CN114807837A - 一种表面处理设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种表面处理设备，涉及表面处理技术领域。表面处理设备包括真空室、工件架和电子源发生机构；所述真空室包括第一腔体，所述工件架包括基座和多个挂杆，所述基座转动安装于所述第一腔体中，所述多个挂杆转动安装于所述基座的周向，每一所述挂杆的转动轴线均平行于所述真空室的轴向，所述多个挂杆的转动轴线布设于同一圆弧上；所述电子源发生机构设置于所述真空室中且位于所述工件架的周向，所述电子源发生机构用于在所述第一腔体中生成电子束区；所述电子束区与所述圆弧相切，或所述电子束区穿过所述圆弧。本申请提供的表面处理设备，可提升工件横向增强清洗的一致性，提高清洗良率。

Description

一种表面处理设备

技术领域

本申请涉及表面处理技术领域，尤其涉及一种表面处理设备。

背景技术

在对刀具、电子用品壳体等产品镀膜时，通常需要对产品表面进行清洗和活化，以提升镀膜质量。然而，现有的表面清洗设备在对产品进行清洗时，能够提供的清洗区域较小，使得产品表面各部分的清洗力度不一致，造成产品加工不良。

发明内容

本申请提供了一种表面处理设备，以增加对工件的增强清洗区域，提升工件良率。

本申请提供了：

一种表面处理设备，包括真空室、工件架和电子源发生机构；

其中，所述真空室包括第一腔体，所述工件架包括基座和多个挂杆，所述基座转动安装于所述第一腔体中，所述多个挂杆转动安装于所述基座的周向，每一所述挂杆的转动轴线均平行于所述真空室的轴向，所述多个挂杆的转动轴线布设于同一圆弧上；

所述电子源发生机构设置于所述真空室中且位于所述工件架的周向，所述电子源发生机构用于在所述第一腔体中生成电子束区；

所述电子束区与所述圆弧相切，或所述电子束区穿过所述圆弧。

在一些可能的实施方式中，所述电子源发生机构包括弧源组件和阳极棒；

所述阳极棒平行于所述挂杆的转动轴线，所述电子束区形成于所述弧源组件与所述阳极棒之间。

在一些可能的实施方式中，所述弧源组件包括间隔且相对的弧靶和弧挡板，所述弧靶与所述弧挡板之间形成第二腔体；

所述弧挡板位于所述弧靶靠近所述工件架的一侧，所述第二腔体通过所述弧挡板与所述第一腔体相分隔；

所述弧挡板上开设有连通所述第一腔体和所述第二腔体的过孔，在所述真空室的周向上，所述过孔位于所述弧挡板的一侧边缘。

在一些可能的实施方式中，所述表面处理设备包括多组所述电子源发生机构；

多组所述电子源发生机构依次环绕设置于所述工件架的周向。

在一些可能的实施方式中，所述过孔与同组所述阳极棒间的距离，小于该过孔与相邻组中所述阳极棒的距离。

在一些可能的实施方式中，所述阳极棒在所述真空室中的布设区域包括第一区域，所述第一区域为环绕所述工件架设置的部分环形区域，所述第一区域与所述弧源组件相对；

所述第一区域包括第一极限位和第二极限位，当所述阳极棒分别位于所述第一极限位或所述第二极限位时，所述电子束区与所述圆弧相切。

在一些可能的实施方式中，所述阳极棒的布设区域包括第二区域，所述第二区域为所述第一区域的一部分，所述第二区域包括第三极限位和第四极限位；

当所述阳极棒布设于所述第三极限位时，所述电子束区与所述圆弧相切，沿所述真空室的周向，所述第三极限位位于所述弧挡板远离所述过孔的一侧；

当所述阳极棒布设于所述第四极限位时，所述电子束区经过所述基座的转动轴线。

在一些可能的实施方式中，所述阳极棒布设于所述第一极限位；

沿所述真空室的周向，所述第一极限位位于所述弧挡板远离所述过孔的一侧。

在一些可能的实施方式中，所述电子源发生机构包括多个弧源组件和至少一阳极棒；

所述多个弧源组件沿所述真空室的轴向依次排列布设，所述多个弧源组件分别与所述至少一阳极棒配合形成一所述电子束区。

在一些可能的实施方式中，所述电子源发生机构包括一所述阳极棒，所述多个弧源组件与所述阳极棒配合形成的多个所述电子束区相互叠加。

本申请的有益效果是：本申请提出一种表面处理设备，包括真空室、工件架和电子源发生机构。其中，工件架包括基座和多个挂杆，基座转动安装于真空室的第一腔体中，多个挂杆转动地安装于基座的周向，多个挂杆的转动轴线均平行于真空室的轴向，且多个挂杆的转动轴线位于同一圆弧上。电子源发生机构用于在第一腔体中生成电子束区，电子束区与该圆弧相切或直接穿过该圆弧。可以理解的，在表面处理设备的使用中，通常将多个工件环绕布设于挂杆的周向，从而可由挂杆带动工件进行同步转动，相应的，工件可与其自身所在的挂杆具有相同的转动轴线。当基座带动相应的挂杆转动至电子束区时，因电子束区与挂杆的转动轴线相切或直接穿过该挂杆的转动轴线，从而可使得电子束区在工件的横向(即挂杆的径向)上完全覆盖对应的工件，提升工件横向增强清洗的一致性，改善增强清洗效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1示出了现有技术中阳极棒的布设位置；

图2示出了一些实施例中表面处理设备的俯视结构示意图；

图3示出了一些实施例中电子源发生机构的俯视结构示意图；

图4示出了一些实施例中电子束区与工件架的位置关系示意图；

图5示出了一些实施例中电子束区与部分工件的位置关系示意图；

图6示出了一些实施例中在图2中A-A方向上阳极棒与过孔间距离不同时的电子束区分布示意图；

图7示出了一些实施例中阳极棒的布设区域范围示意图；

图8示出了另一些实施例中阳极棒的布设区域范围示意图；

图9示出了又一些实施例中阳极棒的布设区域范围示意图；

图10示出了一些实施例中电子源发生机构的侧视结构示意图。

主要元件符号说明：

10-真空室；101-第一腔体；102-第一区域；1021-第一极限位；1022-第二极限位；103-第二区域；1031-第三极限位；1032-第四极限位；104-第三区域；1041-第五极限位；1042-第六极限位；11-真空室主体；111-气孔；12-封闭门；20-工件架；201-圆弧；21-基座；22-挂杆；30-电子源发生机构；31-弧源组件；310-第二腔体；311-弧靶；312-弧挡板；3121-过孔；313-弧阴极；32-阳极棒；40-电子束区；50-工件；61-第一象限分界线；62-第二象限分界线。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

实施例中提供了一种表面处理设备，可用于对工件50进行表面清洗、表面活化等处理。示例性的，表面处理设备可用于刀模具等工件表面镀制硬质涂层前的表面清洗和活化，以及用于手机外壳等电子产品外壳表面镀制装饰膜层前的表面清洗和活化。

如图2所示，表面处理设备包括真空室10、工件架20和电子源发生机构30。

其中，真空室10可用于将加工环境与外界环境相隔离。相应的，工件架20和电子源发生机构30均可安装于真空室10中。通过表面处理设备处理工件50时，可先将真空室10内抽真空，随后向真空室10内注入一定量的工作气体。其中，工作气体可以根据需要进行选择，例如氩气、氦气等。

在一些实施例中，真空室10大致可呈圆柱状。真空室10内可形成有第一腔体101。

在另一些实施例中，真空室10还可呈现为四棱柱、五棱柱、八棱柱等多棱柱状。

如图2和图6所示，工件架20可包括基座21和多个用于放置工件50的挂杆22。示例性的，工件架20可包括三个、六个、七个、九个、十个、十二个等数量的挂杆22。其中，基座21可转动地安装于第一腔体101中。挂杆22均转动安装于基座21上，即基座21可带动所有挂杆22相对于真空室10转动，同时，各挂杆22又可相对于基座21进行转动。可以理解的，挂杆22可带动工件50相对于基座21进行转动。实施例中，各挂杆22的转动轴线均与基座21的转动轴线相平行。基座21的转动轴线可平行于真空室10的轴向。

所有挂杆22可环绕设置于基座21的周向。具体的，所有挂杆22均可布设于同一圆环上，且相互间隔，避免任意相邻两挂杆22间发生干扰。实施例中，挂杆22可间隔均匀地布设于基座21的周向。

再一并结合图4，在一些实施例中，所有挂杆22的转动轴线可位于同一圆弧201上。

再一并结合图7至图9，电子源发生机构30位于工件架20的周向位置。电子源发生机构30可用于提供电子，且电子源发生机构30可用于在第一腔体101中生成电子束区40。实施例中，电子束区40可与圆弧201相切，或电子束区40可穿过圆弧201。

可以理解的，在使用表面处理设备时，工件50可环绕挂杆22的转动轴线进行布设，即在挂杆22的周向环绕布设多个工件50，且工件50沿挂杆22的径向进行延伸。工件架20可接偏压电源的负极，并可将偏压电源的正极接真空室10的侧壁以实现接地，另外，偏压电源的输出电压可设置在800V以上。当偏压电源开启后，真空室10与工件架20之间会形成电位差，从而激发真空室10内的工作气体电离，并产生弱辉光，可对工件架20上的工件50提供相应的清洗效果。

当电子源发生机构30在第一腔体101中生成电子束区40后，由于大量电子涌入第一腔体101，使得第一腔体101中的电子数量增加多个数量级。电子在第一腔体101中与工作气体发生碰撞，并在电子束区40内发生剧烈的电离、复合行为，从而使得电子束区40内的等离子体浓度快速提升，并可发生剧烈的辉光放电。当工件50经过电子束区40时，电子束区40内的等离子体对工件50清洗作用明显增强，即实现增强清洗，提升清洗质量。

如图1，示出了现有技术中电子源发生机构30所产生的电子束区40与工件50的分布示意图。当基座21带动相应的挂杆22经过电子束区40时，工件50中仅有远离挂杆22转动轴线的边缘位置从电子束区40中经过。而工件50的绝大部分表面均未从电子束区40经过，进而无法得到增强清洗。使得工件50增强清洗一致性不高，清洗良率较低。

如图4和图5所示，本实施例中，使得电子束区40与挂杆22转动轴线所在的圆弧201相切，或使电子束区40直接穿过该圆弧201。从而，当基座21带动相应的挂杆22转动至电子束区40时，可使得该挂杆22周向的某一工件50的全部表面均能从电子束区40经过，即该工件50的所有表面均可得到电子束区40内等离子体的增强清洗，提升工件50横向增强清洗的一致性。其中，横向可指，在垂直于真空室10轴向的一截面上，沿挂杆22任一半径的方向。

可以理解的，挂杆22也可带动其周向的工件50相对于基座21进行转动，从而在整个运行过程中，可使得挂杆22周向不同的工件50穿过电子束区40，使得对应工件50得到增强清洗。

由此，相较于现有技术中电子束区40的设置位置，本实施例中电子束区40的设置方式可明显提升工件50横向增强清洗的一致性，改善清洗效果，提高工件50良率。

如图2所示，进一步的，在一些实施例中，真空室10可以包括真空室主体11和封闭门12。沿真空室10的周向，真空室主体11的一侧可开设有开口结构，封闭门12的一侧边可通过铰链等结构(图未示)铰接于真空室主体11开口结构的一侧边。封闭门12的另一侧边可与真空室主体11开口结构的另一侧边通过卡扣等结构(图未示)实现可拆卸连接。可以理解的，当封闭门12盖合于真空室主体11的开口结构时，封闭门12与真空室主体11密封连接，以封闭真空室主体11的开口结构，防止漏气。

如图2所示，真空室10的一侧还开设有与第一腔体101相连通的气孔111，气孔111可用于连通真空泵(图未示)。在使用表面处理设备时，可由真空泵将真空室10内抽真空及向真空室10内注入工作气体。在一些实施例中，气孔111可开设于真空室主体11上，且位于真空室主体11中与封闭门12正对的位置。

如图2、图3和图6所示，电子源发生机构30可包括弧源组件31和阳极棒32。其中，阳极棒32可设置于第一腔体101中，且阳极棒32可平行于真空室10的轴向。实施例中，阳极棒32与真空室10相绝缘。在使用表面处理设备时，阳极棒32可接阳极电源(图未示)的正极，即使得阳极棒32在工作过程中带正电。

弧源组件31可靠近真空室10一侧的侧壁位置设置。具体的，在一些实施例中，弧源组件31可以包括弧靶311和弧挡板312。其中，弧靶311可设置于真空室10的侧壁中，且弧靶311与真空室10不接触以实现绝缘。

弧挡板312设置于弧靶311靠近工件架20的一侧，且弧挡板312与弧靶311间隔相对设置，相应的，弧挡板312与弧靶311之间可形成第二腔体310。实施例中，弧挡板312可连接于真空室10的内壁，以分隔第一腔体101和第二腔体310。当使用表面处理设备时，第二腔体310中也可充入一定量的工作气体。

实施例中，弧源组件31还包括有弧阴极313，弧阴极313可设置于弧靶311背离弧挡板312的一侧。弧阴极313可固定于真空室10上，且弧阴极313与真空室10相绝缘。在一些实施例中，弧靶311可通过连接杆、支架等结构固定于弧阴极313上，且弧靶311与弧阴极313电连接。当使用表面处理设备时，可使弧阴极313电连接弧电源(图未示)的负极，另外，弧电源的正极可电连接于真空室10。从而，可使得弧靶311与阳极棒32之间形成共地电路。

如图3所示，当开启弧电源时，弧靶311表面会蒸发出大量粒子，可在第二腔体310中产生等离子体，并在第二腔体310中形成弧光放电。其中，等离子体包括大量靶材离子、工作气体离子和电子，以及部分工作气体原子和靶材原子，离化率可达到80％左右。

可以理解的，弧光通常呈现为手电筒式的光芒，可由弧靶311处向弧挡板312方向投射。由于离子和原子均具有较大的重量，因而，绝大多数离子和原子的运动方式都为直线运动。位于第二腔体310的等离子体中，绝大多数离子和原子都直接运动至弧挡板312上。而电子基本无重量，从而在第二腔体310中呈现为弥散状态。

如图3至图6所示，实施例中，弧挡板312的一侧边缘可开设有连通第一腔体101和第二腔体310的过孔3121，且过孔3121的延伸长度可平行于真空室10的轴向。在真空室10的周向，过孔3121可位于弧挡板312的一侧边缘位置。当阳极棒32接通电源后，位于第二腔体310中的大量电子可在阳极棒32的电场作用下，由第二腔体310通过过孔3121溢出至第一腔体101，并高速向阳极棒32运动。即，阳极棒32可将第二腔体310中电子引出至第一腔体101。

实施例中，沿真空室10的轴向，阳极棒32的延伸长度可远远大于过孔3121的延伸长度。当电子从过孔3121溢出并飞向阳极棒32时，可视为点到线的运动。可以理解的，阳极棒32的各部分电位分布均匀，可使从第二腔体310飞出的大量电子沿大致呈扇形的电子束区40向阳极棒32运动。

在电子束区40，高速运动的电子会与工作气体进行碰撞，进而产生强烈的电离、复合行为，使得电子束区40的等离子体快速增加，并可产生剧烈的辉光，以增强对经过工件50的清洗效果。

进一步的，在一些实施例中，可调整阳极棒32在工件架20周向的位置，使得电子束区40与挂杆22转动轴线所在的圆弧201相切，或使得电子束区40直接穿过圆弧201。进而，位于挂杆22上的工件50在经过电子束区40时，可使得对应工件50的全部表面均可经过电子束区40，并得到电子束区40内等离子体的增强清洗，改善工件50表面增强清洗的一致性。

如图7所示，在一些实施例中，阳极棒32可设置于工件架20周向的第一区域102。其中，第一区域102可以是环绕工件架20设置的部分环形区域，且大致位于工件架20与弧源组件31相对的一侧。

实施例中，第一区域102可包括分设于第一区域102两端的第一极限位1021和第二极限位1022。在真空室10的周向上，第一极限位1021可位于弧挡板312远离过孔3121的一侧，第二极限位1022可靠近弧挡板312设置有过孔3121的一侧设置。当阳极棒32设置于第一极限位1021和第二极限位1022时，电子束区40可与圆弧201相切。当阳极棒32布设于第一区域102中第一极限位1021与第二极限位1022之间的位置时，电子束区40可穿过圆弧201。

如图6所示，进一步的，当阳极棒32距离过孔3121较近时，电子束区40可具有张角α。当阳极棒32距离过孔3121较远时，电子束区40可具有张角β。可以理解的，张角α可明显大于张角β。

当挂杆22相对于过孔3121的距离一定时，在阳极棒32相距过孔3121较远时，电子束区40覆盖挂杆22的高度为n。在阳极棒32相距过孔3121较近时，电子束区40覆盖挂杆22的高度为m。其中，高度m明显大于高度n。

可以理解的，当电子束区40经过圆弧201时，会先后穿过两次。而电子再由过孔3121飞向阳极棒32的过程中，会与该区域的工作气体发生碰撞。相应的，强烈的电离、复合行为更多的发生在电子束区40靠近过孔3121的一段，主要通过靠近过孔3121的一段区域对工件50进行增强清洗。

实施例中，当使用表面处理设备处理工件50时，同一挂杆22上可沿真空室10的轴向布置多层工件50。沿真空室10的轴向，当阳极棒32距离过孔3121较近时，可使得电子束区40覆盖挂杆22更大的高度。从而，可扩展轴向上的增强清洗区域，使得挂杆22上的各层工件50在通过电子束区40时均可得到增强清洗，提升轴向清洗一致性，改善清洗效果。

如图8所示，在另一些实施例中，可将阳极棒32布设于工件架20周向的第二区域103，其中，第二区域103可为第一区域102中的一部分。当阳极棒32布设于第二区域103时，可使得阳极棒32距离过孔3121具有相对较小的距离，使得电子束区40可覆盖相对较高的挂杆22高度。实施例中，第二区域103可包括分设于两端的两个极限位，即第三极限位1031和第四极限位1032。其中，第三极限位1031与第一极限位1021为同一位置。当阳极棒32处于第四极限位1032时，电子束区40经过工件架20中基座21的转动轴线。

如图9所示，在又一些实施例中，阳极棒32可布设于工件架20周向的第三区域104，第三区域104可以是第二区域103中的一部分。第三区域104也可包括分设于两端的两个极限位，即第五极限位1041和第六极限位1042。其中，第五极限位1041可与第三极限位1031为同一位置。第六极限位1042可相对于第四极限位1032靠近过孔3121设置。具体的，在垂直于真空室10轴向的截面上，通过两象限分界线将真空室10分割成四个象限，其中第一象限分界线61穿过弧源组件31，且弧源组件31关于第一象限分界线61对称。相应的，第六极限位1042可位于第二象限分界线62位置处。将阳极棒32布设于第三区域104，可使阳极棒32距离过孔3121具有较小的距离，进而可确保电子束区40相对于挂杆22具有较大的覆盖高度，使得增强清洗区域在轴向具有较大的覆盖程度，确保轴向增强清洗的一致性。

当然，在一些实施例中，在真空室10的周向上，可将阳极棒32设置于弧挡板312远离过孔3121的一侧，且使得电子束区40与圆弧201相切，即将阳极棒32布设于第一极限位1021。在确保横向增强清洗一致性的同时，也可增加轴向增强清洗的区域，提升轴向增强清洗一致性，进一步提升清洗良率。

如图10所示，进一步的，在一些实施例中，电子源发生机构30可包括一阳极棒32和多个弧源组件31，示例性的，弧源组件31可设置两组、三组、五组等数量。多个弧源组件31可沿真空室10的轴向依次排列设置，且多个弧源组件31共用同一阳极棒32。相应的，多个弧源组件31分别与阳极棒32配合形成的电子束区40依次排布，且相互叠加。一方面，可进一步扩展轴向增强清洗的区域，另一方面，也可进一步提升清洗的强度，提升清洗效率及轴向增强清洗一致性。

在另一些实施例中，电子源发生机构30可包括多个弧源组件31和多个阳极棒32，且阳极棒32的数量与弧源组件31的数量相等。其中，多个阳极棒32同轴设置，且多个阳极棒32与多个弧源组件31一一对应设置。从而，可在第一腔体101中形成多个电子束区40，且多个电子束区沿真空室10的轴向依次排列设置。

在另一些实施例中，真空室10中也可同时布设多组电子源发生机构30，多组电子源发生机构30可依次环绕设置于工件架20的周向，且相互间隔。可以理解的，弧挡板312上过孔3121距离同一组中阳极棒32的距离，可小于该过孔3121距离相邻组中阳极棒32的距离。从而，可使得同一组中弧源组件31所产生的电子尽可能的都向同组的阳极棒32运动，减少相邻组电子源发生机构30间的相互干扰。

实施例中，以鱼钩和菜刀为例进行增强清洗试验对比：

表1

表1为采用现有技术表面处理设备进行清洗的结果。可以理解的，菜刀具有一定的宽度，菜刀的两个表面以及刀背等均需要镀膜处理，如镀膜前清洗不到位，则镀膜也很难镀制成功。由于现有技术表面处理设备的横向(即沿菜刀的宽度方向)增强清洗区域较小，使得菜刀横向的部分区域无法得到有效的增强清洗，相应的，其清洗良率为0。另外，鱼钩的清洗良率也仅有36.25％。

表2

表2为采用本实施例提供的表面处理设备进行清洗的结果。其中，电子束区40对工件50的旋转轴线进行覆盖，从而，可在横向上明显扩大电子束区40对工件50的覆盖区域，提升横向增强清洗的一致性。即，在菜刀的宽度方向上，可使得菜刀的各部分表面均可被电子束区40覆盖，从而使得菜刀的各表面均可得到增强清洗。测试中，菜刀的增强清洗良率可达到100％。另外，鱼钩的增强清洗良率也可达到98.75％。

综上，实施例中提供的表面处理设备，可明显提升横向增强清洗的一致性及轴向增强清洗的一致性，改善增强清洗效果，提升增强清洗良率。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种表面处理设备，其特征在于，包括真空室、工件架和电子源发生机构；

其中，所述真空室包括第一腔体，所述工件架包括基座和多个挂杆，所述基座转动安装于所述第一腔体中，所述多个挂杆转动安装于所述基座的周向，每一所述挂杆的转动轴线均平行于所述真空室的轴向，所述多个挂杆的转动轴线布设于同一圆弧上；

所述电子源发生机构设置于所述真空室中且位于所述工件架的周向，所述电子源发生机构用于在所述第一腔体中生成电子束区；

所述电子束区与所述圆弧相切，或所述电子束区穿过所述圆弧。

2.根据权利要求1所述的表面处理设备，其特征在于，所述电子源发生机构包括弧源组件和阳极棒；

所述阳极棒平行于所述挂杆的转动轴线，所述电子束区形成于所述弧源组件与所述阳极棒之间。

3.根据权利要求2所述的表面处理设备，其特征在于，所述弧源组件包括间隔且相对的弧靶和弧挡板，所述弧靶与所述弧挡板之间形成第二腔体；

所述弧挡板位于所述弧靶靠近所述工件架的一侧，所述第二腔体通过所述弧挡板与所述第一腔体相分隔；

所述弧挡板上开设有连通所述第一腔体和所述第二腔体的过孔，在所述真空室的周向上，所述过孔位于所述弧挡板的一侧边缘。

4.根据权利要求3所述的表面处理设备，其特征在于，所述表面处理设备包括多组所述电子源发生机构；

多组所述电子源发生机构依次环绕设置于所述工件架的周向。

5.根据权利要求4所述的表面处理设备，其特征在于，所述过孔与同组所述阳极棒间的距离，小于该过孔与相邻组中所述阳极棒的距离。

6.根据权利要求3所述的表面处理设备，其特征在于，所述阳极棒在所述真空室中的布设区域包括第一区域，所述第一区域为环绕所述工件架设置的部分环形区域，所述第一区域与所述弧源组件相对；

所述第一区域包括第一极限位和第二极限位，当所述阳极棒分别位于所述第一极限位或所述第二极限位时，所述电子束区与所述圆弧相切。

7.根据权利要求6所述的表面处理设备，其特征在于，所述阳极棒的布设区域包括第二区域，所述第二区域为所述第一区域的一部分，所述第二区域包括第三极限位和第四极限位；

当所述阳极棒布设于所述第三极限位时，所述电子束区与所述圆弧相切，沿所述真空室的周向，所述第三极限位位于所述弧挡板远离所述过孔的一侧；

当所述阳极棒布设于所述第四极限位时，所述电子束区经过所述基座的转动轴线。

8.根据权利要求6所述的表面处理设备，其特征在于，所述阳极棒布设于所述第一极限位；

沿所述真空室的周向，所述第一极限位位于所述弧挡板远离所述过孔的一侧。

9.根据权利要求1所述的表面处理设备，其特征在于，所述电子源发生机构包括多个弧源组件和至少一阳极棒；

所述多个弧源组件沿所述真空室的轴向依次排列布设，所述多个弧源组件分别与所述至少一阳极棒配合形成一所述电子束区。

10.根据权利要求9所述的表面处理设备，其特征在于，所述电子源发生机构包括一所述阳极棒，所述多个弧源组件与所述阳极棒配合形成的多个所述电子束区相互叠加。

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