CN114622180A - 一种多功能等离子体设备及等离子体生成方法 - Google Patents

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CN114622180A CN202210236224.7A CN202210236224A CN114622180A CN 114622180 A CN114622180 A CN 114622180A CN 202210236224 A CN202210236224 A CN 202210236224A CN 114622180 A CN114622180 A CN 114622180A
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Songshan Lake Materials Laboratory
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Abstract

本申请公开了一种多功能等离子体设备及等离子体生成方法，涉及材料表面处理技术领域。多功能等离子体设备包括真空室、工件台、弧源组件、磁控溅射靶源组件、偏压电源、弧电源组件和磁控溅射电源，所述工件台、所述弧源组件和所述磁控溅射靶源组件均安装于所述真空室内；所述工件台转动安装于所述真空室，所述弧源组件和所述磁控溅射靶源组件分别设置于所述工件台的周向；所述工件台与所述偏压电源连接，所述弧源组件与所述弧电源组件连接，所述磁控溅射靶源组件与所述磁控溅射电源连接。本申请提供的多功能等离子体设备可提供多种等离子体，实现表面清洗、表面活化和镀膜多种操作。

Description

一种多功能等离子体设备及等离子体生成方法
技术领域
本申请涉及材料表面处理技术领域，尤其涉及一种多功能等离子体设备及等离子体生成方法。
背景技术
等离子体镀膜技术越来越多的应用于工件加工过程中，特别是手机等电子产品的工件加工中，可通过对工件镀膜来提升和改变对应工件的结构性能。然而，现有的等离子体镀膜设备仅能提供较为单一的等离子体，实现功能单一。从而使得厂家在对工件进行镀膜处理时，需分别配置不同的设备来完成镀膜过程中的不同工序，设备利用率较低。
发明内容
本申请提供了一种多功能等离子体设备及等离子体生成方法，能够用于生成多种等离子体，可实现工件清洗、表面活化、镀膜等操作，提高设备利用率。
本申请提供了：
一种多功能等离子体设备，包括真空室、工件台、弧源组件、磁控溅射靶源组件、偏压电源、弧电源组件和磁控溅射电源，所述工件台、所述弧源组件和所述磁控溅射靶源组件均安装于所述真空室内；
其中，所述工件台转动安装于所述真空室，所述弧源组件和所述磁控溅射靶源组件分别设置于所述工件台的周向；
所述工件台与所述偏压电源连接，所述弧源组件与所述弧电源组件连接，所述磁控溅射靶源组件与所述磁控溅射电源连接。
在一些可能的实施方式中，所述弧电源组件包括脉冲增强电子发射弧电源，所述弧源组件与所述脉冲增强电子发射弧电源的负极连接。
在一些可能的实施方式中，所述多功能等离子体设备还包括电弧电子辉光电源装置，所述电弧电子辉光电源装置包括弧电源模块；
所述弧源组件与所述弧电源模块的负极连接。
在一些可能的实施方式中，所述弧源组件包括电弧靶和挡板，所述电弧靶与所述弧电源组件连接；
所述多功能等离子体设备还包括阳极棒，所述电弧电子辉光电源装置还包括阳极电源模块，所述阳极棒与所述阳极电源模块的正极连接；
所述挡板可拆卸安装于所述真空室的内壁，所述阳极棒和所述电弧靶分设于所述挡板的两侧，所述阳极棒位于所述挡板靠近所述工件台的一侧，所述挡板上还开设有连通所述挡板两侧的缺口。
在一些可能的实施方式中，所述磁控溅射靶源包括圆饼阴极和至少一平面阴极；
所述圆饼阴极和所述至少一平面阴极环绕设置于所述工件台的周向，且避开所述弧源组件。
在一些可能的实施方式中，所述多功能等离子体设备包括两组所述弧源组件，所述磁控溅射靶源包括一圆饼阴极，所述真空室包括多个依次设置的边位，两组所述弧源组件和所述圆饼阴极设置于所述真空室的同一所述边位；
沿所述真空室的轴向，所述圆饼阴极设置于两组所述弧源组件之间。
在一些可能的实施方式中，所述多功能等离子体还包括加热件，所述加热件位于所述真空室中与所述弧源组件相对的一边位。
在一些可能的实施方式中，所述偏压电源为直流脉冲复合偏压电源。
在一些可能的实施方式中，所述磁控溅射电源为高功率脉冲磁控溅射电源，所述多功能等离子体设备还包括高脉冲磁控溅射电源与偏压电源联动装置，所述高脉冲磁控溅射电源与偏压电源联动装置分别与所述弧源组件、所述磁控溅射靶源组件和所述工件台连接。
另外，本申请还通过了一种等离子体生成方法，基于本申请提供的所述多功能等离子体设备，所述等离子体生成方法包括：
将待加工工件放置于所述工件台上；
将所述真空室抽真空，并充入工作气体；
在所述偏压电源、所述弧电源组件和所述磁控溅射电源中，选择开启所需的电源。
本申请的有益效果是：本申请提出一种多功能等离子体设备及等离子体生成方法，等离子体生成方法基于多功能等离子体设备实现。多功能等离子体设备包括真空室、工件台、弧源组件和磁控溅射靶源组件。其中，工件台连接有偏压电源，弧源组件连接有弧电源组件，磁控溅射靶源组件连接有磁控溅射电源。从而可在真空室中生成相应的偏压等离子体、弧等离子体和磁控等离子体多种等离子体，并可通过不同的等离子体实现对工件的表面清洗、表面活化和镀膜等操作，具有更高的通用性，相应的，也可提升多功能等离子体设备的利用率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1示出了一些实施例中多功能等离子体设备的部分俯视结构示意图；
图2示出了一些实施例中多功能等离子体设备的部分结构示意图；
图3示出了一些实施例中偏压电源的连接结构示意图；
图4示出了一些实施例中磁控溅射电源的连接结构示意图；
图5示出了一些实施例中弧源组件的结构示意图；
图6示出了一些实施例中脉冲增强电子发射弧电源的连接结构示意图；
图7示出了一些实施例中电弧电子辉光电源装置的连接结构示意图；
图8示出了一些实施例中多功能等离子体设备中部分电性部件的连接关系示意图；
图9示出了一些实施例中等离子体生成方法的流程示意图。
主要元件符号说明：
10-真空室；101-第一边位；102-第二边位；103-第三边位；104-第四边位；105-第五边位；106-第六边位；107-第七边位；108-第八边位；11-真空室本体；111-排气孔；12-封闭门；20-工件台；21-转架；22-放置架；30-弧源组件；31-电弧靶；32-挡板；321-缺口；40-磁控溅射靶源组件；41-平面阴极；411-第一平面阴极；412-第二平面阴极；413-第三平面阴极；414-第四平面阴极；415-第五平面阴极；42-圆饼阴极；50-阳极棒；61-偏压电源；611-第一直流电源模块；612-第一脉冲电源模块；62-磁控溅射电源；621-第二直流电源模块；622-第二脉冲电源模块；63-脉冲增强电子发射弧电源；631-第三直流电源模块；632-第三脉冲电源模块；64-电弧电子辉光电源装置；641-弧电源模块；642-阳极电源模块；70-高脉冲磁控溅射电源与偏压电源联动装置；80-待加工工件。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
实施例中提供了一种多功能等离子体设备，可用于激发产生多种等离子体，从而可用于多种类型工件的清洗、表面活化和镀膜等操作。
如图1至图4所示，多功能等离子体设备包括真空室10、工件台20、弧源组件30和磁控溅射靶源组件40。
其中，真空室10可作为反应室，为等离子体的产生提供相应的真空环境，降低空气中各种气体原子、分子等对等离子体的产生造成干扰。工件台20、弧源组件30和磁控溅射靶源组件40均可安装于真空室10内。可以理解的，多功能等离子体设备工作时，真空室10在抽真空后可充入一定量的工作气体，例如氩气、氦气等。
实施例中，工件台20可用于放置待加工工件80。工件台20可转动安装地安装于真空室10中，从而可带动待加工工件80在真空室10内移动。在一些实施例中，弧源组件30和磁控溅射靶源组件40可环绕设置于工件台20的周向。
如图2至图4以及图6和图7所示，在一些实施例中，工件台20连接有偏压电源61。具体的，偏压电源61的负极可连接至工件台20，偏压电源61的正极可连接至真空室10的侧壁，真空室10的侧壁可接地，从而使得偏压电源61的正极接地。
当开启偏压电源61后，可在真空室10内形成电场，产生相应的偏压等离子体，并可在真空室10内形成弱辉光放电。等离子体中的工作气体离子也可在电场作用下向工件台20方向移动，对位于工件台20上的待加工工件80进行轰击，以实现表面清洗、活化等效果。
实施例中，弧源组件30连接有弧电源组件。具体的，弧源组件30可与弧电源组件中的负极连接。相应的，弧电源组件中的正极也可连接至真空室10的侧壁，以实现接地。当开启弧电源组件时，可在真空室10内产生相应的弧等离子体，并可对位于工件台20上的待加工工件80进行表面清洗、表面活化、镀膜等操作。
实施例中，磁控溅射靶源组件40连接有磁控溅射电源62。具体的，磁控溅射靶源组件40可连接至磁控溅射电源62的负极，磁控溅射电源62的正极可连接于真空室10的侧壁实现接地。
当开启磁控溅射电源62时，磁控溅射靶源组件40与真空室10的侧壁之间形成电场，可在真空室10内激发磁控等离子体的产生，进而可用于对待加工工件80的表面进行镀膜。
可以理解的，当需要在真空室10内产生不同的等离子体、用于实现不同的目的(表面清洗、表面活化或镀膜)或对于不同材质的待加工工件80，真空室10内的工作气体可根据需要进行选择更换。
由此，实施例中提供的多功能等离子体设备可根据需要产生不同种类的等离子体，并可用于实现待加工工件80的表面清洗、表面活化和镀膜等操作。具有更高的通用性，满足不同的加工需要，也可提高多功能等离子体的利用率。
如图1所示，进一步的，在一些实施例中，真空室10可以包括真空室本体11和封闭门12。其中，真空室本体11的内部为中空结构，且真空室本体11的一侧开设有与真空室本体11内部相连通的开口结构。操作员可通过开口结构将待加工工件80的放置于真空室10中的工件台20上，或从工件台20上取下待加工工件80。
封闭门12可用于封闭真空室本体11的开口结构，以实现真空室10的密封。示例性的，封闭门12的一侧可与真空室本体11开口结构的一侧边相铰接，封闭门12的另一侧可与真空室本体11中相对的另一侧通过卡扣等结构实现可拆卸连接。当封闭门12封闭真空室本体11的开口结构时，封闭门12可与真空室本体11开口结构的周向通过密封垫圈等结构实现密封，以防止漏气。
实施例中，真空室10可根据需要设置成四棱柱、五棱柱、八棱柱等结构，相对应的，真空室10可具有四个、五个、八个等数量的边位。其中，真空室10的各边位可作为弧源组件30和/或磁控溅射靶源组件40等结构件的安装位。实施例中，真空室10的各边位可依次设置于真空室本体11和封闭门12上。
如图1和图2所示，在一些实施例中，真空室10可呈八棱柱结构，相应的，真空室10可包括依次设置的八个边位，即第一边位101、第二边位102、第三边位103、第四边位104、第五边位105、第六边位106、第七边位107和第八边位108。其中，第一边位101至第三边位103可依次设置于封闭门12上，第四边位104至第八边位108可依次设置于真空室本体11上。
在一些实施例中，真空室10上还开设有排气孔111，具体的，排气孔111可设置于真空室本体11中与封闭门12正对的一边位，即排气孔111设置于第六边位106。可以理解的，可将排气孔111与真空泵(图未示)相连，可实现对真空室10抽真空和工作气体的注入。示例性的，多功能等离子体设备工作时，可先通过真空泵将真空室10内抽真空，在真空度小于10- 3Pa时，向真空室10内注入0.5Pa～10Pa的工作气体。
如图1所示，在一些实施例中，工件台20可以包括转架21和放置架22。其中，转架21转动安装于真空室10内。转架21的外形可呈圆柱状，且转架21的转动轴线为其自身的轴线，实施例中，转架21与真空室10同轴。
实施例中，转架21上转动安装于多个放置架22，多个放置架22环绕设置于转架21的周向边缘，且可间隔均匀。使用中，待加工工件80可固定设置于放置架22上。具体的，沿放置架22的转动轴线方向，放置架22上可放置多层待加工工件80。在放置架22的同一层，可环绕放置架22的转动轴线放置多个待加工工件80。从而，一次可对多个待加工工件80进行表面处理。
多功能等离子体设备工作时，可由转架21带动多个放置架22转动，使得各放置架22依次经过相应的等离子体区域。同时，放置架22相对于转架21转动时，可使得位于放置架22周向的各待加工工件80均能够与等离子体区域有效接触，以使得表面处理更加均匀，具有更好的表面处理效果。
在一些实施例中，各放置架22均可与转架21具有相同的转动方向，示例性，放置架22和转架21均可沿逆时针或顺时针转动。
当然，在另一些实施例中，转架21可进行逆时针或顺时针转动，各放置架22可沿相反的方向进行转动。
如图3所示，在一些实施例中，偏压电源61可选用直流脉冲复合偏压电源。相应的，偏压电源61可包括第一直流电源模块611和第一脉冲电源模块612。实施例中，第一直流电源模块611的正负极和第一脉冲电源模块612的正负极可通过电源内部的直流脉冲控制装置实现连接，使偏压电源61可通过一对导线实现正负极的接出。
实施例中，偏压电源61的负极可通过导线电连接至工件台20。偏压电源61的正极可通过导线连接于真空室10的侧壁，以实现接地。可以理解的，当待加工工件80为金属类工件时，待加工工件80也可通过工件台20与偏压电源61的负极电连接，工作时，待加工工件80也会带上相应的负电。实施例中，工件台20可由金属材料制成。
当需要提供直流偏压等离子体时，可开启偏压电源61中的第一直流电源模块611，并对第一直流电源模块611的参数进行设置，第一脉冲电源模块612处于关闭状态。工件台20与第一直流电源模块611接通，使得工件台20与真空室10的侧壁间形成电位差，进而在真空室10内激发辉光放电，形成相应的直流偏压等离子体。
其中，第一直流电源模块611的参数可根据需要进行设置，例如可根据所要实现的操作效果、待加工工件80材质等。在一些实施例中，第一直流电源模块611的输出电压可设置成负偏压，且通常可设置在0V～1200V。示例性的，当需要对待加工工件80进行表面清洗时，可将第一直流电源模块611的输出电压设置为500V～900V。当需要实现镀膜时，可将第一直流电源模块611的输出电压设置在0V～300V。
在另一些实施例中，第一直流电源模块611的输出电压也可设置为正偏压或零偏压，例如在制作氮化钽(TaN)镀膜时，可通过正偏压实现。
当需要提供脉冲偏压等离子体时，可开启偏压电源61的第一脉冲电源模块612，并对第一脉冲电源模块612的参数进行设置，另外，第一直流电源模块611可处于关闭状态。工件台20与第一脉冲电源模块612接通，且工件台20与真空室10的侧壁间形成电位差，进而在真空室10内激发形成脉冲偏压等离子。
其中，第一脉冲电源模块612的参数可根据需要进行设置，例如输出电压通常可设置在0V～1200V，频率通常可设置在1Hz～40kHz。
当需要高频直流脉冲复合偏压等离子体时，可先开启第一直流电源模块611，再开启第一脉冲电源模块612。其中，第一直流电源模块611的参数和第一脉冲电源模块612的参数均可根据需要进行设置。从而可在真空室10内激发产生高频直流脉冲复合偏压等离子体。示例性的，第一直流电源模块611的输出电压可根据需要设置成负偏压且通常设置成偏小值(在0V～1200V之间)，第一脉冲电源模块612的输出电压通常设置成偏大值(在0V～1200V之间)，频率也设置成偏大值(在1Hz～40kHz之间)。
在另一些实施例中，偏压电源61不排除选用直流偏压电源或脉冲偏压电源。
如图4所示，进一步的，在一些实施例中，磁控溅射电源62可选用高功率脉冲磁控溅射(High Power Impulse Magnetron Sputtering，HiPIMS)电源。其中，磁控溅射电源62可包括第二直流电源模块621和第二脉冲电源模块622，且第二直流电源模块621的正负极和第二脉冲电源模块622的正负极可通过磁控溅射电源62内部的直流脉冲控制装置实现连接，使磁控溅射电源62可通过一对导线实现正负极的接出。
实施例中，磁控溅射电源62的负极可通过导线电连接磁控溅射靶源组件40。磁控溅射电源62的正极可通过导线电连接至真空室10的侧壁，以实现接地。
再一并结合图1和图2，磁控溅射靶源组件40可包括多个平面阴极41和一个圆饼阴极42。其中，平面阴极41设置有五个，即第一平面阴极411、第二平面阴极412、第三平面阴极413、第四平面阴极414和第五平面阴极415。实施例中，五个平面阴极41和一个圆饼阴极42一一对应的分设于真空室10的不同边位处。具体的，第一平面阴极411至第三平面阴极413依次设置于第一边位101至第三边位103，第四平面阴极414设置于第五边位105，第五平面阴极415设置于第七边位107。实施例中，圆饼阴极42设置于第四边位104。
实施例中，磁控溅射电源62可根据需要连接平面阴极41中的任一个或多个，或连接圆饼阴极42。当需要在真空室10中产生相应的磁控等离子体时，操作员可根据需要将磁控溅射电源62连接于平面阴极41或圆饼阴极42。
当需要直流磁控等离子体时，可开启磁控溅射电源62中的第二直流电源模块621，并对第二直流电源模块621进行参数设置，第二脉冲电源模块622可处于关闭状态。在电场作用下，可使电子在真空室10中高速运动并可与工作气体发生碰撞，电离出工作气体离子。工作气体离子可加速向平面阴极41(或圆饼阴极42)运动，以对平面阴极41中的靶材(或圆饼阴极42中的靶材)进行轰击，从而使平面阴极41中的靶材(或圆饼阴极42中的靶材)发生溅射，进而可实现对待加工工件80表面的镀膜。在此期间，真空室10内可产生相应的直流磁控等离子体。
其中，第二直流电源模块621的参数可根据需要进行设置，示例性的，第二直流电源模块621的输出电压通常可设置在0V～2000V。
当需要脉冲磁控等离子体时，可开启磁控溅射电源62中的第二脉冲电源模块622，并进行参数设置，另外，第二直流电源模块621处于关闭状态。从而，可在真空室10中激发产生脉冲磁控等离子体。
其中，第二脉冲电源模块622的参数可根据需要进行设置，示例性的，第二脉冲电源模块622的输出电压通常可设置为0V～2000V，电流通常设置在10A～1000A，脉冲频率通常设置在10Hz～1000Hz。当一第二脉冲电源模块622的输出电流大小不足时，可并列设置多台磁控溅射电源62，以输出满足需要的脉冲电流大小。
当需要HiPIMS等离子体时，可先开启第二直流电源模块621，并设置电源参数。随后，再开启第二脉冲电源模块622，并设置电源参数。从而，可在真空室10中产生所需的HiPIMS等离子体。其中，第二直流电源模块621的参数和第二脉冲电源模块622的参数可根据需要进行设置。
实施例中，磁控溅射电源62还可用于空载引辉，其中，引辉电压可设置成大于750V，工作气体可选用氩气，以产生辉光。
如图1、图2、图5和图6所示，在一些实施例中，弧源组件30可设置于真空室10的第八边位108处。弧源组件30可包括电弧靶31。其中，电弧靶31可电连接于弧电源组件中阴极。
在一些实施例中，弧电源组件可包括脉冲增强电子发射(Pulse EnhancedElectron Emission，P3E)弧电源。脉冲增强电子发射弧电源63包括第三直流电源模块631和第三脉冲电源模块632。其中，第三直流电源模块631中的正负极与第三脉冲电源模块632中的正负极可通过脉冲增强电子发射弧电源63中的直流脉冲控制装置连接，以使脉冲增强电子发射弧电源63可通过一对导线实现正负极接出。
实施例中，脉冲增强电子发射弧电源63的负极可通过导线电连接至电弧靶31。脉冲增强电子发射弧电源63的正极可通过导线电连接至真空室10的侧壁，以实现接地。
当需要直流弧等离子体时，可开启脉冲增强电子发射弧电源63中的第三直流电源模块631，并进行参数设置，另外，第三脉冲电源模块632可关闭。从而，可在真空室10内激发直流弧等离子体产生。
其中，第三直流电源模块631的参数可根据需要设置，通常可将第三直流电源模块631的电压设置在0V～100V，电流设置在50A～160A。当第三直流电源模块631输出电流大小无法满足工艺需要时，可并联设置多个脉冲增强电子发射弧电源63，并将各脉冲增强电子发射弧电源63中的第三直流电源模块631并联，以输出满足需求的电流大小。
当需要脉冲弧等离子体时，可开启第三脉冲电源模块632，并进行参数设置。同时，保持第三直流电源模块631处于关闭状态。从而，可在真空室10内激发产生所需的脉冲弧等离子体。
其中，第三脉冲电源模块632的参数可根据需要进行设置，示例性的，第三脉冲电源模块632的电流通常设置为1000A，脉冲频率通常设置在10Hz～1000Hz。当第三脉冲电源模块632的输出电流大小不足时，也可通过并联多个第三脉冲电源模块632来输出所需大小的电流。
当需要P3E弧等离子体时，可先开启第三直流电源模块631，再开启第三脉冲电源模块632，并提前对第三直流电源模块631和第三脉冲电源模块632的工作参数进行设置。从而，在开启脉冲增强电子发射弧电源63后，可在真空室10中激发产生P3E弧等离子体。
再一并结合图8所示，在一些实施例中，多功能等离子体设备还包括高脉冲磁控溅射电源与偏压电源联动装置70，分别与弧源组件30中的电弧靶31、磁控溅射靶源组件40和工件台20电连接。
如图7和图8所示，在一些实施例中，多功能等离子体设备还包括电弧电子辉光(Arc Electronic Glow，AEG)电源装置和阳极棒50。其中，电弧电子辉光电源装置64包括弧电源模块641和阳极电源模块642。弧电源模块641的负极可通过导线电连接至电弧靶31。相应的，弧电源组件可包括该弧电源模块641。另外，弧电源模块641的正极可通过导线电连接于真空室10侧壁，以实现电连接。
实施例中，阳极棒50可设置于真空室10内工件台20的一侧，且靠近电弧靶31所在边位设置。阳极电源模块642的正极可通过导线电连接阳极棒50，且阳极电源模块642的负极可通过导线电连接至真空室10的侧壁，以实现接地。从而，阳极棒50与电弧靶31之间可形成共地电路。
再一并结合图5，弧源组件30还包括挡板32，设置于电弧靶31靠近工件台20的一侧，且阳极棒50位于挡板32远离电弧靶31的一侧。挡板32可对电弧靶31附近产生的等离子体进行阻隔。
实施例中，挡板32的侧边可开设有连通电弧靶31和阳极棒50的缺口321。由电弧靶31所产生的等离子体中，由于弧离子和工作气体离子具有较大的速度，大部分会沿直线向挡板32飞去。而电子的重量几乎为零，并在电弧靶31与挡板32之间的空间内呈现为弥散状态。当阳极棒50接通电源后，在外加电场的作用，位于挡板32与电弧靶31之间的电子可从挡板32上的缺口321飞出。
实施例中，挡板32可通过卡扣连接、插接、螺钉连接等方式可拆卸安装于真空室10的内壁上。从而，在通过电弧靶31向工件台20所在空间提供相应的弧等离子体时，可将挡板32拆除。
实施例中，当需要AEG增强偏压等离子体时，可先开启偏压电源61，再开启电弧电子辉光电源装置64，并分别对偏压电源61和电弧电子辉光电源装置64的工作参数进行设置。在开启电弧电子辉光电源装置64后，可先开启弧电源模块641，再开启阳极电源模块642。
其中，当开启偏压电源61后，会在真空室10中产生弱辉光。当开启电弧电子辉光电源装置64后，电弧靶31与挡板32之间的电子会在电场的作用下，通过缺口321飞出，使得真空室10中挡板32靠近工件台20一侧空间中的电子数量得到明显提升，由于电子会与工作气体发生碰撞，进而会产生剧烈的电离和复合行为，同时，也使得工件台20所在空间中的等离子体快速提升，并产生剧烈辉光。即，可对相应的偏压等离子体进行增强，由此，可在真空室10中获得AEG增强偏压等离子体。
实施例中，弧电源模块641的工作电流可通常可设置在50A～160A。阳极电源模块642的电流通常可设置在30A～150A，频率可设置在1Hz～1000Hz。实施例中，偏压电源61的参数设置可根据获得相应偏压等离子体时的参数进行设置，在此不再赘述。
实施例中，当电弧电子辉光电源装置64与偏压电源61进行脉冲协同工作时，可通过保持固定的同步延时时长，以便确定形成的等离子体为所需的等离子体。电弧电子辉光电源装置64与偏压电源61之间可通过同步匹配装置实现协同，其中，同步匹配装置可采用现有的一些同步匹配装置，例如通过两个1/2CD4098芯片来实现的同步匹配装置，可实现两电源同频率，且可以进行不同相位调节。
可以理解的，当偏压电源61开启第一直流电源模块611或第一脉冲电源模块612时，可分别获得AEG增强直流偏压等离子体或AEG增强脉冲偏压等离子体。当偏压电源61同时开启第一直流电源模块611和第一脉冲电源模块612时，又可获得AEG增强直流脉冲复合偏压等离子体。
当需要AEG增强磁控等离子体时，可先开启磁控溅射电源62，再开启电弧电子辉光电源装置64，并分别对磁控溅射电源62的参数和电弧电子辉光电源装置64的参数进行设置。在开启电弧电子辉光电源装置64时，可先开启弧电源模块641，再开启阳极电源模块642。在真空室10内，电弧靶31与挡板32之间的电子从缺口321溢出后，可使得真空室10内相应的磁控等离子体得到明显增强，即获得AEG增强磁控等离子体。
可以理解的，当磁控溅射电源62分别连接平面阴极41或圆饼阴极42，以及磁控溅射电源62分别开启不同的电源模块时，均可产生不同的AEG增强磁控等离子体。相应的，磁控溅射电源62可以与电弧电子辉光电源装置64配合形成六种类型的等离子体形态。
实施例中，当电弧电子辉光电源装置64与磁控溅射电源62进行脉冲协同配合产生等离子体时，可通过保持固定的同步延时时长，以便确定所形成的等离子体为所需等离子体。当然，电弧电子辉光电源装置64与磁控溅射电源62之间也可通过同步匹配装置来实现协同。
在一些实施例中，还可通过磁控溅射电源62或脉冲增强电子发射弧电源63与偏压电源61进行脉冲协同工作，以产生相应的等离子体。期间，可通过调整相位大小、同步延时时长等参数来进行调制。可以理解的，磁控溅射电源62或脉冲增强电子发射弧电源63与偏压电源61也可通过同步匹配装置来实现协同。
在另一些实施例中，可将圆饼阴极42与弧源组件30设置于真空室10的同一边位。具体的，可沿真空室10的轴向，在圆饼阴极42的上下两侧各设置一组弧源组件30，即圆饼阴极42位于两组弧源组件30之间。实施例中，两组弧源组件30可共用一阳极棒50，实现电子的引出。相应的，第四边位104可设置加热管、加热网等加热件，当镀膜过程中需要高温处理时，可开启加热件来提供热源。
在一些实施例中，真空室10的侧壁上还可设置有观察窗(图未示)，具体的，观察窗可设置于封闭门12上的一边位处，以便操作员对真空室10内的反应情况进行观察。
如图9所示，实施例中还提供了一种等离子体生成方法，可基于实施例中提供的多功能等离子体设备实现，等离子体生成方法包括：
S10，将待加工工件80放置于工件台20上。
具体的，可将待加工工件80固定放置于工件台20上的放置架22上，且任一放置架22上均可放置多层待加工工件80，同一层可放置多个待加工工件80。
S20，将真空室10抽真空，并充入工作气体。
具体的，可将真空室10的排气孔111连接真空泵，通过真空泵将真空室内抽真空，并可通过真空泵向真空室10内充入一定量的工作气体。
S30，在偏压电源61、弧电源组件和磁控溅射电源62中，选择开启所需的电源。
实施例一
实施例中提供了一种等离子体生成方法，包括：
S11，将待加工工件80放置于工件台20的放置架22上。
S21，通过真空泵将真空室10内抽真空，当真空室10内的真空度小于10-2Pa时，向真空室10内充入氩气使真空室10内气压至0.2Pa～10Pa。
S31，开启偏压电源61中的第一直流电源模块611，并将输出电压设置在0V～1200V。从而可在真空室10内产生直流偏压等离子体。
实施例中，当利用直流偏压等离子体对待加工工件80进行偏压清洗时，可将第一直流电源模块611的输出电压设置在500V～900V。当利用直流偏压等离子体参加镀膜工艺步骤时，可将第一直流电源模块611的输出电压设置在0V～300V。
当然，在另一些实施例中，在步骤S31中，也可开启第一脉冲电源模块612，并将输出电压设置为400V～1000V，将脉冲频率设置为0Hz～1000Hz，将脉宽设置为0us～500us。从而，可在真空室10内产生脉冲偏压等离子体。
实施例二
实施例中提供了一种等离子体生成方法，包括：
S12，将待加工工件80放置于工件台20的放置架22上。
S22，通过真空泵将真空室10内抽真空，当真空室10内的真空度小于10-2Pa时，向真空室10内充入氩气使真空室10内气压至0.3Pa～1.0Pa。
S32，将磁控溅射电源62的负极与平面阴极41连接，并将磁控溅射电源62的正极与真空室10的侧壁连接以实现接地。开启磁控溅射电源62中的第二直流电源模块621，并将输出电压设置为300V～800V。从而，可在真空室10内获得直流磁控等离子体。
在另一些实施例中，也可开启第二脉冲电源模块622，亦或同时开启第二直流电源模块621和第二脉冲电源模块622，以获得相应的脉冲磁控等离子体或HiPIMS磁控等离子体。
实施例三
S13，将待加工工件80放置于工件台20的放置架22上。另外，将挡板32安装于真空室10的内壁，并使挡板32与电弧靶31相对。
S23，通过真空泵将真空室10内抽真空，当真空室10内的真空度小于10-2Pa时，向真空室10内充入氩气使真空室10内气压至0.7Pa～5.0Pa。
S33，开启偏压电源61中的第一直流电源模块611，可将输出电压设置为0V～1200V。再开启电弧电子辉光电源装置64中的弧电源模块641，并将输出电压设置为10V～120V，输出电流为30A～120A。随后进一开启阳极电源模块642，并将输出电流设置为30A～120A。从而，可在真空室10内产生对应的AEG增强直流偏压等离子体。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种多功能等离子体设备，其特征在于，包括真空室、工件台、弧源组件、磁控溅射靶源组件、偏压电源、弧电源组件和磁控溅射电源，所述工件台、所述弧源组件和所述磁控溅射靶源组件均安装于所述真空室内；
其中，所述工件台转动安装于所述真空室，所述弧源组件和所述磁控溅射靶源组件分别设置于所述工件台的周向；
所述工件台与所述偏压电源连接，所述弧源组件与所述弧电源组件连接，所述磁控溅射靶源组件与所述磁控溅射电源连接。
2.根据权利要求1所述的多功能等离子体设备，其特征在于，所述弧电源组件包括脉冲增强电子发射弧电源，所述弧源组件与所述脉冲增强电子发射弧电源的负极连接。
3.根据权利要求1或2所述的多功能等离子体设备，其特征在于，所述多功能等离子体设备还包括电弧电子辉光电源装置，所述电弧电子辉光电源装置包括弧电源模块；
所述弧源组件与所述弧电源模块的负极连接。
4.根据权利要求3所述的多功能等离子体设备，其特征在于，所述弧源组件包括电弧靶和挡板，所述电弧靶与所述弧电源组件连接；
所述多功能等离子体设备还包括阳极棒，所述电弧电子辉光电源装置还包括阳极电源模块，所述阳极棒与所述阳极电源模块的正极连接；
所述挡板可拆卸安装于所述真空室的内壁，所述阳极棒和所述电弧靶分设于所述挡板的两侧，所述阳极棒位于所述挡板靠近所述工件台的一侧，所述挡板上还开设有连通所述挡板两侧的缺口。
5.根据权利要求1所述的多功能等离子体设备，其特征在于，所述磁控溅射靶源包括圆饼阴极和至少一平面阴极；
所述圆饼阴极和所述至少一平面阴极环绕设置于所述工件台的周向，且避开所述弧源组件。
6.根据权利要求1所述的多功能等离子体设备，其特征在于，所述多功能等离子体设备包括两组所述弧源组件，所述磁控溅射靶源包括一圆饼阴极，所述真空室包括多个依次设置的边位，两组所述弧源组件和所述圆饼阴极设置于所述真空室的同一所述边位；
沿所述真空室的轴向，所述圆饼阴极设置于两组所述弧源组件之间。
7.根据权利要求6所述的多功能等离子体设备，其特征在于，所述多功能等离子体还包括加热件，所述加热件位于所述真空室中与所述弧源组件相对的一边位。
8.根据权利要求1所述的多功能等离子体设备，其特征在于，所述偏压电源为直流脉冲复合偏压电源。
9.根据权利要求1或8所述的多功能等离子体设备，其特征在于，所述磁控溅射电源为高功率脉冲磁控溅射电源，所述多功能等离子体设备还包括高脉冲磁控溅射电源与偏压电源联动装置，所述高脉冲磁控溅射电源与偏压电源联动装置分别与所述弧源组件、所述磁控溅射靶源组件和所述工件台连接。
10.一种等离子体生成方法，其特征在于，基于权利要求1至9任一项所述的多功能等离子体设备，所述等离子体生成方法包括：
将待加工工件放置于所述工件台上；
将所述真空室抽真空，并充入工作气体；
在所述偏压电源、所述弧电源组件和所述磁控溅射电源中，选择开启所需的电源。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117626201A (zh) * 2023-12-01 2024-03-01 科廷表面科技(浙江)有限公司 一种dlc溅射等离子涂层工艺及涂层装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1087131A (zh) * 1992-11-20 1994-05-25 哈尔滨工业大学 金属等离子体源离子注入方法及装置
US20070144901A1 (en) * 2004-03-15 2007-06-28 Skotheim Terje A Pulsed cathodic arc plasma
US20100264016A1 (en) * 2007-12-14 2010-10-21 The Regents Of The University Of California Very low pressure high power impulse triggered magnetron sputtering
CN103695858A (zh) * 2013-12-26 2014-04-02 广东工业大学 一种用于刀具涂层沉积的多功能全自动离子镀膜机及其使用方法
CN104131258A (zh) * 2014-06-17 2014-11-05 北京大学深圳研究生院 一种离子镀膜装置和离子镀膜方法
CN206494965U (zh) * 2017-02-22 2017-09-15 上海仟纳真空镀膜科技有限公司 多功能真空离子镀膜机
CN108342701A (zh) * 2017-01-25 2018-07-31 谢尔盖·米克海洛夫 用于表面处理的设备和方法
CN109055901A (zh) * 2018-10-25 2018-12-21 大连维钛克科技股份有限公司 一种提高硬质涂层与基材结合力的装置及工艺
CN109989009A (zh) * 2017-12-30 2019-07-09 魏永强 组合磁场电弧离子镀与高功率脉冲磁控溅射复合沉积方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1087131A (zh) * 1992-11-20 1994-05-25 哈尔滨工业大学 金属等离子体源离子注入方法及装置
US20070144901A1 (en) * 2004-03-15 2007-06-28 Skotheim Terje A Pulsed cathodic arc plasma
US20100264016A1 (en) * 2007-12-14 2010-10-21 The Regents Of The University Of California Very low pressure high power impulse triggered magnetron sputtering
CN103695858A (zh) * 2013-12-26 2014-04-02 广东工业大学 一种用于刀具涂层沉积的多功能全自动离子镀膜机及其使用方法
CN104131258A (zh) * 2014-06-17 2014-11-05 北京大学深圳研究生院 一种离子镀膜装置和离子镀膜方法
CN108342701A (zh) * 2017-01-25 2018-07-31 谢尔盖·米克海洛夫 用于表面处理的设备和方法
CN206494965U (zh) * 2017-02-22 2017-09-15 上海仟纳真空镀膜科技有限公司 多功能真空离子镀膜机
CN109989009A (zh) * 2017-12-30 2019-07-09 魏永强 组合磁场电弧离子镀与高功率脉冲磁控溅射复合沉积方法
CN109055901A (zh) * 2018-10-25 2018-12-21 大连维钛克科技股份有限公司 一种提高硬质涂层与基材结合力的装置及工艺

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
戴达煌等: "《功能薄膜及其沉积制备技术》", 冶金工业出版社, pages: 162 - 163 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117626201A (zh) * 2023-12-01 2024-03-01 科廷表面科技(浙江)有限公司 一种dlc溅射等离子涂层工艺及涂层装置

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