CN115280900A - 发光装置 - Google Patents

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CN115280900A
CN115280900A CN202180020875.6A CN202180020875A CN115280900A CN 115280900 A CN115280900 A CN 115280900A CN 202180020875 A CN202180020875 A CN 202180020875A CN 115280900 A CN115280900 A CN 115280900A
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wiring
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渡边雅也
西出雅彦
有泽崇志
铃木隆信
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Abstract

本公开的发光装置具备:基板、多根信号布线、多个发光元件部、多根引出布线。多根信号布线在基板上沿着规定方向而配置。多个发光元件部在基板上沿着规定方向而配置为列状。多根引出布线在基板上沿着与规定方向交叉的方向隔着信号布线和绝缘层而配置,将多根信号布线与多个发光元件部分别连接。多根引出布线以一半以上的比例包含长度沿着规定方向不规则地变化的不规则区域。

Description

发光装置
技术领域
本公开涉及具备有机发光二极管元件、有机电致发光元件等发光元件的发光装置。
背景技术
以往,已知例如专利文献1中记载的发光装置。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-216150号公报
发明内容
本公开的发光装置具备:
基板;
多根信号布线,在所述基板上沿着规定方向配置;
多个发光元件部,在所述基板上沿着所述规定方向被配置为列状;和
多根引出布线,在所述基板上沿着与所述规定方向交叉的方向隔着所述信号布线和绝缘层而配置,分别将所述多根信号布线与所述多个发光元件部连接,
所述多根引出布线以一半以上的比例包含长度沿着所述规定方向不规则地变化的不规则区域。
附图说明
本发明的目的、特点以及优点根据下述的详细说明和附图变得更为明确。
图1是示意地表示本公开的一实施方式的发光装置的结构的俯视图。
图2是示意地表示发光装置的整体的俯视图。
图3是图2的III部以及驱动元件的电路图。
图4是将发光元件部和连接于发光元件部的布线放大表示的部分放大俯视图。
图5是从图4的切断面线V1-V2观察的剖视图。
图6是从图1的切断面线V3-V4观察的剖视图。
具体实施方式
对本公开的实施方式所涉及的发光装置作为基础的结构进行说明。现有的发光装置中,在长条状的基板的主面上,形成有沿着基板的长边方向而并排配置的多个发光元件、分别驱动多个发光元件的多个驱动电路块、将驱动电路块与发光元件连接的多个布线。各驱动电路块沿着多个发光元件的列而排列配置,一个驱动电路块驱动多个发光元件。在基板的长边方向的一端部或者两端部,驱动各驱动电路块以及各发光元件、并控制各发光元件的发光的驱动装置通过芯片接合方式等的安装方法而被安装。在基板的主面的、驱动装置附近的缘部,设置有用于在与驱动装置之间输入输出驱动信号、控制信号等的柔性电路基板。各驱动电路具有:移位寄存器、或非(NOR)电路、反相器、传输门元件、以及驱动用薄膜晶体管(Thin Film Transistor:TFT)。在驱动用TFT的漏极电极连接包含有机发光二极管元件等的发光元件。发光装置构成为:若对各驱动用TFT的栅极电极作为数据信号而提供栅极电位,则基于与数据信号相应的电源电压的电源电流被提供至各发光元件,各发光元件以与数据信号相应的亮度进行发光。
在现有的发光装置中,在基板上形成有在多个绝缘层的层间配置各种布线的多层层叠型布线构造体。在该多层层叠型布线构造体中,与各驱动用TFT的栅极电极电连接的下层侧栅极电位提供布线沿着基板的长边方向而延伸到配置有各发光元件的发光点的附近,从发光点的附近通过接触孔等的层间连接导体而被提升至上层侧栅极电位提供布线。上层侧栅极电位提供布线在基板的短边方向延伸,并且跨越在基板的长边方向延伸的多个下层侧栅极电位提供布线而连接于各驱动用TFT的栅极电极。
在现有的发光装置中,由于一根上层侧栅极电位提供布线在与多个下层侧栅极电位提供布线之间分别产生寄生电容,因此通过该寄生电容在对各驱动用TFT的栅极电极施加的栅极电位产生电位差。此外,在现有的发光装置中,上层侧栅极电位提供布线与层间连接导体的连接部被配置为:从发光点观察,从接近处于基板的长边方向的端部的电源的近端的发光点朝向远离电源的远端的发光点依次分离(或者依次接近)。因此,随着从连接部最接近发光点的上层侧栅极电位提供布线成为连接部最远离发光点的上层侧栅极电位提供布线,寄生电容以及电阻依次增加,相对于各发光点产生寄生电容和电阻的倾斜分布。其结果,在多个发光点的发光亮度产生在长边方向倾斜的分布。谋求能够消除这种寄生电容以及电阻的倾斜分布、抑制发光亮度的不均匀的发光装置。
以下,参照附图对本公开的发光装置的实施方式进行说明。
图1是示意地表示本公开的一实施方式的发光装置的结构的俯视图。在本实施方式中,作为一例,对发光装置被应用于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode:OLED)打印头的情况进行说明。OLED打印头是在图像形成装置具备的感光鼓的表面将图像信息形成为静电潜像的打印头。OLED打印头例如具有如下结构:在长条状的基板多个具有几百至几千的发光元件部的发光块以规定的电路图案被排列。图1中,对本公开的发光装置的基本的电路图案进行说明。
本公开的发光装置具备:基板2、多根信号布线3、多个发光元件部4、多根引出布线5。多根信号布线3在基板2上沿着规定方向(例如长边方向)配置。多个发光元件部4在基板2上沿着规定方向被配置为列状。多根引出布线5在基板2上沿着与规定方向交叉的方向(例如短边方向)隔着信号布线3和绝缘层而配置,将多根信号布线3与多个发光元件部4分别连接。多根引出布线5以一半以上的比例包含长度沿着规定方向不规则地变化的不规则区域。
本公开的发光装置通过上述的结构起到以下的效果。在引出布线5的长度的不规则区域,信号布线3与引出布线5的俯视下的交叉部位的数量也沿着规定方向而不规则。其结果,引出布线5的电阻以及在交叉部位产生的寄生电容沿着规定方向而不规则。因此,能够抑制引出布线5的电阻以及在交叉部位产生的寄生电容依次增加、相对于各发光元件部4而产生电阻与寄生电容的倾斜分布,从而能够抑制在对多个发光元件部4输入相同的驱动电流时、在从多个发光元件部4发出的光的亮度产生在长边方向倾斜的分布。
多个布线组可以是其60%以上为不规则区域,此外也可以80%以上为不规则区域,此外还可以100%为不规则区域。这些情况下,能够进一步抑制在对多个发光元件部4输入相同的驱动电流时、从多个发光元件部4发出的光的亮度中产生在长边方向倾斜的分布。
不规则区域可以设为连续,也可以设为断续。在连续的情况下,不规则区域也可以位于接近电源电压输入部的一侧。这是因为,在电压降较大的接近电源电压输出部的一侧,由于亮度容易变小,因此存在难以知道亮度在长度方向上倾斜的分布的倾向。在断续的情况下,也可以交替地配置不规则区域和规则区域。在该情况下,能够难以知道亮度在长度方向上容易产生倾斜的分布的规则区域的存在。另外,在该情况下,也可以是1个不规则区域的大小比与其相邻的1个规则区域的大小大的结构。由此,能够更加难以知道亮度容易产生在长度方向上倾斜的分布的规则区域的存在。另外,也可以是将1个不规则区域的大小比与其相邻的1个规则区域的大小大的图案反复的结构。由此,能够进一步难以知道亮度容易在长度方向产生倾斜的分布的规则区域的存在。
不规则区域例如能够利用使用计算机/软件/程序生成的伪随机数来构成。
基板2可以包含玻璃、树脂(塑料)等透光性材料、陶瓷、金属等非透光性材料。在基板2包含透光性材料的情况下,也能够从与配置有发光元件部4的基板2的面(例如表面)相反的一侧的面(例如背面)射出光。另外,基板2可以是层叠由不同材料构成的多个基板而成的复合型基板,例如也可以是使玻璃基板和树脂基板层叠而成的复合型基板。此外,基板2也可以是包含树脂等的挠性基板、所谓柔性基板。
例如在基板2是长方形状、带状等的长条状的基板2的情况下,基板2上的规定方向可以是长边方向。该情况下,与规定方向交叉的方向可以是短边方向。此外,在基板2是正方形等的对称的形状、是不具有长边方向的形状的情况下,规定方向可以是沿着一边的方向(例如行方向),与规定方向交叉的方向可以是沿着与一边相邻的边的方向(例如列方向)。
多根引出布线5隔着信号布线3和绝缘层而配置,但是信号布线3也可以是下层侧栅极电位提供布线,引出布线5也可以是上层侧栅极电位提供布线。该情况下,例如引出布线5中的与发光元件部4相反的一侧的端部经由通孔等层间连接导体而与信号布线3连接。此外,引出布线5中的发光元件部4侧的端部与驱动用TFT的栅极电极连接。驱动用TFT的源极电极与电源布线6(图1中记载)连接,驱动用TFT的漏极电极与发光元件部4连接。
本公开的发光装置可以是如下结构:多根引出布线5被分割为包含分别沿着规定方向而连续配置的引出布线5的多个布线组(例如图1的G1、G2、G3),在将多根信号布线3的根数设为K(K为2以上的自然数)根,将构成多个布线组的各布线组的引出布线5的根数设为L(L为小于K的自然数)根,将各布线组中的引出布线5与K根信号布线3的交叉部位的数量的、每一根引出布线5的平均值设为M1,将K根引出布线5与K根信号布线3的交叉部位的数量的、每一根引出布线5的平均值设为M2时,1≤M1/M2<2。该情况下,能够相对于多个(K个)的发光元件部4的整体中的、每一根引出布线5的交叉部位数的平均值M2,使各布线组中的每一根引出布线5的交叉部位数的平均值M1不同,并且接近于1。其结果,发光元件部4的整体中的交叉部位的配置图案与各布线组中的交叉部位的配置图案不同,并且发光元件部4的整体中的交叉部位数的平均值M2与各布线组中的交叉部位数的平均值M1近似。因此,在多个布线组中,能够抑制在对多个发光元件部4输入相同的驱动电流时、从多个发光元件部4发出的光的亮度中产生在长边方向倾斜的分布,进而能够抑制在对多个发光元件部4输入相同的驱动电流时、多个发光元件部4的整体的亮度的平均值与连接于多个布线组的发光元件部4的亮度的平均值不同。若M1/M2为2以上,则对多个发光元件部4输入相同的驱动电流时,多个发光元件部4的整体的亮度的平均值与连接于多个布线组的发光元件部4的亮度的平均值的差异较大,可能亮度差不同的区域的存在容易变得显眼。
比率M1/M2可以更加接近于1,也可以1≤M1/M2≤1.5,还可以1≤M1/M2≤1.3,但是并不限于这些值。
也可以K为100以上、L为5以上。在K低于100的情况下,存在不将多根引出布线5分割为多个布线组、整体形成不规则区域即可的倾向。在L低于5的情况下,同样地存在不将多根引出布线5分割为多个布线组、整体形成不规则区域即可的倾向。可以K为100~10000左右、L为5~100左右,但是并不限于这些范围。另外,“~”表示“至”,以下同样。
也可以是如下结构:在基板2上,具有沿着规定方向配置为列状的K个发光元件部4的发光块沿着规定方向排列有多个,不规则区域被设为多个发光块中共同的规定图案。在该结构的情况下,例如,也可以利用使用计算机/软件/程序生成的伪随机数而生成1个规定图案,并应用于多个发光块以使得在多个发光块中共同将该规定图案。另外,在该结构的情况下,不规则区域被设为在多个发光块中共同的规定图案,因此起到容易生成规定图案这样的效果。
也可以是如下结构:在基板2上,具有沿着规定方向配置为列状的K个发光元件部4的发光块沿着规定方向排列有多个,不规则区域被设为多个发光区块中互不相同的规定图案。在该结构的情况下,例如也可以在利用使用计算机/软件/程序生成的伪随机数生成规定图案时,生成为在多个发光块中相互不同。另外,在该结构的情况下,不规则区域是在多个发光块中互不相同的规定图案,因此在向多个发光块输入相同的驱动电流时,起到每个发光块中亮度分布不同的这种更有利的效果。
本实施方式的发光装置1具备基板2、K根信号布线3、K个发光元件部4、K根引出布线5。这里,K为2以上的自然数,例如有时达到几百至几千。图1中,为了容易理解图示以及说明,表示K为9的情况。另外,发光装置1也可以具备K个发光元件,进而也可以具备K×块数的个数的发光元件。
发光装置1具有在基板2的主面上(以下也简称为基板上)形成的多层层叠型布线构造体。多层层叠型布线构造体在多个绝缘层的层间配置有信号布线3、引出布线5等各种布线。
基板2具有长条状的形状,例如图1所示,具有长边方向X以及与长边方向X垂直的短边方向Y。基板2例如由玻璃、树脂等构成,具有透光性。
K根信号布线3在基板2上沿着长边方向X而配置。K根信号布线3在短边方向Y,在相邻的信号布线3彼此之间隔开间隔而配置。
K个发光元件部4在基板2上,沿着长边方向X而配置为列状。K个发光元件部4可以沿着长边方向X排列为一列,也可以沿着长边方向X而排列为多列。各发光元件部4具有发光元件41、薄膜晶体管(Thin Film Transistor:TFT)42。
发光元件41是OLED元件、有机电致发光(Organic Electro Luminescence:OEL)元件等,具有阳极电极41a以及阴极电极。阳极电极41a与TFT42的漏极电极连接,阴极电极与接地布线连接。
TFT42可以是p沟道型TFT,也可以是n沟道型TFT。TFT42具有栅极电极42a、源极电极42b以及漏极电极42c。栅极电极42a连接于K根信号布线3之中的一根。此外,源极电极42b连接于电源布线(图1中为第1电源布线6)连接,漏极电极42c连接于发光元件41的阳极电极41a。
K根引出布线5在基板2上,沿着与长边方向X交叉的短边方向Y隔着信号布线3和绝缘层而配置,将K根信号布线3与K个发光元件部4分别连接。长边方向X与短边方向Y是交叉的方向,但是也可以是如图1所示那样正交的方向。交叉的方向并不限于正交的方向,也能够在60°~120°左右的范围内选择交叉角度。K根引出布线5在长边方向X,在相邻的引出布线5彼此之间隔开间隔而配置。各引出布线5的一个端部(以下也称为第1端部)51与K根信号布线3之中的一根连接,另一端部与K个发光元件部4之中的一个连接。各引出布线5例如图1所示那样,在俯视下与K根信号布线3之中的至少一根交叉或者重叠。
信号布线3与引出布线5通过在基板2的厚度方向(与图1中的纸面垂直的方向)上的信号布线3与引出布线5之间配置的绝缘层相互被电绝缘。因此,在信号布线3与俯视下交叉于该信号布线3的引出布线5之间产生寄生电容。因此,在信号布线3与引出布线5的交叉部位的数量(以下也简称为交叉数)在长边方向X上单调增加或者单调减少的布线构造中,在寄生电容以及电阻的分布中产生长边方向X的倾斜,其结果,存在从多个发光元件41发出的光的亮度中产生倾斜分布(渐变:Gradation)的这种问题。特别是发送数据信号以使得从多个发光元件41发出的光的亮度相同的情况下,渐变容易显眼。
发光装置1将K根(图1中的9根)的引出布线5例如图1所示那样假想地分割为各自包含在长边方向X连续配置的L根(图1中为3根)的引出布线5的多个布线组G1、G2、G3,将各布线组G1、G2、G3中的L根的引出布线5与K根信号布线3的交叉部位的数量(交叉数)的、每一根引出布线5的平均值设为M1,将K根引出布线5与K根信号布线3的交叉部位的数量(交叉数)的、每一根引出布线5的平均值设为M2(=(K+1)/2)时,多个布线组G1、G2、G3的比率M1/M2的标准差被设为规定值以下。这里,L为小于K的自然数,规定值例如为0.6以下的值。发光装置1中,多个布线组G1、G2、G3中的比率M1/M2为接近于比率M1/M2的平均值即“1”的值。换言之,发光装置1中,信号布线3与引出布线5的交叉数、即信号布线3与引出布线5之间产生的寄生电容在长边方向X上大致均匀分布。根据发光装置1,能够抑制发光亮度的因在信号布线3与引出布线5之间产生的寄生电容的倾斜分布引起的渐变的发生。
K根引出布线5可以包含其长度沿着长边方向X不规则变化的不规则区域。例如,多个布线组之中的至少一个布线组也可以为不规则区域。换言之,K根引出布线5也可以不是其全部的长度沿着长边方向X逐渐变长、或者逐渐变短的结构。该情况下,将比率M1/M2的标准差设为规定值以下、也就是使比率M1/M2接近于1变得容易。此外,多个布线组也可以一半以上为不规则区域。该情况下,将比率M1/M2的标准差设为规定值以下、也就是使比率M1/M2接近于1变得更为容易。进而,多个布线组也可以全部是不规则区域。该情况下,将比率M1/M2的标准差设为规定值以下、也就是使比率M1/M2接近于1变得更加容易。
本实施方式的发光装置1也可以在基板2上具有沿着长边方向X配置为列状的K个发光元件部4的发光块沿着长边方向X被排列多个,不规则区域设为在多个发光块中共同的规定图案。该情况下,例如也可以利用使用计算机/软件/程序而生成的伪随机数生成一个规定图案,并应用于多个发光块以使得在多个发光块共用该规定图案。此外,该结构的情况下,不规则区域被设为在多个发光块中共用的规定图案,因此起到规定图案的生成变得容易的这种效果。
此外,本实施方式的发光装置1也可以在基板2上具有沿着长边方向X配置为列状的K个发光元件部4的发光块沿着长边方向被排列多个,不规则区域设为在多个发光块中相互不同的规定图案。该情况下,例如也可以在利用使用计算机/软件/程序而生成的伪随机数来生成规定图案时,生成为在多个发光块相互不同。此外,该结构的情况下,不规则区域是在多个发光块中相互不同的规定图案,因此起到在对多个发光块输入相同的驱动电流时、亮度分布在每个发光块不同的这种更为有利的效果。
另外,图1中表示了将9根的引出布线5假想地分割为3个布线组G1、G2、G3的例子,但是引出布线5的总数(即K的值)以及布线组的数量能够适当地设定。例如,可以将120根的引出布线5分割为10个布线组,也可以将400根的引出布线5分割为16个布线组。
为了将比率M1/M2的标准差设为规定值以下,在将K根信号布线3与K根引出布线5分别连接时,例如将L根的引出布线5与K根信号布线3之中的L根的信号布线分别连接以使得各布线组G1、G2、G3的比率M1/M2大致等于作为目标值的“1”即可。另外,各布线组G1、G2、G3的比率M1/M2不需要等于目标值,如果比率M1/M2的标准差为规定值以下的程度,则也可以在目标值的附近出现偏差。
或者,为了将比率M1/M2的标准差设为规定值以下,也可以在将K根信号布线3与K根引出布线5分别连接时,利用使用计算机/软件/程序而生成的伪随机数,确定比率M1/M2的标准差为规定值以下的、K根信号布线3与K根引出布线5的连接的组合、即K根引出布线5的长度的沿着长边方向X的不规则的变化。
发光装置1也可以各布线组G1、G2、G3包含5根以上的引出布线5,比率M1/M2的标准差为0.4以下。在比率M1/M2的标准差为0.4以下的情况下,能够有效地抑制多个布线组G1、G2、G3中的寄生电容的倾斜分布。此外,在各布线组G1、G2、G3包含5根以上的引出布线5的情况下,在将K根信号布线3与K根引出布线5分别连接时,将各布线组G1、G2、G3的比率M1/M2接近于作为目标值的1变得容易。
发光装置1还具备第1电源布线6、第2电源布线7、连接布线8。
第1电源布线6在基板2上的、K根信号布线3与K个发光元件部4之间的第1区域S1,沿着长边方向X配置。对第1电源布线6施加从外部提供的电源电压(例如14V左右)。发光元件部4与第1电源布线6连接。本实施方式中,例如图1所示,TFT42的源极电极42b与第1电源布线6连接,由此,与被提供至栅极电极42a的栅极电位相应的电场被施加于发光元件41。
第2电源布线7在基板2上的、相对于K根信号布线3而与第1区域S1相反的一侧的第2区域S2,沿着长边方向X而配置。与第1电源布线6同样地,对第2电源布线7施加从外部提供的电源电压(例如14V左右)。
连接布线8在基板2上至少配置一根,将第1电源布线6与第2电源布线7连接。由此,电源布线的合计的剖面积增加从而电阻变小,因此能够抑制基板2的长边方向X上的电源电压的变动,能够使电源电压稳定化。其结果,能够更加抑制在多个发光元件41的发光亮度产生渐变。
连接布线8也可以在K根引出布线5之中的相邻的引出布线5彼此之间延伸。换言之,连接布线8将第1电源布线6的长边方向X上的中间部位与第2电源布线7的长边方向X上的中间部位连接。由此,能够有效地抑制基板2的长边方向X的电源电压的变动。其结果,能够有效地抑制在多个发光元件41的发光亮度产生渐变。
连接布线8也可以例如图1所示那样在俯视下具有弯曲的形状。该情况下,能够将大的线宽的连接布线8配置在相邻的引出布线5彼此之间。由此,能够有效地抑制基板2的长边方向X上的电源电压的变动。其结果,能够有效地抑制在多个发光元件41的发光亮度产生渐变。
引出布线5也可以例如图1所示那样在与信号布线3连接的第1端部51,具有在长边方向X延伸的形状的连接焊盘52。由此,能够减小引出布线5与信号布线3的连接部处的连接电阻,能够抑制因引出布线5的寄生电容引起的信号电压的钝化以及下降。其结果,能够有效地抑制在多个发光元件41的发光亮度产生渐变。
图2是示意地表示发光装置的整体的俯视图,图3是图2的III部以及驱动元件的电路图。发光装置1还具备:多个驱动电路块9、驱动元件10、柔性电路基板11。以下,参照图2、3,对多个驱动电路块9、驱动元件10以及柔性电路基板11的结构进行说明。
多个驱动电路块9被配置于基板2上,分别驱动多个发光元件部4。多个发光元件部4例如图2所示那样,沿着长边方向X并排配置为2列。在基板2上,驱动电路块9的布线、以及将驱动电路块9与发光元件部4连接的布线通过化学气相生长(Chemical VaporDeposition:CVD)法等薄膜形成法来形成。
多个驱动电路块9沿着长边方向X排列为矩阵状,例如在发光装置1是具有8000个的发光元件部4、1个驱动电路块9驱动400个的发光元件部4的结构的情况下,驱动电路块9沿着长边方向X排列20个。此外,在基板2的主面的一端部,对驱动电路块9以及发光元件部4进行驱动、由此可知发光元件41的发光的驱动元件10通过玻璃上芯片(Chip On Glass:COG)方式等的安装方法进行设置。此外,在基板2的主面的、位于驱动元件10的附近的缘部,连接有柔性电路基板11。柔性电路基板11在与驱动元件10之间输入输出驱动信号、控制信号等。另外,在图2以及图3中,将驱动元件10与驱动电路块9连接的数据布线等的布线通过参照符号25而总括地表示。
驱动电路块9具有多个驱动电路91。例如图2、3所示,针对构成2列的各2个的发光元件411、412(总称的情况下也称为发光元件41),形成一个驱动电路91。一个驱动电路91具有移位寄存器91a、或非(NOR)电路91b、反相器91c、传输门元件91d1,91d2、以及驱动用的TFT421、422(总称的情况下也称为TFT42)。传输门元件91d1,91d2例如是CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)传输门元件,包含n型MOS晶体管和p型MOS晶体管。在TFT42的漏极电极42c分别连接作为OLED元件或者OEL元件的发光元件41的阳极电极41a。
驱动电路91如以下那样依次动作。移位寄存器91a在向时钟端子(CLK)输入高电平“1”的时钟信号(CLK),并且向输入端子(in)输入高电平的同步信号(Vsync)时,从输出端子(Q)输出高电平的信号,且从反相输出端子(XQ)输出低电平“0”的信号。接下来,NOR电路91b在从反相输出端子(XQ)被输入低电平的信号,并且被输入了作为反相使能信号(XENB)的低电平的信号时,输出高电平的信号。
接下来,反相器91c在被输入高电平的信号时,输出低电平的信号。接下来,传输门元件91d1对n型MOS晶体管的栅极电极输入来自NOR电路91b的高电平的信号,并且从反相器91c向p型MOS晶体管的栅极电极输入低电平的信号而成为导通状态,输出数据信号(DATA200)。接下来,数据信号(DATA200)被输入到TFT421的栅极电极42a,TFT421成为导通状态,基于与数据信号(DATA200)相应的电源电压的电源电流被提供到发光元件411。
传输门元件91d2对n型MOS晶体管的栅极电极输入来自NOR电路91b的高电平的信号,并且从反相器91c向p型MOS晶体管的栅极电极输入低电平的信号而成为导通状态,输出数据信号(DATA100)。接下来,数据信号(DATA100)被输入到TFT422的栅极电极42a,TFT422成为导通状态,基于与数据信号(DATA100)相应的电源电压的电源电流被提供到发光元件412。
以上的一连串的动作由下一级的驱动电路依次执行,全部的发光元件41依次发光。
发光装置1例如图2所示,还具备配置在基板2上的密封基板12,基板2的主面的周缘部与密封基板12的对置于基板2的主面的面的周缘部通过密封构件13被粘接、密封。在密封构件13的内侧的空间,包含丙烯酸树脂等的绝缘层(相当于图5的绝缘层46)被配置为覆盖驱动电路块9、布线25等的几乎全部。
图4是将发光元件部和连接于发光元件部的布线放大表示的部分放大俯视图,图5是从图4的切断面线V1-V2观察的剖视图,图6是从图1的切断面线V3-V4观察的剖视图。以下,参照图4~6,对发光元件部4的结构进行说明。
发光元件部4也可以例如图4、5所示那样包含:形成于基板2上的TFT421、422(统称的情况下也称为TFT42)、在TFT421、422上夹着包含丙烯酸树脂、氮化硅(SiNx)等的绝缘层43而层叠的有机发光体部44、以及将有机发光体部44与TFT42的漏极电极42c导电连接的接触孔45。有机发光体部44从TFT42的一侧起层叠有与接触孔45电连接的第1电极层44a、有机发光层44b、第2电极层44c,在绝缘层43以及第1电极层44a上形成有包含丙烯酸树脂等的其他的绝缘层46以使得包围有机发光层44b。
在图4、5中,以符号41L表示的部位是通过第1电极层44a以及第2电极层44c对有机发光层44b直接施加电场从而进行发光的发光部41L。发光元件41是俯视下包含发光部41L、其周围的第1电极层44a以及有机发光层44b的部位。
在第一电极层44a是包含铟锡氧化物(Indium Tin Oxide:ITO)等透明电极的阳极,第二电极层44c是包含Al、A1-Li合金、Mg-Ag合金(包含5~10重量%左右的Ag)、Mg-Cu合金(包含5~10重量%左右的Cu)等功函数低至4.0eV左右以下且具有遮光性、光反射性的金属或合金的阴极的情况下,由有机发光层44b发出的光从基板2侧射出。即,成为发光方向为下方(图5中的Z方向的负方向)的底部发光型的发光装置。
另一方面,在第1电极层44a是包含具有上述的遮光性、光反射性的金属或者它们的合金的阴极,第2电极层44c是包含透明电极的阳极的情况下,成为发光方向为上方(图5中的Z方向的正方向)的顶部发光型的发光装置。
TFT42具有如下结构:从基板2侧起依次层叠有栅极电极42a、栅极绝缘膜42d、包含作为沟道部的多晶硅膜42e以及在多晶硅中含有杂质浓度高于沟道部的高浓度杂质区域42f的半导体膜、包含氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)等的绝缘膜42g、源极电极42b和漏极电极42c。
此外,图4中,第1电源布线6是向TFT42的源极电极42b传输源极信号(电源电流)的源极信号线(电源布线),信号布线3是向栅极电极42a传输栅极信号的栅极信号线。通过控制对各信号布线3输入的栅极信号的电压,能够控制各有机发光层的发光强度。即,第1电源布线6作为电源布线(源极信号线)而发挥功能。
例如图6所示,在基板2的主面依次形成有将TFT42的漏极电极42c与发光部41L的第1电极层(图6的例子中为阳极电极)44a电连接的阳极连接布线14、以及包含氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)等的第1层间绝缘膜15。
在第1层间绝缘膜15上形成有对有机发光层44b提供驱动电流的数据布线等的布线25、接地布线16,进而形成有覆盖布线25以及接地布线16的、包含氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)等的第2层间绝缘膜17。在第2层间绝缘膜17之上,形成有绝缘层18(相当于图5的绝缘层43)以使得覆盖接地布线16、布线25、TFT42的部位。
在绝缘层18之上,形成作为阳极电源布线的第1电源布线6,在俯视下与TFT42重叠的部位,形成有向TFT42的源极电极42b流过阳极电流的阳极布线19。形成有包含氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)的保护绝缘层20以使得覆盖第1电源布线6、阳极布线19。另外,图6中,由符号9表示的部位是驱动电路块9,由符号91a表示的部位是移位寄存器91a。
密封构件13形成在保护绝缘层20上的规定的部位、例如保护绝缘层20上的周缘的部位,对基板2与密封基板12之间的空间进行气密密封。此外,密封构件13也可以形成于保护绝缘层20上的周缘的部位且俯视下与第2电源布线7重叠的部位。
在与阳极连接布线14重叠的第2层间绝缘膜17上的部位,形成有阴极电源布线21,在发光元件41侧形成有用于将阳极连接布线14与第1电极层44a连接的层间导体层22。在阳极连接布线14的TFT42侧的端部,配置有与TFT42的漏极电极42c连接的第1接触孔23,在发光元件41侧的端部配置有与层间导体层22连接的第2接触孔24。
覆盖保护绝缘层20上的发光部41L侧的端部而形成有第1电极层44a,在第1电极层44a之上形成有机发光层44b,覆盖有机发光层44b而形成有第2电极层(图6中阴极电极)44c。第2电极层44c的一端部与阴极电源布线21相接。
在第2电源布线7之上,辅助电源布线(也称为电源强化布线)7a与第2电源布线7平行地配置,并且第2电源布线7与辅助电源布线7a通过接触孔7b而连接。由此,第2电源布线7的剖面积实质上增大,第2电源布线7的电阻变小。其结果,构成为与长板状的基板2的长边方向X平行地形成为带状或者线状的第2电源布线7的电压降变小。
另外,发光装置1也可以具有将直线状地排列多个发光元件部4而构成的发光元件阵列排列为2列的结构,也可以具有将直线状地排列多个发光元件部4而构成的发光元件阵列排列为4列或者6列的结构。
根据上述的发光装置1,多个布线组G1、G2、G3的比率M1/M2的标准差为规定值以下,由此能够抑制发生来自多个发光元件部4的发光亮度的因在信号布线3与引出布线5之间产生的寄生电容以及电阻的倾斜分布引起的渐变。
发光装置1可以是K个发光元件部4包含有机发光二极管元件或者有机电致发光元件的结构。有机发光二极管元件或者有机电致发光元件具有通过CVD法等的薄膜形成法、喷墨法等的膜形成法而在基板2上直接形成为薄型的发光元件部4的这种有点。此外,K个发光元件部4可以包含发光二极管(Light Emitting Diode:LED)元件等的芯片型的发光元件。
以上,对本公开的各实施方式进行了详细说明,另外,本公开并不限定于上述的实施方式,在不脱离本公开的主旨的范围内,能够进行各种变更、改良等。当然能够将分别构成上述各实施方式的全部或一部分适当地在不矛盾的范围内组合。
产业上的可利用性
本公开的发光装置例如能够通过形成为在长板状的基板2的长边方向上列状地排列多个发光元件,从而构成为有机LED打印机(OLEDP)头。另外,基板为正方形状、长条板状等形状,通过2维(平面上)排列地形成多个发光元件,能够构成为有机EL显示装置。进而,本公开的发光装置以及有机EL显示装置能够应用于各种电子设备。作为该电子设备,有照明装置、汽车路径引导系统(汽车导航系统)、船舶路径引导系统、飞机路径引导系统、汽车等乘坐物的仪表用指示器、隔离板、智能手机终端、移动电话、平板终端、个人数字助理(PDA)、摄像机、数码相机、电子手册、电子书、电子词典、个人计算机、复印机、游戏设备的终端装置、电视、商品显示标签、价格显示标签、产业用的可编程显示装置、汽车音响、数字音频播放器、传真机、打印机、现金自动存取款机(ATM)、自动售货机、医疗用显示装置、数字显示式手表、智能手表、设置于车站或机场等的引导显示装置等。
符号的说明
1 发光装置
2 基板
3 信号布线
4 发光元件部
41、411、412 发光元件
41L 发光部
41a 阳极电极
41b 阴极电极
42、421、422 薄膜晶体管(TFT)
42a 栅极电极
42b 源极电极
42c 漏极电极
42d 栅极绝缘膜
42e 多晶硅膜
42f 高浓度杂质区域
42g 绝缘膜
43 绝缘层
44 有机发光体部
44a 第1电极层
44b 有机发光层
44c 第2电极层
45 接触孔
46 绝缘层
5 引出布线
51 一个端部(第1端部)
52 连接焊盘
6 第1电源布线
7 第2电源布线
7a 辅助电源布线
7b 接触孔
8 连接布线
9 驱动电路块
91 驱动电路
91a 移位奇存器
91b 或非电路(NOR电路)
91c 反相器
91d1、91d2 传输门元件
10 驱动元件
11 柔性电路基板
12 密封基板
13 密封构件
14 阳极连接布线
15 第1层间绝缘膜
16 接地布线
17 第2层间绝缘膜
18 绝缘层
19 阳极布线
20 保护绝缘层
21 阴极电源布线
22 层间导体层
23 第1接触孔
24 第2接触孔
25 布线。

Claims (16)

1.一种发光装置,具备:
基板;
多根信号布线,在所述基板上沿着规定方向而被配置;
多个发光元件部,在所述基板上沿着所述规定方向被配置为列状;和
多根引出布线,在所述基板上沿着与所述规定方向交叉的方向隔着所述信号布线和绝缘层而配置,分别将所述多根信号布线与所述多个发光元件部连接,
所述多根引出布线以一半以上的比例包含长度沿着所述规定方向不规则地变化的不规则区域。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述多根引出布线被分割为各自包含沿着所述规定方向连续地配置的引出布线的多个布线组,
在将所述多根信号布线的根数设为K根,将构成所述多个布线组的各布线组的引出布线的根数设为L根,将各布线组中的所述引出布线与所述K根信号布线的交叉部位的数量的、在每一根所述引出布线的平均值设为M1,将所述K根引出布线与所述K根信号布线的交叉部位的数量的、在每一根所述引出布线的平均值设为M2时,1≤M1/M2<2,其中K为2以上的自然数,L为小于K的自然数。
3.根据权利要求2所述的发光装置,其中,
所述K为100以上,所述L为5以上。
4.根据权利要求2或者3所述的发光装置,其中,
在所述基板上,具有沿着所述规定方向而配置为列状的K个发光元件部的发光块沿着所述规定方向被排列多个,
所述不规则区域被设为在多个所述发光块中共同的规定图案。
5.根据权利要求2或者3所述的发光装置,其中,
在所述基板上,具有沿着所述规定方向而配置为列状的K个发光元件部的发光块沿着所述规定方向被排列多个,
所述不规则区域被设为在多个所述发光块中相互不同的规定图案。
6.一种发光装置,具备:
长条状的基板;
K根信号布线,在所述基板上沿着所述基板的长边方向而被配置,其中K为2以上的自然数;
K个发光元件部,在所述基板上沿着所述长边方向被配置为列状;和
K根引出布线,在所述基板上,沿着与所述长边方向交叉的方向隔着所述信号布线和绝缘层而配置,分别将所述K根信号布线与所述K个发光元件部连接,
将所述K根引出布线分割为各自包含沿着所述长边方向连续地配置的L根的引出布线的多个布线组,在将各布线组中的所述L根的引出布线与所述K根信号布线的交叉部位的数量的、在每一根所述引出布线的平均值设为M1,将所述K根引出布线与所述K根信号布线的交叉部位的数量的、在每一根所述引出布线的平均值设为M2时,比率M1/M2的标准差为规定值以下,其中L为小于K的自然数。
7.根据权利要求6所述的发光装置,其中,
所述多个布线组各自包含5根以上的引出布线,所述规定值为0.4。
8.根据权利要求6或者7所述的发光装置,其中,
所述K根引出布线包含长度沿着所述长边方向不规则地变化的不规则区域。
9.根据权利要求8所述的发光装置,其中,
所述多个布线组的一半以上是所述不规则区域。
10.根据权利要求8或者9所述的发光装置,其中,
在所述基板上,具有沿着所述长边方向而配置为列状的K个发光元件部的发光块沿着所述长边方向被排列多个,
所述不规则区域被设为在多个所述发光块中共同的规定图案。
11.根据权利要求8或者9所述的发光装置,其中,
在所述基板上,具有沿着所述长边方向而配置为列状的K个发光元件部的发光块沿着所述长边方向被排列多个,
所述不规则区域被设为在多个所述发光块中相同不同的规定图案。
12.根据权利要求6至11的任一项所述的发光装置,其中,
所述发光装置还具备:
第1电源布线,在所述基板上的、所述K根信号布线与所述K个发光部之间的第1区域,沿着所述长边方向而配置;
第2电源布线,在所述基板上的、关于所述K根信号布线而与所述第1区域相反的一侧的第2区域,沿着所述长边方向而配置;和
至少1根连接布线,被配置于所述基板上,将所述第1电源布线与所述第2电源布线连接,
所述K个发光元件部与所述第1电源布线连接。
13.根据权利要求12所述的发光装置,其中,
所述至少1根连接布线在所述K根引出布线之中的相邻的引出布线彼此之间延伸。
14.根据权利要求12或者13所述的发光装置,其中,
所述至少1根连接布线在俯视下具有弯曲的形状。
15.根据权利要求6至14的任一项所述的发光装置,其中,
所述K根引出布线分别在与所述信号布线连接的端部具有连接焊盘,
所述连接焊盘具有沿着所述长边方向延伸的形状。
16.根据权利要求1至15的任一项所述的发光装置,其中,
所述K个发光元件部包含有机发光二极管元件或者有机电致发光元件。
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