CN118053916A - 晶硅电池、制备方法及光伏电站 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供了一种晶硅电池、制备方法及光伏电站。该晶硅电池包括：硅基底、发射极层、钝化层、第一减反射层以及第二减反射层；硅基底具有第一面，发射极层设置于第一面，钝化层设置于发射极层上，第一减反射层设置于发射极层上，第二减反射层设置于第一减反射层上；其中，第一减反射层为硫化锌膜层，第一减反射层的折射率大于第二减反射层的折射率。
Description
技术领域
本申请涉及晶硅电池技术领域，具体涉及一种晶硅电池、制备方法及制备方法。
背景技术
随着科技的发展，晶硅电池的应用越来越广泛。通过晶硅电池可以进行发电，即太阳光照射在晶硅电池上之后，晶硅电池将太阳光的光能转换为电能。但在相关技术中，晶硅电池针对太阳光的光线的利用率较低。
发明内容
本申请实施例提供了一种晶硅电池、制备方法及光伏电站，以解决相关技术中晶硅电池针对太阳光的光线的利用率较低的问题。
为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
第一方面，本申请实施例提供了一种晶硅电池，所述晶硅电池包括：硅基底、发射极层、钝化层、第一减反射层以及第二减反射层；
所述硅基底具有第一面，所述发射极层设置于所述第一面，所述钝化层设置于所述发射极层上，所述第一减反射层设置于发射极层上，所述第二减反射层设置于所述第一减反射层上；
其中，所述第一减反射层为硫化锌膜层，所述第一减反射层的折射率大于所述第二减反射层的折射率。
可选地，所述钝化层的厚度范围为20纳米至30纳米，所述钝化层的折射率范围为2.1-2.4。
可选地，所述第一减反射层的厚度范围为30纳米至60纳米，所述第二减反射层的厚度范围为3纳米至15纳米。
可选地，所述第一减反射层的折射率范围为2.3-2.4，所述第二减反射层的折射率范围为1.4-1.5。
可选地，所述钝化层包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝中任一种，所述第二减反射层包括氧化硅、氟化镁中任一种。
第二方面，本申请实施例提供了一种制备方法，用于制备上述第一方面中任一项所述的晶硅电池，所述制备方法包括：
提供硅基体，所述硅基体包括硅基底，所述硅基底上具有发射极层；
在所述发射极层上形成钝化层；
在所述钝化层上形成第一减反射层，所述第一减反射层为硫化锌膜层；
在所述第一减反射层上形成第二减反射层。
可选地，所述钝化层包括氮化硅；所述在所述发射极层上形成钝化层，包括：
注入硅烷和氨气，并电离所述硅烷和所述氨气，以使电离之后的硅烷和氨气在发射极层上沉积以形成氮化硅；
其中，硅烷的注入流量为700～1200mL/min，氨气的注入流量为2000～6000mL/min，反应温度为400～450℃，沉积时间60～240秒；
所述钝化层包括氮氧化硅；所述在所述发射极层上形成钝化层，包括：
注入硅烷、氨气和一氧化二氮，并电离所述硅烷、所述氨气和所述一氧化二氮，以使电离之后的硅烷、氨气和一氧化二氮沉积以形成氮氧化硅；
其中，硅烷的注入流量为1600～2400mL/min，氨气的注入流量为3600～6000mL/min，一氧化二氮的注入流量为500～600mL/min，反应温度为为400～450℃，沉积时间100～300秒；
所述钝化层包括氧化铝；所述在所述发射极层上形成钝化层，包括：
注入三甲基铝以及氧气，以使所述三甲基铝以及氧气反应，并在所述发射极层上沉积，以形成氧化铝；
其中，反应温度为300～400℃，沉积时间为40-400秒。
可选地，所述在钝化层上形成第一减反射层，包括：
提供硫化锌，且将所述硫化锌作为沉积源；
控制所述硫化锌的温度为750～810℃，且控制反应的气压小于5×10-5Pa，以使所述硫化锌在所述钝化层上沉积，形成第一减反射层。
可选地，所述第二减反射层包括氧化硅；所述在所述第一减反射层上形成第二减反射层，包括：
注入硅烷和一氧化二氮，并电离所述硅烷和一氧化二氮，以使电离之后的硅烷和一氧化二氮在所述第一减反射层上形成第二减反射层；
其中，一氧化二氮的注入流量为1～4L/min，硅烷的注入流量为120～700mL/min，注入硅烷和一氧化二氮的注入时间为50～150秒；
所述第二减反射层包括氟化镁；所述在所述第一减反射层上形成第二减反射层，包括：
提供氟化镁；
轰击所述氟化镁，以使所述氟化镁原子溅射在所述第一减反射层上，形成第二减反射层。
第三方面，本申请实施例提供了一种光伏电站，所述光伏电站包括上述第一方面中任一项所述的晶硅电池。
在本申请实施例中，由于发射极层设置于硅基底的第一面，钝化层设置于发射极上，第一减反层设置于发射极层上，第二减反射层设置于第一减反射层上，且第一减反射层为硫化锌膜层，因此，相当于在硅基底的发射极层上设置两层减反射层，且靠近发射极层的减反射层为硫化锌膜层，硫化锌膜层的折射率较高，从而在光线照射在硅基底的第一面之后，光线可以穿过两层减反射层，使得光线较少的反射，进而使得光线较多的折射进入硅基底。且在光线穿过第二减反射层进入第一减反射层之后，由于第一减反射层的折射率大于第二减反射层的折射率，从而光线在第一减反射层反射的更少，从而更多的光线进入硅基底。也即是，在本申请实施例中，通过设置两层减反射层，即在钝化层上设置第一减反射层以及第二减反射层，且第一减反射层为硫化锌层，第一减反射层折射率大于第二减反射层的折射率，从而可以使得光线照射在硅基底的第一面之后，光线可以较多的进入硅基底，提高晶硅电池对光线的利用率。
附图说明
图1表示本申请实施例提供的一种晶硅电池的示意图；
图2表示本申请实施例提供的一种制备方法的流程图；
图3表示本申请实施例提供的一种制备晶硅电池的过程示意图之一；
图4表示本申请实施例提供的一种制备晶硅电池的过程示意图之二；
图5表示本申请实施例提供的一种制备晶硅电池的过程示意图之三；
图6表示本申请实施例提供的一种制备晶硅电池的过程示意图之四。
附图标记：
10：硅基底；20：发射极层；30：钝化层；40：第一减反射层；50：第二减反射层。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。
参照图1，示出了本申请实施例提供的一种晶硅电池的示意图。如图1所示，该晶硅电池包括：硅基底、发射极层、钝化层、第一减反射层以及第二减反射层。
硅基底具有第一面，发射极层设置于第一面，钝化层设置于发射极层上，第一减反射层设置于发射极层上，第二减反射层设置于第一减反射层上。其中，第一减反射层为硫化锌膜层，第一减反射层的折射率大于第二减反射层的折射率。
在本申请实施例中，由于发射极层设置于硅基底的第一面，钝化层设置于发射极上，第一减反层设置于发射极层上，第二减反射层设置于第一减反射层上，且第一减反射层为硫化锌膜层，因此，相当于在硅基底的发射极层上设置两层减反射层，且靠近发射极层的减反射层为硫化锌膜层，硫化锌膜层的折射率较高，从而在光线照射在硅基底的第一面之后，光线可以穿过两层减反射层，使得光线较少的反射，进而使得光线较多的折射进入硅基底。且在光线穿过第二减反射层进入第一减反射层之后，由于第一减反射层的折射率大于第二减反射层的折射率，从而光线在第一减反射层反射的更少，从而更多的光线进入硅基底。也即是，在本申请实施例中，通过设置两层减反射层，即在钝化层上设置第一减反射层以及第二减反射层，且第一减反射层为硫化锌层，第一减反射层折射率大于第二减反射层的折射率，从而可以使得光线照射在硅基底的第一面之后，光线可以较多的进入硅基底，提高晶硅电池对光线的利用率。
需要说明的是，在本申请实施例中，硅基底可以为P型硅基底，当然，还可以为N型硅基底。
另外，在本申请实施例中，硅基底的第一面为向光面，从而光线会照射在硅基底的第一面，从而光线穿过第二减反射层以及第一减反射层进入硅基底。
另外，在一些实施例中，钝化层的厚度范围可以为20纳米至30纳米，钝化层的折射率范围为2.1-2.4。
通常，钝化层的厚度越大，钝化层的钝化效果越好，但钝化膜侧厚度太大，会导致晶硅电池的厚度过大，影响晶硅电池的使用。在本申请实施例中，设置钝化层的厚度范围为20纳米至30纳米，在确保较好的钝化效果的前提下，使得钝化层的厚度对晶硅电池的厚度影响较小。
另外，光线穿过第二减反射层和第一减反射层之后，光线会照射在钝化层，钝化层的折射率越大，可以使得光线在钝化层上反射的越少，光线折射的较多，从而光线进入硅基底中较多。因此，在本申请实施例中，设置钝化层的折射率范围为2.1-2.4，从而钝化层具有较大的折射率，使得光线较多的进入硅基底，进而使得硅基底对光线的利用率提高，使得晶硅电池对光线的利用率提高。
需要说明的是，钝化层的厚度可以为20纳米至30纳米中任一数值，例如，钝化层的厚度为20纳米，再例如，钝化层的厚度为25纳米，再例如，钝化层的厚度为28纳米，再例如，钝化层的厚度为30纳米。
另外，钝化层折射率可以为2.1-2.4中任一数值，例如，钝化层的折射率为2.1，再例如，钝化层的折射率为2.2，再例如，钝化层的折射率为2.3，再例如，钝化层的折射率为2.4。
另外，在一些实施例中，第一减反射层的厚度范围为30纳米至60纳米，第二减反射层的厚度范围为3纳米至15纳米。
当第一减反射层的厚度范围为30纳米至60纳米，第二减反射层的厚度范围为3纳米至15纳米，即第一减反射层的厚度大于第二减反射层的厚度，而第一减反射层的折射率大于第二减反射层的折射率，从而在光线照射在硅基底的第一面上之后，光线穿过折射率小，且厚度小的第二减反射层，之后照射在折射率多大，且厚度大的第一减反射层上，从而光线可以更多的进行折射，较少的进行反射，最终射入硅基底的光线较多。另外，第一减反射层的厚度范围为30纳米至60纳米，第二减反射层的厚度范围为3纳米至15纳米，还可以使得第一减反射层的厚度以及第二减反射层的厚度适中，即在具有较好的减反射效果的前提下，第一减反射层的厚度以及第二减反射层的厚度对晶硅电池的厚度影响较小。
其中，在本申请实施例中，第一减反射层的折射率范围为2.3-2.4，第二减反射层的折射率范围为1.4-1.5。
需要说明的是，第一减反射层的厚度可以为30纳米至60纳米中任一数值，例如，第一减反射层的厚度为30纳米，再例如，第一减反射层的厚度为35纳米，再例如，第一减反射层的厚度为40纳米，再例如，第一减反射层的厚度为45纳米，再例如，第一减反射层的厚度为50纳米，再例如，第一减反射层的厚度为60纳米。
另外，在本申请实施例中，第二减反射层的厚度可以为3纳米至15纳米中任一数值，例如，第二减反射层的厚度为3纳米，再例如，第二减反射层的厚度为5纳米，再例如，第二减反射层的厚度为7纳米，再例如，第二减反射层的厚度为9纳米，再例如，第二减反射层的厚度为11纳米，再例如，第二减反射层的厚度为15纳米。
另外，在本申请实施例中，第一减反射层的折射率可以为2.3-2.4中任一数值，例如，第一减反射层的折射率为2.3，再例如，第一减反射层的折射率为2.32，再例如，第一减反射层的折射率为2.35，再例如，第一减反射层的折射率为2.38，再例如，第一减反射层的折射率为2.4。
另外，第二减反射层的折射率可以为1.4-1.5中任一数值，例如，第二减反射层的折射率为1.4，再例如，第二减反射层的折射率为1.42，再例如，第二减反射层的折射率为1.45，再例如，第二减反射层的折射率为1.48，再例如，第二减反射层的折射率为1.5。
另外，在本申请实施例中，钝化层可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝中任一种，第二减反射层包括氧化硅、氟化镁中任一种。
其中，钝化层可以仅由氮化硅形成，此时，钝化层为氮化硅膜层。钝化层还可以仅由氮氧化硅形成，此时，钝化层为氮氧化硅膜层。钝化层还可以仅由氧化铝形成，此时，钝化层为氧化铝膜层。
另外，第二减反射层可以仅由氧化硅形成，此时，钝化层为氧化硅膜层。第二减反射层还可以仅由氟化镁形成，此时，钝化层为氟化镁膜层。
另外，在一些实施例中，硅基底可以具有第二面，第二面与第一面相背。第二面上设置有钝化层，钝化层上设置有第一减反射层，第一减反射层上设置有第二减反射层。
在本申请实施例中，由于发射极层设置于硅基底的第一面，钝化层设置于发射极上，第一减反层设置于发射极层上，第二减反射层设置于第一减反射层上，且第一减反射层为硫化锌膜层，因此，相当于在硅基底的发射极层上设置两层减反射层，且靠近发射极层的减反射层为硫化锌膜层，硫化锌膜层的折射率较高，从而在光线照射在硅基底的第一面之后，光线可以穿过两层减反射层，使得光线较少的反射，进而使得光线较多的折射进入硅基底。且在光线穿过第二减反射层进入第一减反射层之后，由于第一减反射层的折射率大于第二减反射层的折射率，从而光线在第一减反射层反射的更少，从而更多的光线进入硅基底。也即是，在本申请实施例中，通过设置两层减反射层，即在钝化层上设置第一减反射层以及第二减反射层，且第一减反射层为硫化锌层，第一减反射层折射率大于第二减反射层的折射率，从而可以使得光线照射在硅基底的第一面之后，光线可以较多的进入硅基底，提高晶硅电池对光线的利用率。
参照图2，示出了本申请实施例提供的一种制备方法的流程图，该制备方法用于制备上述实施例中任一实施例中的晶硅电池，如图2所示，该制备方法包括：
步骤201：提供硅基体，硅基体包括硅基底，硅基底上具有发射极层。
其中，硅基底可以为P型硅基底，当然，硅基底还可以为N型硅基底。
例如，如图3所示，硅基底10上具有发射极层20。
步骤202：在发射极层上形成钝化层。
其中，在发射极层上形成钝化层时，可以利用等离子增强化学气相沉积设备在发射极层上形成钝化层。
由于化学气相沉积设备的机理是：借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。即通过使用化学气相沉积设备在半导体基底的背面形成钝化层时，可以便于在发射极层上形成钝化层。
其中，钝化层可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝中任一种。当钝化层的材质不同时，步骤202的实现方式也不同。
当钝化层包括氮化硅时，步骤202的实现方式可以为：
注入硅烷和氨气，并电离硅烷和氨气，以使电离之后的硅烷和氨气在发射极层上沉积以形成氮化硅；其中，硅烷的注入流量为700～1200mL/min，氨气的注入流量为2000～6000mL/min，反应温度为400～450℃，沉积时间60～240秒。
在注入硅烷和氨气之后，即在等离子增强化学气相沉积设备中注入硅烷和氨气之后，硅烷和氨气会被电离，从硅烷和氨气成为等离子体，之后硅烷中的硅原子与氨气中的氮原子便会结合，形成氮化硅，且氮化硅在发射极层上沉积，最终形成钝化层。
另外，在注入硅烷和氨气之后，可以通过控制沉积时间从而控制钝化层的厚度，当钝化层的厚度太厚时，会导致晶硅电池的厚度较大，当钝化层的厚度太薄时，钝化层的钝化效果较差。因此，在本申请实施例中，设置沉积时间为60-240秒，从而可以使得钝化层的厚度范围为20纳米至30纳米。
当钝化层包括氮氧化硅时，步骤202的实现方式可以为：注入硅烷、氨气和一氧化二氮，并电离硅烷、氨气和一氧化二氮，以使电离之后的硅烷、氨气和一氧化二氮沉积以形成氮氧化硅；其中，硅烷的注入流量为1600～2400mL/min，氨气的注入流量为3600～6000mL/min，一氧化二氮的注入流量为500～600mL/min，反应温度为为400～450℃，沉积时间100～300秒。
在注入硅烷、氨气和一氧化二氮之后，即在等离子增强化学气相沉积设备中注入硅烷、氨气和一氧化二氮之后，硅烷、氨气以及一氧化二氮会被电离，从硅烷、氨气以及一氧化二氮成为等离子体，之后硅烷中的硅原子、氨气中的氮原子以及一氧化二氮中的氧原子便会结合，形成氮氧化硅，且氮氧化硅在发射极层上沉积，最终形成钝化层。
另外，在注入硅烷、氨气以及一氧化二氮之后，可以通过控制沉积时间从而控制钝化层的厚度，当钝化层的厚度太厚时，会导致晶硅电池的厚度较大，当钝化层的厚度太薄时，钝化层的钝化效果较差。因此，在本申请实施例中，设置沉积时间为100-300秒，从而可以使得钝化层的厚度范围为20纳米至30纳米。
当钝化层包括氧化铝时，步骤202的实现方式可以为：注入三甲基铝以及氧气，以使三甲基铝以及氧气反应，并在发射极层上沉积，以形成氧化铝；其中，反应温度为300～400℃，沉积时间为40-400秒。
其中，三甲基铝可以被电离，从而电离出铝原子，氧气被电离之后，电离出氧原子，氧原子与铝原子结合形成氧化铝。
另外，在注入三甲基铝和氧气之后，可以通过控制沉积时间从而控制钝化层的厚度，当钝化层的厚度太厚时，会导致晶硅电池的厚度较大，当钝化层的厚度太薄时，钝化层的钝化效果较差。因此，在本申请实施例中，设置沉积时间为40-400秒，从而可以使得钝化层的厚度范围为20纳米至30纳米。
例如，如图4所示，在发射极层20上形成钝化层30。
步骤203：在钝化层上形成第一减反射层，第一减反射层为硫化锌膜层。
在一些实现方式中，步骤203的实现方式可以为：提供硫化锌，且将硫化锌作为沉积源；控制硫化锌的温度为750～810℃，且控制反应的气压小于5×10-5Pa，以使硫化锌在钝化层上沉积，形成第一减反射层。
具体的，可以将硅基底放置在炉管内，炉管内具有热电偶，之后在炉管内放置硫化锌，硫化锌便作为沉积源。通过热电偶控制硫化锌的温度，使得硫化锌为温度处于750-810度之间，且同时控制炉管内的气压小于5×10-5Pa，硫化锌便会在钝化层上沉积，形成第一减反射层。其中，可以控制硫化锌的沉积时间，使得第一减反射层的厚度在30纳米至60纳米之间。
例如，如图5所示，在钝化层30上形成第一减反射层40。
步骤204：在第一减反射层上形成第二减反射层。
其中，可以利用等离子增强化学气相沉积设备在第一减反射层上形成第二减反射层。
另外，第二减反射层可以包括氧化硅、氟化镁中任一种。当第二减反射层的材质不同时，步骤204的实现方式也不同。
当第二减反射层包括氧化硅时，步骤204的实现方式可以为：注入硅烷和一氧化二氮，并电离硅烷和一氧化二氮，以使电离之后的硅烷和一氧化二氮在第一减反射层上形成第二减反射层；其中，一氧化二氮的注入流量为1～4L/min，硅烷的注入流量为120～700mL/min，注入硅烷和一氧化二氮的注入时间为50～150秒。
在注入硅烷和一氧化二氮之后，即在等离子增强化学气相沉积设备中注入硅烷和一氧化二氮之后，硅烷和一氧化二氮会被电离，从硅烷和一氧化二氮成为等离子体，之后硅烷中的硅原子与一氧化二氮中的氧原子便会结合，形成氧化硅，且氧化硅在第一减反射层上沉积，最终形成第二减反射层。
另外，在注入硅烷和一氧化二氮之后，可以通过控制沉积时间从而控制第二减反射层的厚度，当第二减反射层的厚度太厚时，会导致晶硅电池的厚度较大，当第二减反射层的厚度太薄时，第二减反射层的钝化效果较差。因此，在本申请实施例中，设置沉积时间为50-150秒，从而可以使得第二减反射层的厚度范围为3纳米至15纳米。
当第二减反射层包括氟化镁时，步骤204的实现方式可以为：提供氟化镁；轰击氟化镁，以使氟化镁原子溅射在第一减反射层上，形成第二减反射层。
当第二减反射层包括氟化镁时，此时，可以通过溅射工艺制作第二减反射层，即将氟化镁作为靶材，通过其他原子轰击氟化镁，使得氟化镁原子可以从靶材上分离，并溅射在第一减反射层上，从而形成第二减反射层。其中，可以通过控制溅射时长，使得第二减反射层的厚度范围为3纳米至15纳米。
例如，如图6所示，在第一减反射层40上形成第二减反射层50。
在本申请实施例中，提供硅基体，硅基体包括硅基底，硅基底上具有发射极层；在发射极层上形成钝化层；在钝化层上形成第一减反射层，第一减反射层为硫化锌膜层；在第一减反射层上形成第二减反射层。也即是，在本申请实施例中，通过设置两层减反射层，即在钝化层上设置第一减反射层以及第二减反射层，且第一减反射层为硫化锌层，第一减反射层折射率大于第二减反射层的折射率，从而可以使得光线照射在硅基底的第一面之后，光线可以较多的进入硅基底，提高晶硅电池对光线的利用率
本申请实施例提供了一种光伏电站，该光伏电站包括上述实施例中任一实施例中的晶硅电池。
需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
尽管已描述了本申请实施例的可选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括可选实施例以及落入本申请实施例范围的所有变更和修改。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体与另一个实体区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
以上对本申请所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的原理及实现方式，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种晶硅电池，其特征在于，所述晶硅电池包括：硅基底、发射极层、钝化层、第一减反射层以及第二减反射层；
所述硅基底具有第一面，所述发射极层设置于所述第一面，所述钝化层设置于所述发射极层上，所述第一减反射层设置于发射极层上，所述第二减反射层设置于所述第一减反射层上；
其中，所述第一减反射层为硫化锌膜层，所述第一减反射层的折射率大于所述第二减反射层的折射率。
2.根据权利要求1所述的晶硅电池，其特征在于，所述钝化层的厚度范围为20纳米至30纳米，所述钝化层的折射率范围为2.1-2.4。
3.根据权利要求1所述的晶硅电池，其特征在于，所述第一减反射层的厚度范围为30纳米至60纳米，所述第二减反射层的厚度范围为3纳米至15纳米。
4.根据权利要求1所述的晶硅电池，其特征在于，所述第一减反射层的折射率范围为2.3-2.4，所述第二减反射层的折射率范围为1.4-1.5。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的晶硅电池，其特征在于，所述钝化层包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝中任一种，所述第二减反射层包括氧化硅、氟化镁中任一种。
6.一种制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1-5中任一项所述的晶硅电池，所述制备方法包括：
提供硅基体，所述硅基体包括硅基底，所述硅基底上具有发射极层；
在所述发射极层上形成钝化层；
在所述钝化层上形成第一减反射层，所述第一减反射层为硫化锌膜层；
在所述第一减反射层上形成第二减反射层。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述钝化层包括氮化硅；所述在所述发射极层上形成钝化层，包括：
注入硅烷和氨气，并电离所述硅烷和所述氨气，以使电离之后的硅烷和氨气在发射极层上沉积以形成氮化硅；
其中，硅烷的注入流量为700～1200mL/min，氨气的注入流量为2000～6000mL/min，反应温度为400～450℃，沉积时间60～240秒；
所述钝化层包括氮氧化硅；所述在所述发射极层上形成钝化层，包括：
注入硅烷、氨气和一氧化二氮，并电离所述硅烷、所述氨气和所述一氧化二氮，以使电离之后的硅烷、氨气和一氧化二氮沉积以形成氮氧化硅；
其中，硅烷的注入流量为1600～2400mL/min，氨气的注入流量为3600～6000mL/min，一氧化二氮的注入流量为500～600mL/min，反应温度为为400～450℃，沉积时间100～300秒；
所述钝化层包括氧化铝；所述在所述发射极层上形成钝化层，包括：
注入三甲基铝以及氧气，以使所述三甲基铝以及氧气反应，并在所述发射极层上沉积，以形成氧化铝；
其中，反应温度为300～400℃，沉积时间为40-400秒。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在钝化层上形成第一减反射层，包括：
提供硫化锌，且将所述硫化锌作为沉积源；
控制所述硫化锌的温度为750～810℃，且控制反应的气压小于5×10-5Pa，以使所述硫化锌在所述钝化层上沉积，形成第一减反射层。
9.根据权利要求6中所述的制备方法，其特征在于，所述第二减反射层包括氧化硅；所述在所述第一减反射层上形成第二减反射层，包括：
注入硅烷和一氧化二氮，并电离所述硅烷和一氧化二氮，以使电离之后的硅烷和一氧化二氮在所述第一减反射层上形成第二减反射层；
其中，一氧化二氮的注入流量为1～4L/min，硅烷的注入流量为120～700mL/min，注入硅烷和一氧化二氮的注入时间为50～150秒；
所述第二减反射层包括氟化镁；所述在所述第一减反射层上形成第二减反射层，包括：
提供氟化镁；
轰击所述氟化镁，以使所述氟化镁原子溅射在所述第一减反射层上，形成第二减反射层。
10.一种光伏电站，其特征在于，所述光伏电站包括权利要求1-5中任一项所述的晶硅电池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211410798.8A CN118053916A (zh) | 2022-11-10 | 2022-11-10 | 晶硅电池、制备方法及光伏电站 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211410798.8A CN118053916A (zh) | 2022-11-10 | 2022-11-10 | 晶硅电池、制备方法及光伏电站 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN118053916A true CN118053916A (zh) | 2024-05-17 |
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ID=91052547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211410798.8A Pending CN118053916A (zh) | 2022-11-10 | 2022-11-10 | 晶硅电池、制备方法及光伏电站 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN118053916A (zh) |
-
2022
- 2022-11-10 CN CN202211410798.8A patent/CN118053916A/zh active Pending
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