CN110977201A - 一种窄切割道激光镭射方法 - Google Patents

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谢嘉伟
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    • B23K26/70—Auxiliary operations or equipment

Abstract

一种窄切割道激光镭射方法，包括以下步骤：步骤1，使用非常规开槽模式，只作业Narrow方式，不作业Wide方式；Narrow方式为平行激光束；步骤2，开槽完成后采用水刀STEP切割。本发明的激光开槽作业方式改变传统方式，不受制于mask的限制,可以开更窄切割道的wafer；另外开槽深度较传统浅80％，有利于薄芯片需要激光开槽工艺作业，减少过程裂片；wafer切割道宽度超出Design rule无法作业的产品通过该方式可以保质保量的正常量产作业。

Description

一种窄切割道激光镭射方法
技术领域
本发明属于封装激光开槽技术领域，特别涉及一种窄切割道激光镭射方法。
背景技术
封装在激光开槽时切割道宽度有要求限制，切割道宽度小于60um无法进行激光开槽，市场上的memory晶圆容量大，芯片体积小集成度高，切割道尺寸变窄，常规工艺无法满足需求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种窄切割道激光镭射方法，以解决上述问题。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种窄切割道激光镭射方法，包括以下步骤：
步骤1，使用非常规开槽模式，只作业Narrow方式，不作业Wide方式；Narrow方式为平行激光束；
步骤2，开槽完成后采用水刀STEP切割。
进一步的，步骤1中，根据激光束间距index不同，作业光束划分为：作业光束1为1pass，作业光束1&2称为2pass，作业光束1&2&3称为3pass。
进一步的，采用3pass narrow方式，将外表面金属层去除，无Peeling产生，深度为2um。
进一步的，步骤2中，使用两把水刀切割，颗粒度在3500-4000之间的金刚石刀片，第一把刀刀片宽度在20-25um的刀片，第二把刀宽度在15-20um的刀片进行切割。
进一步的，刀痕检测参数偏心量极限值调整为0.001mm，Y方向容许值调整0.003mm。
与现有技术相比，本发明有以下技术效果：
本发明的激光开槽作业方式改变传统方式，不受制于mask的限制,可以开更窄切割道的晶圆；另外开槽深度较传统浅80％(传统开槽深度为10um,该作业方式深度为2um),有利于薄芯片(80um及以下wafer厚度)需要激光开槽工艺作业，减少过程裂片；wafer切割道宽度超出Design rule无法作业的产品通过该方式可以保质保量的正常量产作业。
附图说明
图1为激光在当前划道作业3pass narrow示意图；
图2为只开narrow方式槽痕截面图；
图3为镭射原理3D分析图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明进一步说明：
请参阅图1和图3，一种窄切割道激光镭射方法，包括以下步骤：
步骤1，使用非常规开槽模式，只作业Narrow方式，不作业Wide方式；Narrow方式为平行激光束；
步骤2，开槽完成后采用水刀STEP切割。
步骤1中，根据激光束间距index不同，作业光束划分为：作业光束1为1pass，作业光束1&2称为2pass，作业光束1&2&3称为3pass。
采用3pass narrow方式，将外表面金属层去除，无Peeling产生，深度为2um。
步骤2中，使用两把水刀切割，颗粒度在3500-4000之间的金刚石刀片，第一把刀刀片宽度在20-25um的刀片，第二把刀宽度在15-20um的刀片进行切割。
刀痕检测参数偏心量极限值调整为0.001mm，Y方向容许值调整0.003mm。

Claims (5)

1.一种窄切割道激光镭射方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，使用非常规开槽模式，只作业Narrow方式，不作业Wide方式；Narrow方式为平行激光束；
步骤2，开槽完成后采用水刀STEP切割。
2.根据权利要求1所述的一种窄切割道激光镭射方法，其特征在于，步骤1中，根据激光束间距index不同，作业光束划分为：作业光束1为1pass，作业光束1&2称为2pass，作业光束1&2&3称为3pass。
3.根据权利要求2所述的一种窄切割道激光镭射方法，其特征在于，采用3pass narrow方式，将外表面金属层去除，无Peeling产生，深度为2um。
4.根据权利要求1所述的一种窄切割道激光镭射方法，其特征在于，步骤2中，使用两把水刀切割，颗粒度在3500-4000之间的金刚石刀片，第一把刀刀片宽度在20-25um的刀片，第二把刀宽度在15-20um的刀片进行切割。
5.根据权利要求4所述的一种窄切割道激光镭射方法，其特征在于，刀痕检测参数偏心量极限值调整为0.001mm，Y方向容许值调整0.003mm。
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RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200410

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