CN115173676A - 一种抑制过冲尖峰的SiC MOSFET驱动电路 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种抑制过冲尖峰的SiC MOSFET驱动电路，它包括驱动电路，由P型、N型MOS管和开关管构成电流镜结构的栅极电流控制电路，在SiC MOSFET的开通和关断阶段，根据特定的驱动信号控制栅极电流控制电路中开关管的通断来调节栅极电流的流向和大小，进而抑制dv/dt和di/dt的过冲尖峰。本发明通过采用简单的电路结构分别对开通和关断阶段的SiC MOSFET开关栅极电流进行独立控制，能够有效抑制电流、电压过冲和振荡现象，且不需要增加驱动电阻阻值，不会增加开关损耗，电流镜结构产生的电流恒定受到驱动条件和参数变化的影响较小，控制效果稳定。

Description

一种抑制过冲尖峰的SiC MOSFET驱动电路
技术领域
本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种抑制过冲尖峰的SiC MOSFET驱动电路。
背景技术
随着发展新能源汽车上升为国家战略，新能源汽车已经越来越普及到生活的各个层面。作为新能源汽车的核心部件之一，电机控制器正朝着高功率、高效率、高集成度和高工作温度的方向发展。目前，新能源汽车电机控制器普遍采用硅功率器件，但由于硅半导体材料本身的限制，提高电机控制器性能的潜力已十分有限，难以满足当前新能源汽车电机控制器发展的需求。因此，迫切需要使用性能更加优异的碳化硅(SiC)功率器件进行电机控制器的设计。
碳化硅功率器件在电气性能上具有许多优势，也正是其优势带来了许多问题需要解决。一方面，高频开关会导致较高的漏源电压变化率(dv/dt)以及漏极电流变化率(di/dt)，加上电路中寄生参数的存在，会使器件在开关过程中发生电流、电压过冲和振荡，造成额外的损耗和电磁干扰，影响电力电子装置的安全稳定运行。另一方面，过高的dv/dt和di/dt容易产生桥式电路中的串扰问题，使得应用时的误导通，甚至是过压击穿造成器件的损坏。因此，SiC MOSFET的驱动电路需要具有抑制过冲和串扰的功能。
传统的栅极驱动方式有通过改变栅极电阻或者电压来控制SiC MSOFET的开关瞬态，变电阻驱动需要额外的电阻和MOS管，很难实现高可调分辨率，并且控制效果容易受到参数变化的影响，变电压驱动需要提供额外的电压源，电源涉及复杂且效率低；另外，专利申请号为202110184242.0的中国发明专利申请公开了一种基于dv/dt检测的抑制SiCMSOFET串扰的钳位有源驱动电路，其包括驱动推免电路、驱动电阻、dv/dt检测电路和钳位电路，可以通过检测dv/dt变化率，将其转化为电压信号并作为钳位电路的输入，通过钳位电路使得被驱动功率SiC MOSFET栅源电压在受到干扰后能快速稳定至关断偏置电压VEE，解决高频大功率变换器中SiC MSOFET应用中出现的串扰问题，可以保护驱动SiC MSOFET在发生正向串扰时不会误导通，在发生负向串扰时不会过压击穿，有效地抑制桥臂电路中SiCMSOFET的栅源极电压产生的串扰问题；但是其通过有源钳位驱动电路来抑制尖峰带来的串扰，需要运算放大器电路，导致整体控制电路结构复杂，对大功率变换器中产生的电磁噪声很敏感，并且由于SiC MOSFET的开关速度很快，太过复杂的控制电路很难实现控制驱动的及时性，进而会存在控制延迟的问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺点，提供了一种抑制过冲尖峰的SiC MOSFET驱动电路，解决了现有技术中存在的问题。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：一种抑制过冲尖峰的SiC MOSFET驱动电路，它包括驱动电路和SiC MOSFET开关，所述驱动电路根据驱动信号产生所述SiC MOSFET开关所需的驱动电压，还包括由多个P型和N型MOS管构成电流镜结构的栅极电流控制电路，在SiC MOSFET的开通和关断阶段，根据特定的驱动信号控制栅极电流控制电路中开关管的通断来调节栅极电流的流向和大小，进而抑制dv/dt和di/dt的过冲尖峰。
所述栅极电流控制电路包括呈对称电流镜结构的P型MOS管栅极电流控制支路和N型MOS管栅极电流控制支路；在SiC MOSFET开关处于开通阶段时通过外部驱动信号控制导通N型MOS管栅极电流控制支路，并通过预先调整好的N型MOS管栅极电流控制支路中MOS管的宽长比来调节输出电流值，从而形成稳定的电流源对SiC MOSFET开关栅极电流进行抽取；在SiC MOSFET开关处于关断阶段时通过外部驱动信号控制导通P型MOS管栅极电流控制支路，并通过预先调整好的P型MOS管栅极电流控制支路中MOS管的宽长比来调节输出电流值，从而形成稳定的电流源对SiC MOSFET开关栅极电流进行注入。
所述P型MOS管栅极电流控制支路包括两个P型MOS管S3和S4、开关管S5与电阻R1；MOS管S3和S4的源极连接偏置电压VGon，MOS管S3的漏极与栅极相连并连接到开关管S5的漏极和MOS管S4的栅极上；开关管S5的源极通过连接电阻R1接地，栅极外接外部驱动信号；MOS管S4的漏极连接SiC MOSFET开关的栅极；在SiC MOSFET开关处于关断阶段时在外部驱动信号控制下导通开关管S5，通过预先调整好的MOS管S3和S4的宽长比来调节输出电流值，从而形成稳定的电流源对SiC MOSFET开关栅极电流进行注入。
所述N型MOS管栅极电流控制支路包括三个N型MOS管S6、S7、S8和电阻R2；MOS管S7和S8的源极连接偏置电压VGoff，MOS管S7的漏极与栅极相连并连接到MOS管S8栅极和S6的源极上；MOS管S6的漏极通过连接电阻R2接地，栅极外接外部驱动信号；MOS管S8的漏极连接SiC MOSFET开关的栅极；在SiC MOSFET开关处于开通阶段时在外部驱动信号控制下导通MOS管S6，通过预先调整好的MOS管S7和S8的宽长比来调节输出电流值，从而形成稳定的电流源对SiC MOSFET开关栅极电流进行抽取。
所述驱动电路包括MOS管S1、S2、驱动电阻Rgon和Rgoff；MOS管S1的源极连接偏置电压VGon，漏极通过连接驱动电阻Rgon连接到SiC MOSFET开关的栅极；MOS管S2的源极连接偏置电压VGoff，漏极通过连接驱动电阻Rgoff连接到SiC MOSFET开关的栅极；MOS管S1和S2的栅极均连接外部驱动信号。
所述SiC MOSFET开关的漏极连接电压Vdc，寄生电容Cgd与漏极和栅极连接，电容Cgs与栅极和源极连接，电容Cds与漏极和源极连接。
本发明具有以下优点：一种抑制过冲尖峰的SiC MOSFET驱动电路，通过采用简单的电路结构分别对开通和关断阶段的SiC MOSFET开关栅极电流进行独立控制，能够有效抑制电流、电压过冲和振荡现象，且不需要增加驱动电阻阻值，不会增加开关损耗，电流镜结构产生的电流恒定受到驱动条件和参数变化的影响较小，控制效果稳定，同时由于采用开环控制，不需要增加额外的监测电路，实用性强，实现简单，控制效果好。
附图说明
图1为本发明的电路示意图；
图2为SiC MOSFET开关开通过程电压电流变化示意图；
图3为SiC MOSFET开关关断过程电压电流变化示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下结合附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的保护范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。下面结合附图对本发明做进一步的描述。
本发明涉及一种抑制过冲尖峰的SiC MOSFET开环驱动电路，其包括驱动电路和电流镜结构的栅极电流控制电路，其中，驱动电路根据驱动信号产生SiC MOSFET开关所需要的驱动电压，栅极电流控制电路分为上下两部分，分别是由P型和N型MOS管构成的电流镜结构，并且通过两个开关管进行控制，栅极电流控制电路在SiC MOSFET开通和关断的特定阶段内作用，调节栅极电流的流向和大小，从而抑制过高的dv/dt和di/dt；在器件开关过程中通过栅极电流控制电路来产生稳定的电流源来改变栅极电流的大小，不仅能有效地抑制器件开关过程中的电流、电压过冲和减小额外的开关损耗，同时工作稳定，受参数变化的影响小。此外，控制方式采用开环控制，也没使用电感器件，降低了系统的成本和复杂程度。
如图1所示，其中，驱动电路由MOS管S1和S2组成，开通偏置电压VGon可设置为20V，关断偏置电压VGoff可设置为-5V，MOS管S1的源极连接驱动正电压VGon，其漏极连接驱动电阻Rgon。MOS管S2的源极连接驱动负电压VGoff，其漏极连接驱动电阻Rgoff，驱动电阻Rgon和Rgoff连接到SiC MOSFET的栅极。
其中，栅极电流控制电路包括呈对称电流镜结构的P型MOS管栅极电流控制支路和N型MOS管栅极电流控制支路；在SiC MOSFET开关处于开通阶段时通过外部驱动信号控制导通N型MOS管栅极电流控制支路，并通过预先调整好的N型MOS管栅极电流控制支路中MOS管的宽长比来调节输出电流值，从而形成稳定的电流源对SiC MOSFET开关栅极电流进行抽取；在SiC MOSFET开关处于关断阶段时通过外部驱动信号控制导通P型MOS管栅极电流控制支路，并通过预先调整好的P型MOS管栅极电流控制支路中MOS管的宽长比来调节输出电流值，从而形成稳定的电流源对SiC MOSFET开关栅极电流进行注入。
进一步地，P型MOS管栅极电流控制支路包括两个P型MOS管S3和S4、开关管S5与电阻R1；MOS管S3和S4的源极连接偏置电压VGon，MOS管S3的漏极与栅极相连并连接到开关管S5的漏极和MOS管S4的栅极上；开关管S5的源极通过连接电阻R1接地，栅极外接外部驱动信号；MOS管S4的漏极连接SiC MOSFET开关的栅极；在SiC MOSFET开关处于关断阶段时在外部驱动信号控制下导通开关管S5，通过预先调整好的MOS管S3和S4的宽长比来调节输出电流值，从而形成稳定的电流源对SiC MOSFET开关栅极电流进行注入。
进一步地，N型MOS管栅极电流控制支路包括三个N型MOS管S6、S7、S8和电阻R2；MOS管S7和S8的源极连接偏置电压VGoff，MOS管S7的漏极与栅极相连并连接到MOS管S8栅极和S6的源极上；MOS管S6的漏极通过连接电阻R2接地，栅极外接外部驱动信号；MOS管S8的漏极连接SiC MOSFET开关的栅极；在SiC MOSFET开关处于开通阶段时在外部驱动信号控制下导通MOS管S6，通过预先调整好的MOS管S7和S8的宽长比来调节输出电流值，从而形成稳定的电流源对SiC MOSFET开关栅极电流进行抽取。
本发明的工作原理是：MOS管S1和S2根据PWM驱动信号正常动作，在开通过程中的特定阶段导通MOS管S6，使得下部分栅极电流控制电路动作。此时，由于MOS管S7的漏极与栅极相连，MOS管S7漏源两端的电压大于阈值电压使其导通，并且栅极电压恒定，流过MOS管S7的电流也恒定，S7工作在饱和区。由于MOS管S8的栅极与S7相连，栅源极电压相同，S8也导通且工作在饱和区，输出恒定电流。MOS管S7和S8的电流比值等于两个器件的宽长比的比值，因此，可以通过预先调整好的两个MOS管的宽长比来获得期望的输出电流值，从而形成稳定的电流源对栅极电流进行抽取。同理，在关断过程中的特定阶段导通开关管S5，对栅极电流进行注入。
如图2和图3所示，本发明的具体工作过程从开通和关断两个阶段进行分析；
(1)SiC MOSFET开关开通过程：
[t0-t1]：MOS管S1导通，其余MOS管关闭，驱动电压通过Rgon对Cgs和Cgd充电，SiCMOSFET器件尚处于截止状态。vGS以指数的形式从VGoff开始上升，在t1时刻达到阈值电压Vth。
[t1-t2]：漏极电流iD从零迅速上升，器件开始导通，漏源极电压保持在总线电压Vdc，为了避免电流过冲，在t2时刻导通MOS管S6，N型MOS管栅极电流控制支路开始工作。
[t2-t3]：MOS管S6导通，S7和S8也随之导通，栅极电流因分流而减小，因此漏极电流的上升趋势缓和，di/dt减小，减少的栅极电流和电流过冲如图2中的虚线到实线所示。t3时刻，vGS进入米勒平台VM。
[t3-t4]：漏极电流饱和并维持稳定，驱动电压对Cgd充电，漏源极电压VDS开始下降。t4时刻米勒平台结束，同时关断S6，断开N型MOS管栅极电流控制支路。
[t4-t5]：漏源极电压VDS下降到0V，VGon继续给Cgs充电，直至Vgs＝VGon，完成导通过程。
(2)SiC MOSFET开关关断过程：
[t6-t7]：MOS管S2导通，其余MOS管关闭，电容Cgs和Cgd通过Rgoff放电，vGS开始下降。t7时刻，vGS下降至米勒平台，同时开通开关管S5，P型MOS管栅极电流控制支路开始工作。
[t7-t8]：漏极电压开始上升，且开关管S5导通，S3和S4顺势导通，电流镜电流注入到栅极中，栅极放电电流减小，dv/dt减小，减小的栅极电流和电压过冲如图中虚线到实线所示。t8时刻米勒平台结束，同时关断S5，断开P型MOS管栅极电流控制支路。
[t8-t9]：栅极电压vGS从米勒平台继续下降到阈值电压Vth，同时漏极电流下降到0。
[t9-t10]：电容Cgs完全放电，vGS进一步下降，直至达到Vgoff，漏源极电压VDS保持在总线电压Vdc。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。

Claims (6)

1.一种抑制过冲尖峰的SiC MOSFET驱动电路，它包括驱动电路和SiC MOSFET开关，所述驱动电路根据驱动信号产生所述SiC MOSFET开关所需的驱动电压，其特征在于：还包括由P型、N型MOS管和开关管构成电流镜结构的栅极电流控制电路，在SiC MOSFET的开通和关断阶段，根据特定的驱动信号控制栅极电流控制电路中开关管的通断来调节栅极电流的流向和大小，进而抑制dv/dt和di/dt的过冲尖峰。
2.根据权利要求1所述的一种抑制过冲尖峰的SiC MOSFET驱动电路，其特征在于：所述栅极电流控制电路包括呈对称电流镜结构的P型MOS管栅极电流控制支路和N型MOS管栅极电流控制支路；在SiC MOSFET开关处于开通阶段时通过外部驱动信号控制导通N型MOS管栅极电流控制支路，并通过预先调整好的N型MOS管栅极电流控制支路中MOS管的宽长比来调节输出电流值，从而形成稳定的电流源对SiC MOSFET开关栅极电流进行抽取；在SiCMOSFET开关处于关断阶段时通过外部驱动信号控制导通P型MOS管栅极电流控制支路，并通过预先调整好的P型MOS管栅极电流控制支路中MOS管的宽长比来调节输出电流值，从而形成稳定的电流源对SiC MOSFET开关栅极电流进行注入。
3.根据权利要求2所述的一种抑制过冲尖峰的SiC MOSFET驱动电路，其特征在于：所述P型MOS管栅极电流控制支路包括两个个P型MOS管S3和S4、开关管S5与电阻R1；MOS管S3和S4的源极连接偏置电压VGon，MOS管S3的漏极与栅极相连并连接到开关管S5的漏极和MOS管S4的栅极上；开关管S5的源极通过连接电阻R1接地，栅极外接外部驱动信号；MOS管S4的漏极连接SiC MOSFET开关的栅极；在SiC MOSFET开关处于关断阶段时在外部驱动信号控制下导通开关管S5，通过预先调整好的MOS管S3和S4的宽长比来调节输出电流值，从而形成稳定的电流源对SiC MOSFET开关栅极电流进行注入。
4.根据权利要求2所述的一种抑制过冲尖峰的SiC MOSFET驱动电路，其特征在于：所述N型MOS管栅极电流控制支路包括三个N型MOS管S6、S7、S8和电阻R2；MOS管S7和S8的源极连接偏置电压VGoff，MOS管S7的漏极与栅极相连并连接到MOS管S8栅极和S6的源极上；MOS管S6的漏极通过连接电阻R2接地，栅极外接外部驱动信号；MOS管S8的漏极连接SiC MOSFET开关的栅极；在SiC MOSFET开关处于开通阶段时在外部驱动信号控制下导通MOS管S6，通过预先调整好的MOS管S7和S8的宽长比来调节输出电流值，从而形成稳定的电流源对SiC MOSFET开关栅极电流进行抽取。
5.根据权利要求1所述的一种抑制过冲尖峰的SiC MOSFET驱动电路，其特征在于：所述驱动电路包括MOS管S1、S2、驱动电阻Rgon和Rgoff；MOS管S1的源极连接偏置电压VGon，漏极通过连接驱动电阻Rgon连接到SiC MOSFET开关的栅极；MOS管S2的源极连接偏置电压VGoff，漏极通过连接驱动电阻Rgoff连接到SiC MOSFET开关的栅极；MOS管S1和S2的栅极均连接外部驱动信号。
6.根据权利要求1所述的一种抑制过冲尖峰的SiC MOSFET驱动电路，其特征在于：所述SiC MOSFET开关的漏极连接电压Vdc，寄生电容Cgd与漏极和栅极连接，电容Cgs与栅极和源极连接，电容Cds与漏极和源极连接。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116224003A (zh) * 2022-12-26 2023-06-06 重庆大学 Mos型半导体器件的阈值电压稳定性测试电路
CN116436450A (zh) * 2023-03-28 2023-07-14 重庆大学 Mos型半导体器件的栅极驱动电路和电力变换装置
CN117674554A (zh) * 2023-12-07 2024-03-08 西南交通大学 一种SiC MOSFET振荡抑制电路

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007215389A (ja) * 2006-01-12 2007-08-23 Hitachi Ltd パワー半導体素子とこれを用いた半導体回路
JP2018098848A (ja) * 2016-12-09 2018-06-21 新電元工業株式会社 パワーモジュール及び半導体装置
CN110838787A (zh) * 2019-11-15 2020-02-25 湖南大学 一种改善驱动性能的SiC MOSFET主动驱动电路
CN113315354A (zh) * 2021-06-24 2021-08-27 南通大学 一种抑制SiC MOSFET串扰的低阻抗钳位驱动电路
CN113937989A (zh) * 2021-11-16 2022-01-14 西安电子科技大学 抑制SiC MOSFET串扰和漏极电流过冲的驱动电路及方法
CN114024432A (zh) * 2021-11-16 2022-02-08 西安电子科技大学 一种SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路
CN114337201A (zh) * 2021-12-13 2022-04-12 南京航空航天大学 一种抑制SiC MOSFET尖峰及串扰的驱动电路

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007215389A (ja) * 2006-01-12 2007-08-23 Hitachi Ltd パワー半導体素子とこれを用いた半導体回路
JP2018098848A (ja) * 2016-12-09 2018-06-21 新電元工業株式会社 パワーモジュール及び半導体装置
CN110838787A (zh) * 2019-11-15 2020-02-25 湖南大学 一种改善驱动性能的SiC MOSFET主动驱动电路
CN113315354A (zh) * 2021-06-24 2021-08-27 南通大学 一种抑制SiC MOSFET串扰的低阻抗钳位驱动电路
CN113937989A (zh) * 2021-11-16 2022-01-14 西安电子科技大学 抑制SiC MOSFET串扰和漏极电流过冲的驱动电路及方法
CN114024432A (zh) * 2021-11-16 2022-02-08 西安电子科技大学 一种SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路
CN114337201A (zh) * 2021-12-13 2022-04-12 南京航空航天大学 一种抑制SiC MOSFET尖峰及串扰的驱动电路

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王文月，等: "抑制SiC MOSFET瞬态电压尖峰的改进驱动电路设计", 《科技创新与应用》, vol. 11, no. 14, 18 May 2021 (2021-05-18), pages 21 - 23 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116224003A (zh) * 2022-12-26 2023-06-06 重庆大学 Mos型半导体器件的阈值电压稳定性测试电路
CN116224003B (zh) * 2022-12-26 2023-11-14 重庆大学 Mos型半导体器件的阈值电压稳定性测试电路
CN116436450A (zh) * 2023-03-28 2023-07-14 重庆大学 Mos型半导体器件的栅极驱动电路和电力变换装置
CN116436450B (zh) * 2023-03-28 2024-04-09 重庆大学 Mos型半导体器件的栅极驱动电路和电力变换装置
CN117674554A (zh) * 2023-12-07 2024-03-08 西南交通大学 一种SiC MOSFET振荡抑制电路
CN117674554B (zh) * 2023-12-07 2024-09-17 西南交通大学 一种SiC MOSFET振荡抑制电路

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