,重复5次;再向沉淀中加入40 mL超纯水,离心速度 4000 r/min,时间 3 min,取沉淀,重复3次,收集沉淀样品;
(3)、剥离:将步骤(2)收集的沉淀加入40 mL DMSO,在Ar气鼓泡条件下超声处理30min,以3000 r/min离心30 min,取上清液,冷冻干燥即得Ti3C2Tx纳米片,备用。
图1-3分别为三个不同阶段产物--步骤(1)产物、步骤(2)产物、步骤(3)产物的XRD、Raman和XPS谱图。证明:超临界CO2处理后MAX相Ti3AlC2就已经被成功刻蚀为MXenes材料Ti3C2Tx,经DMSO插层剥离后呈少层Ti3C2Tx纳米片结构。
图4为步骤(2)产物的SEM(a)和元素mapping图(b)。证明:超临界CO2处理+清洗后剥离前MXenes材料Ti3C2Tx呈多层经典手风琴状结构且Al元素信号消失。
图5为步骤(3)产物的TEM(a)、EDS(b)、SAED(c)、HRTEM图(d)。图6为步骤(3)产物的AFM图(a)和对应的厚度分布图(b)。TEM、EDS和AFM图展示了剥离后Ti3C2Tx纳米片厚度薄、横向尺寸大、质量较高的特征。HR-TEM以及SAED图证实了Ti3C2Tx纳米片的结构完整性。
以上表征证明:超临界CO2辅助下固相刻蚀制备高质量Ti3C2Tx纳米片的新型绿色合成方法的可行性,该方法的优势之一在于DMSO插层处理很容易实现Ti3C2Tx纳米片的剥离,制备大尺寸(横向尺寸~ 10 μm)、高结晶性、少层Ti3C2Tx纳米片。
对照例1
与实施例1的区别在于:步骤(1)中,采用1354.76 mg无水FeF3代替FeF3•3H2O;其它均同实施例1。
对照例2
与实施例1的区别在于:步骤(1)中,不进行超临界CO2处理,即直接将称量好的Ti3AlC2粉末和FeF3•3H2O粉末混合搅拌均匀,然后用于步骤(2);其它均同实施例1。
对照例3
与实施例1的区别在于:步骤(1)中,不添加FeF3•3H2O即FeF3•3H2O的用量为0;其它均同实施例1。
图7为原料Ti3AlC2以及实施例1、对照例1-3最终所得产物的XRD对比图。从XRD图谱中可以很明显地看出:对照例1、对照例2、对照例3的产物的XRD谱图中,原料Ti3AlC2的特征峰信号很强,而实施例1产物的XRD谱图中Ti3AlC2的特征峰基本消失,(002)峰红移。因此,只有实施例1(超临界CO2处理+FeF3•3H2O)可以制备获得Ti3C2Tx纳米片。
Claims (5)
1.一种超临界CO2辅助下固相刻蚀制备Ti3C2Tx纳米片的方法,其特征在于,步骤如下:
(1)、超临界CO2处理:将Ti3AlC2粉末和FeF3•3H2O粉末按质量比为1∶(8-15)放入超临界反应装置中,在超临界CO2条件下搅拌处理24-48 h;处理结束后,释放超临界反应装置中的压力至常压;
(2)、清洗:将步骤(1)超临界CO2处理后的样品取出,先后采用稀盐酸和水分别离心洗涤数次,收集沉淀;
(3)、剥离:将步骤(2)收集的沉淀加入DMSO,在Ar气鼓泡条件下超声处理,离心,取上清液,冷冻干燥,即得Ti3C2Tx纳米片。
2.如权利要求1所述的超临界CO2辅助下固相刻蚀制备Ti3C2Tx纳米片的方法,其特征在于: 步骤(1)中,超临界CO2条件为:温度60-120 ºC,压力8-20 Mpa。
3.如权利要求1所述的超临界CO2辅助下固相刻蚀制备Ti3C2Tx纳米片的方法,其特征在于: 步骤(2)中,所述稀盐酸的浓度为0.1-0.5 M。
4.如权利要求1所述的超临界CO2辅助下固相刻蚀制备Ti3C2Tx纳米片的方法,其特征在于: 步骤(2)中,每次离心洗涤的速度为2000-4000 r/min,离心时间为3-10 min。
5.如权利要求1所述的超临界CO2辅助下固相刻蚀制备Ti3C2Tx纳米片的方法,其特征在于: 步骤(3)中,超声处理20-40 min;离心的速度为2000-4000 r/min,离心时间为20-40min。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009299029A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-12-24 | Japan Polypropylene Corp | ポリプロピレン系発泡シート、多層発泡シートおよびそれを用いた熱成形体 |
CN108455612A (zh) * | 2018-03-13 | 2018-08-28 | 广西大学 | 一种制备高纯度碳化钛材料Ti3C2Tx的方法 |
CN110679009A (zh) * | 2017-05-30 | 2020-01-10 | 纳米技术仪器公司 | 具有导电且可变形准固体聚合物电极的形状适形的碱金属电池 |
US20200350589A1 (en) * | 2019-05-01 | 2020-11-05 | Nanotek Instruments, Inc. | Particulates of conducting polymer network-protected cathode active material particles for lithium batteries |
CN112233912A (zh) * | 2020-09-21 | 2021-01-15 | 郑州大学 | 一种泡沫镍载MnCo2O4.5/MXene复合纳米材料的制备方法及应用 |
CN113666361A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-11-19 | 郑州大学 | 一种利用超临界co2制备氧化石墨炔纳米片的方法 |
CN114477181A (zh) * | 2022-01-26 | 2022-05-13 | 四川金时新能科技有限公司 | 一种快速大规模制备MXenes的方法 |
-
2022
- 2022-09-28 CN CN202211188006.7A patent/CN115367757B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009299029A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-12-24 | Japan Polypropylene Corp | ポリプロピレン系発泡シート、多層発泡シートおよびそれを用いた熱成形体 |
CN110679009A (zh) * | 2017-05-30 | 2020-01-10 | 纳米技术仪器公司 | 具有导电且可变形准固体聚合物电极的形状适形的碱金属电池 |
CN108455612A (zh) * | 2018-03-13 | 2018-08-28 | 广西大学 | 一种制备高纯度碳化钛材料Ti3C2Tx的方法 |
US20200350589A1 (en) * | 2019-05-01 | 2020-11-05 | Nanotek Instruments, Inc. | Particulates of conducting polymer network-protected cathode active material particles for lithium batteries |
CN112233912A (zh) * | 2020-09-21 | 2021-01-15 | 郑州大学 | 一种泡沫镍载MnCo2O4.5/MXene复合纳米材料的制备方法及应用 |
CN113666361A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-11-19 | 郑州大学 | 一种利用超临界co2制备氧化石墨炔纳米片的方法 |
CN114477181A (zh) * | 2022-01-26 | 2022-05-13 | 四川金时新能科技有限公司 | 一种快速大规模制备MXenes的方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
HUAJIAN FENG等: ""Supercritical CO2-assisted solid-phase etching preparation of MXenes for high-efficiency alkaline hydrogen evolution reaction"", 《THE ROYAL SOCIETY OF CHEMISTRY》, vol. 25, pages 3966 * |
张加奎: ""Ti3C2Tx/Polyaniline 多级复合材料构筑及其电化学储能研究"", 《中国优秀硕士期刊数据库》, pages 1 - 73 * |
张彪: ""MXenes原位衍生物、复合物的储锂及环境响应特性研宄"", 《优秀博士学位论文期刊数据库》, pages 1 - 147 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115367757B (zh) | 2023-08-22 |
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