JP2020167303A - 処理装置及び処理方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 104
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 244
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 79
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 24
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims description 23
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 16
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 16
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 285
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 40
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 34
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 11
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 8
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
70 周縁除去装置
71 チャック
100 制御装置
M1 周縁改質層
M2 分割改質層
W 被処理ウェハ
Wc 中央部
We 周縁部
Claims (16)
- 被処理体を処理する処理装置であって、
前記被処理体の内部にレーザ光を照射して除去対象の周縁部と中央部の境界に沿った周縁改質層を形成し、前記周縁部の内部にレーザ光を照射して前記被処理体の径方向に延伸する複数の分割改質層を形成する改質部と、
前記分割改質層を基点に前記周縁部を分割し、前記周縁改質層を基点に前記周縁部を除去する周縁除去部と、
前記改質部と前記周縁除去部の動作を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記分割改質層の剥離速さが前記周縁改質層の剥離速さよりも速くなるように前記改質部と前記周縁除去部の動作を制御する、処理装置。 - 前記制御部は、前記周縁改質層の結合強度が、前記分割改質層の結合強度よりも強くなるように前記改質部の動作を制御する、請求項1に記載の処理装置。
- 前記制御部は、前記分割改質層を形成する際の前記レーザ光の照射条件と、前記周縁改質層を形成する際の前記レーザ光の照射条件とを変更することにより、前記剥離速さを調節する、請求項1または2に記載の処理装置。
- 前記制御部は、前記周縁部の厚み方向の異なる高さに形成される前記分割改質層の数が、前記被処理体の厚み方向の異なる高さに形成される前記周縁改質層の数以上となるように前記改質部の動作を制御する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記制御部は、前記被処理体の周方向に沿って形成される複数の前記分割改質層の結合強度が均等となるように前記改質部の動作を制御する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記制御部は、前記被処理体のノッチ位置が、前記被処理体の周方向において一の前記分割改質層と隣接する他の分割改質層との中心となるように前記改質部の動作を制御する、請求項5に記載の処理装置。
- 前記被処理体は、第1の基板と第2の基板が接合された重合基板であり、
前記改質部は、前記第1の基板の内部にレーザ光を照射して、前記周縁改質層および前記分割改質層を形成する、請求項1〜6のいずか一項に記載の基板処理装置。 - 前記周縁除去部は、
前記重合基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させる回転機構と、
前記基板保持部に保持された前記重合基板の端部と前記周縁除去部との離隔を調節する移動機構と、
前記周縁除去部は、前記第1の基板と前記第2の基板の界面に挿入されることで、前記第1の基板から前記周縁部を剥離する挿入部材と、を有し、
前記制御部は、前記第1の基板の周方向における前記分割改質層の形成位置において、前記挿入部材と前記界面とが離隔するように前記周縁除去部の動作を制御する、請求項7に記載の処理装置。 - 被処理体を処理する処理方法であって、
前記被処理体の内部にレーザ光を照射して除去対象の周縁部と中央部の境界に沿った周縁改質層を形成することと、
前記周縁部の内部にレーザ光を照射して前記被処理体の径方向に延伸する複数の分割改質層を形成することと、
前記分割改質層を基点に前記周縁部を分割し、前記周縁改質層を基点に前記周縁部を除去することと、を含み、
前記周縁改質層および前記分割改質層は、前記分割改質層の剥離速さが前記周縁改質層の剥離速さよりも速くなるように形成される、処理方法。 - 前記周縁改質層および前記分割改質層は、前記周縁改質層の結合強度が前記分割改質層の結合強度よりも強くなるように形成される、請求項9に記載の処理方法。
- 前記分割改質層を形成する際の前記レーザ光の照射条件と、前記周縁改質層を形成する際の前記レーザ光の照射条件とを変更することにより、前記剥離速さを調節する、請求項9または10に記載の処理方法。
- 前記分割改質層および前記分割改質層は、前記周縁部の厚み方向の異なる高さに形成される前記分割改質層の数が、前記被処理体の厚み方向の異なる高さに形成される前記周縁改質層の数以上となるように形成される、請求項9〜11のいずれか一項に記載の処理方法。
- 前記被処理体の周方向に沿って、結合強度が均等な複数の前記分割改質層が形成される、請求項9〜12のいずれか一項に記載の処理方法。
- 前記分割改質層は、前記被処理体のノッチ位置が、前記被処理体の周方向において一の前記分割改質層と隣接する他の分割改質層との中心となるように形成される、請求項13に記載の処理方法。
- 前記被処理体は、第1の基板と第2の基板が接合された重合基板であり、
前記第1の基板の内部にレーザ光を照射して、前記周縁改質層および前記分割改質層を形成する、請求項9〜14のいずれか一項に記載の処理方法。 - 前記周縁部を除去は、前記第1の基板と前記第2の基板の界面に挿入部材を挿入し、前記重合基板を回転させることにより行われ、
前記第1の基板の周方向における前記分割改質層の形成位置において、前記挿入部材と前記界面とを離隔させる、請求項15に記載の処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019067584A JP7257218B2 (ja) | 2019-03-29 | 2019-03-29 | 処理装置及び処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019067584A JP7257218B2 (ja) | 2019-03-29 | 2019-03-29 | 処理装置及び処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020167303A true JP2020167303A (ja) | 2020-10-08 |
JP7257218B2 JP7257218B2 (ja) | 2023-04-13 |
Family
ID=72716363
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019067584A Active JP7257218B2 (ja) | 2019-03-29 | 2019-03-29 | 処理装置及び処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7257218B2 (ja) |
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US11823924B2 (en) | 2021-03-08 | 2023-11-21 | Kioxia Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device |
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JP2004111606A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハの加工方法 |
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