CN115207158A - 太阳电池的制备方法、太阳电池镀膜载板及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种太阳电池的制备方法、太阳电池镀膜载板及应用。该太阳电池的制备方法包括如下步骤：提供镀膜载板；及将待制备为太阳电池的基片置于镀膜载板上，于基片表面沉积透明导电薄膜；其中，镀膜载板的制备方法包括：在载板基材上沉积金属层，再对金属层进行氧化处理，形成位于金属层上的第一金属氧化层。该太阳电池的制备方法能够使生产的太阳电池片的初始表面方阻更低、同时更快速地达到稳定值。
Description
技术领域
本发明涉及太阳电池技术领域，特别是涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池镀膜载板及其应用。
背景技术
太阳电池是一种能够利用太阳能转化为电能的装置，太阳能是一种取之不尽的清洁能源，因而太阳电池具有极高的商业价值和广阔的应用前景。
异质结电池是太阳电池的其中一种具体的种类。异质结电池的制作流程包括：首先对N型单晶硅片进行制绒清洗处理，然后在硅片正面沉积本征非晶硅和N型非晶硅薄膜，在硅片背面沉积本征非晶硅和P型非晶硅薄膜，然后在非晶硅上镀透明导电薄膜，最后再于透明导电薄膜上制备栅线电极。其中，透明导电薄膜能够起到收集、传输电流和减反射的作用，因此其光电特性直接影响太阳电池的具体性能，特别是太阳电池的填充因子。
透明导电薄膜通常通过镀膜的方式进行制备，异质结太阳电池在生产过程中通常会使用到用于承载太阳电池片的镀膜载板。在沉积诸如ITO等透明导电薄膜时，会有部分透明导电薄膜的材料沉积于镀膜载板表面，当达到一定厚度之后载板需要进行清洗以去除沉积的透明导电薄膜的材料，便于后续使用。然而，在实际的生产过程中发现，当镀膜载板初次使用、或在清洗掉表面沉积物并再投入使用之后，制备的太阳电池表面的方阻在最初始时会偏大，随着参与镀膜次数的增加，制备的太阳电池表面的方阻会逐渐减小并最终趋于稳定。这个稳定的过程需要较长的时间，在此期间太阳电池片的方阻会逐渐变化，这不利于控制产品质量的稳定性。
发明内容
基于此，为了降低太阳电池片在生产过程中表面的方阻趋于稳定所需的时间、以提高的产品质量的稳定性，有必要提供一种太阳电池的制备方法。
根据本发明的一个实施例，一种太阳电池的制备方法，其包括如下步骤：
提供镀膜载板；及
将待制备为所述太阳电池的基片置于所述镀膜载板上，于所述基片表面沉积透明导电薄膜；
其中，所述镀膜载板的制备方法包括：
在载板基材上沉积金属层，再对所述金属层进行氧化处理，形成位于所述金属层上的第一金属氧化层。
在其中一个实施例中，对所述金属层进行氧化处理的步骤包括：将沉积有所述金属层的载板基材静置于第一潮湿环境中吸附水汽，通过水汽氧化所述金属层，控制所述第二潮湿环境的湿度为30％～50％，温度为20℃～25℃。
在其中一个实施例中，在沉积所述金属层之前，还包括：将所述载板基材置于含有氧化性物质的环境中，使其表面附着氧化性物质，在附着的氧化性物质的作用下，使后续沉积的所述金属层靠近所述载板基材的一侧表面上形成第二金属氧化层。
在其中一个实施例中，在将所述载板基材置于含有氧化性物的环境中包括：将所述载板基材置于第二潮湿环境中吸附水汽，控制所述第二潮湿环境的湿度为30％～50％，温度为20℃～25℃。
在其中一个实施例中，所述镀膜载板的制备方法还包括：于所述第一金属氧化层上沉积第一透明导电膜层。
在其中一个实施例中，在沉积所述金属层之前，于所述载板基材上沉积第二透明导电膜层。
在其中一个实施例中，在沉积所述第一透明导电膜层时，所用的靶材为氧化铟锡靶材，沉积过程中通入50sccm～100sccm流量的氧气；在沉积所述第二透明导电膜层时，所用的靶材为氧化铟锡靶材，沉积过程中通入50sccm～100sccm流量的氧气。
在其中一个实施例中，通过磁控溅射的方式沉积所述金属层，在沉积所述金属层时，控制溅射功率为8.5kW～13.5kW，控制沉积温度为120℃～150℃。
又一方面，本发明还提供了一种太阳电池镀膜载板，其包括：载板基材、金属层和第一金属氧化层，所述金属层设置于所述载板基材上，所述第一金属氧化层设置于所述金属层远离所述载板基材的一侧表面，所述第一金属氧化层是由所述金属层氧化所得的金属氧化层。
在其中一个实施例中，还包括第二金属氧化层，所述第二金属氧化层设置于所述金属层远离所述第一金属氧化层的一侧表面上。
在其中一个实施例中，还包括第一透明导电膜层和/或第二透明导电膜层，所述第一透明导电膜层设置于所述第一金属氧化层远离所述金属层的一侧表面上，所述第二透明导电膜层设置于所述载板基材和所述金属层之间。
在其中一个实施例中，所述第一金属氧化层、所述金属层和所述第二金属氧化层的总厚度为300nm～1000nm。
在其中一个实施例中，所述第一透明导电膜层的厚度为300nm～800nm；所述第二透明导电膜层的厚度为300nm～800nm。
在其中一个实施例中，所述金属层的材料选自铜、银和铝中的一种或多种，所述第一金属氧化层和所述第二金属氧化层的材料选自氧化铜、氧化银和氧化铝中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述第二透明导电膜层的厚度为300nm～800nm。
在其中一个实施例中，所述金属层的材料选自铜、银和铝中的一种或多种，所述第一金属氧化层和所述第二金属氧化层的材料选自氧化铜、氧化银和氧化铝中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述第一透明导电膜层的材料选自氧化铟锡和铝掺杂氧化锌中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述第二透明导电膜层的材料选自氧化铟锡和铝掺杂氧化锌中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述第一透明导电膜层和所述第二透明导电膜层的材料均选自氧化铟锡。
在其中一个实施例中，在所述第一透明导电膜层的组分中，氧化铟与氧化锡的质量比为(85～95):(5～15)；在所述第二透明导电膜层的组分中，氧化铟与氧化锡的质量比为(96～98):(2～4)。
进一步地，本发明的再一实施例还提供了如上述任一实施例所述的太阳电池镀膜载板在制备太阳电池中的应用。
该太阳电池的制备方法包括提供镀膜载板及在镀膜载板上于基片表面沉积透明导电薄膜。其中，镀膜载板的制备方法包括：在载板基材上沉积金属层，再对所述金属层进行氧化处理，形成位于所述金属层上的第一金属氧化层。通过在载板基材上形成金属层和第一金属氧化层，金属氧化层能够起到阻隔作用，减少空气中的水汽渗入。即使存在微量透过的水汽，也会被第一金属氧化层下的金属层吸附并反应。因此，形成的镀膜载板能够有效地减少环境因素带来的影响，使得载板对于环境变化的敏感性降低，进而在制备太阳电池片时降低其表面方阻趋于稳定所需的时间，提高的产品质量的稳定性。
实验证明，在其中至少一个实施例中，相较于使用未经特殊处理的太阳电池镀膜载板制备太阳电池，采用上述太阳电池制备方法可以取得如下有益效果：提供该镀膜载板用于制备太阳电池之后、能够使生产的太阳电池片的初始表面方阻更低、同时更快速地达到稳定值，确保生产的太阳电池片的产品质量稳定。并且，由于提供的该镀膜载板对于环境变化的敏感性降低，在进入进料腔时，该镀膜载板的预处理时间能够缩短至30s左右，因此还有利于提高生产节拍，进而提高设备的产能。
附图说明
图1为实施例1的方阻随镀膜载板使用次数的关系图；
图2为对比例1的方阻随镀膜载板使用次数的关系图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述。文中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本文所使用的“多”包括两个和多于两个的项目。本文所使用的“某数以上”应当理解为某数及大于某数的范围。
镀膜过程中异质结电池的半成品和用于装载异质结电池的载板都可能吸附有少量杂质气体，杂质气体中的水汽含量会严重影响透明导电薄膜的包括光电参数在内的各种性能。在实际制备过程中，腔体中的水汽含量与周围的大气湿度、载板在大气中的暴露时间及载板的前处理、进料腔的抽气时间等多个因素都存在关系，而这些因素都存在一定的随机性，因此对水汽含量稳定性的控制也变得极其复杂。受此影响，就会导致透明导电薄膜的光电参数离散性大、性能不稳定，导致最终形成的异质结电池的性能波动较大。发明人发现，载板在使用过程中会吸附一定的水汽，这会影响异质结太阳电池片上透明导电薄膜中的成分，进而使得太阳电池片的方阻出现逐渐变化的趋势。发明人提出了一种太阳电池的制备方法以改善上述情况。
根据本发明的一个实施例，一种太阳电池的制备方法，其包括如下步骤：
提供镀膜载板；及，将待制备为所述太阳电池的基片置于所述镀膜载板上，于所述基片表面沉积透明导电薄膜。其中，镀膜在办的制备方法包括：在载板基材上沉积金属层，再对所述金属层进行氧化处理，形成位于所述金属层上的第一金属氧化层。
在该实施例的一些具体示例中，在沉积所述金属层之前，还包括：将所述载板基材置于含有氧化性物质的环境中，使其表面附着氧化性物质，在附着的氧化性物质的作用下，使后续沉积的所述金属层靠近所述载板基材的一侧表面上形成第二金属氧化层。其中，可以理解地，通过预先附着氧化性物质并形成第二金属氧化层，能够进一步防止水汽吸附到载板基材表面。
在该实施例的一些具体示例中，镀膜载板的制备方法还包括：于所述第一金属氧化层上沉积第一透明导电膜层。
在该实施例的一些具体示例中，在沉积所述金属层之前，于所述载板基材上沉积第二透明导电膜层。
可以理解，该太阳电池的制备方法中，提供镀膜载板的步骤可以是按照如上制备方法制备镀膜载板，也可以是直接获取按照上述制备方法制备所得的镀膜载板。该镀膜载板可以是按照上述制备方法新制备的还未经使用的镀膜载板，也可以是制备后已经经过使用的镀膜载板。
在其中一个具体示例中，在镀膜载板的制备方法中，载板基材可选自经过清洗去除表面附着物后的气相沉积载板。进一步可选地，经过清洗去除表面附着物后，该气相沉积载板表面还形成有粗糙涂层。
具体地，该太阳电池镀膜载板可以按照如下步骤进行制备。
步骤S1，在载板基材上沉积第一透明导电膜层，再使第一透明导电膜层上附着氧化性物质。
在其中一个具体示例中，第一透明导电膜层的材料可以选自氧化铟锡和率掺杂氧化锌中的一种或多种，沉积时可以选取对应的靶材。在本发明的一个实施例中，第一透明导电膜层的材料选自氧化铟锡，其中氧化铟与氧化锡的质量比为(85～95):(5～15)。进一步地，沉积第一透明导电膜层的方式选自磁控溅射，在沉积第一透明导电膜层时，控制溅射功率为8.5kW～13.5kW，并控制沉积温度为120℃～150℃。
在本发明进一步的具体示例中，在沉积第一透明导电膜层时，所用的靶材为氧化铟锡靶材，沉积过程中通入50sccm～100sccm流量的氧气。通入氧气能够将铟原子充分氧化，提高氧化铟锡膜层的薄膜结晶度，这能够起到降低第一透明导电膜层中氧空位的作用，进而防止水氧等残留于第一透明导电膜层内。
在本发明的其中一个具体示例中，使第一透明导电膜层上附着氧化性物质包括：将沉积有第一透明导电膜层的载板基材静置于第一潮湿环境中吸附水汽。具体地，例如，该第二潮湿环境中的湿度为30％～50％，温度为20℃～25℃。置于第二潮湿环境中的时间可以控制为6h～12h。该额外的步骤是使得第一透明导电膜层表面吸附水汽，以用于氧化后续沉积的金属层。
步骤S2，在第一透明导电膜层上沉积金属层，使金属层靠近第一透明导电膜层的一侧表面上形成第一金属氧化层，使金属层远离第一透明导电膜层的一侧表面上形成第二金属氧化层。
在其中一个具体示例中，沉积的金属层的材料可以选自铜。沉积铜的方式可以选自磁控溅射。在本发明的一个具体示例中，在沉积金属层时，控制溅射功率为8.5kW～13.5kW，控制沉积温度为120℃～150℃。如此，可以使得单质铜沉积出来的金属层的致密性达到氧化铟锡等透明导电膜层的1～3倍。
由于第一透明导电膜层表面已经吸附有氧化性材料，在沉积金属层的材料的过程中，位于表面的金属材料的原子反应活性较高，能够直接与氧化性材料发生反应，形成位于第一透明导电膜层上的第一金属氧化层。位于内层的金属材料进一步构成致密的金属层。
在其中一个具体示例中，对金属层进行氧化处理的步骤包括：将沉积有金属层的载板基材静置于第二潮湿环境中吸附水汽，控制第二潮湿环境的湿度为30％～50％，温度为20℃～25℃。该步骤是为了使得金属层表面与水汽充分接触，金属层的外表面能够容易地和水汽反应形成致密的第二金属氧化层。
步骤S3，在第二金属氧化层上沉积第二透明导电膜层。
在其中一个具体示例中，第二透明导电膜层的材料可以选自氧化铟锡和率掺杂氧化锌中的一种或多种，沉积时可以选取对应的靶材。在本发明的一个实施例中，第二透明导电膜层的材料选自氧化铟锡，其中氧化铟与氧化锡的质量比为(96～98):(2～4)。进一步地，沉积第二透明导电膜层的方式选自磁控溅射，在沉积第二透明导电膜层时，控制溅射功率为8.5kW～13.5kW，并控制沉积温度为120℃～150℃。
可选地，在沉积第二透明导电膜层时，所用的靶材为氧化铟锡靶材，沉积过程中通入50sccm～100sccm流量的氧气。
通过上述步骤S1～S3，可完成本发明上述实施例中所用的镀膜载板的制备。
获取该镀膜载板之后，可以将待制备为太阳电池的基片置于镀膜载板上，并且将该镀膜载板置于气相沉积设备的沉积腔室内，于基片表面沉积透明导电薄膜。其中，可选地，该基片包括硅衬底、于硅衬底的第一表面沉积的第一本征非晶硅薄膜和第一掺杂非晶硅薄膜，以及于硅衬底与第一表面相对的第二表面沉积的第二本征非晶硅薄膜和第二掺杂非晶硅薄膜。沉积的透明导电薄膜可以于第一掺杂非晶硅薄膜和/或第二掺杂非晶硅薄膜的表面上进行制备。
根据本发明的又一个实施例，一种太阳电池镀膜载板，其包括：载板基材、金属层和第一金属氧化层，所述金属层设置于所述载板基材上，所述第一金属氧化层设置于所述金属层远离所述载板基材的一侧表面，所述第一金属氧化层是由所述金属层氧化所得的金属氧化层。
在其中一个具体示例中，还包括第二金属氧化层，所述第二金属氧化层设置于所述金属层远离所述第一金属氧化层的一侧表面上。
在其中一个具体示例中，还包括第一透明导电膜层和/或第二透明导电膜层，所述第一透明导电膜层设置于所述第一金属氧化层远离所述金属层的一侧表面上，所述第二透明导电膜层设置于所述载板基材和所述金属层之间。
在其中一个具体示例中，第一金属氧化层、第二金属氧化层中的金属元素与金属层中的金属元素相同。例如，金属层为铜时，第一金属氧化层和第二金属氧化层为氧化铜。
在其中一个具体示例中，第一金属氧化层和第二金属氧化层的材质选自致密的金属氧化物。致密的金属氧化物指的是能够阻隔水汽和氧气等分子穿过的金属氧化物。许多金属在一定的氧化条件下都能够形成致密金属氧化物层，例如铝在常温下能够与空气中的氧气反应形成致密的氧化铝膜层。
具体地，第一金属氧化层可以按照如下方式进行制备：使第一透明导电膜层上附着氧化性物质，再在第一透明导电膜层上沉积金属层的材料，则金属层靠近第一透明导电膜层的一侧会形成第一金属氧化层。采用沉积的方式可以在第一透明导电膜层上制备得到致密的金属层，再将该致密的金属层进行氧化处理即可形成致密的第一金属氧化层。
在其中一个具体示例中，制备以氧化铜为材料的致密的第一金属氧化层时，可以先在第一透明导电膜层上沉积致密的铜层，再对致密的铜层进行氧化，以形成致密的氧化铜层。对致密的铜层进行氧化的方式包括，将沉积有致密的铜层的载板基材置于潮湿的气氛中进行氧化。
金属层和第一金属氧化层、第二金属氧化物层主要起到隔绝水氧、以防止水氧吸附于载板表面的作用。在其中一个具体示例中，为了提高阻隔效果，第一金属氧化层、金属层和第二金属氧化层的总厚度为300nm～1000nm。可选地，第一金属氧化层、金属层和第二金属氧化层的总厚度为400nm～800nm。
第一透明导电膜层主要起到与致密金属氧化物层稳定吸附的作用，同时起到防止载板本身吸附水氧的作用。在其中一个具体示例中，第一透明导电膜层的厚度为300nm～800nm。可选地，第一透明导电膜层的厚度为400nm～600nm。
第二透明导电薄膜主要起到保护致密金属氧化物层，防止致密金属氧化物层被溅射到电池片上，同时也能够为载板基材增加一层保护，防止载板吸附水氧。在其中一个具体示例中，第二透明导电膜层主要起到第二透明导电膜层的厚度为300nm～800nm。可选地，第二透明导电膜层的厚度为400nm～600nm。
其中，第一透明导电膜层和第二透明导电膜层的材料可以与对应制备的太阳电池片上的透明导电薄膜的材料相同。例如，当该镀膜载板应用于以氧化铟锡作为透明导电薄膜的太阳电池片的制备过程中时，该镀膜载板上的第一透明导电膜层和/或第二透明导电膜层可以对应选取氧化铟锡作为材料。在其中一个具体示例中，第一透明导电膜层选自氧化铟锡和铝掺杂氧化锌中的一种或多种。在其中一个具体示例中，第二透明导电膜层选自氧化铟锡和铝掺杂氧化锌中的一种或多种。
在其中一个具体示例中，第一透明导电膜层和第二透明导电膜层均选自氧化铟锡。进一步地，在第一透明导电膜层的组分中，氧化铟与氧化锡的质量比为(85～95):(5～15)，可选地，在第一透明导电膜层的组分中，氧化铟与氧化锡的质量比为(88～92):(8～12)，例如氧化铟与氧化锡的质量比为90:10。在第二透明导电膜层的组分中，氧化铟与氧化锡的质量比为(96～98):(2～4)，可选地，氧化铟与氧化锡的质量比为97:3。
本发明又一方面还提供了一种上述任一实施例的太阳电池镀膜载板在制备太阳电池中的应用。
该太阳电池镀膜载板通过设置第一透明导电膜层、第一金属氧化层、金属层、第二金属氧化层和第二透明导电膜层，能够有效地减少环境因素带来的影响，使得载板对于环境变化的敏感性降低，进而降低在生产过程中太阳电池片表面方阻趋于稳定所需的时间，提高的产品质量的稳定性。实验证明，相较于传统技术中的太阳电池镀膜载板，上述太阳电池镀膜载板可以取得如下有益效果：该太阳电池镀膜载板在投入使用之后、能够使生产的太阳电池片的初始表面方阻更低、同时更快速地达到稳定值，确保生产的太阳电池片的产品质量稳定。并且，由于该镀膜载板对于环境变化的敏感性降低，在进入进料腔时，该镀膜载板的预处理时间能够缩短至30s左右，因此有利于提高生产节拍，进而提高设备的产能。
为了更易于理解及实现本发明，以下还提供了如下较易实施的、更为具体详细的实施例及对比例作为参考。通过下述具体实施例和对比例的描述及性能结果，本发明的各实施例及其优点也将显而易见。
如无特殊说明，以下各实施例所用的原材料皆可从市场上常规购得。
实施例1
采用清洗后的物理气相沉积载板作为载板基材，该载板基材已进行粗糙度涂层处理；
沉积第一透明导电膜层：将载板基材置于磁控溅射沉积腔室中，选用氧化铟锡靶材(ITO靶材)，其中氧化铟与氧化锡的质量比为90:10，设置溅射功率为10kW，沉积温度为130℃，通入氩氢混合气1000sccm及60sccm的氧气作为沉积气氛，控制沉积时间使得第一透明导电膜层的厚度为500nm；
第一次水汽吸附：将沉积有第一透明导电膜层的载板基材置于车间环境中静置，车间湿度为40％，温度为25℃，静置时间为8h；
沉积致密的铜金属：第一次水汽吸附之后，选用单质铜作为靶材，磁控溅射沉积金属铜，溅射功率为8.5kW，沉积温度为130℃，通入氩氢混合气1000sccm，沉积的铜金属层的厚度为1000nm；
第二次水汽吸附：将沉积有铜金属层的载板基材置于车间环境中静置，车间湿度为40％，温度为25℃，静置时间为8h；
沉积第二透明导电膜层：将载板基材置于磁控溅射沉积腔室中，选用氧化铟锡靶材(ITO靶材)，其中氧化铟与氧化锡的质量比为97:3，设置溅射功率为10kW，沉积温度为130℃，通入氩氢混合气1000sccm及80sccm的氧气作为沉积气氛，控制沉积时间使得第二透明导电膜层的厚度为800nm。
实施例2
采用清洗后的物理气相沉积载板作为载板基材，该载板基材已进行粗糙度涂层处理；
沉积第一透明导电膜层：将载板基材置于磁控溅射沉积腔室中，选用氧化铟锡靶材(ITO靶材)，其中氧化铟与氧化锡的质量比为90:10，设置溅射功率为10kW，沉积温度为130℃，通入氩氢混合气1000sccm作为沉积气氛，控制沉积时间使得第一透明导电膜层的厚度为500nm；
第一次水汽吸附：将沉积有第一透明导电膜层的载板基材置于车间环境中静置，车间湿度为40％，温度为25℃，静置时间为8h；
沉积致密的铜金属：第一次水汽吸附之后，选用单质铜作为靶材，磁控溅射沉积金属铜，溅射功率为8.5kW，沉积温度为130℃，通入氩氢混合气1000sccm，沉积的铜金属层的厚度为1000nm；
第二次水汽吸附：将沉积有铜金属层的载板基材置于车间环境中静置，车间湿度为40％，温度为25℃，静置时间为8h；
沉积第二透明导电膜层：将载板基材置于磁控溅射沉积腔室中，选用氧化铟锡靶材(ITO靶材)，其中氧化铟与氧化锡的质量比为97:3，设置溅射功率为10kW，沉积温度为130℃，通入氩氢混合气1000sccm作为沉积气氛，控制沉积时间使得第二透明导电膜层的厚度为800nm。
对比例1
采用清洗后的物理气相沉积载板作为载板基材，该载板基材已进行粗糙度涂层处理；
沉积透明导电膜层：将载板基材置于磁控溅射沉积腔室中，选用氧化铟锡靶材(ITO靶材)，其中氧化铟与氧化锡的质量比为90:10，设置溅射功率为10kW，沉积温度为130℃，通入氩氢混合气1000sccm及60sccm的氧气作为沉积气氛，控制沉积时间使得第一透明导电膜层的厚度为1300nm。
对比例2
采用清洗后的物理气相沉积载板作为载板基材，该载板基材已进行粗糙度涂层处理；
沉积第一透明导电膜层：将载板基材置于磁控溅射沉积腔室中，选用氧化铟锡靶材(ITO靶材)，其中氧化铟与氧化锡的质量比为90:10，设置溅射功率为10kW，沉积温度为130℃，通入氩氢混合气1000sccm及60sccm的氧气作为沉积气氛，控制沉积时间使得第一透明导电膜层的厚度为500nm；
沉积第二透明导电膜层：将载板基材置于磁控溅射沉积腔室中，选用氧化铟锡靶材(ITO靶材)，其中氧化铟与氧化锡的质量比为97:3，设置溅射功率为10kW，沉积温度为130℃，通入氩氢混合气1000sccm及800sccm的氧气作为沉积气氛，控制沉积时间使得第二透明导电膜层的厚度为800nm。
试验例：将实施例1～实施例2及对比例1～对比例2的载板投入异质结太阳电池片的产线中，用于在透明导电薄膜的沉积过程中承载太阳电池片的半成品，该异质结太阳电池片的透明导电薄膜的材料为氧化铟锡，正面的透明导电薄膜中氧化铟与氧化锡的质量比为90:10，背面的透明导电薄膜中氧化铟与氧化锡的质量比为97:3。记录各镀膜载板的使用次数及对应的太阳电池片的正面方阻和背面方阻，表1中记录了初始时(镀膜载板使用50次时)太阳电池片的正面方阻及背面方阻、还记录了基本趋于稳定时的镀膜载板使用次数。其中实施例1和对比例1的方阻随镀膜载板使用次数的变化趋势可分别见于图1和图2。
表1
| 初始正面方阻/Ω | 初始背面方阻/Ω | 方阻稳定时载板使用次数 | |
| 实施例1 | 75 | 90 | 372 |
| 实施例2 | 130 | 100 | 455 |
| 对比例1 | 179 | 126 | 554 |
| 对比例2 | 185 | 130 | 560 |
参照表1及图1和图2的内容，根据实施例1和对比例1可以明显看出，实施例1的初始正面方阻仅为75Ω、背面方阻仅为90Ω，远远低于对比例1的179Ω及126Ω，说明本发明所提供的镀膜载板可以很明显降低太阳电池片的初始方阻。同时，实施例1在使用约372次时即可使得太阳电池片的方阻基本达到稳定值，对比例1在使用约554次时才可使得太阳电池片的方阻基本达到稳定值，说明本发明所提供的镀膜载板还可以降低在生产过程中太阳电池片的表面方阻趋于稳定所需的时间。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (15)
1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供镀膜载板；及
将待制备为所述太阳电池的基片置于所述镀膜载板上，于所述基片表面沉积透明导电薄膜；
其中，所述镀膜载板的制备方法包括：
在载板基材上沉积金属层，再对所述金属层进行氧化处理，形成位于所述金属层上的第一金属氧化层。
2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，对所述金属层进行氧化处理的步骤包括：将沉积有所述金属层的载板基材静置于第一潮湿环境中吸附水汽，通过水汽氧化所述金属层，控制所述第二潮湿环境的湿度为30％～50％，温度为20℃～25℃。
3.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在沉积所述金属层之前，还包括：将所述载板基材置于含有氧化性物质的环境中，使其表面附着氧化性物质，在附着的氧化性物质的作用下，使后续沉积的所述金属层靠近所述载板基材的一侧表面上形成第二金属氧化层。
4.根据权利要求3所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在将所述载板基材置于含有氧化性物的环境中包括：将所述载板基材置于第二潮湿环境中吸附水汽，控制所述第二潮湿环境的湿度为30％～50％，温度为20℃～25℃。
5.根据权利要求1～4任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述镀膜载板的制备方法还包括：于所述第一金属氧化层上沉积第一透明导电膜层；和/或
在沉积所述金属层之前，于所述载板基材上沉积第二透明导电膜层。
6.根据权利要求5所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在沉积所述第一透明导电膜层时，所用的靶材为氧化铟锡靶材，沉积过程中通入50sccm～100sccm流量的氧气；在沉积所述第二透明导电膜层时，所用的靶材为氧化铟锡靶材，沉积过程中通入50sccm～100sccm流量的氧气。
7.根据权利要求1～4及6任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，通过磁控溅射的方式沉积所述金属层，在沉积所述金属层时，控制溅射功率为8.5kW～13.5kW，控制沉积温度为120℃～150℃。
8.一种太阳电池镀膜载板，其特征在于，包括：载板基材、金属层和第一金属氧化层，所述金属层设置于所述载板基材上，所述第一金属氧化层设置于所述金属层远离所述载板基材的一侧表面，所述第一金属氧化层是由所述金属层氧化所得的金属氧化层。
9.根据权利要求8所述的太阳电池镀膜载板，其特征在于，还包括第二金属氧化层，所述第二金属氧化层设置于所述金属层远离所述第一金属氧化层的一侧表面上。
10.根据权利要求9所述的太阳电池镀膜载板，其特征在于，还包括第一透明导电膜层和/或第二透明导电膜层，所述第一透明导电膜层设置于所述第一金属氧化层远离所述金属层的一侧表面上，所述第二透明导电膜层设置于所述载板基材和所述金属层之间。
11.根据权利要求10所述的太阳电池镀膜载板，其特征在于，所述第一金属氧化层、所述金属层和所述第二金属氧化层的总厚度为300nm～1000nm；和/或
所述第一透明导电膜层的厚度为300nm～800nm；所述第二透明导电膜层的厚度为300nm～800nm。
12.根据权利要求8～11任一项所述的太阳电池镀膜载板，其特征在于，所述金属层的材料选自铜、银和铝中的一种或多种，所述第一金属氧化层和所述第二金属氧化层的材料选自氧化铜、氧化银和氧化铝中的一种或多种。
13.根据权利要求10～11任一项所述的太阳电池镀膜载板，其特征在于，所述第一透明导电膜层的材料选自氧化铟锡和铝掺杂氧化锌中的一种或多种；和/或
所述第二透明导电膜层的材料选自氧化铟锡和铝掺杂氧化锌中的一种或多种。
14.根据权利要求10～11任一项所述的太阳电池镀膜载板，其特征在于，在所述第一透明导电膜层的组分中，氧化铟与氧化锡的质量比为(85～95):(5～15)；在所述第二透明导电膜层的组分中，氧化铟与氧化锡的质量比为(96～98):(2～4)。
15.根据权利要求8～14任一项所述的太阳电池镀膜载板在制备太阳电池中的应用。
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