CN114946013A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

Abstract

一种基板处理装置，其对基板进行处理，其中，该基板处理装置具有：基板输送机构，其保持所述基板的一面并进行输送；以及清洗机构，其设于所述基板输送机构输送所述基板的输送路径的下方，对所述基板的另一面进行清洗，所述清洗机构具有：吸水性辊，其构成为利用驱动机构旋转自如，至少在周面的表层具备吸水层；清洗液喷嘴，其向所述吸水性辊供给清洗液；以及挤压辊，其在所述吸水性辊的旋转方向上设于比所述清洗液喷嘴靠下游侧的位置，构成为相对于所述吸水性辊在接近远离方向上移动自如，通过使所述吸水性辊与所述基板的另一面接触，从而对所述基板的另一面进行清洗。

Description

基板处理装置和基板处理方法

技术领域

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

在专利文献1中公开了如下内容：在具备对磨削后的被加工物进行清洗的清洗辊的磨削装置中，根据吸附保持并输送被加工物的吸盘与清洗辊之间的相对位置来变更清洗辊的旋转方向。清洗辊配设于利用吸盘送出被加工物的送出路径上。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本国日本特开2005-302831号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的技术适当地对磨削处理前或磨削处理后的基板进行清洗。

用于解决问题的方案

本公开的一技术方案是一种基板处理装置，其对基板进行处理，其中，该基板处理装置具有：基板输送机构，其保持所述基板的一面并进行输送；以及清洗机构，其设于所述基板输送机构输送所述基板的输送路径的下方，对所述基板的另一面进行清洗，所述清洗机构具有：吸水性辊，其构成为利用驱动机构旋转自如，至少在周面的表层具备吸水层；清洗液喷嘴，其向所述吸水性辊供给清洗液；以及挤压辊，其在所述吸水性辊的旋转方向上设于比所述清洗液喷嘴靠下游侧的位置，构成为相对于所述吸水性辊在接近远离方向上移动自如，通过使所述吸水性辊与所述基板的另一面接触，从而对所述基板的另一面进行清洗。

发明的效果

根据本发明，能够适当地对磨削处理前或磨削处理后的基板进行清洗。

附图说明

图1是表示重合晶圆的结构例的侧视图。

图2是表示本实施方式的晶圆处理系统的结构的概略的俯视图。

图3是表示晶圆处理的主要的工序的流程图。

图4是表示本实施方式的背面清洗装置的结构例的剖视图。

图5是表示本实施方式的背面清洗装置的结构例的俯视图。

图6是表示本实施方式的背面清洗的主要的工序的流程图。

图7是表示本实施方式的背面清洗的主要的工序的说明图。

图8是表示本实施方式的背面清洗的主要的工序的说明图。

图9是表示另一实施方式的背面清洗装置的结构例的剖视图。

具体实施方式

在半导体器件的制造工序中，进行有如下操作：针对在表面形成有多个电子电路等器件的基板(以下称作“第1晶圆”)，对该第1晶圆的背面进行磨削而使第1晶圆薄化。然后，若直接对该薄化了的第1晶圆进行输送或进行后续的处理，则可能会在第1晶圆产生翘曲、裂纹。因此，为了加强第1晶圆，例如进行有如下操作：将第1晶圆粘贴于支承基板(以下称作“第2晶圆”)，而形成重合基板(以下称作“重合晶圆”)。

在对上述的第1晶圆的背面进行磨削时，通常，在将第2晶圆的背面保持于卡盘的状态下，将砂轮抵接于第1晶圆的背面。然而，在像这样对第1晶圆的背面进行磨削的情况下，存在由磨削产生的磨削屑、磨削时朝向第1晶圆供给的清洗液向第2晶圆的背面侧侵入并附着的情况。于是，在像这样附着有磨削屑、清洗液的情况下，在输送重合晶圆时，存在附着于第2晶圆的背面的磨削屑、清洗液飞散、滴下而对模块内造成污染的情况。

上述的专利文献1所记载的磨削装置是为了抑制像这样的磨削屑的飞散而具备用于对磨削后的第2晶圆(被加工物)的背面进行清洗的清洗部件的装置。然而，在该磨削装置中，向与第2晶圆的背面抵接的清洗辊供给清洗液，由此，使清洗辊在吸收了清洗液的状态下与第2晶圆的背面接触，因而存在无法适当地清洗第2晶圆的背面的情况。具体而言，由于清洗辊为吸收了清洗液的状态，因而在使用该清洗辊对第2晶圆的背面进行了清洗的情况下，存在清洗液在第2晶圆的背面残留的情况。于是，在像这样附着的清洗液未被完全吸收而残留于第2晶圆的背面的情况下，残留的清洗液可能向模块内飞散、滴下而成为污染的原因。

本公开的技术适当地对磨削处理前或磨削处理后的基板进行清洗。具体而言，在清洗磨削处理前或磨削处理后的基板时，适当地抑制清洗液残留于清洗后的基板。以下，参照附图，说明本实施方式的作为基板处理装置的晶圆处理系统和作为基板处理方法的晶圆处理方法。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，从而省略重复说明。

在本实施方式的后述的晶圆处理系统1中，如图1所示，对将作为第1基板的第1晶圆W和作为第2基板的第2晶圆S接合而成的作为重合基板的重合晶圆T进行处理。而且，在晶圆处理系统1中，对第1晶圆W的背面Wb进行磨削来使其薄化。以下，在第1晶圆W中，将与第2晶圆S接合的一侧的面称作表面Wa，将与表面Wa相反的一侧的磨削面称作作为一面的背面Wb。同样，在第2晶圆S中，将与第1晶圆W接合的一侧的面称作表面Sa，将与表面Sa相反的一侧的面称作作为另一面的背面Sb。

第1晶圆W例如是硅基板等半导体晶圆，在表面Wa形成有包含多个器件的器件层D。在器件层D还形成有表面膜Fw，并经由该表面膜Fw与第2晶圆S的表面膜Fs接合。作为表面膜Fw，例如列举氧化膜(SiO₂膜、TEOS膜)、SiC膜、SiCN膜或粘接剂等。此外，第1晶圆W的周缘部We进行有倒角加工，周缘部We的截面朝向其前端而厚度变小。

第2晶圆S例如是支承第1晶圆W的晶圆。在第2晶圆S的表面Sa形成有表面膜Fs，该第2晶圆S的周缘部进行有倒角加工。作为表面膜Fs，例如列举氧化膜(SiO₂膜、TEOS膜)、SiC膜、SiCN膜或粘接剂等。另外，第2晶圆S作为保护第1晶圆W的器件层D的保护件(支承晶圆)发挥功能。此外，第2晶圆S不需要是支承晶圆，也可以是与第1晶圆W同样地形成有器件层的器件晶圆。在该情况下，在第2晶圆S的表面Sa隔着器件层形成有表面膜Fs。

此外，在以后的说明所使用的附图中，为了避免图示的烦杂，有时省略器件层D和表面膜Fw、Fs的图示。

如图2所示，晶圆处理系统1具有将送入送出站2与处理站3连接为一体的结构。送入送出站2例如在与外部之间送入送出能够收纳多个重合晶圆T的盒Ct。处理站3具备对重合晶圆T实施规定的处理的各种处理装置。

在送入送出站2设有盒载置台10。在图示的例子中，多个、例如3个盒Ct在盒载置台10沿Y轴方向呈一列地载置自如。此外，载置于盒载置台10的盒Ct的个数并不限定于本实施方式，而能够任意地确定。

在送入送出站2中，在盒载置台10的X轴负方向侧，与该盒载置台10相邻地设有晶圆输送装置20。晶圆输送装置20构成为在沿Y轴方向延伸的输送路径21上移动自如。另外，晶圆输送装置20具有保持并输送重合晶圆T的例如两个输送臂22、22。各输送臂22构成为在水平方向上、在铅垂方向上、绕水平轴线以及绕铅垂轴线移动自如。此外，输送臂22的结构并不限定于本实施方式，而能够采用任意的结构。于是，晶圆输送装置20构成为能够相对于盒载置台10的盒Ct和后述的传送装置30输送重合晶圆T。

在送入送出站2中，在晶圆输送装置20的X轴负方向侧，与该晶圆输送装置20相邻地设有用于交接重合晶圆T的传送装置30。

在处理站3例如设有3个处理模块G1～G3。第1处理模块G1、第2处理模块G2以及第3处理模块G3自X轴正方向侧(送入送出站2侧)向负方向侧依次排列地配置。

在第1处理模块G1设有：蚀刻装置40，其对由后述的加工装置80磨削了的第1晶圆W的磨削面进行蚀刻；清洗装置41，其对第1晶圆W的磨削面进行清洗；以及晶圆输送装置50。蚀刻装置40和清洗装置41层叠地配置。此外，蚀刻装置40和清洗装置41的数量、配置并不限定于此。例如，蚀刻装置40和清洗装置41也可以分别在X轴方向上排列地载置。此外，这些蚀刻装置40和清洗装置41也可以分别层叠。

晶圆输送装置50例如配置于蚀刻装置40和清洗装置41的Y轴负方向侧。晶圆输送装置50具有保持并输送重合晶圆T的例如两个输送臂51、51。各输送臂51构成为在水平方向上、在铅垂方向上、绕水平轴线以及绕铅垂轴线移动自如。此外，输送臂51的结构并不限定于本实施方式，而能够采用任意的结构。于是，晶圆输送装置50构成为能够相对于传送装置30、蚀刻装置40、清洗装置41以及后述的对准装置60输送重合晶圆T。

在第2处理模块G2设有调节磨削处理前的第1晶圆W的水平方向上的朝向的对准装置60和晶圆输送装置70。

作为基板输送机构的晶圆输送装置70例如配置于对准装置60的Y轴正方向侧。晶圆输送装置70具有利用吸附保持面71a对重合晶圆T进行吸附保持并输送的例如两个输送臂71、71。各输送臂71支承于多关节的臂构件72，构成为在水平方向上、在铅垂方向上、绕水平轴线以及绕铅垂轴线移动自如。此外，输送臂71的结构并不限定于本实施方式，而能够采用任意的结构。于是，晶圆输送装置70构成为能够相对于蚀刻装置40、清洗装置41、对准装置60以及后述的加工装置80输送重合晶圆T。

在第3处理模块G3设有加工装置80和背面清洗装置90。

加工装置80具有旋转台81。在旋转台81上设有四个用于吸附保持重合晶圆T的卡盘82。通过旋转台81以旋转中心线83为中心旋转，从而四个卡盘82能够向交接位置A0和加工位置A1～A3移动。另外，四个卡盘82分别构成为能够利用旋转机构(未图示)绕铅垂轴线旋转。

在交接位置A0，由晶圆输送装置70进行重合晶圆T的交接。在加工位置A1配置有粗磨削单元84，对第1晶圆W进行粗磨削。在加工位置A2配置有中磨削单元85，对第1晶圆W进行中磨削。在加工位置A3配置有精磨削单元86，对第1晶圆W进行精磨削。此外，在交接位置A0，还进行加工位置A1～A3的磨削处理后的第1晶圆W的背面Wb的清洗。

作为清洗机构的背面清洗装置90设于第3处理模块G3中的利用晶圆输送装置70输送重合晶圆T的输送路径的下方、具体而言为交接位置A0的X轴正方向侧。在背面清洗装置90，对磨削处理后的第2晶圆S的背面Sb进行清洗。另外，背面清洗装置90的详细结构随后叙述。

在以上的晶圆处理系统1设有控制装置100。控制装置100例如是计算机，具有程序存储部(未图示)。在程序存储部存储有用于控制晶圆处理系统1中的重合晶圆T的处理的程序。另外，在程序存储部还存储有用于控制上述的各种处理装置、输送装置等的驱动系统的动作来实现晶圆处理系统1中的后述的晶圆处理的程序。此外，上述程序也可以存储于可由计算机读取的存储介质H，并自该存储介质H加载于控制装置100。

接着，对使用如以上这样构成的晶圆处理系统1进行的晶圆处理进行说明。此外，在本实施方式中，预先在晶圆处理系统1的外部的接合装置(未图示)形成将第1晶圆W与第2晶圆S接合而成的重合晶圆T。

首先，将收纳有多个重合晶圆T的盒Ct载置于送入送出站2的盒载置台10。接着，利用晶圆输送装置20取出盒Ct内的重合晶圆T，并向传送装置30输送。

接着，利用晶圆输送装置50取出传送装置30的重合晶圆T，并向对准装置60输送。在对准装置60，调节第1晶圆W的水平方向上的位置(图3的步骤S1)。

接着，利用晶圆输送装置70将调节了水平方向上的朝向的重合晶圆T自对准装置60向加工装置80输送。

输送到加工装置80的重合晶圆T向交接位置A0的卡盘82交接。接着，使旋转台81旋转，使卡盘82依次移动至加工位置A1～A3。

在加工位置A1，利用粗磨削单元84对第1晶圆W的背面Wb进行粗磨削(图3的步骤S2)。

在加工位置A2，利用中磨削单元85对第1晶圆W的背面Wb进行中磨削(图3的步骤S3)。

在加工位置A3，利用精磨削单元86对第1晶圆W的背面Wb进行精磨削(图3的步骤S4)。

当利用磨削处理使第1晶圆W薄化至期望的厚度时，接着，使卡盘82向交接位置A0移动。接着，移动到交接位置A0的重合晶圆T利用晶圆输送装置70开始进行朝向清洗装置41的输送。

在此，在第3处理模块G3中的重合晶圆T的输送路径的下方、更具体而言为自交接位置A0向清洗装置41输送重合晶圆T的输送路径的下方，设有用于清洗第2晶圆S的背面Sb的背面清洗装置90。

然后，在本实施方式的晶圆处理中，对利用晶圆输送装置70进行的自交接位置A0向清洗装置41的输送过程中的重合晶圆T的第2晶圆S的背面Sb进行清洗(图3的步骤S5)。此外，利用背面清洗装置90进行的第2晶圆S的背面Sb的详细的清洗方法随后叙述。

将第2晶圆S的背面Sb被背面清洗装置90清洗了的重合晶圆T向清洗装置41送入。在清洗装置41，对第1晶圆W的磨削面(背面Wb)进行擦洗(图3的步骤S6)。此外，在清洗装置41，也可以进一步将第2晶圆S的背面Sb与第1晶圆W的磨削面一起清洗。

接着，利用晶圆输送装置50将重合晶圆T向蚀刻装置40输送。在蚀刻装置40，利用药液对第1晶圆W的磨削面(背面Wb)进行湿式蚀刻(图3的步骤S7)。

之后，利用晶圆输送装置50将实施了所有处理的重合晶圆T向传送装置30输送，进而利用晶圆输送装置20向盒载置台10的盒Ct输送。这样一来，晶圆处理系统1中的一系列的晶圆处理结束。

此外，在以上的晶圆处理中，第2晶圆S的背面Sb的清洗在加工装置80的磨削处理后进行，但背面Sb的清洗例如也可以还在重合晶圆T的磨削处理前的自对准装置60向加工装置80的输送过程中进行。

接着，对上述的背面清洗装置90的详细结构进行说明。此外，在以下的说明中，为了避免说明变得烦杂，有时分别将加工装置80中的背面Wb的磨削时使用并附着于背面Sb的清洗液称作“清洗液80w”，将背面清洗装置90中的背面Sb的清洗时使用的清洗液称作“清洗液90w”。另外，有时将加工装置80中的背面Wb的磨削时附着于背面Sb的磨削屑和清洗液80w一并表述为“磨削屑等”。

如图4和图5所示，背面清洗装置90具有清洗辊91、清洗液喷嘴92以及挤压辊93。另外，这些清洗辊91、清洗液喷嘴92以及挤压辊93的整周和上方被盖体94覆盖，该盖体94用于防止背面Sb的清洗时自清洗液喷嘴92喷射出的清洗液90w和利用第2晶圆S的清洗而自背面Sb去除的磨削屑等向外部飞散。另外，在盖体94的下方还设有用于接收并排出清洗液90w和磨削屑等的水槽95。

作为吸水性辊的清洗辊91由至少作为吸水层的表层具有吸水性的构件、例如海绵材料构成。清洗辊91形成为在长度方向上至少长于第2晶圆S的直径。清洗辊91以其上部自后述的盖体94的开口部94a突出的方式设置，该突出部与在背面清洗装置90的上方输送的第2晶圆S的背面Sb接触，从而去除附着于背面Sb的磨削屑等。此外，磨削屑等是指如上述那样在加工装置80中的第1晶圆W的背面Wb的磨削时附着的磨削屑、清洗液80w。

另外，清洗辊91构成为利用驱动机构91a(例如伺服马达)绕长度方向上的轴线旋转自如。清洗辊91的旋转方向能够任意地变更。

清洗液喷嘴92在清洗辊91的旋转方向上的背面Sb的清洗位置的下游侧、例如清洗辊91的侧方，与该清洗辊91的周面相对地设置。清洗液喷嘴92例如在清洗辊91的长度方向上具有多个清洗液供给孔(未图示)，能够相对于清洗辊91的长度方向上的全长供给清洗液90w。而且，清洗液喷嘴92对清洗辊91供给清洗液90w，从而使清洗辊91吸收清洗液，并且去除由于背面Sb的清洗而附着于清洗辊91的周面的磨削屑等。此外，清洗液90w例如能够使用纯水。

在清洗液喷嘴92的上下方向上，分别沿着清洗液90w的喷射方向设有用于防止清洗液90w和清洗液80w的飞散、传递的遮蔽板96、97。遮蔽板96和遮蔽板97分别被设为在清洗辊91侧，端部以不使清洗液80w、90w穿过清洗辊91与遮蔽板96、97之间的间隙的程度接近清洗辊91。

遮蔽板96设于清洗液喷嘴92的上方，抑制自清洗液喷嘴92喷射的清洗液90w附着于由清洗辊91清洗后的第2晶圆S的背面Sb。遮蔽板97设于清洗液喷嘴92的下方，抑制自清洗液喷嘴92喷射并对清洗辊91进行了清洗后的清洗液90w(污染水)、利用清洗而去除了的清洗液80w向后述的挤压辊93传递。此外，在遮蔽板97形成有用于将清洗液90w、清洗液80w以及污染水向水槽95排出的孔部(未图示)。

挤压辊93在清洗辊91的旋转方向上至少设于比清洗液喷嘴92靠下游侧的位置、例如清洗辊91的下方。挤压辊93构成为利用驱动机构93a(例如气缸)相对于清洗辊91在接近远离方向(在图示的例子中为上下方向)上移动自如，由此构成为相对于清洗辊91按压自如。于是，挤压辊93对由于背面Sb的清洗以及清洗液喷嘴92而吸水了的清洗辊91进行按压，从而将清洗辊91所含有的清洗液90w挤出，由此使清洗辊91的吸水量降低至期望的值、例如能够适当地吸收附着于背面Sb的清洗液80w的值。而且，在由清洗液喷嘴92清洗后的清洗辊91残留有清洗时的污染水的情况下，能够利用挤压辊93将该污染水同时挤出。因此，能够使清洗辊91在污染水被挤出的清洁的状态下再次进行背面Sb的清洗。

盖体94以收纳并覆盖清洗辊91、清洗液喷嘴92以及挤压辊93的方式设置，抑制在背面清洗装置90中使用的清洗液90w、利用清洗而去除的磨削屑等向周围、即背面清洗装置90的外部飞散。

在盖体94的上表面形成有开口部94a。如上所述，清洗辊91的上部自开口部94a突出，该突出部与经过背面清洗装置90的上方的第2晶圆S的背面Sb接触，从而清洗该背面Sb。

另外，在盖体94还连接有用于对该盖体94的内部进行排气的排气机构94b。排气机构94b通过对盖体94的内部进行排气来降低内部的湿度，抑制例如驱动机构91a、驱动机构93a等驱动系统因湿气而产生不良情况。

水槽95设于盖体94的下方、即清洗辊91、清洗液喷嘴92以及挤压辊93的下方，将清洗液90w、污染水以及被去除的磨削屑等经由设于底部的排出口95a自背面清洗装置90排出。水槽95以至少在挤压辊93的下降时该挤压辊93不会与自水槽95排出的排液接触的深度形成。

接着，对使用如以上那样构成的背面清洗装置90进行的背面Sb的清洗方法进行说明。

在清洗第2晶圆S的背面Sb时，在使重合晶圆T经过背面清洗装置90的上方之前，进行背面清洗装置90中的背面Sb的清洗准备。

在清洗准备时，如图7的(a)所示，利用驱动机构91a使清洗辊91旋转(图6的步骤P1)。在本实施方式中，清洗辊91的旋转方向相对于重合晶圆T的输送方向为顺向。

当清洗辊91的旋转开始时，接着，如图7的(b)所示，开始自清洗液喷嘴92朝向清洗辊91供给清洗液90w(图6的步骤P2)。清洗辊91吸收来自清洗液喷嘴92的清洗液，至少在清洗辊91的表层形成第1吸水区域91w。

向清洗辊91供给清洗液90w，当在清洗辊91充分地吸收清洗液时，接着，如图7的(c)所示，利用驱动机构93a使挤压辊93上升，并向清洗辊91按压(图6的步骤P3)。通过如此将挤压辊93按压于清洗辊91，从而将清洗辊91所含有的清洗液90w自清洗辊91挤出，在清洗辊91的旋转方向上的挤压辊93的下游侧，清洗辊91中的清洗液90w的吸水量下降。另外，在本实施方式中，挤压辊93不具有旋转机构，而是通过按压于旋转着的清洗辊91而与清洗辊91共转。

然后，当像这样在清洗辊91的周向上形成第1吸水区域91w(在清洗辊91的旋转方向上，自清洗液喷嘴92到挤压辊93)和第2吸水区域91d(在清洗辊91的旋转方向上，自挤压辊93到清洗液喷嘴92)时，背面清洗装置90中的背面Sb的清洗准备完成。此外，第2吸水区域91d表示利用挤压辊93将清洗辊91的吸水量降低至期望的值、具体而言为能够适当地吸收并去除附着于背面Sb的清洗液80w的值的状态。

当背面清洗装置90中的清洗准备完成时，接着，开始将完成了加工装置80中的磨削处理的重合晶圆T自加工装置80向清洗装置41输送(图6的步骤P4)。此时，在重合晶圆T的输送路径的下方配置有在步骤P3中完成了清洗准备的背面清洗装置90，对输送过程中的重合晶圆T的第2晶圆S的背面Sb进行清洗。

在此，利用晶圆输送装置70保持重合晶圆T的保持高度维持为输送过程中的第2晶圆S的背面Sb与自盖体94的开口部94a突出的清洗辊91的上部接触的高度。由此，如图7的(d)所示，由晶圆输送装置70输送的第2晶圆S的背面Sb在经过背面清洗装置90的上方时与清洗辊91的上部接触，将附着于背面Sb的磨削屑等去除，而进行清洗(图6的步骤P5)。另外，此时，与背面Sb接触的区域是在步骤P3中所形成的清洗辊91的第2吸水区域91d。

具体而言，附着于背面Sb的磨削屑吸附于例如由海绵材料构成的清洗辊91的孔部(未图示)，或者直接落下到水槽95的内部而被去除。另外，附着于背面Sb的清洗液80w例如被具有吸水性的清洗辊91吸收。而且，在本实施方式的背面清洗装置90中，背面Sb与第2吸水区域91d接触，换言之，与背面Sb接触的清洗辊91的吸水量由于挤压辊93而降低，因此附着于背面Sb的清洗液80w被清洗辊91适当地吸收并去除。

在此，在利用清洗辊91清洗背面Sb时，如图7的(d)所示，第2吸水区域91d与背面Sb接触，从而在清洗辊91的周面形成污染区域91p(在清洗辊91的旋转方向上，自与背面Sb之间的接触部到清洗液喷嘴92)。具体而言，由挤压辊93形成的第2吸水区域91d与背面Sb接触，从而附着于背面Sb的磨削屑等被清洗辊91吸附、吸收，而造成污染。

之后，所形成的清洗辊91的污染区域91p利用来自清洗液喷嘴92的清洗液90w的喷射来去除磨削屑等，从而被清洗(图6的步骤P6)。即，在背面Sb的清洗时，清洗液喷嘴92作为背面清洗装置90中的清洗辊91的自身清洗喷嘴发挥功能。另外，利用来自清洗液喷嘴92的清洗液90w的喷射来去除了的磨削屑等例如落下到水槽95的内部而被去除。

在此，在由于该清洗辊91的污染区域91p的清洗而产生的污染水传递至挤压辊93的情况下，挤压辊93被该污染水污染，由此，利用挤压辊93按压后的第2吸水区域91d被污染，其结果，有可能无法适当地清洗背面Wb。然而，根据本实施方式，在清洗液喷嘴92的下方设有遮蔽板97，抑制污染水向挤压辊93的传递。即，根据本实施方式，能够适当地清洗第2晶圆S的背面Sb。此外，所产生的污染水利用设于遮蔽板97的上述的孔部(未图示)向水槽95引导而被去除。

如图7的(d)所示，利用自清洗液喷嘴92供给的清洗液90w清洗了的污染区域91p再次成为第1吸水区域91w而到达挤压辊93，在利用挤压辊93而成为第2吸水区域91d之后，再次与背面Sb接触而进行清洗。

然后，当利用晶圆输送装置70使重合晶圆T经过背面清洗装置90的上方时，换言之，当利用清洗辊91清洗第2晶圆S的背面Sb的整面时，背面清洗装置90对背面Sb的清洗完成。之后，将背面Sb被清洗了的重合晶圆T向清洗装置41输送而进行擦洗(图3的步骤S6)。

此外，如以上那样完成第2晶圆S的背面Sb的清洗，但也可以在背面Sb的清洗完成后，利用背面清洗装置90进一步清洗晶圆输送装置70的吸附保持面71a。该吸附保持面71a的清洗既可以在每次重合晶圆T的处理时进行，也可以在收纳于盒Ct的所有重合晶圆T的处理完成之后进行。

此外，吸附保持面71a的清洗方法与第2晶圆S的背面Sb的清洗方法同样。即，在未保持重合晶圆T的状态下使晶圆输送装置70的吸附保持面71a与清洗辊91接触，从而进行清洗。在该情况下，吸附保持面71a的高度需要下降与重合晶圆T的厚度对应的量，以使该吸附保持面71a与清洗辊91适当地接触。

之后，如图8的(a)所示，当背面清洗装置90的所有处理完成时，使背面清洗装置90停止。在背面清洗装置90停止时，首先，如图8的(b)所示，利用驱动机构93a使挤压辊93自清洗辊91退避(图6的步骤P8)。

当使挤压辊93下降时，接着，如图8的(c)所示，停止自清洗液喷嘴92向清洗辊91供给清洗液90w(图6的步骤P9)。

在停止了来自清洗液喷嘴92的清洗液90w的供给之后，最后，如图8的(d)所示，停止利用驱动机构91a进行的清洗辊91的旋转(图6的步骤P10)。于是，由此，背面清洗装置90中的一系列的背面Sb的清洗结束。

如上所述，根据本实施方式的背面清洗装置90，在对第1晶圆W的背面Wb进行了磨削后的重合晶圆T中，能够适当地去除附着于第2晶圆S的背面Sb的磨削屑等(磨削屑和清洗液80w)。另外，此时，清洗辊91利用挤压辊93而以吸水量降低了的状态与背面Sb接触，因此能够更适当地进行附着于背面Sb的清洗液80w的吸水。

另外，根据本实施方式，清洗液喷嘴92能够对进行了背面Sb的清洗后的清洗辊91的污染区域91p进行清洗，因此不会使该污染区域91p污染背面Sb，而能够适当地进行清洗。另外，在利用清洗液喷嘴92清洗污染区域91p后，通过将挤压辊93按压于第1吸水区域91w，从而将清洗辊91的清洗液90w挤出，使吸水量降低，因此即使在进行了清洗辊91的清洗的情况下，也能够适当地吸收附着于背面Sb的清洗液80w，更适当地进行背面Sb的清洗。另外，此时，能够利用挤压辊93将清洗辊91所含有的污染水同时挤出，因此能够更适当地进行背面Sb的清洗。

而且，在清洗液喷嘴92的下方沿着清洗液90w的喷射方向设有遮蔽板97。由此，能够抑制由于清洗辊91的清洗而产生的污染水到达挤压辊93，而更适当地进行背面Sb的清洗。

另外，根据本实施方式，以覆盖清洗辊91和清洗液喷嘴92的方式设有盖体94，并且在清洗液喷嘴92的上方沿着清洗液90w的喷射方向设有遮蔽板96。由此，能够适当地抑制自清洗液喷嘴92喷射的清洗液90w直接附着于背面Sb、污染背面清洗装置90的外部。

另外，根据本实施方式，清洗辊91相对于晶圆输送装置70输送重合晶圆T的输送方向沿顺向旋转。由此，抑制第2晶圆S的背面Sb与清洗辊91接触时清洗液90w向第1晶圆W的背面Wb飞散。

另外，根据本实施方式，清洗辊91形成为在长度方向上至少大于第2晶圆S的直径。由此，在第2晶圆S经过时，能够使清洗辊91与背面Sb的整面适当地接触，即、能够适当地进行背面Sb的清洗。

另外，而且，根据本实施方式，在背面清洗装置90停止时，在使挤压辊93自清洗辊91退避之后停止来自清洗液喷嘴92的清洗液90w的供给。由此，能够抑制挤压辊93对干燥状态的清洗辊91进行按压，抑制由挤压辊93对清洗辊91造成的永久变形的影响，而适当地抑制清洗辊91的寿命降低。

另外，同样地，根据本实施方式，在背面清洗装置90的启动时，在挤压辊93对清洗辊91按压之前开始来自清洗液喷嘴92的清洗液90w的供给，因此能够更适当地抑制由挤压辊93造成的永久变形的影响。

此外，背面清洗装置90的结构并不限定于以上的实施方式。例如，在上述实施方式中，仅利用一个清洗辊91进行第2晶圆S的背面Sb的清洗，但例如也可以在重合晶圆T的输送路径的下方设置多个清洗辊91。

另外，例如，如图9所示，也可以在重合晶圆T的输送路径中的清洗辊91的上游侧还设置用于向背面Sb喷射空气、清洗水等流体的流体喷嘴110。通过如此设置流体喷嘴110，从而向与清洗辊91接触前的背面Sb喷射流体，而能够预先去除磨削屑等，能够更容易地利用清洗辊91进行清洗。

另外，清洗液喷嘴92和挤压辊93的相对于清洗辊91的配置也不限定于上述实施方式，而能够任意地配置。但是，从在背面Sb的清洗后尽快进行污染区域91p的清洗的观点来看，清洗液喷嘴92优选靠近与背面Sb之间的接触部地配置。另外，从抑制利用挤压辊93的按压而去除了的清洗液90w向下方传递而再次被清洗辊91吸收的观点来看，挤压辊93优选配置于清洗辊91的下方。

另外，而且，在上述实施方式中，挤压辊93不具有旋转机构，而是通过按压于清洗辊91而进行共转，但也可以针对挤压辊93还设置旋转机构。

另外，在上述实施方式中，为了抑制对清洗辊91造成的永久变形的影响，在挤压辊93的退避后停止来自清洗液喷嘴92的清洗液90w的供给，但只要能够在清洗辊91干燥前使挤压辊93退避，就也可以在清洗液90w的供给停止后使挤压辊93退避。

此外，在上述实施方式中，将清洗辊91的旋转方向相对于重合晶圆T的输送方向设为顺向，但清洗辊91的旋转方向并不限定于此。例如，将清洗辊91的旋转方向相对于重合晶圆T的输送方向设为逆向，从而能够提高清洗辊91对背面Sb的清洗能力。

此外，在以上的实施方式中，进行磨削处理后的背面Sb的清洗，但背面清洗装置90设于相对于加工装置80的重合晶圆T的输送路径的下方。因此，在将利用晶圆输送装置70保持重合晶圆T的保持高度设为恒定的情况下，即使在向加工装置80送入重合晶圆T时不需要清洗的情况下，也可能会使清洗辊91与背面Sb接触。因此，在本实施方式中，优选对利用晶圆输送装置70保持重合晶圆T的保持高度进行控制。具体而言，优选在向加工装置80送入重合晶圆T时设为清洗辊91与背面Sb不接触的高度，在送出时设为清洗辊91与背面Sb接触的高度。

此外，在以上的实施方式中，以在背面清洗装置90中对将第1晶圆W与第2晶圆S接合而成的重合晶圆T中的第2晶圆S的背面Sb进行清洗的情况为例进行了说明，但背面清洗装置90中的作为清洗对象的晶圆并不限定于此。例如，也可以在背面清洗装置90中进行器件晶圆(第1晶圆W)的清洗，该器件晶圆也可以不与支承晶圆(第2晶圆S)接合。另外，在该情况下，也可以不在器件晶圆形成表面膜Fw。

应该认为，本次公开的实施方式在所有方面都是例示而不是限制性的。上述的实施方式也可以在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下以各种各样的方式进行省略、置换、变更。

附图标记说明

1、晶圆处理系统；70、晶圆输送装置；71a、吸附保持面；90、背面清洗装置；91、清洗辊；91a、驱动机构；92、清洗液喷嘴；93、挤压辊；Sb、(第2晶圆的)背面；T、重合晶圆；Wb、(第1晶圆的)背面。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，其对基板进行处理，其中，

该基板处理装置具有：

基板输送机构，其保持所述基板的一面并进行输送；以及

清洗机构，其设于所述基板输送机构输送所述基板的输送路径的下方，对所述基板的另一面进行清洗，

所述清洗机构具有：

吸水性辊，其构成为利用驱动机构旋转自如，至少在周面的表层具备吸水层；

清洗液喷嘴，其向所述吸水性辊供给清洗液；以及

挤压辊，其在所述吸水性辊的旋转方向上设于比所述清洗液喷嘴靠下游侧的位置，构成为相对于所述吸水性辊在接近远离方向上移动自如，

通过使所述吸水性辊与所述基板的另一面接触，从而对所述基板的另一面进行清洗。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述清洗机构在所述清洗液喷嘴的下方沿着所述清洗液的喷射方向具备遮蔽板。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，

所述清洗机构在所述清洗液喷嘴的上方沿着所述清洗液的喷射方向具备遮蔽板。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其中，

该基板处理装置具有盖体，该盖体以收纳所述清洗机构的方式设置，并在该盖体的上表面形成有开口部，

与所述基板的另一面接触的所述吸水性辊的上部自所述开口部突出。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，

该基板处理装具备排气机构，该排气机构对所述盖体的内部进行排气。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其中，

所述清洗机构具备流体喷嘴，该流体喷嘴设于所述基板的输送路径中的比所述吸水性辊靠上游侧的位置，并向所述另一面供给流体。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置，其中，

所述吸水性辊的利用所述驱动机构旋转的旋转方向相对于所述基板的输送方向为顺向。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置，其中，

所述吸水性辊在长度方向上具有所述基板的直径以上的大小。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理装置，其中，

基板输送机构利用吸附保持面吸附保持所述基板的一面，

所述清洗机构对所述吸附保持面进行清洗。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，

所述基板输送机构构成为使所述吸附保持面相对于所述清洗机构在接近远离方向上移动自如。

11.一种基板处理方法，其对磨削后的基板进行处理，其中，

该基板处理方法包含以下步骤：

输送一面被基板输送机构保持着的所述基板；以及

利用清洗机构清洗所输送的所述基板的另一面，

所述另一面的清洗包含以下步骤：

自清洗液喷嘴向利用驱动机构旋转的吸水性辊供给清洗液；

将挤压辊向被供给了清洗液的所述吸水性辊按压，而使所述吸水性辊的吸水量降低；以及

使吸水量降低了的所述吸水性辊与所述另一面接触。

12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，

在所述吸水性辊吸收了来自所述清洗液喷嘴的所述清洗液之后，利用驱动机构将所述挤压辊向所述吸水性辊按压。

13.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其中，

利用来自所述清洗液喷嘴的清洗液的供给，清洗与所述另一面接触了的所述吸水性辊，

将挤压辊向被供给了清洗液的所述吸水性辊按压，而使所述吸水性辊的吸水量降低，

再次使所述吸水性辊与所述另一面接触。

14.根据权利要求11～13中任一项所述的基板处理方法，其中，

该基板处理方法包含以下步骤：自流体喷嘴向与所述吸水性辊接触前的所述基板的另一面供给流体。

15.根据权利要求11～14中任一项所述的基板处理方法，其中，

使所述吸水性辊相对于所述基板输送机构输送所述基板的输送方向沿顺向旋转。

16.根据权利要求11～15中任一项所述的基板处理方法，其中，

所述清洗机构设于在上表面具有供所述吸水性辊的上部突出的开口部的盖体的内部，

该基板处理方法包含以下步骤：利用排气机构对所述盖体的内部进行排气。

17.根据权利要求11～16中任一项所述的基板处理方法，其中，

基板输送机构利用吸附保持面吸附保持所述基板的一面，

该基板处理方法包含以下步骤：对所述基板输送机构的所述吸附保持面进行清洗。

18.根据权利要求11～17中任一项所述的基板处理方法，其中，

所述清洗机构在使所述挤压辊自所述吸水性辊退避之后停止来自所述清洗液喷嘴的清洗液的供给。

19.根据权利要求11～17中任一项所述的基板处理方法，其中，

所述清洗机构在停止了来自所述清洗液喷嘴的清洗液的供给之后、且在所述吸水性辊干燥之前使所述挤压辊自所述吸水性辊退避。

20.根据权利要求11～19中任一项所述的基板处理方法，其中，

该基板处理方法包含以下步骤：在加工装置对所述基板的一面进行磨削，

所述基板输送机构在相对于所述加工装置送入所述基板时和送出所述基板时变更所述基板的保持高度，在送出所述基板时进行所述另一面的清洗。

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