CN113770122A - 一种pecvd设备的清理方法 - Google Patents
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Abstract
本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种PECVD设备的清理方法。PECVD设备的清理方法包括：将遮挡片放置在PECVD设备的载板，载板包括承载区和非承载区，承载区用于承载硅片，承载区被遮挡片覆盖，非承载区未被遮挡片覆盖；将放置了遮挡片的载板放入PECVD设备的工艺腔；对工艺腔的腔壁和载板进行清理，以去除腔壁和非承载区的非晶硅膜。本申请实施例的PECVD设备的清理方法，由于在载板的承载区放置了遮挡片，故在对载板和工艺腔的腔壁的非晶硅膜进行清理时，不会清理到载板的承载区，使得清理后残留的杂质避开承载区，不会污染后续镀膜的硅片。
Description
技术领域
本申请属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种PECVD设备的清理方法。
背景技术
相关技术中，通常使用PECVD设备在硅片表面镀膜。然而，PECVD设备经过长时间运行，载板和工艺腔的腔壁会形成10-20微米的非晶硅膜，一旦非晶硅膜过厚，会形成黄色粉末落在未镀膜的硅片表面，影响太阳能电池的外观和电性能。因此，需要及时清洁非晶硅膜，确保太阳能电池的外观和电性能较优。基于此，如何清理PECVD设备的载板和工艺腔腔壁上的非晶硅膜，成为了亟待解决的问题。
发明内容
本申请提供一种PECVD设备的清理方法，旨在解决如何清理PECVD设备的载板和工艺腔腔壁上的非晶硅膜的问题。
本申请提供的PECVD设备的清理方法，包括：
将遮挡片放置在PECVD设备的载板，所述载板包括承载区和非承载区，所述承载区用于承载硅片，所述承载区被所述遮挡片覆盖，所述非承载区未被所述遮挡片覆盖；
将放置了所述遮挡片的所述载板放入所述PECVD设备的工艺腔；
对所述工艺腔的腔壁和所述载板进行清理，以去除所述腔壁和所述非承载区的非晶硅膜。
可选地，对所述工艺腔的腔壁和所述载板进行清理，包括：
在所述工艺腔中通入NF3、H2和Ar，以对所述腔壁和所述载板进行清理。
可选地，在所述在所述工艺腔中通入NF3、H2和Ar以对所述腔壁和所述载板进行清理的步骤中，NF3的流量范围为20000sccm-40000sccm，H2的流量范围为20000sccm-50000sccm，Ar的流量范围为20000sccm-30000sccm。
可选地，在所述在所述工艺腔中通入NF3、H2和Ar以对所述腔壁和所述载板进行清理的步骤中，清理的时长范围为5min-10min。
可选地，在所述在所述工艺腔中通入NF3、H2和Ar以对所述腔壁和所述载板进行清理的步骤中，清理的温度范围为150℃-250℃。
可选地，在所述在所述工艺腔中通入NF3、H2和Ar以对所述腔壁和所述载板进行清理的步骤中，压力范围为1torr-3torr。
可选地，在所述在所述工艺腔中通入NF3、H2和Ar以对所述腔壁和所述载板进行清理的步骤中，PECVD设备的功率范围为1kw-5kw。
可选地，在所述对所述工艺腔的腔壁和所述载板进行清理的步骤后，所述清理方法还包括：
取走所述载板上的所述遮挡片；
在所述腔壁和所述载板沉积非晶硅层。
可选地，所述非晶硅层的厚度范围为1μm-5μm。
可选地，在所述腔壁和所述载板沉积非晶硅层，包括：
在所述工艺腔中通入SiH4，以沉积所述非晶硅层。
本申请实施例的PECVD设备的清理方法中，由于在载板的承载区放置了遮挡片，故在对载板和工艺腔的腔壁的非晶硅膜进行清理时，不会清理到载板的承载区，使得清理后残留的杂质避开承载区，不会污染后续镀膜的硅片。
附图说明
图1是本申请实施例的PECVD设备的清理方法的流程示意图；
图2是本申请实施例的PECVD设备的清理方法的流程示意图；
图3是本申请实施例的PECVD设备的清理方法的流程示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
请参阅图1，本申请实施例的PECVD设备的清理方法，包括：
步骤S12：将遮挡片放置在PECVD设备的载板，载板包括承载区和非承载区，承载区用于承载硅片，承载区被遮挡片覆盖，非承载区未被遮挡片覆盖；
步骤S14：将放置了遮挡片的载板放入PECVD设备的工艺腔；
步骤S16：对工艺腔的腔壁和载板进行清理，以去除腔壁和非承载区的非晶硅膜。
本申请实施例的PECVD设备的清理方法，由于在载板的承载区放置了遮挡片，故在对载板和工艺腔的腔壁的非晶硅膜进行清理时，不会清理到载板的承载区，使得清理后残留的杂质避开承载区，不会污染后续的待镀膜硅片。
具体地，在步骤S12中，可利用机械臂的吸盘吸取遮挡片；再将遮挡片放到载板的承载区。如此，避免损坏遮挡片，且将遮挡片放到载板的效率较高。
在本实施例中，遮挡片为制绒清洗后的硅片，遮挡片的形状和尺寸与待镀膜硅片相同。如此，遮挡片与后续的待镀膜硅片完全相同，保证遮挡片完全遮挡后续的待镀膜硅片覆盖的区域。
具体地，遮挡片与待镀膜硅片均呈正方形，遮挡片的边长与待镀膜硅片的边长相同。
可以理解，在其他的实施例中，遮挡片可为与待镀膜硅片尺寸相同的非硅片。换言之，遮挡片可与待镀膜硅片尺寸相同，材质不同。如此，可以通过相同的尺寸保证完全遮挡后续待镀膜硅片所覆盖的区域，还可以避免硅片的浪费，有利于降低成本。
可以理解，在其他的实施例中，遮挡片的尺寸也可大于待镀膜硅片的尺寸。如此，使得遮挡片覆盖并超出承载区，从而使清理后残留的杂质与承载区有一定间距，进一步保证残留的杂质不会污染后续的待镀膜硅片。具体地，遮挡片与待镀膜硅片均呈正方形，遮挡片的边长大于待镀膜硅片的边长。
在本实施例中，载板可包括多个间隔的收容槽，每个收容槽形成有一个承载区。如此，收容槽可对遮挡片起限位作用，避免遮挡片随意滑动而偏离承载区。
具体地，遮挡片的数量可为多个，每个承载区均设有一个遮挡片。如此，保证全部的承载区均被遮挡片遮挡。
进一步地，在步骤S14前，可获取放置了遮挡片的载板的图像；在根据图像确定每个承载区均被遮挡片遮挡的情况下，进入步骤S14；在根据图像确定存在承载区未被遮挡片遮挡的情况下，返回步骤S12。如此，可以通过图像识别，确保放入工艺腔的载板的每个承载区均被遮挡片遮挡，避免遗漏。
请参阅图2，可选地，步骤S16包括：
步骤S161：在工艺腔中通入NF3、H2和Ar，以对腔壁和载板进行清理。
如此，利用NF3、H2和Ar清理非晶硅膜，效率较高，效果较好。
可选地，在步骤S161中，NF3的流量范围为20000sccm-40000sccm，H2的流量范围为20000sccm-50000sccm，Ar的流量范围为20000sccm-30000sccm。
如此，使得NF3、H2和Ar的流量处于合适的范围，有利于提高清理非晶硅膜的效率和效果。
具体地，NF3的流量例如为20000sccm、21000sccm、25000sccm、29000sccm、30000sccm、30500sccm、35000sccm、38000sccm、40000sccm。
具体地，H2的流量例如为20000sccm、21000sccm、25000sccm、29000sccm、30000sccm、30500sccm、35000sccm、38000sccm、40000sccm、42500sccm、45000sccm、47000sccm、50000sccm。
具体地，Ar的流量例如为20000sccm、21000sccm、25000sccm、29000sccm、30000sccm。
可选地，在步骤S161中，清理的时长范围为5min-10min。例如为5min、5.2min、5.5min、5.8min、6min、6.5min、7min、7.5min、8min、8.5min、9min、9.5min、10min。如此，使得清理的时长处于合适范围，避免由于时长过短导致的清理不充分，避免由于时长过长导致的清理效率较低。
可选地，在步骤S161中，清理的温度范围为150℃-250℃。例如为150℃、152℃、155℃、160℃、175℃、190℃、200℃、210℃、225℃、230℃、248℃、250℃。如此，使得清理的温度处于合适的范围，有利于保证清理的效果。
可选地，在步骤S161中，压力范围为1torr-3torr。例如为1torr、1.1torr、1.2torr、1.5torr、1.8torr、2torr、2.3torr、2.5torr、2.9torr、3torr。如此，使得压力处于合适的范围，有利于保证清理的效果。
可选地，在步骤S161中，PECVD设备的功率范围为1kw-5kw。例如为1kw、1.1kw、1.85kw、2kw、2.3kw、2.7kw、3kw、3.5kw、4kw、4.3kw、4.8kw、5kw。如此，使得PECVD设备的功率处于合适的范围，有利于保证清理的效果。
请参阅图3，可选地，在步骤S161后，清理方法还包括：
步骤S18：取走载板上的遮挡片；
步骤S19：在腔壁和载板沉积非晶硅层。
如此，可以利用非晶硅层覆盖载板表面的脏污，覆盖清理非晶硅膜后残留的氟离子，从而营造正常的生产镀膜环境，提高少子寿命。
可以理解，在利用NF3、H2和Ar清理非晶硅膜后，载板会残留有氟离子，容易污染后续的待镀膜硅片，形成复合中心，降低电池的少子寿命。
而本实施例在载板沉积非晶硅层，可以覆盖氟离子，从而提高电池的少子寿命。
具体地，在步骤S18中，可利用机械臂的吸盘吸取遮挡片；再将遮挡片从载板上取走。如此，避免损坏遮挡片，且取走的效率较高。
具体地，在步骤S18和步骤S19之间，方法可包括：获取载板的图片；在根据图片确定载板上的遮挡片全部取走的情况下，进入步骤S19；在根据图片确定载板上的遮挡片未全部取走的情况下，返回步骤S18。如此，可以通过图像识别，确保沉积非晶硅层时载板为空载板，保证载板的表面全部镀上非晶硅层，从而保证全面地覆盖脏污和氟离子。
具体地，在步骤S18前，可将载板从工艺腔中取出。如此，方便将遮挡片取走。在步骤S18和步骤S19之间，可将空的载板放入工艺腔。如此，可以在工艺腔的腔壁和载板同时沉积非晶硅层，有利于提高效率和节约成本。
可选地，非晶硅层的厚度范围为1μm-5μm。例如为1μm、1.2μm、1.5μm、1.8μm、2μm、2.5μm、3μm、3.2μm、4μm、4.9μm、5μm。如此，使得非晶硅层的厚度处于合适范围，可以避免由于厚度过小而导致的无法覆盖全部脏污和氟离子，也可以避免由于厚度过大导致的成本较高。
可选地，步骤S19包括：
步骤S191：在工艺腔中通入SiH4，以沉积非晶硅层。
如此，利用PECVD设备对载板镀非晶硅层，沉积的速率较快，效率较高，形成的非晶硅层针孔较少，不易龟裂，质量较好。
可选地，在步骤S191中，SiH4的流量范围为5000sccm-10000sccm。例如为5000sccm、5100sccm、5800sccm、6000sccm、7500sccm、8000sccm、8500sccm、9000sccm、9500sccm、10000sccm。如此，使得SiH4的流量处于合适的范围，有利于保证非晶硅层的品质。
可选地，在步骤S191中，压力范围为1torr-2torr。例如为1torr、1.1torr、1.2torr、1.3torr、1.4torr、1.5torr、1.6torr、1.7torr、1.8torr、1.9torr、2torr。如此，使得压力处于合适的范围，有利于保证非晶硅层的品质。
可选地，在步骤S191中，PECVD设备的功率范围为1000w-5000w。例如为1000w、1100w、1850w、2000w、2300w、2700w、3000w、3500w、4000w、4300w、4800w、5000w。如此，使得PECVD设备的功率处于合适的范围，有利于保证非晶硅层的品质。
可选地，在步骤S191中，沉积时长的范围为20min-100min。例如为20min、21min、28min、35min、47min、60min、72min、97min、100min。如此，使得沉积时长处于合适的范围，有利于保证非晶硅层的品质。
可选地，在步骤S191中，沉积温度的范围为150℃-250℃。例如为150℃、152℃、155℃、160℃、175℃、190℃、200℃、210℃、225℃、230℃、248℃、250℃。如此，使得沉积温度处于合适的范围，有利于保证非晶硅层的品质。
下表1中的对比例1和对比例2是采用相关技术的清理方法清理后生产的HJT电池，实施例是采用本申请实施例的清理方法清理后生产的HJT电池。
显然，相较于相关技术的清理方法，本申请实施例的PECVD设备的清理方法，显著地提高了电池的少子寿命。
表1
以上仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种PECVD设备的清理方法，其特征在于，包括：
将遮挡片放置在PECVD设备的载板，所述载板包括承载区和非承载区，所述承载区用于承载硅片，所述承载区被所述遮挡片覆盖；
将放置了所述遮挡片的所述载板放入所述PECVD设备的工艺腔；
对所述工艺腔的腔壁和所述载板进行清理，以去除所述腔壁和所述非承载区的非晶硅膜。
2.根据权利要求1所述的PECVD设备的清理方法，其特征在于，对所述工艺腔的腔壁和所述载板进行清理，包括：
在所述工艺腔中通入NF3、H2和Ar，以对所述腔壁和所述载板进行清理。
3.根据权利要求2所述的PECVD设备的清理方法，其特征在于，在所述在所述工艺腔中通入NF3、H2和Ar以对所述腔壁和所述载板进行清理的步骤中，NF3的流量范围为20000sccm-40000sccm，H2的流量范围为20000sccm-50000sccm，Ar的流量范围为20000sccm-30000sccm。
4.根据权利要求2所述的PECVD设备的清理方法，其特征在于，在所述在所述工艺腔中通入NF3、H2和Ar以对所述腔壁和所述载板进行清理的步骤中，清理的时长范围为5min-10min。
5.根据权利要求2所述的PECVD设备的清理方法，其特征在于，在所述在所述工艺腔中通入NF3、H2和Ar以对所述腔壁和所述载板进行清理的步骤中，清理的温度范围为150℃-250℃。
6.根据权利要求2所述的PECVD设备的清理方法，其特征在于，在所述在所述工艺腔中通入NF3、H2和Ar以对所述腔壁和所述载板进行清理的步骤中，压力范围为1torr-3torr。
7.根据权利要求2所述的PECVD设备的清理方法，其特征在于，在所述在所述工艺腔中通入NF3、H2和Ar以对所述腔壁和所述载板进行清理的步骤中，PECVD设备的功率范围为1kw-5kw。
8.根据权利要求1所述的PECVD设备的清理方法，其特征在于，在所述对所述工艺腔的腔壁和所述载板进行清理的步骤后，所述清理方法还包括：
取走所述载板上的所述遮挡片；
在所述腔壁和所述载板沉积非晶硅层。
9.根据权利要求8所述的PECVD设备的清理方法，其特征在于，所述非晶硅层的厚度范围为1μm-5μm。
10.根据权利要求2所述的PECVD设备的清理方法，其特征在于，在所述腔壁和所述载板沉积非晶硅层，包括：
在所述工艺腔中通入SiH4，以沉积所述非晶硅层。
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|---|---|
| CN (1) | CN113770122A (zh) |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1319146A (zh) * | 1998-04-20 | 2001-10-24 | 东京电子有限公司 | 化学气相沉积室钝化方法 |
| EP1595973A1 (en) * | 2004-05-12 | 2005-11-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low temperature CVD chamber cleaning using dilute NF3 |
| CN101949008A (zh) * | 2010-07-02 | 2011-01-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 载板、用载板进行沉积处理方法及等离子体沉积处理设备 |
| CN102094186A (zh) * | 2009-12-15 | 2011-06-15 | 财团法人工业技术研究院 | 气体供应设备 |
| CN202076300U (zh) * | 2011-04-07 | 2011-12-14 | 无锡市佳诚太阳能科技有限公司 | 一种直接法硅片镀膜用石墨载板 |
| CN202193845U (zh) * | 2011-07-27 | 2012-04-18 | 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 | 一种应用于薄膜沉积工艺的硅片载板 |
| CN102610698A (zh) * | 2012-03-29 | 2012-07-25 | 常州比太科技有限公司 | 太阳能硅片制造工艺用传输载板 |
| CN102637780A (zh) * | 2012-04-27 | 2012-08-15 | 保定天威薄膜光伏有限公司 | 一种提高产业化硅薄膜电池组件性能的制备方法 |
| CN204834574U (zh) * | 2015-07-09 | 2015-12-02 | 钧石(中国)能源有限公司 | 一种制备hit太阳能电池的载板和加热装置 |
| CN111490126A (zh) * | 2019-01-29 | 2020-08-04 | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 | 一种载板的清洗方法 |
| CN112397614A (zh) * | 2020-11-17 | 2021-02-23 | 东方日升（常州）新能源有限公司 | 一种hit电池的硅片表面处理方法及hit电池制备方法和hit电池 |
-
2021
- 2021-09-13 CN CN202111069510.0A patent/CN113770122A/zh active Pending
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1319146A (zh) * | 1998-04-20 | 2001-10-24 | 东京电子有限公司 | 化学气相沉积室钝化方法 |
| EP1595973A1 (en) * | 2004-05-12 | 2005-11-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low temperature CVD chamber cleaning using dilute NF3 |
| CN102094186A (zh) * | 2009-12-15 | 2011-06-15 | 财团法人工业技术研究院 | 气体供应设备 |
| CN101949008A (zh) * | 2010-07-02 | 2011-01-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 载板、用载板进行沉积处理方法及等离子体沉积处理设备 |
| CN202076300U (zh) * | 2011-04-07 | 2011-12-14 | 无锡市佳诚太阳能科技有限公司 | 一种直接法硅片镀膜用石墨载板 |
| CN202193845U (zh) * | 2011-07-27 | 2012-04-18 | 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 | 一种应用于薄膜沉积工艺的硅片载板 |
| CN102610698A (zh) * | 2012-03-29 | 2012-07-25 | 常州比太科技有限公司 | 太阳能硅片制造工艺用传输载板 |
| CN102637780A (zh) * | 2012-04-27 | 2012-08-15 | 保定天威薄膜光伏有限公司 | 一种提高产业化硅薄膜电池组件性能的制备方法 |
| CN204834574U (zh) * | 2015-07-09 | 2015-12-02 | 钧石(中国)能源有限公司 | 一种制备hit太阳能电池的载板和加热装置 |
| CN111490126A (zh) * | 2019-01-29 | 2020-08-04 | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 | 一种载板的清洗方法 |
| CN112397614A (zh) * | 2020-11-17 | 2021-02-23 | 东方日升（常州）新能源有限公司 | 一种hit电池的硅片表面处理方法及hit电池制备方法和hit电池 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20211210 |
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |