CN114864838A - 有机电致发光结构及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种有机电致发光结构及显示装置。有机电致发光结构包括：衬底基板；钝化保护层设于衬底基板的一侧；钝化保护层远离衬底基板的一侧设置有多个间隔设置的内切部，内切部具有朝向衬底基板的第一面及远离衬底基板的第二面，第一面在衬底基板上的正投影位于第二面在衬底基板上的正投影内，相邻两个内切部之间设有凹槽，凹槽为内切结构；阳极层包括多个间隔设置的阳极，每一阳极对应设于第二面，阳极在第二面上的正投影位于第二面内；有机发光功能层具有空穴注入层，内切部的厚度大于空穴注入层的厚度，内切部将空穴注入层隔断成多个间隔设置的空穴注入块，每一空穴注入块对应设置在一阳极上。该方案中可改善串扰问题。
Description
本申请是申请日为2020年1月6日、中国申请号为202010009942.1、发明名称为“有机电致发光结构及其制作方法、显示装置”的发明申请的分案申请。
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种有机电致发光结构及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diodes，有机发光二极管)显示技术作为新型的显示技术，已广泛应用于智能手表、手机、平板电脑、显示器等领域。硅基OLED显示因为采用单晶硅作为有源驱动背板，具有高像素密度、高度集成、体积小、易于携带、抗震性能好、超低功耗等优异特性，是目前显示技术研究的热点之一。
但现有的硅基OLED容易出现不同亚像素之间发生串扰(Crosstalk)的问题，其中的一个重要原因是由于与各阳极直接接触的空穴注入层(HIL)为整层设置的共同层，且其具有低电阻率，因此，低电阻率的HIL层容易导致亚像素之间导通。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本申请的目的在于提供一种有机电致发光结构及显示装置，可以改善由于空穴注入层的低电阻率导致的串扰问题，从而可提高显示效果。
本申请第一方面提供了一种有机电致发光结构，其包括：
衬底基板；
钝化保护层，设于所述衬底基板的一侧；所述钝化保护层远离所述衬底基板的一侧设置有多个间隔设置的内切部，所述内切部具有朝向所述衬底基板的第一面及远离所述衬底基板的第二面，所述第一面在所述衬底基板上的正投影位于所述第二面在所述衬底基板上的正投影内，且所述第一面的边缘与所述第二面的边缘之间具有非零间距，相邻两个所述内切部之间设置有凹槽，所述凹槽为内切结构；
阳极层，包括多个间隔设置的阳极，每一所述阳极对应设于所述第二面，所述阳极在所述第二面上的正投影位于所述第二面内，且与所述第二面的边缘具有非零间距；
有机发光功能层，具有空穴注入层，所述内切部的厚度大于所述空穴注入层的厚度，所述内切部将所述空穴注入层隔断成多个间隔设置的空穴注入块，每一所述空穴注入块对应设置在一所述阳极上；
阴极层，设于所述有机发光功能层背离所述阳极层的一侧。
在本申请的一种示例性实施例中，所述有机电致发光结构还包括：
金属复合层，具有多个间隔设置的金属复合部，每一所述金属复合部与一所述阳极连接；
所述金属复合部包括依次层叠设置在所述衬底基板上的金属保护膜、金属反射膜及第一导电连接块，所述金属反射膜位于所述内切部远离所述阳极的一侧，所述第一导电连接块穿过所述内切部与所述阳极连接；所述金属反射膜在所述衬底基板上的正投影位于所述金属保护膜在所述衬底基板上的正投影内，或与所述金属保护膜在所述衬底基板上的正投影重合；所述第一导电连接块在所述衬底基板上的正投影位于所述第一面在所述衬底基板上的正投影内。
在本申请的一种示例性实施例中，所述第一导电连接块靠近所述阳极的一面高于所述凹槽的槽底壁。
在本申请的一种示例性实施例中，所述金属复合部在所述衬底基板上的正投影覆盖且大于所述阳极在所述衬底基板上的正投影。
在本申请的一种示例性实施例中，所述有机电致发光结构还包括：
驱动电路，设置在所述金属复合层靠近所述衬底基板的一侧，所述驱动电路包括晶体管，所述晶体管具有半导体层，所述半导体层位于所述衬底基板的内部，所述半导体层在所述衬底基板上的正投影位于所述金属复合部在所述衬底基板上的正投影内；
第二导电连接块，连接于所述所述晶体管与所述金属复合层之间。
在本申请的一种示例性实施例中，所述第一导电连接块的宽度大于所述第二导电连接块的宽度。
在本申请的一种示例性实施例中，所述晶体管还包括：
栅极，设于所述钝化保护层的内部，所述栅极在所述衬底基板上的正投影与所述半导体层在所述衬底基板上的正投影有交叠，所述栅极在所述衬底基板上的正投影位于所述金属复合部在所述衬底基板上的正投影内。
在本申请的一种示例性实施例中，所述第一导电连接块的材料为钨，所述钝化保护层的材料为无机材料。
在本申请的一种示例性实施例中，自所述第一面至所述第二面的方向上，所述内切部的横截面面积逐渐增大，所述横截面为与所述衬底基板平行的面。
在本申请的一种示例性实施例中，所述第一面在所述衬底基板上的正投影位于所述第二面在所述衬底基板上的正投影的中心区域。
本申请第二方面提供了一种显示装置，其包括上述任一项所述的有机电致发光结构。
本申请提供的技术方案可以达到以下有益效果：
本申请所提供的有机电致发光结构及显示装置，通过将钝化保护层中远离衬底基板的一侧形成多个间隔设置的内切部，可在后续形成空穴注入层时起到隔断作用，即：将形成的空穴注入层隔断成多个间隔设置的空穴注入块，每一空穴注入块对应形成一阳极上。由于各阳极上的空穴注入块间隔设置(即：相互独立)，因此，可以改善由于空穴注入层的低电阻率而导致亚像素之间导通，从而发生串扰问题，提高了显示效果。此外，该有机电致发光结构不需要增加额外的工艺步骤来制备，制备流程简单，且不需要增加光罩。另外，阳极在第二面上的正投影位于第二面内，且与第二面的边缘具有非零间距，即阳极在第二面上的正投影的边缘与第二面的边缘不重合，阳极没有占据第二面的边缘部，使得内切部，可在后续形成空穴注入层时起到隔断作用，避免阳极对隔断作用的影响；而且，阳极可以增加内切部的高度，更有利于隔断空穴注入层。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例所述的有机电致发光结构的示意图；
图2为本申请另一实施例所述的有机电致发光结构的示意图；
图3为本申请又一实施例所述的有机电致发光结构的示意图；
图4为本申请另一实施例所述的显示装置的示意图；
图5为本申请一实施例所述的有机电致发光结构的流程图；
图6为完成步骤S302之后的示意图；
图7为完成步骤S3040之后的示意图。
图1至图7中的标记：
10、衬底基板；11、阳极；12、空穴注入块；13、空穴传输层；14、有机发光层，15、电子传输层；16、电子注入层；17、阴极层；18、金属保护膜；19、金属反射膜；20、第一导电连接块；21、钝化保护层；210、内切部；22、封装薄膜；23、彩膜基板；24、第二导电连接块；25、源电极；26、漏电极；27、半导体层；28、栅极；29、栅绝缘层；30、空穴注入废料。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
相关技术中，为了改善由于空穴注入层的低电阻率而导致不同亚像素之间发生串扰的问题，提出以下方案：
方案一，导入高电阻率的空穴注入层，以改善此问题，但是新的空穴注入层研究成本大，导入周期长，并且空穴注入层的高电阻率将会影响空穴离子的注入，阳极需要更大的电压来获得高的空穴离子注入。
方案二，在大型尺寸的OLED工艺中，通常改善此问题的方法是在有机材料蒸镀时使用具有像素图形的光罩，使不同亚像素间上的有机材料隔离，但硅基OLED像素尺寸小，此方法不适用于硅基OLED。
基于上述技术问题，本申请一实施例提供了一种有机电致发光结构，如图1所示，此有机电致发光结构可包括衬底基板10、钝化保护层、阳极层、有机发光功能层及阴极层；其中：
此衬底基板10可为硅基板，但不限于此，也可为种类，视具体情况而定。举例而言，通过掺杂工艺在硅基板101中可形成晶体管的有源层(即半导体层)、源极和漏极。具体地，下面以衬底基板10为硅基板为例进行说明。
钝化保护层21形成在衬底基板10的一侧；钝化保护层21远离衬底基板10的一侧形成有多个间隔设置的内切部210，内切部210具有朝向衬底基板10的第一面及远离衬底基板10的第二面，第一面在衬底基板10上的正投影位于第二面在衬底基板10上的正投影内，且第一面的边缘与第二面的边缘之间具有非零间距。也就是说，第一面在衬底基板10上的正投影边缘与第二面在衬底基板10上的正投影边缘不重合。
相邻两个内切部之间设置有凹槽，凹槽为内切结构，即凹槽具有开口部和槽底壁，凹槽的开口部在衬底基板10上的正投影位于槽底壁在衬底基板10上的正投影内，且凹槽的开口部在衬底基板10上的正投影的边缘与槽底壁在衬底基板10上的正投影的边缘之间具有非零间距。
本实施例中，通过将钝化保护层21远离衬底基板10的一侧形成有多个间隔设置的内切部210，可在后续形成空穴注入层时起到隔断作用，即：将形成的空穴注入层隔断成多个间隔设置的空穴注入块12，这样设计不需要增加额外的工艺步骤来制备，制备流程简单。
阳极层可包括多个间隔设置的阳极11，每一阳极11对应形成在内切部210的第二面上。其中，每个阳极11对应的区域可理解为一亚像素区。举例而言，在衬底基板10为硅基板时，该阳极11可与硅基板中的源、漏电极电连接。本实施例中，阳极层可为经过图案化处理之后形成。
有机发光功能层具有空穴注入层，此空穴注入层包括多个间隔设置的空穴注入块12，每一空穴注入块12对应形成在一阳极11上。由于本实施例中各阳极11上的空穴注入块12间隔设置(即：相互独立)，相比于相关技术中空穴注入层为整层设置的共同层(即：空穴注入层未经图案化处理且为一体连接)的方案，即使空穴注入层具有低电阻率，也可避免亚像素之间导通的情况，从而可改善亚像素之间发生串扰的问题，继而可提高显示效果。
应当理解的是，该有机发光功能层不仅具有空穴注入层，还具有空穴传输层13、有机发光层14、电子传输层15及电子注入层16，其中，空穴传输层13、有机发光层14、电子传输层15及电子注入层16均可采用蒸镀等工艺整面形成，以减少对具有像素图形的光罩的使用，从而可降低成本；但不限于此，空穴传输层13、有机发光层14、电子传输层15及电子注入层16的具体结构可根据具体需求而定。
需要说明的是，本申请中提到的整面形成(整面设置)指的是未经图案化处理且为一体连接的结构。
其中，在本实施例的有机电致发光结构为硅基OELD时，该有机发光功能层中的有机发光层14可为整面形成，此时，该有机发光层14的材料可优选为出射白光的材料，且该有机电致发光结构需与彩膜基板23相匹配以共同形成显示设备。
阴极层17形成在有机发光功能层背离阳极层的一侧。举例而言，阴极层17可为整层设置，即：未经图案化处理，但不限于此，该阴极层17的具体结构可根据具体需求而定。举例而言，此阴极层的材料可为半透明材料，但不限于此，也可为透明材料，视具体情况而定。
下面结合附图对本申请实施例所描述的有机电致发光结构进行详细描述。
如图1所示，本实施例中钝化保护层21中内切部210的纵截面可为倒梯形，此纵截面可为与衬底基板10垂直的面；即：自第一面至第二面的方向上，内切部210的横截面面积逐渐增大，便于制作成型；此横截面为与衬底基板10垂直的面，但不限于此，内切部210的纵截面也可为T型，视具体情况而定。可选地，内切部210中第一面在衬底基板10上的正投影位于第二面在衬底基板10上的正投影的中心区域，以使得内切部210各处有足够的内切量，从而保证在后续形成空穴注入层时，能够隔断处多个相互独立的空穴注入块12，优选地，第一面的边缘与第二面的边缘之间各处距离可均相等。
其中，该钝化保护层21可为单层或多层结构，此钝化保护层21的材料可为无机材料，例如，氧化硅等，限不限于此，也可为其他无机绝缘材料。
需要说明的是，本实例中内切部210的厚度大于空穴注入层的厚度，以保证在后续形成空穴注入层时，能够隔断处多个相互独立的空穴注入块12。可选地，该内切部210的厚度为
至
比如：
等，这样设计可避免内切部的厚度过小而导致无法隔断空穴注入层的情况，还可避免内切部的厚度过大导致钝化保护层21结构稳定性较弱的情况，即：在保证内切部的存在能够起到隔断空穴注入层的目的的同时，还可保证整个钝化保护层21的结构稳定性及钝化保护层21的保护作用。
阳极11的纵截面可为正梯形，但不限于此，也可为其他形状。其中，阳极11可为透明电极。举例而言，此阳极11的材料可能包含锌(Zn)、铟(In)或锡(Sn)。特别地，阳极11可能由锌(Zn)、铟(In)或锡(Sn)的氧化物形成，如氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)等。尤其地，阳极11的材料可能由氧化铟锡(ITO)组成。此外，本实施例中阳极11的厚度可为
(埃米)至
比如：
等，以在保证良好导电性的同时，具有良好的透明性，但不限于此，该阳极11的厚度也可在其他取值范围内，视具体情况而定。
阳极11在第二面上的正投影位于第二面内，且与第二面的边缘具有非零间距，即阳极11在第二面上的正投影的边缘与第二面的边缘不重合，阳极11没有占据第二面的边缘部，使得内切部210，可在后续形成空穴注入层时起到隔断作用，避免阳极11对隔断作用的影响；而且，阳极11可以增加内切部210的高度，更有利于隔断空穴注入层。
本实施例中，该有机电致发光结构可为顶发射，为了保证有机电致发光结构的发光亮度，如图2至图4所示，可在阳极11朝向衬底基板10的一侧形成金属复合层，该金属复合层可具有多个间隔设置的金属复合部，每一金属复合部与一阳极连接；该金属复合部可对有机发光层14中发出的光进行反射，以提高显示亮度。
详细说明，此金属复合部可包括依次层叠设置在衬底基板10上的金属保护膜18、金属反射膜19及第一导电连接块20；其中，金属反射膜19位于钝化保护层21远离阳极11的一侧，第一导电连接块20穿过钝化保护层21与阳极11连接，也就是说，钝化保护层21用于覆盖金属复合层，以对金属复合层起到，以避免金属复合层被氧化、腐蚀。需要说明的是，此第一导电连接块20可与阳极11连接，在衬底基板10为硅基板时，该金属保护膜18可与硅基板中的源、漏电极连接，也就是说，阳极11可通过此金属复合部与硅基板中的源、漏电极连接。
可选地，金属反射膜19在衬底基板10上的正投影可位于金属保护膜18在衬底基板10上的正投影内，或与金属保护膜18在衬底基板10上的正投影完全重合。而第一导电连接块20在衬底基板10上的正投影可位于阳极11的第一面在衬底基板10上的正投影内。
第一导电连接块20靠近阳极11的一面高于凹槽的槽底壁，使得位于第二面的阳极11能够与第一导电连接块20连接。
金属复合部在衬底基板上的正投影覆盖且大于阳极在衬底基板上的正投影，即将金属复合部的面积设置的较大，从而使得金属复合部可对有机发光层14中发出的光进行更多的反射，以提高显示亮度。
进一步地，该有机电致发光结构还可包括驱动电路，此驱动电路设置在金属复合层靠近衬底基板的一侧，其中，该驱动电路可包括晶体管，但不限于此，还可包括电容及信号线等。此晶体管与金属复合层通过第二导电连接块24连接，具体与金属复合层中的金属保护膜18连接。本实施例中，晶体管可具有半导体层27，此半导体层27位于衬底基板10的内部，即：在衬底基板10为硅基板时，半导体层27可属于硅基板的部分。
半导体层27在衬底基板10上的正投影位于金属复合部在衬底基板10上的正投影内，使得金属复合部可以对半导体层27进行遮挡，避免有机发光层14中发出的光射至半导体层27，光线射至半导体层27会在半导体层27产生光生载流子，进而对晶体管的特性产生巨大影响，最终影响显示装置的显示画质；通过金属复合部可以遮挡从有机发光层14中发出的光射至半导体层27，从而避免对晶体管的特性产生影响，避免影响显示装置的显示画质。
第一导电连接块20的宽度大于第二导电连接块24的宽度。
应当理解的是，晶体管还可具有源电极25、漏电极26、栅极28及栅绝缘层29，需要说明的是，此源电极25、漏电极26也可形成硅基板的内部，具体地，可通过掺杂工艺对硅基板中的部分结构进行处理，以形成晶体管的半导体层27、源电极25、漏电极26。具体地，栅极28设于钝化保护层21的内部，栅极28在衬底基板10上的正投影与半导体层27在衬底基板10上的正投影有交叠，使得栅极28能够对半导体层27起到开关控制作用；栅极28在衬底基板10上的正投影位于金属复合部在衬底基板10上的正投影内。
举例而言，第一导电连接块20、第二导电连接块24的材料可为金属钨，但不限于此，也可采用其他导电材料。金属反射膜19可由反射率较高的金属材料组成，如铝，但不限于此，也可采用其他金属材料。金属保护膜18可单层或多层结构，该金属保护膜18的材料可为钛或氮化钛中的一种，可选地，该金属保护膜18可为氮化钛，该氮化钛具有高稳定性，常温下不与其他金属发生反应，因此，将金属反射膜19的一侧形成氮化钛，以用来保护金属反射膜19，防止金属反射膜19被氧化、腐蚀；另外，在金属反射膜19为铝时，由于氮化钛的化学性质与铝的化学性质相关很多，不会存在相似相溶问题，且氮化钛具有超高的抗热性，从而在铝层的一侧直接形成氮化钛层，不会降低铝层的导电性能，进而起到对铝层的保护作用。
由于氮化钛电阻率较高，因此，在氮化钛作为金属保护层时，氮化钛的厚度不易过厚。
值得说明的是，如图3和图4所示，该有机电致发光结构还可包括封装薄膜22，此封装薄膜22可形成在阴极层17背离所述衬底基板10的一侧，用于对有机电致发光结构中的有机发光功能层进行保护。其中，该封装薄膜22可为单层或多层结构，可选地，此封装薄膜22可包括至少一层有机封装层和至少一层无机封装层，此有机封装层与无机封装层可交替设置。
本申请另一实施例还提供了一种有机电致发光结构的制作方法，如图5所示，该制作方法可包括：
步骤S300，形成一衬底基板10；
步骤S302，在衬底基板10的一侧形成钝化保护层21及阳极层；钝化保护层21远离衬底基板10的一侧形成有多个间隔设置的内切部210，内切部210具有朝向衬底基板10的第一面及远离衬底基板10的第二面，第一面在衬底基板10上的正投影位于第二面在衬底基板10上的正投影内，且第一面的边缘与第二面的边缘之间具有非零间距；阳极层包括多个间隔设置的阳极11，每一阳极11对应形成在内切部210的第二面上，如图6所示；
步骤S304，在衬底基板10上形成具有空穴注入层的有机发光功能层，空穴注入层包括多个间隔设置的空穴注入块12，每一空穴注入块12对应形成在一阳极11上；
步骤S306，在有机发光功能层背离阳极层的一侧形成阴极层17。
应当理解的是，此制作方法制作出的有机电致发光结构的结构及材料选取具体可参考前述实施例中对有机电致发光结构的描述内容，因此，本实施例不再对有机电致发光结构的具体结构、材料选取及有益效果进行详细赘述。
其中，在步骤S300中，形成一衬底基板10，由于衬底基板10的制备较成熟，因此，在此不做详细说明。
可选地，步骤S302可包括步骤S3020和步骤S3022；其中：
在步骤S3020中，在衬底基板10上依次形成钝化保护材料和阳极材料；举例而言，此钝化保护材料和阳极材料可通过磁控溅射、蒸镀等方式形成在衬底基板10上。需要说明的是，钝化保护材料和阳极材料依次整面涂覆在衬底基板上，此处提到的整面涂覆即指在衬底基板10的整个面上均涂覆有此钝化保护材料和阳极材料。
在步骤S3022中，对阳极材料、钝化保护材料远离衬底基板10的一侧依次进行图案化处理，以形成阳极层和具有多个间隔设置的内切部210的钝化保护层21。具体地，该步骤S3022可包括：步骤S30220和步骤S30222；其中：
在步骤S30220中，采用第一干刻工艺对阳极材料进行图案化处理，以形成阳极层。此第一干刻工艺可以各项同性为主，但不限于此。
在步骤S30222中，采用以各项同性为主的第二干刻工艺对钝化保护材料远离衬底基板10的一侧进行图案化处理，以形成多个间隔设置的内切部。举例而言，在采用第一干刻工艺对阳极材料进行图案化处理之后，可通过控制偏压功率使刻蚀以各项同性为主，然后对钝化保护材料远离衬底基板10的一侧进行图案化处理。
其中，在对阳极材料进行干刻工艺处理之前，还可包括光刻工艺；在对钝化保护材料进行干刻工艺处理之后，还可包括去胶(此胶可为光刻胶)工艺，由于光刻工艺和去胶工艺为比较成熟工艺，因此，不在此处进行详细说明。
需要说明的是，在步骤S300之后，及在步骤S302之前，还可包括步骤S301，形成驱动电路、金属复合层。该驱动电路、金属复合层的结构及位置关系可参考前述对有机电致发光结构描述，在此不再重复赘述。
可选地，步骤S304可包括：
步骤S3040，采用蒸镀工艺将空穴注入材料蒸镀在形成有内切部210的衬底基板10上，以形成包括多个间隔设置的空穴注入块12的空穴注入层，如图7所示；需要说明的是，此空穴注入块12包裹住阳极11，这样设计提高了空穴注入块12与阳极11的接触面积，从而可提高载流子注入，提高显示效果。
此外，该空穴注入层还可包括形成在衬底基板10上并位于相邻阳极11之间的空穴注入废料30，此空穴注入废料30与空穴注入块12隔断开。需要说明的是，由于空穴注入废料30与空穴注入块12已经在内切部210的作用下断开，因此不需要去除空穴注入废料30，这样降低可制作难度。
其中，该步骤S304不限于上述步骤S3040，在步骤S3040之后，该步骤S304还可包括步骤S3042，即：依次形成空穴传输层13、有机发光层14、电子传输层15及电子注入层16。其中，空穴传输层13、有机发光层14、电子传输层15及电子注入层16可采用蒸镀工艺形成，但不限于此，也可采用其他形式。
在步骤S306之后，有机电致发光结构的制作方法还可包括步骤S308，即：在阴极层17背离衬底基板10的一侧形成封装薄膜22。
本申请又一实施例还提供了一种显示装置，如图4所示，包括上述任一项所描述的有机电致发光结构。但不限于此，在有机电致发光结构中的有机发光层14为整面设置、且出射白光时，此显示装置还可包括彩膜基板23，该彩膜基板23可形成在有机电致发光结构的出光侧。
根据本申请的实施例，该显示装置的具体类型不受特别的限制，本领域常用的显示装置类型均可，具体例如OLED显示器、手机、电视、手表等等，本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。
需要说明的是，该显示装置除了有机电致发光结构以外，还包括其他必要的部件和组成，以显示器为例，具体例如外壳、电源线，等等，本领域善解人意可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充，在此不再赘述。
需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本申请中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等，均应视为本申请的一部分。
应可理解的是，本申请不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本申请能够具有其他实施方式，并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本申请的范围内。应可理解的是，本说明书公开和限定的本申请延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本申请的多个可替代方面。本说明书的实施方式说明了已知用于实现本申请的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够利用本申请。
Claims (11)
1.一种有机电致发光结构，其特征在于，包括：
衬底基板；
钝化保护层，设于所述衬底基板的一侧；所述钝化保护层远离所述衬底基板的一侧设置有多个间隔设置的内切部，所述内切部具有朝向所述衬底基板的第一面及远离所述衬底基板的第二面，所述第一面在所述衬底基板上的正投影位于所述第二面在所述衬底基板上的正投影内，且所述第一面的边缘与所述第二面的边缘之间具有非零间距，相邻两个所述内切部之间设置有凹槽，所述凹槽为内切结构；
阳极层，包括多个间隔设置的阳极，每一所述阳极对应设于所述第二面，所述阳极在所述第二面上的正投影位于所述第二面内，且与所述第二面的边缘具有非零间距；
有机发光功能层，具有空穴注入层，所述内切部的厚度大于所述空穴注入层的厚度，所述内切部将所述空穴注入层隔断成多个间隔设置的空穴注入块，每一所述空穴注入块对应设置在一所述阳极上；
阴极层，设于所述有机发光功能层背离所述阳极层的一侧。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光结构，其特征在于，所述有机电致发光结构还包括：
金属复合层，具有多个间隔设置的金属复合部，每一所述金属复合部与一所述阳极连接；
所述金属复合部包括依次层叠设置在所述衬底基板上的金属保护膜、金属反射膜及第一导电连接块，所述金属反射膜位于所述内切部远离所述阳极的一侧，所述第一导电连接块穿过所述内切部与所述阳极连接；所述金属反射膜在所述衬底基板上的正投影位于所述金属保护膜在所述衬底基板上的正投影内，或与所述金属保护膜在所述衬底基板上的正投影重合；所述第一导电连接块在所述衬底基板上的正投影位于所述第一面在所述衬底基板上的正投影内。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光结构，其特征在于，所述第一导电连接块靠近所述阳极的一面高于所述凹槽的槽底壁。
4.根据权利要求2所述的有机电致发光结构，其特征在于，所述金属复合部在所述衬底基板上的正投影覆盖且大于所述阳极在所述衬底基板上的正投影。
5.根据权利要求2所述的有机电致发光结构，其特征在于，所述有机电致发光结构还包括：
驱动电路，设置在所述金属复合层靠近所述衬底基板的一侧，所述驱动电路包括晶体管，所述晶体管具有半导体层，所述半导体层位于所述衬底基板的内部，所述半导体层在所述衬底基板上的正投影位于所述金属复合部在所述衬底基板上的正投影内；
第二导电连接块，连接于所述所述晶体管与所述金属复合层之间。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光结构，其特征在于，所述第一导电连接块的宽度大于所述第二导电连接块的宽度。
7.根据权利要求5所述的有机电致发光结构，其特征在于，所述晶体管还包括：
栅极，设于所述钝化保护层的内部，所述栅极在所述衬底基板上的正投影与所述半导体层在所述衬底基板上的正投影有交叠，所述栅极在所述衬底基板上的正投影位于所述金属复合部在所述衬底基板上的正投影内。
8.根据权利要求2所述的有机电致发光结构，其特征在于，所述第一导电连接块的材料为钨，所述钝化保护层的材料为无机材料。
9.根据权利要求1所述的有机电致发光结构，其特征在于，自所述第一面至所述第二面的方向上，所述内切部的横截面面积逐渐增大，所述横截面为与所述衬底基板平行的面。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光结构，其特征在于，所述第一面在所述衬底基板上的正投影位于所述第二面在所述衬底基板上的正投影的中心区域。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至10中任一项所述的有机电致发光结构。
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