CN202193845U - 一种应用于薄膜沉积工艺的硅片载板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种应用于薄膜沉积工艺的硅片载板，包括CFC载板本体(1)，设置在所述CFC载板本体(1)上的若干个凹槽(2)，所述凹槽(2)中设置有规格比所述凹槽(2)小的第二凹槽(3)。本实用新型应用于薄膜沉积工艺的硅片载板，在同一块载板上有多种规格的凹槽，使一块载板可适应多种规格硅片的镀膜要求。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种硅片载板，尤其涉及一种应用于薄膜沉积工艺的硅片载板。
背景技术
在硅太阳电池的制工艺过程之中，通常需要采用薄膜沉积工艺进行硅片的镀膜，例如可采用PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition，等离子增强化学气相沉积)的沉积工艺对硅片进行氮化硅的真空镀膜，使在硅片表面形成防反射层。
板式PECVD系统中对硅片进行镀膜时需要用到一种装载硅片的载板，通过此载板将硅片带进设备镀膜腔体，并作为加热基体起到对硅片均匀加热的作用。该载板所用材料为碳碳复合材料(Carbon-fiber-reinforced carbon composites)(CFC)是一种由高强度碳素纤维和碳素基质经过石墨化增强处理后构成的材料，可以广泛应用在高温环境下的各类结构件，加热器和容器。与传统的工程材料相比碳碳复合材料具有以下优势：1、高强度(是钢铁的5倍)；2、耐高温(2000℃时仍能保持优良的机械和电性能)；3、抗热冲击性；4、低热膨胀系数；5、热容量小；6、低密度(1.7)；7、优秀的抗腐蚀与辐射性能。
使用板式设备对硅片表面镀膜时，首先将未镀膜的硅片放置在CFC载板的凹槽中，将载有硅片的CFC载板放置在板式设备的链式传送装置上，传送进入设备腔体内部采用合适的PECVD工艺对硅片进行镀膜。镀膜结束后，CFC载板传送出设备腔体，再将镀膜好的硅片在CFC载板上取下。
由于CFC载板是进入镀膜腔体的，所以CFC载板放置硅片那面也会被镀上镀膜材料，当CFC载板表面的镀膜材料过厚时会影响镀膜工艺的正常，因此需要经常性的对CFC载板进行清洗，以清除表面的镀膜材料。
现板式镀膜设备所用的CFC载板上有12个凹槽，呈3×4状，共可以同时放置12片硅片同时进行镀膜工艺。
现用的这种CFC载板有以下缺点：1、一块载板只能适应一种规格硅片的镀膜要求，在有多种规格硅片需要镀膜时需要经常性更换CFC载板的规格。2、CFC载板的使用周期较短，需要经常性的对CFC载板进行清洗，否则将会影响工艺的稳定性；3、清洗的过于频繁加大了对CFC载板的损耗；4、CFC材料的利用率较低，CFC载板的生产成本较高。
实用新型内容
实用新型目的：本实用新型的目的在于针对现有技术的不足，提供一种可适应多种规格硅片的镀膜要求的硅片载板。
技术方案：本实用新型所述的应用于薄膜沉积工艺的硅片载板，包括CFC载板本体，设置在所述CFC载板本体上的若干个凹槽，一般为12个凹槽，所述凹槽中设置有规格比所述凹槽小的第二凹槽，用于放置较小规格的硅片。
为了对CFC载板进行充分利用，所述凹槽和第二凹槽同时设置在所述CFC载板本体的正反两面，使得CFC载板的正反两面均可以用于硅片的镀膜。
较佳地，所述第二凹槽设置在所述凹槽的中心位置。
本实用新型与现有技术相比，其有益效果是：1、本实用新型应用于薄膜沉积工艺的硅片载板，在同一块载板上有多种规格的凹槽，使一块载板可适应多种规格硅片的镀膜要求；2、在CFC载板的两面都可以用于硅片的镀膜，减少了对CFC载板的需求量，降低了清洗周期和因清洗而造成的对CFC载板的损耗，增加了CFC载板的使用寿命，降低了生产成本。
附图说明
图1为本实用新型载板的结构示意图。
图2为本实用新型实施例1中载板的详细参数图。
图3为图2的局部放大图。
图4为图2的A-A剖视图。
具体实施方式
下面对本实用新型技术方案进行详细说明，但是本实用新型的保护范围不局限于所述实施例。
实施例1：如图1、2、3、4所示，本实用新型所述应用于薄膜沉积工艺的硅片载板，包括CFC载板本体1，其规格为3×4，所述CFC载板本体1的正反两面上都设置有的12个相同规格的凹槽2，此处以157×157(mm)规格为例，凹槽深度为250μm；然后在这些每个凹槽的中心设计有一个较小的第二凹槽3，此处以126×126(mm)规格为例，凹槽深度为250μm。CFC载板的两面都设计有相同的凹槽用来装载硅片。这样该CFC载板即可适应两种不同规格的硅片的镀膜要求，并且此载板的两面都可以用于装载硅片镀膜。
如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本实用新型，但其不得解释为对本实用新型自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本实用新型的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。
Claims (3)
1.一种应用于薄膜沉积工艺的硅片载板，包括CFC载板本体(1)，设置在所述CFC载板本体(1)上的若干个凹槽(2)，其特征在于：所述凹槽(2)中设置有规格比所述凹槽(2)小的第二凹槽(3)。
2.根据权利要求1所述的应用于薄膜沉积工艺的硅片载板，其特征在于：所述凹槽(2)和第二凹槽(3)同时设置在所述CFC载板本体(1)的正反两面。
3.根据权利要求1或2所述的应用于薄膜沉积工艺的硅片载板，其特征在于：所述第二凹槽(3)设置在所述凹槽(2)的中心位置。
Priority Applications (1)
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| CN2011202687405U CN202193845U (zh) | 2011-07-27 | 2011-07-27 | 一种应用于薄膜沉积工艺的硅片载板 |
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| CN2011202687405U CN202193845U (zh) | 2011-07-27 | 2011-07-27 | 一种应用于薄膜沉积工艺的硅片载板 |
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| CN202193845U true CN202193845U (zh) | 2012-04-18 |
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ID=45948766
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| CN2011202687405U Expired - Lifetime CN202193845U (zh) | 2011-07-27 | 2011-07-27 | 一种应用于薄膜沉积工艺的硅片载板 |
Country Status (1)
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102691053A (zh) * | 2012-05-11 | 2012-09-26 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 板式pecvd加热载板 |
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2011
- 2011-07-27 CN CN2011202687405U patent/CN202193845U/zh not_active Expired - Lifetime
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