CN113736259B - 一种低介电损耗负介材料及其制备方法 - Google Patents
一种低介电损耗负介材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113736259B CN113736259B CN202111038610.7A CN202111038610A CN113736259B CN 113736259 B CN113736259 B CN 113736259B CN 202111038610 A CN202111038610 A CN 202111038610A CN 113736259 B CN113736259 B CN 113736259B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- agnws
- slurry
- low
- dielectric
- loss
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 claims abstract description 63
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims description 5
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 5
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 4
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 18
- 238000005325 percolation Methods 0.000 abstract description 15
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000011268 mixed slurry Substances 0.000 description 5
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001453 impedance spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
- C08K7/02—Fibres or whiskers
- C08K7/04—Fibres or whiskers inorganic
- C08K7/06—Elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/002—Physical properties
- C08K2201/003—Additives being defined by their diameter
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/002—Physical properties
- C08K2201/004—Additives being defined by their length
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/011—Nanostructured additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/016—Additives defined by their aspect ratio
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开了一种低介电损耗负介材料及其制备方法，该方法包含以下步骤：步骤1，制备AgNWs乙醇浆料，其中，AgNWs具有高长径比；步骤2，将作为基体的高聚物粉末分散在乙醇溶液中，得到基体浆料；步骤3，将AgNWs浆料与基体浆料按比例混合，干燥；其中，AgNWs在混合物中的质量含量不高于7％；步骤4，压制成型，制备得到低介电损耗负介材料。本发明利用AgNWs具有的高长径比特性，容易在材料内部形成逾渗网络，获得低逾渗阈值，进而有效降低介电损耗。特别地，当AgNWs的含量达到7wt.％，复合材料表现出低的介电损耗，其损耗正切角在GHz频段内低于0.1，在满足下一代电子设备和系统要求方面有着重要意义。
Description
技术领域
本发明涉及复合材料领域，具体涉及一种低介电损耗(损耗正切角)银纳米线/聚酰亚胺(AgNWs/PI)负介材料及其制备方法。
背景技术
负介材料是一类具有负介电常数的材料，相关研究主要聚焦在大功率滤波器、电感元件和负电容场效应管等领域。逾渗型负介材料作为负介领域的重要分支，大大促进了其在电子器件的发展，负介性能调控多依赖改变材料的组分和微观分布，负介响应源于自由电子发生的等离振荡过程。
近年来，研究发现，在高分子介质中添加功能相来提高材料的介电常数，当功能相含量超过逾渗阈值时，介电常数由正值转变为负值，被称为逾渗型负介材料。一般地，该材料的负介响应伴随着高的逾渗阈值，意味着加入高质量分数的功能相。然而，当功能相的含量较高时，会大大增加材料的电导损耗，使材料表现出高损耗特性。
在电子器件的工作过程中，材料的高损耗大多以热的形式发散，对器件的耐久性、稳定性和高效性产生负面影响。
据现有文献报道，有效降低逾渗型负介材料的介电损耗仍是关键问题。
发明内容
本发明的目的是解决如何有效降低逾渗型负介材料的介电损耗的问题，从功能相和基体两个方面来探索逾渗型负介材料的低损耗特性：选择高聚物基体材料降低损耗，再选择合适的功能相获得低逾渗阈值，制备得到的低介电损耗负介材料，有望在电子器件领域发挥重要作用。
为了达到上述目的，本发明提供了一种低介电损耗负介材料的制备方法，包含以下步骤：
步骤1，制备AgNWs(银纳米线)乙醇浆料；其中，AgNWs具有高长径比；
步骤2，将作为基体的高聚物粉末分散在乙醇溶液中，得到基体浆料；
步骤3，将AgNWs浆料与基体浆料按比例混合，干燥；其中，AgNWs在混合物中的质量含量不高于7％；
步骤4，压制成型，制备得到低介电损耗负介材料。
较佳地，所述的AgNWs浆料中，AgNWs的直径为40-120nm，均值为65.3±0.33nm；AgNWs的长度为2-7，均值为4.56±0.18。
较佳地，所述的AgNWs的平均长径比为70:1。
较佳地，步骤1中，以多元醇为溶剂经水热反应制备AgNWs，生长剂选用聚乙烯吡咯烷酮。利用水热反应，聚乙烯吡咯烷酮还原Ag+，制备出AgNWs材料，为低损耗负介材料的制备提供了有一种简便、易行的新方法。
较佳地，步骤3中，采用烘干方式干燥，烘干温度范围为60-100℃，时间设置为60-80min。
较佳地，AgNWs/PI复合材料中，AgNWs的质量含量为2.5％～7％。当AgNWs的含量更高时，介电规律可以预见，即负介电常数绝对值变大；但AgNWs的量超过7％时，损耗显著变大。
较佳地，所述的高聚物包含聚酰亚胺、聚偏氟乙烯、聚乙烯醇中的任意一种或任意两种以上的混合。
较佳地，步骤4中，成型温度范围为25-150℃，压力设置范围为15-25MPa，保压时间设置为2-5min。
较佳地，AgNWs/PI复合材料厚度为1-2mm。
本发明还提供了一种采用上述的制备方法制得的低介电损耗负介材料，其为采用均匀掺杂功能相的基体材料压制构成的复合材料，其中，基体材料采用高聚物，功能相采用高长径比的AgNWs，AgNWs在混合物中的质量含量不高于7％。
利用AgNWs具有的高长径比特性，容易在材料内部形成逾渗网络，获得低逾渗阈值，进而有效降低介电损耗。本发明通过调整AgNWs的含量及其在PI中的分布，介电常数由正值转变为负值，获得逾渗型负介响应，兼具低介电损耗，扩宽了其在电子器件领域中的应用。
附图说明
图1为本发明的低介电损耗负介材料(AgNWs/PI复合材料)的介电频谱。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本文所述的“介质损耗正切角”表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小。其中，δ称为损耗角,tanδ称为损耗角正切值。介质损耗不但消耗了电能,而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大,甚至会引起介质的过热而绝缘破坏,所以从这种意义上讲,介质损耗越小越好。
下面结合实施例对本发明的技术方案做进一步说明，但熟悉本领域技术的人员显然可以容易地对这些实施例做出各种修改，并把在此说明的一般原理应用到其他实施例中而不必经过创造性的劳动。因此，本发明包括但不限于这里的实施例。本领域技术人员根据本发明的实施例，对本发明做出的改进和修改都应该在本发明的保护范围之内。在以下比较例或实施例中，通过调节AgNWs的含量及其在PI的分布状态，获得负介响应，同时保持低介电损耗。所述的分布状态依赖于银纳米线的含量；当银纳米线含量低时，银纳米线在基体中是孤立分布，提高含量至2.5％以上时，彼此连结起来，形成导电网络。
前期准备工作：利用水热反应制备高长径比银纳米线。称量0.67g聚乙烯吡咯烷酮(PVP，型号为K30)粉末分散在160mL乙二醇溶液，记为溶液A；称量0.67g硝酸银和3mg氯化钠依次分散在160mL乙二醇溶液，记为溶液B；溶液A和B均匀混合后倒入特氟龙反应釜，在真空烘箱中发生水热反应；将制备的AgNWs浆料分别用去离子水和乙醇离心清洗，多次离心和洗涤直到上层悬浊液变为无色，达到去除银纳米颗粒和乙二醇溶液等杂质的目的；离心后的AgNWs分散到50mL乙醇溶液。其中，反应温度设置为160℃，反应时间设置为120min，离心机转速设置为6000rpm，单次离心时间设置为3min。
实验例1
1g PI粉体均匀分散到8mL乙醇溶液中后，把混合浆料置于真空烘箱中干燥，其中温度设置为80℃，时间设置为60min；干燥的PI粉体倒入压机成型，压力设置为15MPa，保压时间设置为3min，得到PI块体材料。
实验例2
1g PI粉体均匀分散到8mL乙醇溶液中；加入3mL AgNWs浆料，经磁力搅拌过程混合均匀，磁力搅拌时间设置为10min；混合浆料置于真空烘箱中干燥，温度设置为80℃，时间设置为60min；干燥后的AgNWs和PI混合粉体倒入压机成型，压力设置为15MPa，保压时间设置为3min，得到AgNWs/PI复合材料。经计算，AgNWs的质量分数为2.5wt.％。
实验例3
1g PI粉体均匀分散到8mL乙醇溶液中；加入5mL AgNWs浆料，经磁力搅拌过程混合均匀，磁力搅拌时间设置为10min；混合浆料置于真空烘箱中干燥，温度设置为80℃，时间设置为60min；干燥后的AgNWs和PI混合粉体倒入压机成型，压力设置为15MPa，保压时间设置为3min，得到AgNWs/PI复合材料。经计算，AgNWs的质量分数为4wt.％。
实验例4
1g PI粉体均匀分散到8mL乙醇溶液中；加入7mL AgNWs浆料，经磁力搅拌过程混合均匀，磁力搅拌时间设置为10min；混合浆料置于真空烘箱中干燥，温度设置为80℃，时间设置为60min；干燥后的AgNWs和PI混合粉体倒入压机成型，压力设置为15MPa，保压时间设置为3min，得到AgNWs/PI复合材料。经计算，AgNWs的质量分数为6wt.％。
实验例5
1g PI粉体均匀分散到8mL乙醇溶液中；加入9mL AgNWs浆料，经磁力搅拌过程混合均匀，磁力搅拌时间设置为10min；混合浆料置于真空烘箱中干燥，温度设置为80℃，时间设置为60min；干燥后的AgNWs和PI混合粉体倒入压机成型，压力设置为15MPa，保压时间设置为3min，得到AgNWs/PI复合材料。经计算，AgNWs的质量分数为7wt.％。
实施例1-5制备的材料的介电性能用Agilent E4991A表征，测试频段为10M-1GHz。测试结果如图1所示，图1的(a-b)为AgNWs/PI复合材料的介电实部，当AgNWs的含量增加到4wt.％时，介电常数由正值转变为负值，源于材料内部电子的等离振荡过程。图1的(c)为AgNWs/PI复合材料的损耗正切值，特别地，当AgNWs的含量增加到6wt.％时，正切值在测试频率低于0.1，表现为低损耗特性。图1的(d)为本发明制备的AgNWs/PI复合材料的负介电常数、损耗正切角与现有其他文献的对比图，可以看出，AgNWs/PI复合材料具有低介电损耗和弱负介电常数。
本例中，聚酰亚胺和银纳米线都分散在乙醇溶液中形成浆料，本领域普通技术人员容易想到，乙醇不是唯一的分散液。
综上所述，本发明利用AgNWs具有的高长径比特性，容易在材料内部形成逾渗网络，获得低逾渗阈值，进而有效降低介电损耗。特别地，当AgNWs的含量达到7wt.％，复合材料表现出低的介电损耗，其损耗正切角在GHz频段内低于0.1，在满足下一代电子设备和系统要求方面有着重要意义。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。
Claims (6)
1.一种低介电损耗负介材料的制备方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：
步骤1，制备AgNWs乙醇浆料，其中，所述的AgNWs的平均长径比为70:1；所述的AgNWs浆料中，AgNWs的直径为40-120nm，均值为65.3±0.33nm；AgNWs的长度为2-7μm，均值为4.56±0.18μm；
步骤2，将作为基体的高聚物粉末分散在乙醇溶液中，得到基体浆料；
步骤3，将AgNWs浆料与基体浆料按比例混合，干燥；其中，AgNWs在混合物中的质量含量为2.5％～7％；
步骤4，压制成型，成型温度范围为25-150℃，压力设置范围为15-25MPa，保压时间设置为2-5min，制备得到低介电损耗负介材料。
2.如权利要求1所述的低介电损耗负介材料的制备方法，其特征在于，步骤1中，利用多元醇经水热反应制备AgNWs，生长剂选用聚乙烯吡咯烷酮。
3.如权利要求1所述的低介电损耗负介材料的制备方法，其特征在于，步骤3中，采用烘干方式干燥，烘干温度范围为60-100℃，时间设置为60-80min。
4.如权利要求1所述的低介电损耗负介材料的制备方法，其特征在于，所述的高聚物包含聚酰亚胺、聚偏氟乙烯、聚乙烯醇中的任意一种或任意两种以上的混合。
5.如权利要求1所述的低介电损耗负介材料的制备方法，其特征在于，在步骤3之后且步骤4之前，还包含研磨步骤，以将AgNWs均匀分散在基体中。
6.一种采用权利要求1-5中任意一项所述的制备方法制得的低介电损耗负介材料，其特征在于，其为采用均匀掺杂功能相的基体材料压制构成的复合材料，其中，基体材料采用高聚物，功能相采用高长径比的AgNWs，AgNWs在复合材料中的质量含量为2.5％～7％。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111038610.7A CN113736259B (zh) | 2021-09-06 | 2021-09-06 | 一种低介电损耗负介材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111038610.7A CN113736259B (zh) | 2021-09-06 | 2021-09-06 | 一种低介电损耗负介材料及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113736259A CN113736259A (zh) | 2021-12-03 |
| CN113736259B true CN113736259B (zh) | 2024-03-29 |
Family
ID=78736069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111038610.7A Active CN113736259B (zh) | 2021-09-06 | 2021-09-06 | 一种低介电损耗负介材料及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113736259B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114163815B (zh) * | 2021-12-24 | 2024-01-23 | 上海海事大学 | 一种复合材料及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013254699A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Kinugawa Rubber Ind Co Ltd | 導電材含有マスターバッチおよび電極スラリーの製造方法 |
| CN103732709A (zh) * | 2011-08-12 | 2014-04-16 | 3M创新有限公司 | 光学透明的导电粘合剂及由其制得的制品 |
| CN105601964A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-05-25 | 西北工业大学 | 超低介电常数、低介电损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法 |
| CN110343276A (zh) * | 2019-07-29 | 2019-10-18 | 上海海事大学 | 一种具有负介电性能的石墨烯/聚乙烯醇柔性复合薄膜及其制备方法 |
| CN110528105A (zh) * | 2019-08-25 | 2019-12-03 | 宁波宏翌能源科技有限公司 | 一种聚酰胺导电纤维的制备方法 |
-
2021
- 2021-09-06 CN CN202111038610.7A patent/CN113736259B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103732709A (zh) * | 2011-08-12 | 2014-04-16 | 3M创新有限公司 | 光学透明的导电粘合剂及由其制得的制品 |
| JP2013254699A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Kinugawa Rubber Ind Co Ltd | 導電材含有マスターバッチおよび電極スラリーの製造方法 |
| CN105601964A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-05-25 | 西北工业大学 | 超低介电常数、低介电损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法 |
| CN110343276A (zh) * | 2019-07-29 | 2019-10-18 | 上海海事大学 | 一种具有负介电性能的石墨烯/聚乙烯醇柔性复合薄膜及其制备方法 |
| CN110528105A (zh) * | 2019-08-25 | 2019-12-03 | 宁波宏翌能源科技有限公司 | 一种聚酰胺导电纤维的制备方法 |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| Mehdi Hatami.Production and morphological characterization of low resistance polyimide/silver nanowire nanocomposites: potential application in nanoconductive adhesives.《J Mater Sci: Mater Electron》.2016,第3页. * |
| Production and morphological characterization of low resistance polyimide/silver nanowire nanocomposites: potential application in nanoconductive adhesives;Mehdi Hatami;《J.Mater.Sci:Mater.Electron》;第3页 * |
| 填料长径比对导电胶渗流阈值的影响;陶宇等;《复合材料学报》;第第27卷卷(第第6期期);213-216 * |
| 陶宇等.填料长径比对导电胶渗流阈值的影响.《复合材料学报》.2010,213-216. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113736259A (zh) | 2021-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102181168B (zh) | 聚合物基复合材料及其制造方法 | |
| CN113736259B (zh) | 一种低介电损耗负介材料及其制备方法 | |
| CN111662515B (zh) | 一种聚四甲基一戊烯—二氧化钛纳米片复合薄膜的制备方法 | |
| JP2021011421A (ja) | 低損失ガーネットフェライト材料の調製方法 | |
| CN106633303A (zh) | 高直流击穿场强的纳米复合交联聚乙烯绝缘材料及其制备方法 | |
| CN108383520A (zh) | 一种超低损耗型MgTiO3基微波介质陶瓷的制备方法 | |
| CN109415265B (zh) | 一种介质陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN106893303A (zh) | 一种高介电常数轻质介质基材及其制备方法 | |
| CN110343276B (zh) | 一种具有负介电性能的石墨烯/聚乙烯醇柔性复合薄膜及其制备方法 | |
| CN111986866A (zh) | 一种高频低磁损的功率型软磁复合材料及其制备方法 | |
| CN103693957B (zh) | 一种微波介质陶瓷的制备方法 | |
| CN103396548A (zh) | 一种高介电聚酰亚胺/钛酸铜钙纳米线复合材料的制备方法 | |
| CN109486000B (zh) | 一种高储能密度聚合物基纳米复合材料及其制备方法 | |
| CN112624768B (zh) | 一种具有弱负介电性能的陶瓷基三元复合材料及制备方法 | |
| CN111944267B (zh) | 一种硼掺杂石墨烯复合材料的制备方法及作为负介电材料的应用 | |
| CN108003520B (zh) | 一种高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料的制备方法 | |
| CN109575595A (zh) | 一种聚醚酰亚胺/钛酸钡/石墨烯介电复合材料的制备方法 | |
| CN110066484B (zh) | 一种具有负介电性能的碳纳米管-石墨-聚偏氟乙烯三元复合材料及其制备方法 | |
| CN110550626A (zh) | 一种改性氧化石墨烯基体内可控还原的方法 | |
| CN106336215A (zh) | 一种陶瓷材料制备方法 | |
| CN112898952B (zh) | 一种具备导热和吸波一体化功能的石墨烯/Fe/Fe3O4复合材料及其制备方法 | |
| CN107652589A (zh) | 一种聚偏氟乙烯复合材料 | |
| CN111748059A (zh) | 石墨烯高导热不饱和聚酯树脂模塑复合材料 | |
| CN114957754B (zh) | 电容器薄膜的聚四甲基一戊烯-氮化硼复合薄膜制备方法 | |
| CN1472448A (zh) | 纳米陶瓷弹簧生产方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |