CN115180935A - 一种毫米波ltcf生瓷带制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种毫米波LTCF生瓷带制备方法，经过配方计算后，依次通过配料、一次球磨、预烧、二次球磨、制浆、流延、叠层、共烧，得到流延生瓷带，其中，其配方组成为Ni1‑x‑ yZnxCuyMnzFe2‑z‑δO4，其中：0.25≤x≤0.45，0.16≤y≤0.25，0.02≤z≤0.08，δ为缺铁量，0.01≤δ≤0.1，并在所述二次球磨步骤中加入0.5wt％～1.0wt％的Bi2O3，制备的尖晶石NiZn毫米波LTCF生瓷带，烧结温度在880℃～920℃范围，可实现与金属浆料（银浆、金浆）共烧；所制得的旋磁生瓷带致密、均匀、单相的尖晶石结构，电磁性能优异，饱和磁化强度4πMs在4400Gauss～4600Gauss，铁磁共振线宽△H在185Oe～109Oe，介电损耗tand e均小于5×10‑4，气孔率低于1.9%，具有较高的居里温度，自旋波线宽△Hk大于15Oe，具有一定的功率承受能力。
Description
技术领域
本发明涉及磁铁氧体材料技术领域，尤其涉及一种毫米波LTCF生瓷带制备方法。
背景技术
雷达相控阵体系的小型化、集成化成为当前射频、微波毫米波器件及组件的重要发展方向，传统环行器由于体积较大原因严重制约了雷达阵面的轻薄化。基于低温共烧旋磁铁氧体材料（LTCF）技术可实现环行器的轻薄化、集成化，打破传统阵面架构，使得新型远程毫米波陆基雷达的天线阵面的厚度、重量、体积大幅减少，集成度显著提高。
LTCF技术应用的旋磁材料不是传统成型工艺制备的块体材料，而是流延工艺制备的生瓷带，需要生瓷带与电路的金属浆料匹配共烧，因此，毫米波LTCF生瓷带的要求是：在低于920℃烧结温度下具有高饱和磁化强度、低损耗、低气孔率、高居里温度等特性。
但是，目前的流延工艺制备的生瓷带，在流延浆料的制备过程中，加入了粘结剂、增塑剂、溶剂、分散剂等，导致流延工艺制备的生瓷带电磁性能较成型工艺材料性能差。LTCF设计需要与直接印刷在旋磁生瓷带上的Ag导体共烧，为防止短路，要求生瓷带具有很高的电阻率ρ，而电阻率与介电损耗成反比，高电阻率意味着材料必须有的低介电损耗。
为了解决上述问题，本领域技术人员作了很多努力，比如，中国申请号：CN202110943087.6，一种基于LTCC技术的NiCuZn铁氧体制备方法，公开了：在预烧工艺中二元掺杂Bi2O3和Co2O3，采用成型工艺、烧结温度925℃，得到致密度高，孔隙小，饱和磁化强度到了55.858emu/g（约为3600 Gauss），矫顽力为4.87Oe的NiCuZn铁氧体材料，该专利虽然没有公开介电损耗性能，但是，该专利的材料矫顽力大，从而可以推断材料的电磁损耗大，另外，所掺杂的Co2O3的熔点895℃，虽然比NiO、ZnO等氧化物低，但Co离子是快驰豫离子，Co离子添加会导致材料的线宽，尤其是有效线宽的成倍增加，也会使材料介电损耗增大。
又比如，中国专利申请号：CN202110324931.7，一种高饱和磁化强度低温烧结LiZn铁氧体材料及其制备方法，发明通过Zr离子部分取代的LiZn铁氧体中的Zn离子，得到LiZn铁氧体材料：Li0.43Zn0.27Zr0.13Fe2.17O4，采用成型工艺，925℃烧结时样品密度能够达到4.76g/cm3 ，Bi2O3助烧剂的用量为1.5wt％时，饱和磁化强度高达102.4emu/g、矫顽力为192A/m、铁磁共振线宽为205Oe，该专利是LiZn铁氧体材料，相对于NiZn铁氧体材料而言，损耗更大，另外材料的致密性也较差，因为流延工艺制备的LiZn生瓷带的气孔率一般在3.5%左右，NiZn生瓷带的气孔率一般在2%左右。
又比如，中国专利申请号：CN202011071585.8，一种高饱和低温烧结旋磁Ni系尖晶石铁氧体材料，铁氧体材料化学分子式为Ni(1-a-b-c)ZnaCubCocMndFe2-dO4，在900℃烧结所得的铁氧体材料，饱和磁化强度≧4000Gs，介电损耗正切(tanδ)≦1×10-3，铁磁共振线宽(ΔH)≦150Oe，饱和磁化强度≧4600Gs，介电损耗正切(tanδ)≦1.5×10-3，铁磁共振线宽(ΔH)≦250Oe。该专利具有高饱和磁化强度高，但介电损耗大。
即，对于毫米波应用的高饱和磁化强度的LTCF生瓷带，目前报道最好性能是：饱和磁化强度4πMs≧4600Gs，介电损耗tanδε≦1.5×10-3，铁磁共振线宽ΔH≦250Oe。对于应用来说，损耗还是较大，尤其是介电损耗在10-3级别。
发明内容
本发明的目的就在于提供一种毫米波LTCF生瓷带制备方法，以解决上述问题。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是这样的：
一种毫米波LTCF生瓷带制备方法，经过配方计算后，依次通过配料、一次球磨、预烧、二次球磨、制浆、流延、叠层、共烧，得到电磁性能合格的流延生瓷带，其中，其配方组成为Ni1-x-yZnxCuyMnzFe2-z-δO4，其中：0.25≤x≤0.45，0.16≤y≤0.25，0.02≤z≤0.08，δ为缺铁量，0.01≤δ≤0.1，并在所述二次球磨步骤中加入0.5 wt％～1.0wt％的Bi2O3掺杂剂。
作为优选的技术方案，包括下述步骤：
（1）配方设计：根据组成化学式Ni1-x-yZnxCuyMnzFe2-z-δO4，其中：0.25≤x≤0.45，0.16≤y≤0.25，0.02≤z≤0.08，δ为缺铁量，0.01≤δ≤0.1进行配方设计；
（2）称料：根据步骤（1）配方设计结果，计算并称取所需各种原材料，所述原材料为分析纯的Fe2O3、NiO、ZnO、CuO、MnCO3，然后按照比例称取掺杂剂：0.05 wt％～0.2wt％的Li2CO3、0.5 wt％～1.0wt％的Bi2O3和0.05 wt％～0.2wt％的V2O5，所述掺杂剂为分析纯的Li2CO3、V2O5、Bi2O3；微量的低熔点氧化物Bi2O3、Li2CO3、V2O5加入，以降低烧结温度，不进入配方分子式取代计算，掺杂剂的百分含量为总物料质量百分比；
（3）一次球磨，将步骤（2）称取的各种原材料和掺杂剂Li2CO3、V2O5混合装入球磨罐中，并加入球和稀释剂，进行原材料一次湿法混合球磨，球磨时间为5小时～8小时；
（4）预烧：将经步骤（3）后的浆料烘干，过30目～60目分样筛制备成粉料，然后放入烧结炉内进行预烧，预烧温度为780℃～850℃，保温5小时～8小时；
（5）二次球磨，将经步骤（4）预烧后的粉料，装入球磨罐中，再加入0.5 wt％～1.0wt％的Bi2O3掺杂剂、并加入球和稀释剂，进行二次湿法球磨，球磨时间为5小时～10小时，得到旋磁粉料二磨浆料，粉料粒度D50控制在1.0μm ～1.5μm；
（6）制浆：加入1%～5%的增塑剂、1.0 wt %～5.0 wt %的分散剂、8.0wt%～12.0 wt%的粘结剂及40.0 wt %～80.0 wt %的有机载体加入球磨罐中混合10小时～20小时，再将步骤5二次球磨浆料烘干得到旋磁粉料100wt %加入球磨罐中球磨20小时～45小时，形成黏度为1500mPa·s～3000 mPa·s的流延浆料；
（7）流延：将步骤（6）得到的浆料进行流延制备旋磁生瓷带，流延速度控制在0.2～0.6m/min，生瓷带厚度50μm±5μm ~100μm±5μm（即，生瓷带厚度在50μm ~100μm范围的任一值，公差控制在±5μm，以保障生瓷带厚度均匀性）；
（8）叠层：将步骤（7）得到生瓷带切割成方片，将方片依次堆叠在一起，并进行真空包封，包封后采用温等静压压制成厚度大于3mm的生坯；
（9）共烧：将步骤（8）得到生坯进行排胶、共烧，排胶温度为400℃～500℃，保温10小时～20小时；共烧温度为880℃～920℃，保温5小时～10小时。
作为优选的技术方案：步骤（3）和步骤（5）中的稀释剂均为去离子水。
作为优选的技术方案：步骤（6）中的增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲基二辛酯或聚乙二醇中的一种。
作为优选的技术方案：步骤（6）中的分散剂选自三油酸甘油酯、三乙醇胺中的一种。
作为优选的技术方案：步骤（6）中的粘结剂为聚乙二醇缩丁醛。
作为优选的技术方案：步骤（6）中的有机载体为乙醇和丁酮，二者质量比为1:1。
作为优选的技术方案：步骤（8）中的方片尺寸为4英寸。
作为优选的技术方案：步骤（8）中的采用铝塑带进行真空包封。
作为优选的技术方案：共烧后进行性能测试：具体而言，先依据GB/T9633-2012测试样品要求制备测试样品，然后进行电磁性能测试。
微波铁氧体材料的电磁性能主要包括本征特性及非本征特性，饱和磁化强度4πMs、居里温度TC等是材料的本征参数，只取决于材料各次晶格上磁性阳离子的数量及分布情况，而介电损耗tanδε、铁磁共振线宽ΔH等不仅与其化学成分和晶体结构有关，而且与密度、晶粒尺寸、气孔率以及它们在晶粒内部和晶粒之间的分布关系密切，是材料微结构的结构敏感量，所以，本专利在配方设计中引入低熔点氧化物Bi2O3，在较低温度下形成液相或过渡液相，促进材料的低温烧结致密化，用CuO、Li2CO3、V2O5进行适量离子代换，形成具有较低熔点的改性化合物，促进烧结固相反应进程，达到低烧结温度下固相反应完全的目的；其中，Li1+和V5+联合取代2个Fe3+，Li1+和V5+作为一个整体使用，一是电价平衡，二是离子个数相等，在工艺设计中，各工序采用最佳工艺参数配合，制备致密、均匀的生瓷带，实现生瓷带高饱和磁化强度、低损耗、高温度稳定性的制备。
本发明在生瓷带配方设计中引入低熔点氧化物Bi2O3掺杂，并在适当的时机（二次球磨）中加入，在较低烧结温度下形成液相或过渡液相，促进材料的低温烧结致密化；在实施例2的基础上做对比例，即Bi2O3在预烧工艺加入，其余条件不变，包括相同烧结温度下，ΔH为150 Oe左右，tanδε在5×10-4，可见，二次球磨加入Bi2O3比预烧工艺加入，材料损耗性能更优。
另外，本发明用适当的金属离子进行适量代换，Cu2+取代Ni2+，Li1+和V5+联合取代2个Fe3+的形成具有较低熔点的改性化合物，达到降低烧结温度的目的，使生瓷带在880℃～920℃烧结固相反应完全，具有单一的尖晶石相结构，使生瓷带具有较低的电磁损耗；采用Mn2+配合缺铁量δ组合设计，抑制烧结中Fe2+的产生，从而提高电阻率ρ，即达到降低介电损耗tand e的目的，又可避免与Ag导体共烧短路。工艺设计中，各工序采用最佳工艺参数配合，首先制备电磁性能优异的旋磁粉，料粉料粒度D50控制在1.0μm～1.5μm，烧结生瓷带不易边沿翘曲；旋磁粉料、增塑剂、分散剂、粘结剂、有机载体适当比例配置混合制浆，使流延浆料的黏度为1500mPa·s～3000 mPa·s，流延生瓷带均匀、致密。
与现有技术相比，本发明的优点在于： 本发明制备的尖晶石NiZn毫米波LTCF生瓷带，烧结温度在880℃～920℃范围，可实现与金属浆料（银浆、金浆）共烧。所制得的旋磁生瓷带致密、均匀、单相的尖晶石结构，具有烧结温度低、损耗小、居里温度高、气孔率低等优点，电磁性能优异，饱和磁化强度4πMs在4400Gauss～4600Gauss，铁磁共振线宽△H在185Oe～109Oe，介电损耗tand e均小于5×10-4，气孔率低于1.9%，且具有较高的居里温度373℃，自旋波线宽△Hk大于15Oe，具有一定的功率承受能力。
附图说明
图1为本发明的工艺流程图；
图2为本发明各实施例所制得的生瓷带的XRD图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
实施例1
一种毫米波LTCF生瓷带，其主相结构为尖晶石结构，其化学式为Ni1-x- yZnxCuyMnzFe2-z-δO4，其中：x=0.25，y=0.16，z=0.08，δ=0. 1；
其制备方法参见图1，具体如下：
（1）配方设计，根据组成化学式Ni1-x-yZnxCuyMnzFe2-z-δO4，其中：x=0.25，y=0.16，z=0.08，δ=0.1，进行配方设计；
（2）称料，配方设计结果，计算并称取所需各种原材料，所述原材料为分析纯的Fe2O3、NiO、ZnO、CuO、MnCO3、Li2CO3、V2O5、Bi2O3；称取掺杂剂：0.2wt％的Li2CO3和0.2wt％的V2O5，所述掺杂剂为分析纯的Li2CO3、V2O5；
（3）一次球磨，将称取的各种原材料和掺杂剂混合装入球磨罐中，并加入球和稀释剂，稀释剂为去离子水，进行原材料一次湿法混合球磨，高效研磨设备球磨时间为8小时；
（4）预烧，将一磨浆料烘干，过30目分样筛制备成粉料，然后放入烧结炉内进行预烧，预烧温度为850℃，保温5小时；
（5）二次球磨，将预烧后的粉料，装入球磨罐中，然后加入1.0wt％的Bi2O3掺杂剂，并加入球和稀释剂，稀释剂为去离子水，进行二次湿法球磨，球磨时间为球磨时间为10小时，得到旋磁粉料，粉料粒度D50控制在1.0μm～1.5μm；
（6）制浆，先将4.5%的增塑剂（邻苯二甲酸二丁酯）、1%的分散剂（三油酸甘油酯）、8%的粘结剂（聚乙二醇缩丁醛）及50%的有机溶剂乙醇和丁酮（质量比1:1）加入球磨罐中混合10小时；再将烘干得到旋磁粉料100%加入球磨罐中球磨45小时，形成黏度为1500mPa·s左右的流延浆料；
（7）流延，将浆料进行流延制备旋磁生瓷带，流延速度控制在60mm/min，生瓷带厚度在50μm±5μm范围；
（8）叠层，将方片依次堆叠在一起，并用铝塑带进行真空包封，包封后采用温等静压压制成厚度大于3mm的生坯坯；
（9）共烧，将生坯进行排胶、烧结得到共烧样品，排胶温度为400℃，保温20小时；共烧温度为920℃，保温5小时；
（10）测试，依据GB/T9633-2012测试样品要求制备测试样品，然后进行电磁性能测试，测试结果见表1。
LTCF生瓷带性能测试结果如表1所示。
实施例2
一种毫米波LTCF生瓷带，其主相结构为尖晶石结构，其化学式为Ni1-x- yZnxCuyMnzFe2-z-δO4，其中：x=0.35，y=0.2，z=0.05，δ=0.05。
其制备方法如下：
（1）配方设计，根据组成化学式Ni1-x-yZnxCuyMnzFe2-z-δO4，其中：x=0.35，y=0.2，z=0.05，δ=0.05进行配方设计；
（2）称料，配方设计结果，计算并称取所需各种原材料，所述原材料为分析纯的Fe2O3、NiO、ZnO、CuO、MnCO3、Li2CO3、V2O5、Bi2O3；称取掺杂剂：0.1wt％的Li2CO3和0.1wt％的V2O5，所述掺杂剂为分析纯的Li2CO3、V2O5；
（3）一次球磨，将称取的各种原材料和掺杂剂混合装入球磨罐中，并加入球和稀释剂，稀释剂为去离子水，进行原材料一次湿法混合球磨，高效研磨设备球磨时间为5小时；
（4）预烧，将一磨浆料烘干，过30目分样筛制备成粉料，然后放入烧结炉内进行预烧，预烧温度为820℃，保温6小时；
（5）二次球磨，将预烧后的粉料，装入球磨罐中，再加入1.0wt％Bi2O3掺杂剂，并加入球和稀释剂，稀释剂为去离子水，进行二次湿法球磨，球磨时间为5小时，得到旋磁粉料二磨浆料，粉料粒度D50控制在1.0μm ～1.5μm；
（6）制浆，先将5%的增塑剂（聚乙二醇）、1%的分散剂（三乙醇胺）、12%的粘结剂（聚乙二醇缩丁醛）及50%的有机溶剂乙醇和丁酮（质量比1:1）加入球磨罐中混合20小时；再将烘干得到旋磁粉料加入球磨罐中球磨20小时，形成黏度为2000 mPa·s的流延浆料；
（7）流延，将浆料进行流延制备旋磁生瓷带，流延速度控制在60mm/min，生瓷带厚度50μm±5μm；
（8）叠层，将方片依次堆叠在一起，并用铝塑带进行真空包封，包封后采用温等静压压制成厚度大于3mm的生坯坯；
（9）共烧，将生坯进行排胶、共烧得到共烧基板，排胶温度为500℃，保温10小时；共烧温度为900℃，保温8小时；
（10）测试，依据GB/T9633-2012测试样品要求制备测试样品，然后进行电磁性能测试，结果如表1所示。
实施例3
一种毫米波LTCF生瓷带制备方法，其主相结构为尖晶石结构，其化学式为Ni1-x- yZnxCuyMnzFe2-z-δO4，其中：x=0.45，y=0.25，z=0.02，δ=0.01。
制备方法如下：
（1）配方设计，根据组成化学式Ni1-x-yZnxCuyMnzFe2-z-δO4，其中：x=0.45，y=0.25，z=0.02，δ=0.01进行配方设计；
（2）称料，配方设计结果，计算并称取所需各种原材料，所述原材料为分析纯的Fe2O3、NiO、ZnO、CuO、MnCO3、Li2CO3、V2O5、Bi2O3；称取掺杂剂：0.05 wt％的Li2CO3和0.05 wt％的V2O5，所述掺杂剂为分析纯的Li2CO3、V2O5；
（3）一次球磨，将称取的各种原材料和掺杂剂混合装入球磨罐中，并加入球和稀释剂，稀释剂为去离子水，进行原材料一次湿法混合球磨，高效研磨设备球磨时间为5小时；
（4）预烧，将一磨浆料烘干，60目分样筛制备成粉料，然后放入烧结炉内进行预烧，预烧温度为780℃，保温8小时；
（5）二次球磨，将预烧后的粉料，装入球磨罐中，再加入0.5wt％的Bi2O3掺杂剂，并加入球和稀释剂，稀释剂为去离子水，进行二次湿法球磨，球磨时间为5小时小时，得到旋磁粉料二磨浆料，粉料粒度D50控制在1.0μm ～1.5μm；
（6）制浆，先将1%的增塑剂（邻苯二甲基二辛酯）、5%的分散剂（三油酸甘油酯）、12%的粘结剂（聚乙二醇缩丁醛）及80%的有机溶剂乙醇和丁酮（质量比1:1）加入球磨罐中混合10小时；再将烘干得到旋磁粉料加入球磨罐中球磨20小时，形成黏度为3000 mPa·s左右的流延浆料；
（7）流延，将浆料进行流延制备生瓷带，流延速度控制在20mm/min，生瓷带厚度100μm±5μm；
（8）叠层，将方片依次堆叠在一起，并用铝塑带进行真空包封，包封后采用温等静压压制成厚度大于3mm的生坯坯；
（9）共烧，将生坯进行排胶、共烧得到共烧基板，排胶温度为400℃，保温20小时；共烧温度为880℃，保温10小时；
（10）测试，依据GB/T9633-2012测试样品要求制备测试样品，然后进行电磁性能测试。
LTCF生瓷带性能测试结果如表1所示；
表1生瓷带性能
从上表可以看出，实施例2所制得的生瓷带的综合性能指标最优，饱和磁化强度4πMs高达4620 Gauss，铁磁共振线宽△H为120 Oe，介电损耗tand e低至3.5×10-4，自旋波线宽△Hk大于16Oe，且具有较高的居里温度373℃，致密的结构，气孔率为1.9%，已满足毫米波LTCF器件设计需求。
对比例1
本对比例是以实施例2为基础，将步骤（5）中加入的Bi2O3掺杂剂改为在步骤（4）中加入，其余条件均不变，所制得的生瓷带的性能见表1。
对比例2
本对比例是以实施例2为基础，仅步骤（2）中，不添加掺杂剂Li2CO3和V2O5，其余与实施例2相同，结果见表1。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种毫米波LTCF生瓷带制备方法，其特征在于：经过配方计算后，依次通过配料、一次球磨、预烧、二次球磨、制浆、流延、叠层、共烧，得到电磁性能合格的流延生瓷带，其中，其配方组成为Ni1-x-yZnxCuyMnzFe2-z-δO4，其中：0.25≤x≤0.45，0.16≤y≤0.25，0.02≤z≤0.08，δ为缺铁量，0.01≤δ≤0.1，并在所述二次球磨步骤中加入0.5 wt％～1.0wt％的Bi2O3掺杂剂。
2.根据权利要求1所述的一种毫米波LTCF生瓷带制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
（1）配方设计：根据组成化学式Ni1-x-yZnxCuyMnzFe2-z-δO4，其中：0.25≤x≤0.45，0.16≤y≤0.25，0.02≤z≤0.08，δ为缺铁量，0.01≤δ≤0.1进行配方设计；
（2）称料：根据步骤（1）配方设计结果，计算并称取所需各种原材料，所述原材料为分析纯的Fe2O3、NiO、ZnO、CuO、MnCO3，然后按照比例称取掺杂剂：0.5 wt％～1.0wt％的Bi2O3、0.05 wt％～0.2wt％的Li2CO3和0.05 wt％～0.2wt％的V2O5，所述掺杂剂为分析纯的Li2CO3、V2O5、Bi2O3；
（3）一次球磨，将步骤（2）称取的各种原材料和掺杂剂Li2CO3、V2O5混合装入球磨罐中，并加入球和稀释剂，进行原材料一次湿法混合球磨，球磨时间为5小时～8小时；
（4）预烧：将经步骤（3）后的浆料烘干，过30目～60目分样筛制备成粉料，然后放入烧结炉内进行预烧，预烧温度为780℃～850℃，保温5小时～8小时；
（5）二次球磨，将经步骤（4）预烧后的粉料，装入球磨罐中，然后加入0.5 wt％～1.0wt％的Bi2O3掺杂剂、球和稀释剂，进行二次湿法球磨，球磨时间为5小时～10小时，得到旋磁粉料二磨浆料，粉料粒度D50控制在1.0μm～1.5μm；
（6）制浆：加入1%～5%的增塑剂、1.0 wt %～5.0 wt %的分散剂、8.0wt%～12.0 wt %的粘结剂及40.0 wt %～80.0 wt %的有机载体加入球磨罐中混合10小时～20小时，再将步骤5二次球磨浆料烘干得到的旋磁粉料100wt %加入球磨罐中球磨20小时～45小时，形成黏度为1500mPa·s～3000 mPa·s的流延浆料；
（7）流延：将步骤（6）得到的浆料进行流延制备旋磁生瓷带，流延速度控制在20～60mm/min，生瓷带厚度50μm±5μm ~100μm±5μm；
（8）叠层：将步骤（7）得到生瓷带切割成方片，将方片依次堆叠在一起，并进行真空包封，包封后采用温等静压压制成厚度大于3mm的生坯；
（9）共烧：将步骤（8）得到生坯进行排胶、共烧，排胶温度为400℃～500℃，保温10小时～20小时；共烧温度为880℃～920℃，保温5小时～10小时。
3.根据权利要求2所述的一种毫米波LTCF生瓷带制备方法，其特征在于：步骤（3）和步骤（5）中的稀释剂均为去离子水。
4.根据权利要求3所述的一种毫米波LTCF生瓷带制备方法，其特征在于：步骤（6）中的增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲基二辛酯或聚乙二醇中的任一种。
5.根据权利要求3所述的一种毫米波LTCF生瓷带制备方法，其特征在于：分散剂选自三油酸甘油酯、三乙醇胺中的一种。
6.根据权利要求3所述的一种毫米波LTCF生瓷带制备方法，其特征在于：步骤（6）中的粘结剂为聚乙二醇缩丁醛。
7.根据权利要求3所述的一种毫米波LTCF生瓷带制备方法，其特征在于：步骤（6）中的有机载体为质量比1：1的乙醇和丁酮。
8.根据权利要求3所述的一种毫米波LTCF生瓷带制备方法，其特征在于：步骤（8）中的方片尺寸为4英寸。
9.根据权利要求3所述的一种毫米波LTCF生瓷带制备方法，其特征在于：步骤（8）中的采用铝塑带进行真空包封。
10.根据权利要求3所述的一种毫米波LTCF生瓷带制备方法，其特征在于：共烧后进行性能测试。
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