CN115296689A - 全双工发射接收电路、串行电路芯片、电子设备及车辆 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电子电器技术领域，提供了一种全双工发射接收电路、串行电路芯片、电子设备及车辆。该全双工发射接收电路包括发射模块、提取模块和接收模块，发射模块为电流型逻辑架构；发射模块的第一端与提取模块的第一端连接，发射模块的第二端与提取模块的第二端连接，提取模块的第三端与接收模块的第一端连接，提取模块的第四端与接收模块的第二端连接；发射模块被配置为发射混合差分信号，混合差分信号包括正向高速差分信号和反向低速差分信号；提取模块被配置为从混合差分信号中提取出反向低速差分信号分量，并将反向低速差分信号分量输出至接收模块。采用本发明的全双工发射接收电路，能够在单通道上实现全双工通信，同时降低成本。
Description
技术领域
本发明涉及电子电器技术领域，特别是涉及一种全双工发射接收电路、串行电路芯片、电子设备及车辆。
背景技术
SerDes(Serializer-Deserializer，串行器和解串器)是一种在发送端多路低速并行信号被转换成高速串行信号，经过传输媒体(比如光纤、同轴电缆等)后，在接收端高速串行信号重新转换成低速并行信号的通信技术。
目前，相关技术中串行器和解串器之间一般是单向通道，没有回传功能，比如HDMI(High Definition Multimedia Interface，高清晰度多媒体接口)和LVDS(Low VoltageDifferential Signaling，低电压差分信号)。即便有部分协议通过增设额外的信道来回传控制信息，比如DP(Display Port，显示接口)，但这种方式会增加成本，不利于广泛应用，具有局限性。
发明内容
基于此，有必要针对上述缺陷或不足，提供一种全双工发射接收电路、串行电路芯片、电子设备及车辆，能够在单通道上实现全双工通信。
第一方面，本发明实施例提供了一种基于CML架构的全双工发射接收电路，所述全双工发射接收电路包括发射模块、提取模块和接收模块，所述发射模块为电流型逻辑架构；
所述发射模块的第一端与所述提取模块的第一端连接，所述发射模块的第二端与所述提取模块的第二端连接，所述提取模块的第三端与所述接收模块的第一端连接，所述提取模块的第四端与所述接收模块的第二端连接；
所述发射模块被配置为发射混合差分信号，所述混合差分信号包括正向高速差分信号和反向低速差分信号；
所述提取模块被配置为从所述混合差分信号中提取出反向低速差分信号分量，并将所述反向低速差分信号分量输出至所述接收模块。
可选的，在本发明一些实施例中，所述提取模块包括转换单元和计算单元；
所述转换单元的第一端连接所述发射模块的第一端，所述转换单元的第二端连接所述发射模块的第二端，所述转换单元的第三端分别与所述计算单元的第一端和所述接收模块的第一端相连接，所述转换单元的第四端分别与所述计算单元的第二端和所述接收模块的第二端相连接，所述计算单元的第三端连接所述发射模块的第三端，所述计算单元的第四端连接所述发射模块的第四端；
所述转换单元被配置为将所述混合差分信号转换为正向高速差分信号分量和所述反向低速差分信号分量后输出至所述计算单元；
所述计算单元被配置为将所述正向高速差分信号分量和所述反向低速差分信号分量中的所述正向高速差分信号分量去除，得到所述反向低速差分信号分量。
可选的，在本发明一些实施例中，所述转换单元包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电流源、第一场效应管和第二场效应管；
所述第一电阻的第一端连接所述发射模块的第一端，所述第一电阻的第二端连接所述第一场效应管的第一端，所述第二电阻的第一端连接所述发射模块的第二端，所述第二电阻的第二端连接所述第二场效应管的第一端，所述第一场效应管的第二端分别与所述第三电阻的第一端和所述计算单元的第一端相连接，所述第一场效应管的第三端连接所述第一电流源的第一端，所述第一电流源的第二端接地，所述第三电阻的第二端连接电源，所述第二场效应管的第二端分别与所述第四电阻的第一端和所述计算单元的第二端相连接，所述第二场效应管的第三端连接所述第一电流源的第一端，所述第四电阻的第二端连接电源。
可选的，在本发明一些实施例中，所述计算单元包括第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管和第二电流源；
所述第三场效应管的第一端连接所述转换单元的第三端，所述第三场效应管的第二端接入偏置电压，所述第三场效应管的第三端连接所述第四场效应管的第一端，所述第四场效应管的第二端连接所述发射模块的第三端，所述第四场效应管的第三端连接所述第二电流源的第一端，所述第二电流源的第二端接地，所述第五场效应管的第一端连接所述转换单元的第四端，所述第五场效应管的第二端接入偏置电压，所述第五场效应管的第三端连接所述第六场效应管的第一端，所述第六场效应管的第二端连接所述发射模块的第四端，所述第六场效应管的第三端连接所述第二电流源的第一端。
可选的，在本发明一些实施例中，所述第三场效应管、所述第四场效应管、所述第五场效应管和所述第六场效应管均为NMOS管。
可选的，在本发明一些实施例中，所述发射模块包括第七场效应管、第八场效应管、第九场效应管、第十场效应管、第三电流源、第五电阻和第六电阻；
所述第七场效应管的第一端接入一路正向高速差分信号，所述第七场效应管的第二端连接所述第三电流源的第一端，所述第三电流源的第二端接地，所述第七场效应管的第三端连接所述第八场效应管的第一端，所述第八场效应管的第二端接入偏置电压，所述第八场效应管的第三端分别与所述发射模块的第一端和所述第五电阻的第一端相连接，所述第五电阻的第二端连接电源，所述第九场效应管的第一端接入另一路正向高速差分信号，所述第九场效应管的第二端连接所述第三电流源的第一端，所述第九场效应管的第三端连接所述第十场效应管的第一端，所述第十场效应管的第二端接入偏置电压，所述第十场效应管的第三端分别与所述发射模块的第二端和所述第六电阻的第一端相连接，所述第六电阻的第二端连接电源。
可选的，在本发明一些实施例中，所述接收模块包括滤波放大单元；
所述滤波放大单元的第一端连接所述提取模块的第三端，所述滤波放大单元的第二端连接所述提取模块的第四端；
所述滤波放大单元被配置为对所述反向低速差分信号分量进行滤波和放大。
第二方面，本公发明实施例提供了一种串行电路芯片，所述串行电路芯片包括第一方面中任意一项所述的基于CML架构的全双工发射接收电路。
第三方面，本发明实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括解串电路芯片、传输媒体以及第二方面所述的串行电路芯片，其中所述传输媒体设置在所述解串电路芯片与所述串行电路芯片之间。
第四方面，本发明实施例提供了一种车辆，所述车辆包括第三方面所述的电子设备。
从以上技术方案可以看出，本发明实施例具有以下优点：
本发明实施例所提供的全双工发射接收电路、串行电路芯片、电子设备及车辆，通过在电流型逻辑电路架构的基础上增加提取模块和接收模块，进而该提取模块可以从发射模块发射的混合差分信号中提取出反向低速差分信号分量，并向接收模块输出，由此能够在单通道上实现全双工通信，结构简单，便于广泛应用，同时大幅降低了制造成本。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明实施例提供的一种基于CML架构的全双工发射接收电路的应用框图；
图2为本发明实施例提供的另一种基于CML架构的全双工发射接收电路的应用框图；
图3为本发明实施例提供的一种CML架构的示意图；
图4为本发明实施例提供的一种基于CML架构的全双工发射接收电路的结构框图；
图5为本发明实施例提供的另一种基于CML架构的全双工发射接收电路的结构框图；
图6为本发明实施例提供的又一种基于CML架构的全双工发射接收电路的结构框图；
图7为本发明实施例提供的一种基于CML架构的全双工发射接收电路的具体示例；
图8为本发明实施例提供的一种串行电路芯片的结构框图；
图9为本发明实施例提供的一种电子设备的结构框图；
图10为本发明实施例提供的一种车辆的结构框图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
此外，术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或模块的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或模块，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或模块。
为了便于更好地理解本发明，现结合图1和图2所示的应用框图进行说明。示例性的，本发明实施例提供的基于CML(Current Mode Logic，电流型逻辑)架构的全双工发射接收电路可以应用在STP(Shielded Twisted Pair，屏蔽双绞线)传输模式或者COAX(Coaxialcable，同轴电缆)传输模式中，即发送端为Serializer(串行器)电路，接收端为Deserilalizer(解串器)电路，二者之间通过STP或者COAX等传输媒体进行信号传输。其中，FC表示正向通道，FC_driver表示正向驱动，FC_receiver表示正向接收，RC表示反向通道，RC_driver表示反向驱动，RC_receiver表示反向接收，TX表示发送以及RX表示接收。
进一步地，如图3所示本发明实施例提供的CML架构包括电阻R01、电阻R02、场效应管Q01、场效应管Q02、场效应管Q03、场效应管Q04和电流源A0。其中，电阻R01的第一端和电阻R02的第一端均与电源(VDD33)相连接，电阻R01的第二端分别与芯片端脚TX_OP和场效应管Q01的漏极相连接，电阻R02的第二端分别与芯片端脚TX_ON和场效应管Q02的漏极相连接，场效应管Q01的栅极接入偏置电压(VBIAS)，场效应管Q01的源极连接场效应管Q03的漏极，场效应管Q03的栅极通过端脚TX_N接入一路正向高速差分信号，场效应管Q03的源极连接电流源A0的第一端，电流源A0的第二端接地，场效应管Q02的栅极接入偏置电压(VBIAS)，场效应管Q02的源极连接场效应管Q04的漏极，场效应管Q04的栅极通过端脚TX_P接入另一路正向高速差分信号，场效应管Q04的源极连接电流源A0的第一端。
下面通过图4至图10详细的阐述本发明实施例提供的基于CML架构的全双工发射接收电路、串行电路芯片、电子设备及车辆。
请参考图4，其为本发明实施例提供的一种基于CML架构的全双工发射接收电路的结构框图，该全双工发射接收电路100包括发射模块101、提取模块102和接收模块103，该发射模块101为电流型逻辑架构，比如图3所示。其中，发射模块101的第一端与提取模块102的第一端连接，发射模块101的第二端与提取模块102的第二端连接，而提取模块102的第三端与接收模块103的第一端连接，提取模块102的第四端与接收模块103的第二端连接。
示例性的，本发明实施例中全双工发射接收电路100首先通过发射模块101发射混合差分信号，该混合差分信号可以包括正向高速差分信号和反向低速差分信号，然后通过提取模块102从该混合差分信号中提取出反向低速差分信号分量，并将反向低速差分信号分量输出至接收模块103。因此，本发明实施例通过全双工发射接收电路100中发射模块101、提取模块102和接收模块103这三个组成模块，能够在单通道上实现全双工通信，结构简单，便于广泛应用，同时大幅降低了制造成本。
可选的，如图5所示，本发明一些实施例中提取模块102可以包括转换单元1021和计算单元1022，该转换单元1021配置用于将混合差分信号转换为正向高速差分信号分量和反向低速差分信号分量后输出至计算单元1022，而该计算单元1022配置用于将正向高速差分信号分量和反向低速差分信号分量中的正向高速差分信号分量去除，得到反向低速差分信号分量。其中，该转换单元1021的第一端连接发射模块101的第一端，该转换单元1021的第二端连接发射模块101的第二端，该转换单元1021的第三端分别与计算单元1022的第一端和接收模块103的第一端相连接，该转换单元1021的第四端分别与计算单元1022的第二端和接收模块103的第二端相连接，而该计算单元1022的第三端连接发射模块101的第三端，该计算单元1022的第四端连接发射模块101的第四端。
可选的，如图6所示，本发明一些实施例中接收模块103可以包括滤波放大单元1031，该滤波放大单元1031配置用于对反向低速差分信号分量进行滤波和放大。其中，该滤波放大单元1031的第一端连接提取模块102的第三端，该滤波放大单元1031的第二端连接提取模块102的第四端。
示例性的，请参考图7，下面对全双工发射接收电路100中各个组成模块或者单元的具体电路结构进行详细说明。
比如，提取模块102中转换单元1021可以包括但不限于第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一电流源A1、第一场效应管Q1和第二场效应管Q2。其中，第一电阻R1的第一端(对应于提取模块102的第一端)连接发射模块101的第一端，第一电阻R1的第二端连接第一场效应管Q1的第一端，第二电阻R2的第一端(对应于提取模块102的第二端)连接发射模块101的第二端，第二电阻R2的第二端连接第二场效应管Q2的第一端，第一场效应管Q1的第二端(对应于提取模块102的第三端)分别与第三电阻R3的第一端和计算单元1022的第一端相连接，第一场效应管Q1的第三端连接第一电流源A1的第一端，第一电流源A1的第二端接地，第三电阻R3的第二端连接电源(VDD)，第二场效应管Q2的第二端(对应于提取模块102的第四端)分别与第四电阻R4的第一端和计算单元1022的第二端相连接，第二场效应管Q2的第三端连接第一电流源A1的第一端，第四电阻R4的第二端连接电源(VDD)。
可选的，本发明实施例中第一场效应管Q1和第二场效应管Q2均为NMOS管，则第一场效应管Q1的第一端为NMOS管的栅极(g)，第一场效应管Q1的第二端为NMOS管的漏极(d)，第一场效应管Q1的第三端为NMOS管的源极(s)，以及第二场效应管Q2的第一端为NMOS管的栅极(g)，第二场效应管Q2的第二端为NMOS管的漏极(d)，第二场效应管Q2的第三端为NMOS管的源极(s)。
再如，提取模块102中计算单元1022可以包括但不限于第三场效应管Q3、第四场效应管Q4、第五场效应管Q5、第六场效应管Q6和第二电流源A2。其中，第三场效应管Q3的第一端连接转换单元1021的第三端，第三场效应管Q3的第二端接入偏置电压(VBIAS)，第三场效应管Q3的第三端连接第四场效应管Q4的第一端，第四场效应管Q4的第二端连接发射模块101的第三端(FCTX_IN)，第四场效应管Q4的第三端连接第二电流源A2的第一端，第二电流源A2的第二端接地，第五场效应管Q5的第一端连接转换单元1021的第四端，第五场效应管Q5的第二端接入偏置电压(VBIAS)，第五场效应管Q5的第三端连接第六场效应管Q6的第一端，第六场效应管Q6的第二端连接发射模块101的第四端(FCTX_IP)，第六场效应管Q6的第三端连接第二电流源A2的第一端。
可选的，本发明实施例中第三场效应管Q3、第四场效应管Q4、第五场效应管Q5和第六场效应管Q6均为NMOS管，则第三场效应管Q3的第一端为NMOS管的漏极(d)，第三场效应管Q3的第二端为NMOS管的栅极(g)，第三场效应管Q3的第三端为NMOS管的源极(s)；第四场效应管Q4的第一端为NMOS管的漏极(d)，第四场效应管Q4的第二端为NMOS管的栅极(g)，第四场效应管Q4的第三端为NMOS管的源极(s)；第五场效应管Q5的第一端为NMOS管的漏极(d)，第五场效应管Q5的第二端为NMOS管的栅极(g)，第五场效应管Q5的第三端为NMOS管的源极(s)；以及，第六场效应管Q6的第一端为NMOS管的漏极(d)，第六场效应管Q6的第二端为NMOS管的栅极(g)，第六场效应管Q6的第三端为NMOS管的源极(s)。
又如，发射模块101可以包括第七场效应管Q7、第八场效应管Q8、第九场效应管Q9、第十场效应管Q10、第三电流源A3、第五电阻R5和第六电阻R6。其中，第七场效应管Q7的第一端接入一路正向高速差分信号(通过FCTX_IN端脚)，第七场效应管Q7的第二端连接第三电流源A3的第一端，第三电流源A3的第二端接地，第七场效应管Q7的第三端连接第八场效应管Q8的第一端，第八场效应管Q8的第二端接入偏置电压(VBIAS)，第八场效应管Q8的第三端分别与发射模块101的第一端(FCH_TX_OP)和第五电阻R5的第一端相连接，第五电阻R5的第二端连接电源(VDD33)，第九场效应管Q9的第一端接入另一路正向高速差分信号(通过FCTX_IP端脚)，第九场效应管Q9的第二端连接第三电流源A3的第一端，第九场效应管Q9的第三端连接第十场效应管Q10的第一端，第十场效应管Q10的第二端接入偏置电压(VBIAS)，第十场效应管Q10的第三端分别与发射模块101的第二端(FCH_TX_ON)和第六电阻R6的第一端相连接，第六电阻R6的第二端连接电源(VDD33)。
可选的，本发明实施例中第七场效应管Q7、第八场效应管Q8、第九场效应管Q9、第十场效应管Q10均为NMOS管，则第七场效应管Q7的第一端为NMOS管的栅极(g)，第七场效应管Q7的第二端为NMOS管的源极(s)，第七场效应管Q7的第三端为NMOS管的漏极(d)；第八场效应管Q8的第一端为NMOS管的源极(s)，第八场效应管Q8的第二端为NMOS管的栅极(g)，第八场效应管Q8的第三端为NMOS管的漏极(d)；第九场效应管Q9的第一端为NMOS管的栅极(g)，第九场效应管Q9的第二端为NMOS管的源极(s)，第九场效应管Q9的第三端为NMOS管的漏极(d)；第十场效应管Q10的第一端为NMOS管的源极(s)，第十场效应管Q10的第二端为NMOS管的栅极(g)，第十场效应管Q10的第三端为NMOS管的漏极(d)。
另如，接收模块103中滤波放大单元1031可以包括但不限于第七电阻R7、第八电阻R8、第一电容C1和第二电容C2。其中，第七电阻R7的第一端(对应于接收模块103的第一端)连接提取模块102的第三端，第七电阻R7的第二端分别与第一电容C1的第一端和接收模块103的第一输出端(RCH_ON)相连接，第一电容C1的第二端接地，而第八电阻R8的第一端(对应于接收模块103的第二端)连接提取模块102的第四端，第八电阻R8的第二端分别与第二电容C2的第一端和接收模块103的第二输出端(RCH_OP)相连接，第二电容C2的第二端接地。
下面结合图7，对本发明实施例提供的全双工发射接收电路100的工作过程进行说明。首先，正向高速差分信号通过第七场效应管Q7和第九场效应管Q9进行发射；其次，经过第八场效应管Q8、第十场效应管Q10、第五电阻R5和第六电阻R6之后输出到芯片端脚FCH_TX_OP和FCH_TX_ON上，同时该芯片端脚还会接收到从解串电路芯片端发送过来的反向低速差分信号；再次，将该芯片端脚上的混合差分信号通过第一电阻R1和第二电阻R2分别发送到第一场效应管Q1的栅极和第二场效应管Q2的栅极，由于第一场效应管Q1和第二场效应管Q2的漏极输出既有正向高速差分信号分量，还有反向低速差分信号分量，此时通过第三场效应管Q3、第四场效应管Q4、第五场效应管Q5和第六场效应管Q6将正向高速差分信号分量减去，得到只包含接收到的从解串电路芯片端发送过来的反向低速差分信号分量；进而，将恢复出来的反向低速差分信号分量进行滤波和放大处理，便可以实现全双工通信。测试结果表明，基于40hm工艺，芯片实际测量实现了正向7Gbps高速传输，反向回传实现了25Mbps传输速度。另外，通过分别使用第一场效应管Q1、第二场效应管Q2和第三场效应管Q3、第四场效应管Q4、第五场效应管Q5、第六场效应管Q6还可以实现同时兼容3.3V和1.1V的电压输入。
作为另一方面，本发明实施例还提供了一种串行电路芯片。如图8所示，该串行电路芯片200可以包括但不限于图3～图7对应实施例中的基于CML架构的全双工发射接收电路100。
作为再一方面，本发明实施例还提供了一种电子设备。如图9所示，该电子设备300可以包括解串电路芯片301、传输媒体302以及图8对应实施例中串行电路芯片200。其中，传输媒体302设置在解串电路芯片301与串行电路芯片200之间，比如该传输媒体302可以为屏蔽双绞线或者同轴电缆等。
作为又一方面，本发明实施例还提供了一种车辆。如图10所示，该车辆400可以包括图9对应实施例中的电子设备300。
本发明实施例提供了一种基于CML架构的全双工发射接收电路、串行电路芯片、电子设备及车辆，通过在电流型逻辑电路架构的基础上增加提取模块和接收模块，进而该提取模块可以从发射模块发射的混合差分信号中提取出反向低速差分信号分量，并向接收模块输出，由此能够在单通道上实现全双工通信，结构简单，便于广泛应用，同时大幅降低了制造成本。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种基于CML架构的全双工发射接收电路，其特征在于，所述全双工发射接收电路包括发射模块、提取模块和接收模块，所述发射模块为电流型逻辑架构；
所述发射模块的第一端与所述提取模块的第一端连接，所述发射模块的第二端与所述提取模块的第二端连接，所述提取模块的第三端与所述接收模块的第一端连接，所述提取模块的第四端与所述接收模块的第二端连接；
所述发射模块被配置为发射混合差分信号，所述混合差分信号包括正向高速差分信号和反向低速差分信号；
所述提取模块被配置为从所述混合差分信号中提取出反向低速差分信号分量，并将所述反向低速差分信号分量输出至所述接收模块。
2.根据权利要求1所述的全双工发射接收电路，其特征在于，所述提取模块包括转换单元和计算单元；
所述转换单元的第一端连接所述发射模块的第一端，所述转换单元的第二端连接所述发射模块的第二端，所述转换单元的第三端分别与所述计算单元的第一端和所述接收模块的第一端相连接，所述转换单元的第四端分别与所述计算单元的第二端和所述接收模块的第二端相连接，所述计算单元的第三端连接所述发射模块的第三端，所述计算单元的第四端连接所述发射模块的第四端；
所述转换单元被配置为将所述混合差分信号转换为正向高速差分信号分量和所述反向低速差分信号分量后输出至所述计算单元；
所述计算单元被配置为将所述正向高速差分信号分量和所述反向低速差分信号分量中的所述正向高速差分信号分量去除，得到所述反向低速差分信号分量。
3.根据权利要求2所述的全双工发射接收电路，其特征在于，所述转换单元包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电流源、第一场效应管和第二场效应管；
所述第一电阻的第一端连接所述发射模块的第一端，所述第一电阻的第二端连接所述第一场效应管的第一端，所述第二电阻的第一端连接所述发射模块的第二端，所述第二电阻的第二端连接所述第二场效应管的第一端，所述第一场效应管的第二端分别与所述第三电阻的第一端和所述计算单元的第一端相连接，所述第一场效应管的第三端连接所述第一电流源的第一端，所述第一电流源的第二端接地，所述第三电阻的第二端连接电源，所述第二场效应管的第二端分别与所述第四电阻的第一端和所述计算单元的第二端相连接，所述第二场效应管的第三端连接所述第一电流源的第一端，所述第四电阻的第二端连接电源。
4.根据权利要求2所述的全双工发射接收电路，其特征在于，所述计算单元包括第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管和第二电流源；
所述第三场效应管的第一端连接所述转换单元的第三端，所述第三场效应管的第二端接入偏置电压，所述第三场效应管的第三端连接所述第四场效应管的第一端，所述第四场效应管的第二端连接所述发射模块的第三端，所述第四场效应管的第三端连接所述第二电流源的第一端，所述第二电流源的第二端接地，所述第五场效应管的第一端连接所述转换单元的第四端，所述第五场效应管的第二端接入偏置电压，所述第五场效应管的第三端连接所述第六场效应管的第一端，所述第六场效应管的第二端连接所述发射模块的第四端，所述第六场效应管的第三端连接所述第二电流源的第一端。
5.根据权利要求4所述的全双工发射接收电路，其特征在于，所述第三场效应管、所述第四场效应管、所述第五场效应管和所述第六场效应管均为NMOS管。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的全双工发射接收电路，其特征在于，所述发射模块包括第七场效应管、第八场效应管、第九场效应管、第十场效应管、第三电流源、第五电阻和第六电阻；
所述第七场效应管的第一端接入一路正向高速差分信号，所述第七场效应管的第二端连接所述第三电流源的第一端，所述第三电流源的第二端接地，所述第七场效应管的第三端连接所述第八场效应管的第一端，所述第八场效应管的第二端接入偏置电压，所述第八场效应管的第三端分别与所述发射模块的第一端和所述第五电阻的第一端相连接，所述第五电阻的第二端连接电源，所述第九场效应管的第一端接入另一路正向高速差分信号，所述第九场效应管的第二端连接所述第三电流源的第一端，所述第九场效应管的第三端连接所述第十场效应管的第一端，所述第十场效应管的第二端接入偏置电压，所述第十场效应管的第三端分别与所述发射模块的第二端和所述第六电阻的第一端相连接，所述第六电阻的第二端连接电源。
7.根据权利要求6所述的全双工发射接收电路，其特征在于，所述接收模块包括滤波放大单元；
所述滤波放大单元的第一端连接所述提取模块的第三端，所述滤波放大单元的第二端连接所述提取模块的第四端；
所述滤波放大单元被配置为对所述反向低速差分信号分量进行滤波和放大。
8.一种串行电路芯片，其特征在于，所述串行电路芯片包括权利要求1至7中任意一项所述的基于CML架构的全双工发射接收电路。
9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括解串电路芯片、传输媒体以及权利要求8所述的串行电路芯片，其中所述传输媒体设置在所述解串电路芯片与所述串行电路芯片之间。
10.一种车辆，其特征在于，所述车辆包括权利要求9所述的电子设备。
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