CN115141396B - 一种高介电常数C@SiC/PI复合薄膜及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高介电常数C@SiC/PI复合薄膜及其制备方法；通过制备碳包裹碳化硅的C@SiC纳米颗粒，将C@SiC纳米颗粒均匀分散在除水DMAc溶剂中，通过共混法制备出C@SiC/PAA共混溶液，再经过涂膜、真空干燥，最后热亚胺化制得C@SiC/PI复合薄膜。本发明与现有技术相比，最高介电常数可达40.2（100Hz），为纯PI薄膜的11.4倍，并且其介电损耗仍小于0.6，且具有较高的储能密度，同时保持着聚酰亚胺优异的热学及力学性能，可以应用于制备高温薄膜电容器。
Description
技术领域
本发明属于有机/无机材料领域，具体涉及一种高介电常数C@SiC/PI复合薄膜及其制备方法。
背景技术
聚酰亚胺是一类具有优异的热稳定性、机械性能及电性能的高性能高分子材料，广泛应用于汽车、航空航天、微电子等高科技领域。
现有技术中的聚酰亚胺介电常数都较小（一般为2.5
3.5左右），其中结构中含有
联吡啶单元的聚酰亚胺介电常数也低于8（专利号：ZL201510527053.3），但其介电常数仍然
不足，难以应用于高储能密度电容器中。
基于上述背景技术，有必要研发一种具有更高介电常数的聚酰亚胺基复合材料，使其具有高介电常数、低介电损耗，同时保存聚酰亚胺优异的热学性能以及力学性能，充分扩展其应用的广泛性。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供了一种高介电常数C@SiC/PI复合薄膜及其制备方法，包括如下步骤：
（1）取纳米碳化硅加入葡萄糖溶液超声分散2-4h；将所述溶液转移至水热反应釜，在150-180℃条件下水热反应6-10h，得到纳米颗粒；将所述纳米颗粒干燥后再转移到高温管式炉，在450℃下碳化4-8h，得到C@SiC纳米颗粒。
（2）将所述C@SiC纳米颗粒加入到除水DMAc溶剂中并超声分散1-4h，得到C@SiC/DMAc分散液；将所述C@SiC/DMAc分散液加入PAA溶液中进行搅拌，得到C@SiC/PAA共混溶液。
（3）将所述C@SiC/PAA共混溶液涂膜在玻璃板后进行干燥，再在真空烘箱干燥并进行亚胺化，制得C@SiC/PI复合薄膜。
优选的，所述纳米碳化硅为5-30nm，所述葡萄糖溶液的浓度为25-50 ml/g。
优选的，所述碳化硅与葡萄糖以1:4-1:8的质量比混合。
优选的，所述C@SiC纳米颗粒中碳包裹的SiC的厚度为2-20纳米。
优选的，所述PAA溶液按照如下方法配置：将4,4′-二氨基联苯（ODA）与3,3′,4,4′-
二苯甲酮四甲酸二酐（BTDA）加入除水的N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)，在300~1200 rpm机械搅
拌下，于-5
5℃反应5~12小时，得到粘度为1.0
3.5 dl/g的PAA溶液；
优选的，所述涂膜在玻璃板后进行干燥，所述干燥是指在40~60℃下干燥6~12小时。
优选的，所述干燥并进行亚胺化是指在60~100℃下干燥6~12小时，在200℃~400℃下亚胺化。
所述方法得到C@SiC/PI复合薄膜可用作电池隔膜。
本发明的有益效果：
1、所述复合薄膜介电常数高，最高介电常数可达40.2（100Hz），是纯PI薄膜的11.4倍。
2、所述复合薄膜介电损耗仍小于 0.6，且储能密度为2.49J/cm3，是纯PI薄膜的3.2倍。
3、所述复合薄膜保持聚酰亚胺优异的耐热性能以及优异的机械柔韧性。
4、所述复合薄膜可以应用于制备高储能的高温薄膜电容器。
附图说明
图1：C@Si/PI复合膜的介电常数。
图2：C@Si/PI复合膜的投射电镜图。
具体实施方式
发明提供的一种高介电常数C@SiC/PI复合薄膜及其制备方法，可以包括如下步骤：
（1）C@SiC纳米颗粒制备：配制25-50 ml/g的葡萄糖溶液，取0.2-0.4g纳米碳化硅（5-30nm）加入烧杯中，再加入40-80 ml葡萄糖溶液，其中碳化硅与葡萄糖以1:4-1:8的质量比混合；超声2-4h，然后转移至水热反应釜，在150-180℃条件下水热反应6-10h，取出纳米颗粒干燥后再转移到高温管式炉进行碳化，在450℃下碳化4-8h，制备出的C@SiC纳米颗粒，所述C@SiC纳米颗粒中碳包裹的SiC的厚度为2-20纳米。
（2）预聚阶段：将4,4′-二氨基联苯（ODA）与3,3′,4,4′-二苯甲酮四甲酸二酐
（BTDA）加入除水的N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)，在300~1200 rpm强烈的机械搅拌下，于-5
5
℃反应5~12小时，得到特性粘度为1.0
3.5 dl/g的PAA溶液；将1%-30%的C@SiC纳米颗粒加
入到除水DMAc溶剂中，超声分散1-4h，得到C@SiC/DMAc分散液。将固含量为1%-30%的C@SiC/
DMAc分散液分别加入PAA溶液中，充分搅拌使得分散均匀，得到1%-30%的C@SiC/PAA共混溶
液。
（3）热亚胺化阶段：将步骤（2）得到的C@SiC/PAA共混溶液倾倒在玻璃板上，在玻璃板上均匀涂膜，在40~60℃下干燥6~12小时，再在真空烘箱60~100℃下干燥6~12小时，200℃~400℃下亚胺化，得到C@SiC/PI复合薄膜。
下面将结合具体实施例来详细说明本发明所具有的有益效果，旨在帮助阅读者更好地理解本发明的实质，但不能对本发明的实施和保护范围构成任何限定。
实施例1
取0.2g纳米碳化硅到烧杯中，再配制25ml/g葡萄糖溶液，取40ml葡萄糖溶液到烧杯，并搅拌超声2h。然后转移至水热反应釜，在180℃条件下水热反应10h，取出纳米粉末干燥后再转移到高温管式炉进行碳化，在450℃下碳化4h，最后制备出C@SiC纳米颗粒。
实施例2
预聚阶段：将4,4′-二氨基联苯（ODA, 1.84g, 0.01mol）与3,3′,4,4′-二苯甲酮四甲酸二酐（BTDA, 3.22g, 0.01mol），再加入DMAc 43.0g，在700 rpm强烈的机械搅拌下，于5℃反应6小时，得到特性粘度为2.2 dl/g的聚酰胺酸溶液。 将C@SiC纳米颗粒加入到除水DMAc溶剂中，超声分散2h，得到C@SiC/DMAc分散液。将固含量为1% C@SiC/DMAc分散液分别加入PAA预聚体中，充分搅拌使得分散均匀，得到含C@SiC 1%的C@SiC/PAA共混溶，
热亚胺化阶段：含C@SiC 1 %的C@SiC/PAA共混溶液倾倒在玻璃板上，在玻璃板上均匀涂膜，在50℃下干燥6小时，再转入真空烘箱在80℃干燥6小时，320℃下亚胺化，即可得到C@SiC 1 %的C@SiC/PI复合薄膜。该C@SiC/PI复合薄膜介电常数为18.1（100 Hz），氮气保护下5%的热失重温度为533℃，拉伸强度为117 MPa。
实施例3
预聚阶段：将4,4′-二氨基联苯（ODA, 1.84g, 0.01mol）与3,3′,4,4′-二苯甲酮四甲酸二酐（BTDA, 3.22 g, 0.01mol），再加入DMAc 43.0g，在700 rpm强烈的机械搅拌下，于5 ℃反应6小时，得到特性粘度为2.2 dl/g的聚酰胺酸溶液。 将C@SiC纳米颗粒加入到除水DMAc溶剂中，超声分散2h，得到C@SiC/DMAc分散液。将固含量为5% C@SiC/DMAc分散液分别加入PAA预聚体中，充分搅拌使得分散均匀，得到含C@SiC 5%的C@SiC/PAA共混溶，
热亚胺化阶段：含C@SiC 5%的C@SiC/PAA共混溶液倾倒在玻璃板上，在玻璃板上均匀涂膜，在50℃下干燥6小时，再转入真空烘箱在80℃干燥6小时，320℃下亚胺化，即可得到C@SiC 5%的C@SiC/PI复合薄膜。该C@SiC/PI复合薄膜介电常数为22.0（100 Hz），氮气保护下5%的热失重温度为537℃，拉伸强度为134 MPa。
实施例4
预聚阶段：将4,4′-二氨基联苯（ODA, 1.84g, 0.01mol）与3,3′,4,4′-二苯甲酮四甲酸二酐（BTDA, 3.22g, 0.01mol），再加入DMAc 43.0g，在700 rpm强烈的机械搅拌下，于5℃反应6小时，得到特性粘度为2.2 dl/g的聚酰胺酸溶液。 将C@SiC纳米颗粒加入到除水DMAc溶剂中，超声分散2h，得到C@SiC/DMAc分散液。将固含量为10% C@SiC/DMAc分散液分别加入PAA预聚体中，充分搅拌使得分散均匀，得到含C@SiC 10%的C@SiC/PAA共混溶，
热亚胺化阶段：含C@SiC 10%的C@SiC/PAA共混溶液倾倒在玻璃板上，在玻璃板上均匀涂膜，在50℃下干燥6小时，再转入真空烘箱在80℃干燥6小时，320℃下亚胺化，即可得到C@SiC 10%的C@SiC/PI复合薄膜。该C@SiC/PI复合薄膜介电常数为28.3（100 Hz），氮气保护下5%的热失重温度为545℃，拉伸强度为125 MPa。
实施例5
预聚阶段：将4,4′-二氨基联苯（ODA, 1.84g, 0.01mol）与3,3′,4,4′-二苯甲酮四甲酸二酐（BTDA, 3.22g, 0.01mol），再加入DMAc 43.0g，在700 rpm强烈的机械搅拌下，于5℃反应6小时，得到特性粘度为2.2 dl/g的聚酰胺酸溶液。 将C@SiC纳米颗粒加入到除水DMAc溶剂中，超声分散2h，得到C@SiC/DMAc分散液。将固含量为20% C@SiC/DMAc分散液分别加入PAA预聚体中，充分搅拌使得分散均匀，得到含C@SiC 20%的C@SiC/PAA共混溶，
热亚胺化阶段：含C@SiC 20 %的C@SiC/PAA共混溶液倾倒在玻璃板上，在玻璃板上均匀涂膜，在50℃下干燥6小时，再转入真空烘箱在80℃干燥6小时，320℃下亚胺化，即可得到C@SiC 20 %的C@SiC/PI复合薄膜。该C@SiC/PI复合薄膜介电常数为32.4（100 Hz），氮气保护下5%的热失重温度为553℃，拉伸强度为120 MPa。
Claims (9)
1.一种高介电常数C@SiC/PI复合薄膜的制备方法，包括如下步骤：
（1）取纳米碳化硅加入葡萄糖溶液超声分散2-4h；将所述溶液转移至水热反应釜，在150-180℃条件下水热反应6-10h，得到纳米颗粒；将所述纳米颗粒干燥后再转移到高温管式炉，在450℃下碳化4-8h，得到C@SiC纳米颗粒；
（2）将所述C@SiC纳米颗粒加入到除水DMAc溶剂中并超声分散1-4h，得到C@SiC/DMAc分散液；将所述C@SiC/DMAc分散液加入PAA溶液中进行搅拌，得到C@SiC/PAA共混溶液；
（3）将所述C@SiC/PAA共混溶液涂膜在玻璃板后进行干燥，再在真空烘箱干燥并进行亚胺化，制得C@SiC/PI复合薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（1）中，所述纳米碳化硅为5-30nm，所述葡萄糖溶液的浓度为25-50 ml/g。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（1）中，所述碳化硅与葡萄糖以1:4-1:8的质量比混合。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（1）中，所述C@SiC纳米颗粒中碳包裹的SiC的厚度为2-20纳米。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（2）中，所述PAA溶液按照如下方法配
置：将4,4′-二氨基联苯（ODA）与3,3′,4,4′-二苯甲酮四甲酸二酐（BTDA）加入除水的N,N-二
甲基乙酰胺(DMAc)，在300~1200 rpm机械搅拌下，于-5
5℃反应5~12小时，得到粘度为1.0
3.5 dl/g的PAA溶液。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（3）中，所述涂膜在玻璃板后进行干燥，所述干燥是指在40~60℃下干燥6~12小时。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（3）中，所述干燥并进行亚胺化是指在60~100℃下干燥6~12小时，在200℃~400℃下亚胺化。
8.根据权利要求1-7任一权利要求所述的方法得到的C@SiC/PI复合薄膜。
9.根据权利要求8所述的C@SiC/PI复合薄膜的应用，其特征在于：所述C@SiC/PI复合薄膜用作电池隔膜。
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| CN (1) | CN115141396B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102784913A (zh) * | 2012-07-26 | 2012-11-21 | 天津大学 | 碳包覆铁纳米颗粒的水热制备方法 |
| CN104701512A (zh) * | 2013-12-09 | 2015-06-10 | 纳米及先进材料研发院有限公司 | 用于锂离子高性能阳极的Si@C核/壳纳米材料 |
| RU2644906C2 (ru) * | 2016-06-29 | 2018-02-14 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт"-ИРЕА) | Способ получения полиимидного композитного волокна на углеродной основе, армированного наноструктурированным карбидом кремния |
| CN109280386A (zh) * | 2018-08-10 | 2019-01-29 | 湖州大本营科技有限公司 | 一种新型聚酰亚胺／高比表面积纳米碳化硅复合薄膜的制备方法 |
| CN111029554A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-04-17 | 湖北万润新能源科技发展有限公司 | 一种原位碳包覆的二氧化硅碳复合材料制备方法及其应用 |
-
2022
- 2022-08-04 CN CN202210933694.9A patent/CN115141396B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102784913A (zh) * | 2012-07-26 | 2012-11-21 | 天津大学 | 碳包覆铁纳米颗粒的水热制备方法 |
| CN104701512A (zh) * | 2013-12-09 | 2015-06-10 | 纳米及先进材料研发院有限公司 | 用于锂离子高性能阳极的Si@C核/壳纳米材料 |
| RU2644906C2 (ru) * | 2016-06-29 | 2018-02-14 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт"-ИРЕА) | Способ получения полиимидного композитного волокна на углеродной основе, армированного наноструктурированным карбидом кремния |
| CN109280386A (zh) * | 2018-08-10 | 2019-01-29 | 湖州大本营科技有限公司 | 一种新型聚酰亚胺／高比表面积纳米碳化硅复合薄膜的制备方法 |
| CN111029554A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-04-17 | 湖北万润新能源科技发展有限公司 | 一种原位碳包覆的二氧化硅碳复合材料制备方法及其应用 |
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