CN115302101B - 晶圆切割方法及装置、电子设备、存储介质 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及晶圆镭射领域，提供一种晶圆切割方法及装置、电子设备、存储介质，方法包括：提供待切割的晶圆，晶圆设置有多个芯片以及位于多个芯片之间设置有测试互连层的切割道；根据晶圆的厚度，确定宽带镭射的宽带镭射深度；根据切割道的宽度，分别确定窄带镭射的多个窄带镭射宽度和宽带镭射的宽带镭射宽度；根据多个窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿切割道的宽度方向镭射切割道形成多个切口，将测试互连层分割为多段子测试互连层；根据宽带镭射宽度和宽带镭射深度，采用预设的第二镭射功率沿切割道的长度方向镭射切割道，完成多个芯片的分割。本公开可提升良品数量、产品良率、产品品质、产品的应力和强度，还可提高产线产能。
Description
技术领域
本公开涉及晶圆镭射技术领域，特别涉及一种晶圆切割方法及装置、电子设备、存储介质。
背景技术
随着半导体工艺要求的逐步提升，芯片的设计要求也越来越高，针对芯片性能的测试要求也在随之提升。现有技术中，在对芯片的性能进行测试时，通常需要将芯片导通，因此，晶圆的切割道上一般会铺设一些介电材料。低介电常数(LOW-K)的介电材料通常又脆又硬，采用刀片切割方式切割晶圆时会导致介电材料断裂甚至延伸，因此，现有技术通常使用镭射技术切割上述晶圆。
现有技术中，晶圆镭射切割技术将集成电路(Integrated Circuit，IC)芯片从晶圆中分离，首先通过三步骤(3pass)切割模式完成晶圆的横向(CH2)切割，之后，晶圆所在的台盘旋转90°，再通过3pass切割模式完成晶圆的纵向(CH1)切割。在3pass切割模式的三个步骤中，第一步在切割道内镭射切割两条细保护槽，即双细线(Dual Narrow)开槽；第二步采用宽束(Wide Beam)镭射在两条细保护槽之间进行宽度开槽，对切割道中的部分金属进行镭射切割；第三步再次采用Wide Beam镭射去除切割道上低介电常数的介电材料层，目的是使切割道上的开槽底部平整性较好，切割深度达到用户需求。
上述3pass切割模式切割介电材料和少量金属的效果通常可以达到用户需求，然而，若切割道上存在大量金属层，对该金属层进行切割时则会存在较多问题。例如，DualNarrow开槽时，镭射功率小，镭射面积少(单点镭射10μm)，热影响较小，而Wide Beam镭射时，镭射面积大，能量高，会使切割道上的金属大量熔化，熔渣发生喷溅，从而导致切割道附近的产品受损，受损的产品还会影响后续的电路通讯，使电路通讯中出现短路、断路等异常状况。
发明内容
本公开旨在至少解决现有技术中存在的问题之一，提供一种晶圆切割方法及装置、电子设备、存储介质。
本公开的一个方面，提供了一种晶圆切割方法，所述晶圆切割方法包括：
提供待切割的晶圆，所述晶圆设置有待分割的多个芯片以及位于所述多个芯片之间的切割道，所述切割道设置有测试互连层；
根据所述晶圆的厚度，确定宽带镭射的宽带镭射深度；以及，根据所述切割道的宽度，分别确定窄带镭射的多个窄带镭射宽度和所述宽带镭射的宽带镭射宽度；
根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口，所述多个切口将所述测试互联层分割为多段子测试互联层；
根据所述宽带镭射宽度和所述宽带镭射深度，采用预设的第二镭射功率沿所述切割道的长度方向镭射所述切割道，完成所述多个芯片的分割。
可选的，所述第一镭射功率组包括不同的多个第一镭射功率；所述根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口，包括：
分别对每个所述窄带镭射宽度，采用对应的所述第一镭射功率镭射所述切割道形成对应的所述切口。
可选的，所述根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口，包括：
根据各所述窄带镭射宽度、预设的镭射光斑半径和光斑重叠率，采用所述第一镭射功率组镭射所述切割道形成对应的所述切口。
可选的，所述根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口，包括：
根据多个所述窄带镭射宽度，分别采用所述第一镭射功率组沿所述切割道的长度方向镭射所述切割道，在所述切割道上形成多个切口组，其中，每个所述切口组均包括多个所述切口，且各所述切口组中的各所述切口分别与各所述窄带镭射宽度一一对应。
可选的，沿所述切割道的长度方向，各所述切口组中的各所述切口对应的所述窄带镭射宽度依次减小。
可选的，在所述根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口之前，所述晶圆切割方法还包括：
确定多个候选第一镭射功率组，所述候选第一镭射功率组包括多个候选第一镭射功率；
根据多个所述窄带镭射宽度，分别确定各所述候选第一镭射功率组对应的热效应；
将所述热效应最小的候选第一镭射功率组作为所述第一镭射功率组。
可选的，在所述根据所述宽带镭射宽度和所述宽带镭射深度，采用预设的第二镭射功率沿所述切割道的长度方向镭射所述切割道之前，所述晶圆切割方法还包括：
确定多个候选第二镭射功率；
根据所述宽带镭射宽度和所述宽带镭射深度，分别确定各所述候选第二镭射功率对应的热效应；
将所述热效应最小的候选第二镭射功率作为所述第二镭射功率。
本公开的另一个方面，提供了一种晶圆切割装置，所述晶圆切割装置包括：
提供模块，用于提供待切割的晶圆，所述晶圆设置有待分割的多个芯片以及位于所述多个芯片之间的切割道，所述切割道设置有测试互连层；
确定模块，用于根据所述晶圆的厚度，确定宽带镭射的宽带镭射深度；以及，根据所述切割道的宽度，分别确定窄带镭射的多个窄带镭射宽度和所述宽带镭射的宽带镭射宽度；
第一镭射模块，用于根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口，所述多个切口将所述册数互联层分割为多段子测试互联层；
第二镭射模块，用于根据所述宽带镭射宽度和所述宽带镭射深度，采用预设的第二镭射功率沿所述切割道的长度方向镭射所述切割道，完成所述多个芯片的分割。
本公开的另一个方面，提供了一种电子设备，包括：
至少一个处理器；以及，
与至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
存储器存储有可被至少一个处理器执行的指令，指令被至少一个处理器执行，以使至少一个处理器能够执行前文记载的晶圆切割方法。
本公开的另一个方面，提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现前文记载的晶圆切割方法。
本公开相对于现有技术而言，通过根据晶圆的厚度确定宽带镭射的宽带镭射深度，根据切割道的宽度分别确定窄带镭射的多个窄带镭射宽度和宽带镭射的宽带镭射宽度，并根据多个窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿切割道的宽度方向镭射切割道形成多个切口，将测试互连层分割为多段子测试互连层，根据宽带镭射宽度和宽带镭射深度，采用预设的第二镭射功率沿切割道的长度方向镭射切割道，完成设置在晶圆上的多个芯片的分割，可以在测试互联层包括大量金属时将金属逐段打碎，降低熔渣溅射风险，从而提升了晶圆切割得到的芯片产品的良品数量，降低了产品损耗，增加了晶圆切割的产品良率，提高了产品品质，同时，本公开还能提升芯片产品的应力，提高芯片产品的强度，防止芯片产品出现翘曲、裂纹等问题。另外，现有的晶圆镭射切割工艺通常还需要分别利用低倍显微镜和高倍显微镜对晶圆进行缺陷检测，而本公开对晶圆镭射的工艺流程进行了优化，无需再利用高倍显微镜对晶圆进行缺陷检测，从而提高了晶圆切割产线的产能。
附图说明
一个或多个实施方式通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施方式的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1为本公开一实施方式提供的一种晶圆切割方法的流程图；
图2为本公开另一实施方式提供的晶圆的结构示意图；
图3为本公开另一实施方式提供的一种晶圆切割方法对应的部分晶圆的结构示意图；
图4为本公开另一实施方式提供的一种晶圆切割方法对应的部分晶圆的结构示意图；
图5为本公开另一实施方式提供的一种晶圆切割方法对应的部分晶圆的结构示意图；
图6为本公开另一实施方式提供的一种晶圆切割方法对应的部分晶圆的结构示意图；
图7为本公开另一实施方式提供的一种晶圆切割方法对应的部分晶圆的结构示意图；
图8为采用本公开另一实施方式提供的晶圆切割方法对晶圆进行切割前后的效果对比图；
图9为现有技术中的晶圆切割工艺与本公开另一实施方式提供的晶圆切割方法的效果对比图；
图10为本公开另一实施方式提供的晶圆切割装置的结构示意图；
图11为本公开另一实施方式提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本公开实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本公开各实施方式中，为了使读者更好地理解本公开而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本公开所要求保护的技术方案。以下各个实施方式的划分是为了描述方便，不应对本公开的具体实现方式构成任何限定，各个实施方式在不矛盾的前提下可以相互结合相互引用。
本公开的一个实施方式涉及一种晶圆切割方法S100，其流程如图1所示，包括：
步骤S110，提供待切割的晶圆，晶圆设置有待分割的多个芯片以及位于多个芯片之间的切割道，切割道设置有测试互连层。
具体的，一并结合图2，晶圆100可以设置有多个芯片110以及位于多个芯片110之间的切割道120。切割道120可以设置有测试互联层，测试互联层可以将各芯片110导通以对各芯片110进行性能测试，因此，测试互联层除可以设置有介电材料层外，还可以在介电材料层上设置有金属层，以通过金属层将各芯片110导通。
步骤S120，根据晶圆的厚度，确定宽带镭射的宽带镭射深度；以及，根据切割道的宽度，分别确定窄带镭射的多个窄带镭射宽度和宽带镭射的宽带镭射宽度。
具体的，一并结合图3至图6，本步骤可以根据晶圆100中切割道120的厚度确定出宽带镭射对应的镭射深度即宽带镭射深度，还可以根据切割道120的宽度，分别确定出窄带镭射对应的多个镭射宽度即窄带镭射宽度以及宽带镭射对应的镭射宽度即宽带镭射宽度。例如，在切割道120的宽度为60μm时，可以确定4个窄带镭射宽度并将其分别记为W1、W2、W3、W4，且W1、W2、W3、W4可以分别为39μm、29μm、19μm、9μm。在切割道120的宽度为60μm时，还可以将宽带镭射宽度记为W5，并将W5设置为42μm。当然，W5也可以设置为其他数值，如41μm、40μm等等。
需要说明的是，本实施方式对窄带镭射宽度的具体个数、各窄带镭射宽度对应的具体数值以及宽带镭射宽度的具体数值并不限制，只要各窄带镭射宽度及宽带镭射宽度均不超过切割道的宽度，且窄带镭射宽度的个数大于1即可。
步骤S130，根据多个窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿切割道的宽度方向镭射切割道形成多个切口，多个切口将测试互连层分割为多段子测试互连层。
具体的，预设的第一镭射功率组可以包括多个第一镭射功率，各第一镭射功率可以相同，也可以不同，使得本步骤可以依次采用各第一镭射功率基于多个窄带镭射宽度中的一个沿切割道的宽度方向镭射切割道，在切割道上依次形成对应的切口，各个切口可以将切割道上的测试互联层分割为多段子测试互联层，从而在测试互联层包括大量金属时可以通过本步骤将金属逐段打碎，降低金属熔化带来的熔渣溅射风险。
例如，如图3至图6所示，在4个窄带镭射宽度分别为W1、W2、W3、W4时，可以首先根据W1采用第一镭射功率组中的一个第一镭射功率沿切割道120的宽度方向镭射切割道120，在切割道120上形成与W1对应的切口，之后，根据W2采用第一镭射功率组中的另一个第一镭射功率沿切割道120的宽度方向镭射切割道120，在切割道120上形成与W2对应的切口，之后，根据W3采用第一镭射功率组中的另一个第一镭射功率沿切割道120的宽度方向镭射切割道120，在切割道120上形成与W3对应的切口，最后，根据W4采用第一镭射功率组中的另一个第一镭射功率沿切割道120的宽度方向镭射切割道120，在切割道120上形成与W4对应的切口，其中，各个切口在切割道120宽度方向的两个端点之间的距离分别与其对应的窄带镭射宽度相对应。
需要说明的是，在镭射切割道时，切割道中被镭射到的位置处，金属或介电材料等物质可以在镭射的作用下升华或蒸发，使得被镭射到的位置处的物质被剔除，从而在被镭射到的位置处形成切口。
步骤S140，根据宽带镭射宽度和宽带镭射深度，采用预设的第二镭射功率沿切割道的长度方向镭射切割道，完成多个芯片的分割。
具体的，一并结合图7，本步骤可以根据宽带镭射宽度W5和宽带镭射深度，采用预设的第二镭射功率通过宽束镭射方式即Wide Beam镭射方式沿切割道120的长度方向镭射切割道120，完成各芯片110的分割。
如图8中的图A所示，在采用本实施方式涉及的晶圆切割方法S100切割晶圆之前，通过光学自动检测(Automatically Optical Inspection，AOI)扫描可以发现，晶圆上的缺陷(defect)主要以外物为主。如图8中的图B所示，在采用本实施方式涉及的晶圆切割方法S100切割晶圆之后，通过AOI扫描可以发现，切割道附近并未出现喷溅异常情况，晶圆上的缺陷(defect)仍主要以外物为主。
如图9所示，在切割道的测试互联层存在大量金属时，采用现有技术中的3pass镭射切割工艺对样品1(sample1)、样品2(sample2)、样品3(sample3)进行切割时，金属熔化后的熔渣会发生喷溅，从而导致切割道附近的产品受损。而采用本实施方式涉及的晶圆切割方法S100对样品1、样品2、样品3进行切割时，并未发现有金属熔渣喷溅现象。
本公开实施方式相对于现有技术而言，通过根据晶圆的厚度确定宽带镭射的宽带镭射深度，根据切割道的宽度分别确定窄带镭射的多个窄带镭射宽度和宽带镭射的宽带镭射宽度，并根据多个窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿切割道的宽度方向镭射切割道形成多个切口，将测试互连层分割为多段子测试互连层，根据宽带镭射宽度和宽带镭射深度，采用预设的第二镭射功率沿切割道的长度方向镭射切割道，完成设置在晶圆上的多个芯片的分割，可以在测试互联层包括大量金属时将金属逐段打碎，降低熔渣溅射风险，从而提升了晶圆切割得到的芯片产品的良品数量，降低了产品损耗，增加了晶圆切割的产品良率，提高了产品品质，同时，本实施方式还能提升芯片产品的应力，提高芯片产品的强度，防止芯片产品出现翘曲、裂纹等问题。另外，现有的晶圆镭射切割工艺通常还需要分别利用低倍显微镜和高倍显微镜对晶圆进行缺陷检测，而本实施方式对晶圆镭射的工艺流程进行了优化，无需再利用高倍显微镜对晶圆进行缺陷检测，从而提高了晶圆切割产线的产能。
示例性的，第一镭射功率组包括不同的多个第一镭射功率。步骤S130中，根据多个窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿切割道的宽度方向镭射切割道形成多个切口，包括：
分别对每个窄带镭射宽度，采用对应的第一镭射功率镭射切割道形成对应的切口。
例如，一并结合图3至图6，在窄带镭射宽度分别为W1、W2、W3、W4时，可以在第一镭射功率组中设置不同的4个第一镭射功率，使窄带镭射宽度W1、W2、W3、W4分别对应一个第一镭射功率，从而使步骤S130可以分别对窄带镭射宽度W1、W2、W3、W4，采用对应的第一镭射功率镭射切割道120形成对应的切口。
本实施方式可以基于第一镭射功率组中不同的多个第一镭射功率对镭射至切割道的能量进行控制，从而进一步降低测试互联层上金属熔渣溅射风险，提升芯片产品的良品数量，降低产品损耗。
示例性的，步骤S130中，根据多个窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿切割道的宽度方向镭射切割道形成多个切口，包括：
根据各窄带镭射宽度、预设的镭射光斑半径和光斑重叠率，采用第一镭射功率组镭射切割道形成对应的切口。
具体的，一并结合图3至图6，在窄带镭射宽度分别为W1、W2、W3、W4时，本步骤可以根据窄带镭射宽度W1、W2、W3、W4，以及预设的镭射光斑半径和预设的光斑重叠率，沿切割道120的宽度方向分别采用第一镭射功率组中的各第一镭射功率镭射切割道，在切割道上形成对应的切口。其中，各切口的宽度可以与预设的镭射光斑半径相对应，各切口在切割道120宽度方向的两个端点之间的距离可以与各窄带镭射宽度如W1、W2、W3、W4相对应。预设的镭射光斑半径可以是5μm，也可以是其他数值，本实施方式对此并不限制。
光斑重叠率可以基于镭射扫描速度、镭射光斑直径和各第一镭射功率的脉冲重复频率，根据下式(1)确定：
需要说明的是，本步骤可以在镭射光斑半径的可选范围和光斑重叠率的可选范围内，分别选取热效应最小的镭射光斑半径和光斑重叠率，作为预设的镭射光斑半径和预设的光斑重叠率，以对镭射至切割道的能量进行控制，从而进一步降低测试互联层上金属熔渣溅射风险，提高各切口的表面质量。
示例性的，步骤S130中，根据多个窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿切割道的宽度方向镭射切割道形成多个切口，包括：
根据多个窄带镭射宽度，分别采用第一镭射功率组沿切割道的长度方向镭射切割道，在切割道上形成多个切口组，其中，每个切口组均包括多个切口，且各切口组中的各切口分别与各窄带镭射宽度一一对应。
具体的，一并结合图6，在窄带镭射宽度分别为W1、W2、W3、W4时，可以基于窄带镭射宽度W1、W2、W3、W4在切割道120上形成多个切口组，各切口组均为采用第一镭射功率组沿切割道120的长度方向对切割道120进行镭射形成，且各切口组中的各个切口分别与窄带镭射宽度W1、W2、W3、W4一一对应，换句话说，在各切口组中，各个切口在切割道120宽度方向的两个端点之间的距离分别与窄带镭射宽度W1、W2、W3、W4相对应。
本实施方式通过根据多个窄带镭射宽度在切割道上形成多个切口组，可以进一步将测试互联层上的金属分段打碎，从而进一步降低测试互联层上金属熔渣溅射风险。
示例性的，沿切割道的长度方向，各切口组中的各切口对应的窄带镭射宽度依次减小。
具体的，如图6和图7所示，在切口组中，各切口可以沿切割道120的长度方向依次排列，且各切口对应的窄带镭射宽度依次减小，表现为各切口在切割道120的宽度方向的两个端点之间的距离沿各切口的排列方向依次减小。
本实施方式可以进一步将测试互联层上的金属分段打碎，从而进一步降低测试互联层上金属熔渣溅射风险。
示例性的，在步骤S130根据多个窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿切割道的宽度方向镭射切割道形成多个切口之前，晶圆切割方法S100还包括：
确定多个候选第一镭射功率组，候选第一镭射功率组包括多个候选第一镭射功率；根据多个窄带镭射宽度，分别确定各候选第一镭射功率组对应的热效应；将热效应最小的候选第一镭射功率组作为第一镭射功率组。
具体的，本步骤可以在Dual Narrow镭射方式的可选功率范围内选出多个功率，并将选出的该多个功率作为候选第一镭射功率组中的多个候选第一镭射功率。当然，本领域技术人员也可以通过其他方式确定各候选第一镭射功率组包括的多个候选第一镭射功率，本实施方式对此并不限制。
在确定候选第一镭射功率组对应的热效应时，可以首先基于候选第一镭射功率组中的各第一镭射功率对应的脉冲重复频率和平均功率，根据下式(2)计算各第一镭射功率的脉冲能量：
之后，还可以确定候选第一镭射功率组中的各候选第一镭射功率与各窄带镭射宽度的对应关系，使得候选第一镭射功率组中的各候选第一镭射功率可以分别对应一个窄带镭射宽度，从而根据对应的窄带镭射宽度，确定出候选第一镭射功率组中各候选第一镭射功率对应的辐照面积，进而可以基于各候选第一镭射功率对应的辐照面积和上式(2)得到的脉冲能量，根据下式(3)计算得出各第一镭射功率对应的能量密度：
本实施方式可以基于候选第一镭射功率组的热效应对镭射至测试互联层的能量进行控制，从而进一步降低测试互联层上金属熔渣溅射风险，提升芯片产品的良品数量，降低产品损耗。
示例性的，在根据宽带镭射宽度和宽带镭射深度，采用预设的第二镭射功率沿切割道的长度方向镭射切割道之前，即在步骤S140之前，晶圆切割方法S100还包括：
确定多个候选第二镭射功率；根据宽带镭射宽度和宽带镭射深度，分别确定各候选第二镭射功率对应的热效应；将热效应最小的候选第二镭射功率作为第二镭射功率。
具体的，本步骤可以从Wide Beam镭射方式的可选功率范围内选出多个功率，并将选出的该多个功率作为多个候选第二镭射功率。当然，本领域技术人员也可以通过其他方式确定多个候选第二镭射功率，本实施方式对此并不限制。
在确定各候选第二镭射功率对应的热效应时，可以参照上式(1)至(3)。当然，本领域技术人员也可以通过其他方式确定各候选第二镭射功率对应的热效应，只要将热效应最小的候选第二镭射功率作为预设的第二镭射功率即可。
本实施方式可以基于第二镭射功率的热效应对镭射至测试互联层的能量进行控制，从而进一步降低测试互联层上金属熔渣溅射风险，提升芯片产品的良品数量，降低产品损耗。
示例性的，在步骤S140之后，还可以再重复一次步骤S140，以使切割道的底部更加平整，进一步满足用户需求如切割深度大于6.5μm、晶圆的总体防静电工作区(Electrostatic Discharge Protected Area，EPA)小于1.5J/mm2等。
本公开的另一个实施方式涉及一种晶圆切割装置，如图10所示，晶圆切割装置包括：
提供模块1001，用于提供待切割的晶圆，晶圆设置有待分割的多个芯片以及位于多个芯片之间的切割道，切割道设置有测试互连层；
确定模块1002，用于根据晶圆的厚度，确定宽带镭射的宽带镭射深度；以及，根据切割道的宽度，分别确定窄带镭射的多个窄带镭射宽度和宽带镭射的宽带镭射宽度；
第一镭射模块1003，用于根据多个窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿切割道的宽度方向镭射切割道形成多个切口，多个切口将测试互联层分割为多段子测试互联层；
第二镭射模块1004，用于根据宽带镭射宽度和宽带镭射深度，采用预设的第二镭射功率沿切割道的长度方向镭射切割道，完成多个芯片的分割。
本公开实施方式提供的晶圆切割装置的具体实现方法，可以参见本公开实施方式提供的晶圆切割方法所述，此处不再赘述。
本公开实施方式相对于现有技术而言，可以在测试互联层包括大量金属时将金属逐段打碎，降低熔渣溅射风险，从而提升了晶圆切割得到的芯片产品的良品数量，降低了产品损耗，增加了晶圆切割的产品良率，提高了产品品质，同时，本实施方式还能提升芯片产品的应力，提高芯片产品的强度，防止芯片产品出现翘曲、裂纹等问题。另外，使用现有的晶圆切割装置对晶圆进行镭射切割时通常还需要分别利用低倍显微镜和高倍显微镜对晶圆进行缺陷检测，而本实施方式对晶圆镭射装置进行了优化，无需再利用高倍显微镜对晶圆进行缺陷检测，从而提高了晶圆切割产线的产能。
本公开的另一个实施方式涉及一种电子设备，如图11所示，包括：
至少一个处理器1101；以及，
与至少一个处理器1101通信连接的存储器1102；其中，
存储器1102存储有可被至少一个处理器1101执行的指令，指令被至少一个处理器1101执行，以使至少一个处理器1101能够执行上述实施方式所述的晶圆切割方法。
其中，存储器和处理器采用总线方式连接，总线可以包括任意数量的互联的总线和桥，总线将一个或多个处理器和存储器的各种电路连接在一起。总线还可以将诸如外围设备、稳压器和功率管理电路等之类的各种其他电路连接在一起，这些都是本领域所公知的，因此，本文不再对其进行进一步描述。总线接口在总线和收发机之间提供接口。收发机可以是一个元件，也可以是多个元件，比如多个接收器和发送器，提供用于在传输介质上与各种其他装置通信的单元。经处理器处理的数据通过天线在无线介质上进行传输，进一步，天线还接收数据并将数据传送给处理器。
处理器负责管理总线和通常的处理，还可以提供各种功能，包括定时，外围接口，电压调节、电源管理以及其他控制功能。而存储器可以被用于存储处理器在执行操作时所使用的数据。
本公开的另一个实施方式涉及一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述实施方式所述的晶圆切割方法。
即，本领域技术人员可以理解，实现上述实施方式所述方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一个设备(可以是单片机，芯片等)或处理器(processor)执行本公开各个实施方式所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本公开的具体实施方式，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本公开的精神和范围。
Claims (8)
1.一种晶圆切割方法，其特征在于，所述晶圆切割方法包括：
提供待切割的晶圆，所述晶圆设置有待分割的多个芯片以及位于所述多个芯片之间的切割道，所述切割道设置有测试互连层；
根据所述晶圆的厚度，确定宽带镭射的宽带镭射深度；以及，根据所述切割道的宽度，分别确定窄带镭射的多个窄带镭射宽度和所述宽带镭射的宽带镭射宽度；
根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口，所述多个切口将所述测试互连层分割为多段子测试互连层；
根据所述宽带镭射宽度和所述宽带镭射深度，采用预设的第二镭射功率沿所述切割道的长度方向镭射所述切割道，完成所述多个芯片的分割；
所述根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口，包括：
根据多个所述窄带镭射宽度，分别采用所述第一镭射功率组沿所述切割道的长度方向镭射所述切割道，在所述切割道上形成多个切口组，其中，每个所述切口组均包括多个所述切口，且各所述切口组中的各所述切口分别与各所述窄带镭射宽度一一对应；
沿所述切割道的长度方向，各所述切口组中的各所述切口对应的所述窄带镭射宽度依次减小。
2.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述第一镭射功率组包括不同的多个第一镭射功率；所述根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口，包括：
分别对每个所述窄带镭射宽度，采用对应的所述第一镭射功率镭射所述切割道形成对应的所述切口。
3.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口，包括：
根据各所述窄带镭射宽度、预设的镭射光斑半径和光斑重叠率，采用所述第一镭射功率组镭射所述切割道形成对应的所述切口。
4.根据权利要求1至3任一项所述的晶圆切割方法，其特征在于，在所述根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口之前，所述晶圆切割方法还包括：
确定多个候选第一镭射功率组，所述候选第一镭射功率组包括多个候选第一镭射功率；
根据多个所述窄带镭射宽度，分别确定各所述候选第一镭射功率组对应的热效应；
将所述热效应最小的候选第一镭射功率组作为所述第一镭射功率组。
5.根据权利要求1至3任一项所述的晶圆切割方法，其特征在于，在所述根据所述宽带镭射宽度和所述宽带镭射深度，采用预设的第二镭射功率沿所述切割道的长度方向镭射所述切割道之前，所述晶圆切割方法还包括：
确定多个候选第二镭射功率；
根据所述宽带镭射宽度和所述宽带镭射深度，分别确定各所述候选第二镭射功率对应的热效应；
将所述热效应最小的候选第二镭射功率作为所述第二镭射功率。
6.一种晶圆切割装置，其特征在于，所述晶圆切割装置包括：
提供模块，用于提供待切割的晶圆，所述晶圆设置有待分割的多个芯片以及位于所述多个芯片之间的切割道，所述切割道设置有测试互连层；
确定模块，用于根据所述晶圆的厚度，确定宽带镭射的宽带镭射深度；以及，根据所述切割道的宽度，分别确定窄带镭射的多个窄带镭射宽度和所述宽带镭射的宽带镭射宽度；
第一镭射模块，用于根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口，所述多个切口将所述测试互连层分割为多段子测试互连层；
第二镭射模块，用于根据所述宽带镭射宽度和所述宽带镭射深度，采用预设的第二镭射功率沿所述切割道的长度方向镭射所述切割道，完成所述多个芯片的分割；
所述第一镭射模块，用于根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口，包括：
所述第一镭射模块，用于：根据多个所述窄带镭射宽度，分别采用所述第一镭射功率组沿所述切割道的长度方向镭射所述切割道，在所述切割道上形成多个切口组，其中，每个所述切口组均包括多个所述切口，且各所述切口组中的各所述切口分别与各所述窄带镭射宽度一一对应；
沿所述切割道的长度方向，各所述切口组中的各所述切口对应的所述窄带镭射宽度依次减小。
7.一种电子设备，其特征在于，包括：
至少一个处理器；以及，
与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行权利要求1至5中任一项所述的晶圆切割方法。
8.一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至5中任一项所述的晶圆切割方法。
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