CN115116881A - 测量晶圆表面损伤层深度的方法和系统 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及测量晶圆表面损伤层深度的方法和系统，该方法包括：步骤101：对待测晶圆反复进行多次将晶圆浸入腐蚀液中规定时间并从腐蚀液中拉起的提拉刻蚀操作，使得通过由腐蚀液刻蚀而在晶圆的表面上形成具有一系列台阶面的台阶形状；步骤102：对所述一系列台阶面依次进行损伤检测，直至未检测到损伤为止；步骤103：根据未检测到损伤时已进行的提拉刻蚀操作的次数和晶圆在每次浸入腐蚀液中时被刻蚀剥离的厚度确定晶圆的表面损伤层的深度，其中，该厚度根据腐蚀液的腐蚀速率和规定时间计算获得。
Description
技术领域
本公开涉及晶圆加工制造技术领域，具体地，涉及测量晶圆表面损伤层深度的方法及系统。
背景技术
在从拉制的单晶硅棒到晶圆的制造过程中，需要经过滚磨、切片、研磨、刻蚀、抛光等多道工序。在例如滚磨、切片、研磨的机械加工过程中，会不可避免地在晶圆表面引入机械损伤。表面机械损伤破坏了原有的单晶层，严重影响了硅片的品质。因此，需要在后续加工过程中通过例如刻蚀、抛光等工艺去除掉损伤层。在去除晶圆表面的机械损伤层时，需要能够准确测量出该损伤层的深度，以据此设定去除操作中所涉及的具体去除量。
现有的损伤层深度测量技术分为直接测量和间接测量。直接测量指直接观测晶片断面上的损伤，但因损伤较浅，不易直接用显微镜观察，通常是将晶片截断后采用SEM（扫描式电子显微镜）/TEM（透射式电子显微镜）等高精度设备观察断面，但该方法的设备成本高昂且制样复杂。
角度抛光法是实验室内常采用的间接测量方法。在该方法中，通过将垂直的损伤层磨抛出一个光滑的斜面实现了损伤层的放大，以匹配显微镜的测量精度。磨抛的斜面会再经过刻蚀而将损伤进一步放大并使用显微镜测量，之后再经几何换算为实际损伤深度。
但是，角度抛光法对样品的处理与测量要求较高。首先，该方法需要将晶圆裂解后获得小片方可进行处理，且小片磨抛后的刻蚀需要设计单独的夹具与槽体；再者，样品的处理需要将小片粘接至已知角度的斜面，再将斜面粘接在磨抛盘上，两次粘接导致稳定性较差；而且，样片进行角度抛光时要避免引入新的损伤，斜面最好磨出光滑的表面，斜面的光滑效果直接影响显微镜分辨；最后，斜面测量时损伤层与无损伤层的界面是通过肉眼判定的，这使测量结果受人员影响较大。
发明内容
本部分提供了本公开的总体概要，而不是对本公开的全部范围或所有特征的全面公开。
本公开的一个目的在于提供一种能够使用完整晶圆来进行的测量晶圆表面损伤层深度的方法。
本公开的另一目的在于提供一种能够直接测量晶圆表面损伤深度而无需通过几何关系进行逆推的测量晶圆表面损伤层深度的方法。
本公开的又一目的在于提供一种能够避免肉眼观察引入的判断误差的测量晶圆表面损伤层深度的方法。
为了实现上述目的中的一个或多个，根据本公开的一方面，提供了一种测量晶圆表面损伤层深度的方法，其包括：
步骤101：对待测晶圆反复进行多次将晶圆浸入腐蚀液中规定时间并从腐蚀液中拉起的提拉刻蚀操作，使得通过由腐蚀液刻蚀而在晶圆的表面上形成具有一系列台阶面的台阶形状；
步骤102：对所述一系列台阶面依次进行损伤检测，直至未检测到损伤为止；
步骤103：根据未检测到损伤时已进行的提拉刻蚀操作的次数和晶圆在每次浸入腐蚀液中时被刻蚀剥离的厚度确定晶圆的表面损伤层的深度，其中，该厚度根据腐蚀液的腐蚀速率和规定时间计算获得。
在上述测量晶圆表面损伤层深度的方法中，在步骤102中，如果所述一系列台阶面中的最后一个台阶面仍被检测出存在损伤，则可以重复步骤101和步骤102。
在上述测量晶圆表面损伤层深度的方法中，晶圆每次浸入腐蚀液中的规定时间可以是相等的。
在上述测量晶圆表面损伤层深度的方法中，对所述一系列台阶面依次进行损伤检测可以包括对所述一系列台阶面依次进行粗糙度检测，并且未检测到损伤通过检测到粗糙度趋于不变来确定。
在上述测量晶圆表面损伤层深度的方法中，对所述一系列台阶面依次进行损伤检测可以包括对所述一系列台阶面依次进行X射线衍射检测，并且未检测到损伤通过检测到衍射锋的半高宽趋于不变来确定。
在上述测量晶圆表面损伤层深度的方法中，腐蚀液可以为由硝酸、氢氟酸、乙酸、蒸馏水按4:1:2:3的体积比混合而成的布莱特腐蚀液。
在上述测量晶圆表面损伤层深度的方法中，规定时间可以设定为5s至10s。
在上述测量晶圆表面损伤层深度的方法中，腐蚀速率可以通过以下步骤确定：
步骤1：测量测试晶圆的初始厚度；
步骤2：将测试晶圆浸入腐蚀液中刻蚀特定时间并取出；
步骤3：对经过步骤2的测试晶圆的留存厚度进行测量；以及
步骤4：基于初始厚度与留存厚度之差以及该特定时间计算获得腐蚀速率。
根据本公开的另一方面，还提供了一种测量晶圆表面损伤层深度的系统，包括：
提拉单元，其用于对待测晶圆反复进行多次将晶圆浸入腐蚀液中规定时间并从腐蚀液中拉起的提拉刻蚀操作，使得通过由腐蚀液刻蚀而在晶圆的表面上形成具有一系列台阶面的台阶形状；
检测单元，其用于对所述一系列台阶面依次进行损伤检测，直至未检测到损伤为止；以及
计算获取单元，其用于根据未检测到损伤时已进行的提拉刻蚀操作的次数和晶圆在每次浸入腐蚀液中时被刻蚀剥离的厚度确定晶圆的表面损伤层的深度，其中，该厚度由计算获取单元根据腐蚀液的腐蚀速率和规定时间计算获得。
在上述测量晶圆表面损伤层深度的系统中，还可以包括重复单元，其用于在检测单元检测出所述一系列台阶面中的最后一个台阶面仍存在损伤时使提拉单元和检测单元重复进行操作。
根据本公开，通过直接使用整片晶圆进行损伤层深度测量的方法，可以直接应用实验室的属于通用检测设备的刻蚀机和料篮，避免了将晶圆裂解成小片后进行测量时需单独设计的特制夹具和槽体，还避免了角度抛光时因粘接而导致的稳定性较差以及可能因抛光而在斜面上引入新的损伤从而影响测量结果的问题。另外，通过本方法中的将垂直损伤横向分解来判定损伤程度随深度的变化，使得能够测试损伤层本身的深度，无需通过几何关系进行逆推。此外，本方法中通过逐层剥离得到每个深度的损伤面即台阶面并利用例如粗糙度检测/X射线衍射检测实现对台阶面的损伤存在与否的明确判定，因此避免了肉眼观察可能引入的人员判断误差。
通过以下结合附图对本公开的示例性实施方式的详细说明，本公开的上述特征和优点以及其他特征和优点将更加清楚。
附图说明
图1为根据本公开的实施方式的测量晶圆表面损伤层深度的方法的示意性流程图；
图2以正视图示意性地示出了利用根据本公开的实施方式的测量晶圆表面损伤层深度的方法对待测晶圆进行多次提拉刻蚀操作后所获得的晶圆；
图3以侧视截面图示意性地示出了图2中的晶圆的一系列台阶面；
图4示意性地示出了利用粗糙度检测来实现对台阶面的损伤检测的操作过程；
图5以曲线图示意性地示出了检测到的粗糙度值与拉起次数的关系；
图6示意性地示出了利用X射线衍射检测来实现对台阶面的损伤检测的操作过程；以及
图7以曲线图示意性地示出了检测到的衍射峰的半高宽与拉起次数的关系。
附图标记列表：
100、晶圆；
10、承载基座；
11、粗糙度探头；
12、X射线衍射仪。
具体实施方式
下面参照附图、借助于示例性实施方式对本公开进行详细描述。要注意的是，对本公开的以下详细描述仅仅是出于说明目的，而绝不是对本公开的限制。
目前经常采用的测量晶圆损伤层深度的方法包括角度抛光法，该方法需要将晶圆裂解成小的样片来进行。角度抛光法通常包括以下步骤：
将晶圆裂解成多个尺寸较小的样片；
利用例如树脂胶将样片粘接至已知角度的斜面，再将斜面粘接在磨抛盘上；
将样片截面磨抛成一已知角度的斜面，以使晶圆表面的损伤层能够在该已知角度的斜面上暴露出来；
使用特制的夹具夹持样片并投入腐蚀液中进行刻蚀，以使损伤层在该已知角度的斜面上进一步放大显现；以及
利用显微镜对粘接样片的分界线或说界面进行观测，依据分界线处裂纹的长度以及蚀坑的数量和分布测量出该已知角度的斜面上的损伤的长度，并通过该长度与该已知角度的正弦值计算获得损伤层的深度。
然而，通过上述步骤可以看到，该方法需要对晶圆进行裂片处理以获得较小样片，且在对磨抛后的小片进行刻蚀时需要设计单独的夹具与槽体；小片要被粘接至已知角度的斜面，且斜面要再粘接在磨抛盘上，两次粘接导致稳定性较差；样片进行角度抛光时要避免引入新的损伤，斜面最好磨出光滑的表面，斜面的光滑效果直接影响显微镜分辨；而且，斜面测量时损伤层与无损伤层的界面是通过肉眼判定的，这使测量结果受人员影响较大。
为解决上述问题，本公开通过将在与晶圆表面垂直的方向上的损伤进行横向分解并通过随深度变化判断损伤程度的变化来实现对损伤层深度的测量。具体而言，参照图1，本公开的实施方式提供了一种测量晶圆表面损伤层深度的方法，该方法包括：
步骤101：对待测晶圆100反复进行多次将晶圆100浸入腐蚀液中规定时间并从腐蚀液中拉起的提拉刻蚀操作，使得通过由腐蚀液刻蚀而在晶圆100的表面上形成具有一系列台阶面的台阶形状；
步骤102：对所述一系列台阶面依次进行损伤检测，直至未检测到损伤为止；
步骤103：根据未检测到损伤时已进行的提拉刻蚀操作的次数和晶圆100在每次浸入腐蚀液中时被刻蚀剥离的厚度确定晶圆100的表面损伤层的深度，其中，该厚度根据腐蚀液的腐蚀速率和该规定时间计算获得。
在该方法中，可以直接对整片晶圆进行损伤层深度测量，整片晶圆可以直接应用实验室的属于通用检测设备的刻蚀机和料篮，通过刻蚀机机械臂的程序实现提拉刻蚀操作，而将晶圆裂解成小片后进行测量则需要单独设计对小片进行刻蚀时要使用的特制夹具和槽体。此外，由于无需将晶圆裂解成小片，故不存在针对小片进行角度抛光时因两次粘接而导致的稳定性较差的问题，也不存在由于角度抛光而在斜面上引入新的损伤从而影响测量结果的问题，由此节约了工序并因此降低了成本也提高了测量结果的准确度。
参照图2和图3，对于步骤101，提拉刻蚀操作即为将晶圆100浸入腐蚀液中规定时间并从腐蚀液中拉起的操作，在该操作中，腐蚀液会对晶圆100的表面产生刻蚀，从而该表面会被剥离掉一定厚度，通过反复进行这种提拉刻蚀操作，就会在该表面上形成具有一系列台阶面的台阶形状，如图3中可以清楚地看到。通过这种方式，在与晶圆表面垂直的方向上的损伤层被横向分解。
当形成一系列台阶面之后，可以进行步骤102，即对这些台阶面依次进行损伤检测。需要注意的是，该损伤检测仅为检测在该台阶面处是否仍存在损伤。随着腐蚀液的逐层刻蚀，晶圆表面损伤层会通过不断进行的厚度剥离而被刻蚀完，即刻蚀进行到完美层，与此对应的，会出现检测不到损伤。
在这种情况下，可以进行步骤103，即对检测不到损伤时已进行的提拉刻蚀操作的次数n进行统计，并根据腐蚀液的腐蚀速率v和规定时间t计算获得晶圆100在每次浸入腐蚀液中时被刻蚀剥离的厚度ΔL，并最终根据该次数和该厚度计算获得晶圆的表面损伤层的深度H。
在上述方法中，通过将垂直损伤横向分解来判定损伤程度随深度的变化，测试的是损伤层本身的深度，无需通过几何关系进行逆推，可以更加快速准确的获得测量结果。
可以设想的是，晶圆每次浸入腐蚀液中的规定时间t可以是相等的。
厚度ΔL可以通过公式ΔL=v*t来计算，在晶圆每次浸入腐蚀液中的规定时间t相等的情况下，晶圆在每次浸入腐蚀液中时被刻蚀剥离的厚度ΔL也是相等的。在这种情况下，可以通过公式H=n*ΔL直接计算出晶圆的表面损伤层的深度H。
还可以设想的是，晶圆每次浸入腐蚀液中的规定时间t可以是不等的。例如，在刚开始进行的数次提拉刻蚀操作中，t可以相对较长，以使晶圆被腐蚀液通过刻蚀剥离更大的厚度以节省操作时间，而在之后的提拉刻蚀操作中，t可以相对较短，以使刻蚀以较小剥离量逐步逼近完美层，避免因规定时间t过长而在t未进行完时刻蚀就过早到达完美层而导致测量结果不够准确。
在这种情况下，晶圆在每次浸入腐蚀液中时被刻蚀剥离的厚度ΔL也是不等的，需要根据检测不到损伤时已进行的提拉刻蚀操作的次数n对这些不同的厚度ΔL进行加和来获得晶圆的表面损伤层的深度H。
可以理解的是，规定时间t不宜过大，以避免因t过长而在t未进行完时刻蚀就过早到达完美层而导致测量结果不够准确，另一方面，规定时间t也不宜过短，以免到达完美层前进行的提拉刻蚀操作的次数过多，导致整个过程的耗时过长。通常，规定时间t可以设定为数秒。
需要注意的是，步骤101中的提拉刻蚀操作的次数可以根据腐蚀液的腐蚀速率、估计的损伤层深度和设定的规定时间来进行大致设定，以使通过设定次数的提拉刻蚀操作可以使刻蚀到达完美层。
根据本公开的实施方式，在步骤102中，如果所述一系列台阶面中的最后一个台阶面仍被检测出存在损伤，则可以重复步骤101和步骤102。
具体而言，当对所述一系列台阶面依次进行损伤检测直至最后一个台阶面的时候仍检测出存在损伤时，需要重复进行步骤101，即将晶圆再次反复进行多次提拉刻蚀操作，以继续形成新的多个台阶面，之后，再进行步骤102，即对新的多个台阶面依次进行损伤检测，直至未检测到损伤为止。该过程可以在最后一个台阶面仍未检测出存在损伤时，反复进行。
下面结合图4至图7对针对台阶面进行损伤检测的示例性实现方式进行详细说明。
根据本公开的一种实施方式，参照图4和图5，对所述一系列台阶面依次进行损伤检测包括对所述一系列台阶面依次进行粗糙度检测，并且未检测到损伤通过检测到粗糙度趋于不变来确定。
具体而言，可以通过对每个台阶面处的粗糙度进行检测来实现对该台阶面处是否存在损伤的检测。对于该粗糙度检测过程，在将经过多次提拉刻蚀操作后的晶圆放置在测试平台上后，如图4中所示，可以使粗糙度检测仪、具体地粗糙度检测仪的粗糙度探头11移动，以对承载在处于固定位置的承载基座10上的晶圆100的所述一系列台阶面的粗糙度依次进行检测。
替代性地，还可以使用于承载晶圆100的承载基座10移动，以使得处于固定位置的粗糙度检测仪、具体地粗糙度检测仪的粗糙度探头11对晶圆100的表面的所述一系列台阶面的粗糙度依次进行检测。
图5示出了检测到的各个粗糙度值与提拉刻蚀操作的次数的关系曲线。随着提拉刻蚀操作次数的增多，刻蚀剥离后形成的台阶面也逐渐逼近完美层，使得在该台阶面处检测到的粗糙度也逐渐接近完美层的粗糙度，当粗糙度值趋于不变时，图5中的曲线也从曲率不断变化变成趋近于水平直线，则判定刻蚀已到达完美层，也就是说未检测到损伤。此时已进行的提拉刻蚀操作的次数即为未检测到损伤时已进行的提拉刻蚀操作的次数。
根据本公开的另一实施方式，参照图6和图7，对所述一系列台阶面依次进行损伤检测包括对所述一系列台阶面依次进行X射线衍射检测，并且未检测到损伤通过检测到衍射锋的半高宽趋于不变来确定。
具体而言，可以通过在每个台阶面处进行X射线衍射检测来实现对该台阶面处是否存在损伤的检测。对于X射线衍射检测过程，在将经过多次提拉刻蚀操作后的晶圆放置在测试平台上后，如图6中所示，可以使用于承载晶圆100的承载基座10移动，以使得处于固定位置的X射线衍射仪12对在晶圆100的表面上形成的所述一系列台阶面依次进行X射线衍射检测。如图6所示，X射线从X射线衍射仪出射，在台阶面处衍射后，由X射线衍射仪进行接收。
同样，替代性地，还可以使X射线衍射仪12移动，以对承载在处于固定位置的承载基座10上的晶圆100的所述一系列台阶面依次进行X射线衍射检测。
图7示出了检测到的各个衍射峰的半高宽与提拉刻蚀操作的次数的关系曲线。随着提拉刻蚀操作次数的增多，刻蚀剥离后形成的台阶面也逐渐逼近完美层，使得在该台阶面处检测到的衍射峰也逐渐接近完美层的衍射峰，当晶圆表面存在严重损伤时，几乎不存在晶体特性，故衍射曲线的半高宽非常大，随着刻蚀不断进行，损伤层的衍射曲线的半高宽会逐渐减小，当衍射峰的半高宽趋于不变时，图7中的曲线也从曲率不断变化变成趋近于水平直线，则判定刻蚀已到达完美层，也就是说未检测到损伤。此时已进行的提拉刻蚀操作的次数即为未检测到损伤时已进行的提拉刻蚀操作的次数。
本方法中通过逐层剥离得到每个深度的损伤面即台阶面并利用例如粗糙度检测/X射线衍射检测实现对台阶面的损伤存在与否的明确判定，因此避免了肉眼观察可能引入的人员判断误差。
还可以设想采用其他现有检测方式来实现对台阶面处是否存在损伤的检测。
根据本公开的实施方式，腐蚀液可以为布莱特（Bright）腐蚀液，其中，布莱特腐蚀液是半导体企业减薄常用的包括硝酸、氢氟酸与乙酸的一种混酸。作为示例，本实施方式中的布莱特腐蚀液可以由硝酸、氢氟酸、乙酸、蒸馏水按4:1:2:3的体积比混合而成。
腐蚀液可以包括在晶圆减薄中经常使用的酸性腐蚀液如硝酸、冰乙酸与氢氟酸，以及碱性腐蚀如KOH溶液。作为另一示例，腐蚀液还可以是由氢氟酸、硝酸、硫酸和磷酸按1:6:1:2的体积比混合而成的混酸。
在采用由硝酸、氢氟酸、乙酸、蒸馏水按4:1:2:3的体积比混合而成的布莱特腐蚀液的情况下，腐蚀速率为6um/min，即0.1um/s。由于晶圆表面的损伤深度一般处于5 um至20um的范围，因此，晶圆每次浸入腐蚀液中的时间即规定时间t可设定为5s至10s。
该规定时间可根据晶圆的类型来设定为不同的，例如，当晶圆为线切割之后获得的晶圆时，由于其表面损伤较大，单次的规定时间可设定为10s，对应的提拉刻蚀操作的次数可设定为大约25次；而当晶圆为精磨之后获得的晶圆时，由于其表面损伤较小，单次的规定时间可设定为2s或5s，对应的提拉刻蚀操作的次数可分别设定为大约10次或25次。
在本公开的实施方式中，腐蚀液的腐蚀速率可以通过以下步骤确定：
步骤1：测量测试晶圆的初始厚度；
步骤2：将测试晶圆浸入该腐蚀液中刻蚀特定时间并取出；
步骤3：对经过步骤2的测试晶圆的留存厚度进行测量；以及
步骤4：基于初始厚度与留存厚度之差以及特定时间计算获得腐蚀速率。
具体而言，例如，可以选用整张晶圆作为测试晶圆，首先测量该测试晶圆的初始厚度d0，将其投入腐蚀液中刻蚀时间t后整体取出，然后对此时的厚度即留存厚度进行测量为d1，由此，腐蚀速率可以根据v=（d1-d0）/t计算得出。例如，对于上述由硝酸、氢氟酸、乙酸、蒸馏水按4:1:2:3的体积比混合而成的布莱特腐蚀液，经测试和计算，其腐蚀速率为6um/min。
根据本发明的另一方面，还提供了一种测量晶圆表面损伤层深度的系统，其包括：
提拉单元，其用于对待测晶圆反复进行多次将晶圆浸入腐蚀液中规定时间并从腐蚀液中拉起的提拉刻蚀操作，使得通过由腐蚀液刻蚀而在晶圆的表面上形成具有一系列台阶面的台阶形状；
检测单元，其用于对所述一系列台阶面依次进行损伤检测，直至未检测到损伤为止；以及
计算获取单元，其用于根据未检测到损伤时已进行的提拉刻蚀操作的次数和晶圆在每次浸入腐蚀液中时被刻蚀剥离的厚度确定晶圆的表面损伤层的深度，其中，该厚度由计算获取单元根据腐蚀液的腐蚀速率和规定时间计算获得。
根据本公开的实施方式，该测量晶圆表面损伤层深度的系统还可以包括重复单元，其用于在检测单元检测出所述一系列台阶面中的最后一个台阶面仍存在损伤时使提拉单元和检测单元重复进行操作。
根据本公开的实施方式，该检测单元可以包括粗糙度检测仪或X射线衍射仪。
根据本公开的实施方式，该提拉单元可以包括放置待测晶圆的料篮和用于对料篮进行提拉操作的机械臂。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种测量晶圆表面损伤层深度的方法，其特征在于，包括：
步骤101：对待测晶圆反复进行多次将所述晶圆浸入腐蚀液中规定时间并从所述腐蚀液中拉起的提拉刻蚀操作，使得通过由所述腐蚀液刻蚀而在所述晶圆的表面上形成具有一系列台阶面的台阶形状；
步骤102：对所述一系列台阶面依次进行损伤检测，直至未检测到损伤为止；
步骤103：根据未检测到损伤时已进行的所述提拉刻蚀操作的次数和所述晶圆在每次浸入所述腐蚀液中时被刻蚀剥离的厚度确定所述晶圆的表面损伤层的深度，其中，所述厚度根据所述腐蚀液的腐蚀速率和所述规定时间计算获得。
2.根据权利要求1所述的测量晶圆表面损伤层深度的方法，其特征在于，在所述步骤102中，如果所述一系列台阶面中的最后一个台阶面仍被检测出存在损伤，则重复所述步骤101和所述步骤102。
3.根据权利要求1或2所述的测量晶圆表面损伤层深度的方法，其特征在于，所述晶圆每次浸入所述腐蚀液中的所述规定时间是相等的。
4.根据权利要求1或2所述的测量晶圆表面损伤层深度的方法，其特征在于，所述对所述一系列台阶面依次进行损伤检测包括对所述一系列台阶面依次进行粗糙度检测，并且所述未检测到损伤通过检测到粗糙度趋于不变来确定。
5.根据权利要求1或2所述的测量晶圆表面损伤层深度的方法，其特征在于，所述对所述一系列台阶面依次进行损伤检测包括对所述一系列台阶面依次进行X射线衍射检测，并且所述未检测到损伤通过检测到衍射锋的半高宽趋于不变来确定。
6.根据权利要求1或2所述的测量晶圆表面损伤层深度的方法，其特征在于，所述腐蚀液为由硝酸、氢氟酸、乙酸、蒸馏水按4:1:2:3的体积比混合而成的布莱特腐蚀液。
7.根据权利要求6所述的测量晶圆表面损伤层深度的方法，其特征在于，所述规定时间设定为5s至10s。
8.根据权利要求1或2所述的测量晶圆表面损伤层深度的方法，其特征在于，所述腐蚀速率通过以下步骤确定：
步骤1：测量测试晶圆的初始厚度；
步骤2：将所述测试晶圆浸入所述腐蚀液中刻蚀特定时间并取出；
步骤3：对经过所述步骤2的所述测试晶圆的留存厚度进行测量；以及
步骤4：基于所述初始厚度与所述留存厚度之差以及所述特定时间计算获得所述腐蚀速率。
9.一种测量晶圆表面损伤层深度的系统，其特征在于，包括：
提拉单元，其用于对待测晶圆反复进行多次将所述晶圆浸入腐蚀液中规定时间并从所述腐蚀液中拉起的提拉刻蚀操作，使得通过由所述腐蚀液刻蚀而在所述晶圆的表面上形成具有一系列台阶面的台阶形状；
检测单元，其用于对所述一系列台阶面依次进行损伤检测，直至未检测到损伤为止；以及
计算获取单元，其用于根据未检测到损伤时已进行的所述提拉刻蚀操作的次数和所述晶圆在每次浸入所述腐蚀液中时被刻蚀剥离的厚度确定所述晶圆的表面损伤层的深度，其中，所述厚度由所述计算获取单元根据所述腐蚀液的腐蚀速率和所述规定时间计算获得。
10.根据权利要求9所述的测量晶圆表面损伤层深度的系统，其特征在于，还包括重复单元，其用于在所述检测单元检测出所述一系列台阶面中的最后一个台阶面仍存在损伤时使所述提拉单元和所述检测单元重复进行操作。
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