CN114957754B - 电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜制备方法 - Google Patents

电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯‑氮化硼复合薄膜的制备方法,方法中,称量聚四甲基一戊烯固体并匀速搅拌溶解于非极性聚合物溶剂中,得到聚四甲基一戊烯溶液;称量质量分数为0.5wt%‑5wt%的氮化硼均匀加入到所述聚四甲基一戊烯溶液并搅拌得到混合溶液A;将所述混合溶液A真空干燥得到聚四甲基一戊烯‑氮化硼复合薄膜。

Description

电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜制备方法
技术领域
本发明属于高压电容器技术领域,特别是一种用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜的制备方法。
背景技术
随着电力系统水平发展的提高,输电电压等级也在不断提高,其中,电力电容器作为电力系统中重要的电力设备,由于自身的工作条件和散热限制,使得在高电压下电容器内部会存在局部点温度过高的问题,而部分部件的温升会使得电容器内部绝缘失效,影响设备的安全运行,降低电力系统的稳定性。因此,针对现有技术的以上缺陷或需求,本领域技术人员致力于开发一种耐高温高介电常数高击穿场强复合薄膜。
在背景技术部分中公开的上述信息仅仅用于增强对本发明背景的理解,因此可能包含不构成在本国中本领域普通技术人员公知的现有技术的信息。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明提出一种用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜的制备方法,聚四甲基一戊烯提供了耐热基础,氮化硼作为高导热的无机材料能够有效构造导热通道,减少热量聚集,氮化硼掺杂在聚四甲基一戊烯基体中构造的复合薄膜有效解决耐高温和散热需求,并且在一定的掺杂量下,介电常数和击穿场强能够得到协同提升。
本发明的目的是通过以下技术方案予以实现,一种用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜的制备方法包括:
步骤S100,称量聚四甲基一戊烯固体并匀速搅拌溶解于非极性聚合物溶剂中,得到聚四甲基一戊烯溶液;
步骤S200,称量适量的氮化硼均匀加入到所述聚四甲基一戊烯溶液并搅拌得到混合溶液A;
步骤S300,将所述混合溶液A真空干燥得到聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜。
所述的用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜的制备方法中,步骤S100中,使用电子天平称量10g-15g的聚四甲基一戊烯固体,使用量筒量取100ml-150ml的非极性聚合物溶剂,将聚四甲基一戊烯溶解在所述非极性聚合物溶剂中,使用机械搅拌器在40℃-85℃和250-450r/min转速下搅拌5-8小时,得到聚四甲基一戊烯溶液。
所述的用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜的制备方法中,步骤S200中,称量质量分数为0.5wt%-5wt%的氮化硼均匀加入到所述聚四甲基一戊烯溶液,并用机械搅拌器在40℃-85℃和1500r/min-2000r/min转速下搅拌10-18小时得到混合溶液A。
所述的用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜的制备方法中,所述非极性聚合物溶剂包括环己烷溶剂。
所述的用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜的制备方法中,步骤S300中,酒精擦拭石英玻璃板并干燥,将石英玻璃板加热至40-50℃,将所述混合溶液A倒在石英玻璃板上并使用刮刀将混合溶液A刮平,将附有混合溶液A的石英玻璃板放入真空烘箱中,经过40-50℃真空干燥48小时,后将石英玻璃板放入温水中进行脱模,得到聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜,将聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜放入真空烘箱中60-80℃干燥48h。
所述的用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜的制备方法中,所述聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜常温下的直流击穿场强至少为510MV/m。
和现有技术相比,本发明具有以下优点:本发明采用PMP作为聚合物基体,PMP纯聚合物具有较为优异的高温介电性能,在80℃以上PMP仍然能够保持高的击穿强度,稳定的介电常数和较低的介电损耗,具有较好的耐高温特性。相比掺杂钛酸钡等高介电常数材料(高K材料),虽然能够更大程度的提高介电常数,但是在高温下的击穿场强和散热性能会急剧下降,本发明通过掺杂纳米氮化硼具有高导热,稍高于聚四甲基一戊烯基体介电常数等特点,能够在少量掺杂的情况下,同时提高各个温度点下的击穿场强和介电常数。
附图说明
通过阅读下文优选的具体实施方式中的详细描述,本发明各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。说明书附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本发明的限制。显而易见地,下面描述的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。而且在整个附图中,用相同的附图标记表示相同的部件。
在附图中:
图1是根据本发明一个实施例的用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜的氮化硼各个掺杂量下(0wt%-5wt%),在温度-40-200℃介电频谱和损耗示意图;
图2是根据本发明一个实施例的用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜的氮化硼各个掺杂量下(0wt%-5wt%),在温度20-180℃的直流击穿强度示意图。
以下结合附图和实施例对本发明作进一步的解释。
具体实施方式
下面将参照附图1至图2更详细地描述本发明的具体实施例。虽然附图中显示了本发明的具体实施例,然而应当理解,可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施例所限制。相反,提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本发明,并且能够将本发明的范围完整的传达给本领域的技术人员。
需要说明的是,在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可以理解,技术人员可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名词的差异来作为区分组件的方式,而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”或“包括”为一开放式用语,故应解释成“包含但不限定于”。说明书后续描述为实施本发明的较佳实施方式,然所述描述乃以说明书的一般原则为目的,并非用以限定本发明的范围。本发明的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
为便于对本发明实施例的理解,下面将结合附图以具体实施例为例做进一步的解释说明,且各个附图并不构成对本发明实施例的限定。
所述的用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜的制备方法包括,
步骤S100,称量聚四甲基一戊烯固体并匀速搅拌溶解于非极性聚合物溶剂中,得到聚四甲基一戊烯溶液;
步骤S200,称量质量分数为0.5wt%-5wt%的氮化硼均匀加入到所述聚四甲基一戊烯溶液并搅拌得到混合溶液A;
步骤S300,将所述混合溶液A真空干燥得到聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜。
在掺杂纳米氮化硼的掺杂量为3wt%时,常温下介电常数从纯PMP的2.3提高到2.48,在120℃下介电常数从纯PMP的2.2提高到2.4;并且在20℃~180℃温度范围内的介电损耗保持在0.01以下,能够满足电力电容器工作的要求,除此之外,复合薄膜在常温下的直流击穿场强由纯PMP的442MV/m提高到510MV/m,提高比例为15.4%,而在120℃的条件下复合薄膜的直流击穿场强由纯PMP的279MV/m提高到335MV/m,保证了在高温下复合薄膜仍然具有较高的击穿场强和介电常数。该技术为高介电耐高温薄膜电容器提供了技术基础。
所述的用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜的制备方法的优选实施例中,步骤S100中,使用电子天平称量10g-15g的聚四甲基一戊烯固体,使用量筒量取100ml-150ml的非极性聚合物溶剂,将聚四甲基一戊烯溶解在所述非极性聚合物溶剂中,使用机械搅拌器在40℃-85℃和250-450r/min转速下搅拌5-8小时使得聚四甲基一戊烯能够完全溶解,并得到透明均一的聚四甲基一戊烯溶液。
所述的用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜的制备方法的优选实施例中,步骤S200中,称量质量分数为0.5wt%-5wt%的氮化硼均匀加入到所述聚四甲基一戊烯溶液,并用机械搅拌器在40℃-85℃和1500r/min-2000r/min转速下搅拌10-18小时得到混合溶液A。
所述的用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜的制备方法的优选实施例中,所述非极性聚合物溶剂包括环己烷溶剂。
所述的用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜的制备方法的优选实施例中,步骤S300中,酒精擦拭石英玻璃板并干燥,将石英玻璃板加热至40-50℃,将所述混合溶液A倒在石英玻璃板上并使用刮刀将混合溶液A刮平,将附有混合溶液A的石英玻璃板放入真空烘箱中,经过40-50℃真空干燥48小时,后将石英玻璃板放入温水中进行脱模,得到聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜,将聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜放入真空烘箱中60-80℃干燥48h。
所述的用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜的制备方法的优选实施例中,所述聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜常温下的直流击穿场强至少为510MV/m。
在一个实施例中,在3wt%的掺杂浓度下,使得所述聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜在20℃-180℃的范围内,复合材料的介电常数和直流击穿场强能够协同提升。
相比于现有技术例如熔融共混手段,本发明薄膜制备优点为:纳米粒子的分散更加均匀;操作所需的温度更低,安全性高;制备的薄膜更加均一。
在一个较佳的实施例中,步骤S100中:使用电子天平称量10g的聚四甲基一戊烯,使用量筒量取150ml的非极性溶剂,将聚四甲基一戊烯溶解在环己烷溶剂中,使用机械搅拌器在65℃和300r/min转速下搅拌5-8小时,得到聚四甲基一戊烯溶液。步骤S200包括:称量质量分数为0.5wt%(即0.05g)的氮化硼均匀加入到所述聚四甲基一戊烯溶液,并用机械搅拌器在65℃和1500r/min转速下搅拌12小时得到混合溶液A。
在一个较佳的实施例中,其中,步骤S300还包括:
用酒精擦拭石英玻璃板并待齐干燥,将石英玻璃板加热至40℃,将所述溶液A倒在石英玻璃板上并使用刮刀将溶液A刮平,将附有溶液A的石英玻璃板放入真空烘箱中,经过40℃真空干燥48小时,后将石英玻璃板放入温水中进行脱模,得到聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜,将此薄膜放入真空烘箱中60℃干燥48h,得到干燥的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜。
在另一个实施例中,
步骤S100中:使用电子天平称量10g的聚四甲基一戊烯,使用量筒量取150ml的非极性溶剂,将聚四甲基一戊烯溶解在环己烷溶剂中,使用机械搅拌器在65℃和300r/min转速下搅拌6小时,得到聚四甲基一戊烯溶液。
在一个较佳的实施例中,步骤S200包括:称量质量分数为3wt%(即0.3g)的氮化硼均匀加入到所述聚四甲基一戊烯溶液,并用机械搅拌器在65℃和1500r/min转速下搅拌12小时得到混合溶液A。
在一个较佳的实施例中,其中,步骤S300还包括:
用酒精擦拭石英玻璃板并待齐干燥,将石英玻璃板加热至40℃,将所述溶液A倒在石英玻璃板上并使用刮刀将溶液A刮平,将附有溶液A的石英玻璃板放入真空烘箱中,经过40℃真空干燥48小时,后将石英玻璃板放入温水中进行脱模,得到聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜,将此薄膜放入真空烘箱中60℃干燥48h,得到干燥的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜。
在另一个实施例中,
步骤S100中:使用电子天平称量10g的聚四甲基一戊烯,使用量筒量取150ml的非极性溶剂,将聚四甲基一戊烯溶解在环己烷溶剂中,使用机械搅拌器在65℃和300r/min转速下搅拌6小时,得到聚四甲基一戊烯溶液。
在一个较佳的实施例中,步骤S200包括:称量质量分数为5wt%(即0.5g)的氮化硼均匀加入到所述聚四甲基一戊烯溶液,并用机械搅拌器在65℃和1500r/min转速下搅拌12小时得到混合溶液A。
在一个较佳的实施例中,其中,步骤S300还包括:
用酒精擦拭石英玻璃板并待齐干燥,将石英玻璃板加热至40℃,将所述溶液A倒在石英玻璃板上并使用刮刀将溶液A刮平,将附有溶液A的石英玻璃板放入真空烘箱中,经过40℃真空干燥48小时,后将石英玻璃板放入温水中进行脱模,得到聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜,将此薄膜放入真空烘箱中60℃干燥48h,得到干燥的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜。
聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜测试及表征
如图1,氮化硼各个掺杂量下(0wt%-5wt%),在温度-40-200℃介电频谱和损耗;如图所示,可以看出,纯PMP试样的介电常数在常温下大约为2.3左右,并且其随着温度升高,PMP试样的介电常数稍有下降。损耗能够维持在0.005以下,掺杂氮化硼后,试样的介电常数有所提高,特别的,在3wt%的掺杂含量下,常温下介电常数从纯PMP的2.3提高到2.48,在120℃下介电常数从纯PMP的2.2提高到2.4;并且在20℃~180℃温度范围内的介电损耗保持在0.01以下;说明在3wt%的掺杂浓度下,复合薄膜在常温和高温下的介电常数都得到了提升。
如图2,图2是氮化硼各个掺杂量下(0wt%-5wt%),在温度20-180℃的直流击穿强度;可以看出,对于不同温度点相同掺杂量的情况下,复合薄膜的直流击穿场强大体上随着温度的升高而下降,这与聚四甲基一戊烯本身的特性有关。而在相同温度不同掺杂量的情况下,击穿场强随着掺杂量先上升而后下降,在3wt%处的直流击穿场强最高,这与纳米粒子在介质中产生的交互区有关;
综合图1,图2,在3wt%的掺杂浓度下,复合薄膜在常温和高温下的介电常数和直流击穿场强都得到了提升,此为较佳实施例。
尽管以上结合附图对本发明的实施方案进行了描述,但本发明并不局限于上述的具体实施方案和应用领域,上述的具体实施方案仅仅是示意性的、指导性的,而不是限制性的。本领域的普通技术人员在本说明书的启示下和在不脱离本发明权利要求所保护的范围的情况下,还可以做出很多种的形式,这些均属于本发明保护之列。

Claims (4)

1.一种用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜的制备方法,其特征在于,其包括以下步骤,
步骤S100,步骤S100中,使用电子天平称量10g-15g的聚四甲基一戊烯固体,使用量筒量取100ml-150ml的非极性聚合物溶剂,将聚四甲基一戊烯溶解在所述非极性聚合物溶剂中,使用机械搅拌器在40℃-85℃和250-450r/min转速下搅拌5-8小时,得到聚四甲基一戊烯溶液;
步骤S200,称量质量分数为3wt%的氮化硼均匀加入到所述聚四甲基一戊烯溶液,并用机械搅拌器在40℃-85℃和1500r/min-2000r/min转速下搅拌10-18小时得到混合溶液A;
步骤S300,将所述混合溶液A真空干燥得到聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜,在3wt%的掺杂浓度下,使得所述聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜在20℃-180℃的范围内,复合材料的介电常数和直流击穿场强协同提升。
2.根据权利要求1所述的用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜的制备方法,其中,所述非极性聚合物溶剂包括环己烷溶剂。
3.根据权利要求1所述的用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜的制备方法,步骤S300中,酒精擦拭石英玻璃板并干燥,将石英玻璃板加热至40-50℃,将所述混合溶液A倒在石英玻璃板上并使用刮刀将混合溶液A刮平,将附有混合溶液A的石英玻璃板放入真空烘箱中,经过40-50℃真空干燥48小时,后将石英玻璃板放入温水中进行脱模,得到聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜,将聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜放入真空烘箱中60-80℃干燥48h。
4.根据权利要求1所述的用于电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜的制备方法,所述聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜常温下的直流击穿场强至少为510MV/m。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107474251A (zh) * 2017-08-18 2017-12-15 南京工业大学 一种膜电容器复合介电薄膜的制备方法
CN111662515A (zh) * 2020-07-07 2020-09-15 西安交通大学 一种聚四甲基一戊烯—二氧化钛纳米片复合薄膜的制备方法
CN112341654A (zh) * 2020-11-27 2021-02-09 诸暨市创达弹簧有限公司 一种纳米氮化硼改性聚丙烯的复合介电薄膜和制法
CN112694685A (zh) * 2020-12-31 2021-04-23 苏州市新广益电子有限公司 一种聚4-甲基戊烯纳米片复合薄膜的制备方法
CN113480760A (zh) * 2021-07-26 2021-10-08 哈尔滨理工大学 一种高击穿和高介电的fpe基复合材料薄膜的制备方法
CN113754910A (zh) * 2021-09-24 2021-12-07 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 基于聚四甲基一戊烯-钛酸钡纳米粒子复合薄膜的制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107474251A (zh) * 2017-08-18 2017-12-15 南京工业大学 一种膜电容器复合介电薄膜的制备方法
CN111662515A (zh) * 2020-07-07 2020-09-15 西安交通大学 一种聚四甲基一戊烯—二氧化钛纳米片复合薄膜的制备方法
CN112341654A (zh) * 2020-11-27 2021-02-09 诸暨市创达弹簧有限公司 一种纳米氮化硼改性聚丙烯的复合介电薄膜和制法
CN112694685A (zh) * 2020-12-31 2021-04-23 苏州市新广益电子有限公司 一种聚4-甲基戊烯纳米片复合薄膜的制备方法
CN113480760A (zh) * 2021-07-26 2021-10-08 哈尔滨理工大学 一种高击穿和高介电的fpe基复合材料薄膜的制备方法
CN113754910A (zh) * 2021-09-24 2021-12-07 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 基于聚四甲基一戊烯-钛酸钡纳米粒子复合薄膜的制备方法

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