CN111600461A - 一种改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路及方法，包括SiC MOSFET上桥臂和SiC MOSFET下桥臂；在每一个桥臂的SiC MOSFET栅极和源极之间，分别并联防直通电阻和由辅助三极管与辅助电容组成的串联防直通支路。本发明能够有效降低在高开关频率下由于器件的快速开通关断产生的正向桥臂串扰与负向桥臂串扰现象，以提高SiC MOSFET桥式电路的工作可靠性，同时不增加电路复杂度以及在正常工作情况下对电路的开关速度没有任何影响。

Description

一种改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路及方法
技术领域
本发明涉及SiC MOSFET桥式电路电压串扰抑制技术领域，尤其涉及一种改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路及方法。
背景技术
本部分的陈述仅仅是提供了与本发明相关的背景技术信息，不必然构成在先技术。
SiC MOSFET作为第三代宽禁带半导体器件的代表，具有耐压能力高、热导率高散热容易、导通损耗和开关损耗低、功率模块体积小的特点，因此被广泛应用于控制领域中。但是目前SIC MOSFET的应用尚未成熟，在控制领域仍存在各种问题。在三相逆变电路中，SiC MOSFET以其较低的寄生参数加快了开关速度以及降低了开关损耗，但是同时也会在开关瞬间带来较大的电压过冲，在较高的开关频率下，会引起桥臂震荡与串扰现象，甚至导致误导通造成上下桥臂直通，损坏器件。
桥臂串扰分为两类，一类为当桥臂中一器件处于关断期间另一器件开通瞬间由于漏电流流经驱动电阻使栅源驱动电压抬升，产生了正向的尖峰脉冲，如果此值超过正向门极阈值电压，会导致器件误导通，此为正向串扰；另一类为当桥臂中一器件处于关断期间另一器件关断瞬间寄生电容放电，产生一个负向尖峰脉冲，由于SiC MOSFET具有较小的栅源极耐负压能力，因此可能会造成反向击穿，损坏器件，此为负向串扰。
发明人发现，在现有的串扰抑制技术中，大多数仅考虑抑制正向串扰，很少考虑负向串扰，而考虑负向串扰的技术则需要增加额外的控制信号，增加了驱动电路的复杂性或是通过牺牲开关速度增大开关损耗来实现串扰抑制。
发明内容
有鉴于此，本发明提出了一种改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路及方法，考虑桥式电路的正向串扰与负向串扰，设计了改进钳位抑制电路，能够有效降低在高开关频率下由于器件的快速开通关断产生的正向桥臂串扰与负向桥臂串扰现象，以提高SiCMOSFET桥式电路的工作可靠性，同时不增加电路复杂度以及在正常工作情况下对电路的开关速度没有任何影响。
在一些实施方式中，采用如下技术方案：
一种改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路，包括SiC MOSFET上桥臂和SiCMOSFET下桥臂；在每一个桥臂的SiC MOSFET栅极和源极之间，分别并联防直通电阻和由辅助三极管与辅助电容组成的串联防直通支路。
作为进一步地方案，所述辅助三极管的集电极和发射极之间并联续流二极管D4。
作为进一步地方案，所述辅助三极管的基极和发射极之间并联反向二极管D3。
作为进一步地方案，所述反向二极管D3的正向端口与辅助三极管的基极及驱动电阻Rg的末端相连，驱动电阻Rg的首端与驱动电源相连接；所述反向二极管D3的负向端口与辅助三极管的发射极相连。
在另一些实施方式中，采用如下技术方案：
一种改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路的工作方法，包括：
SiC MOSFET上桥臂导通瞬间，SiC MOSFET下桥臂的SiC MOSFET漏源极之间电压升高，寄生电容上的密勒电流给栅源极寄生电容与防直通电阻充电，使得SiC MOSFET栅极驱动电压升高；
当所述栅极驱动电压与负向关断电压的差值大于辅助三极管的阈值电压时，辅助三极管导通，辅助电容加入电路，增大了栅源极寄生电容，从而降低正向尖峰脉冲。
SiC MOSFET上桥臂关断瞬间，SiC MOSFET下桥臂的SiC MOSFET漏源极两端电压下降为0，使得栅源极寄生电容放电；通过辅助电容为栅源极寄生电容续流，减小了下桥臂栅源极上负向电压尖峰。
在另一些实施方式中，采用如下技术方案：
一种SiC MOSFET桥式电路，包括：上述的改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明能够有效降低在高开关频率下由于器件的快速开通关断产生的正向桥臂串扰与负向桥臂串扰现象，以提高SiC MOSFET桥式电路的工作可靠性，同时不增加电路复杂度以及在正常工作情况下对电路的开关速度没有任何影响。
本发明在SiC MOSFET开通期间，反向二极管D3的存在使得抑制串扰的电路不会接入导通电路，对于开关器件的开关速度与开关损耗没有影响。
本发明驱动电路也可适用于其他功率管桥式电路的串扰抑制驱动。
本发明的其他特征和附加方面的优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本方面的实践了解到。
附图说明
图1为SiC MOSFET桥式电路的桥臂串扰示意图；
图2是本发明实施例中改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路图。
具体实施方式
应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本发明使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
实施例一
如图1所示，下桥臂关断期间，上桥臂电路的开通与关断分别为下桥臂带来正负向电压串扰，由于SiC MOSFET的正向阈值电压与负向耐压较低，因此很容易导致直通现象。
基于此，为了抑制正负向串扰尖峰，同时不影响电路开关速度，在一个或多个实施方式中，公开了一种改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路，包括SiC MOSFET上桥臂和SiC MOSFET下桥臂；在每一个桥臂的SiC MOSFET栅极和源极之间，分别并联防直通电阻和由辅助三极管与辅助电容串联组成的串联防直通支路。
其中，辅助三极管的集电极和发射极之间并联续流二极管D4；辅助三极管的基极和发射极之间并联反向二极管D3，反向二极管D3的正向端口与辅助三极管的基极及驱动电阻Rg的末端相连，驱动电阻Rg的首端与驱动电源相连接；所述反向二极管D3的负向端口与辅助三极管的发射极相连。
具体地，参照图2，以SiC MOSFET下桥臂为例，串扰抑制电路包括：并联于SiCMOSFET栅源两极之间的防直通电阻RSL、辅助三极管(PNP)Q2与辅助电容C2的串联防直通支路，同时一续流二极管D4并联于辅助三极管。
此外，辅助三极管的发射极与基极之间并联一反向二极管D3，二极管的正向端口与辅助三极管的基极及驱动电阻Rg的末端相连，二极管的负向端口与辅助三极管的发射极相连，驱动电阻的首端则与驱动电源DC相连接。
改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路的工作方法如下：
SiC MOSFET上桥臂导通瞬间，SiC MOSFET下桥臂的碳化硅场效应管(SiC MOSFET)QL的漏源极之间电压Vds急剧升高，寄生电容CgdL上经过一大小为
Figure BDA0002511622870000051
的密勒电流，密勒电流给栅源极寄生电容与防直通电阻RSL充电使得QL栅极驱动电压VgsL升高，当此电压与负向关断电压的差值(即为反向二极管D3上的反向压降)大于三极管Q2的阈值电压时，三极管Q2导通，此时辅助电容C2进入电路，辅助电容C2与栅源电容CgsL并联，相当于增大了栅源电容，从而降低了正向尖峰脉冲。
SiC MOSFET上桥臂关断瞬间，下桥臂碳化硅场效应管(SiC MOSFET)QL漏源极两端电压Vds迅速下降为0，使得密勒电容CgdL放电，同时辅助电容C2通过续流二极管D4为密勒电容续流，减小了下桥臂栅源极上负向电压尖峰。
此外，若驱动电源的负向驱动电压中若产生较高的电压尖峰，此电压尖峰则会通过防直通电阻RS吸收，从而有效地防止了桥臂直通。
在功率管开通期间，反向二极管D3的存在使其使得抑制串扰的电路不会接入电路，从而对于器件的开关速度与开关损耗没有任何影响。
需要说明的是，本实施例的串扰抑制驱动电路不仅适用于SiC MOSFET的串扰抑制驱动，也可以用于其他功率管桥式电路的串扰抑制驱动，比如：IGBT功率管的驱动。
实施例二
在一个或多个实施方式中，公开了一种SiC MOSFET桥式电路，包括：实施例一中所述的改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路。
上述虽然结合附图对本发明的具体实施方式进行了描述，但并非对本发明保护范围的限制，所属领域技术人员应该明白，在本发明的技术方案的基础上，本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形仍在本发明的保护范围以内。

Claims (10)

1.一种改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路，包括SiC MOSFET上桥臂和SiCMOSFET下桥臂；其特征在于，在每一个桥臂的SiC MOSFET栅极和源极之间，分别并联防直通电阻和由辅助三极管与辅助电容组成的串联防直通支路。
2.如权利要求1所述的一种改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路，其特征在于，所述辅助三极管的集电极和发射极之间并联续流二极管D4。
3.如权利要求1所述的一种改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路，其特征在于，所述辅助三极管的基极和发射极之间并联反向二极管D3。
4.如权利要求3所述的一种改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路，其特征在于，所述反向二极管D3的正向端口与辅助三极管的基极及驱动电阻Rg的末端相连，驱动电阻Rg的首端与驱动电源相连接；所述反向二极管D3的负向端口与辅助三极管的发射极相连。
5.如权利要求1所述的一种改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路，其特征在于，所述串联防直通支路由辅助三极管与辅助电容串联组成。
6.一种改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路的工作方法，其特征在于，包括：
SiC MOSFET上桥臂导通瞬间，SiC MOSFET下桥臂的SiC MOSFET漏源极之间电压升高，寄生电容上的密勒电流给栅源极寄生电容与防直通电阻充电，使得SiC MOSFET栅极驱动电压升高；
当所述栅极驱动电压与负向关断电压的差值大于辅助三极管的阈值电压时，辅助三极管导通，辅助电容加入电路，增大了栅源极寄生电容，从而降低正向尖峰脉冲。
7.如权利要求6所述的改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路的工作方法，其特征在于，还包括：
SiC MOSFET上桥臂关断瞬间，SiC MOSFET下桥臂的SiC MOSFET漏源极两端电压下降为0，使得栅源极寄生电容放电；通过辅助电容为栅源极寄生电容续流，减小了下桥臂栅源极上负向电压尖峰。
8.如权利要求6所述的改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路的工作方法，其特征在于，还包括：
驱动电源的负向驱动电压中产生的电压尖峰，通过防直通电阻吸收，防止桥臂直通。
9.如权利要求6所述的改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路的工作方法，其特征在于，还包括：
在SiC MOSFET开通期间，抑制串扰的电路不会接入导通电路，对于开关器件的开关速度与开关损耗没有影响。
10.一种SiC MOSFET桥式电路，其特征在于，包括：权利要求1-5任一项所述的改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112147480A (zh) * 2020-10-16 2020-12-29 华中科技大学 一种抑制串扰的碳化硅mosfet桥臂电路及设计方法
CN112737312A (zh) * 2020-12-28 2021-04-30 山东大学 一种抑制SiC MOSFET桥式电路串扰的驱动电路
CN113114057A (zh) * 2021-04-13 2021-07-13 深圳市倍轻松科技股份有限公司 按摩仪控制电路、方法和按摩仪
CN113708639A (zh) * 2021-08-23 2021-11-26 中国科学院电工研究所 一种无线充电系统的驱动电路构建方法及系统
CN114744861A (zh) * 2022-05-18 2022-07-12 哈尔滨工业大学 一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102624246A (zh) * 2012-03-23 2012-08-01 浙江大学宁波理工学院 单端正激并联推挽式大功率变换器
CN103944549A (zh) * 2014-04-03 2014-07-23 南京航空航天大学 一种高可靠性mosfet驱动电路
CN109980905A (zh) * 2019-04-15 2019-07-05 湖南德雅坤创科技有限公司 碳化硅场效应管的串扰抑制电路、驱动电路及桥式变换器
CN110048699A (zh) * 2019-05-21 2019-07-23 哈尔滨工业大学 一种抑制GaN半桥模块桥臂串扰的栅极驱动电路

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102624246A (zh) * 2012-03-23 2012-08-01 浙江大学宁波理工学院 单端正激并联推挽式大功率变换器
CN103944549A (zh) * 2014-04-03 2014-07-23 南京航空航天大学 一种高可靠性mosfet驱动电路
CN109980905A (zh) * 2019-04-15 2019-07-05 湖南德雅坤创科技有限公司 碳化硅场效应管的串扰抑制电路、驱动电路及桥式变换器
CN110048699A (zh) * 2019-05-21 2019-07-23 哈尔滨工业大学 一种抑制GaN半桥模块桥臂串扰的栅极驱动电路

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112147480A (zh) * 2020-10-16 2020-12-29 华中科技大学 一种抑制串扰的碳化硅mosfet桥臂电路及设计方法
CN112737312A (zh) * 2020-12-28 2021-04-30 山东大学 一种抑制SiC MOSFET桥式电路串扰的驱动电路
CN113114057A (zh) * 2021-04-13 2021-07-13 深圳市倍轻松科技股份有限公司 按摩仪控制电路、方法和按摩仪
CN113708639A (zh) * 2021-08-23 2021-11-26 中国科学院电工研究所 一种无线充电系统的驱动电路构建方法及系统
CN113708639B (zh) * 2021-08-23 2023-10-27 中国科学院电工研究所 一种无线充电系统的驱动电路构建方法及系统
CN114744861A (zh) * 2022-05-18 2022-07-12 哈尔滨工业大学 一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路
CN114744861B (zh) * 2022-05-18 2023-03-10 哈尔滨工业大学 一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路

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