CN104599960A - 一种大功率电力电子器件晶圆激光切割方法 - Google Patents

一种大功率电力电子器件晶圆激光切割方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104599960A
CN104599960A CN201410838312.XA CN201410838312A CN104599960A CN 104599960 A CN104599960 A CN 104599960A CN 201410838312 A CN201410838312 A CN 201410838312A CN 104599960 A CN104599960 A CN 104599960A
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser beam
wafer
laser
cutting method
power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410838312.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN104599960B (zh
Inventor
田亮
杨霏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
State Grid Corp of China SGCC
Smart Grid Research Institute of SGCC
Original Assignee
State Grid Corp of China SGCC
Smart Grid Research Institute of SGCC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by State Grid Corp of China SGCC, Smart Grid Research Institute of SGCC filed Critical State Grid Corp of China SGCC
Priority to CN201410838312.XA priority Critical patent/CN104599960B/zh
Publication of CN104599960A publication Critical patent/CN104599960A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104599960B publication Critical patent/CN104599960B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

本发明公开了一种大功率电力电子器件芯片的切割方法，该方法对宽禁带半导体材料做成器件的衬底背面进行激光划片后，再根据背面划痕使用裂片机进行正面裂片。背面划痕的深度约为芯片厚度的1/10至1/4。本发明是使用激光束聚焦切割的方法，采取背划进行激光束切割大功率器件，最大限度地保证芯片正面的有源区，不破坏正面区域，得到边缘整齐的器件，对大面积芯片的可靠性和产能都有一个很大提升。

Description

一种大功率电力电子器件晶圆激光切割方法
【技术领域】
本发明涉及一种半导体功率器件制备工艺，具体讲涉及一种大功率电力电子器件制备过程中将大功率器件晶圆分割成单颗芯片的工艺。
【背景技术】
随着光电产业的迅猛发展，对高集成和高性能的半导体晶圆需求也越来越大，为适应高频、大功率、耐高温、抗辐照等特殊环境而发展起来的第三代半导体材料-宽禁带半导体材料(例如碳化硅、氮化镓等)具有热导率高、电子饱和速度高、击穿电压高、介电常数低等特点，从而开启了半导体产业的新局面，使得电力电子器件技术和产业迎来了一个新的发展机遇。为了大幅度节约成本和提高制作效率，在大批量生产中往往在晶圆上沉积集成电路芯片或电路元件结构，然后再分割成各个单元，最后再进行封装和焊接。因此，晶圆的切割技术对提高成品率和封装效率有着重要影响。
传统晶圆切割技术主要有金刚石切割法和化学蚀刻法；金刚石切割存在切槽宽(50μm～100μm)、晶圆利用率低；加工脆性和高强度材料难度大，易产生裂纹、碎片和分层；刀具易磨损，需要消耗大量去离子水，生产成本大等问题；化学蚀刻法亦存在如刻蚀速度慢、污染环境和不适用于化学稳定的材料等不足。
从此而产生的激光切割技术集和了光学、精密机械、电子技术和计算机技术。与传统加工方法相比具有加工速度快；切槽窄(10μm～30μm)晶圆利用率较高；非接触加工，适合薄基圆；自化动程度高，任意图形切割等优点，较广泛的用于切割硅、低k材料、发光二极管衬底、微机电系统和薄膜太阳能电池等光电及半导体材料。与此同时，加工过程中产生的重凝、熔屑和裂纹以及晶粒强度等问题阻碍其进一步发展和应用。
【发明内容】
为解决现有激光切割存在的问题，主要针对大功率电力电子器件晶圆的激光切割进行改良，考虑SiC、GaN等材料晶圆的特性，例如碳化硅材料莫氏硬度达到9.2-9.3，减薄困难。一般用作制备器件的晶圆直径达到4-6英寸，而每个器件约为几毫米的矩形。在现有技术激光切割中易造成正面有源区损伤的缺陷，本发明利用激光进行背面划片正面裂片的方式进行切割，从而最大限度低保证了芯片正面有源区，边缘整齐，得到的芯片在可靠性和产能方面具有大幅提升。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
本发明提供了一种大功率电力电子器件晶圆的激光切割方法，对晶圆的N面采用激光束聚焦对准后进行激光束划片，再根据N面划痕进行正面裂片；激光束光源的波长190-400nm，所述激光束功率：3-10W，激光束距离晶圆N面的聚焦距离：330-500μm，激光束移动速率：5-50mm/s。
本发明还提供了一种激光切割方法操作方法，包括以下步骤：
1)调平晶圆，激光划片机对准晶圆的N面芯片与芯片之间的划片连接处；
2)利用激光束对调平的晶圆划片后旋转晶圆90°；
3)调平、对准切割道，正面裂片。
本发明切割的晶圆为第三代宽紧带半导体材料，包括碳化硅、氮化镓等。
本发明提供的切割方法中，激光束波长优选范围为190-300nm的紫外波长段，相较于近红外、红外波长，本发明选用波长能量高，缩短了切割作用时间，从而进一步的缩短激光作用于晶圆的时间，相应减少激光对晶圆的损伤，缩短整个切割时间及减少芯片损伤。
本发明提供的切割方法中，激光束所划的沟槽深度为晶圆厚度的1/10-1/4。现有技术中主要公开的划痕较深，通常为晶圆厚度的1/4～1/3，本发明划痕深度较现有技术浅，及本发明对晶圆的切割少，加之配合使用能量高的波长段激光束，进一步缩短了激光作用于芯片上的时间，减少芯片损伤。
本发明提供的切割方法中的槽深为5-80μm。
本发明提供的切割方法中的沟槽宽度进行了优选，槽宽为8-40μm，本发明的槽宽窄，可以在晶圆上制备获得更多的器件。
本发明提供的激光切割方法中对激光束功率、聚焦距离及激光束的移动速率进行了优选，激光束的功率范围为5-7W，激光束聚焦距离为330-450μm，激光束移动速率为5-30mm/s。本发明通过选用能量较高的紫外段波长激光束，通过对槽深、槽宽及激光束的功率、聚焦距离及移动速率进行综合优化，以实现最少切割、最少损伤的激光切割方法。
与传统激光切片相比，本发明是通过对宽禁带半导体材料做成器件晶圆的衬底背面进行激光划片后，再根据背面划痕进行正面裂片。背面划痕的深度约为芯片厚度的1/10至1/4，相较于现有技术中主要采用的切割槽深为晶圆厚度的1/4～1/3相比，本发明槽深更浅；本发明采取背划进行激光束切割大功率器件晶圆，最大限度地保证芯片正面的有源区，通过配合使用能量较高的紫外或深紫外波段，综合优化槽深、槽宽及激光束功率、聚焦距离及移动速率，最大限度地缩短激光作用于晶圆的时间及较少对晶圆的损伤，从而保证了正面有源区的完整性，得到边缘整齐的器件，对大面积芯片的可靠性和产能都有一个很大提升。
在实际的具体操作中，依照本发明提供的激光切割方法原理可以参考如下步骤实现：
1、将需要激光划片的晶圆片贴到蓝膜上
本步骤主要是将已经制备完成待切割的晶圆片固定在蓝膜上。将卡环也放置在贴膜机固定位置，待切割的晶圆片背面向下放置在贴膜机中心的小台面上，抽真空固定晶圆片，将贴膜机上的蓝膜拉到覆盖晶圆片和卡环的位置并贴紧晶圆片和卡环，用滚轮再次将蓝膜和晶圆片压紧，切开蓝膜，取下卡环，这时已经将晶圆片固定在蓝膜上，而蓝膜也被固定在钢制卡环上。
2、放入激光划片机进行划片
本在划片机载物台上。调整好激光束焦距、激光束能量、切割速度和路径等参数后开始切割晶圆步骤主要是将晶圆片及蓝膜卡环放置在激光划片机的载片台上，抽真空固定蓝膜的同时也将晶圆片固定片。
3、划片完毕，翻膜后放入裂片机进行裂片
将激光划片后的晶圆片从蓝膜上取下并翻膜到另一张蓝膜上，此时晶圆片正面朝上，刚刚带有激光划痕的背面紧贴在了蓝膜上。将此时的蓝膜放入裂片机，调整裂片机参数进行裂片，裂片后晶圆上的芯片就成为独立的芯片了。
激光划片是产生的高温会熔融外延层，熔融的外延层可能产生漏电等电学缺陷，本发明从背面划片且优化了划痕的深度和宽度，进行正面裂片最大限度地保证芯片正面的有源区，不破坏正面区域，得到边缘整齐的器件，对大面积芯片的可靠性和产能都有一个很大提升。本发明与现有技术相比，具有以下有益效果：
1)本发明主要是一种在大功率电力电子器件制备过程使用激光束划片的工艺，由于不破坏正面区域，所以芯片的可靠性有了更好的保证；
2)使大功率半导体器件分割开；
3)提高生产效率和可靠性；
4)最终获得的碳化硅肖特基二极管测试时反向耐压＞3500V，漏电流＜10uA。
【附图说明】
图1为将衬底片贴在蓝膜上的贴片过程示意图；
图2a为划片时衬底片示意图
图2b为划片后带有划痕的衬底片示意图；
图3为翻膜后的衬底片和蓝膜位置示意图；
图4a为裂片前示意图；
图4b为裂片后示意图；
图5为扩片后芯片被分离开的示意图；
图示中标注为1-晶圆，2-卡环，3-蓝膜，4-激光束，5-裂片刀。
【具体实施方式】
下面通过具体实施实例来描述本发明，如图例。
经前期加工过的碳化硅基器件，在实际操作中可以按照以下工艺进行激光划片：
1、贴膜
将晶圆片放在贴膜机上，并将贴片时的温度设定为70℃，将蓝膜3贴在晶圆片1和卡环2上。
2、激光划片
将晶圆片1等放入激光划片机中，抽真空吸住蓝膜3从而固定住晶圆片。调整激光划片机的参数。
3、翻膜
将激光划片后的晶圆片1从蓝膜3上取下并翻膜到另一张蓝膜上，此时晶圆片1正面朝上，刚刚带有激光划痕的背面紧贴在了蓝膜3上。
4、裂片
将翻膜后的芯片放入裂片机，沿着激光划痕对准裂片载台，裂片机上的裂片刀5落到划痕上，裂片刀加压力将芯片裂开。
5、扩片
将裂片完成后的晶圆片放在扩片机上进行扩片，独立的芯片被彻底分开。
在实际操作中可以按照上述方法进行，以实现本发明提供的原理方法。
进一步说明，本发明在槽深、槽宽、选用激光束的波长、功率、聚焦距离、移动速率上进行了优化了对本发明切割方法中影响最终切割芯片可靠性的各项参数包括：在激光切割切槽深度为晶圆厚度的1/10～1/4，切槽宽度为8-40μm，选用的激光束波长为190‐400nm，激光束功率为5‐10W，激光束距离晶圆N面的聚焦距离为330‐500μm，激光束的移动速率为5‐50mm/s。本发明在实际实施过程中可以根据需要选择优选范围内的具体点值进行操作来实现本发明能够实现的最终效果。以下仅列举出几个具体实施方式以供参考，但不仅限于此。实施例1
在本发明提供的切割原理指导下，具体实施参数选择：激光束波长为248nm，切割槽深20μm，槽宽12μm，激光束功率5W，聚焦距离400μm，激光切割速度10mm/s。
实施例2
在本发明提供的切割原理指导下，具体实施参数选择：激光束波长为190nm，切割槽深15μm，槽宽10μm，激光束功率10W，聚焦距离330μm，激光切割速度10mm/s。
实施例3
在本发明提供的切割原理指导下，具体实施参数选择：激光束波长为400nm，切割槽深35μm，槽宽8μm，激光束功率8W，聚焦距离400μm，激光切割速度20mm/s。
实施例4
在本发明提供的切割原理指导下，具体实施参数选择：激光束波长为248nm，切割槽深10μm，槽宽40μm，激光束功率5W，聚焦距离450μm，激光切割速度25mm/s。
实施例5
在本发明提供的切割原理指导下，具体实施参数选择：激光束波长为190nm，切割槽深40μm，槽宽12μm，激光束功率5W，聚焦距离420μm，激光切割速度30mm/s。
实施例6
在本发明提供的切割原理指导下，具体实施参数选择：激光束波长为350nm，切割槽深20μm，槽宽15μm，激光束功率10W，聚焦距离350μm，激光切割速度35mm/s。
实施例7
在本发明提供的切割原理指导下，具体实施参数选择：激光束波长为300nm，切割槽深5μm，槽宽20μm，激光束功率3W，聚焦距离380μm，激光切割速度40mm/s。
实施例8
在本发明提供的切割原理指导下，具体实施参数选择：激光束波长为248nm，切割槽深80μm，槽宽35μm，激光束功率7W，聚焦距离420μm，激光切割速度45mm/s。
实施例9
在本发明提供的切割原理指导下，具体实施参数选择：激光束波长为248nm，切割槽深35μm，槽宽12μm，激光束功率10W，聚焦距离400μm，激光切割速度50mm/s。
实施例10
在本发明提供的切割原理指导下，具体实施参数选择：激光束波长为248nm，切割槽深50μm，槽宽12μm，激光束功率5W，聚焦距离500μm，激光切割速度5mm/s。
利用实施例1～10任一所切割制得的芯片获得的碳化硅肖特基二极管测试反向耐压＞3500V，漏电流＜10μA。
1、贴膜
可以选择上述具体实施例中的任一参数值，将晶圆片放在贴膜机上，并将贴片时的温度设定为70℃，将蓝膜3贴在晶圆片1和卡环2上。
2、激光划片
将晶圆片1等放入激光划片机中，抽真空吸住蓝膜3从而固定住晶圆片。调整激光划片机的参数：根据具体实施例进行选择。
3、翻膜
将激光划片后的晶圆片1从蓝膜3上取下并翻膜到另一张蓝膜上，此时晶圆片1正面朝上，刚刚带有激光划痕的背面紧贴在了蓝膜3上。
4、裂片
将翻膜后的芯片放入裂片机，沿着激光划痕对准裂片载台，裂片机上的裂片刀5落到划痕上，裂片刀加压力将芯片裂开。
5、扩片
将裂片完成后的晶圆片放在扩片机上进行扩片，独立的芯片被彻底分开实现。
最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制，所属领域的普通技术人员尽管参照上述实施例依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者等同替换，这些未脱离本发明精神和范围的任何修改或者等同替换，均在申请待批的本发明的权利要求保护范围之内。

Claims (9)

1.一种大功率电力电子器件晶圆激光切割方法，其特征在于对所述晶圆的N面采用激光束聚焦对准后进行激光束划片，再根据N面划痕进行正面裂片；
所述激光束光源的波长190-400nm，所述激光束功率：3-10W，激光束距离晶圆N面的聚焦距离：330-500μm，激光束移动速率：5-50mm/s。
2.根据权利要求1所述的激光切割方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：
1)调平晶圆，激光划片机对准晶圆的N面芯片与芯片之间的划片连接处；
2)利用激光束对调平的晶圆划片后旋转晶圆90°；
3)调平、对准切割道，正面裂片。
3.根据权利要求1或2任一所述的激光切割方法，其特征在于所述的激光束光源波长为190-300nm。
4.根据权利要求1或2任一所述的激光切割方法，其特征在于所述激光束功率：5-7W，激光束距离晶圆N面的聚焦距离：330-450μm，激光束移动速率：5-30mm/s。
5.根据权利要求4所述的激光切割方法，其特征在于所述激光束波长为248nm，切割槽深20μm，槽宽12μm，激光束功率5W，聚焦距离400μm，激光切割速度10mm/s。
6.根据权利要求1所述的激光切割方法，其特征在于所述激光束划痕的沟槽深度为晶圆厚度的1/10-1/4。
7.根据权利要求6所述的激光切割方法，其特征在于所述沟槽深度为5-80μm。
8.根据权利要求1所述的激光切割方法，其特征在于激光束划痕的沟槽宽度为8-40μm。
9.根据权利要求1所述的激光切割方法，其特征在于所述晶圆材料包括碳化硅、氮化镓。
CN201410838312.XA 2014-12-29 2014-12-29 一种大功率电力电子器件晶圆激光切割方法 Active CN104599960B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410838312.XA CN104599960B (zh) 2014-12-29 2014-12-29 一种大功率电力电子器件晶圆激光切割方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410838312.XA CN104599960B (zh) 2014-12-29 2014-12-29 一种大功率电力电子器件晶圆激光切割方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104599960A true CN104599960A (zh) 2015-05-06
CN104599960B CN104599960B (zh) 2018-03-30

Family

ID=53125656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410838312.XA Active CN104599960B (zh) 2014-12-29 2014-12-29 一种大功率电力电子器件晶圆激光切割方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104599960B (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105895745A (zh) * 2016-06-21 2016-08-24 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司 异质结太阳能电池片的切割方法
CN108962821A (zh) * 2017-05-19 2018-12-07 正恩科技有限公司 用于半导体制程的分离方法
CN110265316A (zh) * 2019-06-28 2019-09-20 上海理工大学 一种半导体材料解理过程中偏移裂片载荷的获取方法
CN110480161A (zh) * 2019-07-04 2019-11-22 大族激光科技产业集团股份有限公司 晶片的切割方法及装置
CN110977201A (zh) * 2019-12-24 2020-04-10 华天科技（西安）有限公司 一种窄切割道激光镭射方法
CN111029301A (zh) * 2019-11-29 2020-04-17 厦门市三安集成电路有限公司 一种碳化硅基晶圆的加工方法
CN111900080A (zh) * 2019-05-05 2020-11-06 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种led芯片的切割方法
CN113140617A (zh) * 2021-03-16 2021-07-20 南瑞联研半导体有限责任公司 一种大功率半导体器件及其制备方法
CN113838750A (zh) * 2021-09-23 2021-12-24 浙江里阳半导体有限公司 半导体元件的划片方法及划片装置
CN114188438A (zh) * 2021-11-22 2022-03-15 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池及其制备方法
CN115521056A (zh) * 2022-10-25 2022-12-27 深圳市益铂晶科技有限公司 一种玻璃激光切割的劈裂方法
CN116936686A (zh) * 2023-09-15 2023-10-24 晶科能源(海宁)有限公司 光伏组件制造方法及光伏组件

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102079015A (zh) * 2010-11-25 2011-06-01 山东华光光电子有限公司 一种GaAs基LED芯片的激光切割方法
US8361828B1 (en) * 2011-08-31 2013-01-29 Alta Devices, Inc. Aligned frontside backside laser dicing of semiconductor films
CN103904174A (zh) * 2014-04-11 2014-07-02 安徽三安光电有限公司 发光二极管芯片的制作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102079015A (zh) * 2010-11-25 2011-06-01 山东华光光电子有限公司 一种GaAs基LED芯片的激光切割方法
US8361828B1 (en) * 2011-08-31 2013-01-29 Alta Devices, Inc. Aligned frontside backside laser dicing of semiconductor films
CN103904174A (zh) * 2014-04-11 2014-07-02 安徽三安光电有限公司 发光二极管芯片的制作方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105895745A (zh) * 2016-06-21 2016-08-24 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司 异质结太阳能电池片的切割方法
CN105895745B (zh) * 2016-06-21 2017-11-21 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司 异质结太阳能电池片的切割方法
CN108962821A (zh) * 2017-05-19 2018-12-07 正恩科技有限公司 用于半导体制程的分离方法
CN111900080A (zh) * 2019-05-05 2020-11-06 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种led芯片的切割方法
CN110265316A (zh) * 2019-06-28 2019-09-20 上海理工大学 一种半导体材料解理过程中偏移裂片载荷的获取方法
CN110480161A (zh) * 2019-07-04 2019-11-22 大族激光科技产业集团股份有限公司 晶片的切割方法及装置
CN111029301A (zh) * 2019-11-29 2020-04-17 厦门市三安集成电路有限公司 一种碳化硅基晶圆的加工方法
CN111029301B (zh) * 2019-11-29 2022-10-28 厦门市三安集成电路有限公司 一种碳化硅基晶圆的加工方法
CN110977201A (zh) * 2019-12-24 2020-04-10 华天科技（西安）有限公司 一种窄切割道激光镭射方法
CN113140617A (zh) * 2021-03-16 2021-07-20 南瑞联研半导体有限责任公司 一种大功率半导体器件及其制备方法
CN113140617B (zh) * 2021-03-16 2024-05-14 南瑞联研半导体有限责任公司 一种大功率半导体器件及其制备方法
CN113838750A (zh) * 2021-09-23 2021-12-24 浙江里阳半导体有限公司 半导体元件的划片方法及划片装置
CN114188438A (zh) * 2021-11-22 2022-03-15 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池及其制备方法
CN115521056A (zh) * 2022-10-25 2022-12-27 深圳市益铂晶科技有限公司 一种玻璃激光切割的劈裂方法
CN116936686A (zh) * 2023-09-15 2023-10-24 晶科能源(海宁)有限公司 光伏组件制造方法及光伏组件

Also Published As

Publication number Publication date
CN104599960B (zh) 2018-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104599960A (zh) 一种大功率电力电子器件晶圆激光切割方法
KR102611962B1 (ko) 결정질 재료의 이형을 위한 레이저 보조 방법
CN101882578B (zh) 固体激光剥离和切割一体化设备
CN104625425B (zh) 一种大功率电力电子器件晶圆隐形激光切割方法
CN103887156B (zh) 高裸芯片强度的半导体晶圆加工方法和系统
CN104779204A (zh) 晶片的加工方法
CN102751398B (zh) 一种倒三角形发光二极管芯片的制作方法
CN103358032A (zh) 一种cis产品的圆片级划片方法
CN102751400A (zh) 一种含金属背镀的半导体原件的切割方法
CN107123588A (zh) 一种氮化镓晶圆片边缘处理方法
CN113369677A (zh) 晶圆切割方法及切割设备
CN108666212B (zh) 一种led芯片制作方法
JP2021052178A (ja) 親基板、ウェーハ複合体、及び結晶性基板並びに半導体デバイスを製造する方法
CN110549016B (zh) 碳化硅的飞秒激光切割方法
CN110480161A (zh) 晶片的切割方法及装置
CN106328778B (zh) 隐形切割制备正、倒和倒梯形台状衬底的led芯片的方法
CN104377280B (zh) 一种在衬底晶圆上制作沟槽结构的方法
CN205764450U (zh) 一种led晶圆激光装置
CN104979161A (zh) 半导体器件的制作方法及ti-igbt的制作方法
US11158601B2 (en) Laminated element manufacturing method
CN102990229B (zh) 发光二极管晶圆切割方法
CN102185046A (zh) 垂直结构氮化镓基led的制作方法
CN105234560B (zh) 一种半导体芯片的切割方法
CN113140617B (zh) 一种大功率半导体器件及其制备方法
Lewke et al. High quality and high speed cutting of 4H-SiC JFET wafers including PCM structures by using Thermal Laser Separation

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant