CN114826153A - 振动器件 - Google Patents

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Abstract

振动器件。提供能够抑制振荡特性的变化的振动器件。振动器件包含半导体基板、基座、振动元件和盖。半导体基板具有第1面和与第1面处于正反关系的第2面。基座包含配置于第1面或第2面的集成电路。振动元件与集成电路电连接，配置于第1面侧。盖以收纳振动元件的方式在基座的接合部与基座接合。集成电路包含无源元件，无源元件被配置成，在从与第1面正交的方向俯视时，无源元件的至少一部分与接合部重叠。

Description

振动器件
技术领域
本发明涉及振动器件等。
背景技术
以往，作为使用振动元件的器件，公知有振荡器等振动器件。专利文献1公开了如下技术：在形成有集成电路的电路图案的硅基板等半导体基板上安装作为振动元件的压电振动片，利用该半导体基板和盖对压电振动片进行密封，由此，实现封装化。
专利文献1：日本特开2013-126052号公报
构成器件和封装的各材料的热膨胀系数彼此不同，因此，由于进行封装化而施加应力。此外，在将封装焊接安装于外部的电路基板时，产生由于封装和电路基板的热膨胀系数不同而引起的应力、利用底部填充剂固定封装和电路基板而引起的应力等，在由于这些应力而使集成电路产生翘曲等变形时，对器件的特性造成影响。应力的产生方式依赖于封装结构，因此，要求在考虑由于封装的结构而产生的应力后进行集成电路的布局设计。在专利文献1中没有考虑到这种情况。
发明内容
本发明的一个方式涉及一种振动器件，其包含：基座，其包含半导体基板和集成电路，该半导体基板具有第1面和与所述第1面处于正反关系的第2面，该集成电路配置于所述第1面或所述第2面；振动元件，其与所述集成电路电连接，配置于所述第1面侧；以及盖，其以收纳所述振动元件的方式在所述基座的接合部处与所述基座接合，所述集成电路包含无源元件，所述无源元件被配置成，在从与所述第1面正交的方向俯视时，所述无源元件的至少一部分与所述接合部重叠。
此外，本发明的一个方式涉及一种振动器件，其包含：基座，其包含半导体基板和集成电路，该半导体基板具有第1面和与所述第1面处于正反关系的第2面，该集成电路配置于所述第1面或所述第2面；振动元件，其与所述集成电路电连接，配置于所述第1面侧；以及盖，其以收纳所述振动元件的方式在所述基座的接合部处与所述基座接合，所述集成电路包含生成所述集成电路中使用的基准电压的基准电压生成电路或生成所述集成电路中使用的调节电源电压的调节器电路中的至少一方，所述基准电压生成电路或所述调节器电路中的至少一方中包含的无源元件或有源元件的至少一部分被配置成，在从与所述第1面正交的方向俯视时与所述接合部重叠。
此外，本发明的一个方式涉及一种振动器件，其包含：基座，其包含半导体基板和集成电路，该半导体基板具有第1面和与所述第1面处于正反关系的第2面，该集成电路配置于所述第1面或所述第2面；振动元件，其与所述集成电路电连接，配置于所述第1面侧；以及盖，其以收纳所述振动元件的方式在所述基座的接合部处与所述基座接合，所述集成电路包含检测温度的温度传感器或进行所述振动元件的振荡频率的温度补偿的温度补偿电路中的至少一方，所述温度传感器或所述温度补偿电路中的至少一方中包含的无源元件或有源元件的至少一部分被配置成，在从与所述第1面正交的方向俯视时与所述接合部重叠。
附图说明
图1是示出本实施方式的振动器件的结构例的剖视图。
图2是示出本实施方式的振动器件的具体结构例的剖视图。
图3是示出振动器件的振动元件的一例的俯视图。
图4是示出集成电路的结构例的框图。
图5是示出本实施方式的振动器件的另一个结构例的剖视图。
图6是说明振动器件受到的应力的影响的图。
图7是示出电阻的结构例的图。
图8是示出电容器的结构例的图。
图9是示出双极晶体管的结构例的剖视图。
图10是示出贯通电极、外部连接端子、集成电路等的配置例的俯视图。
图11是示出振荡电路的结构例的图。
图12是示出基准电压生成电路的结构例的图。
图13是示出调节器电路的结构例的图。
图14是示出温度传感器的结构例的图。
图15是示出温度补偿电路的结构例的图。
图16是示出高次校正电路的结构例的图。
图17是示出贯通电极、外部连接端子、集成电路等的另一个配置例的俯视图。
标号说明
1、101：振动器件；2、102：基座；5、105：振动元件；7、107：盖；8、108：再配置布线层；10、110：集成电路；11：振荡电路；12：输出电路；13：控制电路；14A：电源电路；14B：调节器电路；15：温度补偿电路；16：温度传感器；17：存储部；18：PLL电路；20：半导体基板；21、121：第1面；22、122：第2面；23、24：晶体管；25：元件分离膜；27：保护环；30：布线层；31、32：金属层；33、34、35：绝缘层；36、37、38、39：接触焊盘；40、41、140、141：贯通电极；44：绝缘层；50：振动基板；52、53：激励电极；54：布线；56：端子；60、61、160、161：接合部件；62、162：凸块；64：端子；68、69：接触焊盘；71、72：接合部件；80、180：绝缘层；82、182：布线；84：第1金属层；86：第2金属层；91、92、191、192：外部连接端子；132：驱动电路；134：基准电压供给电路；136：第1可变电容电路；137：第2可变电容电路；152：0次校正电路；154：1次校正电路；156：高次校正电路；158：电流电压转换电路；159：基准电压供给线；171、172：第3金属层；173、174：第4金属层；176：第5金属层；177、178：第6金属层；210A、210B：导体层；220：绝缘层；230：基极区域；232：晶体缺陷；BP、BP0、BP1、BP2、BP3、BP4、BP51、BP52、BP5(2N)、BP5(2N+1)、BP61、BP62、BP6(2N)、BP6(2N+1)：双极晶体管；C、C1、C2、C31、C3n、C4、C5、C6、C7、C8、CA：电容器；CK：时钟信号；IA、IB1、IB2、IB(2N)、IB(2N+1)：恒定电流；ISA、ISB、ISC1、ISC2、ISC(2N)、ISC(2N+1)：电流源；JA：接合部；LA、LB：布线；N1：第1节点；NR1、NR2、NRn、NS1、NS2：供给节点；OE：输出使能信号；OPA：运算放大器；OSC：振荡信号；R、RA1、RA2、RA3、RB、RC1、RC2、RD1、RD2、RD3、RE1、RF1、RF2、RF(2N)、RF(2N+1)、RG1、RG2、RG(2N)、RG(2N+1)、RQ：电阻；REA：可变电阻电路；SD1：第1边；SD2：第2边；SD3：第3边；SD4：第4边；SDA：数据信号；SP：收纳空间；TA1、TD1、TD2、TD3：晶体管；TE3、TE4、TE5、TE7：外部端子；TL：盖厚度；TCK、TGND、TOE、TVC、TVDD、TXA、TXB：端子；VDD：电源电压；VG、VR1、VRB、VREF、VRn、VS1、VS2、VS(2N)、VS(2N+1)：基准电压；VCP：温度补偿电压；VREG：调节电源电压；VT：温度检测电压。
具体实施方式
下面，对本实施方式进行说明。另外，以下说明的本实施方式并非不当地限定权利要求书的记载内容。此外，本实施方式中说明的结构不一定全部是必须结构要件。此外，在以下的各附图中，为了便于说明，有时省略一部分结构要素。此外，在各附图中，为了容易理解，各结构要素的尺寸比率与实际不同。
图1是示出本实施方式的振动器件1的结构例的剖视图。如图1所示，本实施方式的振动器件1包含基座2、振动元件5和外部连接端子91、92。此外，振动器件1能够包含盖7、再配置布线层8。基座2包含半导体基板20和贯通电极40。半导体基板20具有第1面21和与第1面21处于正反关系的第2面22。第1面21是半导体基板20的例如上表面，第2面22是半导体基板20的例如下表面。贯通电极40是贯通半导体基板20的第1面21和第2面22的电极。振动元件5配置于半导体基板20的第1面21侧。例如，振动元件5配置于与半导体基板20的第1面21分开给定的分离距离的位置。具体而言，振动元件5例如经由导电性的接合部件60固定于半导体基板20的第1面21。外部连接端子91、92经由绝缘层80等设置于半导体基板20的第2面22侧。绝缘层80例如是构成再配置布线层8的绝缘层。
另外，在本实施方式中说明的各图中，作为彼此正交的3个轴，图示X轴、Y轴和Z轴。将沿着X轴的方向称为“X轴方向”，将沿着Y轴的方向称为“Y轴方向”，将沿着Z轴的方向称为“Z轴方向”。此外，将各轴方向的箭头末端侧称为“正侧”，将基端侧称为“负侧”，将Z轴方向正侧称为“上”，将Z轴方向负侧称为“下”。例如，Z轴方向沿着铅垂方向，XY平面沿着水平面。图1是从Y轴方向剖视时的振动器件1的剖视图。此外，半导体基板20的第1面21和第2面22是沿着XY平面的面，是与Z轴正交的面。另外，“正交”除了包含以90°相交的情况以外，还包含以相对于90°稍微倾斜的角度相交的情况。
振动器件1例如是振荡器。具体而言，振动器件1是简单封装石英振荡器(SPXO)、压控石英振荡器(VCXO)、温度补偿石英振荡器(TCXO)、带恒温槽的石英振荡器(OCXO)、SAW(Surface Acoustic Wave)振荡器、压控型SAW振荡器、MEMS(Micro Electro MechanicalSystems)振荡器等振荡器。MEMS振荡器能够通过在硅基板等基板配置有压电膜和电极的MEMS的振动元件来实现。但是，振动器件1也可以是加速度传感器、角速度传感器这种惯性传感器、倾斜传感器这种力传感器等。
基座2由半导体基板20构成。半导体基板20例如是硅基板。另外，半导体基板20不限于硅基板，也可以是Ge、GaP、GaAs、InP等的半导体基板，但是，优选能够考虑与后述的盖7之间的关系。
此外，基座2包含集成电路10。作为半导体电路的集成电路10形成于半导体基板20的第2面22。集成电路10由多个电路元件构成。电路元件例如是晶体管等有源元件、或电容器、电阻等无源元件。具体而言，集成电路10由多个电路块构成，多个电路块的各电路块包含多个电路元件。此外，集成电路10由通过对半导体基板20掺杂杂质而形成的杂质区域即扩散区域、以及层叠金属层和绝缘层而成的布线层形成。通过扩散区域形成集成电路10的电路元件即晶体管的源极区域和漏极区域，通过布线区域形成连接电路元件之间的布线。
此外，基座2包含贯通电极40。贯通电极40由贯通半导体基板20的第1面21和第2面22的导电性材料构成。例如，针对半导体基板20形成贯通孔，利用导电性材料填埋该贯通孔，由此，形成贯通电极40。导电性材料可以是铜等金属，也可以是导电性的多晶硅等。导电性的多晶硅例如是掺杂磷(P)、硼(B)、砷(As)等杂质而赋予导电性的多晶硅。在使用多晶硅作为导电性材料时，能够实现对于在集成电路10的形成工序中施加的热具有充分耐性的贯通电极40。
贯通电极40的一端经由导电性的接合部件60与振动元件5电连接。在图1中，导电性的接合部件60通过一端与振动元件5电连接、且另一端与贯通电极40电连接的凸块62等来实现。具体而言，凸块62的另一端经由端子64与贯通电极40连接。凸块62是导电性的凸块，具体而言是金属凸块。另外，也可以通过导电性的粘接材料等实现导电性的接合部件60。
贯通电极40的另一端与集成电路10电连接。具体而言，贯通电极40的另一端经由形成于集成电路10的接触焊盘36与集成电路10的电路元件连接。由此，能够经由贯通电极40使振动元件5和集成电路10电连接。
盖7经由接合部件71、72与基座2的接合部JA接合。而且，通过基座2和作为盖体的盖7形成具有气密性的收纳空间SP，振动元件5收纳于该收纳空间SP内。收纳空间SP被气密密封，收纳空间SP内例如处于减压状态。由此，良好地保护振动元件5不受碰撞、尘埃、热或湿气等影响，能够稳定地驱动。另外，收纳空间SP内的状态不限于减压状态，例如收纳空间SP内也可以是氩、氮等惰性气体环境。
与基座2同样，盖7能够通过硅基板来实现。由此，基座2和盖7的热膨胀系数相等，能够抑制由于热膨胀而产生热应力。此外，能够通过半导体制造工艺形成基座2和盖7双方。因此，能够高精度地制造振动器件1，并且能够实现其小型化。另外，盖7不限于硅基板，也可以通过Ge、GaP、GaAs、InP等的半导体基板来实现，但是，在本实施方式中，优选盖7和基座2的材质彼此相同、或者是热膨胀系数彼此相同的材质。相同包含大致相同。
再配置布线层8配置于半导体基板20的第2面22侧，包含绝缘层80和再配置布线用的布线82。绝缘层80例如通过聚酰亚胺、环氧玻璃等树脂来实现，布线82例如通过铜箔等金属布线来实现。绝缘层80需要具有能够耐受振动器件1的安装时的焊接的耐热性，优选使用聚酰亚胺。此外，关于布线82的材料，除了铜以外，也可以使用铝、银等金属材料。此外，再配置布线层8中的布线层、端子的厚度例如为10～20μm左右。通过设置再配置布线层8，能够使形成于集成电路10的接触焊盘38、39和外部连接端子91、92电连接。而且，通过进行使振动器件1的外部连接端子91、92与安装振动器件1的电路基板等的端子、布线连接的安装，能够将振动器件1组入电子设备。此外，通过设置这种再配置布线层8，能够进行集成电路10的部分的机械保护，能够对集成电路10等进行热保护，以使其不受振动器件1的安装时的焊接工序中的热的影响。
图2是示出振动器件1的具体结构例的剖视图，图3是示出振动器件1的振动元件5的一例的俯视图。首先，使用图3对振动元件5的详细情况进行说明。
振动元件5是通过电信号而产生机械振动的元件。例如，如图3所示，振动元件5具有振动基板50和配置于振动基板50的表面的电极。振动基板50具有厚度剪切振动模式，在本实施方式中，由AT切石英基板形成。AT切石英基板具有三次的频率温度特性，因此，成为具有优异温度特性的振动元件5。此外，电极具有配置于振动基板50的上表面的激励电极52和与激励电极52相对且配置于下表面的激励电极53。上表面是Z轴方向正侧的面，下表面是Z轴方向负侧的面。此外，激励电极52、53中的一方是第1激励电极，激励电极52、53中的另一方是第2激励电极。此外，电极具有配置于振动基板50的下表面的一对端子56、57、使端子56和激励电极52电连接的布线54、以及使端子57和激励电极53电连接的布线55。
另外，振动元件5的结构不限于上述结构。例如，振动元件5也可以是被激励电极52、53夹着的振动区域从其周围突出的台面型，相反，也可以是振动区域从其周围凹陷的倒台面型。此外，也可以实施对振动基板50的周围进行研削的斜面加工、使上表面和下表面成为凸曲面的凸面加工。此外，振动元件5不限于以厚度剪切振动模式进行振动。例如，振动元件5也可以是多个振动臂在面内方向上进行弯曲振动的音叉型振动元件、多个振动臂在面外方向上进行弯曲振动的音叉型振动元件、具有进行驱动振动的驱动臂和进行检测振动的检测臂来检测角速度的陀螺仪传感器元件、或者具有检测加速度的检测部的加速度传感器元件。此外，振动基板50不限于由AT切石英基板形成，也可以由AT切石英基板以外的石英基板例如X切石英基板、Y切石英基板、Z切石英基板、BT切石英基板、SC切石英基板、ST切石英基板等形成。此外，在本实施方式中，振动基板50由石英构成，但不限于此，例如也可以由铌酸锂、钽酸锂、四硼酸锂、铌酸钾、磷酸镓等压电单晶体构成，还可以由它们以外的压电单晶体构成。此外，振动元件5不限于压电驱动型的振动元件，也可以是使用静电力的静电驱动型的振动元件。
而且，如图2、图3所示，振动元件5经由导电性的接合部件60、61固定于半导体基板20的上表面即第1面21。另外，在图2中没有图示，但是，如图3所示，例如沿着Y轴方向设置有2个接合部件60、61。此外，如后述的图10所示，在半导体基板20上例如沿着Y轴方向设置有2个贯通电极40、41，这些贯通电极40、41经由导电性的接合部件60、61与振动元件5电连接。贯通电极40、41中的一方是第1贯通电极，贯通电极40、41中的另一方是第2贯通电极。具体而言，贯通电极40的一端经由接合部件60、振动元件5的端子56以及布线54与振动元件5的激励电极52电连接。此外，贯通电极41的一端经由接合部件61、振动元件5的端子57以及布线55与振动元件5的激励电极53电连接。而且，贯通电极40、41的另一端与集成电路10电连接。由此，振动元件5和集成电路10经由贯通电极40、41电连接。具体而言，贯通电极40、41的另一端经由图2、图10所示的接触焊盘36、37与集成电路10的振荡电路11电连接。由此，振动元件5和振荡电路11经由贯通电极40、41电连接。
接合部件60、61兼具导电性和接合性即可，没有特别限定，例如能够通过金凸块、银凸块、铜凸块、焊料凸块、树脂芯凸块等各种导电性的凸块62来实现。或者，作为接合部件60、61，也可以使用使银填料等导电性填料分散于聚酰亚胺系、环氧系、硅酮系、丙烯酸系的各种粘接剂中而成的导电性粘接剂等。
此外，半导体基板20在形成贯通孔后被热氧化，由此，在半导体基板20的第1面21、贯通孔的内表面形成例如由氧化硅(SiO2)构成的绝缘膜即绝缘层44。通过热氧化而形成绝缘层44，由此，能够在半导体基板20的表面形成致密且均质的绝缘层44。此外，还能够减小绝缘层44与半导体基板20的线膨胀系数差。因此，能够实现不容易产生热应力、具有优异振荡特性的振动器件1。绝缘层44的构成材料没有特别限定，例如可以由氮化硅(SiN)构成，也可以由树脂构成。此外，绝缘层44的形成方法不限于热氧化，例如也可以通过CVD(ChemicalVapor Deposition)形成。
而且，在贯通孔的绝缘层44的内侧填充铜或导电性多晶硅等导电性材料，由此，形成贯通电极40、41。即，利用导电性材料在贯通孔内进行填埋，由此，形成贯通电极40、41。而且，贯通电极40、41的一端与振动元件5电连接。具体而言，贯通电极40、41的一端与振动元件5的激励电极52、53电连接。另一方面，贯通电极40、41的另一端与集成电路10电连接。具体而言，贯通电极40、41的另一端经由接触焊盘36、37与集成电路10的振荡电路11电连接。
如图2所示，集成电路10例如由N型的晶体管23或P型的晶体管24构成。这些晶体管23、24由形成于半导体基板20的扩散区域即源极区域和漏极区域、栅极电极、以及栅极氧化膜构成。此外，晶体管23、24通过被称为LOCOS(Local Oxidation of Silicon)的元件分离膜25进行元件分离。此外，集成电路10包含实现晶体管23、24等多个电路元件之间的连接布线的布线层30。例如，图2的布线层30包含金属层31、32、绝缘层33、34、35。金属层31、32分别是第1金属层、第2金属层，绝缘层33、34、35分别是第1绝缘层、第2绝缘层、第3绝缘层。金属层31形成于绝缘层33与绝缘层34之间，金属层32形成于绝缘层34与绝缘层35之间。这些金属层31、32例如通过铝、铜等金属实现。此外，金属层31和金属层32通过被称为通路接触的接触而电连接，金属层31和晶体管23、24的源极区域、漏极区域通过接触而电连接。而且，如图2所示，与贯通电极40、41的另一端电连接的接触焊盘36由下层的金属层31形成。此外，与外部连接端子91、92电连接的接触焊盘38、39由上层的金属层32形成。另外，在布线层30中，将集成电路10中接近晶体管23、24的一侧的层设为下层，将远离晶体管23、24的一侧的层设为上层。此外，在图2中，示出布线层30具有2层的金属层31、32的情况，但是，本实施方式不限于此，布线层30也可以具有3层以上的金属层。该情况下，通过多个金属层中的最下层的金属层形成接触焊盘36、37，通过最上层的金属层形成接触焊盘38、39。此外，通过由聚酰亚胺等绝缘树脂构成的最上层的绝缘层35形成钝化膜。
此外，再配置布线层8包含通过聚酰亚胺、环氧玻璃等树脂层实现的绝缘层80、以及通过铜箔等实现的布线82。而且，接触焊盘38与外部连接端子91电连接，接触焊盘39经由布线82与外部连接端子92电连接。
此外，在图2中，外部连接端子91、92分别成为具有第1金属层84和第2金属层86的双层构造。作为绝缘层80侧的第1金属层84，例如使用钛钨层以提高与绝缘层80之间的密接性。作为第2金属层86，例如使用容易与外部的端子或布线进行焊接等的铜或金等金属层。
图4示出本实施方式的集成电路10的结构例。本实施方式的集成电路10能够包含端子TXA、端子TXB、端子TCK、端子TVDD、端子TGND、端子TOE、振荡电路11、输出电路12、控制电路13、基准电压生成电路14A、调节器电路14B、温度补偿电路15、温度传感器16和存储部17。此外，本实施方式的振动器件1包含振动元件5和集成电路10。振荡电路11是使振动元件5振荡的电路。例如，振荡电路11与端子TXA以及端子TXB电连接，使振动元件5振荡，由此，生成振荡信号OSC。例如，振荡电路11经由与端子TXA、端子TXB连接的布线LA以及布线LB对振动元件5进行驱动，使振动元件5振荡。例如，振荡电路11包含设置于端子TXA与端子TXB之间的振荡用的驱动电路等。详细情况利用图11在后面叙述，但是，振荡电路11能够通过实现驱动电路132的双极晶体管等晶体管、以及电容器、电阻等无源元件来实现。驱动电路132是振荡电路11的核心电路，驱动电路132对振动元件5进行电流驱动或电压驱动，由此，使振动元件5振荡。振荡电路11例如能够使用皮尔斯型、考毕兹型、Inverter型或哈特莱型等各种类型的振荡电路。此外，详细情况利用图11在后面叙述，但也可以在振荡电路11设置可变电容电路等，通过调整该可变电容电路的电容，能够调整振荡频率。更具体而言，振荡电路11也可以具有与连接有端子TXA的布线LA电连接的第1可变电容电路136、以及与连接有端子TXB的布线LB电连接的第2可变电容电路137。另外，本实施方式中的连接是电连接。电连接是以能够传递电信号的方式连接，是能够利用电信号传递信息的连接。电连接也可以是经由无源元件等的连接。
输出电路12根据来自振荡电路11的振荡信号OSC输出时钟信号CK。例如，输出电路12对来自振荡电路11的振荡信号OSC进行缓冲，输出时钟信号CK。例如，输出电路12还能够进行振荡信号OSC的波形整形、电压电平的电平移位等。输出电路12输出的时钟信号的信号形式例如是单端的CMOS、削峰正弦波等信号形式，但是不限于此。例如也可以是LVDS(LowVoltage Differential Signaling)、PECL(Positive Emitter Coupled Logic)、HCSL(High Speed Current Steering Logic)或差动的CMOS(Complementary MOS)等信号形式。
控制电路13进行各种控制处理。例如，控制电路13进行集成电路10的整体的控制。例如，控制电路13对集成电路10的动作顺序进行控制。此外，控制电路13进行振荡电路11的控制用的各种处理。此外，控制电路13还能够进行输出电路12等的控制。控制电路13例如能够通过门阵列等基于自动配置布线的ASIC(Application Specific Integrated Circuit)电路来实现。
温度传感器16是检测温度的传感器。具体而言，温度传感器16输出根据环境的温度而变化的温度依赖电压作为温度检测电压VT。例如，温度传感器16利用具有温度依赖性的电路元件生成温度检测电压VT。具体而言，温度传感器16通过使用PN结的正向电压具有的温度依赖性，输出电压值依赖于温度而变化的温度检测电压VT。PN结的正向电压例如能够使用双极晶体管的基极/发射极间电压等。
温度补偿电路15进行振荡电路11的振荡频率的温度补偿。例如，温度补偿电路15根据来自温度传感器16的温度检测电压VT生成温度补偿电压VCP，将温度补偿电压VCP输出到振荡电路11，由此，进行振荡电路11的振荡频率的温度补偿。例如，温度补偿电路15对振荡电路11具有的可变电容电路输出成为该可变电容电路的电容控制电压的温度补偿电压VCP，由此，进行温度补偿。温度补偿是抑制由于温度变动而引起的振荡频率的变动而进行补偿的处理。
例如，温度补偿电路15进行基于多项式近似的模拟方式的温度补偿。例如，在对振动元件5的频率温度特性进行补偿的温度补偿电压VCP通过多项式来近似的情况下，温度补偿电路15根据该多项式的系数信息进行模拟方式的温度补偿。模拟方式的温度补偿例如是通过模拟信号即电流信号、电压信号的相加处理等实现的温度补偿。例如，在通过高次的多项式来近似温度补偿电压VCP的情况下，多项式的0次系数、1次系数、高次系数分别作为0次校正数据、1次校正数据、高次校正数据存储于存储部17。例如，存储于由非易失性存储器实现的存储部17。高次系数例如是比1次大的高次的次数的系数，高次校正数据是与高次系数对应的校正数据。例如，在通过5次多项式来近似温度补偿电压VCP的情况下，多项式的0次系数、1次系数、2次系数、3次系数、4次系数、5次系数作为0次校正数据、1次校正数据、2次校正数据、3次校正数据、4次校正数据、5次校正数据存储于存储部17。
然后，温度补偿电路15根据0次校正数据～5次校正数据进行温度补偿。另外，也可以省略基于2次校正数据或4次校正数据的温度补偿。此外，多项式近似的次数是任意的，例如可以进行3次的多项式近似，也可以进行比5次大的次数的多项式近似。此外，温度传感器16也可以进行0次校正。此外，也可以不将温度传感器16设置于集成电路10，温度补偿电路15根据从外部输入的温度检测电压等温度检测信号进行温度补偿。
另外，温度补偿电路15也可以进行数字方式的温度补偿。该情况下，温度补偿电路15例如通过逻辑电路来实现。具体而言，温度补偿电路15根据温度传感器16的温度检测信息即温度检测数据进行数字的温度补偿处理。例如，温度补偿电路15根据温度检测数据求出频率调整数据。然后，根据求出的频率调整数据对振荡电路11的可变电容电路的电容值进行调整，由此，实现振荡电路11的振荡频率的温度补偿处理。该情况下，振荡电路11的可变电容电路通过具有以二进制方式进行加权的多个电容器的电容器阵列以及开关阵列来实现。此外，存储部17存储表示温度检测数据与频率调整数据的对应关系的查找表，温度补偿电路15使用由控制电路13从存储部17读出的查找表，进行根据温度数据求出频率调整数据的温度补偿处理。
另外，在进行数字方式的温度补偿处理的情况下，温度传感器16测定环境温度等温度，输出其结果作为温度检测数据。温度检测数据是相对于温度例如单调增加或单调减少的数据。作为该情况下的温度传感器16，能够使用利用环形振荡器的振荡频率具有温度依赖性的特性的温度传感器。具体而言，温度传感器16包含环形振荡器和计数器电路。计数器电路在由基于来自振荡电路11的振荡信号OSC的时钟信号规定的计数期间内，对环形振荡器的振荡信号即输出脉冲信号进行计数，输出其计数值作为温度检测数据。
控制电路13对温度补偿电路15进行控制。此外，控制电路13还能够进行振荡电路11、输出电路12、调节器电路14B或存储部17的控制。例如，控制电路13具有寄存器，在使振动元件5振荡而输出时钟信号CK的通常动作的开始时，读出存储部17中存储的信息，转送到控制电路13的寄存器进行存储。然后，根据寄存器中存储的信息生成各种控制信号，输出到集成电路10的各电路，对各电路进行控制。因此，在通常动作时，控制电路13不需要进行高速动作，因此，控制电路13产生的噪声变低。另外，集成电路10也可以具有温度补偿开启的第1模式和温度补偿关闭的第2模式。该情况下，控制电路13能够进行第1模式和第2模式的切换控制。
基准电压生成电路14A根据电源电压VDD生成基准电压VREF。例如，生成在存在电源电压变动、温度变动的情况下也成为恒定电压的基准电压VREF。基准电压生成电路14A例如能够通过根据带隙电压生成基准电压VREF的带隙基准电路等实现。
调节器电路14B根据电源电压VDD生成调节电源电压。例如，调节器电路14B根据来自端子TVDD的电源电压VDD和来自基准电压生成电路14A的基准电压VREF生成调节电源电压。通过使用在存在电源电压变动、温度变动的情况下也成为恒定电压的基准电压VREF，能够生成对电源电压VDD进行降压后的调节电源电压、即在存在电源电压变动、温度变动的情况下也成为恒定电压的调节电源电压。然后，调节器电路14B将生成的调节电源电压供给到集成电路10的各电路块。该情况下，调节器电路14B例如使向温度补偿电路15供给的调节电压和向控制电路13供给的调节电压的电压值不同，供给与各电路块对应的适当的调节电源电压。
输出使能信号OE被输入到端子TOE。端子TOE与振动器件1的外部端子TE7电连接。控制电路13根据从端子TOE输入的输出使能信号OE进行输出使能控制的处理。另外，在测试模式中，也可以能够经由端子TOE输入振动元件5的测试用的信号。该情况下，设置用于连接端子TOE和布线LA的开关电路，将从端子TOE输入的测试用信号经由开关电路以及布线LA输入到振动元件5的一端。由此，能够进行振动元件5的过驱动等的测试、检查。此外，在存储部17通过非易失性存储器实现的情况下，在对非易失性存储器写入信息时，也可以经由端子TOE输入存储器写入用的高电压，将其供给到存储部17即非易失性存储器。
存储部17是存储各种信息的电路，能够通过半导体存储器等实现。具体而言，存储部17能够通过非易失性存储器实现。非易失性存储器例如能够使用可进行数据的电擦除的EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)、使用了FAMOS(Floating gate Avalanche injection MOS)等的OTP(One Time Programmable)的存储器等。或者，非易失性存储器也可以是使用熔丝单元的存储器。在温度补偿电路15进行基于多项式近似的温度补偿的情况下，由非易失性存储器等实现的存储部17存储多项式近似的系数信息。例如，存储部17存储上述的0次校正数据、1次校正数据、高次校正数据作为多项式近似的系数信息。这种系数信息例如在集成电路10和振动器件1的制造时、出厂时写入由非易失性存储器等实现的存储部17并进行存储。由此，能够根据集成电路10、振动器件1的机型来设定温度补偿的系数信息。
接着，对本实施方式的振动器件1的制造方法进行说明。关于振动器件1，虽然省略流程的图示，但是，例如能够通过以下的方法实现制造。首先，准备具有标准厚度的晶片状的半导体基板20。具体而言，标准厚度为625～775μm。由此，在集成电路10的制造工序中，能够稳定地处理半导体基板20。然后，在下表面即第2面22形成集成电路10。集成电路10的厚度为5～20μm。然后，在第2面22形成具有绝缘层80和布线82的再配置布线层8以及外部连接端子91、92，使集成电路10的接触焊盘38、39等和外部连接端子91、92等电连接。再配置布线层8的厚度为10～20μm。然后，利用背面研磨机等对半导体基板20的搭载振动元件5的一侧即第1面21侧进行研削。即，将基座2的厚度减薄到规定的厚度。规定的厚度是能够通过干式蚀刻形成后述贯通孔的厚度，具体而言为20μm～100μm。然后，通过干式蚀刻从第1面21侧去除基座2的期望区域。进而，通过湿式蚀刻去除元件分离膜25的期望区域。由此，形成从第1面21贯通到布线层30的金属层31的贯通孔。然后，在半导体基板20的表面、特别是贯通孔的内表面形成绝缘膜即绝缘层44，进而，利用铜等导电性材料在贯通孔内进行填埋，由此，形成贯通电极40、41。然后，准备振动元件5，将该振动元件5经由接合部件60、61与半导体基板20的第1面21接合。然后，准备形成有盖7的与半导体基板20相同大小的晶片。然后，在减压环境下，经由接合部件71、72对包含基座2的晶片和包含盖7的晶片进行接合。然后，通过切割机等对接合后的晶片进行切割，由此，振动器件1被单片化。由此，能够通过晶片级的批量处理一并制造具有振动元件5和集成电路10的振动器件1，因此，能够制造高生产量且低成本的振动器件1。即，本实施方式的振动器件1为WLP(Wafer Level Package)。
另外，以上的说明是在第2面22形成集成电路10的振动器件1的结构例，但是，本实施方式不限于此，能够进行各种变形实施。例如，如图5所示，也可以设为在第1面121形成集成电路110的振动器件101。振动器件101包含基座102、振动元件105和外部连接端子191、192。此外，振动器件101能够包含再配置布线层108。基座102包含贯通电极140、141。振动元件105配置于第1面121侧。例如，振动元件105配置于与第1面121分开给定的分离距离的位置。振动元件105例如经由导电性的接合部件160固定于第1面121。外部连接端子191、192经由绝缘层180、布线182等设置于第2面122侧。绝缘层180是构成再配置布线层108的绝缘层。它们能够通过适当使用所述方法来形成。
此外，振动器件101能够包含盖107。在第1面121设置有第3金属层171、172。第3金属层171、172例如是厚度为100nm的金，但是，也可以是铜等金属。在盖107的与第3金属层171、172抵接的面设置有第4金属层173、174。第4金属层173、174例如是厚度为20nm的金，但也可以是铜等金属。通过活化接合对第3金属层171、172和第4金属层173、174进行接合，由此，盖107和第1面121进行接合。活化接合是如下方法：在通过对第3金属层171、172和第4金属层173、174照射中性氩离子束等而使第3金属层171、172和第4金属层173、174的表面活化后，使第3金属层171、172和第4金属层173、174接触来进行接合。由此，不需要加压，能够在常温下对第3金属层171、172和第4金属层173、174进行接合。此外，也可以在盖107的凹部的底面进一步形成第5金属层176。此外，也可以在盖107的凹部的侧面进一步形成第6金属层177、178。第5金属层176和第6金属层177、178例如是厚度为20nm的金，但是，也可以是铜等金属。由此，第5金属层176和第6金属层177、178能够作为遮蔽层来保护集成电路110、振动元件105不受不必要辐射等外界干扰的影响。此外，通过使第5金属层176和第6金属层177、178的厚度为20nm左右，能够使红外线透过。由此，例如，通过使盖107的材质为硅，能够使用红外线来检查振动器件101的内部的振动元件105。另外，虽然省略图示，但是，也可以在第3金属层171、172、第4金属层173、174、第5金属层176以及第6金属层177、178与盖107之间形成钛等的密接层。
如上所述，本实施方式的振动器件1包含半导体基板20、基座2、振动元件5和盖7。半导体基板20具有第1面21和与第1面21处于正反关系的第2面22。基座2包含配置于第1面21或第2面22的集成电路10。振动元件5与集成电路10电连接，配置于第1面21侧。盖7以收纳振动元件5的方式在基座2的接合部JA处与基座2接合。另外，集成电路10配置于第1面21或第2面22的情况包含集成电路10配置于第1面21和第2面22双方的情况。
在本实施方式的振动器件1这样的WLP中产生以下所述的特有课题。图6示意地示出本实施方式的振动器件1中产生的应力的影响。另外，在图6中，为了简便，省略振动元件5、外部连接端子91、92等的图示。构成器件的各材料的热膨胀系数彼此不同，因此，通过进行封装化而施加应力。例如，基座2的材料即硅的热膨胀系数大约为3ppm/K，与此相对，布线材料即铜的热膨胀系数大约为17ppm/K。因此，在制造工序中，与基座2的热收缩量相比，集成电路10和再配置布线层8的热收缩量较大，因此，产生基于热收缩量差的应力。此时，如果基座2的厚度为所述标准厚度，则远远厚于集成电路10和再配置布线层8的厚度，因此，即使施加应力，基座2也不会变形而维持平坦性。但是，如上所述，在制造工序中，基座2被减薄到20μm～100μm，因此，基座2失去刚性，无法忽略应力的影响。具体而言，如B3所示，基座2、集成电路10和再配置布线层8无法维持平坦性而翘曲。由此，构成集成电路10的无源元件、有源元件产生畸变，对无源元件、有源元件的特性造成影响，但是，详细情况利用图7、图8、图9在后面叙述。另外，在将封装焊接安装于外部的电路基板的情况下、利用底部填充剂来固定封装和电路基板的情况下，也可能产生这种课题。另一方面，图6的A1、A2所示的区域是与盖7接合的区域、即包含接合部JA的区域。在设基座2和盖7的材质均为硅时，热膨胀系数彼此相同，因此，在A1、A2所示的区域中，基座2的厚度加上盖厚度TL而得到的厚度实质上成为基座2的厚度。即，A1、A2所示的区域与A3所示的区域相比，等效于在刚性更高的基座2上形成集成电路10和再配置布线层8。因此，如B1、B2所示，A1、A2所示的区域即包含接合部JA的区域成为平坦或翘曲少的状态。
图7示意地示出本实施方式的电阻R的构造。在设电阻R是长度RL、宽度RW、厚度RT的长方体时，电阻R的电阻值成为(ρ×RL)/(RW×RT)。这里的ρ是电阻率。而且，由于所述应力的影响，电阻R变形为长度(RL+ΔRL)、宽度(RW+ΔRW)、厚度(RT+ΔRT)的长方体，因此，电阻R的电阻值变化。由于电阻R的电阻值的变化而引起的对集成电路10的具体影响在后面叙述。
图8示意地示出本实施方式的电容器C的构造例。电容器C包含导体层210A、210B、以及导体层210A、210B之间的绝缘层220。在设导体层210A、210B的长度为CL、宽度为CW、绝缘层220的厚度为CD时，电容器C的静电电容成为(ε×CL×CW)/CD。ε是介电常数。而且，由于所述应力的影响，导体层210A、210B的长度变化成(CL+ΔCL)，宽度变化成(CW+ΔCW)。此外，绝缘层220的厚度变化成(CD+ΔCD)。因此，电容器C的静电电容变化。由于电容器C的静电电容的变化而引起的具体的对电路的影响在后面叙述。
图9示意地示出本实施方式的双极晶体管BP的构造例。在对双极晶体管BP施加应力时，在双极晶体管BP的基极区域230产生晶体缺陷232。由此，泄漏复合电流增大，双极晶体管BP的特性变化。
图10是示出本实施方式的振动器件1中的贯通电极40、41、端子TCK、TGND、TOE、TVC、TVDD、TXA、TXB和集成电路10的配置例的俯视图。在图10中，示出集成电路10的各电路的配置位置与贯通电极40、41、端子TCK、TGND、TOE、TVC、TVDD、TXA、TXB的配置位置的关系。图10是从Z轴方向负侧观察基座2的俯视时的俯视图，相对于形成有集成电路10的基座2位于Z轴方向正侧的贯通电极40、41的外形用虚线表示。此外，表示盖7的内壁部9的位置的盖内壁线9L用虚线表示。即，盖内壁线9L与基座外周线2L之间的区域相当于所述接合部JA。
此外，在图10中，由产品区域线3L包围的区域是产品区域，产品区域线3L与表示基座2的外周的基座外周线2L之间是划线区域。划线区域是配置附件图案的区域，此外，还是用于从晶片中单片化为各个振动器件1的切削区域。附件图案是由用于确认元件的电气特性的评价元件、用于对该评价元件等供给电力的电极焊盘等构成的图案。
在产品区域的边缘周边，以包围集成电路10的方式形成有保护环27。保护环27例如通过在构成图2的布线层30的金属层31、32、绝缘层33、34的各层形成虚设金属并使它们接触而形成，防止水分等从外界侵入。由此，能够保护集成电路10整体。另外，保护环27不限于图10那样的2根，也可以是1根，还可以是3根以上。
此外，在本实施方式中，如图10所示，基座2具有第1边SD1和与第1边SD1相对的第2边SD2。即，集成电路10具有第1边SD1和与第1边SD1相对的第2边SD2。此外，基座2具有第3边SD3和与第3边SD3相对的第4边SD4。例如，在俯视时，基座2是具有第1边SD1、第2边SD2、第3边SD3和第4边SD4的矩形形状。另外，矩形形状不需要是严格的矩形形状，例如也可以是角部被倒角的形状。
如上所述，本实施方式的振动器件1包含：基座2，其包含半导体基板20和贯通半导体基板20的第1面21与第2面22之间的贯通电极40；以及振动元件5，其配置于半导体基板20的第1面21侧。而且，如图10所示，在半导体基板20的第2面22配置有：振荡电路11，其经由贯通电极40、41与振动元件5电连接，使振动元件5振荡而生成振荡信号OSC；以及输出电路12，其输出基于振荡信号OSC的时钟信号CK。例如，振荡电路11使振动元件5振荡，由此，生成振荡信号OSC，通过输出电路12对该振荡信号OSC进行缓冲，作为时钟信号CK进行输出。此外，从外部连接端子91输出来自输出电路12的时钟信号CK。即，来自图4的输出电路12的时钟信号CK从由接触焊盘38实现的端子TCK输出。
在本实施方式的振动器件1中，集成电路10包含无源元件，无源元件被配置成，在从与第1面21正交的方向俯视时，无源元件的至少一部分与接合部JA重叠。详细情况利用图11、图12、图13、图14、图16等在后面叙述，但是，振荡电路11、基准电压生成电路14A、调节器电路14B、温度补偿电路15和温度传感器16包含作为无源元件的电阻或电容器。如图6所述，不与接合部JA重叠的区域的应力的影响大。即，当在不与接合部JA重叠的区域存在无源元件时，无源元件由于应力的影响而变形，因此，无源元件示出的特性与设计上的特性偏离。由此，在不与接合部JA重叠的区域配置振荡电路11、基准电压生成电路14A、调节器电路14B、温度补偿电路15和温度传感器16的情况成为配置包含无源元件的电路的情况，因此，对振动器件1的特性造成影响。关于这点，本实施方式的振动器件1被配置成，振荡电路11、基准电压生成电路14A、调节器电路14B、温度补偿电路15和温度传感器16与接合部JA重叠。由此，通过在与接合部JA重叠的区域配置无源元件，在应力的影响少的区域配置无源元件，因此，能够使无源元件的变形成为最小限度。由此，能够使无源元件的特性稳定。由此，能够使封装化后的振动器件1的振荡特性稳定。
另外，本实施方式的无源元件是电容元件或电阻元件中的至少一方。例如，后述的图12的基准电压生成电路14A包含电阻元件即电阻RD1～RD3。此外，例如，后述的图13的调节器电路14B包含电阻元件即电阻RD1～RD3和电容元件即电容器CA。由此，能够抑制这些电阻、电容器的变形。由此，能够抑制电容器的电容或电阻的电阻值的变化。由此，能够抑制振动器件1的振荡频率的变化。
此外，本实施方式的电容元件是MIM(Metal-Insulator-Metal，金属-绝缘体-金属)电容器、PIP(Polysilicon-Insulator-polysilicon，多晶硅-介电层-多晶硅)电容器或MOS(Metal-Oxide-Semiconductor，金属-氧化物-半导体)电容器中的至少一方。在振动器件1中，为了得到更大的电容，使用MIM电容器或PIP电容器。此外，为了对振荡频率进行温度补偿，使用MOS电容器作为电容值根据被施加的电压而变化的可变电容元件。即，这些电容器在振动器件1中通常广泛使用。应用所述的本实施方式的方法，将这些电容器配置于应力的影响少的位置，由此，能够抑制这些电容器的变形。由此，能够抑制这些电容器的电容的变化。由此，能够抑制振动器件的振荡频率的变化。
此外，在本实施方式中，在俯视时，控制电路13、存储部17配置于盖内壁线9L的内侧。即，集成电路10包含配置于在俯视时不与接合部JA重叠的区域的规定电路，规定电路包含控制电路13或存储器电路即存储部17中的至少一方。例如，对于控制电路13中的信号的高电平和低电平已定的部分，应力的影响非常小，因此，由于应力而对振动器件的振荡频率造成影响的作用小。因此，将控制电路13等配置于与接合部JA重叠的位置会缩小在与接合部JA重叠的位置配置应力的影响大的电路的余地。因此，将由于应力的影响而引起的障碍少的控制电路13、存储部17配置于应力的影响大的位置，由此，能够增大在应力的影响小的位置配置应力的影响大的电路的余地。
此外，在本实施方式中，如图10所示，在俯视时，振荡电路11配置于比第2边SD2接近第1边SD1的位置。具体而言，在俯视时，振荡电路11配置于第1边SD1与贯通电极40、41之间。即，振荡电路11配置于第1边SD1与连结贯通电极40和贯通电极41的线之间的区域。例如，振荡电路11沿着第1边SD1配置，以其长度方向沿着第1边SD1的方式进行配置。而且，振荡电路11经由布线LA、LB、由接触焊盘36、37实现的端子TXA、TXB与振动元件5电连接，使振动元件5振荡。例如，构成振荡电路11的晶体管、电容器、电阻等电路元件具备在俯视时具有面积的金属层、扩散层等导电层。因此，由于振荡电路11中的导电层与外部连接端子91的电容耦合，从外部连接端子91输出的时钟信号CK的信号成分作为噪声传递到振荡电路11，可能在振荡特性中产生不良影响。关于这点，在本实施方式中，振荡电路11配置于在俯视时接近第1边SD1的位置，因此，能够拉开与配置于在俯视时接近第2边SD2的位置的外部连接端子91之间的距离。因此，能够减少振荡电路11与外部连接端子91之间的电容耦合的电容，因此，能够抑制振荡电路11的振荡特性产生劣化等。
图11示出振荡电路11的结构例。振荡电路11包含驱动电路132、DC切断用的电容器C1、C2、基准电压供给电路134和第1可变电容电路136。此外，振荡电路11能够包含DC切断用的电容器C4和第2可变电容电路137。另外，电容器C4和第2可变电容电路137不是必须的结构要素，还能够进行不设置电容器C4和第2可变电容电路137的变形实施。此外，在第1可变电容电路136以及第2可变电容电路137与GND节点之间设置有电容器C31～C3n。
驱动电路132是驱动振动元件5而使其振荡的电路。驱动电路132包含电流源ISA、双极晶体管BP0和电阻RB。电流源ISA设置于调节电源电压VREG的电源节点与双极晶体管BP0之间，向双极晶体管BP0供给恒定电流。
双极晶体管BP0是驱动振动元件5的晶体管，基极节点成为驱动电路132的输入节点NI，集电极节点成为驱动电路132的输出节点NQ。电阻RB设置于双极晶体管BP0的集电极节点与基极节点之间。
DC切断用的电容器C1设置于驱动电路132的输入节点NI与布线LA之间。通过设置这种电容器C1，振荡信号的DC成分被切断，仅AC成分传递到驱动电路132的输入节点NI，能够使双极晶体管BP0适当地进行动作。另外，DC切断用的电容器C1也可以设置于驱动电路132的输出节点NQ与布线LA之间。
基准电压供给电路134向第1可变电容电路136和第2可变电容电路137供给基准电压VR1～VRn。基准电压供给电路134例如包含串联设置于调节电源电压VREG的节点与GND节点之间的多个电阻，输出对VREG的电压进行分割后的电压作为基准电压VR1～VRn。此外，基准电压供给电路134向布线LA供给偏置电压设定用的基准电压VRB。由此，能够将布线LA中的振荡信号的振幅中心电压设定为基准电压VRB。另外，布线LB中的振荡信号的振幅中心电压例如根据双极晶体管BP0的基极/发射极间电压和流过电阻RB的基极电流来设定。
DC切断用的电容器C2的一端与布线LA电连接，另一端与温度补偿电压VCP的供给节点NS1电连接。温度补偿电压VCP经由电阻RC1供给到供给节点NS1。第1可变电容电路136的一端与供给节点NS1电连接，被供给温度补偿电压VCP。此外，基准电压供给电路134向第1可变电容电路136的另一端的供给节点NR1～NRn供给基准电压VR1～VRn。而且，在基准电压VR1～VRn的供给节点NR1～NRn与GND节点之间设置有电容器C31～C3n。DC切断用的电容器C4的一端与布线LB电连接，另一端与温度补偿电压VCP的供给节点NS2电连接。温度补偿电压VCP经由电阻RC2供给到供给节点NS2。此外，在布线LA与GND节点之间设置有开关和电容器C7、C8，对布线LA的负载电容进行调整。此外，在布线LB与GND节点之间设置有开关和电容器C5、C6，对布线LB的负载电容进行调整。第2可变电容电路137的一端与供给节点NS2电连接，被供给温度补偿电压VCP。此外，基准电压供给电路134向第2可变电容电路137的另一端的供给节点NR1～NRn供给基准电压VR1～VRn。第1可变电容电路136包含n个可变电容元件。n为2以上的整数。n个可变电容元件例如是MOS型的可变电容元件，由n个晶体管构成。而且，向n个晶体管的栅极供给基准电压VR1～VRn。此外，n个晶体管的各晶体管的源极和漏极短路，对与短路的源极和漏极连接的供给节点NS1供给温度补偿电压VCP。而且，DC切断用的电容器C2的电容成为比第1可变电容电路136的电容大很多的电容。通过使用这种结构的第1可变电容电路136，在宽温度补偿电压VCP的电压范围内，能够确保第1可变电容电路136的总电容的电容变化的直线性。另外，第2可变电容电路137的结构是与第1可变电容电路136相同的结构，因此省略详细说明。
如上所述，在本实施方式的振动器件1中，集成电路10包含使振动元件5振荡而输出振荡信号的振荡电路11，无源元件是振荡电路11中包含的电容元件或电阻元件中的至少一方。如上所述，基准电压供给电路134中包含的未图示的电阻由于应力而变形，在电阻值不稳定时，从基准电压供给电路134供给的基准电压VR1～VRn也不稳定。由此，施加给第1可变电容电路136的电压也不稳定。此外，如图8中所述的那样，电容器C1、C2、C31～C3n、C4～C8的电容也由于应力的影响而不稳定。由此，振荡电路11的负载电容不稳定，产生振动器件1的频率变动的问题。关于这点，通过应用本实施方式的方法，将振荡电路11中包含的电容元件或电阻元件配置于应力的影响少的位置，由此，能够抑制振荡电路11中包含的电容元件或电阻元件的变形。由此，能够抑制振荡电路11中包含的电容元件的电容或电阻元件的电阻值的变化。由此，能够抑制振动器件1的振荡频率的变化。
图12示出基准电压生成电路14A的结构例。基准电压生成电路14A包含设置于VDD节点与GND节点之间的N型的晶体管TD1、电阻RD1、RD2、RD3、双极晶体管BP1、BP2。此外，基准电压生成电路14A包含栅极被输入有偏置电压BS的P型的晶体管TD1、TD2、以及设置于晶体管TD2的漏极节点与GND节点之间的双极晶体管BP3。基准电压生成电路14A是带隙基准电路，生成基于带隙电压的基准电压VREF并进行输出。例如，将PNP型的双极晶体管BP1、BP2的基极/发射极间电压设为VBE1、VBE2，设为ΔVBE＝VBE1-VBE2。基准电压生成电路14A例如输出成为VREF＝K×ΔVBE+VBE2的基准电压VREF。K由电阻RD1、RD2的电阻值来设定。例如，VBE2具有负温度特性，ΔVBE具有正温度特性，因此，通过调整电阻RD1、RD2的电阻值，能够生成不具有温度依赖性的恒定电压的基准电压VREF。而且，生成的基准电压VREF成为以接地电压为基准的恒定电压。另外，基准电压生成电路14A不限于图12的结构，例如能够利用使用晶体管的功函数差电压生成基准电压VREF的电路等各种结构的电路。
如上所述，在本实施方式的振动器件1中，集成电路10包含生成集成电路10中使用的基准电压的基准电压生成电路14A，无源元件是集成电路10中包含的电阻元件。如上所述，基准电压生成电路14A中包含的电阻RD1、RD2、RD3由于应力而变形，在电阻值不稳定时，基准电压VREF也不稳定。由此，从后述调节器电路14B输出的调节电源电压VREG也不稳定，振荡电路11的负载电容变动。由此，产生振动器件1的频率变动的问题。关于这点，通过应用本实施方式的方法，将基准电压生成电路14A中包含的电阻元件配置于应力的影响少的位置，由此，能够抑制基准电压生成电路14A中包含的电阻元件的变形。由此，能够抑制基准电压生成电路14A中包含的电阻元件的电阻值的变化，因此，能够使基准电压VREF、调节电源电压VREG稳定。由此，能够抑制振动器件1的振荡频率的变化。
图13示出调节器电路14B的结构例。调节器电路14B包含串联设置于VDD节点与GND节点之间的驱动用的N型的晶体管TA1和电阻RA1、RA2、以及运算放大器OPA。此外，调节器电路14B能够包含设置于运算放大器OPA的输出端子侧的电阻RA3和电容器CA。向运算放大器OPA的同相输入端子输入基准电压VREF，向反相输入端子输入通过电阻RA1、RA2对调节电源电压VREG1进行分压后的电压VDA。而且，运算放大器OPA的输出端子经由电阻RA3输入到晶体管TA1的栅极，从晶体管TA1的漏极节点输出调节电源电压VREG。另外，调节器电路14B将电阻RA1、RA2设为固定电阻值的电阻，由此，输出固定电压的调节电源电压VREG，但是，也可以将电阻RA1、RA2的电阻值设定成可变。由此，例如在制造、出厂时，能够调整用于对与工艺变动对应的调节电源电压VREG的变动进行补偿的电阻值。
如上所述，在本实施方式的振动器件1中，集成电路10包含生成调节电源电压VREG的调节器电路14B，无源元件是调节器电路14B中包含的电阻元件。如上所述，调节器电路14B中包含的电阻RA1、RA2由于应力而变形，在电阻值变化时，电阻RA1与电阻RA2之比变动，调节电源电压VREG变动。由此，振荡电路11的负载电容变动，产生振动器件1的频率变动的问题。关于这点，通过应用本实施方式的方法，将调节器电路14B中包含的电阻元件配置于应力的影响少的位置，由此，能够抑制调节器电路14B中包含的电阻元件的变形。由此，能够抑制调节器电路14B中包含的电阻元件的电阻值的变化，因此，能够抑制调节电源电压VREG的变动。由此，能够抑制振动器件1的振荡频率的变化。
此外，如上所述，本实施方式的振动器件1包含生成集成电路10中使用的基准电压的基准电压生成电路14A或生成集成电路10中使用的调节电源电压VREG的调节器电路14B中的至少一方。基准电压生成电路14A或调节器电路14B中的至少一方中包含的无源元件或有源元件的至少一部分被配置成，在从与第1面21正交的方向俯视时与接合部JA重叠。例如，基准电压生成电路14A除了如上所述包含无源元件以外，还包含双极晶体管BP1～BP3作为有源元件。如图9中所述的那样，当在不与接合部JA重叠的区域存在有双极晶体管BP1～BP3时，由于应力的影响而使双极晶体管BP1～BP3的基极电流变化。其结果，基准电压VREF不稳定，与所述情况同样，产生振动器件1的频率变化的问题。关于这点，应用本实施方式的方法，例如在与接合部JA重叠的区域配置作为无源元件的电阻RD1～RD3或作为有源元件的双极晶体管BP1～BP3，由此，能够使它们的特性稳定。由此，能够使封装化后的振动器件1的振荡特性稳定。
图14示出温度传感器16的结构例。温度传感器16包含双极晶体管BP4、电阻RE1、可变电阻电路REA和电流源ISB。电流源ISB设置于电源节点NVD与第1节点N1之间，向第1节点N1输出恒定电流IA。例如，电流源ISB由设置于电源节点NVD与GND节点之间的电阻、以及对流过该电阻的电流进行镜像而输出恒定电流IA的电流镜像电路构成。第1节点N1与双极晶体管BP4的基极节点连接。电阻RE1设置于第1节点N1与双极晶体管BP4的集电极节点之间。即，电阻RE1的一端与第1节点N1连接，电阻RE1的另一端与双极晶体管BP4的集电极节点连接。可变电阻电路REA设置于双极晶体管BP4的发射极节点与GND节点之间。即，可变电阻电路REA的一端与双极晶体管BP4的发射极节点连接，可变电阻电路REA的另一端与GND节点连接。从存储部17向可变电阻电路REA输入0次校正数据，通过该0次校正数据设定可变电阻电路REA的电阻值。由此，从双极晶体管BP4的集电极节点输出具有温度依赖性的温度检测电压VT。
如上所述，在本实施方式的振动器件1中，集成电路10包含检测温度的温度传感器16，无源元件是温度传感器16中包含的电阻元件。如上所述，温度传感器16中包含的电阻RE1等由于应力而变形，在电阻值变化时，温度检测电压VT变动。由此，振荡电路11的负载电容变动，产生振动器件1的频率变动的问题。关于这点，通过应用本实施方式的方法，将温度传感器16中包含的电阻元件配置于应力的影响少的位置，由此，能够抑制温度传感器16中包含的电阻元件的变形。由此，能够抑制温度传感器16中包含的电阻元件的电阻值的变化，因此，能够使温度检测电压VT稳定。由此，能够抑制振动器件1的振荡频率的变化。
图15示出温度补偿电路15的结构例。温度补偿电路15包含0次校正电路152、1次校正电路154、高次校正电路156和电流电压转换电路158。另外，例如在进行3次校正、4次校正、5次校正等的情况下，作为高次校正电路156，设置有3次校正电路、4次校正电路、5次校正电路等多个校正电路。高次校正电路156也被称为函数产生电路，产生与对温度补偿电压VCP的特性进行近似的多项式对应的函数电流。例如，多项式是以温度为变量的函数。
温度补偿电路15进行基于多项式近似的模拟方式的温度补偿。具体而言，温度补偿电路15通过将温度设为变量的函数即多项式的近似，生成温度补偿电压VCP并进行输出。因此，存储部17存储对温度补偿电压VCP的特性进行近似的多项式的0次系数、1次系数、高次系数作为0次校正数据、1次校正数据、高次校正数据。而且，0次校正电路152、1次校正电路154和高次校正电路156根据存储部17中存储的0次校正数据、1次校正数据、高次校正数据输出0次校正电流信号、1次校正电流信号、高次校正电流信号。0次校正电流信号、1次校正电流信号、高次校正电流信号能够称为函数电流的0次成分信号、1次成分信号、高次成分信号。而且，在1次校正电路154、高次校正电路156中，根据相对于温度而线性变化的温度检测电压VT，生成1次校正电流信号、高次校正电流信号并进行输出。电流电压转换电路158进行0次校正电流信号、1次校正电流信号、高次校正电流信号的加法处理，并且进行电流电压转换，输出温度补偿电压VCP。由此，实现基于多项式近似的模拟方式的温度补偿。另外，在如上所述使用温度传感器16进行温度补偿的0次校正的情况下，能够省略0次校正电路152的结构。该情况下，为了对由于温度检测电压VT的偏置电压的变动而引起的温度检测电压特性的偏移进行校正，例如也可以在进行5次多项式近似的温度补偿的温度补偿电路15设置2次校正电路、4次校正电路。
图16示出高次校正电路156的结构例。高次校正电路156包含双极晶体管BP51～BP5(2N+1)、双极晶体管BP61～BP6(2N+1)、电阻RF1～RF(2N+1)、电阻RG1～RG(2N+1)、电流源ISC1～ISC(2N+1)。N为自然数。另外，后述的基准电压VS1～VS(N+1)和基准电压VG从未图示的电压产生电路输出。
通过双极晶体管BP51和双极晶体管BP61构成差动对。双极晶体管BP51的基极端子被输入基准电压VS1，集电极端子与供给基准电压VG的基准电压供给线159连接，发射极端子经由电阻RF1与电流源ISC1电连接。双极晶体管BP61的基极端子被输入温度检测电压VT，集电极端子与电流电压转换电路158电连接，发射极端子经由电阻RG1与电流源ISC1电连接。电流源ISC1经由电阻RF1、电阻RG1在由双极晶体管BP51和双极晶体管BP61构成的差动对中流过恒定电流IB1。由双极晶体管BP5(2N+1)和双极晶体管BP6(2N+1)构成的差动对也同样。
此外，通过双极晶体管BP52和双极晶体管BP62构成差动对。双极晶体管BP52的基极端子被输入基准电压VS2，集电极端子与电流电压转换电路158电连接，发射极端子经由电阻RG1与电流源ISC2电连接。双极晶体管BP62的基极端子被输入温度检测电压VT，集电极端子与基准电压供给线159电连接，发射极端子经由电阻RG2与电流源ISC2电连接。电流源ISC2经由电阻RF2、电阻RG2在由双极晶体管BP52和双极晶体管BP62构成的差动对中流过恒定电流IB(2N)。由双极晶体管BP5(2N)和双极晶体管BP6(2N)构成的差动对也同样。
温度检测电压VT的值相对于温度T大致线性地减少，在温度T为T1、T2、…、T(2N)、T(2N+1)时，分别与基准电压VS1、VR2、…、VSN、VS(2N+1)一致。另外，设为T1<T2<…<T(2N)<T(2N+1)。关于公知的方法，省略详细说明，但是，通过包含这种结构的差动对，来自电流电压转换电路158的电流值例如在温度T为T1的附近单调减少，在温度T为T2的附近单调增加，此后，根据差动对的数量，单调减少和单调增加交替重复。由此，虽然省略图示，但是，来自电流电压转换电路158的电流值的温度依赖性示出重复波动的图案。
如上所述，在本实施方式的振动器件1中，集成电路10包含进行振动元件5的振荡频率的温度补偿的温度补偿电路15，无源元件是温度补偿电路15中包含的电阻元件。如上所述，温度补偿电路15的高次校正电路156包含构成各差动对的电阻RF1～RF(2N+1)、电阻RG1～RG(2N+1)。这些电阻由于应力而变形，在电阻值变化时，与电流电压转换电路158连接的布线上的电流值变动。由此，温度补偿电压VCP变动，因此，振荡电路11的负载电容变动，产生振动器件1的频率变动的问题。关于这点，通过应用本实施方式的方法，将温度补偿电路15中包含的电阻元件配置于应力的影响少的位置，由此，能够抑制温度补偿电路15中包含的电阻元件的变形。由此，能够抑制温度补偿电路15中包含的电阻元件的电阻值的变化，因此，能够使温度补偿电压VCP稳定。由此，能够抑制振动器件1的振荡频率的变化。
此外，本实施方式的振动器件1包含检测温度的温度传感器16或进行振动元件5的振荡频率的温度补偿的温度补偿电路15中的至少一方。温度传感器16或温度补偿电路15中的至少一方中包含的无源元件或有源元件的至少一部分被配置成，在从与第1面21正交的方向俯视时与接合部73重叠。如图14、图16中所述的那样，温度传感器16或温度补偿电路15除了包含所述无源元件以外，还包含作为有源元件的双极晶体管BP4、BP51～BP5(2N+1)、BP61～BP6(2N+1)。如图9中所述的那样，当在不与接合部JA重叠的区域存在有BP4、BP51～BP5(2N+1)、BP61～BP6(2N+1)时，由于应力的影响而使双极晶体管BP4、BP51～BP5(2N+1)、BP61～BP6(2N+1)的基极电流变化。温度补偿电压VCP变动，因此，振荡电路11的负载电容变动，产生振动器件1的频率变动的问题。关于这点，本实施方式的振动器件1被配置成，温度传感器16、温度补偿电路15与接合部JA重叠。由此，在与接合部JA重叠的区域配置无源元件或有源元件，由此，能够使无源元件或有源元件的特性稳定。由此，能够使封装化后的振动器件1的振荡特性稳定。
本实施方式不限于上述情况，能够进行各种变形实施。图17是示出本实施方式的变形例的俯视图。振动器件1也可以还包含PLL电路18。例如通过设置分数-N型的PLL电路18，能够输出对振荡电路11的振荡信号的频率进行倍频后的任意频率的时钟信号CK。此外，PLL电路18与控制电路13等同样，在俯视时配置于盖内壁线9L的内侧。即，在俯视时，PLL电路18配置于不与接合部JA重叠的位置。这是因为，PLL电路18在反馈环路内进行校正，因此，可认为应力的影响小。这样，将PLL电路18配置于应力的影响大的位置，由此，能够增大在应力的影响小的位置配置应力的影响大的电路的余地。
如上所述，本实施方式的振动器件包含半导体基板、基座、振动元件和盖。半导体基板具有第1面和与第1面处于正反关系的第2面。基座包含配置于第1面或第2面的集成电路。振动元件与集成电路电连接，配置于第1面侧。盖以收纳振动元件的方式在基座的接合部处与基座接合。集成电路包含无源元件，无源元件被配置成，在从与第1面正交的方向俯视时，无源元件的至少一部分与接合部重叠。
这样，本实施方式的振动器件包含配置于半导体基板的第1面或第2面的集成电路。此外，集成电路包含无源元件，无源元件被配置成，在从与第1面正交的方向俯视时，无源元件的至少一部分与跟盖接合的接合部重叠。通过这样配置，与配置成在俯视时无源元件不与接合部重叠的情况相比，能够减少无源元件的应力的影响。由此，能够抑制由于应力的影响而引起的无源元件的变形。由此，能够抑制无源元件的特性的变化，因此，能够有效地抑制振动器件的频率的特性的变化。
此外，无源元件可以是电容元件或电阻元件中的至少一方。
这样，将电容元件或电阻元件配置于应力的影响少的位置，由此，能够抑制电容元件或电阻元件的变形。由此，能够抑制电容元件的电容或电阻元件的电阻值的变化。由此，能够抑制振动器件的振荡频率的变化。
此外，电容元件可以是MIM(Metal-Insulator-Metal)电容器、PIP(polysilicon-Insulator-polysilicon)电容器或MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)电容器中的至少一方。
这样，将振动器件中通常使用的电容器配置于应力的影响少的位置，由此，能够抑制这些电容器的变形。由此，能够抑制这些电容器的电容的变化。由此，能够抑制振动器件的振荡频率的变化。
此外，集成电路可以包含使振动元件振荡而输出振荡信号的振荡电路，无源元件是振荡电路中包含的电容元件或电阻元件中的至少一方。
这样，将振荡电路中包含的电容元件或电阻元件配置于应力的影响少的位置，由此，能够抑制振荡电路中包含的电容元件或电阻元件的变形。由此，能够抑制振荡电路中包含的电容元件的电容或电阻元件的电阻值的变化。由此，能够抑制振动器件的振荡频率的变化。
此外，基座可以包含贯通电极，集成电路具有第1边和与第1边相对的第2边，在从与第1面正交的方向俯视时，在第1边与贯通电极之间配置有振荡电路。
这样，将振荡电路配置于接近第1边的位置，由此，能够拉开配置于接近第2边的位置的外部连接端子与振荡电路之间的距离，能够减少振荡电路与外部连接端子之间的电容耦合的电容。
此外，集成电路也可以包含生成集成电路中使用的基准电压的基准电压生成电路，无源元件是基准电压生成电路中包含的电阻元件。
这样，将基准电压生成电路中包含的电阻元件配置于应力的影响少的位置，由此，能够抑制基准电压生成电路中包含的电阻元件的变形。由此，能够抑制基准电压生成电路中包含的电阻元件的电阻值的变化。由此，能够抑制振动器件的振荡频率的变化。
此外，集成电路也可以包含生成集成电路中使用的调节电源电压的调节器电路，无源元件是调节器电路中包含的电阻元件。
这样，将调节器电路中包含的电阻元件配置于应力的影响少的位置，由此，能够抑制调节器电路中包含的电阻元件的变形。由此，能够抑制调节器电路中包含的电阻元件的电阻值的变化。由此，能够抑制振动器件的振荡频率的变化。
此外，集成电路也可以包含检测温度的温度传感器，无源元件是温度传感器中包含的电阻元件。
这样，将温度传感器中包含的电阻元件配置于应力的影响少的位置，由此，能够抑制温度传感器中包含的电阻元件的变形。由此，能够抑制温度传感器中包含的电阻元件的电阻值的变化。由此，能够抑制振动器件的振荡频率的变化。
此外，集成电路也可以包含进行振动元件的振荡频率的温度补偿的温度补偿电路，无源元件是温度补偿电路中包含的电阻元件。
这样，将温度补偿电路中包含的电阻元件配置于应力的影响少的位置，由此，能够抑制温度补偿电路中包含的电阻元件的变形。由此，能够抑制温度补偿电路中包含的电阻元件的电阻值的变化。由此，能够抑制振动器件的振荡频率的变化。
此外，集成电路也可以包含配置于在俯视时不与接合部重叠的区域的规定电路，规定电路包含控制电路或存储器电路中的至少一方。
这样，将由于应力的影响而引起的障碍少的控制电路、存储器电路配置于应力的影响大的位置，由此，能够增大在应力的影响小的位置配置应力的影响大的电路的余地。
此外，本实施方式的振动器件包含半导体基板、基座、振动元件和盖。半导体基板具有第1面和与第1面处于正反关系的第2面。基座包含配置于第1面或第2面的集成电路。振动元件与集成电路电连接，配置于第1面侧。盖以收纳振动元件的方式在基座的接合部处与基座接合。集成电路包含生成集成电路中使用的基准电压的基准电压生成电路或生成集成电路中使用的调节电源电压的调节器电路中的至少一方。基准电压生成电路或调节器电路中的至少一方中包含的无源元件或有源元件的至少一部分被配置成，在从与第1面正交的方向俯视时与接合部重叠。
这样，将基准电压生成电路或调节器电路中包含的无源元件或有源元件配置于应力的影响少的位置，由此，能够抑制基准电压生成电路或调节器电路中包含的无源元件或有源元件的变形。由此，能够抑制基准电压生成电路或调节器电路中包含的无源元件或有源元件的特性的变化。由此，能够抑制振动器件的振荡频率的变化。
此外，本实施方式的振动器件包含半导体基板、基座、振动元件和盖。半导体基板具有第1面和与第1面处于正反关系的第2面。基座包含配置于第1面或第2面的集成电路。振动元件与集成电路电连接，配置于第1面侧。盖以收纳振动元件的方式在基座的接合部处与基座接合。集成电路包含检测温度的温度传感器或进行振动元件的振荡频率的温度补偿的温度补偿电路中的至少一方。温度传感器或温度补偿电路中的至少一方中包含的无源元件或有源元件的至少一部分被配置成，在从与第1面正交的方向俯视时与接合部重叠。
这样，将温度传感器或温度补偿电路中包含的无源元件或有源元件配置于应力的影响少的位置，由此，能够抑制温度传感器或温度补偿电路中包含的无源元件或有源元件的变形。由此，能够抑制温度传感器或温度补偿电路中包含的无源元件或有源元件的特性的变化。由此，能够抑制振动器件的振荡频率的变化。
另外，如上所述详细说明了本实施方式，但是，本领域技术人员能够容易地理解到能够进行实质上不脱离本发明的新事项和效果的多种变形。因此，这种变形例全部包含在本发明的范围内。例如，在说明书或附图中，至少一次与更加广义或同义的不同用语一起记载的用语能够在说明书或附图的任意部位置换为该不同的用语。此外，本实施方式和变形例的全部组合也包含在本发明的范围内。此外，振动器件的结构、动作等也不限于本实施方式中说明的内容，能够进行各种变形实施。

Claims (12)

1.一种振动器件，其特征在于，所述振动器件包含：
基座，其包含半导体基板和集成电路，该半导体基板具有第1面和与所述第1面处于正反关系的第2面，该集成电路配置于所述第1面或所述第2面；
振动元件，其与所述集成电路电连接，配置于所述第1面侧；以及
盖，其以收纳所述振动元件的方式在所述基座的接合部处与所述基座接合，
所述集成电路包含无源元件，
所述无源元件被配置成，在从与所述第1面正交的方向俯视时，所述无源元件的至少一部分与所述接合部重叠。
2.根据权利要求1所述的振动器件，其特征在于，
所述无源元件是电容元件或电阻元件中的至少一方。
3.根据权利要求2所述的振动器件，其特征在于，
所述电容元件是MIM电容器、PIP电容器或MOS电容器中的至少一方。
4.根据权利要求2或3所述的振动器件，其特征在于，
所述集成电路包含使所述振动元件振荡而输出振荡信号的振荡电路，
所述无源元件是所述振荡电路中包含的所述电容元件或所述电阻元件中的至少一方。
5.根据权利要求4所述的振动器件，其特征在于，
所述基座包含贯通电极，
所述集成电路具有第1边和与所述第1边相对的第2边，
在所述俯视时，在所述第1边与所述贯通电极之间配置有所述振荡电路。
6.根据权利要求2或3所述的振动器件，其特征在于，
所述集成电路包含生成所述集成电路中使用的基准电压的基准电压生成电路，
所述无源元件是所述基准电压生成电路中包含的所述电阻元件。
7.根据权利要求2或3所述的振动器件，其特征在于，
所述集成电路包含生成所述集成电路中使用的调节电源电压的调节器电路，
所述无源元件是所述调节器电路中包含的所述电阻元件。
8.根据权利要求2或3所述的振动器件，其特征在于，
所述集成电路包含检测温度的温度传感器，
所述无源元件是所述温度传感器中包含的所述电阻元件。
9.根据权利要求2或3所述的振动器件，其特征在于，
所述集成电路包含进行所述振动元件的振荡频率的温度补偿的温度补偿电路，
所述无源元件是所述温度补偿电路中包含的所述电阻元件。
10.根据权利要求1～3中的任意一项所述的振动器件，其特征在于，
所述集成电路包含配置于所述俯视时不与所述接合部重叠的区域的规定电路，
所述规定电路包含控制电路或存储器电路中的至少一方。
11.一种振动器件，其特征在于，所述振动器件包含：
基座，其包含半导体基板和集成电路，该半导体基板具有第1面和与所述第1面处于正反关系的第2面，该集成电路配置于所述第1面或所述第2面；
振动元件，其与所述集成电路电连接，配置于所述第1面侧；以及
盖，其以收纳所述振动元件的方式在所述基座的接合部处与所述基座接合，
所述集成电路包含生成所述集成电路中使用的基准电压的基准电压生成电路或生成所述集成电路中使用的调节电源电压的调节器电路中的至少一方，
所述基准电压生成电路或所述调节器电路中的至少一方中包含的无源元件或有源元件的至少一部分被配置成，在从与所述第1面正交的方向俯视时与所述接合部重叠。
12.一种振动器件，其特征在于，所述振动器件包含：
基座，其包含半导体基板和集成电路，该半导体基板具有第1面和与所述第1面处于正反关系的第2面，该集成电路配置于所述第1面或所述第2面；
振动元件，其与所述集成电路电连接，配置于所述第1面侧；以及
盖，其以收纳所述振动元件的方式在所述基座的接合部处与所述基座接合，
所述集成电路包含检测温度的温度传感器或进行所述振动元件的振荡频率的温度补偿的温度补偿电路中的至少一方，
所述温度传感器或所述温度补偿电路中的至少一方中包含的无源元件或有源元件的至少一部分被配置成，在从与所述第1面正交的方向俯视时与所述接合部重叠。
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